JP6129051B2 - 反射鏡、面発光レーザ、レーザ装置、光音響装置及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
本発明は、AlGaN層とInGaN層の間にGaN層を配置した反射鏡において、高い反射率かつ広反射帯域を実現させることを目的とする。
本発明の反射鏡は、GaNを含む基板の上に、AlxGa1−xNを含む第1の層と、InyGa1−yNを含む第2の層と、第1の層と第2の層の間の少なくとも一部に配置されたGaNを含む第3の層と、を有している。AlxGa1−xNを含む第1の層は引張り歪みを有し、InyGa1−yNを含む第2の層は圧縮歪みを有しており、第1の層と第2の層とを交互に積層することで、歪みを補償することができる。より具体的には、GaNを含む基板の上にエピタキシャル成長された引張り歪みを有する第1の層の歪みε1と厚さt1との積と、圧縮歪みを有する第2の層の歪みε2と厚さt2の積の絶対値と、をほぼ等しくする。この構成により、反射鏡全体の歪みを補償し、格子歪みに起因するクラックやピットの発生を抑制する。
ε=(as−a0)/a0 ・・・式1
ここで、a0は、層の結晶が無歪みの時の格子定数、asは層の結晶が歪んでいる時の格子定数である。εが正の値であればその層の歪みは引張り歪みであり、負の値であればその層の歪みは圧縮歪みである。例えば、GaN基板の上に臨界膜厚を超えない厚さでエピタキシャル成長したInGaN層の場合を考える。この場合、InGaN層は基板であるGaNの格子定数で成長する。従って、式1において、asにGaNの格子定数、a0に混晶組成から計算される歪みがない時のInGaNの格子定数を代入することで、この場合のInGaNの歪みεを求めることができる。よってInGaNはGaNより格子定数が大きいため、εは負の値になる。
0.80≦|ε2t2|/|ε1t1|≦1.20 ・・・式2
0.85≦|ε2t2|/|ε1t1|≦1.15 ・・・式3
0.90≦|ε2t2|/|ε1t1|≦1.10 ・・・式4
第1の層と第2の層の間にGaNを有する第3の層を備えた反射鏡において反射率を上げるために第2の層のIn含有率を増やすと、第2の層のバンドギャップが小さくなり、光吸収率が大きくなる。そのため、反射鏡の反射帯域の中心波長λの光のエネルギーよりバンドギャップが大きくなる範囲で、後述するように第2の層のIn含有率を設定する。
(a1−a2)y/(a2−a3)<x ・・・式5
ここで、a1はInNのa軸格子定数で、その値は3.548Åである。a2はGaNのa軸格子定数で、その値は3.189Åである。a3はAlNのa軸格子定数で、その値は3.112Åである。また、yは0.00より大きく、xが1.00以下であることを用いると、式5は、式6のように変換できる。
0.00<4.66y<x≦1.00 ・・・式6
例えば、yが0.05の時、xは0.23より大きくすればよい。式6から、xが1.00以下であるためには、yが0.21以下である必要がある。一方、In含有率yが小さいと、第2の層の屈折率はGaNに近づき、第1の層と第2の層との屈折率差は小さくなる。このため、In含有率yは0.02以上とすることが好ましい。つまり、yは0.02以上0.21以下である。
次に、本発明の反射鏡の製造方法について説明する。各層は、最適な成長条件でエピタキシャル成長する。より具体的には、高屈折率層2を構成するInyGa1−yNは、600℃乃至900℃の範囲内で、窒素ガス中でエピタキシャル成長される。低屈折率層1を構成するAlxGa1−xNは1000℃以上で、水素ガス中でエピタキシャル成長する。第1の中間層3を構成するGaNは、高屈折率層2と連続して成膜させるため、InyGa1−yNと同じ成長条件でエピタキシャル成長される。また、第2の中間層4を構成するGaNは、低屈折率層1と連続して成膜させるため、AlxGa1−xNと同じ成長条件でエピタキシャル成長される。
本実施形態では、実施形態1の反射鏡を用いた面発光レーザ(VCSEL)について説明する。図2は本実施形態に係るVCSELの一例を示す断面模式図である。VCSELは、一対の反射鏡20,21と、一対の反射鏡20,21との間に配置された活性層12と、を有する。なお、図2の構成では、反射鏡20と反射鏡21の両方が実施形態1の図1(b)の反射鏡で構成されているが、反射鏡20と反射鏡21のうち少なくとも一方の反射鏡が実施形態1の反射鏡であればよい。
本実施形態では、実施形態2の面発光レーザ(VCSEL)を用いた固体レーザ110について図3を用いて説明する。固体レーザ110は、実施形態2のVCSELを有する光源111と、VCSELが発する光によって励起される固体レーザ媒体113と、を有している。また、固体レーザ110は、2つの反射部材115a,115bを有する。なお、光源111は、出力を上げるために、VCSELがアレイ状に配列して集積された光源であってもよい。
本実施形態では、実施形態3の固体レーザ110を用いた光音響装置について図4を用いて説明する。光音響装置は、固体レーザ110と、固体レーザ110が発する光を被検体120に照射することにより発生した弾性波を検出して電気信号を変換する探触子121と、その電気信号に基づき被検体120の光学特性の情報を取得する取得部122を有する。さらに、光音響装置は、固体レーザ110が発する光を被検体120に照射する光学系123を有する。また、光音響装置は、取得部122で取得した情報を表示する表示部124を有していてもよい。
本実施形態では、実施形態2のVCSELを用いた画像形成装置について図5を用いて、説明する。画像形成装置は、光源130と、感光ドラム(感光体)131と、帯電器132と、現像器133と、転写帯電器134と、定着器135とを有している。さらに、画像形成装置は、回転多面鏡136と、モータ137と、コリメータレンズ138と、fθレンズ139と反射部材140と、を有している。
本実施例では、反射帯域の中心波長が450nmである反射鏡について説明する。本実施例の反射鏡の構成は、図1(a)で示されている。
本実施例では、反射帯域の中心波長λが405nmである反射鏡ついて説明する。本実施例の反射鏡の構成は、図1(b)で示されている。
本実施例では、反射帯域の中心波長λが530nmである反射鏡について説明する。本実施例の反射鏡の構成は、図1(b)で示されている。なお、製造方法は、実施例2と同じであるため、省略する。
本実施例では、実施例2の反射鏡を用いた面発光レーザ(VCSEL)について説明する。本実施例のVCSELの構成は、図2に示されている。
1 低屈折率層(第1の層)
2 高屈折率層(第2の層)
3 第1の中間層(第3の層)
4 第2の中間層(第4の層)
Claims (20)
- GaNを含む基板の上に、AlxGa1−xNを含む第1の層と、InyGa1−yNを含む第2の層と、GaNを含む第3の層と、を有する反射鏡であって、
前記第1の層と前記第2の層は、交互に積層され、
前記第3の層は、前記第1の層と前記第2の層の間の少なくとも一部に配置され、
前記xと前記yが0.00<4.66y<x≦1.00を満たし、
前記第1の層の厚さは、前記第2の層の厚さよりも小さく、
前記反射鏡の反射帯域の中心波長をλとすると、前記第2の層の光学厚さは、λ/8以上3λ/8以下であることを特徴とする反射鏡。 - 前記第2の層の光学厚さが、3λ/16以上5λ/16以下であることを特徴とする請求項1に記載の反射鏡。
- 前記第2の層と前記第3の層と前記第1の層が、この順で積層されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の反射鏡。
- 前記第3の層の厚さが、5nm以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の反射鏡。
- 前記第3の層の厚さが、前記第1の層の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の反射鏡。
- 前記第3の層の厚さが、前記第1の層の厚さの半分以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の反射鏡。
- GaNを含む第4の層をさらに有し、
前記第2の層と前記第3の層と前記第1の層と前記第4の層が、この順で積層されていることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載の反射鏡。 - 前記第4の層の厚さが、5nm以上であることを特徴とする請求項7に記載の反射鏡。
- 前記第4の層の厚さが、前記第1の層の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項7又は8に記載の反射鏡。
- 前記第4の層の厚さが、前記第1の層の厚さの半分以下であることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の反射鏡。
- 前記yが、0.02以上0.21以下であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の反射鏡。
- 前記yが、0.02以上0.11以下であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の反射鏡。
- 前記yが、0.02以上0.09以下であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の反射鏡。
- 前記xが、0.09以上0.50以下であることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の反射鏡。
- 前記xが、0.09以上0.40以下であることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の反射鏡。
- 前記第1の層の歪みをε1、前記第1の層の厚さをt1、前記第2の層の歪みをε2、前記第2の層の厚さをt2とすると、下記式を満たすことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の反射鏡。
0.80≦|ε2t2|/|ε1t1|≦1.20 - 一対の反射鏡と、前記一対の反射鏡との間に配置された活性層と、を有する面発光レーザであって、前記一対の反射鏡の少なくとも一方の反射鏡が請求項1乃至16のいずれか1項に記載の反射鏡であることを特徴とする面発光レーザ。
- 請求項17に記載の面発光レーザと、前記面発光レーザが発する光によって励起されるレーザ媒体と、を有することを特徴とするレーザ装置。
- 請求項18に記載のレーザ装置と、
前記レーザ装置が発する光を被検体に照射することにより発生した弾性波を検出して電気信号を変換する探触子と、
前記電気信号に基づき、前記被検体の光学特性の情報を取得する取得部と、を有する光音響装置。 - 請求項17に記載の面発光レーザと、面発光レーザが発する光によって露光される感光ドラムと、を有する画像形成装置。
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Family Cites Families (13)
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JP3538275B2 (ja) * | 1995-02-23 | 2004-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2000349393A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体デバイス、面発光型半導体レーザ、及び端面発光型半導体レーザ |
US7968362B2 (en) * | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
JP4360066B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2009-11-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系発光素子 |
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JP2008198824A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Seiko Epson Corp | 光源装置、照明装置、モニタ装置及び画像表示装置 |
KR20090117538A (ko) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
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