WO2015198570A1 - 固体レーザ装置及び光音響計測装置 - Google Patents

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WO2015198570A1
WO2015198570A1 PCT/JP2015/003075 JP2015003075W WO2015198570A1 WO 2015198570 A1 WO2015198570 A1 WO 2015198570A1 JP 2015003075 W JP2015003075 W JP 2015003075W WO 2015198570 A1 WO2015198570 A1 WO 2015198570A1
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wavelength
operation mode
light
laser
resonator
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和田 隆亜
和弘 広田
村越 大
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富士フイルム株式会社
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    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/042Arrangements for thermal management for solid state lasers
    • HELECTRICITY
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    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity

Definitions

  • the present invention relates to a solid-state laser device, and more particularly to a solid-state laser device capable of emitting light of a plurality of wavelengths.
  • the present invention also relates to a photoacoustic measuring device including such a solid-state laser device.
  • a photoacoustic imaging apparatus that images a living body using a photoacoustic effect is known.
  • a living body is irradiated with pulsed light such as pulsed laser light.
  • pulsed light such as pulsed laser light.
  • the living tissue that has absorbed the energy of the pulsed light undergoes volume expansion due to heat, and an acoustic wave is generated.
  • This acoustic wave is detected by an ultrasonic probe or the like, and the inside of the living body can be visualized based on the detected signal (photoacoustic signal).
  • photoacoustic imaging method since an acoustic wave is generated in a specific light absorber, a specific tissue in a living body, such as a blood vessel, can be imaged.
  • FIG. 7 shows that oxygenated hemoglobin (oxyhemoglobin combined with oxygen: oxy-Hb) abundant in human arteries and deoxygenated hemoglobin (hemoglobin deoxy-Hb not bound to oxygen) abundantly contained in veins.
  • the molecular absorption coefficient for each light wavelength is shown.
  • the light absorption characteristic of the artery corresponds to that of oxygenated hemoglobin
  • the light absorption characteristic of the vein corresponds to that of deoxygenated hemoglobin.
  • a photoacoustic imaging method in which a blood vessel portion is irradiated with light of two different wavelengths using the difference in light absorption rate according to the wavelength, and an artery and a vein are distinguished and imaged. (For example, refer to Patent Document 2).
  • Patent Document 3 describes switching the wavelength of laser light to be emitted by operating a wavelength selection switch.
  • the wavelength selection switch is a slide switch and has three slide positions “750”, “800”, and “ALT”.
  • the slide position of the wavelength selection switch is “750”
  • the laser light source emits light having a wavelength of about 750 nm
  • the slide position is “800”
  • the laser light source emits laser light having a wavelength of about 800 nm.
  • the slide position of the wavelength selective switch is “ALT”
  • the laser light source alternately emits laser light having a wavelength of about 750 nm and laser light having a wavelength of about 800 nm.
  • Alexandrite crystals are known as one of laser media capable of lasing with multiple wavelengths.
  • a laser device Alexandrite laser
  • an alexandrite crystal as a laser medium has a wide wavelength band of a generated laser, and can generate light from a high wavelength to a low wavelength.
  • a short-pulse laser beam having a specific wavelength can be extracted by providing a filter that transmits a specific wavelength in the resonator and amplifying it using a Q switch.
  • Patent Document 4 describes that in the alexandrite laser, the wavelength region can be extended to a longer wavelength or, conversely, to a shorter wavelength by using high excitation energy between a wavelength of 700 nm and a wavelength of 820 nm. This wavelength range is temperature dependent, and longer wavelengths are generally obtained at higher temperatures and shorter wavelengths are generally obtained at lower temperatures.
  • Patent Document 4 describes that the alexandrite laser includes a cooling means for maintaining the temperature at an arbitrary temperature.
  • Patent Document 5 describes that in an alexandrite laser, the amplification factor of laser light is adjusted by the temperature of cooling water.
  • Patent Document 5 describes that the intensity of amplified laser light is detected by an energy meter, and the set value of the control device is compared with the detected intensity. Based on the comparison result, the temperature controller is driven to control the temperature of the cooling water.
  • the stimulated emission cross-sectional area that determines the amplification factor is temperature-dependent, and the higher the temperature, the higher the amplification factor. Accordingly, when it is desired to increase the amplification factor of the pulsed laser beam, the temperature of the cooling water may be increased. Conversely, when the amplification factor is desired to be decreased, the temperature of the cooling water may be decreased.
  • the generation efficiency of an alexandrite laser correlates with the temperature of the alexandrite crystal, and the higher the temperature, the higher the efficiency. Therefore, in a wavelength region with low efficiency, for example, in a long wavelength region such as 800 nm, it is common to set the temperature of the cooling water high in order to increase the output intensity of the laser beam. Also in Patent Document 4 and Patent Document 5, there is a description of changing the temperature of the cooling water of the alexandrite crystal in accordance with a desired wavelength.
  • Patent Document 4 and Patent Document 5 are only adjustment of the cooling water temperature according to a certain wavelength.
  • Patent Document 3 how to control the temperature of cooling water when switching between an operation mode for emitting laser light of a single wavelength and an operation mode for emitting laser light of a plurality of wavelengths alternately There is no mention of what to do.
  • the temperature of the alexandrite crystal is changed when the operation mode is switched. It was not known how to control it.
  • the present invention emits laser light of a certain wavelength in an operation mode of emitting laser light of a single wavelength, and emits laser light of a single wavelength in an operation mode of emitting laser light of a plurality of wavelengths.
  • Solid-state laser capable of suppressing the difference between the output intensity of laser light having a wavelength emitted in the operation mode to emit and the output intensity of laser light having other wavelengths emitted in the operation mode of emitting laser light having a plurality of wavelengths
  • the present invention also provides a photoacoustic measuring device including the solid-state laser device.
  • the present invention provides an alexandrite laser rod, an excitation light source that emits excitation light to the alexandrite laser rod, a resonator that resonates light emitted from the alexandrite laser rod, and a laser that emits light from the resonator.
  • Wavelength selection means for selecting the wavelength of light from a plurality of wavelengths, a single wavelength operation mode for emitting laser light of a single wavelength, and a plurality of wavelengths including the wavelength of laser light emitted in a single wavelength operation mode
  • the temperature control means has an operation mode of a plurality of wavelength operation modes.
  • the temperature of the alexandrite laser rod in the case of To provide a solid-state laser apparatus to be higher than the temperature of the light laser rod.
  • the emission efficiency of the laser light having the wavelength emitted in the one-wavelength operation mode of the alexandrite laser rod is other than the wavelength emitted in the one-wavelength operation mode among the plurality of wavelengths emitted by switching in the plural-wavelength operation mode. It may be higher than the light emission efficiency of laser light having a wavelength.
  • the solid-state laser device of the present invention may further include mode selection means for transmitting a mode selection signal indicating an operation mode to be selected to the control means and the temperature control means.
  • the control means selects the operation mode according to the mode selection signal received from the mode selection means, and the temperature control means controls the temperature of the alexandrite laser rod according to the mode selection signal received from the mode setting means. It is good.
  • control unit transmits a signal indicating the selected operation mode to the temperature control unit, and the temperature control unit detects the temperature of the alexandrite laser rod according to the signal received from the control unit. It is good also as controlling.
  • the control unit drives the wavelength selection unit to switch the light of the first wavelength and the second wavelength different from the first wavelength in the resonator and oscillate. You may let them.
  • the control unit may drive the wavelength selection unit to oscillate light having the second wavelength in the resonator.
  • the solid-state laser device of the present invention may further include an optical element that reduces the output intensity of the laser light having the second wavelength on the optical path of the light emitted from the alexandrite laser rod.
  • the control means removes the optical element from the optical path of the light emitted from the alexandrite laser rod when the operation mode is a single wavelength operation mode, and the operation mode is a multiple wavelength operation mode.
  • the above optical element may be inserted on the optical path of the light emitted from the alexandrite laser rod.
  • the optical element may be a light diffusing plate.
  • the resonator may include a first resonator for oscillating the first wavelength and a second resonator for oscillating light of the second wavelength.
  • the first resonator includes a first mirror and a second mirror that face each other with the alexandrite laser rod interposed therebetween, and the second resonator includes the first mirror, the alexandrite laser rod, and the first mirror.
  • You may comprise with the 3rd mirror which opposes a 1st mirror on both sides of 2 mirrors.
  • the second mirror may be one that reflects light having the first wavelength and transmits light having the second wavelength.
  • the temperature control means may control the temperature of the alexandrite laser rod by controlling the temperature of the cooling medium that cools the alexandrite laser rod.
  • the present invention also provides a solid-state laser device according to the present invention, a photoacoustic wave generated in the subject when laser light is emitted to the subject, an acoustic wave detecting means, and a photoacoustic wave detection signal.
  • a photoacoustic measuring device characterized by comprising signal processing means for performing signal processing.
  • the solid-state laser device and the photoacoustic measuring device of the present invention emit a laser beam having a certain wavelength in an operation mode for emitting a laser beam having a single wavelength, and in the operation mode for emitting a laser beam having a plurality of wavelengths,
  • the output intensity of the laser light of the wavelength emitted in the operation mode of emitting laser light of a single wavelength and the operation mode of emitting laser light of multiple wavelengths are emitted.
  • a difference from the output intensity of laser light of other wavelengths can be suppressed.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a solid-state laser device according to a first embodiment of the present invention.
  • the timing chart which shows the relationship between an operation mode and the temperature of a laser rod.
  • the graph which shows the relationship between the wavelength of a laser beam, and the output intensity of a laser beam.
  • the block diagram which shows the solid-state laser apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention.
  • the graph which shows the wavelength characteristic of the transmittance
  • the graph which shows the molecular absorption coefficient for every light wavelength of oxygenated hemoglobin and deoxygenated hemoglobin.
  • FIG. 1 shows a solid-state laser device according to a first embodiment of the present invention.
  • the solid-state laser device 10 includes a laser rod 11, a flash lamp 12, a laser chamber 13, mirrors 14 and 15, a Q switch 16, a wavelength selection element 17, a light diffusing plate 18, a cooling device 50, a control circuit 53, and a mode setting unit 54. Is provided.
  • the laser rod 11 is an alexandrite laser rod made of alexandrite crystals.
  • the laser rod 11 preferably has a diameter of 4 mm or less, desirably 3 mm or less.
  • the rod length is preferably 60 mm or less, and desirably 50 mm or less.
  • the flash lamp 12 is an excitation lamp, and emits excitation light for exciting the laser rod 11.
  • a lamp other than the flash lamp may be used for exciting the laser rod 11.
  • the laser rod 11 and the flash lamp 12 are accommodated in a laser chamber 13.
  • the laser chamber 13 has a space for accommodating the laser rod 11 and the flash lamp 12 therein.
  • a reflection surface is formed inside the laser chamber 13, and the light emitted from the flash lamp 12 is directly applied to the laser rod 11, or reflected by the reflection surface and applied to the laser rod 11.
  • the cooling device 50 is temperature control means for controlling the temperature of the laser rod 11 through the cooling medium.
  • the cooling device 50 is connected to the laser chamber 13 by pipes 51 and 52.
  • the cooling device 50 sends a cooling medium such as pure water into the laser chamber 13 through the pipe 51.
  • the cooling device 50 receives the waste water from the laser chamber 13 through the pipe 52, lowers the temperature of the cooling medium, and sends it again to the laser chamber 13. By circulating the cooling medium in this way, the temperature of the laser rod 11 in the laser chamber 13 can be maintained at a desired temperature.
  • the mirrors 14 and 15 are opposed to each other with the laser rod 11 interposed therebetween, and the mirrors 14 and 15 constitute a resonator.
  • the optical path in the optical resonator is not necessarily linear, and a prism or the like may be provided on the optical path between the mirrors 14 and 15 to bend the optical axis.
  • the mirror 15 is an output coupler (OC) and the mirror 14 is a high reflection mirror. Laser light that is output light is emitted from the mirror 15.
  • the Q switch 16 is inserted in the resonator.
  • the Q switch 16 is arranged between the laser rod 11 and the mirror 15 on the optical path of the light that is stimulated and emitted from the laser rod 11.
  • the Q switch 16 includes a Pockels cell that changes the polarization state of transmitted light in accordance with the applied voltage.
  • the Q switch 16 changes the Q value of the resonator according to the voltage applied to the Pockels cell.
  • the Q switch 16 sets the resonator in a low Q state when the applied voltage is the first voltage corresponding to the Q switch off.
  • the low Q state refers to a state where the Q value of the resonator is lower than the laser oscillation threshold value.
  • the first voltage is, for example, a voltage that causes the Pockels cell to function as a quarter wave plate.
  • the first voltage may be a positive voltage or a negative voltage.
  • the Q switch 16 places the resonator in a high Q state when the applied voltage is the second voltage corresponding to the Q switch being turned on.
  • the high Q state refers to a state where the Q value of the resonator is higher than the laser oscillation threshold value.
  • the second voltage is, for example, 0 V (no voltage applied), and at this time, the polarization state of the light transmitted through the Pockels cell does not change.
  • the linearly polarized light having the direction of polarization is incident on the Q switch 16 from the laser rod 11 side.
  • the Pockels cell functions as a quarter-wave plate, and linearly polarized light incident on the Pockels cell from the laser rod 11 side is circular when passing through the Pockels cell. It becomes polarized light.
  • the circularly polarized light is reflected by the mirror 15 and then passes through the Pockels cell acting as a quarter-wave plate in the reverse direction, and becomes linearly polarized light whose polarization direction is rotated by 90 ° from the forward polarization direction. In this case, the Q value of the resonator is low and laser oscillation does not occur.
  • Q switch 16 may include a quarter wave plate. In that case, conversely to the above, when the applied voltage to the Pockels cell is 0 V, it corresponds to the Q switch off, and when the applied voltage is a voltage that makes the Pockels cell work as a quarter wavelength plate, the Q switch is turned on. Correspond.
  • the mode setting means 54 sets the operation mode of the solid-state laser device 10 between a single-wavelength operation mode for emitting laser light having a single wavelength and a multiple-wavelength operation mode for emitting laser light having a plurality of wavelengths by switching. Switch and set.
  • the plurality of wavelengths that are switched and emitted in the multiple wavelength mode include the wavelength of the laser light that is emitted in the single wavelength operation mode.
  • a laser beam with a wavelength of 755 nm is emitted in the single wavelength operation mode, and a laser beam with a wavelength of 755 nm and a laser beam with a wavelength of 800 nm is switched and emitted in the multiple wavelength mode.
  • the light emission efficiency of the laser beam having the wavelength emitted in the one-wavelength operation mode of the laser rod 11 is that of the laser light having a wavelength other than the wavelength emitted in the one-wavelength operation mode among the plurality of wavelengths switched and emitted in the multiple-wavelength operation mode. Higher than luminous efficiency. That is, the light emission efficiency of light with a wavelength of 755 nm of the laser rod 11 is higher than the light emission efficiency of light with a wavelength of 800 nm.
  • the light emission efficiency of light having a wavelength other than the wavelengths 755 nm and 800 nm is lower than the light emission efficiency of light having a wavelength of 755 nm.
  • the mode setting means 54 receives an instruction indicating whether to emit light of one wavelength or to switch and emit light of a plurality of wavelengths from a user or an external device.
  • the mode setting unit 54 transmits a mode selection signal indicating the operation mode to be selected to the cooling device 50 and the control circuit 53.
  • the wavelength selection element 17 is wavelength selection means for selecting the wavelength of the laser light emitted from the resonator from a plurality of wavelengths.
  • a long pass filter that transmits light having a wavelength of 800 nm or more can be used.
  • a wavelength at which the transmittance of the long pass filter is 50% is defined as a cutoff wavelength
  • a long pass filter having a wavelength slightly shorter than 800 nm as the cutoff wavelength may be used as the wavelength selection element 17.
  • the long-pass filter for example, has a light transmittance that is not so high that it can be called a total transmission (light transmittance of about 100%) in the wavelength range shorter than 800 nm in the vicinity of a wavelength of 800 nm. It has a wavelength characteristic of light transmittance that can be said to be transmitted.
  • the wavelength selection element (long pass filter) 17 is inserted on the optical path of the resonator when the wavelength of the emitted laser light is 800 nm.
  • the wavelength selection element 17 is removed from the optical path of the resonator when the wavelength of the emitted laser light is 755 nm.
  • a means for driving the wavelength selection element 17, for example, a motor or the like can be used.
  • the laser gain of the alexandrite laser rod peaks near the wavelength of 755 nm, and decreases in the wavelength range other than the wavelength of 755 nm as the wavelength becomes longer or the wavelength becomes shorter.
  • the effective gain is low because the loss in the optical resonator is large on the shorter wavelength side than the cutoff wavelength of the long pass filter, The effective gain is maximized in the vicinity of a wavelength of 800 nm, and light having a wavelength of 800 nm can be oscillated in the resonator.
  • the wavelength selection element 17 is not limited to a long pass filter as long as it can select the wavelength of light oscillated in the resonator from a plurality of wavelengths.
  • a band pass filter that transmits light of a desired wavelength may be used as the wavelength selection element 17.
  • an etalon or a birefringent filter may be used as the wavelength selection element 17.
  • the light diffusion plate 18 is an optical element that reduces the output intensity of laser light having a wavelength of 755 nm.
  • the output intensity of laser light refers to power per pulse or fluence (energy density).
  • the light diffusion plate 18 is disposed on the optical path of the light emitted from the laser rod 11.
  • ceramics transparent ceramics or transparent alumina sintered by applying pressure can be used.
  • quartz glass having fine irregularities on the surface can be used.
  • An optical element different from the light diffusing plate 18 may be used as an optical element for reducing the output intensity of laser light having a wavelength of 755 nm.
  • Control circuit (control means) 53 controls the solid-state laser device 10.
  • the control circuit 53 selects the single wavelength operation mode or the multiple wavelength operation mode according to the mode selection signal received from the mode setting means 54.
  • the control circuit 53 selects the single wavelength operation mode when the mode selection signal is a signal indicating the single wavelength operation mode, and selects the multiple wavelength operation mode when the mode selection signal is a signal indicating the multiple wavelength operation mode.
  • the control circuit 53 drives the wavelength selection element 17 to control the wavelength of light oscillated in the resonator.
  • the control circuit 53 removes the wavelength selection element 17 from the optical path of the resonator.
  • the control circuit 53 removes the wavelength selection element 17 from the optical path of the resonator or sets the wavelength selection element 17 on the optical path of the resonator according to the wavelength of the emitted laser light. Insert into.
  • the control circuit 53 removes the wavelength selection element 17 from the optical path of the resonator, for example, or inserts the wavelength selection element 17 into the optical path of the resonator every pulse.
  • the wavelength of light oscillated in the resonator is switched between 755 nm and 800 nm.
  • the control circuit 53 inserts the light diffusing plate 18 into the optical path of the light emitted from the laser rod 11 when the selected operation mode is the multiple wavelength operation mode and the wavelength of the laser light is 755 nm.
  • the control circuit 53 removes the light diffusing plate 18 from the optical path of the light emitted from the laser rod when the selected operation mode is the multiple wavelength operation mode and the wavelength of the laser light is 800 nm.
  • the control circuit 53 may remove the light diffusing plate 18 from the optical path of the light emitted from the laser rod or insert it on the optical path. If the optical element has wavelength characteristics and can transmit light having a wavelength of 800 nm almost as it is, it is not necessary to remove the optical element from the optical path of the resonator in the multiple wavelength operation mode.
  • the control circuit 53 controls the voltage application to the Q switch 16 and the voltage application to the flash lamp 12 through a power supply circuit (not shown).
  • the control circuit 53 turns on the flash lamp 12 in a state where the voltage applied to the Q switch 16 is the first voltage that causes the Pockels cell to function as a quarter-wave plate. After the flash lamp 12 is turned on, the voltage applied to the Q switch 16 is changed from the first voltage to the second voltage (0 V) at a timing when the population inversion density in the laser rod 11 becomes sufficiently high. Giant pulses are obtained by rapidly changing the resonator from a low Q state to a high Q state.
  • the cooling device 50 changes the set temperature of the cooling medium according to the mode selection signal received from the mode setting means 54. More specifically, the cooling device 50 makes the set temperature when the operation mode is the multiple wavelength operation mode higher than the set temperature when the operation mode is the single wavelength operation mode.
  • the set temperature in the single wavelength operation mode is 40 to 50 ° C.
  • the set temperature in the multiple wavelength operation mode is 60 ° C. to 70 ° C.
  • the mode setting unit 54 transmits the mode selection signal to the cooling device 50 and the control circuit 53.
  • the control circuit 53 may include the mode setting unit 54. In that case, even if an instruction for designating an operation mode input from a user or an external device is input to the control circuit 53, the control circuit 53 transmits a signal indicating the selected operation mode to the cooling device 50. Good.
  • the cooling device 50 may control the temperature of the laser rod 11 according to a signal received from the control circuit 53.
  • the input energy of the laser that is, the energy input to the flash lamp 12 that is the excitation light source at the time of excitation
  • the cost of the power supply part that supplies power to the flash lamp 12 is directly related to the cost of the power supply part that supplies power to the flash lamp 12 and greatly affects the overall apparatus cost. Therefore, 20 J or less is preferable.
  • the efficiency of the output energy with respect to the input energy is preferably 0.0075 or more, and more preferably 0.01 or more. That is, when the input energy is 20 J, it is preferable to obtain a laser output energy of 150 mJ or more, and it is further preferable to obtain a laser output energy of 200 mJ or more.
  • FIG. 2 shows the relationship between the operation mode and the temperature of the laser rod 11. It can be considered that the temperature of the laser rod 11 is the same as the temperature of the cooling medium that cools the laser rod 11. Until the time t1, the operation mode is the single wavelength operation mode, and the cooling device 50 adjusts the temperature of the cooling medium so that the temperature of the cooling medium becomes 47 ° C., for example.
  • the cooling device 50 changes the set temperature to 70 ° C., for example.
  • the temperature of the cooling medium changes with a certain gradient, and reaches 70 ° C. after a certain period of time. Thereafter, the cooling device 50 controls the temperature of the cooling medium so as to keep the temperature of the cooling medium at 70 ° C.
  • the cooling device 50 returns the temperature setting of the cooling medium to 47 ° C.
  • FIG. 3 shows the relationship between the wavelength of the laser beam and the output intensity (power per pulse) of the laser beam.
  • Graph (a) shows the relationship between the wavelength of the laser beam and the output intensity of the laser beam when the temperature of the laser rod 11 is 47 ° C.
  • graph (b) shows the relationship when the temperature of the laser rod 11 is 70 ° C.
  • the relationship between the wavelength of a laser beam and the output intensity of a laser beam is shown.
  • the wavelength at which the highest output intensity is obtained is 755 nm both when the temperature of the laser rod 11 is 47 ° C. and when it is 70 ° C. Comparing the case where the temperature of the laser rod 11 is 47 ° C. and the case where it is 70 ° C., the output intensity of the laser beam when the temperature of the laser rod 11 is 70 ° C. at the wavelength of 755 nm is the laser when the temperature is 47 ° C. It is higher than the light output intensity.
  • the laser when the temperature of the laser rod 11 is 70 ° C. Comparing the output intensity of the laser beam when the temperature of the laser rod 11 is 47 ° C. and the output intensity of the laser beam when the temperature is 70 ° C. at a wavelength of 800 nm, the laser when the temperature of the laser rod 11 is 70 ° C.
  • the light output intensity is higher than the laser light output intensity when the temperature is 47 ° C.
  • the difference in output intensity of the laser beam between the temperature of the laser rod 11 at a wavelength of 800 nm and 47 ° C. is larger than the difference in output intensity of the laser beam at a wavelength of 755 nm.
  • the increase in the output intensity of the laser beam due to the increase in temperature is greater at the wavelength of 800 nm than at the wavelength of 755 nm.
  • the output intensity of the laser light having a wavelength of 755 nm in the multiple wavelength operation mode becomes higher than the output intensity of the laser light having a wavelength of 755 nm in the single wavelength operation mode.
  • the wavelength of 755 nm in the multi-wavelength operation mode is obtained.
  • the output intensity of the laser beam may be reduced to a level equivalent to the output intensity of the laser beam having a wavelength of 755 nm in the one-wavelength operation mode.
  • the output intensity of the laser beam having a wavelength of 755 nm in the multi-wavelength operation mode may be reduced to a level equivalent to the output intensity of the laser beam having a wavelength of 800 nm.
  • the temperature of the laser rod 11 when the solid-state laser device 10 is used in the multiple wavelength operation mode is set higher than the temperature of the laser rod 11 when used in the single wavelength operation mode.
  • the emission efficiency of the wavelength of 800 nm is higher than the emission efficiency of the wavelength of 755 nm.
  • the temperature of the laser rod 11 in the multi-wavelength operation mode is set to the same temperature as that in the single-wavelength operation mode, the difference in the output intensity of the laser light between the two wavelengths increases. In this embodiment, by raising the temperature of the laser rod 11 in the multi-wavelength operation mode, the output intensity of laser light having a wavelength of 800 nm can be increased, and the difference in output intensity of laser light between both wavelengths is reduced. be able to.
  • the laser chamber 13 is always at a high temperature. If the temperature of the laser chamber 13 is always high, some measures against heat may be required. In this embodiment, since the single-wavelength operation mode is used at a relatively low temperature and the temperature is raised during the multiple-wavelength operation mode, the laser chamber 13 is not always at a high temperature, but compared with a case where the laser chamber 13 is always at a high temperature. Therefore, heat countermeasures can be simplified.
  • the laser rod 11 in the multiple-wavelength operation mode is emitted.
  • Making the temperature higher than the temperature of the laser rod 11 in the one-wavelength operation mode is effective in improving the light emission efficiency at that wavelength because the light emission efficiency at a wavelength of 800 nm is particularly low.
  • this embodiment is effective when it is desired to use two wavelengths with close output intensities because the difference in the output intensities of the two wavelengths of laser light emitted by switching can be reduced.
  • the temperature of the laser rod 11 is made higher than the temperature in the single-wavelength operation mode in order to improve the light emission efficiency of the wavelength with lower efficiency (800 nm), even at the wavelength with high light emission efficiency (755 nm).
  • the light emission efficiency is increased, and the output intensity of the laser beam having the wavelength becomes larger than the output intensity in the single wavelength operation mode.
  • the light diffusion plate 18 that reduces the output intensity of the laser light with the wavelength of 755 nm is inserted on the optical path of the resonator, so that the laser light with the wavelength of 755 nm is The difference between the output intensity and the output intensity of laser light having a wavelength of 800 nm is reduced.
  • the light diffusing plate 18 is inserted on the optical path of the resonator when the operation mode is a multi-wavelength operation mode and the wavelength of the emitted laser light is 755 nm, the output of laser light having a wavelength of 755 nm in the multi-wavelength operation mode. The strength can be corrected.
  • FIG. 4 shows a solid-state laser apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • the solid-state laser device 10a of this embodiment includes a laser rod 11, a flash lamp 12, a first mirror 15, a second mirror 14, a third mirror 20, a first Q switch 16, a second Q switch 21, It has a polarizer 19, a quarter-wave plate 22, and a control circuit 53.
  • the laser chamber 13, the cooling device 50, the mode setting means 54 (see FIG. 1) and the like are omitted.
  • the first mirror 15, the second mirror 14, and the third mirror 20 are arranged along the optical axis of the laser rod 11.
  • the first mirror 15 and the second mirror 14 face each other with the laser rod 11 in between.
  • the third mirror 20 is disposed on the side opposite to the laser rod 11 when viewed from the second mirror 14, and faces the first mirror 15 with the laser rod 11 and the second mirror 14 interposed therebetween.
  • the first mirror 15 is an output mirror of light having a wavelength of 800 nm and light having a wavelength of 755 nm.
  • the reflectance of the first mirror 15 is preferably 70% or more.
  • the reflectance of the first mirror 15 with respect to light with a wavelength of 800 nm is higher than the reflectance with respect to light with a wavelength of 755 nm.
  • the reflectance of the first mirror 15 with respect to light with a wavelength of 800 nm is 80%
  • the reflectance with respect to light with a wavelength of 755 nm is 70%.
  • the second mirror 14 reflects light having a wavelength of 800 nm and transmits light having a wavelength of 755 nm.
  • FIG. 5 shows the wavelength characteristics of the transmittance of the second mirror 14.
  • the second mirror 14 includes a short pass filter having a cutoff wavelength at a wavelength slightly shorter than 800 nm, for example.
  • the transmittance of the second mirror 14 with respect to light having a wavelength of 800 nm is 0.2% or less, and the reflectance is 99.8% or more.
  • the transmittance of the second mirror 14 with respect to light having a wavelength of 755 nm is 99.5% or more, and the reflectance is 0.5% or less.
  • the third mirror 20 reflects light having a wavelength of 755 nm.
  • the reflectance of the third mirror 20 with respect to light having a wavelength of 755 nm is, for example, 99.8% or more.
  • the first mirror 15 and the second mirror 14 constitute a first resonator that oscillates light having a wavelength of 800 nm.
  • light having a wavelength of 755 nm emitted from the laser rod 11 passes through the second mirror 14 and is reflected by the third mirror 20, and reciprocates between the first mirror 15 and the third mirror 20.
  • the first mirror 15 and the third mirror 20 constitute a second resonator that oscillates light having a wavelength of 755 nm.
  • the resonator length of the first resonator is shorter than the resonator length of the second resonator.
  • the optical path from the first mirror 15 to the second mirror 14 is a common optical path for the first resonator and the second resonator.
  • the first Q switch 16 and the polarizer 19 constitute a first Q value changing unit.
  • the first Q switch 16 and the polarizer 19 are disposed in a common part to the first resonator and the second resonator, and control the Q values of the first resonator and the second resonator.
  • the first Q switch 16 and the polarizer 19 are disposed, for example, between the first mirror 15 and the laser rod 11. Instead, the first Q switch 16 and the polarizer 19 may be disposed between the laser rod 11 and the second mirror 14.
  • the first Q switch 16 changes the Q values of the first resonator and the second resonator according to the applied voltage.
  • the polarizer 19 is disposed between the laser rod 11 and the first Q switch 16.
  • the polarizer 19 transmits only linearly polarized light in a certain direction.
  • the polarizer 19 transmits linearly polarized light having a direction of polarization (linearly polarized light having a polarization direction of the first direction) and linearly polarized light having a direction orthogonal to the direction of polarization (the polarization direction is second).
  • a beam splitter that reflects (linearly polarized light in the direction of) can be used.
  • the polarizer 19 may be omitted.
  • a Pockels cell is used for the first Q switch 16.
  • the first Q switch 16 sets the first resonator and the second resonator to a low Q state when the applied voltage is the first voltage corresponding to the Q switch off.
  • the first voltage is, for example, a voltage that causes the Pockels cell to function as a quarter wave plate.
  • the first voltage may be a positive voltage or a negative voltage.
  • the first Q switch 16 sets the first resonator and the second resonator to a high Q state when the applied voltage is a second voltage corresponding to the Q switch being turned on.
  • the absolute value of the second voltage is, for example, 0 V (no voltage applied). At this time, the polarization state of the light transmitted through the first Q switch 16 does not change.
  • the first Q switch 16 When the first voltage is applied to the first Q switch 16, the first Q switch 16 functions as a quarter wavelength plate, and the polarization direction incident on the first Q switch 16 from the polarizer 19 is the first.
  • the linearly polarized light in the direction of (2) passes through the first Q switch 16 to become circularly polarized light, is reflected by the first mirror 15 and is incident on the first Q switch 16 in the opposite direction.
  • the circularly polarized light incident on the first Q switch 16 in the reverse direction passes through the first Q switch 16 and becomes a linearly polarized light whose polarization direction is the second direction, and the polarization direction is the second linearly polarized light.
  • the light is reflected by the reflecting polarizer 19 and is emitted out of the optical path of the resonator.
  • the linearly polarized light whose polarization direction is incident on the first Q switch 16 from the polarizer 19 has the first direction.
  • the light passes through the first Q switch 16 without change and is reflected by the first mirror 15.
  • the linearly polarized light reflected by the first mirror 15 is transmitted through the first Q switch 16 without changing the polarization state, and is transmitted through the polarizer 19 that transmits the linearly polarized light whose polarization direction is the first direction. Incident on the rod 11.
  • the second Q switch 21 and the quarter wavelength plate 22 constitute a second Q value changing unit.
  • the second Q switch 21 and the quarter wavelength plate 22 are disposed between the second mirror 14 and the third mirror 20 and control the Q value of the second resonator.
  • the second Q switch 21 is disposed on the optical path of the second resonator and outside the optical path of the first resonator.
  • the second Q switch 21 changes the Q value of the second resonator according to the applied voltage.
  • the quarter wavelength plate 22 is disposed between the second Q switch 21 and the third mirror 20.
  • a light diffusing plate 18 may be disposed between the second mirror 14 and the third mirror 20.
  • the light diffusing plate 18 can reduce the difference between the output intensity of laser light having a wavelength of 755 nm and the output intensity of laser light having a wavelength of 800 nm.
  • the light diffusing plate 18 may be removed from the optical path of the second resonator when the operation mode is the single wavelength operation mode.
  • the transmittance of the second mirror 14 with respect to light having a wavelength of 755 nm may be set to a transmittance lower than about 100%. In that case, the difference between the output intensity of the laser beam having a wavelength of 755 nm and the output intensity of the laser beam having a wavelength of 800 nm can be reduced without arranging the light diffusion plate 18.
  • a Pockels cell is used for the second Q switch 21.
  • the second Q switch 21 sets the second resonator to a low Q state when the applied voltage is a third voltage corresponding to the Q switch off.
  • the third voltage is, for example, 0 V (no voltage applied), and at this time, the polarization state of the light transmitted through the second Q switch 21 does not change.
  • the second Q switch 21 brings the second resonator into a high Q state when the applied voltage is a fourth voltage corresponding to the Q switch being turned on.
  • the fourth voltage is, for example, a voltage that causes the Pockels cell to function as a quarter wave plate.
  • the fourth voltage may be a positive voltage or a negative voltage.
  • the polarization direction incident on the second Q switch 21 from the laser rod 11 side through the second mirror 14 is a straight line in the first direction.
  • the polarized light passes through the second Q switch 21 without changing the polarization state, passes through the quarter-wave plate 22, becomes circularly polarized light, and is reflected by the third mirror 20.
  • the circularly polarized light reflected by the third mirror 20 passes through the quarter-wave plate 22 in the reverse direction and becomes a linearly polarized light whose polarization direction is the second direction, and passes through the second Q switch 21 without changing the polarization direction. Then, the laser rod 11 is returned.
  • the second mirror 14 reflects light having a wavelength of 800 nm and transmits light having a wavelength of 755 nm. Therefore, the light traveling between the second mirror 14 and the third mirror 20 is light having a wavelength of 755 nm, and the light having a wavelength of 800 nm does not travel from the second mirror 14 to the third mirror 20 side. .
  • the second Q switch 21 functions as a quarter wavelength plate, and passes through the second mirror 14 from the laser rod 11 side to the second Q switch.
  • the linearly polarized light whose polarization direction is incident on the first direction becomes circularly polarized light when passing through the second Q switch 21, and further passes through the quarter-wave plate 22 so that the polarization direction is the second direction.
  • the linearly polarized light is reflected by the third mirror 20.
  • the light reflected by the third mirror 20 passes through the quarter-wave plate 22 in the reverse direction and becomes circularly polarized light, and further passes through the second Q switch 21 and becomes the first linearly polarized light. Return to the laser rod 11.
  • the control circuit 53 drives the first Q switch 16 and the second Q switch 21.
  • the control circuit 53 includes a first drive state, a first resonator, and a second resonator that cause the first resonator and the second resonator to be in a low Q state in which the Q value of the resonator is lower than an oscillation threshold value.
  • the second driving state in which the resonator Q is in a high Q state in which the Q value of the resonator is higher than the oscillation threshold, and the first resonator is in a high Q state and the second resonator is in a low state.
  • the drive state is switched between the third drive states to be in the Q state.
  • the control circuit 53 also drives the flash lamp 12.
  • the control circuit 53 applies a first voltage to the first Q switch 16 to cause the first Q switch 16 to function as a quarter wavelength plate. Further, the applied voltage to the second Q switch 21 is set to 0 V (third voltage), and the polarization state of the light passing through the second Q switch 21 is not changed. Since the first Q switch 16 functions as a quarter wavelength plate, the light reflected by the first mirror 15 does not enter the laser rod 11. Further, by not changing the polarization state of the light passing through the second Q switch 21, the light having a wavelength of 755 nm reflected by the third mirror 20 is incident on the laser rod 11 as linearly polarized light whose linear direction is the second direction.
  • the first resonator and the second resonator are in a low Q state, and laser oscillation does not occur for both the wavelength of 800 nm and the wavelength of 755 nm.
  • the first Q switch 16 is disposed on a common optical path for the first resonator and the second resonator, and the second voltage is applied by applying the first voltage to the first Q switch 16. Can be brought into a low-Q state. Therefore, in the first driving state, the voltage applied to the second Q switch 21 is not particularly limited to the third voltage, and the fourth voltage is applied to the second Q switch 21, The Q switch 21 may be used as a quarter wavelength plate.
  • the control circuit 53 sets the applied voltage to the first Q switch 16 to 0 V (second voltage) and does not change the polarization state of the light passing through the first Q switch 16.
  • a fourth voltage is applied to the second Q switch 21 to cause the second Q switch 21 to function as a quarter wavelength plate.
  • the first resonator and the second resonator are in a high Q state, and laser oscillation occurs.
  • the laser gain at a wavelength of 755 nm is higher than the laser gain at a wavelength of 800 nm, so the oscillation wavelength is 755 nm, which has a higher laser gain.
  • the control circuit 53 sets the applied voltage to the first Q switch 16 to 0 V (second voltage) and does not change the polarization state of the light passing through the first Q switch 16. Further, the applied voltage to the second Q switch 21 is set to 0 V (third voltage), and the polarization state of the light passing through the second Q switch 21 is not changed. By not changing the polarization state of the light passing through the first Q switch 16, the light reflected by the first mirror 15 enters the laser rod 11 as linearly polarized light whose polarization direction is the first direction.
  • the first resonator is in a high Q state and the second resonator is in a low Q state, and laser oscillation occurs in the first resonator.
  • the first resonator is a resonator having a wavelength of 800 nm, and the oscillation wavelength is 800 nm.
  • the control circuit 53 sets the driving state of the first Q value changing unit and the second Q value changing unit to the first driving state when the laser rod 11 is excited. That is, the first resonator and the second resonator are set to a low Q state, the flash lamp 12 is turned on, and the laser rod 11 is excited. After the excitation of the laser rod 11, the control circuit 53 changes the driving state of the first Q value changing unit and the second Q value changing unit from the first driving state to the third driving state when the oscillation wavelength is 800 nm. And change. In the third driving state, since the first resonator is in the high Q state and the second resonator is in the low Q state, the oscillation wavelength is 800 nm. By rapidly changing the first resonator from the low Q state to the high Q state, a pulsed laser beam having a wavelength of 800 nm can be obtained.
  • the control circuit 53 changes the driving state of the first Q value changing unit and the second Q value changing unit from the first driving state to the second driving state. And change. At this time, the control circuit 53 drives the second Q value changing unit so that the second resonator is in the high Q state, and at the same time, the first Q is set so that the first resonator is in the high Q state. Drives the value changer. Alternatively, after driving the second Q value changing unit so that the second resonator is in the high Q state, driving the first Q value changing unit so that the first resonator is in the high Q state. Also good.
  • both resonators are in the high Q state, but the oscillation wavelength is 755 nm, which has a high laser gain between the wavelength of 800 nm and the wavelength of 755 nm.
  • the control circuit 53 can select the oscillation wavelength by driving the first Q value changing unit and the second Q value changing unit, the control circuit 53 also serves as a wavelength selecting unit.
  • the control circuit 53 oscillates light having a wavelength of 755 nm in the second resonator when the mode selection signal received from the mode setting means 54 (see FIG. 1) is a signal indicating the one-wavelength operation mode.
  • the mode selection signal received from the mode setting means 54 is a signal indicating a multi-wavelength operation mode
  • the control circuit 53 oscillates light having a wavelength of 800 nm in the first resonator and wavelength 755 nm in the second resonator. Oscillates the light.
  • the first Q value changing unit and the second Q value changing unit are such that both the first resonator and the second resonator are in a high Q state, and both the first resonator and the second resonator are low. It is only necessary to switch between the Q state and the three states of the first resonator in the high Q state and the second resonator in the low Q state.
  • Specific examples of the first Q value changing unit and the second Q value changing unit The specific configuration is not limited to the above.
  • the first Q value changing unit may be configured with a combination of a Pockels cell and a quarter-wave plate in the same manner as the second Q value changing unit, or the second Q value changing unit may be Similar to the first Q value changing unit, the Pockels cell and the polarizer may be combined.
  • the first mirror 15 and the second mirror 14 constitute a first resonator that oscillates light having a wavelength of 800 nm, and the first mirror 15 and the third mirror 20 have a wavelength of 755 nm.
  • a second resonator that oscillates light is configured.
  • the first Q value changing unit is arranged in a common part between the first resonator and the second resonator, and the second Q value changing unit is provided between the second mirror 14 and the third mirror 20. Place.
  • the first resonator and the second resonator are set to a low Q state to excite the laser rod 11, the first resonator is switched to a high Q state after excitation, and the second resonator is set to a low Q state.
  • the laser resonator 11 is excited with the first resonator and the second resonator in the low Q state, and the first resonator and the second resonator are brought into the high Q state after the excitation, so that the light emission efficiency is achieved.
  • the temperature of the laser rod 11 in the multi-wavelength mode is set higher than the temperature of the laser rod 11 in the single-wavelength operation mode, so The difference can be reduced.
  • FIG. 6 shows a photoacoustic measuring device including the solid-state laser device of the present invention.
  • the photoacoustic measurement apparatus 100 includes an ultrasonic probe (probe) 101, an ultrasonic unit 102, and a laser light source unit (solid laser apparatus) 10.
  • the solid-state laser device 10 emits pulsed laser light that irradiates the subject. In the two-wavelength operation mode, the solid-state laser device 10 switches and emits laser light having the first wavelength and the second wavelength.
  • the solid-state laser device 10 emits a laser beam having a second wavelength in the one-wavelength operation mode.
  • the solid-state laser device 10 may be the one described in the first embodiment or the one described in the second embodiment.
  • the first wavelength (center wavelength) is about 800 nm and the second wavelength is about 755 nm.
  • the molecular absorption coefficient at a wavelength of 755 nm of oxygenated hemoglobin (hemoglobin combined with oxygen: oxy-Hb) contained in a large amount in a human artery is lower than the molecular absorption coefficient at a wavelength of 800 nm.
  • the molecular absorption coefficient at a wavelength of 755 nm of deoxygenated hemoglobin (hemoglobin deoxy-Hb not bound to oxygen) contained in a large amount in veins is higher than the molecular absorption coefficient at a wavelength of 800 nm.
  • the photoacoustic signal from the artery and the vein are examined. From the photoacoustic signal. Alternatively, the oxygen saturation can be measured.
  • any combination of two wavelengths may be used as long as there is a difference in the light absorption coefficient between the two selected wavelengths, and the above-described about 755 nm and about 800 nm.
  • the combination is not limited.
  • the two wavelengths selected are about 800 nm (exactly 798 nm) at which the light absorption coefficient is the same between oxygenated hemoglobin and deoxygenated hemoglobin, and the light of deoxygenated hemoglobin.
  • a combination with a wavelength of about 755 nm (more precisely, 757 nm) at which the absorption coefficient becomes a maximum value is preferable.
  • the first wavelength does not need to be exactly 798 nm.
  • the second wavelength does not need to be exactly 757 nm.
  • the second wavelength is in the range of 748 to 770 nm which is the half-value width of the peak near the maximum value (757 nm), there is no practical problem.
  • the laser light emitted from the solid-state laser device 10 is guided to the probe 101 using light guide means such as an optical fiber, and is irradiated from the probe 101 toward the subject.
  • the irradiation position of the laser beam is not particularly limited, and the laser beam may be irradiated from a place other than the probe 101.
  • an ultrasonic wave photoacoustic wave
  • the probe 101 includes an ultrasonic detector.
  • the probe 101 has, for example, a plurality of ultrasonic detector elements (ultrasonic transducers) arranged one-dimensionally, and an acoustic wave (light) from within the subject is detected by the ultrasonic transducer arranged one-dimensionally. Sound signal).
  • ultrasonic detector elements ultrasonic transducers
  • the ultrasonic unit 102 is a signal processing unit, such as a reception circuit 121, an AD conversion unit 122, a reception memory 123, a complex number conversion unit 124, a photoacoustic image reconstruction unit 125, a phase information extraction unit 126, an intensity information extraction unit 127, It has detection / logarithm conversion means 128, photoacoustic image construction means 129, trigger control circuit 130, and control means 131.
  • the receiving circuit 121 receives the photoacoustic signal detected by the probe 101.
  • the AD conversion unit 122 is a detection unit, which samples the photoacoustic signal received by the receiving circuit 121 and generates photoacoustic data that is digital data.
  • the AD conversion unit 122 samples the photoacoustic signal in synchronization with the AD clock signal.
  • the AD converter 122 stores the photoacoustic data in the reception memory 123.
  • the AD conversion unit 122 stores photoacoustic data corresponding to each wavelength of the pulsed laser light emitted from the solid-state laser device 10 in the reception memory 123. That is, the AD conversion means 122 has the first photoacoustic data obtained by sampling the photoacoustic signal detected by the probe 101 when the subject is irradiated with the pulse laser beam having the first wavelength, and the second wavelength. Second photoacoustic data obtained by sampling the photoacoustic signal detected by the probe 101 when the pulse laser beam is irradiated is stored in the reception memory 123.
  • the complex number conversion means 124 reads the first photoacoustic data and the second photoacoustic data from the reception memory 123, and generates complex number data in which one of them is a real part and the other is an imaginary part. In the following description, it is assumed that the complex number generating unit 124 generates complex number data having the first photoacoustic data as an imaginary part and the second photoacoustic data as a real part.
  • the photoacoustic image reconstruction unit 125 inputs complex number data from the complex number conversion unit 124.
  • the photoacoustic image reconstruction unit 125 performs image reconstruction from the input complex number data by a Fourier transform method (FTA method).
  • FFA method Fourier transform method
  • For image reconstruction by the Fourier transform method for example, a conventionally known method described in the document “Photoacoustic Image Reconstruction-A A Quantitative Analysis” Jonathan I Isperl I et al. SPIE-OSA Vol. it can.
  • the photoacoustic image reconstruction unit 125 inputs Fourier transform data indicating the reconstructed image to the phase information extraction unit 126 and the intensity information extraction unit 127.
  • the phase information extraction unit 126 extracts the relative signal intensity magnitude relationship between the photoacoustic data corresponding to each wavelength.
  • the phase information extraction unit 126 uses the reconstructed image reconstructed by the photoacoustic image reconstruction unit 125 as input data, and compares the real part and the imaginary part from the input data that is complex number data. In comparison, phase information indicating which is relatively large is generated.
  • the intensity information extraction unit 127 generates intensity information indicating the signal intensity based on the photoacoustic data corresponding to each wavelength.
  • the intensity information extraction unit 127 uses the reconstructed image reconstructed by the photoacoustic image reconstruction unit 125 as input data, and generates intensity information from the input data that is complex number data. For example, when the complex number data is represented by X + iY, the intensity information extraction unit 127 extracts (X 2 + Y 2 ) 1/2 as the intensity information.
  • the detection / logarithm conversion means 128 generates an envelope of data indicating the intensity information extracted by the intensity information extraction means 127, and then logarithmically converts the envelope to widen the dynamic range.
  • the photoacoustic image construction unit 129 receives the phase information from the phase information extraction unit 126 and the intensity information after the detection / logarithmic conversion processing from the detection / logarithmic conversion unit 128.
  • the photoacoustic image construction unit 129 generates a photoacoustic image that is a distribution image of the light absorber based on the input phase information and intensity information.
  • the photoacoustic image construction unit 129 determines the luminance (gradation value) of each pixel in the distribution image of the light absorber based on the input intensity information.
  • the photoacoustic image construction unit 129 determines the color (display color) of each pixel in the light absorber distribution image based on, for example, phase information.
  • the photoacoustic image construction unit 129 determines the color of each pixel based on the input phase information using, for example, a color map in which a range of phase from 0 ° to 90 ° is associated with a specific color.
  • the range of the phase from 0 ° to 45 ° is a range in which the second photoacoustic data is larger than the first photoacoustic data. Therefore, the source of the photoacoustic signal is 755 nm in wavelength rather than absorption for the wavelength of 798 nm. It is considered that this is a vein through which blood mainly containing deoxygenated hemoglobin flows.
  • the range of 45 ° to 90 ° is a range in which the first photoacoustic data is larger than the second photoacoustic data
  • the source of the photoacoustic signal is for the wavelength 755 nm rather than the absorption for the wavelength 798 nm. It is considered to be an artery through which blood mainly containing oxygenated hemoglobin is flowing.
  • the phase gradually changes so that the phase is 0 ° in blue and the phase becomes colorless (white) as the phase approaches 45 °, and the phase 90 ° is red and the phase is 45.
  • the portion corresponding to the artery can be represented in red
  • the portion corresponding to the vein can be represented in blue.
  • the gradation value may be constant and only the color classification of the portion corresponding to the artery and the portion corresponding to the vein may be performed according to the phase information.
  • the image display means 104 displays the photoacoustic image generated by the photoacoustic image construction means 129 on the display screen.
  • the control means 131 controls each part in the ultrasonic unit 102.
  • the control unit 131 transmits a signal indicating the operation mode of the solid-state laser device 10 to the solid-state laser device 10.
  • the user inputs which operation mode the solid-state laser device 10 is operated by operating an input means such as a console.
  • the operation mode is the one-wavelength operation mode
  • the processing of the complex numbering unit 124, the phase information extracting unit 126, and the intensity information extracting unit 127 may be omitted and a normal photoacoustic image may be generated.
  • the trigger control circuit 130 transmits a flash lamp trigger signal for controlling the light emission of the flash lamp 12 (see FIG. 1) to the solid-state laser device 10.
  • the control circuit 53 of the solid-state laser device 10 turns on the flash lamp 12 and irradiates the laser rod 11 with excitation light from the flash lamp 12.
  • the trigger control circuit 130 transmits a Q switch trigger signal to the control circuit 53 after transmitting the flash lamp trigger signal.
  • the trigger control circuit 130 transmits a sampling trigger signal (AD trigger signal) to the AD converter 122 in accordance with the timing of the Q switch trigger signal, that is, the emission timing of the pulse laser beam.
  • the AD conversion unit 122 starts sampling of the photoacoustic signal based on the sampling trigger signal.
  • one of the first photoacoustic data and the second photoacoustic data obtained at two wavelengths is a real part and the other is an imaginary part.
  • Complex number data is generated, and a reconstructed image is generated from the complex number data by a Fourier transform method.
  • reconstruction can be performed more efficiently than when the first photoacoustic data and the second photoacoustic data are reconstructed separately.
  • the ratio between the first photoacoustic data and the second photoacoustic data is calculated using the complex number and the phase information, but the same effect can be obtained by calculating the ratio from the intensity information of both.
  • the obtained intensity information can also be generated based on the signal intensity in the first reconstructed image and the signal intensity in the second reconstructed image.
  • the number of wavelengths of the pulsed laser light applied to the subject is not limited to two, and the subject is irradiated with three or more pulsed laser lights, and photoacoustic data corresponding to each wavelength is generated.
  • a photoacoustic image may be generated based on this.
  • the phase information extraction unit 126 may generate a relative magnitude relationship between the photoacoustic data corresponding to each wavelength as the phase information.
  • the intensity information extraction unit 127 may generate, as intensity information, a collection of signal intensities in photoacoustic data corresponding to each wavelength, for example.
  • the present invention is not limited to this. It is also possible to use the solid-state laser device of the present invention for a device different from the photoacoustic measuring device.
  • the laser device and the photoacoustic measurement device of the present invention are not limited to the above embodiment, and various modifications can be made from the configuration of the above embodiment. Further, modifications and changes are also included in the scope of the present invention.

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Abstract

【課題】固体レーザ装置及び光音響計測装置において、単一の波長のレーザ光を出射する動作モードで出射するある波長のレーザ光の出力と、複数波長のレーザ光を切り替えて出射する動作モードで出射する他の波長のレーザ光の出力との差を抑制する。 【解決手段】制御回路(53)は、固体レーザ装置(10)の動作モードを、単一の波長のレーザ光を出射する一波長動作モードと、複数の波長のレーザ光を切り替えて出射する複数波長動作モードとの間で切り替える。複数波長動作モードで切り替えて出射する複数の波長には、一波長動作モードで出射するレーザ光の波長が含まれる。冷却装置(50)は、レーザロッド(11)の温度を制御する。冷却装置(50)は、動作モードが複数波長動作モードのときのアレキサンドライトレーザロッドの温度を、一波長動作モードのときのアレキサンドライトレーザロッドの温度よりも高くする。

Description

固体レーザ装置及び光音響計測装置
 本発明は、固体レーザ装置に関し、更に詳しくは、複数の波長の光を出射可能な固体レーザ装置に関する。また、本発明は、そのような固体レーザ装置を含む光音響計測装置に関する。
 従来、例えば特許文献1に示されているように、光音響効果を利用して生体の内部を画像化する光音響画像化装置が知られている。この光音響画像化装置においては、例えばパルスレーザ光等のパルス光が生体に照射される。このパルス光の照射を受けた生体内部では、パルス光のエネルギーを吸収した生体組織が熱によって体積膨張し、音響波が発生する。この音響波を超音波プローブなどで検出し、検出された信号(光音響信号)に基づいて生体内部を可視像化することが可能となっている。光音響画像化方法では、特定の光吸収体において音響波が発生するため、生体における特定の組織、例えば血管等を画像化することができる。
 生体組織の多くは光吸収特性が光の波長に応じて変わり、また一般に、その光吸収特性も組織ごとに特有のものとなっている。例えば図7に、ヒトの動脈に多く含まれる酸素化ヘモグロビン(酸素と結合したヘモグロビン:oxy-Hb)と、静脈に多く含まれる脱酸素化ヘモグロビン(酸素と結合していないヘモグロビンdeoxy-Hb)の光波長ごとの分子吸収係数を示す。動脈の光吸収特性は、酸素化ヘモグロビンのそれに対応し、静脈の光吸収特性は、脱酸素化ヘモグロビンのそれに対応する。この波長に応じた光吸収率の違いを利用して、互いに異なる2種の波長の光を血管部分に照射し、動脈と静脈とを区別して画像化する光音響画像化方法が知られている(例えば特許文献2参照)。
 複数波長の光を出射可能なレーザ光源を用いた光音響画像生成装置について、特許文献3には、波長選択スイッチを操作することで出射するレーザ光の波長を切り替えることが記載されている。波長選択スイッチはスライドスイッチであり、「750」、「800」、及び「ALT」の3つのスライド位置を持つ。波長選択スイッチのスライド位置が「750」の位置のときレーザ光源は波長約750nmの光を出射し、スライド位置が「800」のときレーザ光源は波長約800nmのレーザ光を出射する。波長選択スイッチのスライド位置が「ALT」のときは、レーザ光源は波長約750nmのレーザ光と波長約800nmのレーザ光とを交互に出射する。
 複数波長のレーザ発振が可能なレーザ媒質の1つとして、アレキサンドライト結晶が知られている。レーザ媒質にアレキサンドライト結晶を用いたレーザ装置(アレキサンドライトレーザ)は、発生するレーザの波長帯域が広く、高波長から低波長まで発生させることができる。共振器内に特定の波長を透過するフィルタを設け、Qスイッチを用いて増幅することで、特定の波長の短パルスレーザ光を取り出すことが可能である。
 アレキサンドライトレーザが記載された文献として、例えば特許文献4及び特許文献5がある。特許文献4には、アレキサンドライトレーザにおいて、波長700nmから波長820nmの間では、高励起エネルギーを用いて、波長領域を、より長波長に或いは逆に短波長に延ばすことができると記載されている。この波長領域は温度に依存しており、高い温度ではより長い波長が、低い温度ではより短い波長が一般に得られる。特許文献4には、アレキサンドライトレーザが温度を任意の温度に維持する冷却手段を備えることが記載されている。
 特許文献5には、アレキサンドライトレーザにおいて、冷却水の温度によってレーザ光の増幅率を調整することが記載されている。特許文献5には、増幅されたレ-ザ光の強度をエネルギメータによって検出し、制御装置の設定値と検出した強度とを比較することが記載されている。その比較結果に基づいて温度調節器を駆動し、冷却水の温度を制御する。増幅率を決める誘導放出断面積には温度依存性があり、通常高温である程、増幅率が高くなる。従って、パルスレ-ザ光の増幅率を高くしたい場合には、冷却水の温度を上げればよく、逆に増幅率を低くしたい場合には冷却水の温度を下げればよい。
特開2005-21380号公報 特開2010-046215号公報 特開2012-196430号公報 特公昭58-024030号公報 特開平7-283467号公報
 一般に、アレキサンドライトレーザの発生効率はアレキサンドライト結晶の温度に相関し、温度が高いほど効率が高い。従って、効率が低い波長領域、例えば800nmなどの長波長領域においては、レーザ光の出力強度を高めるために、冷却水の温度を高く設定することが一般的である。特許文献4及び特許文献5においても、所望の波長に合わせてアレキサンドライト結晶の冷却水の温度を変更する記述がみられる。
 しかしながら、特許文献4及び特許文献5に記載されるのは、ある一つの波長に合わせた冷却水温度の調整でしかない。特許文献3にあるように、単一の波長のレーザ光を出射する動作モードと、複数の波長のレーザ光を交互に出射する動作モードとを切り替える場合に、冷却水の温度をどのように制御するかについては記載されていない。特に、単一の波長のレーザ光を出射する動作モードにおいてある波長のレーザ光を出射し、複数波長のレーザ光を出射する動作モードにおいて、その波長と他の波長のレーザ光とを出射する場合で、他の波長のレーザ光の発光効率が単一波長のレーザ光を出射する動作モードで出射するレーザ光の波長の発光効率よりも低い場合において、動作モードを切り替えるときにアレキサンドライト結晶の温度をどのように制御すればよいかについては知られていなかった。
 本発明は、上記に鑑み、単一の波長のレーザ光を出射する動作モードにおいてある波長のレーザ光を出射し、複数波長のレーザ光を出射する動作モードにおいて、単一の波長のレーザ光を出射する動作モードで出射する波長のレーザ光の出力強度と、複数波長のレーザ光を出射する動作モードで出射する他の波長のレーザ光の出力強度との差を抑制することが可能な固体レーザ装置を提供することを目的とする。
 また、本発明は、上記固体レーザ装置を含む光音響計測装置を提供する。
 上記目的を達成するために、本発明は、アレキサンドライトレーザロッドと、アレキサンドライトレーザロッドに励起光を出射する励起光源と、アレキサンドライトレーザロッドから出射した光を共振させる共振器と、共振器から出射するレーザ光の波長を複数の波長の中から選択する波長選択手段と、単一の波長のレーザ光を出射する一波長動作モードと、一波長動作モードで出射するレーザ光の波長を含む複数の波長のレーザ光を切り替えて出射する複数波長動作モードとの間で動作モードを切り替える制御手段と、アレキサンドライトレーザロッドの温度を制御する温度制御手段とを備え、温度制御手段は、動作モードが複数波長動作モードの場合のアレキサンドライトレーザロッドの温度を、一波長動作モードの場合のアレキサンドライトレーザロッドの温度よりも高くする固体レーザ装置を提供する。
 本発明において、アレキサンドライトレーザロッドの、一波長動作モードで出射する波長のレーザ光の発光効率は、複数波長動作モードで切り替えて出射する複数の波長のうち、一波長動作モードで出射する波長以外の波長のレーザ光の発光効率よりも高くてもよい。
 本発明の固体レーザ装置は、選択する動作モードを示すモード選択信号を制御手段及び温度制御手段に送信するモード選択手段を更に有する構成としてもよい。その場合、制御手段は、モード選択手段から受信するモード選択信号に従って動作モードの選択を行い、温度制御手段は、モード設定手段から受信するモード選択信号に応じてアレキサンドライトレーザロッドの温度を制御することとしてもよい。
 あるいは、本発明の固体レーザ装置では、制御手段は、選択している動作モードを示す信号を温度制御手段に送信し、温度制御手段は、制御手段から受信する信号に応じてアレキサンドライトレーザロッドの温度を制御することとしてもよい。
 制御手段は、動作モードが複数波長動作モードの場合は、波長選択手段を駆動して、共振器において第1の波長、及びその第1の波長とは異なる第2の波長の光を切り替えて発振させてもよい。制御手段は、動作モードが一波長動作モードの場合は、波長選択手段を駆動して、共振器において第2の波長の光を発振させてもよい。
 本発明の固体レーザ装置は、アレキサンドライトレーザロッドから出射する光の光路上に第2の波長のレーザ光の出力強度を低下させる光学素子を更に有していてもよい。
 上記の固体レーザ装置において、制御手段は、動作モードが一波長動作モードの場合は上記の光学素子をアレキサンドライトレーザロッドから出射する光の光路の上から除去し、動作モードが複数波長動作モードの場合は上記の光学素子をアレキサンドライトレーザロッドから出射する光の光路上に挿入してもよい。
 上記の光学素子は、光拡散板であってもよい。
 共振器は、第1の波長を発振させるための第1の共振器と、第2の波長の光を発振させるための第2の共振器とを含んでいてもよい。
 第1の共振器を、アレキサンドライトレーザロッドを挟んで対向する第1のミラーと第2のミラーとを含むもので構成し、第2の共振器を、第1のミラーと、アレキサンドライトレーザロッド及び第2のミラーを挟んで第1のミラーと対向する第3のミラーとを含むもので構成してもよい。
 上記において、第2のミラーには、第1の波長の光を反射し、第2の波長の光を透過するもの用いるとよい。
 温度制御手段は、アレキサンドライトレーザロッドを冷却する冷却媒体の温度を制御することにより、アレキサンドライトレーザロッドの温度を制御してもよい。
 本発明は、また、上記本発明の固体レーザ装置と、レーザ光が被検体に出射されたときに被検体内で生じた光音響波を検出し音響波検出手段と、光音響波の検出信号に対して信号処理を行う信号処理手段とを備えたことを特徴とする光音響計測装置を提供する。
 本発明の固体レーザ装置及び光音響計測装置は、単一の波長のレーザ光を出射する動作モードにおいてある波長のレーザ光を出射し、複数波長のレーザ光を出射する動作モードにおいて、その波長と他の波長のレーザ光とを出射する場合に、単一の波長のレーザ光を出射する動作モードで出射する波長のレーザ光の出力強度と、複数波長のレーザ光を出射する動作モードで出射する他の波長のレーザ光の出力強度との差を抑制することができる。
本発明の第1実施形態に係る固体レーザ装置を示すブロック図。 動作モードとレーザロッドの温度との関係を示すタイミングチャート。 レーザ光の波長とレーザ光の出力強度との関係を示すグラフ。 本発明の第2実施形態に係る固体レーザ装置を示すブロック図。 第2のミラーの透過率の波長特性を示すグラフ。 本発明の固体レーザ装置を含む光音響計測装置を示すブロック図。 酸素化ヘモグロビンと脱酸素化ヘモグロビンの光波長ごとの分子吸収係数を示すグラフ。
 以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施形態の固体レーザ装置を示す。固体レーザ装置10は、レーザロッド11、フラッシュランプ12、レーザチャンバ13、ミラー14、15、Qスイッチ16、波長選択素子17、光拡散板18、冷却装置50、制御回路53、及びモード設定手段54を備える。
 レーザロッド11は、アレキサンドライト結晶から成るアレキサンドライトレーザロッドである。レーザロッド11は、好ましくは直径が4mm以下、望ましくは3mm以下である。また、ロッド長は好ましくは60mm以下、望ましくは50mm以下である。
 フラッシュランプ12は、励起ランプであり、レーザロッド11を励起するための励起光を出射する。フラッシュランプ以外のランプをレーザロッド11の励起に用いてもよい。レーザロッド11及びフラッシュランプ12は、レーザチャンバ13内に収容されている。レーザチャンバ13は、内部にレーザロッド11及びフラッシュランプ12を収容するための空間を有している。また、レーザチャンバ13の内側には反射面が形成されており、フラッシュランプ12から出射した光は、直接にレーザロッド11に照射されるか、又は反射面で反射してレーザロッド11に照射される。
 冷却装置50は、冷却媒体を通じてレーザロッド11の温度を制御する温度制御手段である。冷却装置50は、配管51、52によりにレーザチャンバ13に接続されている。冷却装置50は、例えば純水などの冷却媒体を、配管51を通じてレーザチャンバ13に送り込む。冷却装置50は、配管52を通じてレーザチャンバ13からの排水を受け取り、冷却媒体の温度を下げた上で、再びレーザチャンバ13に送り込む。このように冷却媒体を循環させることで、レーザチャンバ13内のレーザロッド11の温度を所望の温度に保つことができる。
 ミラー14、15は、レーザロッド11を挟んで対向しており、ミラー14、15により共振器が構成される。光共振器内の光路は必ずしも直線状である必要はなく、ミラー14、15間の光路上にプリズムなどを設け、光軸を曲げてもよい。ミラー15はアウトプットカプラー(OC:output coupler)であり、ミラー14は高反射ミラーである。出力光であるレーザ光はミラー15から出射する。
 共振器内には、Qスイッチ16が挿入される。図1では、Qスイッチ16は、レーザロッド11とミラー15との間の、レーザロッド11から誘導放出された光の光路上に配置されている。Qスイッチ16は、印加電圧に応じて透過する光の偏光状態を変化させるポッケルスセルを含む。Qスイッチ16は、ポッケルスセルへの印加電圧に応じて共振器のQ値を変化させる。Qスイッチ16は、印加電圧がQスイッチオフに対応した第1の電圧のとき共振器を低Q状態にする。低Q状態とは、共振器のQ値がレーザ発振しきい値よりも低い状態を指す。第1の電圧は、例えばポッケルスセルを1/4波長板として働かせる電圧である。第1の電圧は正の電圧であっても、負の電圧であってもよい。一方、Qスイッチ16は、印加電圧がQスイッチオンに対応した第2の電圧のとき、共振器を高Q状態にする。高Q状態とは、共振器のQ値がレーザ発振しきい値よりも高い状態を指す。第2の電圧は、例えば0V(電圧印加なし)であり、このときポッケルスセルを透過する光の偏光状態は変化しない。
 Qスイッチ16には、レーザロッド11側から偏光方向がある方向の直線偏光の光が入射する。Qスイッチ16への印加電圧が第1の電圧のとき、ポッケルスセルは1/4波長板として働き、レーザロッド11側からポッケルスセルへ入射した直線偏光の光は、ポッケルスセルを通過する際に円偏光となる。この円偏光の光はミラー15で反射した後に1/4波長板として働くポッケルスセルを逆向きに通り、往路の偏光方向から偏光方向が90°回転した直線偏光となる。この場合、共振器のQ値は低く、レーザ発振は起こらない。
 Qスイッチ16への印加電圧が0V(第2の電圧)のとき、レーザロッド11側からポッケルスセルに入射した直線偏光の光は偏光状態を変化させずにミラー15側へ透過し、ミラー15で反射してポッケルスセルへ逆向きに入射する。この場合、共振器のQ値は高く、レーザ発振が起こる。
 Qスイッチ16は1/4波長板を含んでいてもよい。その場合は、上記とは逆に、ポッケルスセルへの印加電圧が0VのときがQスイッチオフに対応し、印加電圧がポッケルスセルを1/4波長板として働かせる電圧としたときがQスイッチオンに対応する。
 モード設定手段54は、固体レーザ装置10の動作モードを、単一の波長のレーザ光を出射する一波長動作モードと、複数の波長のレーザ光を切り替えて出射する複数波長動作モードとの間で切り替えて設定する。複数波長モードで切り替えて出射する複数の波長には、一波長動作モードで出射するレーザ光の波長が含まれる。以下では、主に、一波長動作モードでは755nmのレーザ光を出射し、複数波長モードでは755nmのレーザ光と800nmのレーザ光とを切り替えて出射するものとして説明する。
 レーザロッド11の一波長動作モードで出射する波長のレーザ光の発光効率は、複数波長動作モードで切り替えて出射する複数の波長のうち、一波長動作モードで出射する波長以外の波長のレーザ光の発光効率よりも高い。すなわち、レーザロッド11の波長755nmの光の発光効率は、波長800nmの光の発光効率よりも高い。複数波長動作モードにおいて波長755nm及び波長800nm以外の波長の光を出射する場合、波長755nm及び波長800nm以外の波長の光の発光効率は、波長755nmの光の発光効率よりも低い。
 モード設定手段54には、ユーザから又は外部の装置から、一波長の光を出射させるか、複数波長の光を切り替えて出射するかを示す指示が入力される。モード設定手段54は、選択する動作モードを示すモード選択信号を、冷却装置50及び制御回路53に送信する。
 波長選択素子17は、共振器から出射するレーザ光の波長を複数の波長の中から選択する波長選択手段である。波長選択素子17には、例えば800nm以上の波長の光を透過させるロングパスフィルタを用いることができる。例えばロングパスフィルタの透過率が50%となる波長をカットオフ波長と定義すると、波長選択素子17には、波長800nmよりも少し短い波長をカットオフ波長とするロングパスフィルタを用いるとよい。ロングパスフィルタは、例えば、波長800nm付近において、波長が800nmよりも短い波長範囲では全透過(光透過率ほぼ100%)と呼べるほどは光透過率が高くなく、波長が800nmになると光がほぼ全透過すると言える光透過率の波長特性を有する。
 波長選択素子(ロングパスフィルタ)17は、出射するレーザ光の波長が800nmのとき、共振器の光路上に挿入される。波長選択素子17は、出射するレーザ光の波長が755nmのとき、共振器の光路上から除去される。波長選択素子17を駆動する手段には例えばモータなどを用いることができる。アレキサンドライトレーザロッドのレーザ利得は、波長755nm付近でピークとなり、波長755nm以外の波長範囲では、波長が長くなるにつれて、又は波長が短くなるにつれて低下していく。従って、波長選択素子17を共振器の光路上から除去した状態でレーザ発振を行うと、共振器において波長755nmの光を発振させることができる。一方、波長選択素子17を共振器の光路上に挿入した状態でレーザ発振を行うと、ロングパスフィルタのカットオフ波長よりも短波長側では光共振器内の損失が大きいために実効利得が低く、実効利得が最大となるのは波長800nm付近となり、共振器において波長800nmの光を発振させることができる。
 波長選択素子17は、共振器において発振させる光の波長を複数の波長の中から選択できるものであればよく、ロングパスフィルタには限定されない。例えば所望の波長の光を透過させるバンドパスフィルタを波長選択素子17として用いてもよい。あるいは、エタロン、又は複屈折フィルタなどを波長選択素子17として用いてもよい。
 光拡散板18は、波長755nmのレーザ光の出力強度を低下させる光学素子である。ここで、レーザ光の出力強度とは、1パルス当たりのパワー、或いはフルーエンス(エネルギー密度)を指す。光拡散板18は、レーザロッド11から出射する光の光路上に配置される。光拡散板18には、例えば圧力を掛けて焼結したセラミックス(透明セラミックスや、透明アルミナ)を用いることができる。あるいは、表面に細かい凹凸を有する石英ガラスを用いることができる。光拡散板18とは異なる光学素子を、波長755nmのレーザ光の出力強度を低下させる光学素子として用いてもよい。
 制御回路(制御手段)53は、固体レーザ装置10の制御を行う。制御回路53は、モード設定手段54から受信するモード選択信号に応じて、一波長動作モード又は複数波長動作モードを選択する。制御回路53は、モード選択信号が一波長動作モードを示す信号であるときは一波長動作モードを選択し、モード選択信号が複数波長動作モードを示す信号であるときは複数波長動作モードを選択する。また、制御回路53は、波長選択素子17を駆動して、共振器において発振させる光の波長を制御する。
 制御回路53は、一波長動作モードを選択したときは、波長選択素子17を共振器の光路上から除去する。制御回路53は、複数波長動作モードを選択したときは、出射するレーザ光の波長に応じて、波長選択素子17を共振器の光路上から除去し、或いは波長選択素子17を共振器の光路上に挿入する。制御回路53は、例えば1パルスごとに、波長選択素子17を共振器の光路上から除去し、或いは波長選択素子17を共振器の光路上に挿入する。共振器の光路上に波長選択素子17が挿入されるか否かに応じて、共振器において発振する光の波長が755nmと800nmとの間で切り替えられる。
 制御回路53は、選択した動作モードが複数波長動作モードであり、かつレーザ光の波長が755nmのとき、光拡散板18を、レーザロッド11から出射する光の光路上に挿入する。制御回路53は、選択した動作モードが複数波長動作モードであり、かつレーザ光の波長が800nmのときは、光拡散板18を、レーザロッドから出射する光の光路上から除去する。制御回路53は、選択した動作モードが一波長動作モードのときは、光拡散板18を、レーザロッドから出射する光の光路上から除去してもよいし、光路上に挿入してもよい。光学素子が波長特性を有し、波長800nmの光をほぼそのまま透過させることができるものであれば、複数波長動作モードにおいて、光学素子を共振器の光路上から除去する必要はない。
 また、制御回路53は、図示しない電源回路などを通じて、Qスイッチ16への電圧印加、及びフラッシュランプ12に対する電圧印加を制御する。制御回路53は、Qスイッチ16への印加電圧がポッケルスセルを1/4波長板として働かせる第1の電圧となっている状態でフラッシュランプ12を点灯させる。フラッシュランプ12の点灯後、レーザロッド11における反転分布密度が十分に高くなるタイミングで、Qスイッチ16への印加電圧を第1の電圧から第2の電圧(0V)に変化させる。共振器を低Q状態から高Q状態に急速に変化させることで、ジャイアントパルスが得られる。
 冷却装置50は、モード設定手段54から受信するモード選択信号に応じて冷却媒体の設定温度を変化させる。より詳細には、冷却装置50は、動作モードが複数波長動作モードのときの設定温度を、動作モードが一波長動作モードのときの設定温度よりも高くする。例えば一波長動作モードのときの設定温度は40~50℃であり、複数波長動作モードのときの設定温度は60℃~70℃である。冷却媒体の設定温度が変化されることで、複数波長動作モードで動作するときのレーザロッド11の温度が、一波長動作モードで動作するときのレーザロッド11の温度よりも高くなる。
 上記では、モード設定手段54が冷却装置50及び制御回路53にモード選択信号を送信することとしたが、制御回路53がモード設定手段54を含む構成でもよい。その場合、ユーザから又は外部の装置から入力される動作モードを指定する指示を制御回路53に入力し、制御回路53が、選択している動作モードを示す信号を冷却装置50に送信してもよい。この場合、冷却装置50は、制御回路53から受信する信号に応じてレーザロッド11の温度を制御すればよい。
 ここで、レーザの投入エネルギー、つまり励起のときに励起光源であるフラッシュランプ12に投入するエネルギーについては、フラッシュランプ12に電力を供給する電源部分のコストに直結し、全体の装置コストに大きく影響するため、20J以下が好ましい。そのような低投入エネルギーで、所望の出力とパルス時間幅、例えばレーザの出力エネルギー100mJ以上、更に好ましくは150mJ以上で、かつ、パルス時間幅100n秒以下、更に好ましくは60n秒以下を得るために、投入エネルギーに対する出力エネルギーの効率は0.0075以上であることが好ましく、0.01以上であることが更に好ましい。すなわち、投入エネルギーが20Jであれば、150mJ以上のレーザの出力エネルギーが得られることが好ましく、200mJ以上のレーザの出力エネルギーが得られることが更に好ましい。
 図2は、動作モードとレーザロッド11の温度との関係を示す。レーザロッド11の温度は、レーザロッド11を冷却する冷却媒体の温度と同じであるとみなすことができる。時刻t1までは、動作モードは一波長動作モードであり、冷却装置50は、冷却媒体の温度が例えば47℃になるように、冷却媒体の温度を調整する。時刻t1で動作モードが二波長動作モードに切り替えられると、冷却装置50は、設定温度を例えば70℃に変更する。冷却媒体の温度は、ある勾配で変化していき、ある程度の時間の経過後に70℃になる。以後、冷却装置50は、冷却媒体の温度を70℃に保つように、冷却媒体の温度を制御する。時刻t2で動作モードが一波長動作モードに切り替えられと、冷却装置50は、冷却媒体の温度設定を47℃に戻す。
 図3は、レーザ光の波長とレーザ光の出力強度(1パルスあたりのパワー)との関係を示す。グラフ(a)は、レーザロッド11の温度が47℃のときのレーザ光の波長とレーザ光の出力強度との関係を示し、グラフ(b)は、レーザロッド11の温度が70℃のときのレーザ光の波長とレーザ光の出力強度との関係を示す。レーザロッド11の温度が47℃のときと70℃のときとの双方において、最も高い出力強度が得られる波長は755nmである。レーザロッド11の温度が47℃のときと70℃のときとを比較すると、波長755nmにおいて、レーザロッド11の温度が70℃のときのレーザ光の出力強度は、温度が47℃のときのレーザ光の出力強度に比べて高くなっている。
 波長800nmにおいて、レーザロッド11の温度が47℃のときのレーザ光の出力強度と温度が70℃のときのレーザ光の出力強度とを比べると、レーザロッド11の温度が70℃のときのレーザ光の出力強度は、温度が47℃のときのレーザ光の出力強度に比べて高くなっている。波長800nmにおけるレーザロッド11の温度が47℃のときと70℃のときとのレーザ光の出力強度の差は、波長755nmにおけるレーザ光の出力強度の差よりも大きい。別の言い方をすれば、波長755nmに比べて、波長800nmの方が温度を上げたことによるレーザ光の出力強度の増加が大きい。
 仮に、レーザロッド11の温度を47℃とした状態で波長755nmと波長800nmのレーザ光を切り替えて出射したとすると、波長755nmでは200mJを超える出力強度が得られるのに対し、波長800nmでは100mJ程度の出力強度しか得られない(グラフ(a)を参照)。この場合、2つの波長のレーザ光の出力強度の差が大きく、例えば波長755nmのレーザ光を出射して得られた信号と、波長800nmのレーザ光を出射して得られた信号とを信号処理する際に、レーザ光の出力強度の差を補正するなどの処理が必要になることも考えられる。一方、二波長を切り替えて出射する際にレーザロッド11の温度を70℃まで上げると、波長800nmのレーザ光の出力強度は150mJを超え、波長755nmとのレーザ光の出力強度の差を小さくできる(グラフ(b)を参照)。
 複数波長動作モード時にレーザロッド11の温度を上げると、複数波長動作モード時の波長755nmのレーザ光の出力強度は、一波長動作モード時の波長755nmのレーザ光の出力強度に比べて高くなる。これに対しては、複数波長動作モード時で、かつ、波長755nmのレーザ光を出射するときに光拡散板18を共振器の光路上に挿入することで、複数波長動作モード時の波長755nmのレーザ光の出力強度を、一波長動作モード時の波長755nmのレーザ光の出力強度と同等なレベルまで低下させればよい。あるいは、複数波長動作モード時の波長755nmのレーザ光の出力強度を、波長800nmのレーザ光の出力強度と同等なレベルまで低下させればよい。
 本実施形態では、固体レーザ装置10を複数波長動作モードで使用するときのレーザロッド11の温度を、一波長動作モードで使用するときのレーザロッド11の温度よりも高くする。一波長動作モードにおいて波長755nmのレーザ光を出射し、複数波長動作モードにおいて波長755nmのレーザ光と波長800nmのレーザ光とを切り替えて出射する場合、波長800nmの発光効率は波長755nmの発光効率よりも低く、複数波長動作モード時のレーザロッド11の温度を一波長動作モード時の温度と同じ温度に設定すると、双方の波長間のレーザ光の出力強度の差が大きくなる。本実施形態では、複数波長動作モード時にレーザロッド11の温度を上げることで、特に波長800nmのレーザ光の出力強度を高めることができ、双方の波長間のレーザ光の出力強度の差を小さくすることができる。
 ここで、一波長動作モード時のレーザロッド11の温度を、複数波長動作モード時のレーザロッド11の温度と同じ温度(例えば70℃)とすると、レーザチャンバ13が常時高温となる。レーザチャンバ13の温度が常に高温であると、何らかの熱対策が必要になる可能性がある。本実施形態では、一波長動作モードでは比較的低い温度で使用し、複数波長動作モードのときに温度を上げているため、レーザチャンバ13が常時高温とはならず、常時高温とする場合に比べて、熱対策を簡略化できる。
 アレキサンドライトレーザにおいて、効率を意識して波長ごとにレーザロッド(冷却媒体)の温度を変更することは、例えば特許文献4及び特許文献5にも記載されている。しかしながら、これら文献には、動作モードとして、一波長を使う動作モードと複数波長を使う動作モードがあるときに、動作モードに応じて温度設定を変更することは記載されていない。また、複数波長の使用時に、複数の波長のうち、より効率が低い波長に合わせて温度設定を高くするという記載もない。1つの固体レーザ装置において、例えば一波長動作モードでは波長755nmのレーザ光を出射し、複数波長動作モードでは波長755nmと波長800nmとを切り替えて出射する場合に、複数波長動作モードにおけるレーザロッド11の温度を一波長動作モードにおけるレーザロッド11の温度よりも高くすることは、特に波長800nmの発光効率が低いため、その波長において発光効率を向上させるのに有効である。また、本実施形態は、切り替えて出射する2つの波長のレーザ光の出力強度の差を小さくできるため、2つの波長を近い出力強度で使用したい場合に有効である。
 複数波長動作モードにおいて、より効率が低い波長(800nm)の発光効率を向上させるためにレーザロッド11の温度を一波長動作モード時の温度よりも高くすると、発光効率が高い波長(755nm)においても発光効率が上がり、その波長のレーザ光の出力強度が一波長動作モード時の出力強度よりも大きくなる。本実施形態では、出射するレーザ光の波長が755nmのときに、波長755nmのレーザ光の出力強度を低下させる光拡散板18を共振器の光路上に挿入することで、波長755nmのレーザ光の出力強度と波長800nmのレーザ光の出力強度との差を小さくしている。特に、動作モードが複数波長動作モードで、かつ出射するレーザ光の波長が755nmのときに光拡散板18を共振器の光路上に挿入すれば、複数波長動作モードにおいて波長755nmのレーザ光の出力強度が高くなることを是正できる。
 次いで、本発明の第2実施形態を説明する。図4は、本発明の第2実施形態に係る固体レーザ装置を示す。本実施形態の固体レーザ装置10aは、レーザロッド11、フラッシュランプ12、第1のミラー15、第2のミラー14、第3のミラー20、第1のQスイッチ16、第2のQスイッチ21、偏光子19、1/4波長板22、及び制御回路53を有する。なお、図4においては、レーザチャンバ13、冷却装置50、及びモード設定手段54(図1を参照)などを省略して図示している。
 第1のミラー15、第2のミラー14、及び第3のミラー20は、レーザロッド11の光軸上に沿って並べられている。第1のミラー15と第2のミラー14とは、レーザロッド11を挟んで対向する。第3のミラー20は、第2のミラー14から見てレーザロッド11とは反対側に配置され、レーザロッド11及び第2のミラー14を挟んで第1のミラー15と対向する。
 第1のミラー15は、波長800nmの光及び波長755nmの光の出力ミラーである。第1のミラー15の反射率は70%以上であることが好ましい。第1のミラー15の波長800nmの光に対する反射率は、波長755nmの光に対する反射率よりも高い。例えば、第1のミラー15の波長800nmの光に対する反射率は80%であり、波長755nmの光に対する反射率は70%である。レーザ利得が低い波長800nmの光に対する反射率を高く設定することで、発振(投入)エネルギーしきい値が下がり、レーザ利得が増加する。これにより、パルスレーザ光の短パルス化が可能である。
 第2のミラー14は、波長800nmの光を反射し、波長755nmの光を透過する。図5は、第2のミラー14の透過率の波長特性を示す。第2のミラー14は、例えば800nmよりもわずかに短い波長にカットオフ波長を有するショートパスフィルタを含む。第2のミラー14の波長800nmの光に対する透過率は0.2%以下であり、反射率は99.8%以上である。第2のミラー14の波長755nmの光に対する透過率は99.5%以上であり、反射率は0.5%以下である。図4に戻り、第3のミラー20は、波長755nmの光を反射する。第3のミラー20の波長755nmの光に対する反射率は例えば99.8%以上である。
 レーザロッド11から出射した光のうち、波長800nmの光は第2のミラー14で反射し、第1のミラー15と第2のミラー14との間を往復する。第1のミラー15と第2のミラー14とにより、波長800nmの光を発振させる第1の共振器が構成される。一方、レーザロッド11から出射した波長755nmの光は第2のミラー14を透過して第3のミラー20で反射し、第1のミラー15と第3のミラー20との間を往復する。第1のミラー15と第3のミラー20とにより、波長755nmの光を発振させる第2の共振器が構成される。第1の共振器の共振器長は、第2の共振器の共振器長よりも短い。第1のミラー15から第2のミラー14までの光路は、第1の共振器と第2の共振器とに共通の光路である。
 第1のQスイッチ16及び偏光子19は、第1のQ値変更部を構成する。第1のQスイッチ16及び偏光子19は、第1の共振器と第2の共振器とに共通の部分に配置され、第1の共振器及び第2の共振器のQ値を制御する。第1のQスイッチ16及び偏光子19は、例えば第1のミラー15とレーザロッド11との間に配置される。これに代えて、レーザロッド11と第2のミラー14との間に第1のQスイッチ16及び偏光子19を配置してもよい。第1のQスイッチ16は、印加電圧に応じて、第1の共振器及び第2の共振器のQ値を変化させる。
 偏光子19は、レーザロッド11と第1のQスイッチ16との間に配置される。偏光子19は、偏光方向がある方向の直線偏光のみを透過させる。偏光子19には、例えば、偏光方向がある方向の直線偏光(偏光方向が第1の方向の直線偏光)を透過し、偏光方向がある方向に直交する方向の直線偏光(偏光方向が第2の方向の直線偏光)を反射するビームスプリッタを用いることができる。偏光子19は省略してもよい。
 第1のQスイッチ16には例えばポッケルスセルが用いられる。第1のQスイッチ16は、印加電圧がQスイッチオフに対応した第1の電圧のとき第1の共振器及び第2の共振器を低Q状態にする。第1の電圧は、例えばポッケルスセルを1/4波長板として働らかせる電圧である。第1の電圧は正の電圧であっても、負の電圧であってもよい。第1のQスイッチ16は、印加電圧がQスイッチオンに対応した第2の電圧のとき、第1の共振器及び第2の共振器を高Q状態にする。第2の電圧の絶対値は、例えば0V(電圧印加なし)であり、このとき第1のQスイッチ16を透過する光の偏光状態は変化しない。
 第1のQスイッチ16に第1の電圧が印加されるとき、第1のQスイッチ16は1/4波長板として働き、偏光子19から第1のQスイッチ16に入射した偏光方向が第1の方向の直線偏光は、第1のQスイッチ16を通過して円偏光となり、第1のミラー15で反射して第1のQスイッチ16に逆向きに入射する。第1のQスイッチ16に逆向きに入射した円偏光の光は、第1のQスイッチ16を通過する際に偏光方向が第2の方向の直線偏光となり、偏光方向が第2の直線偏光を反射する偏光子19で反射して共振器の光路外へ放出される。一方、第1のQスイッチ16への印加電圧が0V(第2の電圧)のとき、偏光子19から第1のQスイッチ16に入射した偏光方向が第1の方向の直線偏光は偏光方向を変えずに第1のQスイッチ16を透過し、第1のミラー15で反射する。第1のミラー15で反射した直線偏光は、偏光状態を変化させずに第1のQスイッチ16を透過し、偏光方向が第1の方向の直線偏光を透過する偏光子19を透過してレーザロッド11に入射する。
 第2のQスイッチ21及び1/4波長板22は、第2のQ値変更部を構成する。第2のQスイッチ21及び1/4波長板22は、は、第2のミラー14と第3のミラー20との間に配置され、第2の共振器のQ値を制御する。第2のQスイッチ21は、第2の共振器の光路上で、かつ第1の共振器の光路外に配置される。第2のQスイッチ21は、印加電圧に応じて第2の共振器のQ値を変化させる。1/4波長板22は、第2のQスイッチ21と第3のミラー20との間に配置される。
 第2のミラー14と第3のミラー20の間には、光拡散板18(図1を参照)が配置されていてもよい。光拡散板18により、波長755nmのレーザ光の出力強度と波長800nmのレーザ光の出力強度との差を小さくできる。光拡散板18は、動作モードが一波長動作モードのときは、第2の共振器の光路上から除去されてもよい。第2のミラー14の波長755nmの光に対する透過率をほぼ100%よりも低い透過率にしてもよい。その場合には、光拡散板18を配置しなくても波長755nmのレーザ光の出力強度と波長800nmのレーザ光の出力強度との差を小さくできる。
 第2のQスイッチ21には例えばポッケルスセルが用いられる。第2のQスイッチ21は、印加電圧がQスイッチオフに対応した第3の電圧のとき第2の共振器を低Q状態にする。第3の電圧は、例えば0V(電圧印加なし)であり、このとき第2のQスイッチ21を透過する光の偏光状態は変化しない。第2のQスイッチ21は、印加電圧がQスイッチオンに対応した第4の電圧のとき第2の共振器を高Q状態にする。第4の電圧は、例えばポッケルスセルを1/4波長板として働かせる電圧である。第4の電圧は、正の電圧であっても、負の電圧であってもよい。
 第2のQスイッチ21への印加電圧が0V(第3の電圧)のとき、レーザロッド11側から第2のミラー14を通して第2のQスイッチ21に入射した偏光方向が第1の方向の直線偏光は、第2のQスイッチ21を偏光状態を変化させずに通過し、1/4波長板22を通過して円偏光となって第3のミラー20で反射する。第3のミラー20で反射した円偏光は、1/4波長板22を逆向きに通って偏光方向が第2の方向の直線偏光となり、第2のQスイッチ21を偏光方向を変えずに通過してレーザロッド11へ戻る。ここで、第2のミラー14は波長800nmの光を反射し、波長755nmの光を透過する。このため、第2のミラー14と第3のミラー20との間を進行する光は波長755nmの光であり、波長800nmの光は第2のミラー14から第3のミラー20側には進行しない。
 一方、第2のQスイッチ21に第4の電圧が印加されるとき、第2のQスイッチ21は1/4波長板として働き、レーザロッド11側から第2のミラー14を通して第2のQスイッチ21に入射した偏光方向が第1の方向の直線偏光は、第2のQスイッチ21を通過する際に円偏光となり、更に1/4波長板22を通過して偏光方向が第2の方向の直線偏光となって第3のミラー20で反射する。第3のミラー20で反射した光は、1/4波長板22を逆向きに通って円偏光となり、更に第2のQスイッチ21を通過して偏光方向が第1の直線偏光となって、レーザロッド11へ戻る。
 制御回路53は、第1のQスイッチ16及び第2のQスイッチ21を駆動する。制御回路53は、第1の共振器及び第2の共振器を、共振器のQ値が発振しきい値よりも低い低Q状態にする第1の駆動状態、第1の共振器及び第2の共振器を、共振器のQ値が発振しきい値よりも高い高Q状態にする第2の駆動状態、及び、第1の共振器を高Q状態にし、かつ第2の共振器を低Q状態にする第3の駆動状態の間で駆動状態を切り替える。制御回路53は、フラッシュランプ12の駆動も行う。
 制御回路53は、第1の駆動状態では、第1のQスイッチ16に第1の電圧を印加して、第1のQスイッチ16を1/4波長板として働かせる。また、第2のQスイッチ21への印加電圧を0V(第3の電圧)とし、第2のQスイッチ21を通過する光の偏光状態を変化させない。第1のQスイッチ16が1/4波長板として働くことで、第1のミラー15で反射した光はレーザロッド11に入射しない。また、第2のQスイッチ21を通過する光の偏光状態を変化させないことで、第3のミラー20で反射した波長755nmの光を直線方向が第2の方向の直線偏光としてレーザロッド11へ入射させる。その結果、第1の共振器及び第2の共振器は低Q状態となり、波長800nmと波長755nmの双方について、レーザ発振が起こらない。なお、第1のQスイッチ16は第1の共振器と第2の共振器とに共通の光路上に配置されており、第1のQスイッチ16に第1の電圧を印加することで第2の共振器を低Q状態にすることができる。このため、第1の駆動状態において、第2のQスイッチ21への印加電圧は特に第3の電圧には限定されず、第2のQスイッチ21に第4の電圧を印加し、第2のQスイッチ21を1/4波長板として働かせていてもよい。
 制御回路53は、第2の駆動状態では、第1のQスイッチ16への印加電圧を0V(第2の電圧)とし、第1のQスイッチ16を通過する光の偏光状態を変化させない。また、第2のQスイッチ21に第4の電圧を印加して、第2のQスイッチ21を1/4波長板として働かせる。第1のQスイッチ16を通過する光の偏光状態を変化させないことで、第1のミラー15で反射した光は偏光方向が第1の直線偏光としてレーザロッド11に入射する。また、第2のQスイッチ21を1/4波長板として働かせることで、第3のミラー20で反射した波長755nmの光は偏光方向が第1の方向の直線偏光としてレーザロッド11へ入射する。その結果、第1の共振器及び第2の共振器は高Q状態となり、レーザ発振が起こる。波長800nmと波長755nmとでは、波長755nmのレーザ利得の方が波長800nmのレーザ利得よりも高いため、発振波長はレーザ利得が高い755nmとなる。
 制御回路53は、第3の駆動状態では、第1のQスイッチ16への印加電圧を0V(第2の電圧)とし、第1のQスイッチ16を通過する光の偏光状態を変化させない。また、第2のQスイッチ21への印加電圧を0V(第3の電圧)とし、第2のQスイッチ21を通過する光の偏光状態を変化させない。第1のQスイッチ16を通過する光の偏光状態を変化させないことで、第1のミラー15で反射した光は偏光方向が第1の方向の直線偏光としてレーザロッド11に入射する。また、第2のQスイッチ21を通過する光の偏光状態を変化させないことで、第3のミラー20で反射した波長755nmの光を偏光方向が第2の方向の直線偏光としてレーザロッド11へ入射させる。その結果、第1の共振器は高Q状態で、かつ第2の共振器は低Q状態となり、第1の共振器でレーザ発振が起こる。第1の共振器は波長800nmの共振器であり、発振波長は800nmとなる。
 制御回路53は、レーザロッド11の励起時は、第1のQ値変更部及び第2のQ値変更部の駆動状態を第1の駆動状態とする。すなわち、第1の共振器及び第2の共振器を低Q状態にしてフラッシュランプ12を点灯し、レーザロッド11の励起を行う。制御回路53は、レーザロッド11の励起後、発振波長が800nmのときは第1のQ値変更部及び第2のQ値変更部の駆動状態を第1の駆動状態から第3の駆動状態へと変化させる。第3の駆動状態では、第1の共振器が高Q状態で、かつ第2の共振器が低Q状態であるため、発振波長は波長800nmとなる。第1の共振器を低Q状態から高Q状態へ急激に変化させることで、波長800nmのパルスレーザ光を得ることができる。
 制御回路53は、レーザロッド11の励起後、発振波長が755nmのときは第1のQ値変更部及び第2のQ値変更部の駆動状態を第1の駆動状態から第2の駆動状態へと変化させる。このとき制御回路53は、第2の共振器が高Q状態となるように第2のQ値変更部を駆動するのと同時に第1の共振器が高Q状態となるように第1のQ値変更部を駆動する。あるいは、第2の共振器が高Q状態となるように第2のQ値変更部を駆動した後に第1の共振器が高Q状態となるように第1のQ値変更部を駆動してもよい。第2の駆動状態では、双方の共振器が高Q状態となるが、発振波長は、波長800nmと波長755nmとのうちでレーザ利得が高い755nmとなる。第1の共振器及び第2の共振器を低Q状態から高Q状態へ急激に変化させることで、波長755nmのパルスレーザ光を得ることができる。このように、制御回路53が第1のQ値変更部及び第2のQ値変更部を駆動することで発振波長を選択できるので、制御回路53は波長選択手段を兼ねる。
 制御回路53は、モード設定手段54(図1を参照)から受信するモード選択信号が一波長動作モードを示す信号であるときは、第2の共振器において波長755nmの光を発振させる。制御回路53は、モード設定手段54から受信するモード選択信号が複数波長動作モードを示す信号であるときは、第1の共振器において波長800nmの光を発振させ、第2の共振器において波長755nmの光を発振させる。
 なお、第1のQ値変更部及び第2のQ値変更部は、第1の共振器及び第2の共振器が共に高Q状態、第1の共振器及び第2の共振器が共に低Q状態、及び第1の共振器が高Q状態で第2の共振器が低Q状態の3つの状態を切り替えられればよく、第1のQ値変更部及び第2のQ値変更部の具体的な構成は上記したものには限定されない。例えば第1のQ値変更部を、第2のQ値変更部と同様に、ポッケルスセルと1/4波長板とを組み合わせたもので構成としてもよいし、第2のQ値変更部を、第1のQ値変更部と同様に、ポッケルスセルと偏光子とを組み合わせたもので構成してもよい。
 本実施形態では、第1のミラー15と第2のミラー14とで波長800nmの光を発振させる第1の共振器を構成し、第1のミラー15と第3のミラー20とで波長755nmの光を発振させる第2の共振器を構成する。第1の共振器と第2の共振器とに共通の部分に第1のQ値変更部を配置し、第2のミラー14と第3のミラー20との間に第2のQ値変更部を配置する。第1のQ値変更部を駆動することで、第1の共振器及び第2の共振器のQ値を制御することができる。また、第2のQ値変更部を駆動することで、第1の共振器及び第2の共振器のうち第2の共振器のQ値のみを制御することができる。
 例えば、第1の共振器及び第2の共振器を低Q状態としてレーザロッド11の励起を行い、励起後に第1の共振器を高Q状態に切り替え、かつ第2の共振器は低Q状態のままとすることで、波長800nmをパルス発振させることができる。また、第1の共振器及び第2の共振器を低Q状態としてレーザロッド11の励起を行い、励起後に第1の共振器及び第2の共振器を高Q状態とすることで、発光効率が高い波長755nmをパルス発振させることができる。このような構成の固体レーザ装置10aにおいても、複数波長モード時のレーザロッド11の温度を一波長動作モード時のレーザロッド11の温度よりも高くすることで、波長間のレーザ光の出力強度の差を小さくすることができる。
 続いて、本発明の固体レーザ装置を含む光音響計測装置を説明する。図6は、本発明の固体レーザ装置を含む光音響計測装置を示す。光音響計測装置100は、超音波探触子(プローブ)101と、超音波ユニット102と、レーザ光源ユニット(固体レーザ装置)10とを備える。固体レーザ装置10は、被検体に照射されるパルスレーザ光を出射する。固体レーザ装置10は、二波長動作モードでは、第1の波長及び第2の波長のレーザ光を切り替えて出射する。固体レーザ装置10は、一波長動作モードでは第2の波長のレーザ光を出射する。固体レーザ装置10は、第1実施形態で説明したものであってもよいし、第2実施形態で説明したものであってもよい。
 例えば、第1の波長(中心波長)を約800nmとし、第2の波長を約755nmとする。図7を参照すると、ヒトの動脈に多く含まれる酸素化ヘモグロビン(酸素と結合したヘモグロビン:oxy-Hb)の波長755nmにおける分子吸収係数は、波長800nmにおける分子吸収係数よりも低い。一方、静脈に多く含まれる脱酸素化ヘモグロビン(酸素と結合していないヘモグロビンdeoxy-Hb)の波長755nmにおける分子吸収係数は、波長800nmにおける分子吸収係数よりも高い。この性質を利用し、波長800nmで得られた光音響信号に対して、波長755nmで得られた光音響信号が相対的に大きいのか小さいのかを調べることで、動脈からの光音響信号と静脈からの光音響信号とを判別することができる。あるいは、酸素飽和度を計測することができる。
 なお、第1の波長と第2の波長の選択に関しては、理論上、選択される二波長において光吸収係数に差があればどのような二波長の組み合わせでもよく、上記した約755nmと約800nmの組み合わせには限定されない。扱いやすさなどを考えると、選択される2つの波長は、酸素化ヘモグロビンと脱酸素化ヘモグロビンとで光吸収係数が同じになる波長約800nm(正確には798nm)と、脱酸素化ヘモグロビンの光吸収係数が極大値となる波長約755nm(正確には757nm)との組み合わせが好ましい。第1の波長は、正確に798nmである必要はなく、例えば793nm~802nmの範囲にあれば実用上問題はない。また、第2の波長は、正確に757nmである必要はなく、例えば極大値(757nm)付近のピークの半値幅である748~770nmの範囲にあれば実用上問題はない。
 図6に戻り、固体レーザ装置10から出射したレーザ光は、例えば光ファイバなどの導光手段を用いてプローブ101まで導光され、プローブ101から被検体に向けて照射される。レーザ光の照射位置は特に限定されず、プローブ101以外の場所からレーザ光の照射を行ってもよい。被検体内では、光吸収体が照射されたレーザ光のエネルギーを吸収することで超音波(光音響波)が生じる。プローブ101は、超音波検出器を含む。プローブ101は、例えば一次元的に配列された複数の超音波検出器素子(超音波振動子)を有し、その一次元配列された超音波振動子により、被検体内からの音響波(光音響信号)を検出する。
 超音波ユニット102は、信号処理手段であり、受信回路121、AD変換手段122、受信メモリ123、複素数化手段124、光音響画像再構成手段125、位相情報抽出手段126、強度情報抽出手段127、検波・対数変換手段128、光音響画像構築手段129、トリガ制御回路130、及び制御手段131を有する。受信回路121は、プローブ101が検出した光音響信号を受信する。AD変換手段122は検出手段であり、受信回路121が受信した光音響信号をサンプリングし、デジタルデータである光音響データを生成する。AD変換手段122は、ADクロック信号に同期して光音響信号のサンプリングを行う。
 AD変換手段122は、光音響データを受信メモリ123に格納する。AD変換手段122は、固体レーザ装置10が二波長動作モードで動作するとき、固体レーザ装置10から出射されるパルスレーザ光の各波長に対応した光音響データを受信メモリ123に格納する。つまり、AD変換手段122は、被検体に第1の波長のパルスレーザ光が照射されたときにプローブ101で検出された光音響信号をサンプリングした第1の光音響データと、第2の波長のパルスレーザ光が照射されたときにプローブ101で検出された光音響信号をサンプリングした第2の光音響データとを、受信メモリ123に格納する。
 複素数化手段124は、受信メモリ123から第1の光音響データと第2の光音響データとを読み出し、何れか一方を実部、他方を虚部とした複素数データを生成する。以下では、複素数化手段124が、第1の光音響データを虚部とし、第2の光音響データを実部とした複素数データを生成するものとして説明する。
 光音響画像再構成手段125は、複素数化手段124から複素数データを入力する。光音響画像再構成手段125は、入力された複素数データから、フーリエ変換法(FTA法)により画像再構成を行う。フーリエ変換法による画像再構成には、例えば文献”Photoacoustic Image Reconstruction-A Quantitative Analysis”Jonathan I.Sperl et al. SPIE-OSA Vol.6631 663103 等に記載されている従来公知の方法を適用することができる。光音響画像再構成手段125は、再構成画像を示すフーリエ変換のデータを位相情報抽出手段126と強度情報抽出手段127とに入力する。
 位相情報抽出手段126は、各波長に対応した光音響データ間の相対的な信号強度の大小関係を抽出する。本実施形態では、位相情報抽出手段126は、光音響画像再構成手段125で再構成された再構成画像を入力データとし、複素数データである入力データから、実部と虚部とを比較したときに、相対的に、どちらがどれくらい大きいかを示す位相情報を生成する。位相情報抽出手段126は、例えば複素数データがX+iYで表わされるとき、θ=tan-1(Y/X)を位相情報として生成する。なお、X=0の場合はθ=90°とする。実部を構成する第2の光音響データ(X)と虚部を構成する第1の光音響データ(Y)とが等しいとき、位相情報はθ=45°となる。位相情報は、相対的に第2の光音響データが大きいほどθ=0°に近づいていき、第1の光音響データが大きいほどθ=90°に近づいていく。
 強度情報抽出手段127は、各波長に対応した光音響データに基づいて信号強度を示す強度情報を生成する。本実施形態では、強度情報抽出手段127は、光音響画像再構成手段125で再構成された再構成画像を入力データとし、複素数データである入力データから、強度情報を生成する。強度情報抽出手段127は、例えば複素数データがX+iYで表わされるとき、(X+Y1/2を、強度情報として抽出する。検波・対数変換手段128は、強度情報抽出手段127で抽出された強度情報を示すデータの包絡線を生成し、次いでその包絡線を対数変換してダイナミックレンジを広げる。
 光音響画像構築手段129は、位相情報抽出手段126から位相情報を入力し、検波・対数変換手段128から検波・対数変換処理後の強度情報を入力する。光音響画像構築手段129は、入力された位相情報と強度情報とに基づいて、光吸収体の分布画像である光音響画像を生成する。光音響画像構築手段129は、例えば入力された強度情報に基づいて、光吸収体の分布画像における各画素の輝度(階調値)を決定する。また、光音響画像構築手段129は、例えば位相情報に基づいて、光吸収体の分布画像における各画素の色(表示色)を決定する。光音響画像構築手段129は、例えば例えば位相0°から90°の範囲を特定の色に対応させたカラーマップに用いて、入力された位相情報に基づいて各画素の色を決定する。
 ここで、位相0°から45°の範囲は、第2の光音響データが第1の光音響データよりも大きい範囲であるため、光音響信号の発生源は、波長798nmに対する吸収よりも波長755nmに対する吸収の方が大きい脱酸素化ヘモグロビンを主に含む血液が流れている静脈であると考えられる。一方、位相45°から90°の範囲は、第1の光音響データが第2の光音響データよりも大きい範囲であるため、光音響信号の発生源は、波長798nmに対する吸収よりも波長755nmに対する吸収の方が小さい酸素化ヘモグロビンを主に含む血液が流れている動脈であると考えられる。
 そこで、カラーマップとして、例えば位相が0°が青色で、位相が45°に近づくに連れて無色(白色)になるように色が徐々に変化すると共に、位相90°が赤色で、位相が45°に近づくに連れて白色になるように色が徐々に変化するようなカラーマップを用いる。この場合、光音響画像上で、動脈に対応した部分を赤色で表わし、静脈に対応した部分を青色で表わすことができる。強度情報を用いずに、階調値は一定として、位相情報に従って動脈に対応した部分と静脈に対応した部分との色分けを行うだけでもよい。画像表示手段104は、光音響画像構築手段129が生成した光音響画像を表示画面上に表示する。
 制御手段131は、超音波ユニット102内の各部の制御を行う。制御手段131は、固体レーザ装置10の動作モードを指示する信号を固体レーザ装置10に送信する。例えばユーザはコンソールなどの入力手段を操作することで、固体レーザ装置10をどちらの動作モードで動作させるかを入力する。動作モードを一波長動作モードとするときは、複素数化手段124、位相情報抽出手段126、及び強度情報抽出手段127の処理を省略し、通常の光音響画像の生成を行えばよい。
 トリガ制御回路130は、固体レーザ装置10に、フラッシュランプ12(図1を参照)の発光を制御するためのフラッシュランプトリガ信号を送信する。固体レーザ装置10の制御回路53は、フラッシュランプトリガ信号を受けるとフラッシュランプ12を点灯し、フラッシュランプ12からレーザロッド11に励起光を照射させる。トリガ制御回路130は、フラッシュランプトリガ信号の送信後、制御回路53にQスイッチトリガ信号を送信する。
 トリガ制御回路130は、Qスイッチトリガ信号のタイミング、すなわちパルスレーザ光の出射タイミングに合わせて、AD変換手段122にサンプリングトリガ信号(ADトリガ信号)を送信する。AD変換手段122は、サンプリングトリガ信号にと基づいて光音響信号のサンプリングを開始する。
 本発明の固体レーザ装置を含む光音響計測装置では、2つの波長で得られた第1の光音響データと、第2の光音響データとの何れか一方を実部、他方を虚部とした複素数データを生成し、その複素数データからフーリエ変換法により再構成画像を生成している。このようにする場合、第1の光音響データと第2の光音響データとを別々に再構成する場合に比して、再構成を効率的に行うことができる。複数の波長のパルスレーザ光を照射し、各波長のパルスレーザ光を照射したときの光音響信号(光音響データ)を用いることで、各光吸収体の光吸収特性が波長に応じて異なることを利用した機能イメージングを行うことができる。
 なお、上記では、第1の光音響データと第2の光音響データとを複素数化する例について説明したが、複素数化せずに、第1の光音響データと第2の光音響データとを別々に再構成してもよい。さらに、ここでは、複素数化して位相情報を用いて第1の光音響データと第2の光音響データの比を計算しているが、両者の強度情報から比を計算しても同様の効果が得られるまた、強度情報は、第1の再構成画像における信号強度と、第2の再構成画像における信号強度とに基づいて生成できる。
 光音響画像の生成に際して、被検体に照射されるパルスレーザ光の波長の数は2つには限られず、3以上のパルスレーザ光を被検体に照射し、各波長に対応する光音響データに基づいて光音響画像を生成してもよい。その場合、例えば位相情報抽出手段126は、各波長に対応する光音響データ間での相対的な信号強度の大小関係を位相情報として生成すればよい。また、強度情報抽出手段127は、例えば各波長に対応する光音響データにおける信号強度を1つにまとめたものを強度情報として生成すればよい。
 上記では、固体レーザ装置が光音響計測装置の一部を構成する例について説明したが、これには限定されない。本発明の固体レーザ装置を、光音響計測装置とは異なる装置に用いることも可能である。
 以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明のレーザ装置及び光音響計測装置は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。

Claims (13)

  1.  アレキサンドライトレーザロッドと、
     前記アレキサンドライトレーザロッドに励起光を出射する励起光源と、
     前記アレキサンドライトレーザロッドから出射した光を共振させる共振器と、
     前記共振器から出射するレーザ光の波長を複数の波長の中から選択する波長選択手段と、
     単一の波長のレーザ光を出射する一波長動作モードと、該一波長動作モードで出射するレーザ光の波長を含む複数の波長のレーザ光を切り替えて出射する複数波長動作モードとの間で動作モードを切り替える制御手段と、
     前記アレキサンドライトレーザロッドの温度を制御する温度制御手段とを備え、
     前記温度制御手段は、動作モードが前記複数波長動作モードの場合の前記アレキサンドライトレーザロッドの温度を、前記一波長動作モードの場合の前記アレキサンドライトレーザロッドの温度よりも高くする固体レーザ装置。
  2.  前記アレキサンドライトレーザロッドの、前記一波長動作モードで出射する波長のレーザ光の発光効率は、前記複数波長動作モードで切り替えて出射する複数の波長のうち、前記一波長動作モードで出射する波長以外の波長のレーザ光の発光効率よりも高い請求項1に記載の固体レーザ装置。
  3.  選択する動作モードを示すモード選択信号を前記制御手段及び前記温度制御手段に送信するモード選択手段を更に有し、
     前記制御手段は、前記モード選択手段から受信するモード選択信号に従って動作モードの選択を行い、前記温度制御手段は、前記モード設定手段から受信するモード選択信号に応じて前記アレキサンドライトレーザロッドの温度を制御する請求項1又は2に記載の固体レーザ装置。
  4.  前記制御手段は、選択している動作モードを示す信号を前記温度制御手段に送信し、該温度制御手段は、前記制御手段から受信する信号に応じて前記アレキサンドライトレーザロッドの温度を制御する請求項1又は2に記載の固体レーザ装置。
  5.  前記制御手段は、前記波長選択手段を駆動して、動作モードが前記複数波長動作モードの場合は、前記共振器において第1の波長、及び該第1の波長とは異なる第2の波長の光を切り替えて発振させ、動作モードが前記一波長動作モードの場合は、前記共振器において前記第2の波長の光を発振させる請求項1から4何れか1項に記載の固体レーザ装置。
  6.  前記アレキサンドライトレーザロッドから出射する光の光路上に、前記第2の波長のレーザ光の出力強度を低下させる光学素子を更に有する請求項5に記載の固体レーザ装置。
  7.  前記制御手段は、動作モードが前記一波長動作モードの場合は前記光学素子を前記光路の上から除去し、動作モードが前記複数波長動作モードの場合は前記光学素子を前記光路上に挿入する請求項6に記載の固体レーザ装置。
  8.  前記光学素子は光拡散板である請求項6又は7に記載の固体レーザ装置。
  9.  前記共振器は、前記第1の波長を発振させるための第1の共振器と、前記第2の波長の光を発振させるための第2の共振器とを含む請求項1から8何れか1項に記載の固体レーザ装置。
  10.  前記第1の共振器は、前記アレキサンドライトレーザロッドを挟んで対向する第1のミラーと第2のミラーとを含み、前記第2の共振器は、前記第1のミラーと、前記アレキサンドライトレーザロッド及び前記第2のミラーを挟んで前記第1のミラーと対向する第3のミラーとを含む請求項9に記載の固体レーザ装置。
  11.  前記第2のミラーは、前記第1の波長の光を反射し、前記第2の波長の光を透過する請求項10に記載の固体レーザ装置。
  12.  前記温度制御手段は、前記アレキサンドライトレーザロッドを冷却する冷却媒体の温度を制御することにより、前記アレキサンドライトレーザロッドの温度を制御する請求項1から11何れか1項に記載の固体レーザ装置。
  13.  請求項1から12何れか1項に記載の固体レーザ装置と、
     レーザ光が被検体に出射された場合に被検体内で生じた光音響波を検出し音響波検出手段と、
     前記光音響波の検出信号に対して信号処理を行う信号処理手段とを備えたことを特徴とする光音響計測装置。
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