JP4360066B2 - 窒化ガリウム系発光素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなる、レーザダイオード素子(LD)および発光ダイオード素子(LED)等の発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
屈折率の異なる2つの層が交互に積層されてなる多層膜反射層は、極めて高い反射率を得ることができるので、様々な用途に使用されている。このような多層膜反射層は一般に、膜厚がλ/4na(λ:入射光波長、na:屈折率)である第1の層と、膜厚がλ/4nb(λ:入射光波長、nb:屈折率(nb≠na))である第2の層からなるペアが複数積層されて形成されており、より高い反射率を得るためには、第1の層と第2の層との屈折率差を大きくする必要がある。
【0003】
例えば、上記第1の層にAlαGa1−αN(0<α<1)を使用し、第2の層にGaNを使用して多層膜反射層を作製する場合、これらの層の屈折率差を大きくするためには、AlαGa1−αN層におけるAl混晶比αを高くする必要がある。
【0004】
このような多層膜反射層を使用した発光素子として、本出願人は、例えば特開2001−7444号公報に示すように、紫外〜緑色領域で発振する短波長レーザを開発した。このレーザ素子の模式的な断面図を図13に示す。図13のレーザ素子10は面発光型レーザ素子であり、サファイア基板1の上にバッファ層2を介して、n型窒化物半導体層と、InxGa1- xN(0<x<1)からなる活性層6と、p型窒化物半導体層とがこの順で積層されて形成されている。レーザ素子10において、n型窒化物半導体層は、バッファ層2上に形成された、n型コンタクト層3と、第2のn型クラッド層4と、n型の多層膜反射層44と、第1のn型クラッド層5とからなる。一方、活性層6上に形成されたp型窒化物半導体層は、第2のp型クラッド層7と、第1のp型クラッド層8と、p型コンタクト層9とからなる。また、n型コンタクト層3の上には負電極が形成されており、p型コンタクト層9の上には正電極が形成されている。
【0005】
このようなレーザ素子10において、多層膜反射層44は、活性層6よりも基板1側のn型窒化物半導体層中に形成されている。多層膜反射層44は、ミラー(光反射)層として機能し、活性層6からの発光を反射させて、活性層6に閉じ込めることができる。図13のレーザ素子10において、多層膜反射層44は、例えばAlαGa1−αN(0<α<1)とGaNとがそれぞれ10層ずつ交互に積層されてなる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
AlαGa1−αNとGaNとからなる多層膜反射層において、これらの層の屈折率差を大きくするためにAlαGa1−αN層におけるAl混晶比αを高くした場合、αを高くするにつれて、AlαGa1−αN層の結晶性が低下してしまう。結晶性の低下した多層膜反射層がレーザ素子10中に形成されると、活性層6からの発光が、多層膜反射層44において散乱してしまい、多層膜反射層44が反射層としての機能を十分に発揮できず、レーザの発振閾値電流値および閾値電圧値が上昇してしまうという問題があった。
【0008】
またレーザ素子10において、多層膜反射層44の結晶性が低いと、多層膜反射層44の上に成長させる各窒化物半導体層の結晶性の劣化、モフォロジー異常やクラックの発生を引き起こしてしまうという問題もあった。
【0009】
一方、AlαGa1−αN層の結晶性低下を抑制するために、Al混晶比αを低くすれば、AlαGa1−αN層とGaN層との屈折率差が小さくなり、多層膜反射層の反射率が低下してしまう。反射率の低い多層膜反射層がレーザ素子10中に形成されると、活性層6に効果的に光を閉じ込めることができす、レーザの発振が困難になる。
【0010】
本発明は上述した課題を解決するためのものであり、高い反射率を維持しながら、結晶性の優れた窒化ガリウム系多層膜反射層を提供すること、および、そのような多層膜反射層を用いた窒化ガリウム系発光素子を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層膜反射層は、膜厚が(α1・λ)/(4n1)(λ:入射光波長、n1:屈折率)のAlaGa1−aN(0<a≦0.5)層と、膜厚(α2・λ)/(4n2)(n2:屈折率)のGaN層とが交互に積層されてなり、0<α1 ≦0.5、かつ、α1+α2=2であることを特徴とする。
【0012】
従来は、AlaGa1− aN層とGaN層とからなるペアが複数積層された多層膜反射層において、1ペアを構成するAlaGa1− aN層の膜厚はλ/4n1(すなわちα1=1)であり、GaN層の膜厚はλ/4n2(すなわちα2=1)であった。これに対して本発明によると、α1+α2=2を従来と同様に維持しながら、α1を1未満にしてAlaGa1− aN層の膜厚を従来のλ/4n1よりも小さくすることにより、高い反射率を維持しながら、結晶性の優れた多層膜反射層を得ることができる。また、AlaGa1− aN層を従来よりも薄膜化できるので、Al混晶比aを比較的高くしても結晶性の劣化を抑制でき、より反射率の高い多層膜反射層を得ることが可能となる。
【0013】
このような多層膜反射層において、AlaGa1−aN層のAl混晶比aは、0.2≦a≦0.8であることが好ましい。aが0.8を上回ると、多層膜反射層の結晶性劣化が顕著となる恐れがあるからである。また、aが0.2を下回ると、AlaGa1−aN層とGaN層との間の屈折率差が小さくなり、十分な反射率を有する多層膜反射層を得ることができない恐れがあるからである。また、Al混晶比aは、より好ましくは0.3≦a≦0.7であり、このような場合、極めて大きな屈折率差および、優れた結晶性を実現することが可能となる。
【0014】
また、上記多層膜反射層において、α1はα1≦0.75であることが好ましい。α1が0.75を超えると、AlaGa1−aN層の膜厚が大きくなり過ぎ、多層膜反射層の結晶性劣化が顕著になる恐れがあるからである。α1は、より好ましくはα1≦0.5であり、このような場合、AlaGa1−aN層の膜厚が十分小さく、多層膜反射層の結晶性が極めて優れたものとなる。
【0015】
上述したような多層膜反射層は、InxGa1−xN(0≦x<1)からなる活性層を有する窒化ガリウム系発光素子に好適に使用される。以下、本発明の窒化ガリウム系発光素子について説明する。本発明の窒化ガリウム系発光素子は、上述の多層膜反射層が、窒化物半導体層を介してInxGa1−xN(0≦x<1)から成る活性層の少なくとも片側に積層されている。
【0016】
また、多層膜反射層を活性層と基板との間に有することが好ましい。また、基板の上に、n型クラッド層と、InxGa1−xN(0≦x<1)からなる活性層と、p型クラッド層とをこの順で積層して形成し、基板と活性層との間に、上述した多層膜反射層を有することが好ましい。このような窒化ガリウム系発光素子は、基板と活性層との間に、結晶性が高く、かつ、反射率の高い多層膜反射層を有するので、多層膜反射層の上に積層される各窒化物半導体層の結晶性の劣化が防止され、クラックの発生およびモフォロジー異常が防止され、また、発光素子の閾値電流値および閾値電圧値が低下される。
【0017】
また、多重膜反射層と活性層との間に存在する窒化物半導体層は超格子層であることが好ましい。電気抵抗の低い超格子層を用いることにより、活性層へのキャリアの注入の効率を高めることができ発光素子の閾値電流値および閾値電圧値をさらに低下させることが可能となる。また、超格子層を多層膜反射層に接して形成しても良く、さらに超格子層を活性層に接して形成しても良い。これにより、キャリアの注入効率をさらに向上させることが可能となる。
【0018】
また、このような本発明の窒化ガリウム系発光素子は、基板の主面に対して垂直な方向に発光させる面発光型レーザ素子に好適に適用される。
【0019】
【発明の実施の形態】
図1(a)は、活性層がInxGa1- xN(0≦x<1)からなる、本発明に係るGaN系発光素子の一例を示す断面図である。図1(a)のGaN系発光素子は、面発光型GaN系レーザ素子であり、基板101の主面に垂直な方向に光を発光させる。この半導体レーザ素子2は、GaN基板101の上において、InxGa1- xN(0≦x<1)からなる活性層107が、n型AlyGa1−yN(0≦y<1)層(各層毎にyの値は異なる)103〜106と、p型AlzGa1−zN(0≦z<1)層(各層毎にzの値は異なる)108〜111とによって挟まれて形成された、いわゆるダブルへテロ構造を有し、活性層107と基板101との間に多層膜反射層98を有する。
【0020】
図1(a)の窒化物半導体レーザ素子2は、例えば、バッファ層102とn型コンタクト層103(いずれも後述する)との間に、多層膜反射層98を有する。多層膜反射層98は、図1(b)に示すように、膜厚が(α1・λ)/(4n1)のAlaGa1− aN(0<a<1)層と、膜厚が(α2・λ)/(4n2)のGaN層とが交互に積層されてなり、0<α1<1、かつ、α1+α2=2である。なお、λは入射光波長であり、n1はAlaGa1− aNの屈折率、n2はGaNの屈折率である。
【0021】
従来の多層膜反射層は、図13を参照して前述したように、1ペアを構成するAlaGa1− aN層の膜厚はλ/4n1(すなわちα1=1)であり、GaN層の膜厚はλ/4n2(すなわちα2=1)であった。このような従来の多層膜反射層によると、AlaGa1− aN層の結晶性が低いために、高い反射率と高い結晶性の両方を同時に実現させることが困難であった。本発明者は、α1+α2=2を従来と同様に維持すれば、AlaGa1− aN層の膜厚をλ/4n1よりも小さくし(α1<1)、GaN層の膜厚をλ/4n2よりも大きく(α2>1)しても、優れた反射率を維持することができ、さらに、反射率の波長選択性をむしろ向上できることを見出した。このようにAlaGa1− aN層の膜厚をλ/4n1よりも小さく設定することにより、AlaGa1− aN層を従来よりも薄膜化できるために、高い反射率を維持しながら結晶性を向上することができる。
【0022】
図2は、本実施形態の多層膜反射層98の反射率の波長依存性(理論値)を示すグラフである。多層膜反射層98は、膜厚λ/8n1のAl0.5Ga0.5N層(すなわちα1=1/2、λ=400nmのときAl0.5Ga0.5Nの屈折率n1=2.05)と、3λ/8n2のGaN層(すなわちα2=3/2、λ=400nmのときGaNの屈折率n1=2.5)とが100層ずつ交互に積層されて形成されている。比較のために、膜厚λ/4n1のAl0.5Ga0.5N層と、膜厚λ/4n2のGaN層とが100層ずつ交互に積層されて形成された多層膜反射層の反射率の波長依存性(理論値)も合わせて示す。図2から分かるように、本実施形態の多層膜反射層によると、反射率のピーク強度を比較例と同程度に維持しながら、比較例よりも、選択的な波長領域での反射効果を向上できることが分かる。なお、図2に示すデータはいずれも理論値であり、結晶性の劣化等に伴う反射率の低下は考慮されていない。従って、実際には、比較例の多層膜反射層の反射率は、結晶性の低下により、光の吸収、散乱が強くなり、大幅に低下することが予想される。
【0023】
次に、AlaGa1−aN層の膜厚と、その表面形態との関係を説明する。図3は、GaN層上にAl0.5Ga0.5N層を成膜した場合に、Al0.5Ga0.5N層の膜厚と、そのAl0.5Ga0.5N層の表面形態との関係を示す図である。図3に示すように、膜厚がλ/8n1までは、Al0.5Ga0.5N層の表面形態は正常であるが、λ/8n1を超えると、結晶性の劣化により、モフォロジー異常が観測され、λ/4n1を超えるとクラックの発生が観測される。このような膜厚と表面形態との関係は、AlaGa1−aN層のAl混晶比aに依存し、混晶比aが大きいほど、モフォロジー異常またはクラックなどの表面形態の異常が観測される閾値膜厚は、薄い方にシフトする。結晶性の劣化によってモフォロジー異常またはクラックが発生したAlaGa1−aN層の上に、他の窒化物半導体層を積層させた場合、積層された他の窒化物半導体層にもAlaGa1−aN層の結晶性劣化が伝搬してしまうという問題がある。従って、結晶性の高い多層膜反射層を作製するには、AlaGa1−aN層の膜厚を、λ/4n1未満にすることが好ましいことが分かる。また、AlaGa1−aN層の膜厚が薄いと反射率が下がる傾向にあるので、λ/8n1にすることがより好ましい。
【0024】
本発明の多層膜反射層98によると、α1+α2=2を従来と同様に維持して多層膜反射層の高い反射率を維持しながら、α1<1にして、結晶性の低くなり易いAlaGa1− aN層を薄膜化できる。従って、結晶性の優れた、反射率の高い多層膜反射層を得ることができる。また、AlaGa1− aN層を薄膜化できるので、Al混晶比aを比較的高くしても、結晶性の劣化を抑制でき、より反射率の高い多層膜反射層を得ることができる。また、結晶性の高い多層膜反射層98を作製することができるので、多層膜反射層98の上に積層される各窒化物半導体層の結晶性の劣化を防止し、クラックの発生およびモフォロジー異常を防止することができる。また、このような多層膜反射層を発光素子に使用した場合、閾値電流値および閾値電圧値を低下させることができる。
【0025】
なお、AlaGa1−aN層のAl混晶比aは、0.2≦a≦0.8であることが好ましく、より好ましくは0.3≦a≦0.7である。aが0.8を上回ると、AlaGa1−aN層の結晶性の顕著となる恐れがあるからであり、また、aが0.2を下回ると、AlaGa1−aN層とGaN層との間の屈折率差が小さくなり、十分な反射率を有する多層膜反射層を得ることができない恐れがある。aが0.3≦a≦0.7である場合には、極めて大きな屈折率差および、優れた結晶性を実現することが可能となる。
【0026】
また、α1はα1≦0.75、より好ましくはα1≦0.5である。α1が0.75を超えると、AlaGa1−aN層の膜厚が大きくなり過ぎ、AlaGa1−aN層の結晶性劣化が顕著になる恐れがあるからであり、α1≦0.5の場合、AlaGa1−aN層の膜厚が十分小さく、AlaGa1−aN層の結晶性が極めて優れたものとなる。
【0027】
また、多層膜反射層98の好ましい積層ペア数は、積層ペア数が多すぎると多層膜反射層98によって吸収される光の量が多大となることなどを考慮して、50〜200程度である。積層ペア数が上記範囲内にあれば、多層膜反射層98の結晶性および反射率を効果的に向上させることができる。また多層膜反射層98にはSi、Geなどのn型となる不純物を1×1018/cm3〜1×1021/cm3の濃度範囲でドープしてもよい。AlaGa1−aN層およびGaN層のどちらか一方にn型不純物をドープしても良く、あるいは、両方にドープしてもよい。多層膜反射層98にn型不純物をドープすることにより、多層膜反射層98の抵抗値が下がり、これにより、レーザ素子のVfを低下させることができる。しかしながら、多層膜反射層98にn型不純物をドープすることで、多層膜反射層98の結晶性が低下する傾向があり、結晶性の低下した多層膜反射層98の上に窒化物半導体層を積層した場合、多層膜反射層98の結晶性の低下が、多層膜反射層98上の各窒化物半導体層に伝搬して、それらの層の結晶性を低下させてしまう。従って、多層膜反射層98にn型不純物をドープする場合には、多層膜反射層98の上に積層する窒化物半導体層の積層数が小さくなるように、基板101から離れた位置、すなわち、活性層107の近くに多層膜反射層98を設けることが好ましい。これにより、結晶性の高いレーザ素子を作製することができる。
【0028】
図1(b)に示す多層膜反射層98は、AlaGa1− aN層94から始まってGaN層96で終わるように積層されているが、本発明の多層膜反射層98において、AlaGa1− aN層94とGaN層96との積層順序は特に限定されず、基板101側から、AlaGa1− aN層94、GaN層96、AlaGa1− aN層94・・・・AlaGa1− aN層94、GaN層96の順で積層しても、あるいは、基板101側から、GaN層96、AlaGa1− aN層94、GaN層96・・・・GaN層96、AlaGa1− aN層94の順で積層しても同様の効果が得られる。ただし、例えば多層膜反射層98を基板101側から、GaN層96、AlaGa1− aN層94・・・・GaN層96、AlaGa1− aN層94の順で積層し、AlaGa1− aN層94と同様の組成を有するコンタクト層103をAlaGa1− aN層94に接して形成する場合、多層膜98の最上層(基板101から最も離れた層)のAlaGa1− aN層94は、反射(ミラー)層として機能しない。従って、多層膜反射層98の積層順序は、多層膜反射層98に接する他の窒化物半導体層の組成を考慮して、多層膜反射層98の反射層としての効果を最大限発揮できるように適宜選択することが好ましい。
【0029】
図1(a)に示すレーザ素子2において、多層膜反射層98は、バッファ層102とn型コンタクト層103との間に積層されているが、本発明のレーザ素子の多層膜反射層98の積層位置はこれに限定されるものでなく、活性層と基板との間に窒化物半導体を介して積層されていれば良い。好ましくは、活性層に接する窒化物半導体層に接して設けることで、閾値電流の小さいレーザ素子が得られる。
【0030】
さらに、多層膜反射層98を、活性層107の基板101と反対方向にあるp型窒化物半導体層中にも形成することがより好ましい。理由は以下の通りである。p型窒化物半導体層において、例えばGaNからなるp型コンタクト層111と空気層との屈折率差は比較的大きい。従って、p型窒化物半導体層において、活性層107からの発光をp型コンタクト層111によって反射させて、活性層107に戻して閉じ込めることができる。しかし、上述したように本発明の多層膜反射層98は極めて高い反射率を有するので、多層膜反射層98をp型窒化物半導体層中にも形成すれば、活性層107への光の閉じ込め効果がより向上する。なお、p型窒化物半導体層中における多層膜反射層98の積層位置は特に限定されないが、多層膜反射層98にp型不純物をドープする場合には、多層膜反射層98を活性層107からできるだけ離れた位置のp型窒化物半導体層中に設けることが好ましい。これは、多層膜反射層98にp型不純物をドープすることによって、多層膜反射層98の結晶性が低下する傾向にあるためである。
【0031】
また、活性層107と多層膜反射層98との間に介在させる窒化物半導体層は、超格子層とし、さらに、多層膜反射層98に接して設けることが好ましい。超格子層は、数原子層程度の厚さであり、大体100Å以下の厚さの層を繰返し積層したものであり、1ペア当り最大200Å程度の膜厚を有する。一方、本願の多層膜反射層は、前述のように、Al0.5Ga0.5N層を膜厚λ/8n1まで薄くすることができ、この時のAl0.5Ga0.5N層の膜厚は243Å、3λ/8n2のGaN層の膜厚は600Åとなり、1ペア当りの膜厚が843Åとなる。したがって、超格子層の1ペア当りの膜厚が、多層膜反射層の1ペア当りの膜厚よりも小さいので、ミラーとして機能することなく、光学的反射率の低下を抑制することができる。さらに、超格子層により、光の共振方向に対して横方向のキャリアの移動度を高くすることができるので、高屈折領域を設ける面発光型半導体レーザの場合、高屈折領域に効率良くキャリアを注入することができる。さらに、共振方向においても、超格子のトンネル効果により活性層に効率良くキャリアを注入することができる。
なお、超格子層や活性層などの多層膜反射層に挟まれる層の各膜厚は、定在波が存在する条件に調整することができる。また、活性層を定在波の腹に設けることが好ましい。
【0032】
また、活性層107の基板101と反対方向にあるp型窒化物半導体層側に誘電体多層膜を設けてもよい。例えばp型窒化物半導体層の最上層のほぼ全面にSiO2/TiO2からなる層をそれぞれλ/4n(λ:入射光波長)の膜厚で2層以上蒸着により積層し、多層膜とすることで、活性層107への光の閉じ込め効果がより向上する。
【0033】
さらに、注入されたキャリアを特定の部分に集中させる電流狭窄を行うような構造とすることで発光効率が向上するので好ましい。具体的にはp型窒化物半導体層中に電流狭窄層を形成することである。電流狭窄層を設けることにより、光の共振方向に対して横方向の屈折率差を大きくし、すなわち、電流狭窄層の屈折率を小さくすることにより、導波領域における光の閉じ込めを大きくすることができる。この電流狭窄層はp型窒化物半導体層中に形成するので、n型またはi型の窒化物半導体層で構成されることが好ましい。さらに電流狭窄層はAlxInyGa1−x−yN(0<x<1、0≦y<1、x+y≦1)で形成することが好ましく、特にAlまたはn型不純物をイオン注入して形成することによって、効果的な電流狭窄層を得ることができる。さらに、Inの混晶比yを0≦y<0.1とすることで効率良く光を閉じ込めることができる。また、この電流狭窄層は、活性層から0.4μm(発光波長に相当する値)上部よりも活性層に近い位置に電流狭窄層の最下部がくるように形成することによって、電流のリークを防止することができる。
【0034】
上述の説明では面発光型レーザについて説明したが、本発明はこれに限定されず、多層膜反射膜を使用できる発光素子であれば、他の発光素子にも適用することができる。
【0035】
以下、図1(a)に示すGaN系半導体レーザ2について、より詳細に説明する。基板101としては、GaNを用いることが好ましいが、窒化物半導体と異なる異種基板を用いても良い。異種基板としては、例えば、C面、R面、及びA面のいずれかを主面とするサファイア、スピネル(MgA12O4のような絶縁性基板、SiC(6H、4H、3Cを含む)、ZnS、ZnO、GaAs、Si、及び窒化物半導体と格子整合する酸化物基板等、窒化物半導体を成長させることが可能で従来から知られており、窒化物半導体と異なる基板材料を用いることができる。好ましい異種基板としては、サファイア、スピネルが挙げられる。また、異種基板は、オフアングルしていてもよく、この場合ステップ状にオフアングルしたものを用いると窒化ガリウムからなる下地層が結晶性よく成長するため好ましい。更に、異種基板を用いる場合には、異種基板上に素子構造形成前の下地層となる窒化物半導体を成長させた後、異種基板を研磨などの方法により除去して、窒化物半導体の単体基板として素子構造を形成してもよく、また、素子構造形成後に、異種基板を除去する方法でも良い。
【0036】
異種基板を用いる場合には、バッファ層(低温成長層)102、窒化物半導体(好ましくはGaN、不図示)からなる下地層を介して、素子構造を形成すると、窒化物半導体の成長が良好なものとなる。また、異種基板上に設ける下地層(成長基板)として、その他に、ELOG(Epitaxially Laterally Overgrowth)成長させた窒化物半導体を用いると結晶性が良好な成長基板が得られる。ELOG成長層の具体例としては、異種基板上に、窒化物半導体層を成長させ、その表面に窒化物半導体の成長が困難な保護膜を設けるなどして形成したマスク領域と、窒化物半導体を成長させる非マスク領域を、ストライプ状に設け、その非マスク領域から窒化物半導体を成長させることで、膜厚方向への成長に加えて、横方向への成長が成されることにより、マスク領域にも窒化物半導体が成長して成膜された層などがある。その他の形態では、異種基板上に成長させた窒化物半導体層に開口部を設け、その開口部側面から横方向への成長がなされて、成膜される層でもよい。
【0037】
バッファ層(低温成長層)102の上には、多層膜反射層98が形成される。多層膜反射層98は上述したように、Al0.5Ga0.5N層94とGaN層96とが交互に積層されて形成されており、Al0.5Ga0.5N層94とGaN層96とからなる1ペア中に含まれるAl0.5Ga0.5N層94の膜厚は、λ/8n1であり、GaN層96の膜厚は3λ/8n2である。また、多層膜反射層98は、Al0.5Ga0.5N層94から始まってGaN層96で終わるように、各層が100層ずつ交互に積層されて形成されている。
【0038】
図4は、本実施形態の多層膜反射層98の反射率の波長依存性(実験値)を示すグラフである。図4から分かるように、多層膜反射層98は反射率のピーク値が97%以上であり、極めて高い反射率を有する。
【0039】
多層膜反射層98の上には、n型窒化物半導体層であるn型コンタクト層103、クラック防止層104、n型クラッド層105、及びn型光ガイド層106が形成されている。n型コンタクト層103が電子供給層としても機能する場合には、n型コンタクト層103を除く他の層は、素子によっては省略することもできる。n型窒化物半導体層は、少なくとも活性層107と接する部分において活性層よりも広いバンドギャップを有することが必要であり、そのためにAlを含む組成であることが好ましい。また、各層は、n型不純物をドープしながら成長させてn型としても良いし、アンドープで成長させてn型としても良い。
【0040】
n型窒化物半導体層103〜106の上には、活性層107が形成されている。活性層107は、例えばIncGa1- cN井戸層(0<c<1)とIndGa1- dN障壁層(0≦d<1、c>d)とが適当な回数だけ交互に繰り返し積層された多重量子井戸(MQW)構造を有する。なお、活性層107は、単一組成の、IneGa1- eN(0≦e<1)からなる単一量子井戸構造(SQW)構造を有していても良い。
【0041】
活性層107の上には、p型窒化物半導体層として、p型電子閉じ込め層108、p型光ガイド層109、p型クラッド層110、p型コンタクト層111が形成されている。p型電子閉じ込め層108およびp型コンタクト層111を除く他の層は、素子によっては省略することもできる。p型窒化物半導体層は、少なくとも活性層と接する部分において活性層よりも広いバンドギャップを有することが必要であり、そのためにAlを含む組成であることが好ましい。また、各層は、p型不純物をドープしながら成長させてp型としても良いし、隣接する他の層からp型不純物を拡散させてp型としても良い。
【0042】
p型電子閉じ込め層108は、p型クラッド層110よりも高いAl混晶比を持つp型窒化物半導体から成り、好ましくはAlxGa1- xN(0.1<x<0.5)なる組成を有する。また、Mg等のp型不純物が高濃度で、好ましくは5×1017〜1×1019cm- 3の濃度でドープされている。これにより、p型電子閉じ込め層108は、電子を活性層中に有効に閉じ込めることができ、レーザの閾値を低下させる。また、p型電子閉じ込め層108は、30〜200Å程度の薄膜で成長させれば良く、薄膜であればp型光ガイド層109やp型光クラッド層110よりも低温で成長させることができる。したがって、p型電子閉じ込め層108を形成することにより、p型光ガイド層109等を活性層の上に直接形成する場合に比べて、Inを含む活性層107の分解を抑制することができる。
【0043】
さらに、保護膜161、162、p型電極120、n型電極121、pパット電極122、及びnパット電極123がさらに形成されて半導体レーザ素子2が構成されている。
【0044】
【実施例】
以下、本発明をより具体的に説明するために実施例を用いて説明する。
【0045】
(実施例1)
図1(a)を参照しながら実施例1のレーザ素子を説明する。
(基板101)
基板として、異種基板に成長させた窒化物半導体、本実施例ではGaNを厚膜(100μm)で成長させた後、異種基板を除去して、80μmのGaNからなる窒化物半導体基板を用いる。基板の詳しい形成方法は、以下の通りである。2インチφ、C面を主面とするサファイアよりなる異種基板をMOVPE反応容器内にセットし、温度を500℃にして、トリメチルガリウム(TMG)、アンモニア(NH3)を用い、GaNよりなるバッファ層を200Åの膜厚で成長させ、その後、温度を上げて、アンドープのGaNを1.5μmの膜厚で成長させて、下地層とする。次に、下地層表面にストライプ状のマスクを複数形成して、マスク開口部(窓部)から窒化物半導体、本実施例ではGaNを選択成長させて、横方向の成長を伴った成長(ELOG)により成膜された窒化物半導体層を、さらに厚膜で成長させて、異種基板、バッファ層、下地層を除去して、窒化物半導体基板を得る。この時、選択成長時のマスクは、SiO2からなり、マスク幅15μm、開口部(窓部)幅5μmとする。また、この基板は、次のバッファ層102を形成する場合、サファイアを基板とし、サファイア上に直接バッファ層を積層してもよい。
【0046】
(バッファ層102)
窒化物半導体基板の上に、バッファ層成長後、温度を1050℃にして、TMG(トリメチルガリウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)、アンモニアを用い、Al0.05Ga0.95Nよりなるバッファ層102を4μmの膜厚で成長させる。この層は、AlGaNのn型コンタクト層と、GaNからなる窒化物半導体基板との間で、バッファ層として機能する。次に、窒化物半導体からなる下地層の上に、素子構造となる各層を積層する。なお、この層は省略することが可能である。
【0047】
(多層膜反射層98)
続いて、1050℃でTMA(トリメチルアルミニウム)、TMG、アンモニアを用い、アンドープAl0.5Ga0.5Nよりなる層を222Åの膜厚で成長させ、続いてTMAを止めて、アンドープGaNよりなる層を600Åの膜厚で成長させる。上記アンドープAl0.5Ga0.5Nよりなる層と、アンドープGaNよりなる層とを交互に積層して超格子層を構成し、総膜厚8.22μmの超格子よりなる多層膜反射層98を成長させる。
【0048】
(n型コンタクト層103)
次に、多層膜反射層98を積層後、TMG、TMA、アンモニア、不純物ガスとしてシランガスを用い、1050℃でSiドープしたAl0.05Ga0.95Nよりなるn型コンタクト層103を4μmの膜厚で成長させる。
【0049】
(クラック防止層104)
次に、TMG、TMI(トリメチルインジウム)、アンモニアを用い、温度を800℃にしてIn0.06Ga0.94Nよりなるクラック防止層104を0.15μmの膜厚で成長させる。なお、このクラック防止層は省略可能である。
【0050】
(n型クラッド層105)
n型クラッド層105としては、活性層107のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、活性層107へのキャリア閉じ込め及び光閉じ込めが可能であれば特に限定されないが、AlbGa1−bN(0≦b<0.3)が好ましい。ここで、さらに好ましくは、0≦b<0.1である。n型クラッド層の膜厚は特に限定されないが、好ましくは定在波が存在する膜厚を選択する。また、n型クラッド層のn型不純物濃度は特に限定されるものではないが、好ましくは1×1017〜1×1020/cm3、より好ましくは1×1018〜1×1019/cm3である。n型クラッド層は単一層でも超格子層でも良い。
【0051】
超格子層とする場合、例えば、以下の方法により形成することができる。温度を1050℃にして、原料ガスにTMA、TMG及びアンモニアを用い、アンドープのAl0.05Ga0.95NよりなるA層を25Åの膜厚で成長させ、続いて、TMAを止め、不純物ガスとしてシランガスを用い、Siを5×1018/cm3ドープしたGaNよりなるB層を25Åの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれぞれ複数回繰り返してA層とB層とを積層し、多層膜(超格子構造)よりなるn型クラッド層106を成長させる。この時、アンドープAlGaNのAl混晶比としては、0.05以上0.3以下の範囲であれば、十分にクラッド層として機能する屈折率差を設けることができる。
【0052】
(n型光ガイド層106)
次に、同様の温度で、原料ガスにTMG及びアンモニアを用い、アンドープのGaNよりなるn型光ガイド層106を0.15μmの膜厚で成長させる。また、n型不純物をドープしてもよい。なお、この層は省略することが可能である。
【0053】
(活性層107)
次に、温度を800℃にして、原料ガスにTMI(トリメチルインジウム)、TMG及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてシランガスを用い、Siを5×1018/cm3ドープしたIn0.05Ga0.95Nよりなる障壁層(B)を70Åの膜厚で、シランガスを止め、アンドープのIn0.1Ga0.9Nよりなる井戸層(W)を70Åの膜厚で、この障壁層(B)と井戸層(W)とを、(B)/(W)/(B)/(W)/(B)/(W)/(B)の順に積層する。活性層107は、総膜厚約490Åの多重量子井戸構造(MQW)となる。
【0054】
(p型電子閉込め層108)
次に、同様の温度で、原料ガスにTMA、TMG及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてCp2Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)を用い、Mgを1×101 9/cm3ドープしたAl0.3Ga0.7Nよりなるp型電子閉込層108を100Åの膜厚で成長させる。この層は、特に設けられていなくても良いが、設けることで電子閉込めとして機能し、閾値の低下に寄与するものとなる。
【0055】
(p型光ガイド層109)
次に、温度を1050℃にして、原料ガスにTMG及びアンモニアを用い、アンドープのGaNよりなるp型光ガイド層109を0.15μmの膜厚で成長させる。このp型光ガイド層109は、アンドープとして成長させるが、p型電子閉込め層108、p型クラッド層109等の隣接層からのMgの拡散により、Mg濃度が5×1016/cm3となりp型を示す。またこの層は成長時に意図的にMgをドープしても良い。なお、この層は省略することが可能である。
【0056】
(p型クラッド層110)
p型クラッド層110としては、活性層107のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、活性層107へのキャリアの閉じ込め及び光閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、AlcGa1−cN(0≦c<0.3)が好ましい。ここで、より好ましくは、0≦c<0.1である。p型クラッド層の膜厚は特に限定されないが、好ましくは定在波が存在する膜厚を選択する。p型クラッド層のp型不純物濃度は、1×1018〜1×1021/cm3、1×1019〜5×1020cm3である。p型不純物濃度が上記の範囲にあると、結晶性を低下させることなくバルク抵抗を低下させることができる。n型クラッド層は単一層でも超格子層でも良い。
【0057】
超格子層とする場合、例えば、以下の方法により形成することができる。
1050℃でアンドープAl0.05Ga0.95Nよりなる層を25Åの膜厚で成長させ、続いてTMAを止め、Cp2Mgを用いて、MgドープGaNよりなる層を25Åの膜厚で成長させ、それを複数回繰り返して超格子層より成るp型クラッド層110を成長させる。p型クラッド層は少なくとも一方がAlを含む窒化物半導体層を含み、互いにバンドギャップエネルギーが異なる窒化物半導体層を積層した超格子で作製した場合、不純物はいずれか一方の層に多くドープして、いわゆる変調ドープを行うと結晶性が良くなる傾向にあるが、両方に同じようにドープしても良い。クラッド層110は、Alを含む窒化物半導体層、好ましくはAlXGa1-XN(0<X<1)を含む超格子構造とすることが望ましく、さらに好ましくはGaNとAlGaNとを積層した超格子構造とする。p側クラッド層110を超格子構造とすることによって、クラッド層全体のAl混晶比を上げることができるので、クラッド層自体の屈折率が小さくなり、さらにバンドギャップエネルギーが大きくなるので、閾値を低下させる上で非常に有効である。さらに、超格子としたことにより、クラッド層自体に発生するピットが超格子にしないものよりも少なくなるので、ショートの発生も低くなる。なお、この層は省略することが可能である。
【0058】
(p型コンタクト層111)
最後に、1050℃で、p型クラッド層110の上に、Mgを1×1020/cm3ドープしたp型GaNよりなるp型コンタクト層111を150Åの膜厚で成長させる。p型コンタクト層111はp型のInXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)で構成することができ、好ましくはMgをドープしたGaNとすれば、p電極120と最も好ましいオーミック接触が得られる。コンタクト層111は電極を形成する層であるので、1×1017/cm3以上の高キャリア濃度とすることが望ましい。1×1017/cm3よりも低いと電極と好ましいオーミックを得るのが難しくなる傾向にある。さらにコンタクト層の組成をGaNとすると、電極材料と好ましいオーミックが得られやすくなる。反応終了後、反応容器内において、ウエハを窒素雰囲気中、700℃でアニーリングを行い、p型層を更に低抵抗化する。
【0059】
以上のようにして窒化物半導体を成長させて各層を積層した後、ウエハを反応容器から取り出し、RIE(反応性イオンエッチング)によって、図1(a)に示すように、n電極121を形成するために、n型コンタクト層103の一部分を露出させる。次に最上層のp型コンタクト層111のほぼ全面にNi/Auよりなるp電極120を形成し、露出させたn型コンタクト層103上にTi/Alよりなるn電極121を形成する。以上のようにして、n電極121およびp電極120を形成した後、チップ状に分離して、図1(a)に示すような構造のレーザ素子2を得る。
【0060】
(実施例2)
以下、図5を参照して、実施例2のレーザ素子を説明する。基板101の上に、多層膜反射層98、n型コンタクト層103、活性層107、p型電子閉じ込め層108およびp型コンタクト層111を順に積層する。各層はそれぞれ実施例1と同様にして形成する。
【0061】
次にp型コンタクト層111上に円形状の開口部を有するSiO2からなるブロック層201を設けて、その円形状の開口部からNi/Au/ITO(Indium Tin Oxide)を積層し、半透明からなる第2のp電極202を形成する。その第2のp電極202上に、SiO2/TiO2からなる誘電体多層膜を形成してp側反射膜203とし、ブロック層201の開口部の上に円形状に設ける。
【0062】
そして、n型コンタクト層103が露出するまでエッチングして、露出したn型コンタクト層103の上にリング上のn電極121、第2のp電極202上に、p側反射膜203の周りを囲むp電極120をそれぞれ形成する。最後にチップ状に分離して、図5に示すような構造のレーザ素子を得る。本実施例のレーザ素子のように、p側窒化物半導体層中に反射層を設けることで、実施例1と比較して、さらに高出力の面発光レーザ素子を得ることができる。
【0063】
(実施例3)
以下、図6を参照して実施例3のレーザ素子を説明する。基板101の上に、多層膜反射層98、n型コンタクト層103、活性層107およびp型電子閉じ込め層108を順に積層する。各層はそれぞれ実施例1と同様にして形成する。次に、Mgを1×1020/cm3ドープしたp型GaNよりなるp型クラッド層110を0.45μmの膜厚で成長させ、さらにMgを1×1020/cm3ドープしたGaNよりなるp型コンタクト層111を形成させる。
【0064】
p型コンタクト層111成長後、ウエハを反応容器から取り出し、p型コンタクト層の所定の部分をSi酸化物またはレジスト等からなるたとえば10μmφの形状のマスクによって覆い、イオン注入装置を用いて、p型クラッド層の上部からp型コンタクト層の下部の深さに欠けてイオン注入を行い、マスク部分を開口部とした電流狭窄層204を形成する。このイオン注入の深さは注入エネルギーによって制御できる。このときイオン注入に用いられる元素としてはSi、Geといった窒化物半導体をn型化する元素、窒化物半導体のバンドギャップエネルギーを大きくするAl、窒化物系半導体を高抵抗化するIII族元素であるB、窒化物半導体を高抵抗なp型とするp型不純物であるBe、Zn、Cd、VI族元素であるSe、Te等が挙げられる。上記の方法により、活性層から0.3μm(発光波長に相当する値)上部に電流狭窄層204の最下部がくるように電流狭窄層204を形成する。
【0065】
次にp型コンタクト層111の表面に円形状の開口部を有するNi/Au/ITO(Indium Tin Oxide)を形成しp電極120とし、さらにp型コンタクト層111の開口部にSiO2/TiO2からなる誘電体多層膜を形成しp側反射層203とする。最後に、チップ状に分離して、図6に示すような構造のレーザ素子を得る。本実施例のレーザ素子のように、p側窒化物半導体層の中に反射層を設け、電流狭窄構造とすることで、実施例2と比較して、さらに高出力の面発光レーザ素子を得ることができる。
【0066】
(実施例4)
以下、図7を参照して実施例4のレーザ素子を説明する。基板101の上に、バッファ層102、n型コンタクト層103、多層膜反射層98(以下、基板側多層膜反射層と呼ぶ。)、単一層のn型クラッド層105、活性層107、単一層のp型クラッド層110、出射面側多層膜反射層99、そして円形状の開口部を有するブロック層201、p電極120を順に積層する。n型クラッド層105をアンドープのGaNとし、p型クラッド層110をMgを1×1020/cm3ドープしたGaNとし、定在波が存在する膜厚を選択して、形成する。n型クラッド層105とp型クラッド層110以外の各層はそれぞれ、実施例1及び2と同様にして形成する。また、出射面側多層膜反射層99も、基板側多層膜反射層98と同様にして形成する。最後に、チップ状に分離して、図7に示すような構造のレーザ素子を得る。本実施例のレーザ素子のように、活性層の両側に多層膜反射層を設けることで、共振器長が短くなるので、低閾値電流で発振する。
【0067】
(実施例5)
以下、図8を参照して実施例5のレーザ素子を説明する。基板101の上に、バッファ層102、n型コンタクト層103、基板側多層膜反射層98、単一層のn型クラッド層105、活性層107、単一層のp型クラッド層110を順に積層する。n型クラッド層105とp型クラッド層110以外の各層はそれぞれ、実施例1及び2と同様にして形成する。n型クラッド層105とp型クラッド層110は、実施例4と同様にして形成する。本実施例は、電流狭窄層をアンドープのAl0.35In0.05Ga0.6Nで形成し、電流狭窄層を形成後、多層膜反射層99を形成する。次に、出射面側多層膜反射層99の上にNi/Auからなるp電極120を形成する。最後に、チップ状に分離して、図8に示すような構造のレーザ素子を得る。本実施例のレーザ素子のように、活性層の両側に多層膜反射層を設け、出射面側多層膜反射層99に電流狭窄構造を設けることで、電流が高屈折率領域に集中し、電流注入が効果的に行われ、また、光閉じ込めの効果を大きくでき、これらの結果、低閾値電流で発振する。
【0068】
(実施例6)
以下、図9を参照して実施例6のレーザ素子を説明する。基板101の上に、バッファ層102、n型コンタクト層103、基板側多層膜反射層98、単一層のn型クラッド層105、活性層107、単一層のp型クラッド層110、出射面側多層膜反射層99を順に積層する。n型クラッド層105とp型クラッド層110以外の各層はそれぞれ、実施例1と同様にして形成する。n型クラッド層105とp型クラッド層110は、実施例4と同様にして形成する。次に、出射面側多層膜反射層99の上に、その多層膜反射層の表面の中央部にNi/Auからなるp電極120を形成する。最後に、チップ状に分離して、図9に示すような構造のレーザ素子を得る。本実施例のレーザ素子のように、多層膜反射層に接して、p電極を部分的に設けることで、p電極の直下に電流が流れ易くなり、導波路領域が形成される。これによって、共振器長が短く、さらに電流狭窄層を設けることなく面発光レーザ素子を得ることができる。
【0069】
(実施例7)
以下、図10を参照して実施例7のレーザ素子を説明する。基板101の上に、バッファ層102、n型コンタクト層103、基板側多層膜反射層98、単一層のn型クラッド層105、活性層107、単一層のp型クラッド層110を順に積層する。n型クラッド層105とp型クラッド層110以外の各層はそれぞれ、実施例1と同様にして形成する。n型クラッド層105とp型クラッド層110は、実施例4と同様にして形成する。次に、p型クラッド層110の上に出射面側多層膜反射層99を積層した後、実施例3の方法と同様にして、電流狭窄層204を形成する。次に、出射面側多層膜反射層99の上にNi/Auからなるp電極120を形成する。最後に、チップ状に分離して、図10に示すような構造のレーザ素子を得る。本実施例のレーザ素子のように、出射面側多層膜反射層と活性層との間に電流狭窄構造を設けることで、電流が高屈折領域に集中し、電流注入が効果的に行われる。さらに、共振器内での屈折率差が大きくなり、光閉じ込めの効果をさらに大きくできるので、低閾値電流で発振する面発光素子レーザ素子を得ることができる。
【0070】
(実施例8)
以下、図11を参照して実施例8のレーザ素子を説明する。基板101の上に、バッファ層102、n型コンタクト層103、基板側多層膜反射層98、超格子層のn型クラッド層105、活性層107、単一層のp型クラッド層110、円形状の開口部を有するブロック層201、半透明の第2のp電極202、SiO2/TiO2の誘電体多層膜からなり円形状の開口部を有するp側反射膜203、そしてp側反射膜の回りを囲むp電極120を順に積層する。各層はそれぞれ実施例1及び3と同様にして形成する。最後に、チップ状に分離して、図11に示すような構造のレーザ素子を得る。本実施例のレーザ素子のように、n型クラッド層及びp型クラッド層の少なくとも一方を超格子構造とすることで、キャリアの移動度が大きくなり、キャリアが効果的に活性層に注入されるようになり、閾値電流をさらに小さくすることができる。
【0071】
(実施例9)
以下、図12を参照して実施例9のレーザ素子を説明する。基板101の上に、バッファ層102、n型コンタクト層103、基板側多層膜反射層98、超格子層のn型クラッド層105、活性層107、超格子層のp型クラッド層110、出射面側多層膜反射層99、p型コンタクト層111、円形状の開口部を有するブロック層201、そしてp電極120を順に積層する。各層はそれぞれ実施例1及び2と同様にして形成する。次に、基板101及びバッファ層102をレーザ照射により剥離して除去してn型コンタクト層103を露出させる。次に露出させたn型コンタクト層103の上に、円形状の開口部を有するブロック層201とp電極120を順に積層する。最後に、チップ状に分離して、図12に示すような構造のレーザ素子を得る。本実施例のレーザ素子のように、p電極及びn電極を互いに対向した構造にすることができるので、p電極とn電極が水平に配置されている場合に比べ電流分布が均一化され、素子の発熱を抑制することができる。さらに、n電極側にもブロック層を設けたので、活性層に対するキャリアの注入効率を高める効果も有する。
【0072】
【発明の効果】
上述したように、本発明の多層膜反射層によると、膜厚が(α1・λ)/(4n1)(λ:入射光波長、n1:屈折率)のAlaGa1−aN(0<a<1)層と、膜厚が(α2・λ)/(4n2)(n2:屈折率)のGaN層とが交互に積層されてなり、0<α1<1、かつ、α1+α2=2であることを特徴とする。従って、α1+α2=2を従来と同様に維持しながら、α1を1未満にしてAlaGa1− aN層の膜厚を従来のλ/4n1よりも小さくすることにより、高い反射率を維持しながら、結晶性の優れた多層膜反射層を得ることができる。また、AlaGa1− aN層を従来よりも薄膜化できるので、Al混晶比aを比較的高くしても結晶性の劣化を抑制でき、より反射率の高い多層膜反射層を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)は、本発明に係るGaN系発光素子の一例を示す断面図であり、(b)は(a)の発光素子に含まれる多層膜反射層の拡大断面図である。
【図2】 本発明の実施形態に係る多層膜反射層の反射率の波長依存性(理論値)を示すグラフである。
【図3】 Al0.5Ga0.5N層の膜厚と、そのAl0.5Ga0.5N層の表面形態との関係を示す図である。
【図4】 本実施形態の多層膜反射層98の反射率の波長依存性(実験値)を示すグラフである。
【図5】 実施例2に係るGaN系発光素子を示す断面図である。
【図6】 実施例3に係るGaN系発光素子を示す断面図である。
【図7】 実施例4に係るGaN系発光素子を示す断面図である。
【図8】 実施例5に係るGaN系発光素子を示す断面図である。
【図9】 実施例6に係るGaN系発光素子を示す断面図である。
【図10】 実施例7に係るGaN系発光素子を示す断面図である。
【図11】 実施例8に係るGaN系発光素子を示す断面図である。
【図12】 実施例9に係るGaN系発光素子を示す断面図である。
【図13】 従来のレーザ素子の模式的な断面図である。
【符号の説明】
98 (基板側)多層膜反射層、99 出射面側多層膜反射層、101 基板(GaN基板)、102 バッファ層、103 n型コンタクト層、104 クラック防止層、105 n型クラッド層、106 n型光ガイド層、107 活性層、108 p型電子閉込め層、109 p型光ガイド層、110 p型クラッド層、111 p型コンタクト層、120 p電極、121 n電極、122 pパッド電極、123 nパッド電極、201 ブロック層、202 第2のp電極、203 p側反射膜、204 電流狭窄層。
Claims (7)
- InxGa1−xN(0≦x<1)から成る活性層の少なくとも片側に窒化物半導体層を介して積層した多層膜反射層を、基板上に有する窒化ガリウム系発光素子であって、
上記多層膜反射層が、膜厚(α1・λ)/(4n1)(λ:入射光波長、n1:屈折率)のAlaGa1−aN(0<a≦0.5)層と、
膜厚(α2・λ)/(4n2)(n2:屈折率)のGaN層とが交互に積層されてなり、
0<α1 ≦0.5、かつ、α1+α2=2であることを特徴とする窒化ガリウム系発光素子。 - 上記多層膜反射層が活性層と基板の間に形成されている請求項1記載の窒化ガリウム系発光素子。
- 上記窒化物半導体層がクラッド層を含む請求項1又は2に記載の窒化ガリウム系発光素子。
- 上記窒化物半導体層が超格子層である請求項1から3のいずれか一つに記載の窒化ガリウム系発光素子。
- 上記超格子層が上記多層膜反射層に接して形成されている請求項4記載の窒化ガリウム系発光素子。
- 上記超格子層が上記活性層に接して形成されている請求項4又は5に記載の窒化ガリウム系発光素子。
- 前記窒化ガリウム系発光素子が、前記基板の主面に対して垂直な方向に発光させる面発光型レーザ素子である請求項1から6のいずれか一つに記載の窒化ガリウム系発光素子。
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