JP5995414B2 - レーザー装置 - Google Patents
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Description
ランプ励起固体レーザーを利用するレーザー装置においては、ランプ設定値を制御して利便性を高めることが非常に重要である。
る。ランプ励起固体レーザーにおいてランプ消耗は不可避であるが、レーザー装置の利便性を考慮した場合フラッシュランプの交換サイクルを長くすることは非常に重要である。
方向)・内外側斜位方向(Medio-Lateral-Oblique(MLO)方向)・内外側方向(Medial-lateral(ML) 方向)などが挙げられる。また、光音響測定は非侵襲(低侵襲)性であるため
、繰り返し測定が可能であるという特徴を有する。故に、レーザー照射及び遮光がランダムに繰り返されるような測定手法を制限しないためにも、本課題は重要である。
手段と、を有し、前記制御手段は、前記光検出器の出力に基づいて前記励起手段の設定値を設定し、前記励起手段は、2つの前記照射状態の間の前記遮光状態において、前記励起手段の消耗が前記照射状態よりも軽減するような設定値の制御に基づいて前記励起光を前記レーザー媒質に照射し、前記光検出器は、2つの前記照射状態の間の前記遮光状態において、前記レーザー光の少なくとも一部を検出し、前記制御手段は、2つの前記照射状態の間の前記遮光状態において、前記光検出器の出力が所定の下限値以下となる場合に、前記レーザー光の出力が上がるように前記設定値を変更することを特徴とするレーザー装置である。
図1は本発明の実施形態の一例を示す構成図である。レーザー装置は、フラッシュランプを有するランプ励起固体レーザーのレーザーヘッド部101、レーザー光を遮光する遮光
器102を有する。レーザー装置はさらに、レーザー出力の光軸上に配置するビームスプリ
ッター103、ビームスプリッター103により分岐されたレーザー光束を検出する光検出器104、レーザー装置制御を行う制御システム105を有する。照射対象106は、産業用途であれ
ば加工品等であり、医療用途であれば生体測定部位(被検体)である。
、外部制御部107及びレーザーヘッド制御部108が制御システム105に内包されているが、
独立していても構わない。本発明では、光検出器104及び遮光器102を制御するために外部制御部107を用いるが、温度モニター等、他の機器制御機構を含んでも構わない。
御機構109、及びその他のレーザー制御に関わるレーザー制御機構110を有する。使用するランプ励起固体レーザーにより搭載するレーザー制御機構110は異なる。例えば産業用加
工レーザーとして幅広く使用されているNd:YAG(ネオジムヤグ)レーザーの場合、大出力のパルス光を形成するためのQスイッチ制御部や共振器内部に設置するシャッター制御部
、レーザー媒質やフラッシュランプの温度制御部等が含まれる。ランプ設定制御機構109
は、繰り返し周波数制御部、フラッシュランプ発光出力を制御するランプ電流制御部、ランプ予備電流であるシマー電流制御部を含む。ランプ電流制御は、ランプ発光強度を制御することを目的としており、回路構成によってはランプ電圧制御も同様な機能となる。故に、本明細ではランプ電流制御とするが、ランプ電圧制御も本発明に含まれる。
の軸上に、共振器構造を構成する出力鏡204と反射鏡205が配置される。励起源であるフラッシュランプ201の両端の電極に高電圧が印加されて、印加される電力に応じてフラッシ
ュランプ201が発光する。楕円形状のチャンバー203の内側面で反射したランプ光が、もう一方に配置されたレーザーロッド202を照射する。レーザーロッド202が励起されて、出力鏡204と反射鏡205間を光束が往復しレーザー光が発振する。
イッチ206を用いる。蓄積されたエネルギーを瞬間的に開放することで、高エネルギーパ
ルスを形成する。フラッシュランプ発光の高エネルギー、及びQスイッチによるパルス化
により、ランプ励起固体レーザーでは、容易にパルスエネルギーの大きなレーザー発振を得ることができる。レーザー媒質にNd:YAGロッドを用いる場合は、比較的容易に安定し
た高パルスエネルギーを得ることが可能であり、加工等の産業用途に広く使用される。ただし、レーザーヘッド部101は、Nd:YAGレーザーに限定されるものではない。他にも、フ
ラッシュランプ励起にてパルス当たりのエネルギー出力を高めることが可能なアレクサンドライトレーザー、Nd:YAGの第二高調波を励起源とするチタンサファイア(Ti:sa)レーザ
ー等を用いることもできる。
ルギーによる発熱を伴う。故に、遮光器102は、図1に示すようにレーザーヘッド部101の
筐体外部に設置することが好ましい。しかしながら、レーザーヘッド内部に一体化することも可能である。遮光器102をレーザーヘッド内部に一体化する際は、ビームスプリッタ
ー103及び光検出器104も同様にしてレーザーヘッド内部に一体化することが可能である。レーザーヘッド部に内包した際の構成図が図3である。
プリングして行う。故に、照射対象106への照射強度を大きく下げずに、光検出器104における必要な検出感度をサンプリングできるようにビーム分岐すればよい。
光検出器104を用いてレーザー光の一部を測定する。光検出器104は、主に発振パルスのエネルギー測定が可能なエネルギー検出器が好適である。しかしながら、光検出器はエネルギーセンサーに限定されるものではなく、CCD等の光強度検出が可能な光検出器であれ
ば特に制限はない。
として、光検出器104を設置している。ビームスプリッター103を用いる場合、射出されたレーザー光を常に測定し続けることができるという利点を有する。即ち、ランプ劣化に伴うレーザー出力の減少などもモニターすることが可能である。なお、ビームスプリッター103の機能を遮光器102に内包する(遮光器がビームスプリッターを兼ねる)ことも可能である。かかる構成を図4に示す。遮光器およびビームスプリッター以外の構成は図1と同様である。レーザー光を遮光する遮光器401は、遮光状態において、直接レーザー光を終端
処理せずに光束の少なくとも一部を反射により取り出す構造とする。この部分光束の光路上に光検出器104を設置する。かかる構成により、照射対象106への照射を遮光した際のレーザー出力を測定することが可能となる。
開時制御、605は消耗軽減期間、607は待機期間である。
られている状態である。以下、本明細中では、上記照射状態601のランプ設定状態を安定
照射条件と称する。
照射遮光時制御603では、照射遮光工程(図5の工程1)、ランプ消耗軽減工程(図5の工程2)を実施する。工程1及び工程2を連続的に実施して照射状態601から遮光状態602へ移
行する。工程2によりランプ消耗の軽減を図る。
照射再開時制御604では、照射遮光時制御の停止工程(図5の工程3)、照射再開工程(
図5の工程4)を実施する。工程3にて、照射遮光時制御603間の工程を任意のタイミングで停止させて、照射再開時制御604に移行する。工程3と工程4間を待機期間607と称する。
あるが、用途により待機期間607の長さは異なる。したがって用途に応じて所定の待機時
間を設定する必要がある。また、待機期間607が比較的長い場合(例えば、ランプ停止状
態からレーザー立ち上げ時間に必要とする時間が暖気時間程度の長時間のとき)は、遮光状態602と同時にランプ発光を停止してもよい。
図1及び図4の構成で可能な本発明の実施形態であるレーザー装置の制御方法の他の一例を説明する。この方法は、上記の制御方法に加えて用いることが可能である。この方法により、遮光時にフラッシュランプの消耗を軽減すると照射再開時にレーザー媒質が熱平衡状態に達するまでに時間がかかり、結果として出力安定まで時間がかかる現象に対応できる。
制御方法のフローチャートを図7、並びに工程順序を含む時間チャートを図8に示す。図8において、601は照射状態、602は遮光状態、603は照射遮光時制御、604は照射再開時制
御、605は消耗軽減期間、607は待機期間であることは、図6と同様である。また、806は照射準備期間である。
同じランプ設定値とし、照射再開時に短時間で安定したレーザー発振が得られる状態を保持するために実施する工程である。工程5に引き続き再度工程2を実施する。この間を照射準備期間806と称する。上記工程2と工程5をループ工程とし、遮光状態602の期間中、ラン
プ消耗軽減と同時に照射再開時の出力安定性を両立する状態を維持する。工程3以降は、
上述の制御方法と同様である。工程3にて照射遮光時制御603間の工程を任意のタイミングで停止させて、照射再開時制御604に移行する。待機時間607は、照射準備期間806より短
い時間となりうる。
照射遮光工程である工程1では、装置が照射状態601にあるときに、任意のタイミングで制御システム105の外部制御部107による制御を行い、遮光器102を用いて遮光する。レー
ザー共振器内部に設けられた遮光部品の利用、またはフラッシュランプの発光制御により、レーザー発振を停止させることで遮光することも可能である。しかしながら、本発明では、上記構成においてレーザー発振状態を保持しつつ照射対象106への照射を遮光する。
に変更する。再照射時のランプ設定は、初期照射時のランプ設定と同じでも変更しても構わない。また、工程1から工程4までの再照射までのサイクルを1サイクルとした場合、サイクル毎に照射時のランプ設定値を変更しても構わない。
ランプ設定値のうち、繰り返し周波数の低減はランプ消耗軽減に顕著に寄与する。例えば繰り返し周波数10-20Hz、パルス辺りの出力エネルギー1JのNd:YAGレーザーでは、レーザーヘッドの内部構成及び照射時のランプ設定条件にも依存するが、ランプ寿命は1000万ショット程度である。また、寿命はランプにより個体差があり同規格のランプでも数100
万ショット程度の場合もある。故に、繰り返し周波数を低減することは、ランプ消耗低減に効果的である。例えば、安定照射条件における繰り返し周波数が20HzのNd:YAGレーザーの場合、設定周波数を5Hzや1Hz等に選択することが可能であり、設定する繰り返し周波数が低いほどランプ消耗軽減効果は高い。
可能である。例えば、工程2における繰り返し周波数の設定を1Hzとする場合、徐々にレ
ーザー媒質が冷却しレーザー発振出力が減少する。ここで、所望の照射準備期間806を得
ることが可能な条件は、レーザー媒質が過度に冷却されずに工程5により速やかに安定照
射条件に戻せることである。横軸時間、縦軸をレーザー出力とした図を図9に示す。所望
の照射準備期間806の時間で安定な照射状態に戻すことができるレーザー出力値を下限値901とする。下限値901となるまでの時間が消耗軽減期間605の長さとなる。工程2で設定す
る繰り返し周波数と安定照射条件の繰り返し周波数が近い場合は、熱平衡状態でのエネル
ギー出力値が、下限値901より大きい場合が想定される。このような条件も本発明には含
まれる。しかしながら、ランプ消耗軽減効果を考慮した場合、工程2にて、更に低い繰り
返し周波数に設定する方が効果的でありより好適である。
ンプ電流値を低減し、工程3及び工程5では再照射時のランプ電流値とすることで照射時出力安定性とランプ消耗軽減を図ることが可能となる。工程2でランプ電流低減を実施する
場合も、繰り返し周波数低減と同様に、ランプ電流設定値に依存して消耗軽減期間605の
長さが異なる。ランプ電流の下限値は、レーザー媒質を励起しレーザー発振可能とする電流閾値である。消耗軽減期間605におけるランプ設定電流値を閾値近傍とした場合、ラン
プ電流値が非常に低く発振出力も非常に低いためランプ消耗軽減効果が大きい。しかしながら、レーザー媒質の熱吸収量が小さくなるため、フラッシュランプの熱平衡状態が大きく変化する。故に、照射対象106へのレーザー照射を再開する際に、短時間で安定エネル
ギー出力を得るために消耗軽減時間605を短くする必要がある。更に、レーザー媒質の励
起状態が不安定となるため、遮光時に検出するエネルギー値が不安定になることもある。下限値近傍のランプ電流値設定でも一定の効果は得られるが、好ましくは検出器104にお
ける測定エネルギー値が安定し、レーザー媒質の励起状態を安定とするランプ電流値である。
ランプ設定制御を同時に行っても構わない。
のシマー電流とすることで照射時の出力安定性とランプ消耗軽減を図ることが可能となる。
から工程2への工程移行を自動的に実施することが可能である。一方を出力制御シーケン
ス、他方を時間制御シーケンスと称する。
制御システム105の外部制御107へ入力し、予め決めた下限値以下の値が入力された時に工程5へ移行するようにする。時間制御シーケンスでは、予め光検出器104を用いて消耗軽減期間605を測定して時間設定しておく。そして実際の測定時には、制御システム105で設定時間に従い工程3へ移行する。
に示すように、安定照射条件での照射出力値902に達する迄の時間を照射準備期間806とする(図8に示す)。光検出器104でレーザー出力を検出し、検出値を制御システム105に入
力し照射出力値902と比較することで、自動的に工程2へ移行させることができる。例えば出力の検出値が照射出力値以上であれば工程2へ移行させれば良い。
後、予め照射出力値902に達する照射準備期間806を測定しておき、制御システム105より
照射準備期間806経過後、再度工程2へ移行させる。このとき、装置や測定の条件によっては、照射再開後の安定性を欠くことがある。例えば、照射準備期間806が非常に短い場合
である。この場合は、光検出器の出力を参照する出力制御シーケンスにすれば、照射再開後の安定性が得られるため好適である。一方、照射準備期間806(及び待機期間607)の短縮が本発明の目的の一つであるという点から見ると、使用条件に応じて予め照射準備期間806を決めておく事が好ましい。従って照射再開後の出力安定性が得られる条件であれば
時間制御シーケンスがより好適な手段となる。
図10は本発明の実施形態の一例を示す構成図である。ランプ励起固体レーザーのレーザーヘッド部101、レーザー光を遮光する遮光器102、レーザー装置制御を行う制御システム105から構成される。照射対象106は、産業用途であれば加工品等であり、医療用途であれば生体測定部位である。図1及び図4に示す実施形態とは異なり、ビームスプリッター103
及び光検出器104を含まない構成である。本実施形態のレーザー装置の制御方法では、時
間制御シーケンスを用いる。即ち、レーザー装置を利用する前に予め遮光状態の出力を光検出器104で測定し、時間制御シーケンスを定める。制御工程は図1のレーザー装置を用
いた場合と同様である。
ーザー光を遮光する遮光器102、ビームスプリッター103、光検出器104、レーザー装置制
御を行う制御システム105から構成される。
チタンサファイアレーザー(Ti:saレーザー)から構成される。照射対象106には疑似生体である乳房ファントムを用いた。照射状態601の安定照射条件を、ランプ繰り返し周波数
を20Hz、波長800nmで100mJ/pulseのエネルギー出力を得るランプ電流値とした。射出エネルギーとして大きなパルスエネルギーを得るために、Nd:YAGレーザーの励起源としてフラッシュランプを用いた。光検出器104にはパイロエレクトリックセンサーを用いて各パル
ス光強度を測定した。制御システム105は外部制御部107及びレーザー制御部108で構成さ
れる。
が左乳房ファントムMLO方向測定、3回目が右乳房ファントムCC方向測定、4回目が右乳房
ファントムMLO方向測定である。乳房ファントムの固定は容易に変更可能であるが、実際
の臨床では4分程度の時間を要する事を想定して測定間隔を4分とした。乳房ファントム
測定の前に予め測定シーケンスを決めた。遮光時のランプ繰り返し周波数を1Hz、照射準備期間806を5秒とした。照射準備期間806が5秒となるように、消耗軽減期間を測定したところ180秒であった。尚、安定照射条件における照射出力値902が4mJ/pulseであるのに対して、消耗軽減期間605を決めるレーザー出力の下限値901は2mJ/pulseであった。また、
照射再開時制御604における待機期間607は照射準備期間806と同様の5秒とした。
次に、測定終了後、照射遮光工程(工程1)を実施した。制御システム105の外部制御部107からの制御に従い、遮光器102により遮光した。工程1後のエネルギー出力は4mJであ
った。
工程1に引き続きランプ消耗軽減工程(工程2)を実施した。ここでは、制御システム105のランプ設定制御機構109を用いてランプ繰り返し周波数を1Hzに低減した。
次に、出力制御シーケンスを用いて工程2から工程5へ移行した。光検出器104で測定し
た出力値を外部制御部107に入力し、予め定めた下限値901である2mJ/pulseとなった時に安定照射準備工程(工程5)に移行した。消耗軽減期間605は190秒であった。工程5では、ランプ設定制御機構109を用いて安定照射条件である繰り返し周波数20Hzに戻した。
工程5から工程2への移行には、時間制御シーケンスを用いた。外部制御部107にて、工
程5実施から5秒経過後に再び工程2を実施した。ここでの繰り返し周波数は1Hzである。
工程3から工程4への移行には時間制御シーケンスを用いた。工程3実施から5秒後に、外部制御部107を介して遮光器102を用いて遮光状態を解除する工程4により、2回目の測定を開始した。2回目の測定開始時より光検出器104の値は4mJ/pulseであった。
続いて、上記測定工程を4回繰り返した。測定終了後は直ちにランプ発光を停止した。
間のランプ発光回数は400ショットである。一方、消耗軽減期間605が11分40秒であり、この間の繰り返し周波数が1Hzである。故に、この間のランプ発光回数は700ショットである。即ち遮光状態にて計1100ショットのランプ発光を行ったことになる。本測定全工程にて5900ショットのランプ発光を行った。
考えた場合、3倍以上の消耗軽減効果が得られたことになる。また、測定再開時は常に5秒で安定出力が得られた。故に、本測定制御方法を用いることにより、出力安定性とランプ消耗軽減を同時に満たしていることが分かった。
図1で構成されるレーザー装置を用いた。本レーザー装置は、レーザーヘッド部101、レ
ーザー光を遮光する遮光器102、ビームスプリッター103、光検出器104、レーザー装置制
御を行う制御システム105から構成される。
波数を20Hz、波長750nmで100mJ/pulseのエネルギー出力を得るためのランプ電流値を100Aとした。射出エネルギーとして大きなパルスエネルギーを得るために、アレクサンドライトレーザーには励起源としてフラッシュランプを用いた。光検出器104にはパイロエレク
トリックセンサーを用いて各パルス光強度を測定した。制御システム105は外部制御部107及びレーザー制御部108で構成される。
が左乳房ファントムMLO方向測定、3回目が右乳房ファントムCC方向測定、4回目が右乳房
ファントムMLO方向測定である。乳房ファントムの固定は容易に変更可能であるが、実際
の臨床では4分程度の時間を要する事を想定して測定間隔を4分とした。乳房ファントム
測定の前に予め測定シーケンスを決めた。遮光時のランプ電流値を70A、照射準備期間806を5秒とした。照射準備期間806が5秒となるように、消耗軽減期間を測定したところ130秒であった。尚、安定照射条件における照射出力値902が5mJ/pulseであるのに対して、消
耗軽減期間605を決めるレーザー出力の下限値901は2mJ/pulseであった。また、照射再開時制御604における待機期間607は、照射準備期間806と同様の5秒とした。
終了後、照射遮光工程(工程1)を実施した。制御システム105の外部制御部107からの
制御に従い遮光器102により遮光した。工程1後のエネルギー出力は5mJであった。
工程1に引き続きランプ消耗軽減工程(工程2)を実施した。ここでは、制御システム105のランプ設定制御機構109を用いてランプ電流値を70Aに低減した。
工程2から工程5への移行には出力制御シーケンスを用いた。光検出器104で測定した出力値を外部制御部107に入力し、予め定めた下限値901である2mJ/pulseとなった時に安定照射準備工程(工程5)に移行した。消耗軽減期間605は135秒であった。
工程5では、ランプ設定制御機構109を用いて、ランプ電流値を安定照射条件である100Aに戻した。工程5から工程2への移行は、時間制御シーケンスを用いた。外部制御部107に
て、工程5から5秒経過後、再び工程2へ移行した。ここでのランプ電流値70Aである。
工程3から工程4への移行は、時間制御シーケンスを用いた。工程3実施から5秒後に外部制御部107を介して遮光器102を用いて遮光状態を解除する工程4より、2回目の測定を開始した。2回目の測定開始時より光検出器104の値は5mJ/pulseであった。
上記測定工程を繰り返して4回の測定を実施した。測定終了後は直ちにランプ発光を停
止した。
ランプ電流100Aの際の出力パルスエネルギーが100mJ/pulseとなる4本のフラッシュラ
ンプA, B, C, D を選択した。フラッシュランプA, Bはランプ電流100A、繰り返し周波数20Hzにて40時間レーザー発振を続けた。一方、フラッシュランプC, D はランプ電流70A
、繰り返し周波数20Hzにて、40時間レーザー発振を続けた。その後、フラッシュランプA,
B, C, Dそれぞれを用いて、ランプ電流100A、繰り返し周波数20Hzにおけるエネルギー
出力を測定した。
その結果、フラッシュランプA, B, C, Dを用いたそれぞれのエネルギー出力は、84mJ/pulse, 82mJ/pulse, 89mJ/pulse, 91mJ/pulseであった。ランプにより個体差はあるが、使用するランプ電流によりランプ消耗の目安となる出力エネルギーに差が生じた。フラッシュランプA, Bと比較して、低電流で動作させたフラッシュランプC, Dにおいてランプ消耗軽減効果が大きい事が分かった。
本結果より、実施例2のランプ電流制御を用いることでランプ消耗の軽減を図れることが分かる。一方、測定再開時は常に5秒で安定出力が得られた。故に、実施例2の制御方
法は、照射時の出力安定性と遮光時のランプ消耗軽減を同時に満たすことが分かった。
部制御部,108:レーザーヘッド制御部,109:ランプ設定制御機構,110:レーザー制御
機構,201:フラッシュランプ
Claims (12)
- レーザー媒質と、
前記レーザー媒質を励起させるために前記レーザー媒質に励起光を照射する励起手段と、
前記レーザー媒質を挟むミラーを含む共振器と、
前記共振器の外に配置され、前記共振器から射出されたレーザー光を第一の光と第二の光とに分岐させるビームスプリッターと、
前記ビームスプリッターにより分岐された前記第一の光を検出する光検出器と、
前記ビームスプリッターにより分岐された前記第二の光を遮光できるように構成された遮光手段と、
照射状態と、前記遮光手段により前記レーザー光が前記照射状態よりも遮光される遮光状態とを切り替える制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、前記光検出器の出力に基づいて前記励起手段の設定値を設定し、
前記励起手段は、2つの前記照射状態の間の前記遮光状態において、前記励起手段の消耗が前記照射状態よりも軽減するような設定値の制御に基づいて前記励起光を前記レーザー媒質に照射し、
前記光検出器は、2つの前記照射状態の間の前記遮光状態において、前記レーザー光の少なくとも一部を検出し、
前記制御手段は、2つの前記照射状態の間の前記遮光状態において、前記光検出器の出力が所定の下限値以下となる場合に、前記レーザー光の出力が上がるように前記設定値を変更する
をことを特徴とするレーザー装置。 - 前記変更された設定値は、照射再開時に所定の時間で熱平衡状態に達することを可能にする又は前記照射状態における前記励起手段に設定される設定値である
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザー装置。 - 前記制御手段は、前記光検出器の出力が所定の範囲内となるように前記設定値を制御する
ことを特徴とする請求項1または2に記載のレーザー装置。 - 前記制御手段は、前記光検出器の出力が所定の上限値以下となるように前記設定値を制御する
ことを特徴とする請求項3に記載のレーザー装置。 - 前記設定値は、前記励起手段の発光の繰り返し周波数、前記励起手段への励起電流値、および前記励起手段へのシマー電流値の少なくとも1つである
ことを特徴とする請求項1から4に記載のレーザー装置。 - 前記制御手段は、前記光検出器の出力が所定の下限値以下であるときに前記繰り返し周波数、前記励起電流値、および前記シマー電流値の少なくとも1つを大きくする
ことを特徴とする請求項5に記載のレーザー装置。 - 前記所定の下限値は、所定の期間内に前記照射状態に達することのできる値である
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のレーザー装置。 - 前記所定の期間は5秒以下である
ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のレーザー装置。 - 前記制御手段は、前記光検出器の出力が所定の上限値以上であるときに前記繰り返し周波数、前記励起電流値、および前記シマー電流値の少なくとも1つを小さくする
ことを特徴とする請求項5に記載のレーザー装置。 - 前記所定の上限値は、前記照射状態における前記励起手段に設定される設定値である
ことを特徴とする請求項5または9に記載のレーザー装置。 - 前記制御手段は、前記遮光状態において、前記光検出器の出力が所定の下限値以下となり、前記レーザー光の出力が上がるように設定値を変更した後、前記光検出器の出力が所定の上限値を超える場合に、前記励起手段の消耗が前記照射状態よりも軽減するような設定値に変更する
ことを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載のレーザー装置。 - 請求項1から11のいずれか1項に記載のレーザー装置と、
前記レーザー装置から射出された前記レーザー光の照射により発生した光音響信号を検出するプローブと、
を有することを特徴とする光音響測定装置。
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