JP2007150074A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、反射率の低減を防ぐとともに、活性層の品質が低下し輝度が低下することがない光反射層を有する窒化物半導体発光素子を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザは、たとえば、基板１上に設けられ、屈折率が互いに相違する低屈折率層２１と高屈折率層２２とが交互に積層された第１光反射層２上に設けられた発光層形成部３とを少なくとも有しており、第１光反射層の低屈折率層２１は、ＡｌxＧａ1-xＮ層（０≦ｘ≦１）の単層構造で形成されており、第１光反射層の高屈折率層２２は、ＡｌyＧａ1-yＮ層（０≦ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）またはＩｎtＧａ1-tＮ層（０＜ｔ≦０.５）と、ＩｎuＧａ1-uＮ層（０＜ｕ≦１、ｔ＜ｕ ）との多層構造で形成されている。また、発光層形成部３上には、第２光反射層４が形成されている。
【選択図】 図１
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザは、たとえば、基板１上に設けられ、屈折率が互いに相違する低屈折率層２１と高屈折率層２２とが交互に積層された第１光反射層２上に設けられた発光層形成部３とを少なくとも有しており、第１光反射層の低屈折率層２１は、ＡｌxＧａ1-xＮ層（０≦ｘ≦１）の単層構造で形成されており、第１光反射層の高屈折率層２２は、ＡｌyＧａ1-yＮ層（０≦ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）またはＩｎtＧａ1-tＮ層（０＜ｔ≦０.５）と、ＩｎuＧａ1-uＮ層（０＜ｕ≦１、ｔ＜ｕ ）との多層構造で形成されている。また、発光層形成部３上には、第２光反射層４が形成されている。
【選択図】 図１
Description
本発明は、発光層形成部の上下両面に反射層が形成されて共振器とすることにより高効率で発光する光を表面側から取り出す共振器発光ダイオードなど、発光層形成部の少なくとも基板側に光反射層が形成される窒化物半導体発光素子に関するものである。
近年、屈折率が相違する２層を交互に積層することにより、多層膜に入射する波長の光を選択的に反射させることのできる分布型ブラッグ光反射層（Distributed Bragg Reflector、以下、ＤＢＲという）を有する半導体発光素子が開発されている。一般にＤＢＲとは、目的とする光の真空中での波長をλとし、材料の屈折率をｎとした場合、λ／（４ｎ）の膜厚で屈折率の大きい層と小さい層を交互に積層したものである。これにより、λの光を中心にして、屈折率が大きい層から小さい層への境界で入射する波と同じ位相で反射される波と、屈折率の小さい層から大きい層への境界で入射する波に対して位相が反転して反射される波とが同一の位相となり、高反射率が得られる。この反射率は、屈折率の差が充分にある２つの層を交互に積層する場合には、比較的少ない数の多層膜で高反射率が得られる。
そして、このＤＢＲを利用した半導体発光素子としては、たとえば、窒化物半導体を用いたレーザ素子を実現する例として、図３に示されるように、サファイア基板１上に、バッファ層９、ｎ−ＧａＮコンタクト層１０、ｎ−第１光反射層２、ｎおよびｐ−ＧａＮスペーサ層３１、３３で狭持される活性層３２からなる発光層形成部３、ｐ−第２光反射層４、およびｐ−ＧａＮコンタクト層５が形成されており、ｐ−ＧａＮコンタクト層５上にはｐ側電極８が、ｎ−ＧａＮコンタクト層１０の露出部にはｎ側電極７がそれぞれ形成されている。ｎ−第１光反射層２およびｐ−第２光反射層４は、単層構造のｎ−ＡｌＧａＮ系化合物（ＡｌとＧａとの混晶比率が一義的でなく、種々取り得る化合物であることを意味する、以下の「系」も同じ意味で使用する）からなる低屈折率層２１と単層構造のｎ−ＩｎＧａＮ系化合物からなる高屈折率層２２をそれぞれλ／（４ｎ）（λは発光波長、ｎは屈折率）の膜厚で交互に積層されている（特許文献１参照）。
特開平８−２２８０４８号公報（図３）
活性層の上下方向に光反射層構造を有する半導体発光素子を形成すると上下方向に進んだ光は、光反射層で反射され光が放出される。ところが、上述の素子においては、低屈折率層を構成するＡｌＧａＮ系化合物層と高屈折率層を構成するＩｎＧａＮ系化合物層とは格子定数および熱膨張率などで大きく相違するため、光反射層内で歪みが生じてしまい、光反射層の結晶性を低下させ反射率が理論値ほど上がらない。そこで本発明者らは、低屈折率層を薄膜のＡｌＧａＮ系化合物層とＧａＮ層との多層構造にすることを考えた。この構成によれば、光反射層の歪みが緩和されることになり、歪みが生じにくくなり反射率の低下を防ぐことができる。
しかしながら、光反射層の低屈折率層を、ＡｌＧａＮ系化合物層とＧａＮ層とが交互に積層された多層構造とした素子を作製してみたところ、反射率は確かに改善されたものの、活性層の品質が低下し輝度が低下してしまうという問題が生じた。
そこで、本発明はこのような問題を解決し、反射率の低減を防ぐとともに、活性層の品質が低下し輝度が低下することがない光反射層を有する窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
本発明者らは、活性層の品質が低下する原因を鋭意検討して調べたところ、活性層の品質の低下は、基板と活性層の間にある第１光反射層の平坦性の悪化が原因であることが見出した。さらに詳細に検討したところ、その原因が低屈折率層をＧａＮ層とＡｌＧａＮ系化合物層の多層構造としたため、ＡｌＧａＮ系化合物層の厚みが従来の単層構造よりも薄くなっている点に原因があることを見出した。すなわち、第１光反射層の低屈折率層を多層構造にすると、低屈折率層にはＡｌＧａＮ系化合物層以外のＧａＮ層が設けられることにもなるため、低屈折率層中のＡｌＧａＮ系化合物層の合計膜厚は従来の単層構造よりも薄くなっている。そして、この低屈折率層でのＡｌＧａＮ系化合物層の薄膜化は、ＩｎＧａＮ系化合物層からなる高屈折率層で生じるＶディフェクトと呼ばれる欠陥を防止する効果を減少させているということに想到し得たのである。なお、Ｖディフェクトとは、半導体発光素子内にＩｎＧａＮ系化合物層を積層した際、当該ＩｎＧａＮ系化合物層の平坦性を妨げるＶ字状の欠陥をいう。この欠陥が発生すると、ＩｎＧａＮ系化合物層表面の平坦性を妨げＩｎＧａＮ系化合物層上に積層された層もまた平坦性を失い、結晶性が悪化する。
すなわち、上述のように本発明者らが創意した低屈折率層をＡｌＧａＮ系化合物層とＧａＮ層の多層構造とすると、ＩｎＧａＮ系化合物層からなる高屈折率層上に、ＡｌＧａＮ系化合物層とＧａＮ層とが交互に積層された低屈折率層が形成されることになり、低屈折率層を構成するＡｌＧａＮ系化合物層の合計膜厚が従来の単層構造のＡｌＧａＮ系化合物層よりも薄くなってしまい、高屈折率層のＩｎＧａＮ系化合物層で生じるＶディフェクトを吸収する効果が減少してしまい、活性層の品質が低下していることが原因であることを本発明者らは見出したのである。
そこで、本発明の窒化物半導体発光素子は、基板と、該基板上に設けられ、屈折率が互いに相違する低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された光反射層と、該光反射層上に設けられた発光層形成部とを少なくとも有する窒化物半導体発光素子であって、前記光反射層の低屈折率層は、ＡｌxＧａ1-xＮ層（０＜ｘ＜１）の単層構造からなり、前記光反射層の高屈折率層は、ＡｌyＧａ1-yＮ層（０＜ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）またはＩｎtＧａ1-tＮ層（０≦ｔ≦０.５）と、ＩｎuＧａ1-uＮ層（０＜ｕ≦１、ｔ＜ｕ ）とが交互に積層された多層構造からなることを特徴とする。
さらに、前記光反射層の高屈折率層がＡｌyＧａ1-yＮ層（０＜ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）と、ＩｎuＧａ1-uＮ（０＜ｕ≦１、ｔ＜ｕ ）層とが交互に積層された多層構造とすることが好ましい。
さらに、屈折率が互いに相違する低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第２光反射層が前記発光層形成部上に設けられ、前記第２光反射層の低屈折率層および高屈折率層が共に多層構造からなることが、第２光反射層の反射率も向上させる点で好ましい。
本発明によれば、基板と活性層との間にある光反射層の低屈折率層には単層構造のＡｌＧａＮ系化合物層が採用されており、このＡｌＧａＮ低屈折率層は、ＩｎＧａＮ系化合物層を含む高屈折率層で発生するＶディフェクトを吸収平坦化し、光反射層上に積層される活性層も平坦化され、活性層の結晶性は悪化しない。他方、高屈折率層がＩｎＧａＮ系化合物層を含む多層構造で形成されているため、従来に比べて、光反射層の歪みが緩和されることになり、歪みが生じにくくなり反射率の低下を防ぐことができる。
さらに、高屈折率層がＡｌzＧａ1-zＮ層（０＜ｚ≦０.５、ｚ＜ｘ）と、ＩｎuＧａ1-uＮ（０＜ｕ≦１、ｔ＜ｕ ）層とが交互に積層された多層構造とすることにより、高屈折率層中のＩｎＧａＮ系化合物層の膜厚も従来の多層構造を用いない単層構造のＩｎＧａＮ系化合物層からなる場合に比べて薄くなっている。そのため、Ｖディフェクトの発生による平坦性の悪化も従来に比べて抑えることもできる。したがって、Ｖディフェクトによる平坦性の悪化を完全に抑えつつ、さらに格子整合および熱膨張率の相違による結晶性の悪化も抑えた半導体発光素子が得られる。
つぎに、本発明の窒化物半導体発光素子について、添付図面を参照して説明する。
本発明の窒化物半導体発光素子は、その一実施形態である共振器発光ダイオードの断面説明図が図１に示されるように、基板１上に設けられ、屈折率が互いに相違する低屈折率層２１と高屈折率層２２とが交互に積層された第１光反射層２上に設けられた発光層形成部３とを少なくとも有しており、第１光反射層２の低屈折率層２１は、ＡｌxＧａ1-xＮ層（０≦ｘ≦１）の単層構造で形成されており、第１光反射層２の高屈折率層２２は、ＡｌyＧａ1-yＮ層（０≦ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）またはＩｎtＧａ1-tＮ層（０＜ｔ≦０.５）と、ＩｎuＧａ1-uＮ層（０＜ｕ≦１、ｔ＜ｕ ）との多層構造で形成されている。また、発光層形成部３上には、第２光反射層４が形成されている。
第１光反射層２は、基板１上に設けられており、屈折率の異なる低屈折率層２１と高屈折率層２２とが交互にλ／（４ｎ）の膜厚で交互に積層されることにより、反射率の高い光反射層として機能するものである。図１に示される例では、ＳｉＣ基板１上に形成されたＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎバッファ層９上に、低屈折率層２１と高屈折率層２２とが、１０〜５０周期程度積層され第１光反射層２が形成されている。なお、バッファ層９は、ＡｌaＧａbＩｎ1-a-bＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）の一般式で表される窒化物材料からなることが好ましいがこれに限定されない。また、バッファ層の厚さなども適宜用途に応じて調整することができる。
第１光反射層２の低屈折率層２１は、ＡｌxＧａ1-xＮ層（０＜ｘ＜１）２１ｂの単層構造からなっている。ＡｌxＧａ1-xＮ低屈折率層２１は、実際に屈折率を小さくするための調整層であり、λ／（４ｎ）の厚さになるよう形成される。ＡｌxＧａ1-xＮ低屈折率層２１は、後述する高屈折率層２２に含まれるＩｎＧａＮ系化合物で発生するＶディフェクトを吸収平坦化し、第１光反射層２上に積層される活性層３も平坦化され活性層３の結晶性は悪化しない。図１に示される例では、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ低屈折率層２１が４６０ｎｍ程度（発光波長が４５０ｎｍ）の厚さで形成されている。
第１光反射層２の高屈折率層２２は、ＡｌyＧａ1-yＮ層（０＜ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）またはＩｎtＧａ1-tＮ層（０≦ｔ≦０.５）と、ＩｎuＧａ1-uＮ層（０＜ｕ≦１、ｔ＜ｕ ）との多層構造で形成されている。ＩｎuＧａ1-uＮ層（０＜ｕ≦１、ｔ＜ｕ ）は、実際に屈折率を大きくするための調整層２２ａである。それに対して、ＡｌyＧａ1-yＮ層（０＜ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）またはＩｎtＧａ1-tＮ層（０≦ｔ≦０.５）は、調整層２２ａおよびＡｌxＧａ1-xＮ低屈折率層２１との格子不整合、熱膨張率を緩和するための緩和層２２ｂである。このように高屈折率層は多層構造で形成されているため、熱膨張率および格子定数の相違から生じる結晶性の悪化も従来の多層構造を用いない場合に比べて格段に減少する。
また、光反射層２の緩和層２２ｂは、ＡｌyＧａ1-yＮ層（０≦ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）からなることがＶディフェクトの発生による平坦性の悪化も従来に比べて抑えることもできる点で好ましい。すなわち、Ｉｎを含まないＡｌyＧａ1-yＮ層（０≦ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）を緩和層２２ｂに用いることによって、高屈折率層中には、Ｉｎを含まない層が存在することになり、高屈折率層全体のＩｎＧａＮ系化合物層の膜厚も従来の単層構造のＩｎＧａＮ系化合物層の場合に比べて薄くなっている。したがって、Ｖディフェクトによる平坦性の悪化を抑えつつ、さらに格子整合および熱膨張係数の相違による結晶性の悪化も抑えた半導体発光素子が得られる。
たとえば、図１に示される例では、ＩｎuＧａ1-uＮ調整層２２ａ（たとえばｕ＝０.０２）を０.５〜２ｎｍ程度、好ましくは１ｎｍ程度、ＡｌyＧａ1-yＮ緩和層２２ｂ（たとえば、ｙ＝０、すなわちＧａＮ層）を１〜３ｎｍ程度、好ましくは２ｎｍ程度で、１５周期程度積層されている。
この第１光反射層２を上述のような構成とする以外の部分は、従来の窒化物半導体発光素子の構造と同様に形成することができる。ただし、図１に示される例は共振器型発光ダイオードの例で、発光層形成部３の両側に第１および第２の反射層２、４が設けられている。基板１は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板が用いられているが、これに限定されず、サファイア（Ａｌ2Ｏ3単結晶）基板などの絶縁性基板や、ＧａＮ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＺｎＯなどの半導体基板を用いることもできる。絶縁性基板を用いる場合には、基板の裏面から電極を取り出すことができないため、半導体積層部の一部をエッチング除去して下層の導電形層（図１の例ではｎ形層３１または図示しないコンタクト層）を露出させる必要がある。
発光層形成部３は、活性層３２を有し、第１光反射層２上に形成される。発光層形成部３はＡｌaＧａbＩｎ1-a-bＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）の一般式で表される窒化物材料からなる。図１に示される例では活性層３２を挟むように０.５μｍ程度のｎ形ＧａＮスペーサ層３１と０.５μｍ程度のｐ形ＧａＮスペーサ層３３が設けられている。これらの層は発光層形成部３の膜厚、すなわち垂直方向の共振器の長さを調整する働きを有する層であり、発光層形成部３全体でλ／ｎになるように調整されていることにより、第１および第２の光反射層２、４間に共振器が形成され、共振器内で増幅して反射率が若干小さくされた第２光反射層４側から光が出射される。また、通常の発光ダイオードであれば、このスペーサ層３１、３３がなくてもよいし、スペーサ層３１、３３の代りに電子バリア層や正孔バリア層などが設けられてもよく、それらの組成や膜厚も適宜調整される。活性層３２は、発光させる光の波長に応じたバンドギャップエネルギーを有する材料が選択され、たとえば波長が４４０〜４７０ｎｍの青色発光をさせる場合、０.０１〜０.２μｍ程度のＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎからなるバルク構造のもの、または１〜２０ｎｍ程度のＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ井戸層と１〜２０ｎｍ程度のＧａＮ障壁層との単一もしくは多重の量子井戸構造に形成され、全体で０.０１〜０.１μｍ程度に形成される。活性層３２はノンドープで形成されるが、ｐ形層もしくはｎ形層でも構わない。
発光層形成部３上には、第２光反射層４が反射率を第１光反射層２より小さくして設けられていることにより共振器が形成されて、効率的に上面発射型の素子または、側面発光の素子が形成できる点で好ましい。図１に示される例では、第２光反射層４は、第１光反射層２と同じように低屈折率層４１と高屈折率層４２が設けられ、第１光反射層２よりも反射率を僅かに低下させる構成となっている。第２光反射層４の低屈折率層４１および高屈折率層４２は、それぞれ多層構造であることが第２光反射層４の反射率改善の観点から望ましい。すなわち、第２光反射層４の形成は活性層３２を形成した後であることから、第１光反射層２の場合とは異なり高屈折率層の全部または一部を形成するＩｎＧａＮ系化合物層によってＶディフェクトが発生したとしても活性層３２の結晶性には影響を与えず、第２光反射層４の低屈折率層をＡｌＧａＮ系化合物の単層とする必要がない。そのため、低屈折率層４１も高屈折率層４２も多層構造とすることができ、反射率の悪化を防止することができる。
たとえば、図２に示される例では、高屈折率層４２は、Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ調整層４２ａを１ｎｍ程度、ＧａＮ緩和層４２ｂを２ｎｍ程度で、１５周期程度積層されている。低屈折率層４１は、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ調整層４１ａを、１ｎｍ程度、ＧａＮ緩和層４２ｂを２ｎｍ程度で、１５周期程度積層されている。そして、この低屈折率層４１と高屈折率層４２とが交互に１０〜５０周期程度形成されている。なお、バルク構造の低屈折率層４１および高屈折率層４２を交互に積層することや、一方を多層構造にすることも可能である。また、それぞれの層の組成や膜厚も適宜変更し得る。
第２光反射層４上には、透光性導電層６が設けられている。たとえばＮｉとＡｕとを積層して合金化し２〜１００ｎｍ程度の厚さに形成されたものや、ＺｎＯ層、またはＩＴＯ層などの光を透過しながら、チップの全面に電流を拡散しやすいように導電性で、かつオーミックコンタクトを得やすい材料により形成される。ＺｎＯやＩＴＯは厚くても透光性があるため、たとえば０.１〜２μｍ程度の厚さに形成される。図１に示される例では、ＺｎＯ層が０.３μｍ程度の厚さで透光性導電層６として形成されている。なお、第２光反射層４と透光性導電層６との間にたとえばｐ形ＧａＮコンタクト層５などが設けられてもよい。コンタクト層５は、一般的には、キャリア濃度を大きくしやすいＧａＮ層で形成するがＩｎＧａＮ系化合物層やＡｌＧａＮ系化合物層で形成されていてもよい。
第２電極８は、図１に示される例では半導体積層部の上面側がｐ形からなる層であるため、ｐ側電極として形成されており、たとえばＴｉ／Ａｕ、Ｐｄ／ＡｕまたはＮｉ-Ａｕなどの積層構造で、全体として０.１〜１μｍ程度の厚さに形成され、第１電極７（ｎ側電極）は、図１に示される例では基板の裏面側にたとえばＴｉ-ＡｌまたはＴｉ／Ａｕなどの合金層または積層構造で、全体と０.１〜１μｍ程度の厚さに形成される。また、サファイア基板を用いる場合には、基板裏面からオーミックコンタクトをとることができないので、たとえばＣｌ2およびＢＣｌ3の混合ガスの雰囲気の下で反応性イオンエッチングなどのドライエッチングなどを行うことでバッファ層などに露出面を形成し、露出面上に形成する。
前述の発光層形成部、光反射層などをｎ形に形成するためには、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＴｅをＨ2Ｓｅ、ＳｉＨ4、ＧｅＨ4、ＴｅＨ4などを不純物原料ガスとして反応ガス内に混入すれば得られる。ｐ形にするためには、ＭｇやＺｎをＣｐ2ＭｇやＤＭＺｎの有機金属ガスとして原料ガスに混入する。ただしｎ形の場合は不純物を混入しなくても、成膜時にＮが蒸発し易く自然にｎ形になるため、その性質を利用してもよい。
つぎに、具体例で本発明の半導体発光素子の製法について簡単に説明する。まず、ＳｉＣ基板１を、たとえばＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）装置内にセッティングし、成長する半導体層の成分ガス、たとえばトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウム、アンモニアガス、ｎ形ドーパントガスとしてのＨ2Ｓｅ、ＳｉＨ4、ＧｅＨ4、ＴｅＨ4のいずれか、また、ｐ形ドーパントガスとしてジメチル亜鉛もしくはシクロペンタジエニルマグネシウムのうちの必要なガスをキャリアガスのＨ2またはＮ2と共に導入し、たとえば７００〜１２００℃程度の温度で、ｎ形のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎバッファ層９、１ｎｍ程度のＩｎＧａＮ系化合物からなる調整層２２ａと２ｎｍ程度ＧａＮ緩和層２２ｂとを交互に１５周期積層し、約４５ｎｍ程度高屈折率層２２を形成し、ついで、４６ｎｍ程度のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ低屈折率層を形成する。そして、この高屈折率層と低屈折率層の組み合わせを交互に２０周期程度積層し、第１光反射層を形成する。
ついで、０.５μｍ厚のｎ形のＧａＮスペーサ層３１、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎからなる井戸層とＧａＮからなる障壁層を５周期程度交互に積層した量子井戸活性層３２、および、０.５μｍ厚のｐ形のＧａＮスペーサ層３３とを順次積層することにより、発光層形成部３を成長する。ついで、第２光反射層４を設ける場合にはｐ形のＧａＮスペーサ層を成長後、１ｎｍ程度のＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ調整層４２ａと２ｎｍ程度のＧａＮ緩和層４２ｂを交互に１５周期程度成長し、約４６ｎｍ程度の高屈折率層４２を形成し、ついで、２ｎｍ程度のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ調整層４１ａと１ｎｍ程度のＧａＮ緩和層４２ｂを交互に１５周期積層し、約４５ｎｍ程度の低屈折率層を形成する。そして、この低屈折率層４１と高屈折率層４２とが交互に２０周期程度形成する。第２反射層形成後、０.０５〜２μｍの厚のｐ形ＧａＮコンタクト層５をそれぞれ順次エピタキシャル成長する。
その後ＳｉＯ2 保護膜をコンタクト層５表面全面に設け、４００〜８００℃、２０〜６０分間程度のアニールを行う。ついで、第１電極７を基板１の裏面に、Ｔｉ、Ａｕなどの金属膜をスパッタリングや真空蒸着することなどにより形成し、ｐ形コンタクト層５上に、ＺｎＯからなる透明電極６を０.３μｍ程度形成し、さらにＴｉ、Ａｌなどの金属膜をスパッタリングや蒸着などにより形成し第２電極８を形成する。その後、基板の裏面側をラッピングすることにより、基板を薄くする。最後に、スクライブしチップ化し半導体発光素子が形成される。
１ 基板
２ 第１光反射層
３ 発光層形成部
４ 第２光反射層
２１ 第１光反射層低屈折率層
２２ 第１光反射層高屈折率層
２ 第１光反射層
３ 発光層形成部
４ 第２光反射層
２１ 第１光反射層低屈折率層
２２ 第１光反射層高屈折率層
Claims (3)
- 基板と、該基板上に設けられ、屈折率が互いに相違する低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された光反射層と、該光反射層上に設けられる発光層形成部とを少なくとも有する窒化物半導体発光素子であって、前記光反射層の低屈折率層がＡｌxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）層の単層構造からなり、前記光反射層の高屈折率層がＡｌyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）層またはＩｎtＧａ1-tＮ（０＜ｔ≦０.５）層と、ＩｎuＧａ1-uＮ（０＜ｕ≦１、ｔ＜ｕ ）層とが交互に積層された多層構造からなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 前記光反射層の高屈折率層がＡｌyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）と、ＩｎuＧａ1-uＮ（０＜ｕ≦１、ｔ＜ｕ ）層とが交互に積層された多層構造からなる請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
- 屈折率が互いに相違する低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第２の光反射層が前記発光層形成部の上面側にさらに設けられ、前記第２光反射層の低屈折率層および高屈折率層が共に多層構造からなる請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
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