JP3496745B2 - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示用機器、信号
灯、光センサや通信機器等に使用される発光ダイオード
に関する。
灯、光センサや通信機器等に使用される発光ダイオード
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光ダイオードは表示用機器、信
号灯、光センサや通信機器等、多くの用途で使用されて
いる。この発光ダイオードの輝度は発光部の発光効率や
素子外部への光の取り出し効率等に依存し、これらの効
率をより高くすることでより高い輝度の発光ダイオード
を得ることができる。
号灯、光センサや通信機器等、多くの用途で使用されて
いる。この発光ダイオードの輝度は発光部の発光効率や
素子外部への光の取り出し効率等に依存し、これらの効
率をより高くすることでより高い輝度の発光ダイオード
を得ることができる。
【０００３】このうち、素子外部への光の取り出し効率
を高める手段としては、光反射多層膜を設けることが最
も有効なものの１つである。発光部からの光は、光出射
面に向かうものもあるが基板へ向かうものもあり、基板
へ向かった光の多くは基板により吸収される。そこで、
発光部と基板との間に光反射多層膜を設けることにより
基板へ向かう光を反射させて出射面へと向かわせること
が可能となる。
を高める手段としては、光反射多層膜を設けることが最
も有効なものの１つである。発光部からの光は、光出射
面に向かうものもあるが基板へ向かうものもあり、基板
へ向かった光の多くは基板により吸収される。そこで、
発光部と基板との間に光反射多層膜を設けることにより
基板へ向かう光を反射させて出射面へと向かわせること
が可能となる。
【０００４】この光反射多層膜は異なる屈折率を有する
２種類の材料膜を１対として適切な厚みで交互に積層し
たものからなるが、全ての層を単一の周期で積層すると
その反射スペクトルが狭帯域となって反射波長領域が狭
くなる。反射波長領域が狭くなると、結晶成長速度等の
変動により反射波長が発光波長からずれやすくなって製
品歩留りが悪くなる。
２種類の材料膜を１対として適切な厚みで交互に積層し
たものからなるが、全ての層を単一の周期で積層すると
その反射スペクトルが狭帯域となって反射波長領域が狭
くなる。反射波長領域が狭くなると、結晶成長速度等の
変動により反射波長が発光波長からずれやすくなって製
品歩留りが悪くなる。
【０００５】この問題に対して、特開平４−３２８８７
７号には以下のように光反射多層膜の厚みを徐々に変化
させた構造が提案されている。
７号には以下のように光反射多層膜の厚みを徐々に変化
させた構造が提案されている。
【０００６】図１５（ａ）はその公報に開示されている
発光ダイオード（ＬＥＤ）１１００の構成を示す断面図
であり、図１５（ｂ）は光反射多層膜（ＤＢＲ：分布ブ
ラッグリフレクター）の構成を示す拡大図であり、図１
６はＤＢＲの層厚構成を示す図である。
発光ダイオード（ＬＥＤ）１１００の構成を示す断面図
であり、図１５（ｂ）は光反射多層膜（ＤＢＲ：分布ブ
ラッグリフレクター）の構成を示す拡大図であり、図１
６はＤＢＲの層厚構成を示す図である。
【０００７】このＬＥＤ１１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板
１１０１上に、ｎ型ＡｌＡｓ層１１０２ａ及びｎ型Ｇａ
Ａｓ層１１０２ｂを１対としてこれを多数ペア、例えば
４０ペア積層した光反射多層膜１１０２が設けられてい
る。光反射多層膜１１０２の上には下部クラッド層１１
０３、活性層１１０４及び上部クラッド層１１０５から
なるダブルヘテロ構造が設けられ、さらにその上にキャ
ップ層１１０６が設けられている。キャップ層１１０６
の中央部上にはｐ型電極１１０７が設けられ、ｎ型基板
１１０１の下面には全面にｎ型電極１１０８が設けられ
ている。
１１０１上に、ｎ型ＡｌＡｓ層１１０２ａ及びｎ型Ｇａ
Ａｓ層１１０２ｂを１対としてこれを多数ペア、例えば
４０ペア積層した光反射多層膜１１０２が設けられてい
る。光反射多層膜１１０２の上には下部クラッド層１１
０３、活性層１１０４及び上部クラッド層１１０５から
なるダブルヘテロ構造が設けられ、さらにその上にキャ
ップ層１１０６が設けられている。キャップ層１１０６
の中央部上にはｐ型電極１１０７が設けられ、ｎ型基板
１１０１の下面には全面にｎ型電極１１０８が設けられ
ている。
【０００８】この従来のＬＥＤ１１００において、ＤＢ
Ｒの層構成は図１６に示すように、中心反射波長に対応
する層厚Ｔに対して長波長側及び短波長側に各々変化割
合ＤＤだけ厚みをチャープ状に変化させてある。
Ｒの層構成は図１６に示すように、中心反射波長に対応
する層厚Ｔに対して長波長側及び短波長側に各々変化割
合ＤＤだけ厚みをチャープ状に変化させてある。
【０００９】図１７はＬＥＤ１１００におけるＤＢＲの
反射スペクトル及び層構成が単一周期のＤＢＲの反射ス
ペクトルを示す図である。この図１７に示すように、Ｄ
ＢＲの層厚をチャープ状に変化させたＬＥＤ１１００で
は、層厚を単一周期にしたＤＢＲに比べて反射波長の領
域を広くすることが可能である。
反射スペクトル及び層構成が単一周期のＤＢＲの反射ス
ペクトルを示す図である。この図１７に示すように、Ｄ
ＢＲの層厚をチャープ状に変化させたＬＥＤ１１００で
は、層厚を単一周期にしたＤＢＲに比べて反射波長の領
域を広くすることが可能である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＤＢＲ
は多層構造であるためにＤＢＲ中には多くの界面が存在
する。例えば、４０ペアのＤＢＲの場合にはその中に７
９の界面が存在する。この界面は結晶成長工程において
材料の供給が切り替えられる部分であり、理想的な結晶
成長が難しいため、ＤＢＲのように界面を多く含む構造
では良好な品質の結晶を得ることが困難である。また、
ＤＢＲの上にはクラッド層と発光部となる活性層とを積
層するが、ＤＢＲの結晶品質が悪いと欠陥の伝搬等によ
り発光部の結晶品質も悪くなって発光部の発光効率が低
くなる。その結果、発光ダイオードの輝度が低くなると
いう問題があった。
は多層構造であるためにＤＢＲ中には多くの界面が存在
する。例えば、４０ペアのＤＢＲの場合にはその中に７
９の界面が存在する。この界面は結晶成長工程において
材料の供給が切り替えられる部分であり、理想的な結晶
成長が難しいため、ＤＢＲのように界面を多く含む構造
では良好な品質の結晶を得ることが困難である。また、
ＤＢＲの上にはクラッド層と発光部となる活性層とを積
層するが、ＤＢＲの結晶品質が悪いと欠陥の伝搬等によ
り発光部の結晶品質も悪くなって発光部の発光効率が低
くなる。その結果、発光ダイオードの輝度が低くなると
いう問題があった。
【００１１】また、特開平４−３２８８７７号に開示さ
れている構造ではＤＢＲを構成する材料にＡｌＡｓ及び
ＧａＡｓを用いているが、これらの材料はいずれも２元
混晶であり、結晶成長における供給材料の数が各々２種
類である。これに対して、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料
を用いたＤＢＲでは結晶成長における供給材料の数が３
〜４種類であり、界面での材料の供給の切替が一層困難
である。そのため、ＤＢＲの結晶品質が低下してさらに
発光ダイオードの輝度が低くなるという問題があった。
れている構造ではＤＢＲを構成する材料にＡｌＡｓ及び
ＧａＡｓを用いているが、これらの材料はいずれも２元
混晶であり、結晶成長における供給材料の数が各々２種
類である。これに対して、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料
を用いたＤＢＲでは結晶成長における供給材料の数が３
〜４種類であり、界面での材料の供給の切替が一層困難
である。そのため、ＤＢＲの結晶品質が低下してさらに
発光ダイオードの輝度が低くなるという問題があった。
【００１２】本発明はこのような従来技術の課題を解決
すべくなされたものであり、光反射多層膜上の活性層の
結晶品質が低下するのを防いで輝度を向上することがで
きる発光ダイオードを提供することを目的とする。
すべくなされたものであり、光反射多層膜上の活性層の
結晶品質が低下するのを防いで輝度を向上することがで
きる発光ダイオードを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
は、基板上に、活性層、及び該活性層から該基板に向か
う光を反射させるべく該基板と該活性層との間に配置さ
れている光反射多層膜を有する発光ダイオードにおい
て、該光反射多層膜が互いに異なる屈折率を有する２種
類の材料の膜を１対とした複数層からなり、その対の厚
みが厚いものほど該活性層に近い側に配してあり、該２
種類の材料の膜が共に４元混晶であって、そのことによ
り上記目的が達成される。
は、基板上に、活性層、及び該活性層から該基板に向か
う光を反射させるべく該基板と該活性層との間に配置さ
れている光反射多層膜を有する発光ダイオードにおい
て、該光反射多層膜が互いに異なる屈折率を有する２種
類の材料の膜を１対とした複数層からなり、その対の厚
みが厚いものほど該活性層に近い側に配してあり、該２
種類の材料の膜が共に４元混晶であって、そのことによ
り上記目的が達成される。
【００１４】前記活性層及び前記光反射多層膜がＡｌＧ
ａＩｎＰ系化合物半導体材料からなっていてもよい。
ａＩｎＰ系化合物半導体材料からなっていてもよい。
【００１５】前記光反射多層膜は、最上層と最下層との
間の各層を等間隔とした場合よりも中間付近が厚くなる
ように層厚を設定するのが好ましい。
間の各層を等間隔とした場合よりも中間付近が厚くなる
ように層厚を設定するのが好ましい。
【００１６】前記光反射多層膜が、前記２種類の材料の
膜を１５対以下積層してあってもよい。
膜を１５対以下積層してあってもよい。
【００１７】前記２種類の材料が、前記活性層のバンド
ギャップよりも大きいバンドギャップを有する材料であ
ってもよい。
ギャップよりも大きいバンドギャップを有する材料であ
ってもよい。
【００１８】
【００１９】以下、本発明の作用について説明する。
【００２０】光反射多層膜（ＤＢＲ）には界面が多数存
在し、結晶成長工程において材料の供給切り替えを多数
回行う必要があるので良質な結晶を得るのが困難であ
る。そこで、本発明にあっては２種類の材料の膜の対の
厚みを徐々に変化させ、その対の厚みが厚いものほど活
性層に近い側に配してある。すなわち、厚みが厚いもの
ほど材料の供給切り替えが少なく、その結晶品質を良好
にすることができるので、その結晶品質が良好な部分を
発光部に近く配置する。その結果、ＤＢＲ上に成長する
発光部の結晶品質を向上させて発光効率を高めることが
可能となる。
在し、結晶成長工程において材料の供給切り替えを多数
回行う必要があるので良質な結晶を得るのが困難であ
る。そこで、本発明にあっては２種類の材料の膜の対の
厚みを徐々に変化させ、その対の厚みが厚いものほど活
性層に近い側に配してある。すなわち、厚みが厚いもの
ほど材料の供給切り替えが少なく、その結晶品質を良好
にすることができるので、その結晶品質が良好な部分を
発光部に近く配置する。その結果、ＤＢＲ上に成長する
発光部の結晶品質を向上させて発光効率を高めることが
可能となる。
【００２１】また、発光部にＡｌＧａＩｎＰ系化合物半
導体を用いる場合には、成長条件の統一や生産効率の点
からＤＢＲにもＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用いる
のが望ましいが、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体からな
るＤＢＲでは結晶成長工程において切り替えられる材料
の数が多いため、その結晶品質が悪くなりやすい。そこ
で、請求項２に記載の本発明にあっては、ＤＢＲにおい
て厚みを厚くした対を発光部に近い側に配することによ
り、結晶品質が良好な部分を発光部に近く配置してい
る。このため、結晶品質が悪くなり易いＡｌＧａＩｎＰ
系発光ダイオードにおいても、ＤＢＲの上に形成される
発光部の結晶品質を良好にすることができる。
導体を用いる場合には、成長条件の統一や生産効率の点
からＤＢＲにもＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用いる
のが望ましいが、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体からな
るＤＢＲでは結晶成長工程において切り替えられる材料
の数が多いため、その結晶品質が悪くなりやすい。そこ
で、請求項２に記載の本発明にあっては、ＤＢＲにおい
て厚みを厚くした対を発光部に近い側に配することによ
り、結晶品質が良好な部分を発光部に近く配置してい
る。このため、結晶品質が悪くなり易いＡｌＧａＩｎＰ
系発光ダイオードにおいても、ＤＢＲの上に形成される
発光部の結晶品質を良好にすることができる。
【００２２】
【００２３】ＤＢＲを構成する材料が発光波長に対して
吸収を持つ場合、ＤＢＲを構成する対のうちの厚みが厚
いものを活性層に近い側に配すると、発光部に近い対の
光吸収が増えるために反射特性が悪くなる傾向がある。
そこで、請求項４に記載の本発明にあっては、ＤＢＲを
構成する対を１５対以下にすることにより、後述する図
１０に示すように、光吸収による反射特性の低下を防い
でＤＢＲの特性を向上させることが可能である。
吸収を持つ場合、ＤＢＲを構成する対のうちの厚みが厚
いものを活性層に近い側に配すると、発光部に近い対の
光吸収が増えるために反射特性が悪くなる傾向がある。
そこで、請求項４に記載の本発明にあっては、ＤＢＲを
構成する対を１５対以下にすることにより、後述する図
１０に示すように、光吸収による反射特性の低下を防い
でＤＢＲの特性を向上させることが可能である。
【００２４】また、請求項５に記載の本発明にあって
は、ＤＢＲを構成する２種類の材料として活性層のバン
ドギャップよりも大きいバンドギャップを有する材料を
用いているので、発光波長に対する吸収の影響が無くな
る。従って、ＤＢＲにおいて厚みの厚い対を発光部に近
い側に配しても反射特性が悪くなることはなく、活性層
の発光効率を向上させることが可能である。
は、ＤＢＲを構成する２種類の材料として活性層のバン
ドギャップよりも大きいバンドギャップを有する材料を
用いているので、発光波長に対する吸収の影響が無くな
る。従って、ＤＢＲにおいて厚みの厚い対を発光部に近
い側に配しても反射特性が悪くなることはなく、活性層
の発光効率を向上させることが可能である。
【００２５】さらに、本発明にあっては、ＤＢＲを構成
する対のうち、活性層に最も近い側から最も遠い側まで
膜厚を直線的に変化させた場合よりも膜厚が厚い対を少
なくとも１対以上設けてあれば、後述する図１４に示す
ように、ＤＢＲ全体の膜厚に対する界面の割合を減らす
ことができる。従って、結晶成長工程において材料の供
給切り替え回数を減らしてＤＢＲの結晶品質を向上させ
ることができる。その結果、さらに発光部の結晶品質を
向上させることが可能である。
する対のうち、活性層に最も近い側から最も遠い側まで
膜厚を直線的に変化させた場合よりも膜厚が厚い対を少
なくとも１対以上設けてあれば、後述する図１４に示す
ように、ＤＢＲ全体の膜厚に対する界面の割合を減らす
ことができる。従って、結晶成長工程において材料の供
給切り替え回数を減らしてＤＢＲの結晶品質を向上させ
ることができる。その結果、さらに発光部の結晶品質を
向上させることが可能である。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００２７】（実施形態１）図１（ａ）は実施形態１の
発光ダイオード（ＬＥＤ）１００の構成を示す断面図で
あり、図１（ｂ）は光反射多層膜（ＤＢＲ）１２の構成
を示す拡大図である。
発光ダイオード（ＬＥＤ）１００の構成を示す断面図で
あり、図１（ｂ）は光反射多層膜（ＤＢＲ）１２の構成
を示す拡大図である。
【００２８】このＬＥＤ１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１
１上に、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51In0.49Ｐ（０≦ｘ≦
１、例えばｘ＝０．８層１２ａ及びｎ型（ＡｌyＧ
ａ1-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｙ≦１、ｘ≠ｙ、例えば
ｙ＝０．１５層１２ｂを１対としてこれを多数ペア、例
えば２０ペア積層したＤＢＲ１２が設けられている。
１上に、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51In0.49Ｐ（０≦ｘ≦
１、例えばｘ＝０．８層１２ａ及びｎ型（ＡｌyＧ
ａ1-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｙ≦１、ｘ≠ｙ、例えば
ｙ＝０．１５層１２ｂを１対としてこれを多数ペア、例
えば２０ペア積層したＤＢＲ１２が設けられている。
【００２９】このＤＢＲ１２は、図２に示すように、下
層から上層に向かって層厚がチャープ状に変化させてあ
る。ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ａ及び
ｎ型（ＡｌyＧａ1-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ｂの厚さ
は、各層の屈折率をｎ1、ｎ2とし、活性層からの発光波
長をλとし、最上層と最下層との変化割合を各々Ｄ
Ｄ1、ＤＤ2すると、例えば以下のように設定される。
層から上層に向かって層厚がチャープ状に変化させてあ
る。ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ａ及び
ｎ型（ＡｌyＧａ1-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ｂの厚さ
は、各層の屈折率をｎ1、ｎ2とし、活性層からの発光波
長をλとし、最上層と最下層との変化割合を各々Ｄ
Ｄ1、ＤＤ2すると、例えば以下のように設定される。
【００３０】例えば、図２に示すように、ｎ型（Ａｌx
Ｇａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ａの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ａの
最上層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。同様に、ｎ型（ＡｌyＧａ
1-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ｂの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型（ＡｌyＧａ1-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ｂの
最上層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。ＤＢＲ１２の上には、ｎ型
（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、
厚み１．０μｍ）下部クラッド層１３層、（ＡｌxＧａ
1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝０．１、厚み０．５
μｍ）活性層１４及びｐ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、厚み１．０μｍ）上部クラ
ッド層１５層からなるダブルヘテロ構造が設けられ、さ
らにその上にｐ型ＧａＰ電流拡散層１６が設けられてい
る。ｐ型電流拡散層１６の中央部上には例えばＡｕ−Ｚ
ｎ膜を蒸着して円形にパターニングしたｐ型電極１７が
設けられ、ｎ型基板１１の下面には例えばＡｕ−Ｚｎ膜
を蒸着したｎ型電極１８が全面に設けられている。
Ｇａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ａの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ａの
最上層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。同様に、ｎ型（ＡｌyＧａ
1-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ｂの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型（ＡｌyＧａ1-y）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ｂの
最上層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。ＤＢＲ１２の上には、ｎ型
（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、
厚み１．０μｍ）下部クラッド層１３層、（ＡｌxＧａ
1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝０．１、厚み０．５
μｍ）活性層１４及びｐ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、厚み１．０μｍ）上部クラ
ッド層１５層からなるダブルヘテロ構造が設けられ、さ
らにその上にｐ型ＧａＰ電流拡散層１６が設けられてい
る。ｐ型電流拡散層１６の中央部上には例えばＡｕ−Ｚ
ｎ膜を蒸着して円形にパターニングしたｐ型電極１７が
設けられ、ｎ型基板１１の下面には例えばＡｕ−Ｚｎ膜
を蒸着したｎ型電極１８が全面に設けられている。
【００３１】図３に単位層厚当たりに含まれる界面の数
（界面密度）と結晶品質との関係を示す。この図３から
理解されるように、界面密度が高いほど結晶品質は悪く
なり、界面密度が低いほど結晶品質が良好になる。従っ
て、ＤＢＲには界面が多数含まれるために結晶の品質が
悪くなることがわかる。
（界面密度）と結晶品質との関係を示す。この図３から
理解されるように、界面密度が高いほど結晶品質は悪く
なり、界面密度が低いほど結晶品質が良好になる。従っ
て、ＤＢＲには界面が多数含まれるために結晶の品質が
悪くなることがわかる。
【００３２】この図３に示した関係から本実施形態のＬ
ＥＤ１００におけるＤＢＲ中の結晶品質を導出したもの
を図４に実線で示す。また、比較のために図１５に示し
た従来のＬＥＤ１１００におけるＤＢＲ中の結晶品質に
ついても図４に点線で示す。従来のＬＥＤ１１００にお
いてはＤＢＲの各層の層厚を上層ほど薄くしているので
上層ほど結晶品質が悪くなり、その上に積層される活性
層の結晶品質も悪くなる。これに対して、本実施形態の
ＬＥＤ１００においてはＤＢＲの各層の層厚を上層ほど
厚くしているので上層ほど結晶品質が良くなり、その上
に積層される活性層の結晶品質も良好である。
ＥＤ１００におけるＤＢＲ中の結晶品質を導出したもの
を図４に実線で示す。また、比較のために図１５に示し
た従来のＬＥＤ１１００におけるＤＢＲ中の結晶品質に
ついても図４に点線で示す。従来のＬＥＤ１１００にお
いてはＤＢＲの各層の層厚を上層ほど薄くしているので
上層ほど結晶品質が悪くなり、その上に積層される活性
層の結晶品質も悪くなる。これに対して、本実施形態の
ＬＥＤ１００においてはＤＢＲの各層の層厚を上層ほど
厚くしているので上層ほど結晶品質が良くなり、その上
に積層される活性層の結晶品質も良好である。
【００３３】なお、図１５に示した従来のＬＥＤ１１０
０ではＤＢＲを構成する材料に２元混晶である化合物半
導体を用いているが、本実施形態においてはＤＢＲを構
成する材料に４元混晶であるＡｌＧａＩｎＰ系化合物半
導体を用いている。これは、発光部にＡｌＧａＩｎＰ系
化合物半導体を用いる場合には、成長条件の統一や生産
効率の点からＤＢＲもＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を
用いるのが望ましいからである。
０ではＤＢＲを構成する材料に２元混晶である化合物半
導体を用いているが、本実施形態においてはＤＢＲを構
成する材料に４元混晶であるＡｌＧａＩｎＰ系化合物半
導体を用いている。これは、発光部にＡｌＧａＩｎＰ系
化合物半導体を用いる場合には、成長条件の統一や生産
効率の点からＤＢＲもＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を
用いるのが望ましいからである。
【００３４】図５（ａ）は２元混晶である２種類の結晶
の成長界面における材料供給の切り替えタイミングを示
す図であり、図５（ｂ）は４元混晶である２種類の結晶
の成長界面における材料供給の切り替えタイミングを示
す図である。この図から理解されるように、２元混晶を
用いる場合に比べて４元混晶を用いる場合には成長界面
で切り替えられる材料ガスの数が多いため、成長界面に
おける結晶の乱れが生じ易くなって界面の結晶品質が悪
くなる。よって、ＤＢＲを構成する材料として４元混晶
を用いる場合には、ＤＢＲの結晶品質を良好にしてその
上に形成される発光部の結晶品質を向上させることが特
に重要となる。
の成長界面における材料供給の切り替えタイミングを示
す図であり、図５（ｂ）は４元混晶である２種類の結晶
の成長界面における材料供給の切り替えタイミングを示
す図である。この図から理解されるように、２元混晶を
用いる場合に比べて４元混晶を用いる場合には成長界面
で切り替えられる材料ガスの数が多いため、成長界面に
おける結晶の乱れが生じ易くなって界面の結晶品質が悪
くなる。よって、ＤＢＲを構成する材料として４元混晶
を用いる場合には、ＤＢＲの結晶品質を良好にしてその
上に形成される発光部の結晶品質を向上させることが特
に重要となる。
【００３５】ところで、従来技術である特開平４−３２
８８７７号においては、ＤＢＲの層厚構成を発光部に近
い層ほど薄くする理由を以下のように述べている。
８８７７号においては、ＤＢＲの層厚構成を発光部に近
い層ほど薄くする理由を以下のように述べている。
【００３６】ＤＢＲを構成する材料に活性層からの発光
に対して光吸収がある材料を用いると、ＤＢＲの活性層
に近い部分で活性層からの光が吸収され、ＤＢＲの活性
層から遠い部分での反射効果を得難くなるため、ＤＢＲ
の反射波長領域が狭くなる。ＤＢＲの層厚構成を発光部
に近い層ほど薄くすることにより活性層から遠いＤＢＲ
部分まで光を届かせることができるので、広い反射波長
領域を得ることができる。
に対して光吸収がある材料を用いると、ＤＢＲの活性層
に近い部分で活性層からの光が吸収され、ＤＢＲの活性
層から遠い部分での反射効果を得難くなるため、ＤＢＲ
の反射波長領域が狭くなる。ＤＢＲの層厚構成を発光部
に近い層ほど薄くすることにより活性層から遠いＤＢＲ
部分まで光を届かせることができるので、広い反射波長
領域を得ることができる。
【００３７】しかしながら、この特開平４−３２８８７
７号に述べられているような反射波長領域が狭くなると
いう問題が起こるのは、光吸収が問題となるだけの吸収
係数と層厚を有する場合であり、吸収係数が低い場合や
ＤＢＲの全層厚が薄い場合にはＤＢＲの層厚構成を発光
部に近い層ほど薄くすることによる効果は小さい。
７号に述べられているような反射波長領域が狭くなると
いう問題が起こるのは、光吸収が問題となるだけの吸収
係数と層厚を有する場合であり、吸収係数が低い場合や
ＤＢＲの全層厚が薄い場合にはＤＢＲの層厚構成を発光
部に近い層ほど薄くすることによる効果は小さい。
【００３８】本実施形態においては、ＤＢＲに光吸収が
比較的少ない材料を用いているため、ＤＢＲの層厚構成
を発光部に近い層ほど厚くしてもＤＢＲの反射領域の狭
帯域化は観測されなかった。また、ＤＢＲの層厚構成を
活性層に近い層ほど厚くしてあるので界面での結晶品質
低下が少ない良好な結晶であり、その上に積層する発光
部の結晶品質を高めて、ＬＥＤの輝度を向上することが
できる。
比較的少ない材料を用いているため、ＤＢＲの層厚構成
を発光部に近い層ほど厚くしてもＤＢＲの反射領域の狭
帯域化は観測されなかった。また、ＤＢＲの層厚構成を
活性層に近い層ほど厚くしてあるので界面での結晶品質
低下が少ない良好な結晶であり、その上に積層する発光
部の結晶品質を高めて、ＬＥＤの輝度を向上することが
できる。
【００３９】また、ＤＢＲを構成する２つの材料にV族
元素が同じであるIII-V族化合物半導体を用いているの
で材料の切り替えが少なく、発光部の結晶品質を向上さ
せることができる。
元素が同じであるIII-V族化合物半導体を用いているの
で材料の切り替えが少なく、発光部の結晶品質を向上さ
せることができる。
【００４０】これらの効果により、本実施形態のＬＥＤ
においては、従来のＬＥＤに比べて約１．３倍の輝度を
得ることができた。
においては、従来のＬＥＤに比べて約１．３倍の輝度を
得ることができた。
【００４１】（参考例としての実施形態２）
図６（ａ）は実施形態２のＬＥＤ２００の構成を示す断
面図であり、図６（ｂ）はＤＢＲ２２の構成を示す拡大
図である。
面図であり、図６（ｂ）はＤＢＲ２２の構成を示す拡大
図である。
【００４２】このＬＥＤ２００は、ｎ型ＧａＡｓ基板２
１上に、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａ及びｎ型Ｇａ
0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ｂを１対としてこれを多数ペア、
例えば２０ペア積層したＤＢＲ２２が設けられている。
１上に、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａ及びｎ型Ｇａ
0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ｂを１対としてこれを多数ペア、
例えば２０ペア積層したＤＢＲ２２が設けられている。
【００４３】このＤＢＲ２２は、図７に示すように、下
層から上層に向かって層厚がチャープ状に変化させてあ
る。ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａ及びｎ型Ｇａ0.51
Ｉｎ0.49Ｐ層２２ｂの厚さは、各層の屈折率をｎ1、ｎ2
とし、活性層からの発光波長をλとし、最上層と最下層
との変化割合を各々ＤＤ1、ＤＤ2すると、例えば以下の
ように設定される。
層から上層に向かって層厚がチャープ状に変化させてあ
る。ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａ及びｎ型Ｇａ0.51
Ｉｎ0.49Ｐ層２２ｂの厚さは、各層の屈折率をｎ1、ｎ2
とし、活性層からの発光波長をλとし、最上層と最下層
との変化割合を各々ＤＤ1、ＤＤ2すると、例えば以下の
ように設定される。
【００４４】例えば、図７に示すように、ｎ型Ａｌ0.51
Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａの最上層の層厚
は、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａの最上層の層厚
は、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
【００４５】同様に、ｎ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ｂ
の最下層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ｂの最上層の層厚
は、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
の最下層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ｂの最上層の層厚
は、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
【００４６】ＤＢＲ２２の上には、ｎ型（ＡｌxＧ
ａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、厚み１．
０μｍ）下部クラッド層２３層、（ＡｌxＧａ1-x）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝０．０、厚み０．５μｍ）活性
層２４及びｐ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例え
ばｘ＝１．０、厚み１．０μｍ）上部クラッド層２５層
からなるダブルヘテロ構造が設けられ、さらにその上に
ｐ型ＧａＰ電流拡散層２６が設けられている。ｐ型電流
拡散層２６の中央部上には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着し
て円形にパターニングしたｐ型電極２７が設けられ、ｎ
型基板２１の下面には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着したｎ
型電極２８が全面に設けられている。
ａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、厚み１．
０μｍ）下部クラッド層２３層、（ＡｌxＧａ1-x）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝０．０、厚み０．５μｍ）活性
層２４及びｐ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例え
ばｘ＝１．０、厚み１．０μｍ）上部クラッド層２５層
からなるダブルヘテロ構造が設けられ、さらにその上に
ｐ型ＧａＰ電流拡散層２６が設けられている。ｐ型電流
拡散層２６の中央部上には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着し
て円形にパターニングしたｐ型電極２７が設けられ、ｎ
型基板２１の下面には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着したｎ
型電極２８が全面に設けられている。
【００４７】本実施形態においても、実施形態１と同様
に、ＤＢＲの層厚構成を活性層に近い層ほど厚くしてあ
るので界面での結晶品質低下が少ない良好な結晶であ
り、その上に積層する発光部の結晶品質を高めて、ＬＥ
Ｄの輝度を向上することができる。
に、ＤＢＲの層厚構成を活性層に近い層ほど厚くしてあ
るので界面での結晶品質低下が少ない良好な結晶であ
り、その上に積層する発光部の結晶品質を高めて、ＬＥ
Ｄの輝度を向上することができる。
【００４８】また、本実施形態においてはＤＢＲの材料
に３元混晶であるＡｌＩｎＰ及びＧａＩｎＰを用いてお
り、これらはＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の中でも最も
原子の種類の数が少ない材料であるので、結晶成長工程
において切り替えられる材料の数を減らして界面におけ
る結晶品質を向上させることができる。
に３元混晶であるＡｌＩｎＰ及びＧａＩｎＰを用いてお
り、これらはＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の中でも最も
原子の種類の数が少ない材料であるので、結晶成長工程
において切り替えられる材料の数を減らして界面におけ
る結晶品質を向上させることができる。
【００４９】従って、本実施形態においてはＤＢＲの結
晶品質をより良好なものとすることが可能であり、ＤＢ
Ｒ上に積層する発光部の結晶品質をさらに高めることが
できる。
晶品質をより良好なものとすることが可能であり、ＤＢ
Ｒ上に積層する発光部の結晶品質をさらに高めることが
できる。
【００５０】これらの効果により、本実施形態のＬＥＤ
においては、実施形態１のＬＥＤに比べて約１．４倍の
輝度を得ることができ、従来のＬＥＤに比べて約１．８
倍の輝度を得ることができた。
においては、実施形態１のＬＥＤに比べて約１．４倍の
輝度を得ることができ、従来のＬＥＤに比べて約１．８
倍の輝度を得ることができた。
【００５１】（実施形態３）図８（ａ）は実施形態３の
ＬＥＤ３００の構成を示す断面図であり、図９（ｂ）は
ＤＢＲ３２の構成を示す拡大図である。
ＬＥＤ３００の構成を示す断面図であり、図９（ｂ）は
ＤＢＲ３２の構成を示す拡大図である。
【００５２】このＬＥＤ３００は、ｎ型ＧａＡｓ基板３
１上に、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層３２ａ及びｎ型（Ａ
ｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｘ＜１）層３２ｂを
１対としてこれを多数ペア、例えば１５ペア積層したＤ
ＢＲ３２が設けられている。
１上に、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層３２ａ及びｎ型（Ａ
ｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｘ＜１）層３２ｂを
１対としてこれを多数ペア、例えば１５ペア積層したＤ
ＢＲ３２が設けられている。
【００５３】このＤＢＲ３２は、図９に示すように、下
層から上層に向かって層厚がチャープ状に変化させてあ
る。ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層３２ａ及びｎ型（Ａｌx
Ｇａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層３２ｂの厚さは、各層の屈
折率をｎ1、ｎ2とし、活性層からの発光波長をλとし、
最上層と最下層との変化割合を各々ＤＤ1、ＤＤ2する
と、例えば以下のように設定される。
層から上層に向かって層厚がチャープ状に変化させてあ
る。ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層３２ａ及びｎ型（Ａｌx
Ｇａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層３２ｂの厚さは、各層の屈
折率をｎ1、ｎ2とし、活性層からの発光波長をλとし、
最上層と最下層との変化割合を各々ＤＤ1、ＤＤ2する
と、例えば以下のように設定される。
【００５４】例えば、図９に示すように、ｎ型Ａｌ0.51
Ｉｎ0.49Ｐ層３２ａの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層３２ａの最上層の層厚
は、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
Ｉｎ0.49Ｐ層３２ａの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層３２ａの最上層の層厚
は、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
【００５５】同様に、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ３２ｂの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ３２ｂの最
上層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
0.49Ｐ３２ｂの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ３２ｂの最
上層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
【００５６】ＤＢＲ３２の上には、ｎ型（ＡｌxＧ
ａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、厚み１．
０μｍ）下部クラッド層３３層、（ＡｌxＧａ1-x）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝０．３、厚み０．５μｍ）活性
層３４及びｐ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例え
ばｘ＝１．０、厚み１．０μｍ）上部クラッド層３５層
からなるダブルヘテロ構造が設けられ、さらにその上に
ｐ型ＧａＰ電流拡散層３６が設けられている。ｐ型電流
拡散層３６の中央部上には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着し
て円形にパターニングしたｐ型電極３７が設けられ、ｎ
型基板３１の下面には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着したｎ
型電極３８が全面に設けられている。
ａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、厚み１．
０μｍ）下部クラッド層３３層、（ＡｌxＧａ1-x）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝０．３、厚み０．５μｍ）活性
層３４及びｐ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例え
ばｘ＝１．０、厚み１．０μｍ）上部クラッド層３５層
からなるダブルヘテロ構造が設けられ、さらにその上に
ｐ型ＧａＰ電流拡散層３６が設けられている。ｐ型電流
拡散層３６の中央部上には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着し
て円形にパターニングしたｐ型電極３７が設けられ、ｎ
型基板３１の下面には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着したｎ
型電極３８が全面に設けられている。
【００５７】本実施形態においても、実施形態１と同様
に、ＤＢＲの層厚構成を活性層に近い層ほど厚くしてあ
るので界面での結晶品質低下が少ない良好な結晶であ
り、その上に積層する発光部の結晶品質を高めて、ＬＥ
Ｄの輝度を向上することができる。
に、ＤＢＲの層厚構成を活性層に近い層ほど厚くしてあ
るので界面での結晶品質低下が少ない良好な結晶であ
り、その上に積層する発光部の結晶品質を高めて、ＬＥ
Ｄの輝度を向上することができる。
【００５８】また、実施形態１と同様に、ＤＢＲを構成
する２種類の材料にV族元素が同じであるIII-V族化合物
半導体を用いているので材料の切り替えが少なく、発光
部の結晶品質を向上させることができる。
する２種類の材料にV族元素が同じであるIII-V族化合物
半導体を用いているので材料の切り替えが少なく、発光
部の結晶品質を向上させることができる。
【００５９】さらに、本実施形態においては、ＤＢＲを
構成する２種類の材料の膜の対の数を１５ペアにしてい
るので、以下のような効果が得られる。
構成する２種類の材料の膜の対の数を１５ペアにしてい
るので、以下のような効果が得られる。
【００６０】図１０にＤＢＲの対の数と平均反射強度と
の関係を示す。ここでは、ＬＥＤ３００の組成について
発光部に近いほど各層の厚みを厚くしたＤＢＲと、発光
部に近いほど各層の厚みを薄くしたＤＢＲとを比較して
示している。２種類の材料の膜を１５対より多く積層し
た場合には発光部に近いほど厚みを薄くしたＤＢＲの方
が反射強度が強くなるが、１５対以下積層した場合に
は、発光部に近いほど厚みを厚くしたＤＢＲでも、ＤＢ
Ｒの吸収により反射強度が劣ることはない。従って、１
５対以下積層した場合には、発光部に近いほど厚みを厚
くした構成のＤＢＲにすることにより、発光部の結晶品
質をより向上させて輝度の向上を図ることができること
がわかる。
の関係を示す。ここでは、ＬＥＤ３００の組成について
発光部に近いほど各層の厚みを厚くしたＤＢＲと、発光
部に近いほど各層の厚みを薄くしたＤＢＲとを比較して
示している。２種類の材料の膜を１５対より多く積層し
た場合には発光部に近いほど厚みを薄くしたＤＢＲの方
が反射強度が強くなるが、１５対以下積層した場合に
は、発光部に近いほど厚みを厚くしたＤＢＲでも、ＤＢ
Ｒの吸収により反射強度が劣ることはない。従って、１
５対以下積層した場合には、発光部に近いほど厚みを厚
くした構成のＤＢＲにすることにより、発光部の結晶品
質をより向上させて輝度の向上を図ることができること
がわかる。
【００６１】これらの効果により、本実施形態のＬＥＤ
においては、従来のＬＥＤに比べて約１．２倍の輝度を
得ることができた。
においては、従来のＬＥＤに比べて約１．２倍の輝度を
得ることができた。
【００６２】（実施形態４）図１１（ａ）は実施形態４
のＬＥＤ４００の構成を示す断面図であり、図１１
（ｂ）はＤＢＲ４２の構成を示す拡大図である。
のＬＥＤ４００の構成を示す断面図であり、図１１
（ｂ）はＤＢＲ４２の構成を示す拡大図である。
【００６３】このＬＥＤ４００は、ｎ型ＧａＡｓ基板４
１上に、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層４２ａ及びｎ型（Ａ
ｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｘ＜１、例えばｘ＝
０．４層４２ｂを１対としてこれを多数ペア、例えば４
０ペア積層したＤＢＲ４２が設けられている。
１上に、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層４２ａ及びｎ型（Ａ
ｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｘ＜１、例えばｘ＝
０．４層４２ｂを１対としてこれを多数ペア、例えば４
０ペア積層したＤＢＲ４２が設けられている。
【００６４】このＤＢＲ４２は、図１２に示すように、
下層から上層に向かって層厚がチャープ状に変化させて
ある。ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層４２ａ及びｎ型（Ａｌ
xＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層４２ｂの厚さは、各層の屈
折率をｎ1、ｎ2とし、活性層からの発光波長をλとし、
最上層と最下層との変化割合を各々ＤＤ1、ＤＤ2する
と、例えば以下のように設定される。
下層から上層に向かって層厚がチャープ状に変化させて
ある。ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層４２ａ及びｎ型（Ａｌ
xＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層４２ｂの厚さは、各層の屈
折率をｎ1、ｎ2とし、活性層からの発光波長をλとし、
最上層と最下層との変化割合を各々ＤＤ1、ＤＤ2する
と、例えば以下のように設定される。
【００６５】例えば、図１２に示すように、ｎ型Ａｌ
0.51Ｉｎ0.49Ｐ層４２ａの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層４２ａの最上層の層厚
は、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
0.51Ｉｎ0.49Ｐ層４２ａの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層４２ａの最上層の層厚
は、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
【００６６】同様に、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ４２ｂの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ４２ｂの最
上層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
0.49Ｐ４２ｂの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ４２ｂの最
上層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
なるように層厚を設定する。
【００６７】ＤＢＲ４２の上には、ｎ型（ＡｌxＧ
ａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、厚み１．
０μｍ）下部クラッド層４３層、（ＡｌxＧａ1-x）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝０．３、厚み０．５μｍ）活性
層４４及びｐ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例え
ばｘ＝１．０、厚み１．０μｍ）上部クラッド層４５層
からなるダブルヘテロ構造が設けられ、さらにその上に
ｐ型ＧａＰ電流拡散層４６が設けられている。ｐ型電流
拡散層４６の中央部上には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着し
て円形にパターニングしたｐ型電極４７が設けられ、ｎ
型基板４１の下面には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着したｎ
型電極４８が全面に設けられている。
ａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、厚み１．
０μｍ）下部クラッド層４３層、（ＡｌxＧａ1-x）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝０．３、厚み０．５μｍ）活性
層４４及びｐ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例え
ばｘ＝１．０、厚み１．０μｍ）上部クラッド層４５層
からなるダブルヘテロ構造が設けられ、さらにその上に
ｐ型ＧａＰ電流拡散層４６が設けられている。ｐ型電流
拡散層４６の中央部上には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着し
て円形にパターニングしたｐ型電極４７が設けられ、ｎ
型基板４１の下面には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着したｎ
型電極４８が全面に設けられている。
【００６８】本実施形態においても、実施形態１と同様
に、ＤＢＲの層厚構成を活性層に近い層ほど厚くしてあ
るので界面での結晶品質低下が少ない良好な結晶であ
り、その上に積層する発光部の結晶品質を高めて、ＬＥ
Ｄの輝度を向上することができる。
に、ＤＢＲの層厚構成を活性層に近い層ほど厚くしてあ
るので界面での結晶品質低下が少ない良好な結晶であ
り、その上に積層する発光部の結晶品質を高めて、ＬＥ
Ｄの輝度を向上することができる。
【００６９】また、本実施形態においては、ＤＢＲを構
成する２種類の材料として活性層よりも大きなバンドギ
ャップを有する材料を用いているので、以下のような効
果が得られる。
成する２種類の材料として活性層よりも大きなバンドギ
ャップを有する材料を用いているので、以下のような効
果が得られる。
【００７０】従来のＬＥＤ１１００ではＤＢＲの層厚構
成を発光部に近い層ほど薄くしているが、これは実施形
態１で述べたようにＤＢＲを構成する材料に活性層から
の発光に対して吸収がある材料を用いているからであ
る。そこで、本実施形態では、ＤＢＲを構成する２種類
の材料として活性層よりも大きなバンドギャップを有す
る材料を用いて活性層からの発光に対する吸収を無く
し、ＤＢＲの活性層から離れた部分でもその反射効果が
低減ないようにしている。これにより、特開平４−３２
８８７７号に開示されているようにＤＢＲの層厚構成を
活性層に近い層ほど薄くする必要がない。従って、ＤＢ
Ｒの層厚構成を活性層に近い層ほど厚くすることによ
り、実施形態１で述べたように成長界面での結晶品質低
下の影響を低減することが可能であり、その上に積層す
る発光部の結晶品質を向上することが可能になる。
成を発光部に近い層ほど薄くしているが、これは実施形
態１で述べたようにＤＢＲを構成する材料に活性層から
の発光に対して吸収がある材料を用いているからであ
る。そこで、本実施形態では、ＤＢＲを構成する２種類
の材料として活性層よりも大きなバンドギャップを有す
る材料を用いて活性層からの発光に対する吸収を無く
し、ＤＢＲの活性層から離れた部分でもその反射効果が
低減ないようにしている。これにより、特開平４−３２
８８７７号に開示されているようにＤＢＲの層厚構成を
活性層に近い層ほど薄くする必要がない。従って、ＤＢ
Ｒの層厚構成を活性層に近い層ほど厚くすることによ
り、実施形態１で述べたように成長界面での結晶品質低
下の影響を低減することが可能であり、その上に積層す
る発光部の結晶品質を向上することが可能になる。
【００７１】これらの効果により、本実施形態のＬＥＤ
においては、従来のＬＥＤに比べて約１．５倍の輝度を
得ることができた。
においては、従来のＬＥＤに比べて約１．５倍の輝度を
得ることができた。
【００７２】（実施形態５）図１３（ａ）は実施形態５
のＬＥＤ５００の構成を示す断面図であり、図１３
（ｂ）はＤＢＲ５２の構成を示す拡大図である。
のＬＥＤ５００の構成を示す断面図であり、図１３
（ｂ）はＤＢＲ５２の構成を示す拡大図である。
【００７３】このＬＥＤ５００は、ｎ型ＧａＡｓ基板５
１上に、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層５２ａ及びｎ型（Ａ
ｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｘ＜１）層５２ｂを
１対としてこれを多数ペア、例えば４０ペア積層したＤ
ＢＲ５２が設けられている。
１上に、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層５２ａ及びｎ型（Ａ
ｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦ｘ＜１）層５２ｂを
１対としてこれを多数ペア、例えば４０ペア積層したＤ
ＢＲ５２が設けられている。
【００７４】このＤＢＲ５２は、図１４に示すように、
下層から上層に向かって層厚がチャープ状に変化させて
ある。ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層５２ａ及びｎ型（Ａｌ
xＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層５４２ｂの厚さは、各層の
屈折率をｎ1、ｎ2とし、活性層からの発光波長をλと
し、最上層と最下層との変化割合を各々ＤＤ1、ＤＤ2す
ると、例えば以下のように設定される。
下層から上層に向かって層厚がチャープ状に変化させて
ある。ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層５２ａ及びｎ型（Ａｌ
xＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ層５４２ｂの厚さは、各層の
屈折率をｎ1、ｎ2とし、活性層からの発光波長をλと
し、最上層と最下層との変化割合を各々ＤＤ1、ＤＤ2す
ると、例えば以下のように設定される。
【００７５】例えば、図１４に示すように、ｎ型Ａｌ
0.51Ｉｎ0.49Ｐ層５２ａの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層５２ａの最上層の層厚
は、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
した場合よりも中間付近が厚くなるように層厚を設定す
る。
0.51Ｉｎ0.49Ｐ層５２ａの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ1）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層５２ａの最上層の層厚
は、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
した場合よりも中間付近が厚くなるように層厚を設定す
る。
【００７６】同様に、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ５２ｂの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ５２ｂの最
上層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
した場合よりも中間付近が厚くなるように層厚を設定す
る。
0.49Ｐ５２ｂの最下層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2） とし、ｎ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ５２ｂの最
上層の層厚は、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1） とし、最上層と最下層との間の各層については等間隔と
した場合よりも中間付近が厚くなるように層厚を設定す
る。
【００７７】ＤＢＲ５２の上には、ｎ型（ＡｌxＧ
ａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、厚み１．
０μｍ）下部クラッド層５３層、（ＡｌxＧａ1-x）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝０．３、厚み０．５μｍ）活性
層５４及びｐ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例え
ばｘ＝１．０、厚み１．０μｍ）上部クラッド層５５層
からなるダブルヘテロ構造が設けられ、さらにその上に
ｐ型ＧａＰ電流拡散層５６が設けられている。ｐ型電流
拡散層５６の中央部上には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着し
て円形にパターニングしたｐ型電極５７が設けられ、ｎ
型基板５１の下面には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着したｎ
型電極５８が全面に設けられている。
ａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝１．０、厚み１．
０μｍ）下部クラッド層５３層、（ＡｌxＧａ1-x）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（例えばｘ＝０．３、厚み０．５μｍ）活性
層５４及びｐ型（ＡｌxＧａ1-x）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（例え
ばｘ＝１．０、厚み１．０μｍ）上部クラッド層５５層
からなるダブルヘテロ構造が設けられ、さらにその上に
ｐ型ＧａＰ電流拡散層５６が設けられている。ｐ型電流
拡散層５６の中央部上には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着し
て円形にパターニングしたｐ型電極５７が設けられ、ｎ
型基板５１の下面には例えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着したｎ
型電極５８が全面に設けられている。
【００７８】本実施形態においても、実施形態１と同様
に、ＤＢＲの層厚構成を活性層に近い層ほど厚くしてあ
るので界面での結晶品質低下が少ない良好な結晶であ
り、その上に積層する発光部の結晶品質を高めて、ＬＥ
Ｄの輝度を向上することができる。
に、ＤＢＲの層厚構成を活性層に近い層ほど厚くしてあ
るので界面での結晶品質低下が少ない良好な結晶であ
り、その上に積層する発光部の結晶品質を高めて、ＬＥ
Ｄの輝度を向上することができる。
【００７９】また、本実施形態においては、ＤＢＲの層
厚構成を最上層と最下層との間の中間付近の層を等間隔
とした場合よりも厚く設定しているので、以下のような
効果が得られる。
厚構成を最上層と最下層との間の中間付近の層を等間隔
とした場合よりも厚く設定しているので、以下のような
効果が得られる。
【００８０】実施形態１で述べたように、結晶に含まれ
る界面密度が低いほど結晶品質が高くなるので、ＤＢＲ
中の各層厚を厚く設定することによりＤＢＲの界面密度
を低減して結晶品質を向上させることができる。これに
より、その上に積層する発光部の結晶品質を向上させ
て、ＬＥＤの輝度を向上することができる。
る界面密度が低いほど結晶品質が高くなるので、ＤＢＲ
中の各層厚を厚く設定することによりＤＢＲの界面密度
を低減して結晶品質を向上させることができる。これに
より、その上に積層する発光部の結晶品質を向上させ
て、ＬＥＤの輝度を向上することができる。
【００８１】これらの効果により、本実施形態のＬＥＤ
においては、従来のＬＥＤに比べて約１．３倍の輝度を
得ることができた。
においては、従来のＬＥＤに比べて約１．３倍の輝度を
得ることができた。
【００８２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
光反射多層膜の層厚構成を発光部である活性層に近い層
ほど厚くすることにより、発光部の結晶品質を向上する
ことが可能となる。その結果、発光部の発光効率を高め
て発光ダイオードの輝度を向上させることができる。
光反射多層膜の層厚構成を発光部である活性層に近い層
ほど厚くすることにより、発光部の結晶品質を向上する
ことが可能となる。その結果、発光部の発光効率を高め
て発光ダイオードの輝度を向上させることができる。
【００８３】特に、請求項２に記載の本発明によれば、
発光部にＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用い、光反射
多層膜にもＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用いた発光
ダイオードにおいて、発光部の結晶品質を向上させるこ
とができるので、発光ダイオードの輝度を向上させる効
果が大きい。
発光部にＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用い、光反射
多層膜にもＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体を用いた発光
ダイオードにおいて、発光部の結晶品質を向上させるこ
とができるので、発光ダイオードの輝度を向上させる効
果が大きい。
【００８４】
【００８５】請求項４に記載の本発明によれば、光反射
多層膜を構成する２種類の材料の膜の対の数を１５以下
にすることにより、層厚構成を発光部に近い層ほど薄く
した光反射多層膜に比べて反射強度が低下することはな
い。従って、活性層からの発光に対して吸収がある材料
を場合でも、光反射多層膜の層厚構成を発光部に近い層
ほど厚くすることが可能であり、発光部の結晶品質を向
上させて発光ダイオードの輝度を向上させることができ
る。
多層膜を構成する２種類の材料の膜の対の数を１５以下
にすることにより、層厚構成を発光部に近い層ほど薄く
した光反射多層膜に比べて反射強度が低下することはな
い。従って、活性層からの発光に対して吸収がある材料
を場合でも、光反射多層膜の層厚構成を発光部に近い層
ほど厚くすることが可能であり、発光部の結晶品質を向
上させて発光ダイオードの輝度を向上させることができ
る。
【００８６】また、請求項５に記載の本発明によれば、
光反射多層膜を構成する２種類の材料として活性層のバ
ンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する材料
を用いることにより、発光波長に対する吸収の影響を無
くすことができる。従って、対の数が増えて光反射多層
膜の全層厚を厚くしても、光吸収により発光部から遠い
部分に光が届かなくなることはなく、発光部の結晶品質
を向上させて発光ダイオードの輝度を向上させることが
できる。
光反射多層膜を構成する２種類の材料として活性層のバ
ンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する材料
を用いることにより、発光波長に対する吸収の影響を無
くすことができる。従って、対の数が増えて光反射多層
膜の全層厚を厚くしても、光吸収により発光部から遠い
部分に光が届かなくなることはなく、発光部の結晶品質
を向上させて発光ダイオードの輝度を向上させることが
できる。
【００８７】さらに、光反射多層膜を構成する対のう
ち、活性層に最も近い側から最も遠い側まで膜厚を直線
的に変化させた場合よりも膜厚が厚い対を少なくとも１
対以上設ければ、光反射多層膜全体の膜厚に対する界面
の割合を減らすことができる。従って、光反射多層膜の
結晶品質をより向上させることができるので、さらに発
光部の結晶品質を向上させて発光ダイオードの輝度を向
上させることができる。
ち、活性層に最も近い側から最も遠い側まで膜厚を直線
的に変化させた場合よりも膜厚が厚い対を少なくとも１
対以上設ければ、光反射多層膜全体の膜厚に対する界面
の割合を減らすことができる。従って、光反射多層膜の
結晶品質をより向上させることができるので、さらに発
光部の結晶品質を向上させて発光ダイオードの輝度を向
上させることができる。
【図１】（ａ）は実施形態１の発光ダイオードの構成を
示す断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示す
拡大図である。
示す断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示す
拡大図である。
【図２】実施形態１における光反射多層膜の層厚構成を
示す図である。
示す図である。
【図３】界面密度と結晶品質との関係を示す図である。
【図４】光反射多層膜中の結晶品質を示す図である。
【図５】（ａ）は２元混晶である２種類の結晶の成長界
面における材料供給の切り替えタイミングを示す図であ
り、（ｂ）は４元混晶である２種類の結晶の成長界面に
おける材料供給の切り替えタイミングを示す図である。
面における材料供給の切り替えタイミングを示す図であ
り、（ｂ）は４元混晶である２種類の結晶の成長界面に
おける材料供給の切り替えタイミングを示す図である。
【図６】（ａ）は実施形態２の発光ダイオードの構成を
示す断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示す
拡大図である。
示す断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示す
拡大図である。
【図７】実施形態２における光反射多層膜の層厚構成を
示す図である。
示す図である。
【図８】（ａ）は実施形態３の発光ダイオードの構成を
示す断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示す
拡大図である。
示す断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示す
拡大図である。
【図９】実施形態３における光反射多層膜の層厚構成を
示す図である。
示す図である。
【図１０】光反射多層膜の対の数と平均反射強度との関
係を示す。
係を示す。
【図１１】（ａ）は実施形態４の発光ダイオードの構成
を示す断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示
す拡大図である。
を示す断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示
す拡大図である。
【図１２】実施形態４における光反射多層膜の層厚構成
を示す図である。
を示す図である。
【図１３】（ａ）は実施形態５の発光ダイオードの構成
を示す断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示
す拡大図である。
を示す断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示
す拡大図である。
【図１４】実施形態５における光反射多層膜の層厚構成
を示す図である。
を示す図である。
【図１５】（ａ）は従来の発光ダイオードの構成を示す
断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示す拡大
図である。
断面図であり、（ｂ）は光反射多層膜の構成を示す拡大
図である。
【図１６】従来の発光ダイオードにおける光反射多層膜
の層厚構成を示す図である。
の層厚構成を示す図である。
【図１７】光反射多層膜の反射スペクトルを示す図であ
る。
る。
１１、２１、３１、４１、５１ ｎ型ＧａＡｓ基板
１２、２２、３２、４２、５２ 光反射多層膜
１２ａ、２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ ｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ層 １２ｂ、２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂ ｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ層 １３、２３、３３、４３、５３ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下
部クラッド層 １４、２４、３４、４４、５４ ＡｌＧａＩｎＰ活性層 １５、２５、３５、４５、５５ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上
部クラッド層 １６、２６、３６、４６、５６ ｐ型ＧａＰ電流拡散層 １７、２７、３７、４７、５７ ｐ型電極 １８、２８、３８、４８、５８ ｎ型電極 １００、２００、３００、４００、５００ 発光ダイオ
ード
ａＩｎＰ層 １２ｂ、２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂ ｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ層 １３、２３、３３、４３、５３ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下
部クラッド層 １４、２４、３４、４４、５４ ＡｌＧａＩｎＰ活性層 １５、２５、３５、４５、５５ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上
部クラッド層 １６、２６、３６、４６、５６ ｐ型ＧａＰ電流拡散層 １７、２７、３７、４７、５７ ｐ型電極 １８、２８、３８、４８、５８ ｎ型電極 １００、２００、３００、４００、５００ 発光ダイオ
ード
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−251735（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−37017（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−328877（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−334216（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−259508（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−226535（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−45648（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−96381（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−5916（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−74219（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−86638（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に、活性層、及び該活性層から該
基板に向かう光を反射させるべく該基板と該活性層との
間に配置されている光反射多層膜を有する発光ダイオー
ドにおいて、 該光反射多層膜が互いに異なる屈折率を有する２種類の
材料の膜を１対とした複数層からなり、その対の厚みが
厚いものほど該活性層に近い側に配してあり、該２種類
の材料の膜が共に４元混晶である発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記活性層及び前記光反射多層膜がＡｌ
ＧａＩｎＰ系化合物半導体材料からなる請求項１に記載
の発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記光反射多層膜は、最上層と最下層と
の間の各層を等間隔とした場合よりも中間付近が厚くな
るように層厚を設定する請求項１または２に記載の発光
ダイオード。 - 【請求項４】 前記光反射多層膜が、前記２種類の材料
の膜を１５対以下積層してある請求項１乃至３のいずれ
かに記載の発光ダイオード。 - 【請求項５】 前記２種類の材料が、前記活性層のバン
ドギャップよりも大きいバンドギャップを有する材料で
ある請求項１乃至４のいずれかに記載の発光ダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24725397A JP3496745B2 (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24725397A JP3496745B2 (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187767A JPH1187767A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3496745B2 true JP3496745B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=17160744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24725397A Expired - Fee Related JP3496745B2 (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3496745B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4360066B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2009-11-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系発光素子 |
| KR101189162B1 (ko) | 2005-12-23 | 2012-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| JP2011009524A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| WO2020226031A1 (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光デバイスおよび光検出システム |
-
1997
- 1997-09-11 JP JP24725397A patent/JP3496745B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1187767A (ja) | 1999-03-30 |
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