JP3330044B2 - 半導体発光ダイオード - Google Patents
半導体発光ダイオードInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光ダイオー
ドに関わり、特に光の外部への取り出し効率を高めるた
めに光反射多層膜を有する発光ダイオードに関する。
ドに関わり、特に光の外部への取り出し効率を高めるた
めに光反射多層膜を有する発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰ系材料は、窒化物を除く
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の中で最大の直接遷移型
バンドギャップを有し、波長が０．５〜０．６μｍ帯の
発光素子材料として注目されている。特に、ＧａＡｓを
基板とし、これに格子整合するＡｌＧａＩｎＰ系材料に
よる発光部（活性層を含む積層構造）をＧａＡｓ基板上
に成長させて形成されているｐｎ接合型発光ダイオード
（以下、単にＬＥＤと記す）は、従来のＧａＰやＡｌＧ
ａＡｓなどの間接遷移型の材料を用いたものに比べて、
赤色から緑色に相当する波長域でより高輝度の発光が可
能である。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の中で最大の直接遷移型
バンドギャップを有し、波長が０．５〜０．６μｍ帯の
発光素子材料として注目されている。特に、ＧａＡｓを
基板とし、これに格子整合するＡｌＧａＩｎＰ系材料に
よる発光部（活性層を含む積層構造）をＧａＡｓ基板上
に成長させて形成されているｐｎ接合型発光ダイオード
（以下、単にＬＥＤと記す）は、従来のＧａＰやＡｌＧ
ａＡｓなどの間接遷移型の材料を用いたものに比べて、
赤色から緑色に相当する波長域でより高輝度の発光が可
能である。
【０００３】また、高輝度のＬＥＤを形成するために
は、発光効率を高めることに加えて、発光部への電流注
入効率の向上や、素子外部への光の効率的な取り出しを
実現することが重要である。
は、発光効率を高めることに加えて、発光部への電流注
入効率の向上や、素子外部への光の効率的な取り出しを
実現することが重要である。
【０００４】図１６（ａ）は、ＡｌＧａＩｎＰ系材料を
用いた発光部を有する、従来技術によるＬＥＤ１００の
断面図、図１６（ｂ）は図（ａ）のＡ部拡大図である。
ＬＥＤ１００においては、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の上
に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２が形成され、その上
に、ｎ型ＡｌＩｎＰ層１０３ａ及びｎ型ＧａＩｎＰ層１
０３ｂを１つのペアとして、これを多数ペア（例えば１
０ペア）積層してなる光反射多層膜（分布ブラッグリフ
レクター：以下、ＤＢＲと記す）１０３が形成されてい
る。
用いた発光部を有する、従来技術によるＬＥＤ１００の
断面図、図１６（ｂ）は図（ａ）のＡ部拡大図である。
ＬＥＤ１００においては、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の上
に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０２が形成され、その上
に、ｎ型ＡｌＩｎＰ層１０３ａ及びｎ型ＧａＩｎＰ層１
０３ｂを１つのペアとして、これを多数ペア（例えば１
０ペア）積層してなる光反射多層膜（分布ブラッグリフ
レクター：以下、ＤＢＲと記す）１０３が形成されてい
る。
【０００５】ここで、ｎ型ＡｌＩｎＰ層１０３ａ及びｎ
型ＧａＩｎＰ層１０３ｂ各々の厚さは、その屈折率を各
々ｎ1，ｎ2とすると、発光波長λに対して例えばλ／４
ｎ1、λ／４ｎ2として設計される。
型ＧａＩｎＰ層１０３ｂ各々の厚さは、その屈折率を各
々ｎ1，ｎ2とすると、発光波長λに対して例えばλ／４
ｎ1、λ／４ｎ2として設計される。
【０００６】そしてさらにその上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１０４、ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０５、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０６及びｐ型ＧａＰ電流
拡散層１０７が順次積層されている。さらに、ｐ型Ｇａ
Ｐ電流拡散層１０７の上にはｐ型電極１０８が形成さ
れ、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の下面にはｎ型電極１０９
が形成され、これによってＬＥＤ１００が構成されてい
る。
Ｐクラッド層１０４、ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０５、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０６及びｐ型ＧａＰ電流
拡散層１０７が順次積層されている。さらに、ｐ型Ｇａ
Ｐ電流拡散層１０７の上にはｐ型電極１０８が形成さ
れ、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の下面にはｎ型電極１０９
が形成され、これによってＬＥＤ１００が構成されてい
る。
【０００７】光半導体多層膜が無い構造のＬＥＤでは活
性層から発する光の内、下方向（ＧａＡｓ１０１基板方
向）へ向かう光はＧａＡｓ基板により吸収されるため外
部へ取り出すことが出来ないのに比べ、上記ＬＥＤ１０
０では、光反射多層膜１０３を備えているため、活性層
１０５から下方向へ向かう光もこの光反射多層膜１０３
で反射されて上方向へ出射するため、光の取り出し効率
を向上できる。
性層から発する光の内、下方向（ＧａＡｓ１０１基板方
向）へ向かう光はＧａＡｓ基板により吸収されるため外
部へ取り出すことが出来ないのに比べ、上記ＬＥＤ１０
０では、光反射多層膜１０３を備えているため、活性層
１０５から下方向へ向かう光もこの光反射多層膜１０３
で反射されて上方向へ出射するため、光の取り出し効率
を向上できる。
【０００８】また、図１６の実施例より構造は複雑とな
るが、光反射多層膜の反射波長領域を広げるために、例
えば特開平５−３７０１７号公報に、以下のようなＬＥ
Ｄが提案されている。図１７（ａ）は上記公開公報に開
示されているＬＥＤ２００の構成を示す断面図、図１７
（ｂ）は図１７（ａ）のＢ部拡大図である。
るが、光反射多層膜の反射波長領域を広げるために、例
えば特開平５−３７０１７号公報に、以下のようなＬＥ
Ｄが提案されている。図１７（ａ）は上記公開公報に開
示されているＬＥＤ２００の構成を示す断面図、図１７
（ｂ）は図１７（ａ）のＢ部拡大図である。
【０００９】ＬＥＤ２００では、ｎ型ＧａＡｓ基板２０
１の上に、ｎ型ＡｌＡｓ２０２ａ及びｎ型ＧａＡｓ２０
２ｂを１つのペアとして、これを多数ペア（例えば１０
ペア）積層してなるＤＢＲ２０２が形成されている。さ
らにその上に、下部クラッド層２０３、活性層２０４、
上部クラッド層２０５によってダブルヘテロ構造が構成
されている。そして、その上にさらにキャップ層２０
６、ｐ型電極２０７が形成され、ｎ型ＧａＡｓ基板２０
１の下面にはｎ型電極２０８が形成され、これによって
ＬＥＤ２００が構成されている。
１の上に、ｎ型ＡｌＡｓ２０２ａ及びｎ型ＧａＡｓ２０
２ｂを１つのペアとして、これを多数ペア（例えば１０
ペア）積層してなるＤＢＲ２０２が形成されている。さ
らにその上に、下部クラッド層２０３、活性層２０４、
上部クラッド層２０５によってダブルヘテロ構造が構成
されている。そして、その上にさらにキャップ層２０
６、ｐ型電極２０７が形成され、ｎ型ＧａＡｓ基板２０
１の下面にはｎ型電極２０８が形成され、これによって
ＬＥＤ２００が構成されている。
【００１０】このＬＥＤ２００ではＤＢＲ２０２の層の
構成は、図１８のように、中心反射波長に対応する膜厚
Ｔに対して長波長、短波長に各々ＤＤの割合だけ膜厚を
チャープ状に徐々に変化させた構成となっている。
構成は、図１８のように、中心反射波長に対応する膜厚
Ｔに対して長波長、短波長に各々ＤＤの割合だけ膜厚を
チャープ状に徐々に変化させた構成となっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記図１６
及び図１７に示した各実施例においては以下のような問
題点がある。まず、図１６に示した実施例について述べ
る。この図１６の実施例におけるＤＢＲのペア数と平均
反射強度の関係は図１９に示すとおりである。ここで、
波長は０．５９μｍとした。なお、縦軸の平均反射強度
とは、反射面から各方位に向かってどの程度光が反射さ
れるかを平均した強度を示す。
及び図１７に示した各実施例においては以下のような問
題点がある。まず、図１６に示した実施例について述べ
る。この図１６の実施例におけるＤＢＲのペア数と平均
反射強度の関係は図１９に示すとおりである。ここで、
波長は０．５９μｍとした。なお、縦軸の平均反射強度
とは、反射面から各方位に向かってどの程度光が反射さ
れるかを平均した強度を示す。
【００１２】図１９から明らかなように、ペア数を多く
するほど平均反射強度は向上していくが、途中で飽和す
る傾向が見られる。２０ペア以上では、平均反射強度は
０．４７付近から殆ど向上していない。
するほど平均反射強度は向上していくが、途中で飽和す
る傾向が見られる。２０ペア以上では、平均反射強度は
０．４７付近から殆ど向上していない。
【００１３】また、図１７に示した実施例における反射
率の波長依存性を図２０及び図２１に示す。図２０及び
図２１はぞれぞれ、中心反射波長の設計を０．９μｍ及
び０．６μｍとした場合の特性であり、各々、Ｐ１、Ｐ
２が単一周期のＤＢＲの特性を、また、Ｑ１、Ｑ２がチ
ャープ状に変化させたＤＢＲの特性を示している。な
お、図２０、図２１の縦軸の反射率は、反射面から垂直
方向に対する反射率を示している。
率の波長依存性を図２０及び図２１に示す。図２０及び
図２１はぞれぞれ、中心反射波長の設計を０．９μｍ及
び０．６μｍとした場合の特性であり、各々、Ｐ１、Ｐ
２が単一周期のＤＢＲの特性を、また、Ｑ１、Ｑ２がチ
ャープ状に変化させたＤＢＲの特性を示している。な
お、図２０、図２１の縦軸の反射率は、反射面から垂直
方向に対する反射率を示している。
【００１４】図２０では、単一周期、チャープ状いづれ
のＤＢＲでも高い反射率を持ち、また、チャープ状とす
ることで反射波長領域を長波長側、短波長側いずれにも
広くすることができる。しかし、図２１ではいづれのＤ
ＢＲでも反射強度が弱く、さらに、チャープ状としても
長波長側へ波長領域を広げることができていない。つま
り、波長によっては特性が極めて劣化する場合がある。
のＤＢＲでも高い反射率を持ち、また、チャープ状とす
ることで反射波長領域を長波長側、短波長側いずれにも
広くすることができる。しかし、図２１ではいづれのＤ
ＢＲでも反射強度が弱く、さらに、チャープ状としても
長波長側へ波長領域を広げることができていない。つま
り、波長によっては特性が極めて劣化する場合がある。
【００１５】発明者は、上記両構造の各問題点について
検討した結果、いづれの問題点も両構造の共通点である
ところの、ＤＢＲを構成する層が発光層からの光を吸収
する特性を有している点によって引き起こされているこ
とを見い出した。
検討した結果、いづれの問題点も両構造の共通点である
ところの、ＤＢＲを構成する層が発光層からの光を吸収
する特性を有している点によって引き起こされているこ
とを見い出した。
【００１６】即ち、図１６の実施例においては、ＤＢＲ
１０３を構成する層の内、ＧａＩｎＰ１０３ｂが反射波
長領域において光を吸収する特性を持っているため、Ｄ
ＢＲの中でも発光層から離れた部分の反射が反射強度に
寄与しにくくなるためであると考えられる。図１７の実
施例においても、ＤＢＲ２０２を構成するｎ型ＧａＡｓ
層２０２ｂが光を吸収する特性があるために、図１６の
実施例と同様、単一周期でも反射率が低く、さらにチャ
ープ状ＤＢＲでは、ＤＢＲの下層になる程、即ち発光層
から離れるほど長波長の光を反射する設計となっている
ために、長波長領域での反射強度が低くなっていると考
えられる。
１０３を構成する層の内、ＧａＩｎＰ１０３ｂが反射波
長領域において光を吸収する特性を持っているため、Ｄ
ＢＲの中でも発光層から離れた部分の反射が反射強度に
寄与しにくくなるためであると考えられる。図１７の実
施例においても、ＤＢＲ２０２を構成するｎ型ＧａＡｓ
層２０２ｂが光を吸収する特性があるために、図１６の
実施例と同様、単一周期でも反射率が低く、さらにチャ
ープ状ＤＢＲでは、ＤＢＲの下層になる程、即ち発光層
から離れるほど長波長の光を反射する設計となっている
ために、長波長領域での反射強度が低くなっていると考
えられる。
【００１７】なお、上記問題点は他の材料系のＬＥＤ、
例えば、光通信や表示器等に使用される波長０．７〜
１．０μｍ帯の発光素子材料として知られるＡｌＧａＡ
ｓ系やＡｌＧａＩｎＡｓ系のＬＥＤにも見られることを
確認している。
例えば、光通信や表示器等に使用される波長０．７〜
１．０μｍ帯の発光素子材料として知られるＡｌＧａＡ
ｓ系やＡｌＧａＩｎＡｓ系のＬＥＤにも見られることを
確認している。
【００１８】そこで、本発明の目的は上記点に鑑み、Ｄ
ＢＲが発光層の光を吸収しないようにして、ペア数を増
加させても平均反射率が飽和することなく、ペア数の増
加に応じて有効に平均反射率を向上でき、特にチャープ
状のＤＢＲを有する場合においては、広い反射波長領域
を確保しつつ、中心波長の反射強度を向上できるような
半導体発光ダイオードを提供することにある。
ＢＲが発光層の光を吸収しないようにして、ペア数を増
加させても平均反射率が飽和することなく、ペア数の増
加に応じて有効に平均反射率を向上でき、特にチャープ
状のＤＢＲを有する場合においては、広い反射波長領域
を確保しつつ、中心波長の反射強度を向上できるような
半導体発光ダイオードを提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体基板上に、活性層と、前記半導体基
板と前記活性層との間に配置され前記活性層から前記半
導体基板方向に向かう光を反射させる光反射多層膜とを
少なくとも有する半導体発光ダイオードにおいて、前記
光反射多層膜は、互いに異なる屈折率を有する２種類の
膜を一対として、この対が複数積層されてなり、且つ前
記複数の対が活性層からの発光波長を反射する層厚より
も薄い層厚から厚い層厚まで前記半導体基板側から前記
活性層側に厚くなるように一定割合で連続的に変化して
積層されてなり、前記光反射多層膜が、前記活性層のバ
ンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する半導
体材料により形成されてなることを特徴とする。
に本発明は、半導体基板上に、活性層と、前記半導体基
板と前記活性層との間に配置され前記活性層から前記半
導体基板方向に向かう光を反射させる光反射多層膜とを
少なくとも有する半導体発光ダイオードにおいて、前記
光反射多層膜は、互いに異なる屈折率を有する２種類の
膜を一対として、この対が複数積層されてなり、且つ前
記複数の対が活性層からの発光波長を反射する層厚より
も薄い層厚から厚い層厚まで前記半導体基板側から前記
活性層側に厚くなるように一定割合で連続的に変化して
積層されてなり、前記光反射多層膜が、前記活性層のバ
ンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する半導
体材料により形成されてなることを特徴とする。
【００２０】このように、光反射多層膜の材料を活性層
のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する
半導体材料としているので、従来構造のように活性層か
ら発した光が光反射多層膜の途中で吸収されるというこ
とがなく、活性層から離れた位置にある多層膜でも反射
に寄与できるため、光の取り出し効率を向上できる。
のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する
半導体材料としているので、従来構造のように活性層か
ら発した光が光反射多層膜の途中で吸収されるというこ
とがなく、活性層から離れた位置にある多層膜でも反射
に寄与できるため、光の取り出し効率を向上できる。
【００２１】
【００２２】
【００２３】前記半導体基板はＧａＡｓ基板からなり、
前記活性層はＡｌＧａＩｎＰ系材料からなり、且つ前記
光反射多層膜はＡｌＩｎＰ系材料とＡｌＧａＩｎＰ系材
料とを交互に積層してなることを特徴とする。ここで、
前記光反射多層膜は、ＡｌＩｎＰ系材料からなる膜とＡ
ｌＧａＩｎＰ系材料からなる膜とを一対として、少なく
とも２０対以上積層されてなることを特徴とする。
前記活性層はＡｌＧａＩｎＰ系材料からなり、且つ前記
光反射多層膜はＡｌＩｎＰ系材料とＡｌＧａＩｎＰ系材
料とを交互に積層してなることを特徴とする。ここで、
前記光反射多層膜は、ＡｌＩｎＰ系材料からなる膜とＡ
ｌＧａＩｎＰ系材料からなる膜とを一対として、少なく
とも２０対以上積層されてなることを特徴とする。
【００２４】また、前記半導体基板はＧａＡｓ基板から
なり、前記活性層はＡｌＧａＡｓ系材料からなることを
特徴とする。
なり、前記活性層はＡｌＧａＡｓ系材料からなることを
特徴とする。
【００２５】また、前記半導体基板はＧａＡｓ基板から
なり、前記活性層はＡｌＧａＩｎＡｓ系材料からなるこ
とを特徴とする。
なり、前記活性層はＡｌＧａＩｎＡｓ系材料からなるこ
とを特徴とする。
【００２６】ここで、上記光反射多層膜は、少なくとも
５対以上積層されてなることを特徴とする。
５対以上積層されてなることを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の一参考例について、図１
（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。図１（ａ）は本
参考例による半導体発光ダイオード（ＬＥＤ、以下ＬＥ
Ｄと記す）の断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＣ部拡
大図である。
（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。図１（ａ）は本
参考例による半導体発光ダイオード（ＬＥＤ、以下ＬＥ
Ｄと記す）の断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＣ部拡
大図である。
【００２８】本参考例のＬＥＤ１は、図１（ａ）に示す
ように、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の上に、光反射多層膜
（以下、ＤＢＲと記す）１２を形成するのであるが、こ
こで、ＤＢＲ１２を構成する膜の材料として、後述の活
性層１４からの発光に対して光吸収が小さい材料を用い
る。
ように、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の上に、光反射多層膜
（以下、ＤＢＲと記す）１２を形成するのであるが、こ
こで、ＤＢＲ１２を構成する膜の材料として、後述の活
性層１４からの発光に対して光吸収が小さい材料を用い
る。
【００２９】このような材料を使用する理由は、従来構
造の問題点に対する以下のような発明者の考察に基づい
ている。即ち、従来構造において、ＤＢＲを構成するペ
ア数を増加させていくとある程度以上のペア数では平均
反射率が飽和してしまい、それ以上の反射率の向上は期
待できなかったが、これは従来構造のＤＢＲを構成する
層には反射波長領域において光を吸収する特性を有する
ものを使用していたため、ＤＢＲの中でも特に発光層か
ら離れた部分の反射が反射強度に寄与しにくくなるため
であると考えられる。そこで、発光層から離れた部分の
ペアも反射強度に寄与できるよう構成した点に本構造の
特徴がある。
造の問題点に対する以下のような発明者の考察に基づい
ている。即ち、従来構造において、ＤＢＲを構成するペ
ア数を増加させていくとある程度以上のペア数では平均
反射率が飽和してしまい、それ以上の反射率の向上は期
待できなかったが、これは従来構造のＤＢＲを構成する
層には反射波長領域において光を吸収する特性を有する
ものを使用していたため、ＤＢＲの中でも特に発光層か
ら離れた部分の反射が反射強度に寄与しにくくなるため
であると考えられる。そこで、発光層から離れた部分の
ペアも反射強度に寄与できるよう構成した点に本構造の
特徴がある。
【００３０】具体的には、図１（ｂ）のように、ｎ型Ａ
ｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ａとｎ型（ＡｌXＧａ1-X）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（０≦Ｘ≦１）層１２ｂを１ペアとして多数
ペア（ここでは４０ペア）で構成された光反射多層膜
（以下、ＤＢＲと記す）１２を積層している。
ｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層１２ａとｎ型（ＡｌXＧａ1-X）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（０≦Ｘ≦１）層１２ｂを１ペアとして多数
ペア（ここでは４０ペア）で構成された光反射多層膜
（以下、ＤＢＲと記す）１２を積層している。
【００３１】ここで、ｎ型Ａｌ0.5１Ｉｎ0.49Ｐ層１２
ａ及びｎ型（ＡｌXＧａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦Ｘ≦
１）層１２ｂの各層の厚さｄ1及びｄ2は、各々の屈折率
をｎ1及びｎ2、活性層からの発光波長をλとした場合
に、例えば次式によって決定される。
ａ及びｎ型（ＡｌXＧａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦Ｘ≦
１）層１２ｂの各層の厚さｄ1及びｄ2は、各々の屈折率
をｎ1及びｎ2、活性層からの発光波長をλとした場合
に、例えば次式によって決定される。
【００３２】ｄ1＝λ／４ｎ1・・・式（１） ｄ2＝λ／４ｎ2・・・式（２） 次いで、ＤＢＲ１２の上に、ｎ型（ＡｌXＧａ1-X）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（０≦Ｘ≦１）下部クラッド層１３（例えば
Ｘ＝１．０、厚さ１．０μｍ）、（ＡｌXＧａ1-X）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（０≦Ｘ≦１）活性層１４（例えばＸ＝０．
３、厚さ０．５μｍ）、ｐ型（ＡｌXＧａ1-X）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ（０≦Ｘ≦１）上部クラッド層１５（例えばＸ＝
１．０、厚さ１．０μｍ）を順次積層し、さらに、ｐ型
（ＡｌXＧａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦Ｘ≦１）上部ク
ラッド層１５の上に、ｐ型ＧａＰ電流拡散層１６を形成
する。
Ｉｎ0.49Ｐ（０≦Ｘ≦１）下部クラッド層１３（例えば
Ｘ＝１．０、厚さ１．０μｍ）、（ＡｌXＧａ1-X）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（０≦Ｘ≦１）活性層１４（例えばＸ＝０．
３、厚さ０．５μｍ）、ｐ型（ＡｌXＧａ1-X）0.51Ｉｎ
0.49Ｐ（０≦Ｘ≦１）上部クラッド層１５（例えばＸ＝
１．０、厚さ１．０μｍ）を順次積層し、さらに、ｐ型
（ＡｌXＧａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦Ｘ≦１）上部ク
ラッド層１５の上に、ｐ型ＧａＰ電流拡散層１６を形成
する。
【００３３】次に、ｐ型ＧａＰ電流拡散層１６の上に例
えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着して、これを例えば円形にパタ
ーニングしてｐ型電極１７を形成する。一方、ＧａＡｓ
基板１１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜からなるｎ型
電極１８を蒸着により形成する。以上のようにして本参
考例のＬＥＤ１が完成する。
えばＡｕ−Ｚｎ膜を蒸着して、これを例えば円形にパタ
ーニングしてｐ型電極１７を形成する。一方、ＧａＡｓ
基板１１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜からなるｎ型
電極１８を蒸着により形成する。以上のようにして本参
考例のＬＥＤ１が完成する。
【００３４】上記参考例では、ＤＢＲ１２として活性層
１４からの発光に対して光吸収係数が小さいものを使用
しているので、ＤＢＲ１２を構成するペア数を大きくす
るほど平均反射率は上昇し所望の平均反射率を得ること
ができる。この点について、本参考例によるＤＢＲのペ
ア数と平均反射率との関係を図２の特性図を参照して説
明する。
１４からの発光に対して光吸収係数が小さいものを使用
しているので、ＤＢＲ１２を構成するペア数を大きくす
るほど平均反射率は上昇し所望の平均反射率を得ること
ができる。この点について、本参考例によるＤＢＲのペ
ア数と平均反射率との関係を図２の特性図を参照して説
明する。
【００３５】図１６の従来構造の特性を示す図１９の特
性図と比較すると、図１９においては、ペア数を４０ペ
アとしても平均反射率は０．５に満たなかったが、本参
考例によれば、図２から明らかなように、４０ペアで平
均反射率は０．７強に達していることがわかる。発光輝
度を比較しても、図１６の従来構造に比べ、本参考例の
方が約１．３倍の輝度を有することを確認できた。
性図と比較すると、図１９においては、ペア数を４０ペ
アとしても平均反射率は０．５に満たなかったが、本参
考例によれば、図２から明らかなように、４０ペアで平
均反射率は０．７強に達していることがわかる。発光輝
度を比較しても、図１６の従来構造に比べ、本参考例の
方が約１．３倍の輝度を有することを確認できた。
【００３６】なお、ペア数が２０未満の場合には、むし
ろ従来例の方が平均反射率は高く、本参考例の構造が特
に有効なのは２０ペア以上であることがわかる。しかし
今後さらに高輝度化が要請される中にあって、ペア数の
増加によって従来得られなかったような平均反射率を達
成できる本構造は極めて有用である。
ろ従来例の方が平均反射率は高く、本参考例の構造が特
に有効なのは２０ペア以上であることがわかる。しかし
今後さらに高輝度化が要請される中にあって、ペア数の
増加によって従来得られなかったような平均反射率を達
成できる本構造は極めて有用である。
【００３７】図３（ａ）は、本発明の他の参考例による
ＬＥＤの断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＤ部拡大図
である。
ＬＥＤの断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＤ部拡大図
である。
【００３８】本参考例のＬＥＤ２は図３（ａ）に示すよ
うに、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の上に、光反射多層膜（以
下、ＤＢＲと記す）２２を形成するのであるが、ここ
で、ＤＢＲ２２を構成する膜の材料として、後述の活性
層２４からの発光に対して光吸収が小さい材料を用い
る。
うに、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の上に、光反射多層膜（以
下、ＤＢＲと記す）２２を形成するのであるが、ここ
で、ＤＢＲ２２を構成する膜の材料として、後述の活性
層２４からの発光に対して光吸収が小さい材料を用い
る。
【００３９】具体的には、図３（ｂ）のように、ｎ型Ａ
ｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａとｎ型（ＡｌXＧａ1-X）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）層２２ｂ（例えばX＝０．３
５）とを１つのペアとして多数ペア（ここでは４０ペ
ア）で構成されたＤＢＲ２２を積層する。本参考例にお
けるＤＢＲ２２は、その層厚が下層から上層に向かうに
従って徐々に変化するチャープ状のＤＢＲとなってお
り、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａとｎ型（ＡｌXＧ
ａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）層２２ｂの厚さ
は、各々の屈折率をｎ1、ｎ2、活性層２４からの発光波
長をλとすると、例えば次のように設計される。
ｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａとｎ型（ＡｌXＧａ1-X）0.51
Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）層２２ｂ（例えばX＝０．３
５）とを１つのペアとして多数ペア（ここでは４０ペ
ア）で構成されたＤＢＲ２２を積層する。本参考例にお
けるＤＢＲ２２は、その層厚が下層から上層に向かうに
従って徐々に変化するチャープ状のＤＢＲとなってお
り、ｎ型Ａｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層２２ａとｎ型（ＡｌXＧ
ａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）層２２ｂの厚さ
は、各々の屈折率をｎ1、ｎ2、活性層２４からの発光波
長をλとすると、例えば次のように設計される。
【００４０】即ち、図４に示すように、ｎ型Ａｌ0.51Ｉ
ｎ0.49Ｐ層２２ａについては、その最下層、最上層の層
厚を各々、（λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1）、（λ／４ｎ
1）×（１−ＤＤ2）とし、同様に、ｎ型（ＡｌXＧ
ａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）層２２ｂの最下
層、最上層の層厚を各々、（λ／４ｎ2）×（１＋Ｄ
Ｄ1）、（λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2）とし、最下層と
最上層の間の層については等間隔となるように層厚を決
定する。
ｎ0.49Ｐ層２２ａについては、その最下層、最上層の層
厚を各々、（λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1）、（λ／４ｎ
1）×（１−ＤＤ2）とし、同様に、ｎ型（ＡｌXＧ
ａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）層２２ｂの最下
層、最上層の層厚を各々、（λ／４ｎ2）×（１＋Ｄ
Ｄ1）、（λ／４ｎ2）×（１−ＤＤ2）とし、最下層と
最上層の間の層については等間隔となるように層厚を決
定する。
【００４１】次いで、ＤＢＲ２２の上に、ｎ型（ＡｌX
Ｇａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）下部クラッド層
２３（例えばＸ＝１．０、厚さ１．０μｍ）、ｎ型（Ａ
ｌXＧａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）活性層２４
（例えばＸ＝０．３、厚さ０．５μｍ）、ｐ型（ＡｌX
Ｇａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）上部クラッド層
２５（例えばＸ＝１．３、厚さ１．０μｍ）を順次積層
し、さらにこの上にｐ型ＧａＰ電流拡散層２６を形成す
る。
Ｇａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）下部クラッド層
２３（例えばＸ＝１．０、厚さ１．０μｍ）、ｎ型（Ａ
ｌXＧａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）活性層２４
（例えばＸ＝０．３、厚さ０．５μｍ）、ｐ型（ＡｌX
Ｇａ1-X）0.51Ｉｎ0.49Ｐ（０≦X≦１）上部クラッド層
２５（例えばＸ＝１．３、厚さ１．０μｍ）を順次積層
し、さらにこの上にｐ型ＧａＰ電流拡散層２６を形成す
る。
【００４２】次に、ｐ型電流拡散層２６の上に例えばＡ
ｕ−Ｚｎ膜を蒸着して、これを例えば円形にパターニン
グしてｐ型電極２７を形成する。一方、ＧａＡｓ基板２
１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜からなるｎ型電極２
８を蒸着により形成する。このようにしてＬＥＤ２が完
成する。
ｕ−Ｚｎ膜を蒸着して、これを例えば円形にパターニン
グしてｐ型電極２７を形成する。一方、ＧａＡｓ基板２
１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜からなるｎ型電極２
８を蒸着により形成する。このようにしてＬＥＤ２が完
成する。
【００４３】図５はＬＥＤ２におけるＤＢＲ２２の反射
スペクトルを示した図（本参考例の特性を図中Ｒで示
す）である。図５では比較のためにＤＢＲを構成する材
料としてＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ及びＡｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐを
用いてＬＥＤ２と同じ層厚で作製したＤＢＲの反射スペ
クトルを示している（この比較例の特性を図中、Ｓで示
す）。
スペクトルを示した図（本参考例の特性を図中Ｒで示
す）である。図５では比較のためにＤＢＲを構成する材
料としてＧａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ及びＡｌ0.51Ｉｎ0.49Ｐを
用いてＬＥＤ２と同じ層厚で作製したＤＢＲの反射スペ
クトルを示している（この比較例の特性を図中、Ｓで示
す）。
【００４４】図５から明らかなように、本参考例Ｒの特
性に比較してＳの特性では、長波長側で反射強度が低い
ことがわかる。これは、Ｓの特性のＤＢＲではＧａ0.51
Ｉｎ0.49Ｐが活性層からの光に対して吸収特性をもって
いるために下側に位置するＤＢＲの層まで光が届かず、
結果的に下側に位置するＤＢＲの層が反射特性に対して
寄与できないためである。ＬＥＤ２に示したような層厚
構成ではＤＢＲの下側ほど長波長の光を反射する構成と
なっているため、特性ＥのＤＢＲでは長波長側で反射強
度が低くなっている。
性に比較してＳの特性では、長波長側で反射強度が低い
ことがわかる。これは、Ｓの特性のＤＢＲではＧａ0.51
Ｉｎ0.49Ｐが活性層からの光に対して吸収特性をもって
いるために下側に位置するＤＢＲの層まで光が届かず、
結果的に下側に位置するＤＢＲの層が反射特性に対して
寄与できないためである。ＬＥＤ２に示したような層厚
構成ではＤＢＲの下側ほど長波長の光を反射する構成と
なっているため、特性ＥのＤＢＲでは長波長側で反射強
度が低くなっている。
【００４５】これに対して、ＬＥＤ２のＤＢＲ２２は、
その材料に活性層２４からの光を吸収しない組成を用い
ているため、下側に位置するＤＢＲの層も反射強度に対
して寄与でき、長波長側でも高い反射強度を確保でき、
図５に示すような良好な反射特性が得られる。
その材料に活性層２４からの光を吸収しない組成を用い
ているため、下側に位置するＤＢＲの層も反射強度に対
して寄与でき、長波長側でも高い反射強度を確保でき、
図５に示すような良好な反射特性が得られる。
【００４６】このように、チャープ状ＤＢＲを構成する
場合においても、ＤＢＲを構成する材料に活性層からの
光に対して光吸収が小さい材料を用いることでＤＢＲの
反射波長領域を広げることができ、これにより本参考例
のＬＥＤ２は従来構造のＬＥＤ２００に比較して約１．
２倍の発光輝度を得ることができる。
場合においても、ＤＢＲを構成する材料に活性層からの
光に対して光吸収が小さい材料を用いることでＤＢＲの
反射波長領域を広げることができ、これにより本参考例
のＬＥＤ２は従来構造のＬＥＤ２００に比較して約１．
２倍の発光輝度を得ることができる。
【００４７】なお、本参考例においては上層に向かって
薄くなる層厚構成のＤＢＲとなっているが、逆に上層に
向かって厚くなる層厚構成のＤＢＲにおいても、長波
長、短波長の関係が逆になるだけで、同様に反射波長領
域を広げる効果があり、ほぼ同等の発光輝度の向上が可
能である。
薄くなる層厚構成のＤＢＲとなっているが、逆に上層に
向かって厚くなる層厚構成のＤＢＲにおいても、長波
長、短波長の関係が逆になるだけで、同様に反射波長領
域を広げる効果があり、ほぼ同等の発光輝度の向上が可
能である。
【００４８】また、本参考例においても、図１の参考例
と同様、ＤＢＲを構成する総数が２０ペア以上の時に従
来構造にない顕著な反射強度が得られる。
と同様、ＤＢＲを構成する総数が２０ペア以上の時に従
来構造にない顕著な反射強度が得られる。
【００４９】図６（ａ）は、本発明のさらに他の参考例
によるＬＥＤの断面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ部
拡大図である。本参考例は、本発明をＡｌＧａＡｓ系材
料のＬＥＤに適用したものである。
によるＬＥＤの断面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ部
拡大図である。本参考例は、本発明をＡｌＧａＡｓ系材
料のＬＥＤに適用したものである。
【００５０】図６に示すように、ＬＥＤ３はｎ型ＧａＡ
ｓ基板３１の上に、ｎ型ＡｌＡｓ３２ａとｎ型ＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）３２ｂ（例えばｘ＝０．１）
をペアとして多数ペア（例えば２０ペア）で構成された
光反射多層膜（ＤＢＲ）３２を積層する。
ｓ基板３１の上に、ｎ型ＡｌＡｓ３２ａとｎ型ＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）３２ｂ（例えばｘ＝０．１）
をペアとして多数ペア（例えば２０ペア）で構成された
光反射多層膜（ＤＢＲ）３２を積層する。
【００５１】ここで、ｎ型ＡｌＡｓ３２ａとｎ型ＡｌＧ
ａＡｓ（０≦ｘ≦１）３２ｂの厚さｄ1、ｄ2は、各々の
屈折率をｎ1、ｎ2、活性層からの発光波長をλとする
と、例えば次式に基づいて設計される。
ａＡｓ（０≦ｘ≦１）３２ｂの厚さｄ1、ｄ2は、各々の
屈折率をｎ1、ｎ2、活性層からの発光波長をλとする
と、例えば次式に基づいて設計される。
【００５２】ｄ1＝λ／４ｎ1・・・（１） ｄ2＝λ／４ｎ2・・・（２） 次いで、ＤＢＲ３２の上に、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０
≦ｘ≦１）下部クラッド層３３（例えばｘ＝０．７、厚
さ１．０μｍ）、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）活性
層３４（例えばｘ＝０、厚さ０．５μｍ）、ｐ型Ａｌx
Ｇａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）上部クラッド層３５（例え
ばｘ＝０．７、厚さ１．０μｍ）を順次積層し、この上
にさらにｐ型ＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。
≦ｘ≦１）下部クラッド層３３（例えばｘ＝０．７、厚
さ１．０μｍ）、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）活性
層３４（例えばｘ＝０、厚さ０．５μｍ）、ｐ型Ａｌx
Ｇａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）上部クラッド層３５（例え
ばｘ＝０．７、厚さ１．０μｍ）を順次積層し、この上
にさらにｐ型ＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。
【００５３】次に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３６の上
に例えばＡｕ−Ｂｅ膜を蒸着して、これを例えば円形に
パターニングしてｐ型電極３７を形成する。一方、Ｇａ
Ａｓ基板３１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜からなる
ｎ型電極３８を蒸着により形成してＬＥＤ１を完成す
る。
に例えばＡｕ−Ｂｅ膜を蒸着して、これを例えば円形に
パターニングしてｐ型電極３７を形成する。一方、Ｇａ
Ａｓ基板３１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜からなる
ｎ型電極３８を蒸着により形成してＬＥＤ１を完成す
る。
【００５４】図７は本参考例によるＤＢＲ３２の平均反
射強度のペア数依存性を示す図である。ＤＢＲを構成す
る層の材料として活性層からの発光に対して光吸収依存
性の大きいものを使った従来のＬＥＤでは、ＤＢＲのペ
ア数を多くする程、平均反射強度は向上するものの飽和
する傾向がある。それに対して、本参考例ではＤＢＲを
構成する材料に活性層からの発光に対して光り吸収係数
が小さいものを使用していることで、ペア数を多くする
ほど平均反射強度を高くでき、反射率を１００％に近づ
けることができる。本参考例によれば従来技術によるＬ
ＥＤに比べて約１．３倍の発光輝度を得ることができ
た。
射強度のペア数依存性を示す図である。ＤＢＲを構成す
る層の材料として活性層からの発光に対して光吸収依存
性の大きいものを使った従来のＬＥＤでは、ＤＢＲのペ
ア数を多くする程、平均反射強度は向上するものの飽和
する傾向がある。それに対して、本参考例ではＤＢＲを
構成する材料に活性層からの発光に対して光り吸収係数
が小さいものを使用していることで、ペア数を多くする
ほど平均反射強度を高くでき、反射率を１００％に近づ
けることができる。本参考例によれば従来技術によるＬ
ＥＤに比べて約１．３倍の発光輝度を得ることができ
た。
【００５５】図８（ａ）は本発明のさらに他の参考例に
よるＬＥＤの断面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＦ部拡
大図である。図８に示すように本参考例のＬＥＤ４は、
ｎ型ＧａＡｓ基板４１の上に、ｎ型ＡｌＡｓ層４２ａと
ｎ型ＩｎXＧａ1-XＡｓ層（０≦ｘ≦１）４２ｂ（例えば
ｘ＝０．０）をペアとして多数ペア（例えば２０ペア）
で構成された光反射多層膜（ＤＢＲ）４２を積層する。
ｎ型ＡｌＡｓ層４２ａ及びｎ型ＩｎXＧａ1-XＡｓ層４２
ｂの厚さは、前述の図６の参考例と同様の手法によって
決定する。
よるＬＥＤの断面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＦ部拡
大図である。図８に示すように本参考例のＬＥＤ４は、
ｎ型ＧａＡｓ基板４１の上に、ｎ型ＡｌＡｓ層４２ａと
ｎ型ＩｎXＧａ1-XＡｓ層（０≦ｘ≦１）４２ｂ（例えば
ｘ＝０．０）をペアとして多数ペア（例えば２０ペア）
で構成された光反射多層膜（ＤＢＲ）４２を積層する。
ｎ型ＡｌＡｓ層４２ａ及びｎ型ＩｎXＧａ1-XＡｓ層４２
ｂの厚さは、前述の図６の参考例と同様の手法によって
決定する。
【００５６】次いで、ＤＢＲ４２の上に、ｎ型ＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）下部クラッド層４３（例えば
ｘ＝０．０、厚さ１．０μｍ）、（ＡｌxＧａ1-x）yＩ
ｎ1-yＡｓ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）活性層４４（例
えばｘ＝０．０、ｙ＝０．８及び厚さ１００Å）、ｐ型
ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）上部クラッド層４５
（例えばｘ＝０．０及び厚さ１．０μｍ）を順次積層
し、さらにこの上にｐ型ＧａＡｓコンタクト層４６を形
成する。
ａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）下部クラッド層４３（例えば
ｘ＝０．０、厚さ１．０μｍ）、（ＡｌxＧａ1-x）yＩ
ｎ1-yＡｓ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）活性層４４（例
えばｘ＝０．０、ｙ＝０．８及び厚さ１００Å）、ｐ型
ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）上部クラッド層４５
（例えばｘ＝０．０及び厚さ１．０μｍ）を順次積層
し、さらにこの上にｐ型ＧａＡｓコンタクト層４６を形
成する。
【００５７】次に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４６の上
に例えばＡｕ−Ｂｅ膜を蒸着して、これを例えば円形に
パターニングしてｐ型電極４７を形成する。一方、Ｇａ
Ａｓ基板４１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜からなる
ｎ型電極４８を蒸着により形成してＬＥＤ４を完成す
る。
に例えばＡｕ−Ｂｅ膜を蒸着して、これを例えば円形に
パターニングしてｐ型電極４７を形成する。一方、Ｇａ
Ａｓ基板４１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜からなる
ｎ型電極４８を蒸着により形成してＬＥＤ４を完成す
る。
【００５８】図９は上記のように形成されたＬＥＤ４に
おける、ＤＢＲの平均反射強度のペア数依存性を示す図
である。本参考例によるＬＥＤ４も、図６の参考例と同
様、ＤＢＲを構成する層の材料として、活性層からの発
光に対して光吸収係数の小さいものを用いているため、
ペア数を多くするほど平均反射強度を高くでき反射率を
１００％に近くすることができる。本参考例によっても
従来技術によるＬＥＤに比べて約１．３倍の発光輝度を
得ることができた。
おける、ＤＢＲの平均反射強度のペア数依存性を示す図
である。本参考例によるＬＥＤ４も、図６の参考例と同
様、ＤＢＲを構成する層の材料として、活性層からの発
光に対して光吸収係数の小さいものを用いているため、
ペア数を多くするほど平均反射強度を高くでき反射率を
１００％に近くすることができる。本参考例によっても
従来技術によるＬＥＤに比べて約１．３倍の発光輝度を
得ることができた。
【００５９】図１０（ａ）は本発明のさらに他の参考例
によるＬＥＤの断面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の
Ｇ部拡大図である。図１０に示すように、ＬＥＤ５は、
ｎ型ＧａＡｓ基板５１の上にｎ型ＡｌＡｓ層５２ａとｎ
型ＡｌXＧａ1-XＡｓ層（０≦ｘ≦１）５２ｂ（例えばｘ
＝０．１）をペアとして多数ペア（例えば４０ペア）で
構成された光反射多層膜（ＤＢＲ）５２を積層する。本
参考例におけるＤＢＲ５２は、その膜厚が下層から上層
に向かうに従って徐々に変更するチャープ状のＤＢＲと
なっており、ｎ型ＡｌＡｓ層５２ａとｎ型ＡｌXＧａ1-X
Ａｓ層（０≦ｘ≦１）５２ｂの厚さは、各々の屈折率を
ｎ1、ｎ2、活性層からの発光波長をλとすると、例えば
次のように設計される。
によるＬＥＤの断面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の
Ｇ部拡大図である。図１０に示すように、ＬＥＤ５は、
ｎ型ＧａＡｓ基板５１の上にｎ型ＡｌＡｓ層５２ａとｎ
型ＡｌXＧａ1-XＡｓ層（０≦ｘ≦１）５２ｂ（例えばｘ
＝０．１）をペアとして多数ペア（例えば４０ペア）で
構成された光反射多層膜（ＤＢＲ）５２を積層する。本
参考例におけるＤＢＲ５２は、その膜厚が下層から上層
に向かうに従って徐々に変更するチャープ状のＤＢＲと
なっており、ｎ型ＡｌＡｓ層５２ａとｎ型ＡｌXＧａ1-X
Ａｓ層（０≦ｘ≦１）５２ｂの厚さは、各々の屈折率を
ｎ1、ｎ2、活性層からの発光波長をλとすると、例えば
次のように設計される。
【００６０】図１１にｎ型ＡｌＡｓ層５２ａの層厚を例
に示すように、ｎ型ＡｌＡｓ５２ａについてはその最下
層、最上層の層厚を各々、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1）、（λ／４ｎ1）×（１
−ＤＤ2） とし、同様に、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）
５２ｂの最下層、最上層の層厚を各々、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1）、（λ／４ｎ2）×（１
−ＤＤ2） とし、最下層と最上層の間の層については、すべて等間
隔となるように層厚を決定する。
に示すように、ｎ型ＡｌＡｓ５２ａについてはその最下
層、最上層の層厚を各々、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1）、（λ／４ｎ1）×（１
−ＤＤ2） とし、同様に、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）
５２ｂの最下層、最上層の層厚を各々、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1）、（λ／４ｎ2）×（１
−ＤＤ2） とし、最下層と最上層の間の層については、すべて等間
隔となるように層厚を決定する。
【００６１】次いで、ＤＢＲ５２の上に、ｎ型ＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）下部クラッド層５３（例えば
ｘ＝０．７及び厚さ１．０μｍ）、ＡｌxＧａ1-xＡｓ
（０≦ｘ≦１）活性層５４（例えばｘ＝０．０及び厚さ
０．５μｍ）、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）上
部クラッド層５５（例えばｘ＝０．７及び厚さ１．０μ
ｍ）を順次積層し、さらにこの上にｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層５６を形成する。
ａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）下部クラッド層５３（例えば
ｘ＝０．７及び厚さ１．０μｍ）、ＡｌxＧａ1-xＡｓ
（０≦ｘ≦１）活性層５４（例えばｘ＝０．０及び厚さ
０．５μｍ）、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）上
部クラッド層５５（例えばｘ＝０．７及び厚さ１．０μ
ｍ）を順次積層し、さらにこの上にｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層５６を形成する。
【００６２】次に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５６の上
に例えばＡｕ−Ｂｅ膜を蒸着して、これを例えば円形に
パターニングしてｐ型電極５７を形成する。一方、Ｇａ
Ａｓ基板５１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜からなる
ｎ型電極５８を蒸着により形成して、ＬＥＤ５を得る。
に例えばＡｕ−Ｂｅ膜を蒸着して、これを例えば円形に
パターニングしてｐ型電極５７を形成する。一方、Ｇａ
Ａｓ基板５１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜からなる
ｎ型電極５８を蒸着により形成して、ＬＥＤ５を得る。
【００６３】図１２はＬＥＤ５におけるＤＢＲの反射ス
ペクトルを示した図である。図１２においては、比較の
ために、ＤＢＲを構成する材料として、ＡｌＡｓ及びＧ
ａＡｓを用いてＬＥＤ５と同じ層厚構成で作成したＤＢ
Ｒの反射スペクトルを示している（この比較例の特性を
図中、Ｓ’で示す）。図１２から明らかなように、本参
考例Ｒ’の特性に比較して長波長側で反射強度が低いこ
とがわかる。
ペクトルを示した図である。図１２においては、比較の
ために、ＤＢＲを構成する材料として、ＡｌＡｓ及びＧ
ａＡｓを用いてＬＥＤ５と同じ層厚構成で作成したＤＢ
Ｒの反射スペクトルを示している（この比較例の特性を
図中、Ｓ’で示す）。図１２から明らかなように、本参
考例Ｒ’の特性に比較して長波長側で反射強度が低いこ
とがわかる。
【００６４】これは、比較例ＳのＤＢＲでは、ＧａＡｓ
が活性層からの光に対して吸収特性を有しているため
に、下側に位置するＤＢＲの層が反射特性に対して寄与
できないためである。ＬＥＤ５の層構成ではＤＢＲの下
側ほど長波長の光りを反射する構成となっているため、
長波長側での反射強度が低くなっている。
が活性層からの光に対して吸収特性を有しているため
に、下側に位置するＤＢＲの層が反射特性に対して寄与
できないためである。ＬＥＤ５の層構成ではＤＢＲの下
側ほど長波長の光りを反射する構成となっているため、
長波長側での反射強度が低くなっている。
【００６５】これに対して本参考例のＤＢＲの材料とし
ては、活性層からの光を吸収しない材料を組成を用いて
いるため、下側に位置するＤＢＲも反射強度に対して寄
与できる、この結果、長波長側でも高い反射強度を保っ
ており良好な反射特性を有している。
ては、活性層からの光を吸収しない材料を組成を用いて
いるため、下側に位置するＤＢＲも反射強度に対して寄
与できる、この結果、長波長側でも高い反射強度を保っ
ており良好な反射特性を有している。
【００６６】このようにチャープ状ＤＢＲを構成する場
合において、ＤＢＲを構成する材料として活性層からの
発光に対して光吸収が小さい材料を用いることでＤＢＲ
の反射波長領域を広げることができる。これにより本参
考例によれば、従来技術によるＬＥＤに比較して約１．
４倍の発光輝度を得ることができた。
合において、ＤＢＲを構成する材料として活性層からの
発光に対して光吸収が小さい材料を用いることでＤＢＲ
の反射波長領域を広げることができる。これにより本参
考例によれば、従来技術によるＬＥＤに比較して約１．
４倍の発光輝度を得ることができた。
【００６７】なお、上記参考例は上層ほど層厚が薄くな
るＤＢＲ構造としているが、本発明の実施例は、逆に上
層ほど厚くなる層厚構成のＤＢＲ構造としたものであ
り、長波長、短波長の関係が逆になるだけで、同様に反
射波長領域を広げる効果があり、ほぼ同等の発光輝度の
向上が可能である。
るＤＢＲ構造としているが、本発明の実施例は、逆に上
層ほど厚くなる層厚構成のＤＢＲ構造としたものであ
り、長波長、短波長の関係が逆になるだけで、同様に反
射波長領域を広げる効果があり、ほぼ同等の発光輝度の
向上が可能である。
【００６８】図１３（ａ）は、本発明のさらに他の参考
例によるＬＥＤの断面図、図１３（ｂ）は及び図１３
（ａ）のＨ部拡大図である。
例によるＬＥＤの断面図、図１３（ｂ）は及び図１３
（ａ）のＨ部拡大図である。
【００６９】図１３に示すように、ＬＥＤ６は、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板６１の上にｎ型ＡｌＡｓ層６２ａとｎ型Ｉｎ
XＧａ1-XＡｓ層（０≦ｘ≦１）６２ｂ（例えばｘ＝０．
０）をペアとして多数ペア（例えば４０ペア）で構成さ
れた光反射多層膜（ＤＢＲ）６２を積層する。本参考例
におけるＤＢＲ６２は、その膜厚が下層から上層に向か
うに従って徐々に変更するチャープ状のＤＢＲとなって
おり、ｎ型ＡｌＡｓ層６２ａとｎ型ＩｎXＧａ1-XＡｓ層
（０≦ｘ≦１）６２ｂの厚さは、各々の屈折率をｎ1、
ｎ2、活性層からの発光波長をλとすると、例えば以下
のように設計される。
ａＡｓ基板６１の上にｎ型ＡｌＡｓ層６２ａとｎ型Ｉｎ
XＧａ1-XＡｓ層（０≦ｘ≦１）６２ｂ（例えばｘ＝０．
０）をペアとして多数ペア（例えば４０ペア）で構成さ
れた光反射多層膜（ＤＢＲ）６２を積層する。本参考例
におけるＤＢＲ６２は、その膜厚が下層から上層に向か
うに従って徐々に変更するチャープ状のＤＢＲとなって
おり、ｎ型ＡｌＡｓ層６２ａとｎ型ＩｎXＧａ1-XＡｓ層
（０≦ｘ≦１）６２ｂの厚さは、各々の屈折率をｎ1、
ｎ2、活性層からの発光波長をλとすると、例えば以下
のように設計される。
【００７０】図１４にｎ型ＡｌＡｓ層６２ａの層厚を例
に示すように、ｎ型ＡｌＡｓ６２ａについてはその最下
層、最上層の層厚を各々、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1）、（λ／４ｎ1）×（１
−ＤＤ2） とし、同様に、ｎ型ＩｎxＧａ1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）
６２ｂの最下層、最上層の層厚を各々、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1）、（λ／４ｎ2）×（１
−ＤＤ2） とし、最下層と最上層の間の層についてはすべて等間隔
となるように層厚を決定する。
に示すように、ｎ型ＡｌＡｓ６２ａについてはその最下
層、最上層の層厚を各々、 （λ／４ｎ1）×（１＋ＤＤ1）、（λ／４ｎ1）×（１
−ＤＤ2） とし、同様に、ｎ型ＩｎxＧａ1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）
６２ｂの最下層、最上層の層厚を各々、 （λ／４ｎ2）×（１＋ＤＤ1）、（λ／４ｎ2）×（１
−ＤＤ2） とし、最下層と最上層の間の層についてはすべて等間隔
となるように層厚を決定する。
【００７１】次いで、ＤＢＲ６２の上に、ｎ型ＡｌxＧ
ａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）下部クラッド層６３（例えば
ｘ＝０．７及び厚さ１．０μｍ）、（ＡｌxＧａ1-x）y
Ｉｎ1-yＡｓ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）活性層６４
（例えばｘ＝０．０、ｙ＝０．８及び厚さ１００Å）、
ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）上部クラッド層６
５（例えばｘ＝０．７及び厚さ１．０μｍ）を順次積層
し、さらにこの上にｐ型ＧａＡｓコンタクト層６６を形
成する。
ａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）下部クラッド層６３（例えば
ｘ＝０．７及び厚さ１．０μｍ）、（ＡｌxＧａ1-x）y
Ｉｎ1-yＡｓ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）活性層６４
（例えばｘ＝０．０、ｙ＝０．８及び厚さ１００Å）、
ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）上部クラッド層６
５（例えばｘ＝０．７及び厚さ１．０μｍ）を順次積層
し、さらにこの上にｐ型ＧａＡｓコンタクト層６６を形
成する。
【００７２】次に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層６６の上
に例えばＡｕ−Ｂｅ膜を蒸着して、これを例えば円形に
パターニングしてｐ型電極６７を形成する。一方、Ｇａ
Ａｓ基板６１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜例えばＡ
ｕ−Ｚｎ膜からなるｎ型電極６８を蒸着により形成し
て、ＬＥＤ６を得る。
に例えばＡｕ−Ｂｅ膜を蒸着して、これを例えば円形に
パターニングしてｐ型電極６７を形成する。一方、Ｇａ
Ａｓ基板６１の下面には、例えばＡｕ−Ｚｎ膜例えばＡ
ｕ−Ｚｎ膜からなるｎ型電極６８を蒸着により形成し
て、ＬＥＤ６を得る。
【００７３】図１５はＬＥＤ６におけるＤＢＲの反射ス
ペクトルを示した図である。図１５においては、比較の
ために、ＤＢＲを構成する材料として、ＡｌＡｓ及びＩ
ｎXＧａ1-XＡｓ（ｘ＝０．２５）を用いてＬＥＤ６と同
じ層厚構成で作成したＤＢＲの反射スペクトルを示して
いる（この比較例の特性を図中、Ｓ”で示す）。図１５
から明らかなように、本参考例Ｒ”の特性に比較して長
波長側で反射強度が低いことがわかる。
ペクトルを示した図である。図１５においては、比較の
ために、ＤＢＲを構成する材料として、ＡｌＡｓ及びＩ
ｎXＧａ1-XＡｓ（ｘ＝０．２５）を用いてＬＥＤ６と同
じ層厚構成で作成したＤＢＲの反射スペクトルを示して
いる（この比較例の特性を図中、Ｓ”で示す）。図１５
から明らかなように、本参考例Ｒ”の特性に比較して長
波長側で反射強度が低いことがわかる。
【００７４】このような特性となっているのは、図１０
の参考例で説明したのと同じ理由による。即ち、比較例
Ｓ”のＤＢＲでは、ＧａＡｓが活性層からの光に対して
吸収特性を有しているために、下側に位置するＤＢＲの
層が反射特性に対して寄与できないためである。ＬＥＤ
６の層構成ではＤＢＲの下側ほど長波長の光を反射する
構成となっているため、長波長側での反射強度が低くな
っている。
の参考例で説明したのと同じ理由による。即ち、比較例
Ｓ”のＤＢＲでは、ＧａＡｓが活性層からの光に対して
吸収特性を有しているために、下側に位置するＤＢＲの
層が反射特性に対して寄与できないためである。ＬＥＤ
６の層構成ではＤＢＲの下側ほど長波長の光を反射する
構成となっているため、長波長側での反射強度が低くな
っている。
【００７５】これに対して本参考例のＤＢＲの材料とし
ては、活性層からの光を吸収しない材料を組成を用いて
いるため、下側に位置するＤＢＲも反射強度に対して寄
与でき、この結果、長波長側でも高い反射強度を保って
おり良好な反射特性を有している。
ては、活性層からの光を吸収しない材料を組成を用いて
いるため、下側に位置するＤＢＲも反射強度に対して寄
与でき、この結果、長波長側でも高い反射強度を保って
おり良好な反射特性を有している。
【００７６】このようにチャープ状ＤＢＲを構成する場
合において、ＤＢＲを構成する材料として活性層からの
発光に対して光吸収が小さい材料を用いることでＤＢＲ
の反射波長領域を広げることができる。これにより本参
考例によれば、従来技術によるＬＥＤに比較して約１．
４倍の発光輝度を得ることができた。
合において、ＤＢＲを構成する材料として活性層からの
発光に対して光吸収が小さい材料を用いることでＤＢＲ
の反射波長領域を広げることができる。これにより本参
考例によれば、従来技術によるＬＥＤに比較して約１．
４倍の発光輝度を得ることができた。
【００７７】ところで、本参考例は上層ほど層厚が薄く
なるＤＢＲ構造としているが、本発明の実施例は、逆に
上層ほど厚くなる層厚構成のＤＢＲ構造としたものであ
り、長波長、短波長の関係が逆になるだけで、同様に反
射波長領域を広げる効果があり、ほぼ同等の発光輝度の
向上が可能である。
なるＤＢＲ構造としているが、本発明の実施例は、逆に
上層ほど厚くなる層厚構成のＤＢＲ構造としたものであ
り、長波長、短波長の関係が逆になるだけで、同様に反
射波長領域を広げる効果があり、ほぼ同等の発光輝度の
向上が可能である。
【００７８】なお、以上に説明した本発明の実施例とし
ては、ＤＢＲの層厚構成として単一周期のものと、チャ
ープ状構成のものについて述べたが、屈折率差を利用し
て反射を意図する多層反射膜であればその層厚構成によ
らず、本発明を適用することができる。
ては、ＤＢＲの層厚構成として単一周期のものと、チャ
ープ状構成のものについて述べたが、屈折率差を利用し
て反射を意図する多層反射膜であればその層厚構成によ
らず、本発明を適用することができる。
【００７９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体発光ダイオードでは、光反射多層膜の材料として、活
性層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有
する半導体を用いるため、光反射多層膜において発光部
からの発光に対して吸収が少ない。このためにＤＢＲの
反射強度を高めることができ、また、チャープ状ＤＢＲ
を構成する場合には反射波長領域を広くすることがで
き、このことにより活性層から発した光の外部への取り
出し効率を高めることができ、発光ダイオードとしての
輝度向上を図れる。
体発光ダイオードでは、光反射多層膜の材料として、活
性層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有
する半導体を用いるため、光反射多層膜において発光部
からの発光に対して吸収が少ない。このためにＤＢＲの
反射強度を高めることができ、また、チャープ状ＤＢＲ
を構成する場合には反射波長領域を広くすることがで
き、このことにより活性層から発した光の外部への取り
出し効率を高めることができ、発光ダイオードとしての
輝度向上を図れる。
【図１】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の一参考
例による半導体発光ダイオードの断面図及び（ａ）のＣ
部拡大図。
例による半導体発光ダイオードの断面図及び（ａ）のＣ
部拡大図。
【図２】図１の半導体発光ダイオードの光反射多層膜の
層数と平均反射率との関係を示す特性図。
層数と平均反射率との関係を示す特性図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の他の参
考例による半導体発光ダイオードの断面図及び（ａ）の
Ｄ部拡大図。
考例による半導体発光ダイオードの断面図及び（ａ）の
Ｄ部拡大図。
【図４】図３の半導体発光ダイオードの光反射多層膜の
層厚と層の位置との関係を示す特性図。
層厚と層の位置との関係を示す特性図。
【図５】図３の半導体発光ダイオードの波長と反射率と
の関係を示す特性図。
の関係を示す特性図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明のさらに
他の参考例による半導体発光ダイオードの断面図及び
（ａ）のＥ部拡大図。
他の参考例による半導体発光ダイオードの断面図及び
（ａ）のＥ部拡大図。
【図７】図６の半導体発光ダイオードの光反射多層膜の
層数と平均反射率との関係を示す特性図。
層数と平均反射率との関係を示す特性図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明のさらに
他の参考例による半導体発光ダイオードの断面図及び
（ａ）のＦ部拡大図。
他の参考例による半導体発光ダイオードの断面図及び
（ａ）のＦ部拡大図。
【図９】図８の半導体発光ダイオードの光反射多層膜の
層厚と層の位置との関係を示す特性図。
層厚と層の位置との関係を示す特性図。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明のさら
に他の参考例による半導体発光ダイオードの断面図及び
（ａ）のＧ部拡大図。
に他の参考例による半導体発光ダイオードの断面図及び
（ａ）のＧ部拡大図。
【図１１】図１０の半導体発光ダイオードの光反射多層
膜の層厚と層の位置との関係を示す特性図。
膜の層厚と層の位置との関係を示す特性図。
【図１２】図１０の半導体発光ダイオードの波長と反射
率との関係を示す特性図。
率との関係を示す特性図。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明のさら
に他の参考例による半導体発光ダイオードの断面図及び
（ａ）のＨ部拡大図。
に他の参考例による半導体発光ダイオードの断面図及び
（ａ）のＨ部拡大図。
【図１４】図１３の半導体発光ダイオードの光反射多層
膜の層厚と層の位置との関係を示す特性図。
膜の層厚と層の位置との関係を示す特性図。
【図１５】図１３の半導体発光ダイオードの波長と反射
率との関係を示す特性図。
率との関係を示す特性図。
【図１６】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例による
半導体発光ダイオードの断面図及び（ａ）のＡ部拡大
図。
半導体発光ダイオードの断面図及び（ａ）のＡ部拡大
図。
【図１７】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、他の従来例に
よる半導体発光ダイオードの断面図及び（ａ）のＢ部拡
大図。
よる半導体発光ダイオードの断面図及び（ａ）のＢ部拡
大図。
【図１８】図１７の半導体発光ダイオードの光反射多層
膜の層厚と層の位置との関係を示す特性図。
膜の層厚と層の位置との関係を示す特性図。
【図１９】図１６の半導体発光ダイオードの光反射多層
膜の層数と平均反射率との関係を示す特性図。
膜の層数と平均反射率との関係を示す特性図。
【図２０】図１７の半導体発光ダイオードの波長と反射
率との関係を示す特性図。
率との関係を示す特性図。
【図２１】図１７の半導体発光ダイオードの波長と反射
率との関係を示す他の特性図。
率との関係を示す他の特性図。
１、２ 半導体発光ダイオード １１、２１ 半導体基板 １２、２２ 光反射多層膜 １４、２４ 活性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−114277（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−328877（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−361572（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−86638（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−243612（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上に、活性層と、前記半導体
基板と前記活性層との間に配置され前記活性層から前記
半導体基板方向に向かう光を反射させる光反射多層膜と
を少なくとも有する半導体発光ダイオードにおいて、 前記光反射多層膜は、互いに異なる屈折率を有する２種
類の膜を一対として、この対が複数積層されてなり、且
つ前記複数の対が活性層からの発光波長を反射する層厚
よりも薄い層厚から厚い層厚まで前記半導体基板側から
前記活性層側に厚くなるように一定割合で連続的に変化
して積層されてなり、 前記光反射多層膜が、前記活性層のバンドギャップより
も大きなバンドギャップを有する半導体材料により形成
されてなることを特徴とする半導体発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記半導体基板はＧａＡｓ基板からな
り、前記活性層はＡｌＧａＩｎＰ系材料からなり、且つ
前記光反射多層膜はＡｌＩｎＰ系材料とＡｌＧａＩｎＰ
系材料とを交互に積層してなることを特徴とする請求項
１に記載の半導体発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記光反射多層膜は、ＡｌＩｎＰ系材料
からなる膜とＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる膜とを一対
として、少なくとも２０対以上積層されてなることを特
徴とする請求項２に記載の半導体発光ダイオード。 - 【請求項４】 前記半導体基板はＧａＡｓ基板からな
り、前記活性層はＡｌＧａＡｓ系材料からなることを特
徴とする請求項１に記載の半導体発光ダイオード。 - 【請求項５】 前記半導体基板はＧａＡｓ基板からな
り、前記活性層はＡｌＧａＩｎＡｓ系材料からなること
を特徴とする請求項１に記載の半導体発光ダイオード。 - 【請求項６】 前記光反射多層膜は、少なくとも５対以
上積層されてなることを特徴とする請求項４または５の
いずれかに記載の半導体発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2420297A JP3330044B2 (ja) | 1996-12-18 | 1997-02-07 | 半導体発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-337793 | 1996-12-18 | ||
| JP33779396 | 1996-12-18 | ||
| JP2420297A JP3330044B2 (ja) | 1996-12-18 | 1997-02-07 | 半導体発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233528A JPH10233528A (ja) | 1998-09-02 |
| JP3330044B2 true JP3330044B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=26361684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2420297A Expired - Fee Related JP3330044B2 (ja) | 1996-12-18 | 1997-02-07 | 半導体発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3330044B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
| KR100648759B1 (ko) * | 1998-09-10 | 2006-11-23 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20140064328A (ko) | 2012-11-20 | 2014-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
| KR102066609B1 (ko) * | 2012-12-04 | 2020-03-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| JP6023611B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2016-11-09 | 日本電信電話株式会社 | 半導体多層膜反射鏡構造 |
| JP5894548B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2016-03-30 | 日本電信電話株式会社 | 半導体多層膜反射鏡構造 |
| CN107527967B (zh) * | 2017-08-22 | 2023-08-25 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | 一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法 |
| WO2020226031A1 (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光デバイスおよび光検出システム |
-
1997
- 1997-02-07 JP JP2420297A patent/JP3330044B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH10233528A (ja) | 1998-09-02 |
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