JP2015005541A - 半導体dbrおよび、半導体発光素子、固体レーザ、光音響装置、画像形成装置、および半導体dbrの製造方法 - Google Patents
半導体dbrおよび、半導体発光素子、固体レーザ、光音響装置、画像形成装置、および半導体dbrの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015005541A JP2015005541A JP2013128283A JP2013128283A JP2015005541A JP 2015005541 A JP2015005541 A JP 2015005541A JP 2013128283 A JP2013128283 A JP 2013128283A JP 2013128283 A JP2013128283 A JP 2013128283A JP 2015005541 A JP2015005541 A JP 2015005541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- semiconductor layer
- multilayer structure
- dbr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/1702—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated with opto-acoustic detection, e.g. for gases or analysing solids
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
- G03G15/04036—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors
- G03G15/04045—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers
- G03G15/04072—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers by laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
- H01L33/105—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector with a resonant cavity structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18358—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] containing spacer layers to adjust the phase of the light wave in the cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1631—Solid materials characterised by a crystal matrix aluminate
- H01S3/1633—BeAl2O4, i.e. Chrysoberyl
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
- H01S5/3063—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping using Mg
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3201—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures incorporating bulkstrain effects, e.g. strain compensation, strain related to polarisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
Abstract
【解決手段】 本明細書が開示する半導体DBRは、第1の半導体層と、第1の半導体層よりも分解温度が低い第2の半導体層と、第1の半導体層および第2の半導体層よりも分解温度が低い第3の半導体層とを有し、波長λに反射率のピークを備える半導体DBRであって、複数の第1の半導体層、および複数の第1の半導体層のそれぞれの間に配置された第2の半導体層から構成される第1の多層構造と、複数の前記第3の半導体層、および複数の第3の半導体層のそれぞれの間に配置された第2の半導体層から構成された第2の多層構造と、第1の多層構造と第2の多層構造との間に配置された位相調整層とを有し、位相調整層のうち第2の多層構造と接する部分が第3の半導体層の分解温度よりも分解温度が高い材料で構成されている。
【選択図】 図1
Description
そこで本発明は、結晶品質が良好な層により構成された半導体DBRを提供することを目的とする。
図1は、基板101の上に形成された本実施形態に係る半導体DBR110を示す。本実施形態に係る半導体DBRは、第1の多層構造としてのAlGaN/GaN多層構造103、位相調整層105、第2の多層構造としてのInGaN/GaN多層構造104、位相調整層105の順に繰り返し積層されている。本実施形態に係る半導体DBR110は反射率のピークとなる波長λがほぼ400nmとなるように設計されている。なお、本実施形態に係る半導体DBRは任意のピーク波長λに合わせて設計されることができる。
典型的にAlGaN層102a、GaN層102b、およびInGaN層102cの屈折率の関係は、“InGaN層102c>GaN層102b>AlGaN層102a”となる。
半導体はバンドギャップが大きいほど分解温度が高くなる傾向にある。例えば、窒化物半導体における分解温度の関係は“AlN>AlGaN>GaN>InGaN>InN”となる。
次に、半導体DBRにおける面内応力、臨界層厚、およびクラックの関係について説明する。
102a AlGaN層
102b GaN層
102c InGaN層
103 AlGaN/GaN多層構造
104 InGaN/GaN多層構造
105 位相調整層
Claims (22)
- 第1の半導体層と、前記第1の半導体層よりも分解温度が低い第2の半導体層と、前記第1の半導体層および第2の半導体層よりも分解温度が低い第3の半導体層とを有し、波長λに反射率のピークを備える半導体DBRであって、
複数の前記第1の半導体層、および前記複数の第1の半導体層のそれぞれの間に配置された前記第2の半導体層から構成される第1の多層構造と、
複数の前記第3の半導体層、および前記複数の第3の半導体層のそれぞれの間に配置された前記第2の半導体層から構成された第2の多層構造と、
前記第1の多層構造と前記第2の多層構造との間に配置された位相調整層とを有し、
前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、および前記第3の半導体層のそれぞれの光学的厚さはnλ/4(nは1以上の奇数)であり、
前記位相調整層の光学的厚さはmλ/2(mは1以上の自然数)であり、
前記位相調整層のうち前記第2の多層構造と接する部分が、前記第3の半導体層の分解温度よりも分解温度が高い材料で構成されているであることを特徴とする半導体DBR。 - 前記第2の半導体層の屈折率は前記第1の半導体層の屈折率よりも高く、
前記第3の半導体層の屈折率は前記第1の半導体層および前記第2の半導体層の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項1に記載の半導体DBR。 - 前記第3の半導体層の分解温度よりも高い分解温度を有する材料は、前記第2の半導体層を構成する材料であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体DBR。
- 前記位相調整層は光学的厚さがmλ/2の前記第2の半導体層であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体DBR。
- 前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、および前記第3の半導体層はそれぞれGaN系の材料から構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体DBR。
- 前記第1の半導体層がAlGaNから構成され、前記第2の半導体層がGaNから構成され、前記第3の半導体層がInGaNから構成されることを特徴とする請求項5に記載の半導体DBR。
- 前記第1の多層構造、前記位相調整層、前記第2の多層構造、および前記位相調整層の順にそれぞれ複数配置されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体DBR。
- 前記第2の多層構造、前記位相調整層、前記第1の多層構造、および前記位相調整層の順にそれぞれ複数配置されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体DBR。
- 累積応力が−1000GPa・nm以上、800GPa・nm以下であること特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体DBR。
- 累積応力が−600GPa・nm以上、400GPa・nm以下であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体DBR。
- キャリアが注入されることにより発光する活性層と、
前記活性層を挟んで配置された2つの反射鏡とを有する半導体発光素子であって、
前記2つの反射鏡の少なくとも1つが請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体DBRであることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項11に記載の半導体発光素子と、
半導体発光素子から出射された光により励起される固体レーザ媒体とを有する固体レーザ。 - 請求項12に記載の固体レーザと、
前記固体レーザからの光を被検体に照射することにより発生した光音響波を検出して時系列の電気信号を出力する探触子と、
前記時系列の電気信号に基づき、前記被検体内部の情報を取得する光音響装置。 - 請求項11に記載の半導体発光素子と、
前記半導体発光素子からの光により露光される感光ドラムとを有する画像形成装置。 - 第1の半導体層と、前記第1の半導体層よりも分解温度が低い第2の半導体層と、前記第1の半導体層および第2の半導体層よりも分解温度が低い第3の半導体層とを有し、波長λに反射率のピークを備える半導体DBRの製造方法であって、
前記第2の半導体層の分解温度以下かつ前記第3の半導体層の分解温度より高い温度で、複数の前記第1の半導体層、および複数の前記第1の半導体層のそれぞれの間に前記第2の半導体層が配置された第1の多層構造を形成する工程と、
前記第3の半導体層の分解温度以下の温度で、複数の前記第3の半導体層、および複数の前記第3の半導体層のそれぞれの間に前記第2の半導体層が配置された第2の多層構造を形成する工程と
前記第1の多層構造を形成する工程と前記第2の多層構造を形成する工程との間に、前記第2の半導体層の分解温度以下の温度で位相調整層を形成する工程とを有し、
前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、および前記第3の半導体層のそれぞれの光学的厚さはnλ/4(nは1以上の奇数)であり、
前記位相調整層の光学的厚さはmλ/2(mは1以上の自然数)であり、
前記位相調整層のうち前記第2の多層構造と接する部分が、前記第3の半導体層の分解温度よりも分解温度が高い材料で構成されていることを特徴とする半導体DBRの製造方法。 - 前記第3の半導体層の分解温度よりも高い分解温度を有する材料が、前記第2の半導体層を構成する材料であることを特徴とする請求項15に記載の半導体DBRの製造方法。
- 前記第1の多層構造を形成する工程において、前記第2の半導体層の分解温度以下かつ前記第3の半導体層の分解温度より高い一定の温度で前記第1の多層構造を形成することを特徴とする請求項15または16に記載の半導体DBRの製造方法。
- 前記第2の多層構造を形成する工程において、前記第3の半導体層の分解温度以下の一定の温度で前記第2の多層構造を形成することを特徴とする請求項15から17のいずれか1項に記載の半導体DBRの製造方法。
- 前記位相調整層を形成する工程において、前記第2の多層構造を形成するときの温度で前記位相調整層の一部を形成した後に、前記第1の多層構造を形成するときの温度で前記位相調整層の残りを形成することを特徴とする請求項15から18のいずれか1項に記載の半導体DBRの製造方法。
- 前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、および前記第3の半導体層はそれぞれGaN系の材料から構成されていることを特徴とする請求項15から19のいずれか1項に記載の半導体DBRの製造方法。
- 前記第1の半導体層がAlGaNから構成され、前記第2の半導体層がGaNから構成され、前記第3の半導体層がInGaNから構成されることを特徴とする請求項20に記載の半導体DBRの製造方法。
- 前記第1の多層構造を形成するときの温度は900℃より大きく、1200℃以下であり、
前記第2の多層構造を形成するときの温度は800℃以上、900℃以下であることを特徴とする請求項20または21に記載の半導体DBRの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013128283A JP6112986B2 (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 半導体dbrおよび、半導体発光素子、固体レーザ、光音響装置、画像形成装置、および半導体dbrの製造方法 |
EP14171072.3A EP2816682B1 (en) | 2013-06-19 | 2014-06-04 | Semiconductor DBR, semiconductor light-emitting device, solid-state laser, photoacoustic apparatus, image-forming apparatus, and method for manufacturing semiconductor DBR |
US14/307,328 US9864106B2 (en) | 2013-06-19 | 2014-06-17 | Semiconductor DBR, semiconductor light-emitting device, solid-state laser, photoacoustic apparatus, image-forming apparatus, and method for manufacturing semiconductor DBR |
CN201410274243.4A CN104242055A (zh) | 2013-06-19 | 2014-06-19 | 半导体dbr、半导体发光器件及制造半导体dbr 的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013128283A JP6112986B2 (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 半導体dbrおよび、半導体発光素子、固体レーザ、光音響装置、画像形成装置、および半導体dbrの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015005541A true JP2015005541A (ja) | 2015-01-08 |
JP6112986B2 JP6112986B2 (ja) | 2017-04-12 |
Family
ID=50842182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013128283A Active JP6112986B2 (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 半導体dbrおよび、半導体発光素子、固体レーザ、光音響装置、画像形成装置、および半導体dbrの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9864106B2 (ja) |
EP (1) | EP2816682B1 (ja) |
JP (1) | JP6112986B2 (ja) |
CN (1) | CN104242055A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018078134A (ja) * | 2016-11-07 | 2018-05-17 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、原子発振器 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9508891B2 (en) | 2014-11-21 | 2016-11-29 | Epistar Corporation | Method for making light-emitting device |
CN110311024A (zh) * | 2015-02-17 | 2019-10-08 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光二极管 |
US20160329461A1 (en) | 2015-02-17 | 2016-11-10 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting diode |
US9472719B2 (en) | 2015-02-18 | 2016-10-18 | Epistar Corporation | Light-emitting diode |
KR102496476B1 (ko) * | 2015-11-19 | 2023-02-06 | 삼성전자주식회사 | 전자기파 반사체 및 이를 포함하는 광학소자 |
US11245249B2 (en) * | 2018-03-01 | 2022-02-08 | Ricoh Company, Ltd. | Reflector, surface emitting laser, method for manufacturing reflector, and method for manufacturing surface emitting laser |
US11508877B2 (en) | 2019-03-22 | 2022-11-22 | Genesis Photonics Inc. | Red light emitting diode and manufacturing method thereof |
CN110224299A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-09-10 | 度亘激光技术(苏州)有限公司 | GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法 |
CN113809206A (zh) * | 2020-06-11 | 2021-12-17 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 半导体结构及其制备方法 |
CN112397998B (zh) * | 2020-11-13 | 2022-04-01 | 中国科学院半导体研究所 | 一种面发射激光器及其制备方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10107386A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 2次元素子アレイ、2次元面発光レーザアレイおよび画像形成装置 |
JPH10190147A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Gijutsu Kenkyu Kumiai Shinjoho Shiyori Kaihatsu Kiko | 面型光多機能素子 |
JP2000349393A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体デバイス、面発光型半導体レーザ、及び端面発光型半導体レーザ |
JP2001291896A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2002164620A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2003283051A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Toshiba Corp | 面型光半導体装置 |
JP2003332683A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子 |
JP2007150074A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2009200318A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Canon Inc | 面発光レーザおよび画像形成装置 |
JP2010010607A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置、プロジェクタ、モニタ装置 |
JP2011029496A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Canon Inc | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、画像形成装置 |
JP2011155087A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2012110416A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Canon Inc | 測定装置 |
JP2012192160A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Fujifilm Corp | 光音響分析用プローブユニットおよび光音響分析装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5977612A (en) * | 1996-12-20 | 1999-11-02 | Xerox Corporation | Semiconductor devices constructed from crystallites |
JP3656008B2 (ja) * | 1999-09-20 | 2005-06-02 | 日本電信電話株式会社 | 面発光レーザ |
TW200409378A (en) * | 2002-11-25 | 2004-06-01 | Super Nova Optoelectronics Corp | GaN-based light-emitting diode and the manufacturing method thereof |
JP5189734B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2013-04-24 | ローム株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
CN101257080B (zh) | 2008-03-11 | 2014-10-15 | 北京大学东莞光电研究院 | 氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法 |
CN101478115A (zh) | 2009-01-22 | 2009-07-08 | 厦门大学 | 氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法 |
JP5574927B2 (ja) | 2010-11-19 | 2014-08-20 | キヤノン株式会社 | 測定装置 |
JP5995414B2 (ja) * | 2011-06-20 | 2016-09-21 | キヤノン株式会社 | レーザー装置 |
JP5884371B2 (ja) | 2011-09-28 | 2016-03-15 | ブラザー工業株式会社 | 画像形成装置 |
JP5731996B2 (ja) | 2012-02-21 | 2015-06-10 | 富士フイルム株式会社 | 半導体発光素子 |
-
2013
- 2013-06-19 JP JP2013128283A patent/JP6112986B2/ja active Active
-
2014
- 2014-06-04 EP EP14171072.3A patent/EP2816682B1/en active Active
- 2014-06-17 US US14/307,328 patent/US9864106B2/en active Active
- 2014-06-19 CN CN201410274243.4A patent/CN104242055A/zh active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10107386A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 2次元素子アレイ、2次元面発光レーザアレイおよび画像形成装置 |
JPH10190147A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Gijutsu Kenkyu Kumiai Shinjoho Shiyori Kaihatsu Kiko | 面型光多機能素子 |
JP2000349393A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体デバイス、面発光型半導体レーザ、及び端面発光型半導体レーザ |
JP2001291896A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2002164620A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2003283051A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Toshiba Corp | 面型光半導体装置 |
JP2003332683A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子 |
JP2007150074A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2009200318A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Canon Inc | 面発光レーザおよび画像形成装置 |
JP2010010607A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置、プロジェクタ、モニタ装置 |
JP2011029496A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Canon Inc | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、画像形成装置 |
JP2011155087A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Sony Corp | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2012110416A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Canon Inc | 測定装置 |
JP2012192160A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Fujifilm Corp | 光音響分析用プローブユニットおよび光音響分析装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018078134A (ja) * | 2016-11-07 | 2018-05-17 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、原子発振器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2816682A2 (en) | 2014-12-24 |
US9864106B2 (en) | 2018-01-09 |
EP2816682B1 (en) | 2018-09-19 |
EP2816682A3 (en) | 2015-03-11 |
JP6112986B2 (ja) | 2017-04-12 |
US20140377459A1 (en) | 2014-12-25 |
CN104242055A (zh) | 2014-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6112986B2 (ja) | 半導体dbrおよび、半導体発光素子、固体レーザ、光音響装置、画像形成装置、および半導体dbrの製造方法 | |
JP6129051B2 (ja) | 反射鏡、面発光レーザ、レーザ装置、光音響装置及び画像形成装置 | |
US7609745B2 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
US7518153B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
JP5363996B2 (ja) | Al(x)Ga(1−x)Nクラッディングフリー非極性III族窒化物ベースのレーザダイオードおよび発光ダイオード | |
US8311072B2 (en) | Surface emitting laser array and production method therefor | |
JP2009252861A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
EP1892807B1 (en) | DBR for a VCSEL having layers with unequal optical thickness | |
KR101168460B1 (ko) | InP-계 수직공진 표면발광레이저를 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 디바이스 | |
US8451706B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser, vertical-cavity-surface-emitting-laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus | |
JP2013197593A (ja) | 高反射率/帯域制限反射器を内蔵する光励起面発光レーザ | |
JP2009141132A (ja) | 発光素子及び発光素子の製造方法 | |
JP2009094360A (ja) | 半導体レーザダイオード | |
US10038306B2 (en) | Nitride semiconductor device and quantum cascade laser using the same | |
JP2006310534A (ja) | 半導体積層構造および半導体光素子 | |
JP2011096856A (ja) | 半導体レーザ | |
Liu et al. | Low threshold lasing of GaN-based VCSELs with sub-nanometer roughness polishing | |
WO2014061174A1 (ja) | 半導体発光素子 | |
WO2007116729A1 (ja) | 垂直共振器型発光ダイオード | |
JP2010161329A (ja) | 二次元フォトニック結晶を備えた面発光レーザ | |
JP3299056B2 (ja) | 表面放射型のInGaAlN系半導体レーザ | |
JP2007299897A (ja) | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた画像形成装置、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光インターコネクションシステムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム | |
US20070003697A1 (en) | Lattice-matched AllnN/GaN for optoelectronic devices | |
Mehta et al. | High reflectivity hybrid AlGaN/Silver distributed bragg reflectors for use in the UV-visible spectrum | |
JP2015035540A (ja) | 半導体光デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160613 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170314 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6112986 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |