KR20120040011A - 발광 다이오드 - Google Patents

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KR20120040011A
KR20120040011A KR1020100101505A KR20100101505A KR20120040011A KR 20120040011 A KR20120040011 A KR 20120040011A KR 1020100101505 A KR1020100101505 A KR 1020100101505A KR 20100101505 A KR20100101505 A KR 20100101505A KR 20120040011 A KR20120040011 A KR 20120040011A
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김종배
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Abstract

발광 다이오드를 제공한다. 발광 다이오드는 하부 반도체층, 하부 반도체층 상에, 순차적으로 적층된 제1 발광층, 제1 공유 반도체층 및 제2 발광층을 포함하는 발광 구조체, 발광 구조체 상에 배치된 상부 반도체층, 상부 반도체층과 전기적으로 연결되는 상부 전극, 제1 공유 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 공유 전극, 상기 하부 반도체층과 전기적으로 연결되는 하부 전극을 포함한다. 이때, 상부 전극, 제1 공유 전극 및 하부 전극은 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.

Description

발광 다이오드{Light emitting diode}
본 발명은 발광 다이오드에 관련된 것으로서, 더욱 상세하게는 다층 구조의 발광 다이오드에 관련된 것이다.
발광 다이오드는 P-N 접합 다이오드의 일종으로 순 방향으로 전압이 인가될 때, 단파장광이 방출되는 현상인 전기발광효과를 이용한 반도체 소자로서, 발광 다이오드로부터 방출되는 빛의 파장은 사용되는 소재의 밴드 갭 에너지에 의해 결정된다. 이러한 발광 다이오드의 시장성 증대를 위하여 고출력 성능을 유지하면서 다양한 색상 및 보색광의 조합에 의한 백색광 구현 등의 연구가 진행되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 일 기술적 과제는 다양한 색상 및 백색광 구현이 가능한 고출력 발광 다이오드를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 개념에 따른 일 실시예는 발광 다이오드를 제공한다. 상기 발광 다이오드는, 하부 반도체층, 상기 하부 반도체층 상에, 순차적으로 적층된 제1 발광층, 제1 공유 반도체층 및 제2 발광층을 포함하는 발광 구조체, 상기 발광 구조체 상에 배치된 상부 반도체층, 상기 상부 반도체층과 전기적으로 연결되는 상부 전극, 상기 제1 공유 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 공유 전극, 상기 하부 반도체층과 전기적으로 연결되는 하부 전극을 포함한다. 상기 상부 전극, 제1 공유 전극 및 하부 전극은 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.
본 발명의 개념에 따른 실시예들에 따르면, 다수의 발광층들로부터 발광하는 광의 파장을 조절함으로써, 고출력의 광이나 다양한 조합의 광을 발생시킬 수 있다. 또한, 상부 전극, 제1 공유 전극, 제2 공유 전극 및 하부 전극이 전기적으로 병렬 연결되어, 하나의 전원으로부터 인가되는 구동 전압이 동일할 수 있다. 더불어, 다수의 발광층들을 구비함으로써, 유효 면적을 동일하게 유지함과 동시에, 기판 상에 구비되는 발광 다이오드의 실제 면적을 감소시킬 수 있다. 즉, 동일한 크기의 기판 면적에서 획득될 수 있는 발광 다이오드의 수량을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 다이오드로 인가되는 전원을 나타내는 계략도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 도 4 및 도 5에 도시된 발광 다이오드로 인가되는 전원을 나타내는 계략도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
(제1 실시예 )
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드(10)는, 하부 반도체층(100), 발광 구조체(110) 및 상부 반도체층(120)을 포함할 수 있다. 또한, 발광 다이오드(10)는 하부 전극(122), 공유 전극(124) 및 상부 전극(126)을 포함할 수 있다.
하부 반도체층(100)은 제1 폭을 갖는 사방형상을 가질 수 있다.
또한, 하부 반도체층(100)은 n형 또는 p형 반도체층일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 하부 반도체층(100)은 n형 반도체층일 수 있다. 예컨대, 하부 반도체층(100)은 n형 GaxN1 -x(0<x<1)층 및 도핑되지 않은 GaxN1 -x(0<x<1)층을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 하부 반도체층(100)은 p형 반도체층일 수 있다. 예컨대, 하부 반도체층(100)은 p형 GaxN1 -x(0<x<1)층일 수 있다.
하부 전극(122)은 하부 반도체층(100)에 전기적으로 연결되며 배치될 수 있다. 예컨대, 하부 전극(122)은 하부 반도체층(100)의 일 면에 접하며 구비될 수 있다.
하부 반도체층(100)의 타 면상에는 발광 구조체(110)가 적층될 수 있다. 발광 구조체(110)는 제1 발광층(102), 공유 반도체층(104) 및 제2 발광층(106)을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 따르면, 제1 발광층(102), 공유 반도체층(104) 및 제2 발광층(106)은 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다. 제1 발광층(102)은 하부 반도체층(100)과 실질적으로 동일한 제1 폭을 가질 있다. 제2 발광층(106)은 상기 제1 폭보다 실질적으로 좁은 제2 폭을 가질 수 있다.
제1 발광층(102)은 양자 우물층(Multi Quantum Well: MQW)을 포함할 수 있다. 상기 양자우물층은 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 방사할 수 있다. 제1 발광층(102)은 InxGa1 -xN(0≤x<1)층일 수 있다.
공유 반도체층(104)은 n형 또는 p형 반도체층일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 하부 반도체층(100)이 n형 반도체층일 경우, 공유 반도체층(104)은 p형 반도체층일 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 하부 반도체층(100)이 p형 반도체층일 경우, 공유 반도체층(104)은 n형 반도체층일 수 있다.
공유 반도체층(104)은 상기 제1 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 하부 및 상기 제2 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 상부를 포함할 수 있다. 따라서, 공유 반도체층(104)은 단차부를 가질 수 있다. 단차부에 의해 공유 반도체층(104)이 노출될 수 있다.
공유 전극(124)은 공유 반도체층(104)에 전기적으로 연결되도록 배치될 수 있다. 예컨대, 공유 전극(124)은 공유 반도체층(104)의 단차부 상에 접하며 구비될 수 있다.
제2 발광층(106)은 양자 우물층을 포함할 수 있다. 제2 발광층(106)은 제1 발광층(102)에 포함된 물질과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2 발광층(106)은 InxGa1-xN(0≤x<1)층일 수 있다.
상부 반도체층(120)은 n형 또는 p형 반도체층일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 하부 반도체층(100)이 n형 반도체층이고, 공유 반도체층(104)이 p형 반도체층일 경우, 상부 반도체층(120)은 n형 반도체층일 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 하부 반도체층(100)이 p형 반도체층이고, 공유 반도체층(104)이 n형 반도체층일 경우, 상부 반도체층(120)은 p형 반도체층일 수 있다.
또한, 상부 반도체층(120)은 제2 발광층(106)과 실질적으로 동일한 제2 폭을 가질 수 있다.
상부 전극(126)은 상부 반도체층(120)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 상부 전극(126)은 상부 반도체층(120) 상부에 접하며 구비될 수 있다.
발광 다이오드(10)의 공유 전극(124)을 중심으로 상부 전극(126) 및 하부 전극(122)은 전기적으로 병렬 연결될 수 있다. 공유 전극(124), 상부 전극(126) 및 하부 전극(122)으로 전압을 인가하면, 전류가 흐르면서 제1 발광층(102) 및 제2 발광층(106)에서 독립적으로 빛이 발광할 수 있다.
제1 발광층(102) 및 제2 발광층(106)을 포함하는 발광 다이오드(10)는, 적색, 녹색, 청색의 가시광선 발광 다이오드, 적외선 발광 다이오드, 자외선 발광 다이오드 등 발광 다이오드의 종류나 소재 물질과 관계없이 모두 적용될 수 있다. 본 발명의 발광 다이오드(10)는 특정한 물질이나 특수한 파장의 발광 다이오드에 사용될 수 있는 제한적인 내용의 발명이 아니라, 기존에 개발되어 이미 사용하고 있는 발광 다이오드에도 칩의 새로운 구조체로써 적용할 수 있고, 또 향후 개발될 새로운 발광 다이오드 칩의 구조에도 적용될 수 있는 원천성을 가지고 있다.
발광 다이오드(10)는 실제로 많은 빛이 옆 측면으로 나오는데, 대면적 발광 다이오드의 경우 면적이 크기 때문에 발광층(102, 106)에서 발광 된 빛이 옆으로 진행하여 외부로 나오기까지의 전파 경로가 길어져 내부에서 흡수되어 외부로 추출되어야 할 상당 부분의 빛이 손실된다. 본 발명의 발광 다이오드(10)는 동일한 출력을 기준으로 일반적인 고출력 발광 다이오드에 비해 상대적인 면적 크기를 줄일 수 있어, 발광된 빛이 진행하는 측면 길이를 줄일 수 있으므로 발광 효율을 높이는데 유리하다. 게다가, 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드(10)는 빛을 발광하는 발광층이 두 개인 이중 발광층(102, 106)의 구조이므로, 제1 및 제2 발광층(102, 106)에서 각각 동일 파장의 빛을 발광하여 출력이 배가 되는 고출력 발광 다이오드의 제작에 적용될 수 있다. 하나의 발광층을 가진 두 개의 일반형 발광 다이오드에서 나오는 빛의 양이 이중 발광층을 가진 하나의 발광 다이오드에서 나올 수 있으므로, 동일한 빛의 파장을 발광하도록 각각의 발광층을 구성하면 발광하는 광출력이 배가 될 수 있는 것이다. 이로써 두 개의 일반형 발광 다이오드를 합친 형태를 하나의 발광 다이오드(10)로 대체할 수 있어 공정 비용을 절감하여 제작 원가를 낮추면서 발광 다이오드(10)의 성능을 높일 있고, 또한 동일한 면적에서 더 많은 수의 칩을 양산할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드(10)는 빛을 발광하는 발광층이 두 개인 이중 발광층(102, 106)의 구조이므로, 제1 및 제2 발광층(102, 106)에서 각각 다른 파장의 빛을 발광하도록 발광층을 구성하여 두 개의 다른 파장의 빛을 발광할 수 있다. 하나의 발광 다이오드(10) 구조에서 두 개의 다른 파장의 빛이 독립적으로 발광하는 것이다. 하나의 발광 다이오드에서 다른 두 파장의 빛을 발광하여 두 빛을 합침으로써 다양한 조합의 발광이 가능하며, 두 개의 일반형 발광 다이오드를 하나의 발광 다이오드(10)로 대체할 수 기술적 경제적 효과가 있다. 하나의 발광 다이오드(10) 구조에서 두 개의 다른 파장의 빛이 독립적으로 발광하는 것이 가능하므로, 이상적으로는 두 개의 발광 파장이 보색 관계가 되게 하여 하나의 단일 발광 다이오드에서 백색광을 구현할 수 있다. 예를 들자면, 주황색과 청록색을 4:1 정도로 섞으면 백색광이 되는데, 두 개의 발광층(102, 106)에서 이런 파장의 광파를 독립적으로 발광하여 하여 조합하면 하나의 발광 다이오드(10)에서 백색광을 구현할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드(10) 두 개를 조합하거나 또는 발광 다이오드와 하나의 발광층을 가진 일반 발광 다이오드를 조합하면 다양한 구성이 가능하다. 두 종류의 발광 다이오드의 조합은 세 개 또는 네 개의 독립적인 발광층에서 최대 네 개의 서로 다른 파장의 빛을 독립적으로 발광할 수 있기 때문에, 다양한 조합의 발광이 가능하다. 또 이들 파장을 잘 이용하여 다양하게 조합하면 2색의 보색 관계에 의한 백색광, 3색의 보색 관계에 의한 백색광, 4색의 보색 관계에 의한 백색광을 구현할 수 있다. 보색 관계의 두 파장의 빛을 두 개의 발광층에서 동일하게 발광하면 2색광에 의한 백색광 구현, 보색 관계의 세 파장의 빛을 한 파장씩 발광하는 발광층 두 개와 다른 나머지 파장의 빛을 발광하는 발광층 한 개를 조합하면 3색광에 의한 백색광 구현, 보색 관계의 네 파장의 빛을 각각 하나의 발광층에서 발광하게 조합하면 4색광에 의한 백색광 구현이 가능하다. 일반적인 백색광 구현 방법 가운데 형광체를 사용하지 않고 발광 다이오드만을 사용하는 구도는 보색 관계인 두 파장의 빛을 내는 두 개의 발광 다이오드를 사용하거나 또는 보색 관계인 세 파장의 빛을 내는 세 개의 발광 다이오드를 사용한다. 본 발명의 실시예에 따른 구조의 발광 다이오드(10)는 기존의 백색광 발광에 필요한 발광 다이오드의 개수를 줄일 수 있게 하여, 하나 또는 두 개의 발광 다이오드(10)를 사용하여 백색광 구현을 가능하게 한다.
(제2 실시예 )
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 발광 다이오드(20)는 기판(200), 하부 반도체층(210), 발광 구조체(220) 및 상부 반도체층(230)을 포함할 수 있다. 또한, 발광 다이오드(20)는 하부 전극(232), 공유 전극(234) 및 상부 전극(236)을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 발광 다이오드(20)는 기판(200), 하부 반도체층(210), 발광 구조체(220) 및 상부 반도체층(230)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
기판(200)은 사파이어, SiC, GaN, Si 또는 GaAs 기판일 수 있으며, 질화물 반도체의 격자 상수(lattice constant)에 가까운 격자 상수를 갖는 단결정성 산화물이 사용될 수 있다. 또한, 기판(200)은 제1 폭을 가질 수 있다.
하부 반도체층(210)은 기판(200) 상에 적층될 수 있다. 하부 반도체층(210)은 기판(200)과 실질적으로 동일한 제1 폭을 갖는 하부 및 상기 제1 폭보다 실질적으로 좁은 제2 폭을 갖는 상부를 포함할 수 있다. 즉, 하부 반도체층(210)은 제1 단차부를 가질 수 있다. 제1 단차부는 하부 반도체층(210)의 상부면을 외부로 노출시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 기판 상에 하부 반도체층이 형성되는 공정을 간략하게 설명하기로 한다. 예컨대, 기판으로는 사파이어 기판을 사용하여 하부 반도체층은 GaN을 포함할 수 있다. 사파이어 기판에 하부 반도체층을 적층하는데 격자 상수의 차이 때문에 사파이어 기판과 하부 반도체층 사이에 버퍼층(buffer layer)을 먼저 형성하여 에피택시얼 성장(epitaxial grow)을 시도할 수 있다. 통상적으로 반도체 성장에 사용되는 실리콘 기판 대신에 고가의 사파이어 기판이 사용되는 이유는 GaN 물질과 격자 상수 차이가 실질적으로 근소하기 때문이다. 사파이어 기판 위에 실제 유기 금속 화학 기상 증착법 (MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition)에 의하여 GaN 물질이 성장되는 온도가 1,000℃ 근방의 매우 높은 온도인데, 이와 같은 고온에서 GaN 물질을 성장하여 상온으로 냉각할 경우 사파이어 기판과 GaN 물질의 온도 변화에 따른 팽창 계수가 달라 기판이 휘어지는 등 심각한 문제가 발생할 수 있다. 이로 인하여 GaN 물질을 에피성장하는 사파이어 기판은 보통 2인치 크기의 규모이고 4인치 내지 6인치 크기의 규모가 출시되고 있으나 위에서 설명한 바대로 두 물질간의 온도 변화에 따른 팽창 계수의 차이로 기판의 크기를 확대하는 데에는 물리적으로 한계가 존재할 수 있다. 즉, GaN 물질을 성장하기 위해 격자 상수가 가까운 사파이어 기판을 사용할 수밖에 없지만 온도 변화에 따른 팽창 계수의 차이로 대면적의 기판을 사용하는 데에는 일정한 한계가 존재할 수 있다.
하부 전극(232)은 하부 반도체층(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 하부 전극(232)은 제1 단차부에 의해 노출된 하부 반도체층(210)의 상부면 상에 접하며 구비될 수 있다.
발광 구조체(220)는 제1 발광층(212), 공유 반도체층(214) 및 제2 발광층(216)을 포함할 수 있다. 제1 발광층(212)은 하부 반도체층(210)의 상부와 실질적으로 동일한 제2 폭을 가질 수 있으며, 제2 발광층(216)은 제2 폭보다 실질적으로 좁은 제3 폭을 가질 수 있다.
공유 반도체층(214)은 상기 제2 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 하부 및 상기 제3 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 상부를 포함할 수 있다. 즉, 공유 반도체층(214)은 제2 단차부를 가질 수 있다. 제2 단차부는 공유 반도체층(214)의 상부면을 외부로 노출시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제2 단차부는 제1 단차부와 서로 멀리 떨어질 수 있도록 반대편으로 형성하는 구도를 가질 수 있다. 이는 제1 단차부에 구비되는 하부 전극(232) 및 제2 단차부에 구비되는 공유 전극(234)이 되도록 멀리 떨어지는 것이 바람직하기 때문이다. 하부 전극(232) 및 공유 전극(234)이 동일한 방향에 형성되면, 전류가 전극이 존재하는 한 방향으로 밀집하여, 제1 및 제2 발광층(212, 216) 전체에 충분한 전류를 공급할 수 없어, 발광 효율이 저하될 수 있다.
상부 반도체층(230)은 상기 제2 발광층(216)과 실질적으로 동일한 제3 폭을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 하부 반도체층(210), 발광 구조체(220), 상부 반도체층(230), 하부 전극(232), 공유 전극(234) 및 상부 전극(236)의 상세한 설명은 도 1에 따른 제1 실시예에서 설명한 것과 유사하여 생략하기로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드(20)는 다수의 발광층들(212, 216)로부터 발광하는 광의 파장을 조절함으로써, 고출력의 광이나 다양한 조합의 광을 발생시킬 수 있다. 또한, 상부 전극(236) 제1 공유 전극(234) 및 하부 전극(232)이 전기적으로 병렬 연결되어, 하나의 전원으로부터 인가되는 구동 전압이 동일할 수 있다. 더불어, 다수의 발광층들(212, 216)을 구비함으로써, 유효 면적을 동일하게 유지함과 동시에, 기판(200) 상에 구비되는 발광 다이오드(20)의 실제 면적을 감소시킬 수 있다. 즉, 동일한 크기의 기판(200) 면적에서 획득될 수 있는 발광 다이오드(20)의 수량을 증가시킬 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 다이오드로 인가되는 전원을 나타내는 개략도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 각각의 반도체층은 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.
도 3a를 참조하면, 하부 반도체층은 n형 반도체층이고, 공유 반도체층은 p형 반도체층이고, 상부 반도체층이 n형 반도체층일 경우의 인가되는 전원을 나타낸다. 하부 및 상부 반도체층은 전원의 음극(-)과 연결되며, 공유 반도체층은 전원의 양극(+)과 연결된다.
도 3b를 참조하면, 하부 반도체층은 p형 반도체층이고, 공유 반도체층은 n형 반도체층이고, 상부 반도체층이 p형 반도체층일 경우의 인가되는 전원을 나타낸다. 하부 및 상부 반도체층은 전원의 양극(+)과 연결되며, 공유 반도체층은 전원의 음극(-)과 연결된다.
발광 다이오드의 한 중요한 주제가 구동 전압의 문제인데, 가능하면 가급적 낮은 구동 전압을 인가하여 높은 효율과 출력을 구현하고자 하는 것이다. 다수의 발광층을 포함하는 발광 다이오드를 전기 회로적 관점에서 살펴보면, 하부 전극, 공유 전극 및 상부 전극에 의하여 연결된 제1 및 제2 발광층은 전기적으로 병렬 연결되는 구조이다. 상기와 같은 구조의 발광 다이오드가 하나의 전원으로부터 병렬 연결된 구조라는 것은 구동 전압의 관점에서 매우 중요한 의미를 가질 수 있다. 제1 및 제2 발광층이 전기적으로 직렬로 연결되어 있으면 각각의 발광층을 구동하기 위해 전체적으로는 각 발광층을 구동하는 개개 전압의 합이 필요하다. 하지만, 병렬 연결된 구조에서는 제1 및 제2 발광층을 구동하기 위하여 개개 전압의 합에 해당하는 높은 전압을 가할 필요가 없이 하나의 발광층 구동에 필요한 전압만으로 구동이 가능하다. 또한, 병렬 연결된 구조는 발광 다이오드가 작동 중 혹 하나의 발광층이 문제가 생겨 발광을 하지 않더라도 나머지 다른 하나의 발광층이 문제의 발광층과는 무관하게 계속 동작할 수 있는 형태의 구조이다.
(제3 실시예 )
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 발광 다이오드(30)는, 하부 반도체층(300), 발광 구조체(312) 및 상부 반도체층(320)을 포함할 수 있다. 또한, 발광 다이오드(30)는 하부 전극(322), 제1 공유 전극(324), 제2 공유 전극(326) 및 상부 전극(328)을 포함할 수 있다.
하부 반도체층(300)은 제1 폭을 가질 수 있다. 하부 전극(322)은 하부 반도체층(300)의 일 면에 전기적으로 접하며 구비될 수 있다.
발광 구조체(312)는, 제1 발광층(302), 제1 공유 반도체층(304), 제2 발광층(306), 제2 공유 반도체층(308) 및 제3 발광층(310)을 포함할 수 있다. 예컨대, 발광 구조체(312)는 제1 발광층(302), 제1 공유 반도체층(304), 제2 발광층(306), 제2 공유 반도체층(308) 및 제3 발광층(310)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
제1 발광층(302)은 하부 반도체층(300)과 실질적으로 동일한 제1 폭을 가질 수 있다. 제2 발광층(306)은 상기 제1 폭보다 실질적으로 좁은 제2 폭을 가질 수 있다. 제3 발광층(310)은 상기 제2 폭보다 실질적으로 좁은 제3 폭을 가질 수 있다.
제1 공유 반도체층(304)은 상기 제1 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 하부 및 상기 제2 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 상부를 포함할 수 있다. 따라서, 제1 공유 반도체층(304)은 제1 단차부를 가질 수 있다. 제1 공유 전극(324)은 제1 단차부에 의해 노출된 제1 반도체층의 상부면에 접하며 배치될 수 있다.
제2 공유 반도체층(308)은 상기 제2 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 하부 및 상기 제3 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 상부를 포함할 수 있다. 따라서, 제2 공유 반도체층(308)은 제2 단차부를 가질 수 있다. 제2 공유 전극(326)은 제2 단차부에 의해 노출된 제2 반도체층의 상부면에 접하며 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제2 단차부는 제1 단차부와 서로 멀리 떨어질 수 있도록 반대편으로 형성하는 구도를 가질 수 있다. 이는 제1 단차부에 구비되는 제1 공유 전극(324) 및 제2 단차부에 구비되는 제2 공유 전극(326)이 되도록 멀리 떨어지는 것이 바람직하기 때문이다. 제1 공유 전극(324) 및 제2 공유 전극(326)이 동일한 방향에 형성되면, 전류가 전극이 존재하는 한 방향으로 밀집하여, 제1 내지 제3 발광층(302, 306, 310) 전체에 충분한 전류를 공급할 수 없어, 발광 효율이 저하될 수 있다.
상부 반도체층(320)은 제2 발광층(306)과 실질적으로 동일한 제3 폭을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 하부 반도체층(300), 발광 구조체(312), 상부 반도체층(320), 하부 전극(322), 제1 및 제2 공유 전극(324, 326) 및 상부 전극(328)의 상세한 설명은 도 1에 따른 제1 실시예에서 설명한 것과 유사하여 생략하기로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드(30)는 다수의 발광층들(302, 306, 310)로부터 발광하는 광의 파장을 조절함으로써, 고출력의 광이나 다양한 조합의 광을 발생시킬 수 있다. 또한, 상부 전극(328), 제1 공유 전극(324), 제2 공유 전극(326) 및 하부 전극(322)이 전기적으로 병렬 연결되어, 하나의 전원으로부터 인가되는 구동 전압이 동일할 수 있다. 더불어, 다수의 발광층들(302, 306, 310)을 구비함으로써, 유효 면적을 동일하게 유지함과 동시에, 구비되는 발광 다이오드의 실제 면적을 감소시킬 수 있다.
(제4 실시예 )
도 5는 본 발명의 또 따른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 발광 다이오드(40)는, 기판(400), 하부 반도체층(410), 발광 구조체(422) 및 상부 반도체층(430)을 포함할 수 있다. 또한, 발광 다이오드(40)는, 하부 전극(432), 제1 공유 전극(434), 제2 공유 전극(436) 및 상부 전극(438)을 포함할 수 있다.
기판(400)은 제1 폭을 가질 수 있다. 하부 반도체층(410)은 상기 제1 폭과 실질적으로 동일한 폭을 갖는 하부 및 상기 제1 폭보다 실질적으로 좁은 제2 폭을 갖는 상부를 포함할 수 있다. 하부 반도체층(410)은 제1 단차부를 포함할 수 있다. 하부 전극(432)은 제1 단차부에 의해 노출되는 하부 반도체층(410) 상부에 배치할 수 있다.
발광 구조체(422)는 제1 발광층(412), 제1 공유 반도체층(414), 제2 발광층(416), 제2 공유 반도체층(418) 및 제3 발광층(420)을 포함할 수 있다. 제1 발광층(412)은 하부 반도체층(410)의 상부와 실질적으로 동일한 제2 폭을 가지며, 제2 발광층(416)은 상기 제2 폭보다 실질적으로 좁은 제3 폭을 가지며, 제3 발광층(420)은 상기 제3 폭보다 좁은 제4 폭을 가질 수 있다.
제1 공유 반도체층(414)은 상기 제2 폭과 실질적으로 동일한 폭의 하부 및 상기 제3 폭과 실질적으로 동일한 폭의 상부를 포함할 수 있다. 제1 공유 반도체층(414)은 제2 단차부를 가질 수 있다. 제1 공유 전극(434)은 제2 단차부에 의해 노출되는 제1 공유 반도체층(414) 상부에 구비될 수 있다.
제2 공유 반도체층(418)은 상기 제3 폭과 실질적으로 동일한 폭의 하부 및 상기 제4 폭과 실질적으로 동일한 폭의 하부를 포함할 수 있다. 제2 공유 반도체층(418)은 제3 단차부를 가질 수 있다. 제2 공유 전극(436)은 제3 단차부에 의해 노출된 제2 공유 반도체층(418) 상부에 구비될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 단차부 내지 제3 단차부는 서로 멀리 떨어질 수 있는 구조를 갖도록 형성될 수 있다. 이는 제1 단차부에 구비되는 하부 전극(432), 제2 단차부에 구비되는 제1 공유 전극(434) 및 제3 단차부에 구비되는 제2 공유 전극(436)이 되도록 멀리 떨어지는 것이 바람직하기 때문이다. 하부 전극(432), 제1 및 제2 공유 전극(434, 436)이 동일한 방향에 형성되면, 전류가 전극이 존재하는 한 방향으로 밀집하여, 제1 내지 제3 발광층(412, 416, 420) 전체에 충분한 전류를 공급할 수 없어, 발광 효율이 저하될 수 있다.
상부 반도체층(430)은 제3 발광층(420)과 실질적으로 동일한 제3 폭을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판(400), 하부 반도체층(410), 발광 구조체(422), 상부 반도체층(430), 하부 전극(432), 제1 및 제2 공유 전극(434, 436) 및 상부 전극(438)의 상세한 설명은 도 2에 따른 제2 실시예에서 설명한 것과 유사하여 생략하기로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드(40)는 다수의 발광층들(412, 416, 420)로부터 발광하는 광의 파장을 조절함으로써, 고출력의 광이나 다양한 조합의 광을 발생시킬 수 있다. 또한, 상부 전극(438), 제1 공유 전극(424), 제2 공유 전극(436) 및 하부 전극(432)이 전기적으로 병렬 연결되어, 하나의 전원으로부터 인가되는 구동 전압이 동일할 수 있다. 더불어, 다수의 발광층들(412, 416, 420)을 구비함으로써, 유효 면적을 동일하게 유지함과 동시에, 구비되는 발광 다이오드의 실제 면적을 감소시킬 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 도 4 및 도 5에 도시된 발광 다이오드로 인가되는 전원을 나타내는 계략도이다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 각각의 반도체층은 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.
도 6a를 참조하면, 하부 반도체층이 n형 반도체층이고, 제1 공유 반도체층이 p형 반도체층이고, 제2 공유 반도체층이 n형 반도체층이고, 상부 반도체층이 p형 반도체층일 수 있다. 하부 반도체층 및 제2 공유 반도체층으로 전원의 음극(-)을 인가하고, 상부 반도체층 및 제1 공유 반도체층으로 전원의 양극(+)을 인가한다.
도 6b를 참조하면, 하부 반도체층이 p형 반도체층이고, 제1 공유 반도체층이 n형 반도체층이고, 제2 공유 반도체층이 p형 반도체층이고, 상부 반도체층이 n형 반도체층일 수 있다. 하부 반도체층 및 제2 공유 반도체층으로 전원의 양극(+)을 인가하고, 상부 반도체층 및 제1 공유 반도체층으로 전원의 음극(-)을 인가한다.
10; 다이오드 100; 하부 반도체층
102; 제1 발광층 104; 공유 반도체층
106; 제2 발광층 110; 발광 구조체
120; 상부 반도체층 122; 하부 전극
124; 공유 전극 126; 상부 전극

Claims (1)

  1. 하부 반도체층;
    상기 하부 반도체층 상에, 순차적으로 적층된 제1 발광층, 제1 공유 반도체층 및 제2 발광층을 포함하는 발광 구조체;
    상기 발광 구조체 상에 배치된 상부 반도체층;
    상기 상부 반도체층과 전기적으로 연결되는 상부 전극;
    상기 제1 공유 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 공유 전극; 그리고,
    상기 하부 반도체층과 전기적으로 연결되는 하부 전극을 포함하되,
    상기 상부 전극, 제1 공유 전극 및 하부 전극은 전기적으로 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101490174B1 (ko) * 2013-07-29 2015-02-05 광주과학기술원 다중 접합 구조를 가지는 발광 다이오드 및 이의 형성방법
WO2017090903A1 (ko) * 2015-11-27 2017-06-01 주식회사 썬다이오드코리아 매립된 p형 컨택층을 포함하는 발광다이오드
WO2019059561A1 (ko) * 2017-09-19 2019-03-28 주식회사 썬다이오드코리아 다중 터널 정션 구조를 가지는 발광 다이오드
WO2019135589A1 (en) * 2018-01-02 2019-07-11 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11527514B2 (en) 2017-12-20 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101490174B1 (ko) * 2013-07-29 2015-02-05 광주과학기술원 다중 접합 구조를 가지는 발광 다이오드 및 이의 형성방법
WO2017090903A1 (ko) * 2015-11-27 2017-06-01 주식회사 썬다이오드코리아 매립된 p형 컨택층을 포함하는 발광다이오드
US11152537B2 (en) 2017-09-19 2021-10-19 Sundiode Korea Light emitting diode with multiple tunnel junction structure
WO2019059561A1 (ko) * 2017-09-19 2019-03-28 주식회사 썬다이오드코리아 다중 터널 정션 구조를 가지는 발광 다이오드
US11610939B2 (en) 2017-11-27 2023-03-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11563052B2 (en) 2017-11-27 2023-01-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11289536B2 (en) 2017-11-27 2022-03-29 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11532664B2 (en) 2017-11-27 2022-12-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US11935912B2 (en) 2017-11-27 2024-03-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11289461B2 (en) 2017-12-05 2022-03-29 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11804511B2 (en) 2017-12-05 2023-10-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11804512B2 (en) 2017-12-14 2023-10-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11527513B2 (en) 2017-12-20 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11527514B2 (en) 2017-12-20 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11756984B2 (en) 2017-12-21 2023-09-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11522008B2 (en) 2018-01-02 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
WO2019135589A1 (en) * 2018-01-02 2019-07-11 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US11557577B2 (en) 2018-01-03 2023-01-17 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11923348B2 (en) 2018-01-03 2024-03-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same

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