KR100716792B1 - 질화물 반도체 소자 - Google Patents
질화물 반도체 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100716792B1 KR100716792B1 KR20050065571A KR20050065571A KR100716792B1 KR 100716792 B1 KR100716792 B1 KR 100716792B1 KR 20050065571 A KR20050065571 A KR 20050065571A KR 20050065571 A KR20050065571 A KR 20050065571A KR 100716792 B1 KR100716792 B1 KR 100716792B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- nitride semiconductor
- type cladding
- cladding layer
- superlattice
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
상기한 목적을 달성하기 위한 다른 본 발명은, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층과, 상기 n형 클래드층 상의 일부에, InXAlYGa1-X-YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있으며, Al과 In의 조성비를 다르게 하여 서로 다른 에너지 밴드를 가지게 형성된 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 다층 구조로 형성되어 있는 초격자층과, 상기 초격자층 상에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층과, 상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 초격자층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하고, 상기 초격자층은 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드보다 더 낮은 제1 질화물 반도체층과 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드보다 더 높은 제2 질화물 반도체층이 교대로 1회 이상 반복 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 또 다른 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층과, 상기 n형 클래드층 상의 일부에, 서로 3개 이상의 다른 에너지 밴드를 가지게 형성된 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 다층 구조로 형성되어 있는 초격자층과, 상기 초격자층 상에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층과, 상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 초격자층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
Claims (8)
- 삭제
- 삭제
- 기판;상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상의 일부에, InXAlYGa1-X-YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있으며, Al과 In의 조성비를 다르게 하여 서로 다른 에너지 밴드를 가지게 형성된 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 다층 구조로 형성되어 있는 초격자층;상기 초격자층 상에 형성되어 있는 활성층;상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층;상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극; 및상기 초격자층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하고,상기 초격자층은, 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드보다 더 높은 제1 질화물 반도체층과 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드보다 더 낮은 제2 질화물 반도체층이 교대로 1회 이상 반복 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 기판;상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상의 일부에, InXAlYGa1-X-YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있으며, Al과 In의 조성비를 다르게 하여 서로 다른 에너지 밴드를 가지게 형성된 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 다층 구조로 형성되어 있는 초격자층;상기 초격자층 상에 형성되어 있는 활성층;상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층;상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극; 및상기 초격자층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하고,상기 초격자층은 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드보다 더 낮은 제1 질화물 반도체층과 상기 n형 클래드층의 에너지 밴드보다 더 높은 제2 질화물 반도체층이 교대로 1회 이상 반복 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체층과 상기 제2 질화물 반도체층 사이에 어느 일방으로 에너지 밴드가 순차적으로 증가하는 1층 이상의 질화물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 p형 클래드층과 상기 p형 전극 사이에 형성되어 있는 투명 도전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 기판;상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상의 일부에, 서로 3개 이상의 다른 에너지 밴드를 가지게 형성된 질화물 반도체층이 순차적으로 적층되어 다층 구조로 형성되어 있는 초격자층;상기 초격자층 상에 형성되어 있는 활성층;상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층;상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극; 및상기 초격자층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제7항에 있어서,상기 초격자층을 구성하는 질화물 반도체층은, InXAlYGa1-X-YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있으며, Al과 In의 조성비를 다르게 하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20050065571A KR100716792B1 (ko) | 2005-07-20 | 2005-07-20 | 질화물 반도체 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20050065571A KR100716792B1 (ko) | 2005-07-20 | 2005-07-20 | 질화물 반도체 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070010736A KR20070010736A (ko) | 2007-01-24 |
KR100716792B1 true KR100716792B1 (ko) | 2007-05-14 |
Family
ID=38011903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20050065571A KR100716792B1 (ko) | 2005-07-20 | 2005-07-20 | 질화물 반도체 소자 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100716792B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101000279B1 (ko) | 2008-04-15 | 2010-12-10 | 우리엘에스티 주식회사 | 비대칭적 단위 유닛으로 구성된 클래드층을 이용한발광소자 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102313352B1 (ko) * | 2015-06-18 | 2021-10-15 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 및 이를 구비하는 조명시스템 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040029166A (ko) * | 1998-03-12 | 2004-04-03 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자 |
-
2005
- 2005-07-20 KR KR20050065571A patent/KR100716792B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040029166A (ko) * | 1998-03-12 | 2004-04-03 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101000279B1 (ko) | 2008-04-15 | 2010-12-10 | 우리엘에스티 주식회사 | 비대칭적 단위 유닛으로 구성된 클래드층을 이용한발광소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070010736A (ko) | 2007-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100631971B1 (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 | |
KR100703096B1 (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 | |
KR100674862B1 (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 | |
KR100835116B1 (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 | |
KR100604406B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR100703091B1 (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
US20130248817A1 (en) | White light emitting diode | |
KR101389348B1 (ko) | 질화갈륨계 반도체 발광소자 | |
KR100604423B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR102019858B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
KR101423720B1 (ko) | 다중양자웰 구조의 활성 영역을 갖는 발광 소자 및 그제조방법 | |
KR100638729B1 (ko) | 3족 질화물 발광 소자 | |
KR20090104454A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
KR100661606B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR20100027407A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
KR100803246B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR100850778B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR100716792B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR100721160B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR100836132B1 (ko) | 질화물계 반도체 발광다이오드 | |
KR101678524B1 (ko) | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20010068552A (ko) | 질화물 발광 소자 | |
KR102212781B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
KR100674709B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR20100059324A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130430 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140430 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150430 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160429 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170427 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180430 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190429 Year of fee payment: 13 |