JP3152812B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JP3152812B2 JP3152812B2 JP23004293A JP23004293A JP3152812B2 JP 3152812 B2 JP3152812 B2 JP 3152812B2 JP 23004293 A JP23004293 A JP 23004293A JP 23004293 A JP23004293 A JP 23004293A JP 3152812 B2 JP3152812 B2 JP 3152812B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- reflection
- layer
- film
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光装置に係わ
り、特にＩｎＧａＡｌＰ系半導体材料を使用した半導体
発光装置に関する。
り、特にＩｎＧａＡｌＰ系半導体材料を使用した半導体
発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信や光情報処理機器における
表示装置等の光源として、発光ダイオード（ＬＥＤ）が
広く用いられている。一般にＬＥＤでは、発光強度及び
応答速度が重要な特性であり、特に表示用ＬＥＤには高
輝度発光が要求される。
表示装置等の光源として、発光ダイオード（ＬＥＤ）が
広く用いられている。一般にＬＥＤでは、発光強度及び
応答速度が重要な特性であり、特に表示用ＬＥＤには高
輝度発光が要求される。
【０００３】ＩｎＧａＡｌＰ系材料は、窒化物を除く I
II−Ｖ族化合物半導体混晶中で最大の直接遷移型バンド
ギャップを有し、０．５〜０．６μｍ帯の発光素子材料
として注目されている。特にＧａＡｓを基板とし、これ
に格子整合するＩｎＧａＡｌＰによる発光部を持つｐｎ
接合型ＬＥＤは、従来のＧａＰやＧａＡｓＰ等の間接遷
移型の材料を用いたものに比べ、赤から緑色の高輝度発
光が可能である。しかし、ＧａＡｓ基板はこの波長帯域
に対して吸収損失を与えるため、活性層から基板側に出
射される光は基板で全て吸収され、外部に取り出すこと
ができない。
II−Ｖ族化合物半導体混晶中で最大の直接遷移型バンド
ギャップを有し、０．５〜０．６μｍ帯の発光素子材料
として注目されている。特にＧａＡｓを基板とし、これ
に格子整合するＩｎＧａＡｌＰによる発光部を持つｐｎ
接合型ＬＥＤは、従来のＧａＰやＧａＡｓＰ等の間接遷
移型の材料を用いたものに比べ、赤から緑色の高輝度発
光が可能である。しかし、ＧａＡｓ基板はこの波長帯域
に対して吸収損失を与えるため、活性層から基板側に出
射される光は基板で全て吸収され、外部に取り出すこと
ができない。
【０００４】図７に、ＩｎＧａＡｌＰ発光部を有する従
来のＬＥＤの素子構造断面を示す。図中１はｎ−ＧａＡ
ｓ基板、２はｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、３はＩｎ
ＧａＡｌＰ活性層、４はｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド
層、５はｎ−ＩｎＧａＡｌＰ電流阻止層、６はｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓ電流拡散層、７はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、
８はＡｕＺｎからなるｐ側電極、９はＡｕＧｅからなる
ｎ側電極である。
来のＬＥＤの素子構造断面を示す。図中１はｎ−ＧａＡ
ｓ基板、２はｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、３はＩｎ
ＧａＡｌＰ活性層、４はｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド
層、５はｎ−ＩｎＧａＡｌＰ電流阻止層、６はｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓ電流拡散層、７はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、
８はＡｕＺｎからなるｐ側電極、９はＡｕＧｅからなる
ｎ側電極である。
【０００５】ＩｎＧａＡｌＰ活性層３のエネルギーギャ
ップは、クラッド層２，４のそれより小さくなるように
混晶組成が設定されており、光及びキャリアを活性層３
に閉じ込めるダブルヘテロ構造をなしている。また、ｐ
−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層６の組成は、ＩｎＧａＡｌＰ
活性層３からの発光波長に対し略透明になるように設定
されている。
ップは、クラッド層２，４のそれより小さくなるように
混晶組成が設定されており、光及びキャリアを活性層３
に閉じ込めるダブルヘテロ構造をなしている。また、ｐ
−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層６の組成は、ＩｎＧａＡｌＰ
活性層３からの発光波長に対し略透明になるように設定
されている。
【０００６】図７の構造において、活性層３を厚さ０．
２μｍのアンドープのＩｎ 0.5（Ｇａ1-x Ａｌx ） 0.5
Ｐ（ｘ＝０．４）とした場合、その導電型はｎ型であ
り、キャリア濃度は１〜５×１０16ｃｍ-3程度であっ
た。このとき、発光波長は５６５ｎｍ（緑）、発光効率
はＤＣ２０ｍＡで０．１５％程度であった。また、ｘ＝
０．３としたとき、発光波長は５８５ｎｍ（黄）、発光
効率はＤＣ２０ｍＡで０．６％程度と低く、ＧａＰ，Ｇ
ａＡｓＰ系に対する特性的なメリットは必ずしも見られ
なかった。一方、ｘ＝０．２としたとき、発光波長は６
２０ｎｍ（だいだい色）、発光効率はＤＣ２０ｍＡで
３．０％程度であり、発光波長に対し吸収体となるＧａ
Ａｓ基板１を特に除去することなくＧａＡｌＡｓ系を上
回る発光効率が得られた。
２μｍのアンドープのＩｎ 0.5（Ｇａ1-x Ａｌx ） 0.5
Ｐ（ｘ＝０．４）とした場合、その導電型はｎ型であ
り、キャリア濃度は１〜５×１０16ｃｍ-3程度であっ
た。このとき、発光波長は５６５ｎｍ（緑）、発光効率
はＤＣ２０ｍＡで０．１５％程度であった。また、ｘ＝
０．３としたとき、発光波長は５８５ｎｍ（黄）、発光
効率はＤＣ２０ｍＡで０．６％程度と低く、ＧａＰ，Ｇ
ａＡｓＰ系に対する特性的なメリットは必ずしも見られ
なかった。一方、ｘ＝０．２としたとき、発光波長は６
２０ｎｍ（だいだい色）、発光効率はＤＣ２０ｍＡで
３．０％程度であり、発光波長に対し吸収体となるＧａ
Ａｓ基板１を特に除去することなくＧａＡｌＡｓ系を上
回る発光効率が得られた。
【０００７】このように、直接遷移型バンドギャップを
有するＩｎＧａＡｌＰを用いたＬＥＤにあっても、短波
長領域（緑色発光）での発光効率は必ずしも十分高いと
は言えなかった。
有するＩｎＧａＡｌＰを用いたＬＥＤにあっても、短波
長領域（緑色発光）での発光効率は必ずしも十分高いと
は言えなかった。
【０００８】ＬＥＤの発光効率は内部量子効率及び光取
り出し効率によって決まるが、このうち光取り出し効率
は素子構造に大きく影響される。前記したように活性層
から基板側に出射される光はＧａＡｓ基板によって吸収
されて、素子外部へ取り出すことができない。特に、発
光効率の低い短波長領域においては、これを改善する意
味は大きい。基板における光の吸収の対策として、活性
層と基板との間に半導体多層膜による反射膜（ブラッグ
型反射鏡）を設けることが試みられている（特願平２−
２１７０７９号）。
り出し効率によって決まるが、このうち光取り出し効率
は素子構造に大きく影響される。前記したように活性層
から基板側に出射される光はＧａＡｓ基板によって吸収
されて、素子外部へ取り出すことができない。特に、発
光効率の低い短波長領域においては、これを改善する意
味は大きい。基板における光の吸収の対策として、活性
層と基板との間に半導体多層膜による反射膜（ブラッグ
型反射鏡）を設けることが試みられている（特願平２−
２１７０７９号）。
【０００９】この半導体多層膜による反射膜の効果を十
分得るには反射率を高くし、また作製許容度を大きくす
るために反射帯域を広くする必要があった。しかしなが
ら、この２つの特性を兼ね備えることは、構成材料の特
性や構造などの面から極めて難しかった。また、ダブル
ヘテロ構造ＩｎＧａＡｌＰのＬＥＤでは、表面発光波長
に対して１０〜１５ｎｍ長波長側の端面光が迷光とな
り、黄色発光に対しては赤色光、緑色発光に対しては黄
色といった光が混在していた。即ち、ダブルヘテロ構造
ＩｎＧａＡｌＰのＬＥＤは２色発光しており、これが表
示用としては実用上大きな問題となっていた。
分得るには反射率を高くし、また作製許容度を大きくす
るために反射帯域を広くする必要があった。しかしなが
ら、この２つの特性を兼ね備えることは、構成材料の特
性や構造などの面から極めて難しかった。また、ダブル
ヘテロ構造ＩｎＧａＡｌＰのＬＥＤでは、表面発光波長
に対して１０〜１５ｎｍ長波長側の端面光が迷光とな
り、黄色発光に対しては赤色光、緑色発光に対しては黄
色といった光が混在していた。即ち、ダブルヘテロ構造
ＩｎＧａＡｌＰのＬＥＤは２色発光しており、これが表
示用としては実用上大きな問題となっていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、Ｉｎ
ＧａＡｌＰからなる発光部を持つ半導体発光装置におい
ては、活性層から基板側へ出射された光を半導体多層反
射膜を用いて素子外部へ取り出す手法が使われている
が、反射率が高く作製許容度を大きくする広反射帯域を
得ることが困難であり、さらに端面からの迷光が存在す
るという問題点があった。
ＧａＡｌＰからなる発光部を持つ半導体発光装置におい
ては、活性層から基板側へ出射された光を半導体多層反
射膜を用いて素子外部へ取り出す手法が使われている
が、反射率が高く作製許容度を大きくする広反射帯域を
得ることが困難であり、さらに端面からの迷光が存在す
るという問題点があった。
【００１１】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、高反射率，広反射帯域
を持つ半導体多層反射膜を作成して光取出し効率の向上
をはかることができ、かつ異色波長迷光を低減し得る高
輝度の半導体発光装置を提供することにある。
ので、その目的とするところは、高反射率，広反射帯域
を持つ半導体多層反射膜を作成して光取出し効率の向上
をはかることができ、かつ異色波長迷光を低減し得る高
輝度の半導体発光装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、半導体
多層膜反射膜の構成材料及び構造を工夫することによ
り、高反射率，広反射帯域の特性を持つと同時に、接合
平面に平行方向に導波される光に対しては損失となるブ
ラッグ反射鏡を作成し、光取り出し効率の向上をはかる
ことにある。
多層膜反射膜の構成材料及び構造を工夫することによ
り、高反射率，広反射帯域の特性を持つと同時に、接合
平面に平行方向に導波される光に対しては損失となるブ
ラッグ反射鏡を作成し、光取り出し効率の向上をはかる
ことにある。
【００１３】即ち本発明は、半導体基板と、この半導体
基板上に形成された半導体薄膜からなる半導体多層反射
膜と、この半導体多層反射膜上に形成された発光層含む
半導体積層構造部とを具備し、半導体基板と反対の面上
から光を取り出す半導体発光装置において、半導体多層
反射膜を、広反射帯域特性を有する第１のブラッグ反射
鏡と高反射率特性を有する第２のブラッグ型反射鏡によ
って構成したことを特徴とする。
基板上に形成された半導体薄膜からなる半導体多層反射
膜と、この半導体多層反射膜上に形成された発光層含む
半導体積層構造部とを具備し、半導体基板と反対の面上
から光を取り出す半導体発光装置において、半導体多層
反射膜を、広反射帯域特性を有する第１のブラッグ反射
鏡と高反射率特性を有する第２のブラッグ型反射鏡によ
って構成したことを特徴とする。
【００１４】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) 半導体積層構造部は、発光層を第１導電型及び第２
導電型のクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造となって
いること。 (2) 基板はＧａＡｓであり、ダブルヘテロ構造はＩｎＧ
ａＡｌＰ系材料であること。 (3) 半導体多層反射膜は２種のブラッグ型反射鏡からな
り、基板側の第１のブラッグ型反射鏡は広反射帯域特性
を有し、半導体積層構造部側の第２のブラッグ型反射鏡
は高反射率特性を有すること。高反射率で透明なブラッ
グ型反射鏡としてＩｎＡｌＰ／ＩｎＧａＡｌＰ、広反射
帯域特性を持ち吸収損失を有するブラッグ型反射鏡とし
てＩｎＡｌＰ／ＧａＡｓを用いること。 (4) 半導体多層反射膜は材料，組成若しくは膜厚の異な
る３種類以上の半導体層からなり、その１つは発光波長
に対して損失を持つ半導体層であること。 (5) 半導体多層反射膜は、発光中心波長λに対してそれ
ぞれの光学的膜厚がλ／４のＩｎ 0.5（Ｇａ1-x Ａｌ
x ） 0.5ＰとＧａ1-y Ａｌy Ａｓ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ
≦１）の少なくとも３種類以上の異なる組成の半導体層
からなること。 (6) 半導体多層反射鏡は、発光中心波長λに対して、そ
れぞれの光学的膜厚がλ／４よりも厚いＩｎ 0.5（Ｇａ
1-x Ａｌx ） 0.5Ｐとλ／４よりも薄いＧａ1-yAly Ａ
ｓ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の１対の光学的膜厚がλ
／２であり、少なくとも２種類以上の異なる組成の交互
層からなること。
は、次のものがあげられる。 (1) 半導体積層構造部は、発光層を第１導電型及び第２
導電型のクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造となって
いること。 (2) 基板はＧａＡｓであり、ダブルヘテロ構造はＩｎＧ
ａＡｌＰ系材料であること。 (3) 半導体多層反射膜は２種のブラッグ型反射鏡からな
り、基板側の第１のブラッグ型反射鏡は広反射帯域特性
を有し、半導体積層構造部側の第２のブラッグ型反射鏡
は高反射率特性を有すること。高反射率で透明なブラッ
グ型反射鏡としてＩｎＡｌＰ／ＩｎＧａＡｌＰ、広反射
帯域特性を持ち吸収損失を有するブラッグ型反射鏡とし
てＩｎＡｌＰ／ＧａＡｓを用いること。 (4) 半導体多層反射膜は材料，組成若しくは膜厚の異な
る３種類以上の半導体層からなり、その１つは発光波長
に対して損失を持つ半導体層であること。 (5) 半導体多層反射膜は、発光中心波長λに対してそれ
ぞれの光学的膜厚がλ／４のＩｎ 0.5（Ｇａ1-x Ａｌ
x ） 0.5ＰとＧａ1-y Ａｌy Ａｓ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ
≦１）の少なくとも３種類以上の異なる組成の半導体層
からなること。 (6) 半導体多層反射鏡は、発光中心波長λに対して、そ
れぞれの光学的膜厚がλ／４よりも厚いＩｎ 0.5（Ｇａ
1-x Ａｌx ） 0.5Ｐとλ／４よりも薄いＧａ1-yAly Ａ
ｓ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の１対の光学的膜厚がλ
／２であり、少なくとも２種類以上の異なる組成の交互
層からなること。
【００１５】
【作用】本発明によれば、２種類以上のブラッグ型反射
鏡を組み合せて半導体多層反射膜を構成することによ
り、それぞれの反射鏡が持つ特性を合せ持った反射膜と
なる。この構成によってＬＥＤとして必要な高反射率，
広反射帯域特性を有し、かつ、端面光を効果的に低減す
る反射膜を容易に作成することができる。これにより、
光取り出し効率を向上させることができ、高輝度の半導
体発光装置が実現できることになる。なお、２つのブラ
ッグ反射鏡は前記した位置関係に設定する必要があり、
これらの位置関係が逆の場合と比べて優れた特性が得ら
れた。
鏡を組み合せて半導体多層反射膜を構成することによ
り、それぞれの反射鏡が持つ特性を合せ持った反射膜と
なる。この構成によってＬＥＤとして必要な高反射率，
広反射帯域特性を有し、かつ、端面光を効果的に低減す
る反射膜を容易に作成することができる。これにより、
光取り出し効率を向上させることができ、高輝度の半導
体発光装置が実現できることになる。なお、２つのブラ
ッグ反射鏡は前記した位置関係に設定する必要があり、
これらの位置関係が逆の場合と比べて優れた特性が得ら
れた。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例につき図面を参照して
説明する。図１は本発明の第１の実施例に係わるＬＥＤ
の素子構造を示す断面図である。図中１０１はｎ−Ｇａ
Ａｓ基板であり、この基板１０１の一主面上に、ｎ−Ｉ
ｎ 0.5Ａｌ 0.5Ｐ／ＧａＡｓの１０対からなる第１反射
膜（ブラッグ型反射鏡）１０２，ｎ−Ｉｎ 0.5Ａｌ 0.5
Ｐ／Ｉｎ 0.5（Ｇａ 0.6Ａｌ 0.4） 0.5Ｐの１０対から
なる第２反射膜（ブラッグ型反射鏡）１０３，ｎ−Ｉｎ
0.5（Ｇａ1-l Ａｌl ） 0.5Ｐクラッド層１０４，Ｉｎ
0.5（Ｇａ1-m Ａｌm ） 0.5Ｐ活性層１０５，ｐ−Ｉｎ
0.5（Ｇａ1-n Ａｌn ） 0.5Ｐクラッド層１０６，ｎ−
Ｉｎ 0.5（Ｇａ1-p Ａｌp ） 0.5Ｐ電流阻止層１０７，
ｐ−Ｇａ1-q Ａｌq Ａｓ電流拡散層１０８，ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層１０９が上記順に積層され、コンタクト
層１０９は円形に加工されている。そして、コンタクト
層１０９上にＡｕＺｎ／Ａｕからなるｐ側電極１１０が
形成され、基板１０１の他方の主面にはＡｕＧｅ／Ａｕ
からなるｎ側電極１１１が形成されている。
説明する。図１は本発明の第１の実施例に係わるＬＥＤ
の素子構造を示す断面図である。図中１０１はｎ−Ｇａ
Ａｓ基板であり、この基板１０１の一主面上に、ｎ−Ｉ
ｎ 0.5Ａｌ 0.5Ｐ／ＧａＡｓの１０対からなる第１反射
膜（ブラッグ型反射鏡）１０２，ｎ−Ｉｎ 0.5Ａｌ 0.5
Ｐ／Ｉｎ 0.5（Ｇａ 0.6Ａｌ 0.4） 0.5Ｐの１０対から
なる第２反射膜（ブラッグ型反射鏡）１０３，ｎ−Ｉｎ
0.5（Ｇａ1-l Ａｌl ） 0.5Ｐクラッド層１０４，Ｉｎ
0.5（Ｇａ1-m Ａｌm ） 0.5Ｐ活性層１０５，ｐ−Ｉｎ
0.5（Ｇａ1-n Ａｌn ） 0.5Ｐクラッド層１０６，ｎ−
Ｉｎ 0.5（Ｇａ1-p Ａｌp ） 0.5Ｐ電流阻止層１０７，
ｐ−Ｇａ1-q Ａｌq Ａｓ電流拡散層１０８，ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層１０９が上記順に積層され、コンタクト
層１０９は円形に加工されている。そして、コンタクト
層１０９上にＡｕＺｎ／Ａｕからなるｐ側電極１１０が
形成され、基板１０１の他方の主面にはＡｕＧｅ／Ａｕ
からなるｎ側電極１１１が形成されている。
【００１７】ここで、ダブルヘテロ構造部を構成するＩ
ｎＧａＡｌＰ各層のＡｌ組成ｌ，ｍ，ｎは、高い発光効
率が得られるように、ｍ≦ｌ，ｍ≦ｎが満足するように
設定されている。即ち、発光層となる活性層１０５のエ
ネルギーギャップはｐ−ｎの２つのクラッド層１０４，
１０６よりも小さいダブルヘテロ構造が形成されてい
る。また、電流阻止層１０７のＡｌ組成ｐは、ｍ≦ｐに
設定されている。なお、これらのＩｎＧａＡｌＰ層は基
板１０１であるＧａＡｓに格子整合している。
ｎＧａＡｌＰ各層のＡｌ組成ｌ，ｍ，ｎは、高い発光効
率が得られるように、ｍ≦ｌ，ｍ≦ｎが満足するように
設定されている。即ち、発光層となる活性層１０５のエ
ネルギーギャップはｐ−ｎの２つのクラッド層１０４，
１０６よりも小さいダブルヘテロ構造が形成されてい
る。また、電流阻止層１０７のＡｌ組成ｐは、ｍ≦ｐに
設定されている。なお、これらのＩｎＧａＡｌＰ層は基
板１０１であるＧａＡｓに格子整合している。
【００１８】また、ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１０８
のＡｌ組成ｑは、活性層１０５の発光波長に対して透明
となるように、活性層１０５よりもバンドギャップが大
きく選ばれている。なお、以下ではこのようなダブルヘ
テロ構造を持つＬＥＤについて説明するが、光の取出し
効率を考える上では、活性層部の層構造は本質ではな
く、シングルヘテロ接合構造やホモ接合構造、さらには
量子井戸構造でも同様に考えることができる。
のＡｌ組成ｑは、活性層１０５の発光波長に対して透明
となるように、活性層１０５よりもバンドギャップが大
きく選ばれている。なお、以下ではこのようなダブルヘ
テロ構造を持つＬＥＤについて説明するが、光の取出し
効率を考える上では、活性層部の層構造は本質ではな
く、シングルヘテロ接合構造やホモ接合構造、さらには
量子井戸構造でも同様に考えることができる。
【００１９】図１に示した構造において各層の厚さ、キ
ャリア濃度は以下に括弧内に示すように設定されてい
る。 ｎ−クラッド層１０４（０．６μｍ，５×１０17ｃ
ｍ-3） 活性層１０５（０．３μｍ，アンドープ） ｐ−クラッド層１０６（０．６μｍ，４×１０17ｃ
ｍ-3） ｎ−電流阻止層１０７（０．１５μｍ，２×１０18ｃｍ
-3） ｐ−電流拡散層１０８（５μｍ，３×１０18ｃｍ-3） ｐ−コンタクト層１０９（０．１μｍ，３×１０18ｃｍ
-3） また、半導体多層反射膜を構成する第１及び第２反射膜
１０２，１０３については、次のようにしている。即
ち、それぞれの構成層の厚さは、活性層１０５からの発
光波長λ0 に対して、λ0 ／４の光学的膜厚としてい
る。また、各構成層のキャリア濃度は全て５×１０17ｃ
ｍ-3以上となるようにした。
ャリア濃度は以下に括弧内に示すように設定されてい
る。 ｎ−クラッド層１０４（０．６μｍ，５×１０17ｃ
ｍ-3） 活性層１０５（０．３μｍ，アンドープ） ｐ−クラッド層１０６（０．６μｍ，４×１０17ｃ
ｍ-3） ｎ−電流阻止層１０７（０．１５μｍ，２×１０18ｃｍ
-3） ｐ−電流拡散層１０８（５μｍ，３×１０18ｃｍ-3） ｐ−コンタクト層１０９（０．１μｍ，３×１０18ｃｍ
-3） また、半導体多層反射膜を構成する第１及び第２反射膜
１０２，１０３については、次のようにしている。即
ち、それぞれの構成層の厚さは、活性層１０５からの発
光波長λ0 に対して、λ0 ／４の光学的膜厚としてい
る。また、各構成層のキャリア濃度は全て５×１０17ｃ
ｍ-3以上となるようにした。
【００２０】上記構造が従来の構造と異なる点は、Ｉｎ
ＧａＡｌＰからなる発光部（ダブルヘテロ構造）１０
４，１０５，１０６とＧａＡｓ基板１０１との間に第１
反射膜１０２及び第２反射膜１０３を形成したことであ
り、この構造の優位性について以下に示す。
ＧａＡｌＰからなる発光部（ダブルヘテロ構造）１０
４，１０５，１０６とＧａＡｓ基板１０１との間に第１
反射膜１０２及び第２反射膜１０３を形成したことであ
り、この構造の優位性について以下に示す。
【００２１】図１の第２反射膜１０３におけるＩｎＧａ
ＡｌＰ層は、後述するように反射鏡を構成する高屈折率
層であると同時にダブルヘテロ構造によって導波される
活性層の光を反射鏡側に引っぱりしみ出させる役割を果
たす。十分なしみ出し効果を得るためには、λ／４厚さ
に相当する膜厚で少なくとも１層以上挿入しなければな
らない。反射鏡側にしみ出された光は第１反射膜１０２
におけるＧａＡｓ層によって吸収され、これにより迷光
を減らすことができる。
ＡｌＰ層は、後述するように反射鏡を構成する高屈折率
層であると同時にダブルヘテロ構造によって導波される
活性層の光を反射鏡側に引っぱりしみ出させる役割を果
たす。十分なしみ出し効果を得るためには、λ／４厚さ
に相当する膜厚で少なくとも１層以上挿入しなければな
らない。反射鏡側にしみ出された光は第１反射膜１０２
におけるＧａＡｓ層によって吸収され、これにより迷光
を減らすことができる。
【００２２】次に、反射特性に関する詳細な記述を行
う。図２は、シュレーションによる第１反射膜１０２と
第２反射膜１０３の対数と反射率の関係について示した
ものである。ここで用いた各パラメータを下記の（表
１）に示す（D.E.Aspens, et al,JAP 60, 754(1986),
H.Tanaka, et al, JAP 59,985(1986)）。
う。図２は、シュレーションによる第１反射膜１０２と
第２反射膜１０３の対数と反射率の関係について示した
ものである。ここで用いた各パラメータを下記の（表
１）に示す（D.E.Aspens, et al,JAP 60, 754(1986),
H.Tanaka, et al, JAP 59,985(1986)）。
【００２３】
【表１】
【００２４】第１反射膜１０２は、構成層としてＩｎＧ
ａＡｌＰ活性層１０５からの光に対して吸収損失を持つ
ＧａＡｓを使っているため、多い対数になると反射率は
飽和してしまう。対数の少ないところではＩｎＡｌＰと
ＧａＡｓの屈折率差が大きいため、第２反射膜１０３よ
りも高い反射率を示す。第２反射膜１０３は構成層が共
に活性層からの光に対して透明であるため、対数が多い
所では非常に高い反射率が得られる。
ａＡｌＰ活性層１０５からの光に対して吸収損失を持つ
ＧａＡｓを使っているため、多い対数になると反射率は
飽和してしまう。対数の少ないところではＩｎＡｌＰと
ＧａＡｓの屈折率差が大きいため、第２反射膜１０３よ
りも高い反射率を示す。第２反射膜１０３は構成層が共
に活性層からの光に対して透明であるため、対数が多い
所では非常に高い反射率が得られる。
【００２５】図３は、シミュレーションによる２つの反
射膜１０２．１０３における反射スペクトルの半値幅
（ＦＷＨＭ）と、対数の関係について示したものであ
る。第１反射膜１０２は対数を増すと比較的広い値で飽
和し、第２反射膜１０３は次第に狭くなる。つまり、こ
れらの計算結果から第１反射膜１０２は反射率は比較的
低いが反射帯域が広く、第２反射膜１０３は反射率は比
較的高いが反射帯域が狭くなることが分かり、これらの
結果は各構成層の屈折率と吸収系数の関係によるもので
あることが分かる。
射膜１０２．１０３における反射スペクトルの半値幅
（ＦＷＨＭ）と、対数の関係について示したものであ
る。第１反射膜１０２は対数を増すと比較的広い値で飽
和し、第２反射膜１０３は次第に狭くなる。つまり、こ
れらの計算結果から第１反射膜１０２は反射率は比較的
低いが反射帯域が広く、第２反射膜１０３は反射率は比
較的高いが反射帯域が狭くなることが分かり、これらの
結果は各構成層の屈折率と吸収系数の関係によるもので
あることが分かる。
【００２６】図４は、第１反射膜１０２（１０対），第
２反射膜１０３（２０対）とこの２つの反射膜各１０対
を基板側に第１反射膜１０２、その上に第２反射膜１０
３を形成したハイブリッド型の反射膜のシミュレーショ
ンによる反射スペクトルを示したものである。第１反射
膜（１０対）及び第２反射膜（２０対）のスペクトル
は、前記したような反射率と半値幅の関係となってい
る。ハイブリッド型反射膜のスペクトルから反射率のピ
ーク値は約９０％で他の反射膜よりも高い値を示してお
り、半値幅は５０ｎｍの値を示している。この半値幅の
値は、ＩｎＧａＡｌＰのＬＥＤ活性層からの発光のスペ
クトル１２〜１４ｎｍ（H.Sugawara, et al,J.J.A.P 3
1,2446 (1992)）と比べると十分広く、前記した作製許
容度が十分大きいものと考えられる。
２反射膜１０３（２０対）とこの２つの反射膜各１０対
を基板側に第１反射膜１０２、その上に第２反射膜１０
３を形成したハイブリッド型の反射膜のシミュレーショ
ンによる反射スペクトルを示したものである。第１反射
膜（１０対）及び第２反射膜（２０対）のスペクトル
は、前記したような反射率と半値幅の関係となってい
る。ハイブリッド型反射膜のスペクトルから反射率のピ
ーク値は約９０％で他の反射膜よりも高い値を示してお
り、半値幅は５０ｎｍの値を示している。この半値幅の
値は、ＩｎＧａＡｌＰのＬＥＤ活性層からの発光のスペ
クトル１２〜１４ｎｍ（H.Sugawara, et al,J.J.A.P 3
1,2446 (1992)）と比べると十分広く、前記した作製許
容度が十分大きいものと考えられる。
【００２７】これらの計算結果から、ハイブリッド型反
射膜は光取り出し効率向上に有効であり、その作製許容
度も十分大きいことが分かる。対数の設定に関しては、
第２反射膜１０３は、対数を増やすと帯域が狭くなるた
め２０対以下、できれば１５対以下とするのが望まし
い。第１反射鏡１０２は、対数を増やすと抵抗が大きく
なるためやはり２０以下、できれば１５対以下とするの
が望ましい。迷光を低減する目的を考慮すると実施例で
記述したそれぞれ１０対前後に設定するのが最適条件と
なる。
射膜は光取り出し効率向上に有効であり、その作製許容
度も十分大きいことが分かる。対数の設定に関しては、
第２反射膜１０３は、対数を増やすと帯域が狭くなるた
め２０対以下、できれば１５対以下とするのが望まし
い。第１反射鏡１０２は、対数を増やすと抵抗が大きく
なるためやはり２０以下、できれば１５対以下とするの
が望ましい。迷光を低減する目的を考慮すると実施例で
記述したそれぞれ１０対前後に設定するのが最適条件と
なる。
【００２８】実際、図１に示した積層構造でｐ側電極１
１０の直径を２００μｍφ、電流阻止層１０７の直径を
２４０μｍφとし、それぞれを同心円状に形成し、Ｉｎ
0.5（Ｇａ1-m Ａｌm ） 0.5Ｐ活性層１０５のＡｌ組成
ｍを０．３として、素子を構成し、順方向に電圧を印加
し電流を流したところ、ｐ側電極１１０部を除いた素子
表面広域から５８５ｎｍにピーク波長を有し、光度が３
ｃｄを越える発光が得られた。また、端面光から迷光も
殆どなく実用上問題のないレベルまで低減できた。ｐ−
Ｇａ1-q Ａｌq Ａｓ電流拡散層１０８による光吸収の影
響は、そのＡｌ組成ｑを高く設定することにより短波長
の発光に対しても低減でき、Ａｌ組成ｑを０．７から
０．８とし、Ｉｎ 0.5（Ｇａ1-m Ａｌm ） 0.5Ｐ活性層
１０５のＡｌ組成ｍを０．５としたピーク波長５５５ｎ
ｍの緑色発光素子においても光度３ｃｄを越える発光が
得られた。
１０の直径を２００μｍφ、電流阻止層１０７の直径を
２４０μｍφとし、それぞれを同心円状に形成し、Ｉｎ
0.5（Ｇａ1-m Ａｌm ） 0.5Ｐ活性層１０５のＡｌ組成
ｍを０．３として、素子を構成し、順方向に電圧を印加
し電流を流したところ、ｐ側電極１１０部を除いた素子
表面広域から５８５ｎｍにピーク波長を有し、光度が３
ｃｄを越える発光が得られた。また、端面光から迷光も
殆どなく実用上問題のないレベルまで低減できた。ｐ−
Ｇａ1-q Ａｌq Ａｓ電流拡散層１０８による光吸収の影
響は、そのＡｌ組成ｑを高く設定することにより短波長
の発光に対しても低減でき、Ａｌ組成ｑを０．７から
０．８とし、Ｉｎ 0.5（Ｇａ1-m Ａｌm ） 0.5Ｐ活性層
１０５のＡｌ組成ｍを０．５としたピーク波長５５５ｎ
ｍの緑色発光素子においても光度３ｃｄを越える発光が
得られた。
【００２９】このように本実施例によれば、ＩｎＧａＡ
ｌＰ活性層１０５とｎ−ＧａＡｓ基板１０１との間に反
射特性の異なる２つの反射膜、第１反射膜１０２と第２
反射１０３を設けた構成としているので、従来構造では
素子外部に取り出すことのできなかった活性層１０５か
ら基板側へ放出された光を、これら反射膜１０２，１０
３で素子表面方向へ反射させ、有効に光を取り出すこと
ができる。
ｌＰ活性層１０５とｎ−ＧａＡｓ基板１０１との間に反
射特性の異なる２つの反射膜、第１反射膜１０２と第２
反射１０３を設けた構成としているので、従来構造では
素子外部に取り出すことのできなかった活性層１０５か
ら基板側へ放出された光を、これら反射膜１０２，１０
３で素子表面方向へ反射させ、有効に光を取り出すこと
ができる。
【００３０】しかも、本実施例では反射膜の積層におい
て、活性層１０５に近い方に発光波長に対して透明で高
反射率の特性を持つ反射鏡（第２反射膜１０３）を設
け、基板１０１に近い方に反射帯域の広い特性を持つ反
射鏡（第１反射膜１０２）を設けることによって、２つ
の反射膜特性を合せ持った反射率が高く反射帯域の広い
ハイブリッド型反射鏡を構成し、かつ第２反射膜１０３
によって活性層１０５中の光をしみ出させ、第１反射鏡
１０２によって損失を持つようにすることができる。こ
れにより、光の取り出し効率を向上させ、高輝度のＬＥ
Ｄを実現することができ、さらに迷光を低減することが
でき、かつ量産性や再現性といった作製許容度も広くす
ることができる。
て、活性層１０５に近い方に発光波長に対して透明で高
反射率の特性を持つ反射鏡（第２反射膜１０３）を設
け、基板１０１に近い方に反射帯域の広い特性を持つ反
射鏡（第１反射膜１０２）を設けることによって、２つ
の反射膜特性を合せ持った反射率が高く反射帯域の広い
ハイブリッド型反射鏡を構成し、かつ第２反射膜１０３
によって活性層１０５中の光をしみ出させ、第１反射鏡
１０２によって損失を持つようにすることができる。こ
れにより、光の取り出し効率を向上させ、高輝度のＬＥ
Ｄを実現することができ、さらに迷光を低減することが
でき、かつ量産性や再現性といった作製許容度も広くす
ることができる。
【００３１】図５は本発明の第２の実施例に係わるＬＥ
Ｄの素子構造を示す断面図である。なお、図１と同一部
分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。こ
の実施例が先に説明した第１の実施例と異なる点は、ブ
ラッグ反射鏡を構成する第２反射膜の構成にある。
Ｄの素子構造を示す断面図である。なお、図１と同一部
分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。こ
の実施例が先に説明した第１の実施例と異なる点は、ブ
ラッグ反射鏡を構成する第２反射膜の構成にある。
【００３２】即ち、本実施例では第２反射膜５０３の構
成材料を第１反射膜１０２と同様にＩｎＡｌＰとＧａＡ
ｓの２種類とし、第１反射膜１０２とはそれぞれの膜厚
を変化させることによって、異なる反射特性を持つ反射
膜を設けた。ここで、第２反射膜５０３を構成するＩｎ
ＡｌＰ／ＧａＡｓ１対の光学的膜厚を、λ0 ／２に保っ
たままＧａＡｓ層をλ0 ／４よりも薄くし、ＩｎＡｌＰ
層をλ0 ／４よりも厚くする。これ以外の条件（各層の
厚さ，キャリア濃度）は先の第１の実施例と同様とし
た。
成材料を第１反射膜１０２と同様にＩｎＡｌＰとＧａＡ
ｓの２種類とし、第１反射膜１０２とはそれぞれの膜厚
を変化させることによって、異なる反射特性を持つ反射
膜を設けた。ここで、第２反射膜５０３を構成するＩｎ
ＡｌＰ／ＧａＡｓ１対の光学的膜厚を、λ0 ／２に保っ
たままＧａＡｓ層をλ0 ／４よりも薄くし、ＩｎＡｌＰ
層をλ0 ／４よりも厚くする。これ以外の条件（各層の
厚さ，キャリア濃度）は先の第１の実施例と同様とし
た。
【００３３】このような構成であれば、ＩｎＧａＡｌＰ
活性層１０５からの光に対して吸収損失を持つ第２反射
膜５０３のＧａＡｓ層が、第１反射膜１０２のＧａＡｓ
層と比べて薄くなっているため、接合方向の光に対して
は吸収損失を減らし、かつ活性層１０５に近い位置にあ
るため、接合方向と平行に導波される光に対しては効果
的に損失を持たせることができる。また、反射特性に関
しても実効的な反射率が高くなる。よって、この組み合
せによるハイブリッド型反射膜とすることで、第１の実
施例で記した効果と同等の効果が得られる。
活性層１０５からの光に対して吸収損失を持つ第２反射
膜５０３のＧａＡｓ層が、第１反射膜１０２のＧａＡｓ
層と比べて薄くなっているため、接合方向の光に対して
は吸収損失を減らし、かつ活性層１０５に近い位置にあ
るため、接合方向と平行に導波される光に対しては効果
的に損失を持たせることができる。また、反射特性に関
しても実効的な反射率が高くなる。よって、この組み合
せによるハイブリッド型反射膜とすることで、第１の実
施例で記した効果と同等の効果が得られる。
【００３４】図６は本発明の第３の実施例に係わるＬＥ
Ｄの素子構造を示す断面図である。なお、図１と同一部
分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
この実施例は、第１反射膜と第２反射膜のように反射特
性を２つに分けることなく、半導体多層反射膜の反射特
性を徐々に連続的に変化させたものである。
Ｄの素子構造を示す断面図である。なお、図１と同一部
分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
この実施例は、第１反射膜と第２反射膜のように反射特
性を２つに分けることなく、半導体多層反射膜の反射特
性を徐々に連続的に変化させたものである。
【００３５】この実施例が、第２の実施例と異なる点
は、反射膜６０２のＩｎＡｌＰ／ＧａＡｓ１対における
光学的膜厚をλ0 ／２に保ったまま、活性層１０５に近
い方のＧａＡｓ層をλ0 ／４よりも薄くし、ＩｎＡｌＰ
層をλ0 ／４よりも厚くする。そして、反射膜６０２中
のＧａＡｓ基板１０１に近い方のＩｎＡｌＰ／ＧａＡｓ
１対におけるＩｎＡｌＰ、ＧａＡｓそれぞれの光学的膜
厚がλ0 ／４になるように、反射膜６０２中で徐々に変
化させる。これ以外の条件は、先の第１の実施例及び第
２の実施例と同様とした。
は、反射膜６０２のＩｎＡｌＰ／ＧａＡｓ１対における
光学的膜厚をλ0 ／２に保ったまま、活性層１０５に近
い方のＧａＡｓ層をλ0 ／４よりも薄くし、ＩｎＡｌＰ
層をλ0 ／４よりも厚くする。そして、反射膜６０２中
のＧａＡｓ基板１０１に近い方のＩｎＡｌＰ／ＧａＡｓ
１対におけるＩｎＡｌＰ、ＧａＡｓそれぞれの光学的膜
厚がλ0 ／４になるように、反射膜６０２中で徐々に変
化させる。これ以外の条件は、先の第１の実施例及び第
２の実施例と同様とした。
【００３６】このような構成であれば、反射膜６０２中
の発光部近傍と基板１０１近傍では、活性層１０５から
の光に対する吸収損失が異なるため、実効的な反射率が
異なるため第１及び第２の実施例で示した効果と同様な
効果が得られる。
の発光部近傍と基板１０１近傍では、活性層１０５から
の光に対する吸収損失が異なるため、実効的な反射率が
異なるため第１及び第２の実施例で示した効果と同様な
効果が得られる。
【００３７】これまで面発光型のダブルヘテロ構造Ｉｎ
ＧａＡｌＰのＬＥＤにおいて、活性層端部や横方向から
の光は活性層内部を導波して出射されるため、活性層内
部で損失を受け素子表面からの出射光よりも波長が長く
なってしまい、このことは素子からの全体的な放射を見
た場合、単色性が損なわれることや、２色発光してしま
うといった問題があることを述べてきた。これを防ぐた
めに上記実施例を示してきたが、反射鏡における光吸収
層の効果を最大限発揮するには、クラッド層の厚さを薄
くすることが有効である。
ＧａＡｌＰのＬＥＤにおいて、活性層端部や横方向から
の光は活性層内部を導波して出射されるため、活性層内
部で損失を受け素子表面からの出射光よりも波長が長く
なってしまい、このことは素子からの全体的な放射を見
た場合、単色性が損なわれることや、２色発光してしま
うといった問題があることを述べてきた。これを防ぐた
めに上記実施例を示してきたが、反射鏡における光吸収
層の効果を最大限発揮するには、クラッド層の厚さを薄
くすることが有効である。
【００３８】例えば、第２，第３の実施例において、反
射膜を構成しているＧａＡｓが損失層となり活性層の厚
さがこれらの実施例においては、０．３μｍであるため
ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１０４の厚さを０．３μ
ｍ以下とすることが有効である。この構造とすることに
よって、活性層１０５での光の導波モードに損失を互え
て端面からの放出光を、より効果的に防ぐことができ
る。
射膜を構成しているＧａＡｓが損失層となり活性層の厚
さがこれらの実施例においては、０．３μｍであるため
ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１０４の厚さを０．３μ
ｍ以下とすることが有効である。この構造とすることに
よって、活性層１０５での光の導波モードに損失を互え
て端面からの放出光を、より効果的に防ぐことができ
る。
【００３９】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。実施例では反射膜の構成にＩｎＧａ
ＡｌＰ系材料とＧａＡｌＡｓ系材料を用いたが、ＩｎＧ
ａＡｓＰ系材料やII−VI族材料によって構成しても同様
の効果が得られる。また、材料系を問わず、超格子膜を
形成して屈折率を変化させた膜によって反射膜を構成し
た場合にも同様の効果が得られる。また、実施例では活
性層のＡｌ組成としては０．３又は０．５を用いたが、
Ａｌ組成を変化させることによって赤色から緑色域に渡
る可視光領域の発光を得ることができる。また本発明
は、発光ダイオードに限らず、面発光レーザに適用する
ことも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
れるものではない。実施例では反射膜の構成にＩｎＧａ
ＡｌＰ系材料とＧａＡｌＡｓ系材料を用いたが、ＩｎＧ
ａＡｓＰ系材料やII−VI族材料によって構成しても同様
の効果が得られる。また、材料系を問わず、超格子膜を
形成して屈折率を変化させた膜によって反射膜を構成し
た場合にも同様の効果が得られる。また、実施例では活
性層のＡｌ組成としては０．３又は０．５を用いたが、
Ａｌ組成を変化させることによって赤色から緑色域に渡
る可視光領域の発光を得ることができる。また本発明
は、発光ダイオードに限らず、面発光レーザに適用する
ことも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、Ｉ
ｎＧａＡｌＰ等からなる発光部と基板との間に反射率の
高い反射膜と反射帯域の広い反射膜を組み合せたハイブ
リッド型反射膜を設けることにより、高反射率，広帯域
反射を持つ反射膜を形成して光取出し効率の向上をはか
ることができ、かつ異色波長迷光を低減し得る高輝度の
半導体発光装置を実現することが可能となる。
ｎＧａＡｌＰ等からなる発光部と基板との間に反射率の
高い反射膜と反射帯域の広い反射膜を組み合せたハイブ
リッド型反射膜を設けることにより、高反射率，広帯域
反射を持つ反射膜を形成して光取出し効率の向上をはか
ることができ、かつ異色波長迷光を低減し得る高輝度の
半導体発光装置を実現することが可能となる。
【図１】第１の実施例に係わるＬＥＤの素子構造を示す
断面図。
断面図。
【図２】第１及び第２の反射膜の対数と反射率との関係
について示した特性図。
について示した特性図。
【図３】第１及び第２の反射膜における反射スペクトル
の半値幅と対数との関係について示した特性図。
の半値幅と対数との関係について示した特性図。
【図４】ハイブリッド型の反射膜の反射スペクトルを示
した特性図。
した特性図。
【図５】第２の実施例に係わるＬＥＤの素子構造を示す
断面図。
断面図。
【図６】第３の実施例に係わるＬＥＤの素子構造を示す
断面図。
断面図。
【図７】ＩｎＧａＡｌＰ発光部を有する従来のＬＥＤの
素子構造を示す断面図。
素子構造を示す断面図。
１０１…ｎ−ＧａＡｓ基板 １０２…ｎ−ＩｎＡｌＰ／ＧａＡｓ第１反射膜（ブラッ
グ型反射鏡） １０３…ｎ−ＩｎＡｌＰ／ＩｎＧａＡｌＰ第２反射膜
（ブラッグ型反射鏡） １０４…ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 １０５…ＩｎＧａＡｌＰ活性層 １０６…ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 １０７…ｎ−ＩｎＧａＡｌＰ電流阻止層 １０８…ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層 １０９…ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 １１０…ＡｕＺｎ／Ａｕからなるｐ側電極 １１１…ＡｕＧｅ／Ａｕからなるｎ側電極 ５０３…ＩｎＡｌＰ／ＧａＡｓ第２反射膜（ブラッグ型
反射鏡） ６０２…ＩｎＡｌＰ／ＧａＡｓ反射膜（ブラッグ型反射
鏡）
グ型反射鏡） １０３…ｎ−ＩｎＡｌＰ／ＩｎＧａＡｌＰ第２反射膜
（ブラッグ型反射鏡） １０４…ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 １０５…ＩｎＧａＡｌＰ活性層 １０６…ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層 １０７…ｎ−ＩｎＧａＡｌＰ電流阻止層 １０８…ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層 １０９…ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 １１０…ＡｕＺｎ／Ａｕからなるｐ側電極 １１１…ＡｕＧｅ／Ａｕからなるｎ側電極 ５０３…ＩｎＡｌＰ／ＧａＡｓ第２反射膜（ブラッグ型
反射鏡） ６０２…ＩｎＡｌＰ／ＧａＡｓ反射膜（ブラッグ型反射
鏡）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 H01S 5/183
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板と、この半導体基板上に形成さ
れた半導体薄膜からなる半導体多層反射膜と、この半導
体多層反射膜上に形成された発光層を含む半導体積層構
造部とを具備し、前記半導体基板と反対側の面上から光
を取り出す半導体発光装置であって、 前記半導体多層反射膜は、広反射帯域特性を有する第１
のブラッグ反射鏡と、高反射率特性を有する第２のブラ
ッグ反射鏡によって構成されていることを特徴とする半
導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23004293A JP3152812B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23004293A JP3152812B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786638A JPH0786638A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3152812B2 true JP3152812B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=16901658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23004293A Expired - Fee Related JP3152812B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3152812B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5760422A (en) * | 1995-06-21 | 1998-06-02 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting diode chip and light-emitting diode using the same |
| JP4360066B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2009-11-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系発光素子 |
| CN100536266C (zh) * | 2006-06-27 | 2009-09-02 | 精工爱普生株式会社 | 面发光型半导体激光器 |
| JP2008159626A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2008235691A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Anritsu Corp | 半導体発光素子 |
| DE102007046519A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP2009246056A (ja) * | 2008-03-30 | 2009-10-22 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 発光素子 |
| JP2010245312A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
| JP2011077496A (ja) * | 2009-04-28 | 2011-04-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子および発光素子の製造方法 |
| JP2011082233A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
| JP2011176001A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| JP2021114594A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-08-05 | 株式会社東芝 | 光半導体素子 |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP23004293A patent/JP3152812B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0786638A (ja) | 1995-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5466950A (en) | Semiconductor light emitting device with short wavelength light selecting means | |
| JP4054631B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法、ｌｅｄランプ並びにｌｅｄ表示装置 | |
| US7122446B2 (en) | Semiconductor light-emitting element | |
| JP3698402B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP3290672B2 (ja) | 半導体発光ダイオード | |
| JP3152812B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| US5506423A (en) | Semiconductor light-emitting device with ZnTe current spreading layer | |
| JPH08222763A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US5459746A (en) | Surface emission type semiconductor light-emitting device | |
| JP2012109436A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP4077137B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2002151734A (ja) | 発光ダイオード | |
| US5814838A (en) | Light emitting semiconductor element with ZN doping | |
| JP3212008B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子 | |
| JPS63188983A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3400110B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP4683972B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびそれを含む応用システム | |
| JPH11233815A (ja) | 半導体発光ダイオード | |
| JPH0738151A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH10294533A (ja) | 窒化物化合物半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP3373975B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2004241462A (ja) | 発光素子及び発光素子用エピタキシャルウエハ | |
| JP2006270073A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2000174331A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04257276A (ja) | 半導体素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080126 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |