KR100946033B1

KR100946033B1 - 마이크로 캐비티를 이용한 다색 발광소자

Info

Publication number: KR100946033B1
Application number: KR1020080002106A
Authority: KR
Inventors: 이진복; 윤상호; 에핌 라자레비치 포르트노이; 발렌티 비아케스라보비치 니콜라에브
Original assignee: 삼성전기주식회사; 에이. 에프. 이오페 피지코-테크니컬 인스티튜트 오브 라스
Priority date: 2007-07-03
Filing date: 2008-01-08
Publication date: 2010-03-09
Also published as: RU2349989C1; KR20090004403A

Abstract

본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 서로 다른 굴절율을 갖는 제1 및 제2 반도체막이 교대로 적층되어 이루어진 제1 DBR 구조와, 상기 제1 DBR 구조 상에 형성되며, 제1 파장광을 흡수하여 상기 제1 파장광보다 장파장인 제2 파장광을 방출하는 파장변환층을 갖는 제1 반도체 적층물와, 상기 제1 반도체 적층물 상에 형성되며, 서로 다른 굴절율을 갖는 제3 및 제4 반도체막이 교대로 적층된 제2 DBR 구조와, 상기 제2 DBR 구조 상에 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 가지며, 상기 활성층은 상기 제1 파장광을 생성하는 제2 반도체 적층물과, 상기 제2 반도체 적층물의 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 금속 반사층과, 상기 제2 반도체 적층물의 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 전기적으로 접속되도록 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.

LED(light-emitting diode), 캐비티(micro-cavity), 파장변환(wavelength-conversion)

Description

마이크로 캐비티를 이용한 다색 발광소자{MULTI COLOR LIGHT EMITTING DEVICE USING MICRO-CAVITY}

본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 마이크로 캐비티(micro-cavity)를 이용하여 다색의 광을 방출하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

일반적으로, LEDs(light-emitting diodes)는 고효율의 광원으로 각광받고 있으며, 현재 많은 연구자에 의해서 연구가 활발히 진행되고 있다. 대표적인 LED 연구방향으로는 발광효율 개선과 모놀리식 백색발광소자의 구현이 있다.

LED의 발광효율은 내부양자효율과 외부양자효율(즉, 광추출효율)에 의해 결정된다. 최근에 LED 소자에서 내부 양자효율은 거의 100%에 접근하고 있으나, LED 소자에 사용되는 GaN 및 타 반도체 재료는 높은 굴절율을 갖고 있기 때문에 높은 광추출 효율을 얻기는 어려운 실정이다. 즉, 광추출임계각으로 인해, 활성층으로부터 생성된 광의 많은 부분은 LED 구조 내부에서 전반사되어 갇혀 소멸된다.

이러한 문제를 극복하기 위해서 재료에 의해서 결정된 광추출각을 크게 하기 위해서 다양한 구조의 소자가 제안되고 있다. 이 중 본 발명에서는 MCLED(micro-cavity light emitting diodes) 또는 RCLED(resonant cavity light emitting diodes)의 구조를 이용하는 방안이 있다.

MCLED 구조는 고굴절율과 저굴절율 재료를 이용하여 λ/4로 설계하여 반사도를 최대화된 브래그 반사체를 채용한다. MCLED 구조에서, 브래그 반사체는 발광되는 빛의 파장과 발광층 상하에 위치하며, 그 간격에 의해서 방출되는 빛의 효율을 증가시킨다. 이러한 캐비티(cavity)의 길이는 발광파장과 연계된 거리의 최적화를 통해 광효율을 극대화할 수 있다.

LED 소자의 해결과제로서 다른 하나는 백색 발광소자의 구현이다. 백색발광소자를 위해서, LED 칩 자체, 즉 모놀리식 소자를 통해 백색을 구현하는 것이 가장 유리함에도 불구하고, 현재는 파장변환을 시키는 형광체가 주로 사용되고 있다. 그러나, 이러한 형태로의 백색의 구현은 형광체의 낮은 변환효율과 열화로 인해 안정적인 백색 구현이 어려운 실정이다.

상술된 종래 기술의 문제를 해결하기 위해서, 본 발명의 목적은 마이크로 캐비티와 광학적 여기를 이용한 파장변환층을 이용하여 고효율로 다색 파장광(백색광 포함)을 방출할 수 있는 반도체 발광소자를 제공하는데 있다.

상기한 기술적 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은,

서로 다른 굴절율을 갖는 제1 및 제2 반도체막이 교대로 적층되어 이루어진 제1 DBR 구조와, 상기 제1 DBR 구조 상에 형성되며, 제1 파장광을 흡수하여 상기 제1 파장광보다 장파장인 제2 파장광을 방출하는 파장변환층을 갖는 제1 반도체 적층물와, 상기 제1 반도체 적층물 상에 형성되며, 서로 다른 굴절율을 갖는 제3 및 제4 반도체막이 교대로 적층된 제2 DBR 구조와, 상기 제2 DBR 구조 상에 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 가지며, 상기 활성층은 상기 제1 파장광을 생성하는 제2 반도체 적층물과, 상기 제2 반도체 적층물의 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 금속 반사층과, 상기 제2 반도체 적층물의 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 전기적으로 접속되도록 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.

이로써, 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 전기적 여기(electrical pumping)에 의한 제1 파장광과, 상기 제1 파장광의 일부를 광학적 여기(optical pumping)에 의해 제2 파장광을 변환시키는 구조를 가질 수 있다.

바람직하게, 상기 제2 반도체 적층물은 상기 제1 도전형 반도체층의 일부영역이 노출되도록 메사에칭된 구조를 가지며, 상기 제1 및 제2 전극은 각각 상기 금속 반사층과 상기 제1 도전형 반도체층의 노출영역 상에 각각 형성될 수 있다.

상기 금속 반사층은 Ag, Ni, Al, Ph, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함할 수 있다.

바람직하게, 상기 제1 및 제2 DBR 구조와 상기 제1 및 제2 반도체 적층물은 질화물 반도체로 이루어질 수 있으며, 이 경우에, 상기 제1 및 제2 DBR 구조와 상기 제1 및 제2 반도체 적층물은 기판 상에 상기 적층순서에 따라 연속적으로 성장될 수 있다.

바람직하게는, 상기 발광소자는 상기 활성층의 제1 파장광과 상기 파장변환층으로부터 변환된 제2 파장광이 조합되어 백색광을 방출하도록 구성될 수 있다.

또한, 바람직한 실시형태에서, 상기 제2 반도체 적층물은 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 상기 제1 파장광과 다른 파장의 광을 생성하는 추가적인 활성층을 더 포함할 수 있다.

이 경우에, 상기 제2 반도체 적층물의 2개의 활성층은 각각 청색 및 녹색의 광을 생성하도록 형성되며, 상기 제1 반도체 적층물의 파장변환층은 상기 청색 및 녹색의 광을 흡수하여 적색의 광을 방출하도록 형성될 수 있다.

본 발명에 따르면, 다색 반도체 발광소자는 반도체 DBR 구조를 이용한 2중 공진 캐비티를 채용함으로써 전기적 구동에 의한 1차 파장광을 증폭시키고, 광학적 여기를 이용한 파장변환층을 통해 2차 파장광을 변환시킴으로써 높은 효율로 다색 파장광을 제공할 수 있다. 특히, 본 발명은 적절한 파장광의 조합을 통해서 보다 높은 효율로 우수한 백색광을 방출할 수 있는 모놀리식 백색 발광소자를 제공할 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "다색 발광소자"라는 용어는 서로 다른 파장을 갖는 복수의 광을 방출하는 의미로 사용되며, 실제로 구현된 다색 발광소자는 서로 다른 복수의 파장광을 방출하더라도 육안으로 볼 때에 상기 파장광이 조합되어 백색과 같은 단일 색을 방출할 것이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

도1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 다색 발광소자를 나타내는 측단면도이다.

도1에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 다색 반도체 발광소자(20)는, 제1 DBR 구조(14), 파장변환층(17)을 갖는 제1 반도체 적층체(15), 제2 DBR 구조(24), 활성층(27)을 갖는 제2 반도체 적층체(25) 및 금속 반사층(28)이 기판(11) 상에 순차적으로 적층된 구조를 갖는다. 상기 기판(11) 상에는 고품질 결정 성장을 위해서 버퍼층(12)이 추가로 형성될 수 있다.

상기 제2 반도체 적층체(25)는 제1 및 제2 도전형 반도체층(25a,25b)과 그 사이에 형성된 활성층(27)을 포함한다.

상기 활성층(27)은 제1 및 제2 도전형 반도체층(25a,25b) 상에 각각 접속된 제1 및 제2 전극(29a,29b)에 의해 제공되는 캐리어(전자 및 전공)를 재결합시켜 제1 파장광을 생성한다.

상기 제2 반도체 적층체(25)의 활성층(27)만을 전기적으로 구동시키기 위해서, 도시된 바와 같이, 상기 제1 도전형 반도체층(25a)의 일부영역이 노출되도록 상기 제2 반도체 적층체(25)를 메사 에칭하고, 상기 제1 및 제2 전극을 각각 상기 금속 반사층(28)과 상기 제1 도전형 반도체층(25a)의 노출영역 상에 각각 형성할 수 있다.

또한, 상기 제2 반도체 적층체(25)는 상기 제2 DBR 구조(24)와 상기 금속 반사층(28)에 의해 제1 파장광의 증폭을 위한 제1 공진 캐비티(C1)로서 작용할 수 있다. 즉, 상기 제1 공진 캐비티(C1)에서의 공진모드에 의해 상기 활성층(27)으로부터 생성된 제1 파장광은 증폭될 수 있다. 상기 제2 DBR 구조(24)는 상기 증폭된 제 1 파장광이 상기 제2 DBR 구조(24) 방향으로 출력될 수 있도록, 제1 파장광에 대해 금속 반사층(28)의 반사율보다 낮은 반사율을 갖도록 설계된다.

상기 제2 DBR 구조(24)는 서로 다른 굴절율을 갖는 2종의 반도체막(24a,24b)이 교대로 적층되어 이루어진다. 원하는 제1 파장에 대한 선택적 반사율은 상기 각 반도체막(24a,24b)의 두께 및 굴절률과 그 적층횟수를 적절히 설계하여 결정될 수 있다. 여기서, 상기 반도체막(24a,24b)의 굴절률 차이는 특정 조성 또는 그 함량을 조정함으로써 구현될 수 있다.

상기 금속 반사층(28)은 Ag, Ni, Al, Ph, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 고반사성 금속물질로 이루어질 수 있으며, 특히 상기 제2 도전형 반도체층(25b)과 오믹접촉을 형성할 수 있는 금속이 바람직하게 사용될 수 있다.

상기 제1 반도체 적층체(15)는 상부 및 하부 반도체층(15a,15b)과 그 사이에 형성된 파장변환층(17)을 포함한다.

상기 파장변환층(17)은 제1 파장광을 흡수하여 제1 파장광보다 낮은 제2 파장광을 제공하도록 형성된다. 이러한 파장변환층(17)은 상기 활성층(27)보다 낮은 에너지 밴드갭을 갖는 반도체층일 수 있다. 상기 파장변환층(17)은 상기 활성층(27)과 달리 전기적인 구동에 의해 광을 생성하지 않으며, 광학적 여기에 의해 제1 파장광을 특정한 다른 파장광으로 변환시킨다.

즉, 도2에 도시된 바와 같이, 특정 밴드갭(E_g1)을 갖는 양자우물을 갖는 활성층(27)으로부터 생성된 제1 파장광은 상기 활성층(27)보다 작은 밴드갭(E_g2)을 갖는 파장변환층(17)에 흡수되어 그 밴드갭(E_g2)에 의해 정의되는 제2 파장광으로 변환되어 방출될 수 있다.

또한, 상기 제1 반도체 적층체(15)는 상기 제1 및 제2 DBR 구조(14,24)에 의해 제1 파장광에 대한 제2 공진 캐비티(C2)로서 작용할 수 있다. 본 발명에서, 상기 제2 공진 캐비티(C2)는 상기 파장변환층(27)에서의 광학적 여기에 의한 파장변환효율을 높이기 위해서 채용된다. 따라서, 상기 제1 DBR 구조(14)도 제1 파장광에 대한 높은 반사율을 갖도록 설계된다. 이러한 반사율 조건은, 상기 제2 DBR 구조(24)와 유사하게, 상기 각 반도체막(14a,14b)의 두께 및 굴절률과 그 적층횟수를 적절히 설계함으로써 만족시킬 수 있다.

또한, 본 실시형태에서 원하는 공진 캐비티로서의 작용을 위해서, 상기 제1 및 제2 반도체 적층체(15,25)는 반사구조의 반사율과 함께 적절한 두께로 형성될 필요가 있다. 이러한 공진 캐비티(C1,C2)의 길이는 상하부 반도체층(15a,15b) 및 제1 및 제2 도전형 반도체층(25a,25b)의 두께로서 조절될 수 있다.

이와 같이, 본 실시형태에 따른 다색 반도체 발광소자(20)는, 전기적 여기에 의해 발생된 제1 파장광을 증폭시키는 제1 공진 캐비티 구조(C1)와, 상기 제1 파장광을 광학적으로 여기시켜 제2 파장광으로 변환하는 제2 공진 캐비티 구조(C2)를 제공한다.

도2는 도1에 도시된 다색 발광소자에서 광의 증폭 및 파장변환과정을 설명하기 위한 개략도이다.

도2를 참조하면, 제1 및 제2 전극(29a,29b)에 전압이 인가되면, 제1 활성층(27)에서는 캐리어 재결합에 의해 1차적으로 제1 파장광(λ₁)이 생성된다. 생성된 제1 파장광은 금속 반사층(28)과 제2 DBR 구조(24)에 의해 제2 반도체 적층체(25)에서 공진되어 증폭된다. 증폭된 제1 파장광(λ₁')은 제1 반도체 적층체(15)로 진행하고, 그 중 일부가 상기 파장변환층(17)에 흡수되어 제2 파장광(λ₂)으로 변환된다. 여기서, 통상적인 파장변환층(17)은 높은 변환효율을 기대하기 어렵다. 따라서, 본 실시형태에서는, 상기 제1 파장광(λ₁')을 상기 제1 및 제2 DBR 구조(14,24)에 의해 상기 제2 반도체 적층체(25)에서 다중반사시켜 실질적인 파장변환효율을 높임으로써 충분한 휘도의 제2 파장광을 얻을 수 있다. 결과적으로, 변환되지 않고 방출되는 제1 파장광(λ₁")과 함께 제2 파장광(λ₂)을 방출하는 다색 반도체 발광소자(20)를 제공할 수 있다.

이와 같이, 본 실시형태에 따른 다색 반도체 발광소자(20)에서는, 상기 제1 공진 캐비티(C1)는 전기적 여기에 이해 생성된 제1 파장광을 증폭시키고, 상기 제2 공진 캐비티(C2)는 상기 증폭된 제1 파장광의 일부를 광학적 여기에 의해 제2 파장광으로 변환시킴으로써 보다 높은 효율로 제1 파장광과 제2 파장광이 동시에 방출될 수 있다.

여기서, 상기 활성층의 제1 파장광과 상기 파장변환층으로부터 변환된 제2 파장광이 조합되어 백색광을 방출하도록 구성함으로써, 모놀리식 백색 발광소자를 구현할 수 있다.

특히, 질화물 반도체 발광소자에서는, 장파장인 광을 생성할 경우(즉, 양자우물층의 In 함량을 높일 경우)에 발광효율이 낮아지므로, 본 발명에 따라 2개의 공진구조를 이용하는 다색 발광구조가 보다 유익하게 채용될 수 있다.

도4는 본 발명의 바람직한 실시형태로서, 백색광을 위한 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 측단면도이다.

도4에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자(60)는, 제1 DBR 질화물 반도체층(54), 파장변환층(57)을 갖는 제1 질화물 반도체 적층체(55), 제2 DBR 질화물 반도체층(54), 활성층(67)을 갖는 제2 질화물 반도체 적층체(65) 및 금속 반사층(68)이 사파이어 기판(51) 상에 순차적으로 적층된 구조를 갖는다. 상기 기판(51) 상에는 고품질 결정 성장을 위해서 버퍼층(52)이 추가로 형성될 수 있다.

상기 제2 질화물 반도체 적층체(65)는 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층(65a,65b)과 그 사이에 형성된 2개의 활성층(67,68)을 포함한다. 상기 2개의 활성층(67,68)은 백색 발광소자의 구현을 위해서 각각 청색 및 녹색을 위한 파장광을 방출하도록 설계될 수 있으며, In함량(x)이 다른 In_xGa_1-xN일 수 있다.

상기 제1 및 제2 활성층(67,68)은 도1에 도시된 구조와 유사하게, 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층(65a,65b) 상에 각각 접속된 제1 및 제2 전극(69a,69b)에 의해 제공되는 캐리어(전자 및 전공)를 재결합시켜 청색 및 녹색 파장광을 각각 생성한다.

또한, 상기 제2 질화물 반도체 적층체(65)는 상기 제2 DBR 질화물 반도체층(64)와 상기 금속 반사층(68)에 의해 청색 및/또는 녹색 파장광의 증폭을 위한 제1 공진 캐비티(C1)로서 작용할 수 있다. 즉, 상기 제1 공진 캐비티(C1)의 설계에 따라, 청색광 또는 녹색광, 필요에 따라 모두(효율이 다소 낮더라도)를 공진모드에 의해 증폭시킬 수 있다.

상기 제2 DBR 질화물 반도체층(64)은 서로 다른 굴절율을 갖는 2종의 질화물막(64a,64b)이 교대로 적층되어 이루어질 수 있다. 예를 들어, 2종의 질화물층(64a,64b)은 Al_yGa_1-yN(0≤y<1)로 이루어질 수 있으며, Al함량(y)의 차이를 이용하 여 원하는 굴절률 차이를 확보할 수 있다.

상기 금속 반사층(68)은 Ag, Ni, Al, Ph, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 고반사성 금속물질로 이루어질 수 있다. 다만, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층(65b)과 오믹접촉을 형성할 수 있는 금속이 바람직하다.

상기 제1 질화물 반도체 적층체(55)는 상부 및 하부 질화물 반도체층(55a,55b)과 그 사이에 형성된 파장변환층(57)을 포함한다. 상기 파장변환층(57)은 상기 활성층(67,68)과 유사한 조성을 가질 수 있으나, 적색 파장광을 얻기 위한 In 함량이 높은 질화물 반도체층으로 형성된다. 상기 파장변환층(57)은 상기 활성층(67,68)과 달리, 청색 또는 녹색 파장광을 흡수하여 적색 파장광으로 변환시킨다.

또한, 상기 제1 질화물 반도체 적층체(55)는 상기 제1 및 제2 DBR 질화물 반도체층(54,64)에 의해 청색 또는 녹색광에 대한 제2 공진 캐비티(C2)로서 작용할 수 있다. 여기서, 상기 제2 공진 캐비티(C2)는 상기 파장변환층(67)에서의 광학적 여기에 의한 파장변환효율을 높이기 위해서 채용된다. 다만, 우수한 백색을 구현하기 위해서, 상대적으로 청색광보다는 녹색광의 크기가 큰 것이 요구되므로, 청색광이 파장변환층(67)에 의해 변환될 수 있도록 설계하는 것이 바람직하다.

이러한 반사율 조건은, 상기 제2 DBR 질화물 반도체층(64)와 유사하게, 상기 각 반도체막(54a,54b)의 두께 및 굴절률과 그 적층횟수를 적절히 설계함으로써 만족시킬 수 있다.

이와 같이, 본 실시형태에 따른 백색 질화물 반도체 발광소자(60)는, 전기적 여기에 의해 발생된 청색 또는 녹색 파장광을 증폭시키는 제1 공진 캐비티 구조(C1)와, 상기 청색 또는 녹색 파장광을 광학적으로 여기시켜 적색 파장광으로 변환하는 제2 공진 캐비티 구조(C2)를 제공한다. 결과적으로, 파장변환층(57)에 의해 변환되지 않은 청색 및 녹색광과 함께 적색광이 함께 제공될 수 있다. 여기서, 각 변환효율과 공진구조를 적절히 설계함으로써 최종적으로 삼색의 조합을 통해 백색광을 방출하는 질화물 반도체 발광소자(60)를 제공할 수 있다.

본 실시형태에 따른 백색 질화물 반도체 발광소자(60)는 기판(51)에서 동일한 질화물 반도체로 이루어질 수 있으므로, 일괄적인 성장이 가능한 모놀리식 구조로 제공될 수 있다. 또한, 장파장에서의 낮은 발광효율 문제를 2중 공진 캐비티 구조를 통해 해결함으로써 높은 효율로 우수한 백색광을 제공할 수 있다.

이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.

도2은 도1에서 파장변환층에서의 파장변환원리를 설명하기 위한 에너지 밴드다이어그램이다.

도3는 도1에 도시된 다색 발광소자에서 광의 증폭 및 파장변환과정을 설명하기 위한 개략도이다.

도4는 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 백색 발광소자를 나타내는 측단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명>

11: 기판 12: 버퍼층

14: 제1 DBR 구조 14a,14b: 제1 및 제2 반도체막

15: 제1 반도체 적층물 15a: 하부 반도체층

15b: 상부 반도체층 17: 파장변환층

24: 제2 DBR 구조 24a,24b: 제3 및 제4 반도체막

25: 제1 반도체 적층물 25a,25b: 제1 및 제2 도전형 반도체층

27: 활성층 28: 금속 반사층

29a,29b: 제1 및 제2 전극

Claims

서로 다른 굴절율을 갖는 제1 및 제2 반도체막이 교대로 적층되어 이루어진 제1 DBR 구조;

상기 제1 DBR 구조 상에 형성되며, 제1 파장광을 흡수하여 상기 제1 파장광보다 장파장인 제2 파장광을 방출하는 파장변환층을 갖는 제1 반도체 적층물;

상기 제1 반도체 적층물 상에 형성되며, 서로 다른 굴절율을 갖는 제3 및 제4 반도체막이 교대로 적층된 제2 DBR 구조;

상기 제2 DBR 구조 상에 형성된 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체 상에 형성되어 전압인가에 의해 자체적으로 제1 파장광을 생성하는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 반도체층을 갖는 제2 반도체 적층물; 및

상기 제2 반도체 적층물의 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 금속 반사층을 포함하는 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제2 반도체 적층물은 상기 제1 도전형 반도체층의 일부영역이 노출되도록 메사에칭된 구조를 가지며,

상기 금속 반사층과 상기 제1 도전형 반도체층의 노출영역 상에 각각 형성된 제1 및 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 금속 반사층은 Ag, Ni, Al, Ph, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제1 및 제2 DBR 구조와 상기 제1 및 제2 반도체 적층물은 질화물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제4항에 있어서,

상기 제1 및 제2 DBR 구조와 상기 제1 및 제2 반도체 적층물은 기판 상에 상기 적층순서에 따라 연속적으로 성장된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 반도체 발광소자는 상기 활성층의 제1 파장광과 상기 파장변환층으로부터 변환된 제2 파장광이 조합되어 백색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제2 반도체 적층물은 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 상기 제1 파장광과 다른 파장의 광을 생성하는 추가적인 활성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제7항에 있어서,

상기 제2 반도체 적층물의 상기 추가적인 활성층은 상기 제1 파장광보다 단파장의 광을 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
제8항에 있어서,

상기 제2 반도체 적층물의 2개의 활성층은 각각 청색 및 녹색의 광을 생성하며, 상기 제1 반도체 적층물의 파장변환층은 상기 청색 및 녹색의 광을 흡수하여 적색의 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.