JP2005056922A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005056922A JP2005056922A JP2003206217A JP2003206217A JP2005056922A JP 2005056922 A JP2005056922 A JP 2005056922A JP 2003206217 A JP2003206217 A JP 2003206217A JP 2003206217 A JP2003206217 A JP 2003206217A JP 2005056922 A JP2005056922 A JP 2005056922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- type semiconductor
- conductivity type
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 242
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
この半導体発光素子では、多層反射層は抵抗値が高く消費電力が大きいため、なるべく陰極電極より下側に設けることが望まれる。一方、発光部形成層で発光した光の反射効率を高めるために、多層反射層は、なるべく発光部に近い位置に設けることが望まれる。
しかし、多層反射層を発光部形成層に近づけると、陰極電極付近の抵抗値が高くなり、発光部形成層の一部分しか発光しないという問題が発生する。一方、多層反射層を下げると、発光部形成層で発光した光が多層反射層に到達するまでに吸収されてしまう。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は、超格子層を発光部形成層と陰極電極との間に設ける。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、III族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子に関する。特に、多層反射層および超格子層を備える化合物半導体からなる半導体発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
図1に、従来のIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子を示す。
図1において、57はサファイア基板、55はn型の半導体層、61は多層反射層、56は陰極電極、54は活性層、53はp型の半導体層をそれぞれ示す。
AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)と表されるIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子は、元になる半導体基板を良質で大型のバルク結晶によって製造できないため、通常、III族窒化物系化合物半導体をサファイアからなる絶縁基板上へ結晶成長させることで製造した半導体基板上に種々の処理工程を行い、製造する(例えば、特許文献1参照。)。それゆえ、活性層54で発光した光は、通常p型の半導体層53の側から取り出され、その取り出し効率を増加させるために、活性層54とサファイア基板57との間に多層反射層61を設け、活性層54で発光した光を多層反射層61で反射させ、p型の半導体層53の側から取り出す半導体発光素子が開発されている(例えば、特許文献2参照。)。
【0003】
この半導体発光素子では、多層反射層61は抵抗値が高く単位電流量あたりの消費電力が大きいため、なるべく陰極電極56より下側、つまりサファイア基板57の側へ近づけた位置に設けることが望まれる。一方、活性層54で発光した光の反射効率を高めるために、多層反射層61は、なるべく活性層54に近い位置に設けることが望まれる。
【0004】
しかし、陰極電極56より下側に位置する多層反射層61を活性層54の方に近づけ、多層反射層61と陰極電極56との距離が短くなると、陰極電極56付近の抵抗値が高く半導体発光素子の単位電流量あたりの消費電力が大きくなる。
また、陰極電極56から供給される電子が活性層54の偏った領域に供給され、活性層54の一部分しか発光しないという問題が発生する。一方、多層反射層61を下げ、活性層54との距離が離れると、活性層54で発光した光が多層反射層61によって効果的に反射されないという問題が発生する。
【0005】
【特許文献1】
特開昭62−119196号公報 (第(1)頁〜第(7)頁)
【特許文献2】
特開平07−176788号公報 (第(1)頁〜第(7)頁)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような問題を解決するために、消費電力を小さくすることが可能で、かつ発光部形成層に含まれる発光部分を均一に発光させることが可能な、半導体発光素子を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明は、AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)と表されるIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、少なくとも、基板と、該基板上に形成された多層反射層と、該多層反射層上に形成された超格子層と、該超格子層上に形成された少なくとも第2導電型半導体層および第1導電型半導体層を順に含む発光部形成層と、を順に備え、n型またはp型の半導体からなる該第1導電型半導体層に第1電極が電気的に接続されており、該第1導電型半導体層と反対の極性を持つn型またはp型の半導体からなる該第2導電型半導体層または該超格子層に第2電極が電気的に接続されている半導体発光素子である。
【0008】
本願発明において、前記第2導電型半導体層または前記超格子層の少なくとも一方に露出した領域を有しており、該露出した領域上に前記第2電極を配置することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について、図2、図3を用いて説明する。図2および図3は、本願発明の実施の形態の1例を示した図である。図2および図3において、12は第1電極、13は第1導電型半導体層、15は第2導電型半導体層、14は発光部形成層、16は第2電極、17は基板、21は多層反射層、22は超格子層をそれぞれ示す。
【0010】
本実施の形態では、AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)と表されるIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、少なくとも、基板17と、基板17上に形成された多層反射層21と、多層反射層21上に形成された超格子層22と、超格子層22上に形成された少なくとも第2導電型半導体層15および第1導電型半導体層13を順に含む発光部形成層14と、を順に備え、n型またはp型の半導体からなる第1導電型半導体層13に第1電極12が電気的に接続されており、第1導電型半導体層13と反対の極性を持つn型またはp型の半導体からなる第2導電型半導体層15または超格子層22に第2電極16が電気的に接続されていることを特徴とする。
【0011】
半導体発光素子に多層反射層21を用いる場合、半導体発光素子への多層反射層21の抵抗値の影響を軽減し半導体発光素子の単位電流量あたりの消費電力を下げるために、多層反射層21を第2電極16の下側に配置したほうがよい。一方、発光部形成層14と多層反射層21との距離が長くなると、発光部形成層14で発光した光が多層反射層21で効率的に反射されない。そのために、多層反射層21は、第2電極16より下側であって、かつなるべく第2電極16に近い位置に配置したほうが望ましい。
【0012】
しかし、第2電極16を多層反射層21に近づけると、第2電極16と多層反射層21との間の抵抗値が上昇し、半導体発光素子の単位電流量あたりの消費電力が大きくなってしまう。また、電子は、第2電極16から発光部形成層14まで、なるべく抵抗値の勾配の緩やかな部分を通過するために、発光部形成層14に電流が偏って供給され、発光部形成層14に含まれる発光部分の一部分しか発光しないという問題が生じる。この問題を解決するために、本実施の形態では、図2に示すように、超格子層22を発光部形成層14と多層反射層21との間に設け、第2電極16を第2導電型半導体層15または超格子層22に設けることによって、第2電極16と発光部形成層14との間の抵抗値を下げることが可能となる。
【0013】
ここで、多層反射層とは、AlxGayIn1−x−yNで表される窒化物系化合物半導体からなる低屈折率を有する層と、高屈折率を有する層とを交互に積層し、高い反射率を有するようにした多層であり、一般的にDBR分布ブラッグ反射膜と呼ばれているものである。多層反射層の各層の厚みは、活性層から発光される光の波長などによって決まり、λ/(4n)(ただし、λ:活性層から発光される光の波長、n:多層反射層の各層の屈折率)により求められる。また、多層反射層の各層の屈折率は、Al、Ga、Inの比率によって変えることができ、適宜所望の組成にすることで、種々の反射率を有する多層反射層を形成することができる。
【0014】
図2に示される例では、基板17に接するようにGaNとAlGaNからなる多層反射層21が形成されることを想定しているが、これらの組成に限定されず、さらには、基板17に直接接して形成されることを要しない。具体的には、基板17と多層反射層21との間にバッファ層を介してもよいし、それ以外の機能を果たす層を介してもよい。例えば、バッファ層としては、低温で成長されるGaNやAlNなど種々のものが考えられる。なお、多層反射層21は、電流通路として用いるわけではないので、第1導電型でも第2導電型のどちらであってもよい。
【0015】
また、超格子は、一般的には、ある周期を有する結晶格子が、それよりもさらに大きな周期構造により変調を受けている格子構造をいう。本願実施の形態では、超格子層22は、一般的な超格子のうち、相対的に禁制帯幅に差のある2種の物質を交互に積層した構造を持つ超格子からなる層を用いる。超格子層22を構成している、禁制帯幅の狭い層および禁制帯幅の広い層では、電子または正孔が閉じ込められている。
【0016】
本実施の形態では、超格子層22を構成している禁制帯幅の狭い層および禁制帯幅の広い層の厚さを電子または正孔のドブロイ波長程度にし、禁制帯幅の狭い層および禁制帯幅の広い層に垂直な方向の電子または正孔の移動を制限して、禁制帯幅の狭い層および禁制帯幅の広い層に平行な方向の電子または正孔の移動を自由にすることにより、禁制帯幅の狭い層および禁制帯幅の広い層の内部に電子または正孔を均一に分散させることができる。つまり、本実施の形態による半導体発光素子では、第2電極16から注入された電流を横方向に流す役割を持っており、発光部形成層14への電流の供給が均一となる結果、発光部形成層14に含まれる発光部分を均一に発光させることができる。また、超格子層22の内部に電子または正孔を拡散させることができることから、超格子層22の抵抗値が必然的に小さくなり、単位電流量あたりの消費電力を小さくすることが可能である。
【0017】
なお、本願発明は、AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)と表されるIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子であるため、超格子層22として、AlxGayIn1−x−yNで表される窒化物系化合物半導体からなる複数の層を積層した層とすることが可能である。また、この超格子層22の各層は、歪に耐えうる臨界膜厚以下、おおよそ10nm以下の厚さとすることが必要である。この臨界膜厚以下で各層を形成することにより、歪が緩和され、結晶欠陥も低減され、超格子層22上に積層される層も、良質なものとなる。
【0018】
また、超格子層22は、第2導電型半導体層15と同じ極性を持つ層からなるが、必ずしもドーピングを必要とするわけではない。すなわち、AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される窒化物系化合物半導体は、ドーピングしなければn型になるため、超格子層22をn型とする場合には、n型ドーパントをドーピングしてもよいし、しなくてもよい。
【0019】
また、本実施の形態では、超格子層22は多層反射層21に直接接して形成されることを要しない。具体的には、多層反射層21と超格子層22との間にバッファ層を介してもよいし、それ以外の機能を果たす層を介してもよい。例えば、バッファ層としては、高温で成長されるGaNなど種々のものが考えられる。
【0020】
また、本実施の形態では、図3に示されるように、超格子層22の一部が露出した部分を形成し、この部分と第2電極16とを直接接するように、超格子層22にコンタクト層としての働きをさせてもよい。この場合、第2電極16と超格子層22との間に介在する層が全くないため、発光部形成層14へ電流が到達するまでの距離を短くすることが可能となるとともに、多層反射層21を発光部形成層14に最も近くできることとなり発光部形成層14で発光した光の反射効率を高めることが可能となる。
【0021】
また、本実施の形態では、発光部形成層14は、AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される窒化物系化合物半導体からなり、超格子層22上に形成され、少なくとも第2導電型半導体層15と第1導電型半導体層13とを順に備えた層であり、さらに、第2導電型半導体層15と第1導電型半導体層13との間に活性層を備え、ダブルヘテロ接合とすることが発光効率を向上させる点で好ましい。なお、活性層を有しない場合であっても、本発明の範囲内であることには変わりない。
【0022】
また、活性層は、バルク構造によるもの、あるいは単一量子井戸構造や多重量子井戸構造など、その種類は問わない。図2に示される例では、In1−yGayN(ただし、0≦y≦1)からなるバルク結晶によるものを想定しているが、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を採用する場合には、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を構成する井戸層として、バンドギャップの小さい層、障壁層として、バンドギャップの大きい層を用いることになり、たとえば、井戸層として、In1−yGayN(ただし、0≦y≦1)からなる層、障壁層として、AlxGayN(x+y=1)からなる層などを用いることが可能である。
【0023】
また、本実施の形態では、第2導電型半導体層15は、n型またはp型のAlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される窒化物系化合物半導体からなり、単層であっても多層であってもよい。本発明では、第2導電型半導体層15と多層反射層21との間に超格子層22を挟んでおり、超格子層22の横方向に対する電流の流れやすさを利用しているため、第2導電型半導体層15の層厚は、従来のものより薄くすることが可能である。たとえば、図2に示される例では、第2導電型半導体層15は、クラッド層としての機能および第2電極16とオーミックコンタクトをとるコンタクト層としての機能を発揮する単層のn型またはp型のGaNからなる層を想定しているが、コンタクト層とクラッド層とを別の層として形成してもよい。さらに、他の働きを持つ層、たとえば、第2導電型半導体層15の極性に合わせて、正孔または電子バリア層などを有してもよい。
【0024】
また、本実施の形態では、第1導電型半導体層13とは、第2導電型半導体層15と反対の極性を持ち、AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される窒化物系化合物半導体からなり、単層であっても多層であってもよく、層厚も要求に応じて適宜調整される。例えば図2に示される例では、第2導電型半導体層15と反対の極性を持つAlxGayN(x+y=1)クラッド層と第2導電型半導体層15と反対の極性を持つGaNコンタクト層とからなる2層構造を想定しているが、コンタクト層としての機能およびクラッド層としての機能を発揮する単層であってもよいし、超格子構造を有する層であってもよい。さらに、他の働きを持つ層、たとえば、第1導電型半導体層13の極性に合わせて、正孔または電子バリア層などを有してもよい。
【0025】
また、本実施の形態では、第1電極12は、第1導電型半導体層13に電気的に接続されており、第1導電型半導体層13とオーミックコンタクトをとれるものであればよい。たとえば、第1導電型半導体層13がn型の場合には、Ti/Alなどからなり、第1導電型半導体層がp型の場合には、Ni/Au、ZnO、ITOなど、いずれのものを用いても、発光部形成層14から出射される光に対して透明または透明に近いものからなる。
【0026】
また、本実施の形態では、第2電極16とは、第2導電型半導体層15に電気的に接続されており、第2導電型半導体層15とコンタクトをとれるものであればよい。好ましくは、第2導電型半導体層15または超格子層22の少なくとも一方に露出したたとえば、第2導電型半導体層15がn型の場合には、Ti/Alなどからなり、第2導電型半導体層15がp型の場合には、Ni/Au、ZnO、ITOなど、いずれのものを用いても、活性層から出射される光に対して透明または透明に近いものからなる。なお、図3に示されるように、第2導電型半導体層15の一部が露出しており、露出部に第2電極16が形成されていることが、製造方法を容易にすることができるため好ましい。すなわち、この構造では、すべての層の形成後、フォトリソグラフィ、エッチング工程などを行うだけで形成できる点で好ましい。なお、この位置に限定されることはなく、第2電極16と電気的に接続される位置で、本願発明の効果を発揮できる位置に設ければよいことは言うまでもない。
【0027】
また、本実施の形態では、基板17は、絶縁性基板または第1導電型からなる基板であることが無効電流を低減する意味で好ましい。すなわち、基板17が第2導電型からなる場合、第2電極16から注入された電流が、発光部形成層14の方向へ流れるだけでなく、基板17の側へも流れることとなり、この基板17の側へ流れた電流が無効電流となるからである。従って、サファイア、SiCまたはGaNなどからなる基板であって、上記条件を満足するものであればよい。また、基板17としてサファイア基板を用いる場合、その主面は、C面、R面、A面を問わない。
【0028】
【実施例】
以下、図4を参照して本願発明の実施例について説明する。
図4において、70は基板、71は低温バッファ層、72は多層反射層、73は高温バッファ層、74は超格子層、75は第2導電型半導体層、76は活性層、77は第1導電型半導体層、78はコンタクト層、79は第1電極、80は第2電極、をそれぞれ示す。
【0029】
まず、サファイアからなる基板70上に、MOCVD法により、TMG、TMA、TMI、NH3を原料として、比較的低温で、n型GaN等からなる、層厚が0.01〜0.2μm程度の低温バッファ層71を形成し、ついで、層厚をそれぞれ40nm程度とした、n型In1−yGayN(たとえばx=0、y=0.98)とn型AlGaN(たとえばx=0.2、y=0.8)からなる多層反射層72を、10ペアで合計20層形成する。その後、700〜1200℃程度の高温で、層厚が0.01〜1μm程度の、n型のGaNからなる高温バッファ層73を形成し、ついで、それぞれの層厚を2nm程度とした、n型のGaNとn型InyGa1−yN(たとえば、y=0.02)からなる層を、10ペアで合計20層の超格子層74を形成する。その後、層厚が0.1〜5μm程度の、n型GaNからなる第2導電型半導体層75を形成する。
【0030】
次に、ノンドープまたはn型もしくはp型のInyGa1−yN(たとえば、y=0.06)からなる活性層76を0.05〜0.1μm程度の厚さに形成する。ついで、第1導電型半導体層77である、p型AlGaN(たとえばz=0.15)層を0.01〜0.3μm程度、さらにp型のGaNからなるコンタクト層78を0.3〜2μmの厚さに形成する。
【0031】
前述の第2導電型半導体層75をn型とするためには、Si、Ge、TeをSiH4、GeH4、TeH4などの不純物原料ガスとして反応ガス内に混入する。ただし、n型の場合は不純物を混入しなくても成膜時に窒素が蒸発しやすく自然にn型になるため、その性質を利用してもよい。
【0032】
その後、SiO2やSi3N4などの保護膜を半導体層の成長膜表面全面に設け、400〜800℃、20〜60分間程度のアニールを行い、p型である第1導電型半導体層77の活性化を行う。なお、保護膜を設けることなくアニールしてもよい。
【0033】
アニールが完了すると、レジスト膜などのマスクを設けて第2導電型半導体層75が露出するまで、積層された半導体層をエッチングする。このエッチングはたとえばCl2およびBCl3の混合ガスの雰囲気の下で、反応性イオンエッチングにより行われる。
【0034】
ついで、第1電極79および第2電極80として、Ti、Au、Alなどの金属膜をスパッタリングや蒸着などにより形成する。最終的に基板70をラッピングした後、各チップにダイシングして、半導体発光素子が形成される。
【0035】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明による半導体発光素子において、正孔または電子を超格子層に拡散させることが可能となり、消費電力を下げ、また、発光部形成層に含まれる発光部分を均一に発光させることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子である。
【図2】本願発明の実施の形態の1例を示した図である。
【図3】本願発明の実施の形態の1例を示した図である。
【図4】本願発明の実施例を示した図である。
【符号の説明】
12:第1電極
13:第1導電型半導体層
14:発光部形成層
15:第2導電型半導体層
16:第2電極
17:基板
21:多層反射層
22:超格子層
53:p型の半導体層
54:活性層
55:n型の半導体層
56:陰極電極
57:サファイア基板
61:多層反射層
70:基板
71:低温バッファ層
72:多層反射層
73:高温バッファ層
74:超格子層
75:第2導電型半導体層
76:活性層
77:第1導電型半導体層
78:コンタクト層
79:第1電極
80:第2電極
Claims (2)
- AlxGayIn1−x−yN(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)と表されるIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、少なくとも、基板と、該基板上に形成された多層反射層と、該多層反射層上に形成された超格子層と、該超格子層上に形成された少なくとも第2導電型半導体層および第1導電型半導体層を順に含む発光部形成層と、を順に備え、n型またはp型の半導体からなる該第1導電型半導体層に第1電極が電気的に接続されており、該第1導電型半導体層と反対の極性を持つn型またはp型の半導体からなる該第2導電型半導体層または該超格子層に第2電極が電気的に接続されている半導体発光素子。
- 前記第2導電型半導体層または前記超格子層の少なくとも一方に露出した領域を有しており、該露出した領域上に前記第2電極を配置した請求項1に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003206217A JP3839799B2 (ja) | 2003-08-06 | 2003-08-06 | 半導体発光素子 |
US10/876,838 US7196347B2 (en) | 2003-08-06 | 2004-06-25 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003206217A JP3839799B2 (ja) | 2003-08-06 | 2003-08-06 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005056922A true JP2005056922A (ja) | 2005-03-03 |
JP3839799B2 JP3839799B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=34113706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003206217A Expired - Fee Related JP3839799B2 (ja) | 2003-08-06 | 2003-08-06 | 半導体発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7196347B2 (ja) |
JP (1) | JP3839799B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100635214B1 (ko) | 2005-08-02 | 2006-10-16 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 구조의 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
WO2007052840A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Showa Denko K.K. | Semiconductor light-emitting diode |
JP2007149713A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-06-14 | Showa Denko Kk | 半導体発光ダイオード |
JP2007158285A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Jiaotong Univ | Iii族窒化物基反射器を製造する方法 |
JP2007180499A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
WO2007091651A1 (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体素子 |
JP2007221146A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Lg Electronics Inc | 縦型発光素子及びその製造方法 |
JP2008108779A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2008277500A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子 |
JP2008547210A (ja) * | 2005-06-17 | 2008-12-25 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 光電子応用のための(Al,Ga,In)NとZnOの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法 |
JP2009016505A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子 |
JP2010532561A (ja) * | 2007-07-04 | 2010-10-07 | ウリエルエスティー カンパニー リミテッド | 化合物半導体発光素子 |
KR101368687B1 (ko) * | 2012-07-02 | 2014-03-04 | 전자부품연구원 | 초격자 구조를 이용한 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법 |
US10454010B1 (en) | 2006-12-11 | 2019-10-22 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7956371B2 (en) * | 2005-12-08 | 2011-06-07 | The Regents Of The University Of California | High efficiency light emitting diode (LED) |
US7161188B2 (en) * | 2004-06-28 | 2007-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element |
TWI250671B (en) * | 2005-03-01 | 2006-03-01 | Epitech Technology Corp | Method for manufacturing light-emitting diode |
JP2009515344A (ja) * | 2005-11-04 | 2009-04-09 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 高い光抽出効率の発光ダイオード(led) |
TW200830593A (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-16 | Univ California | Transparent mirrorless light emitting diode |
EP2843716A3 (en) | 2006-11-15 | 2015-04-29 | The Regents of The University of California | Textured phosphor conversion layer light emitting diode |
US10672948B2 (en) * | 2017-12-15 | 2020-06-02 | Saphlux, Inc. | Methods for producing light extraction structures for semiconductor devices |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0870139A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-03-12 | Nichia Chem Ind Ltd | n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
JPH10308558A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 |
JPH11163402A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系半導体発光素子 |
JP2002170991A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-06-14 | United Epitaxy Co Ltd | 窒化物化合物半導体のエピタキシャル成長 |
JP2002170776A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Inst Of Physical & Chemical Res | 低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子 |
JP2003101141A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-04-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 多層膜反射層およびそれを用いた窒化ガリウム系発光素子 |
JP2003115642A (ja) * | 2001-03-28 | 2003-04-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2003204078A (ja) * | 1998-12-08 | 2003-07-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
WO2003103062A1 (fr) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Nitride Semiconductors Co.,Ltd. | Dispositif semi-conducteur a base de nitrure de gallium et son procede de fabrication |
JP2004112002A (ja) * | 2001-07-04 | 2004-04-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2004281553A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発光ダイオード |
JP2004336080A (ja) * | 2004-08-18 | 2004-11-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2004343147A (ja) * | 1998-03-12 | 2004-12-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2005051170A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62119196A (ja) | 1985-11-18 | 1987-05-30 | Univ Nagoya | 化合物半導体の成長方法 |
JPH07176788A (ja) | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Sharp Corp | 発光ダイオード |
JPH07254732A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
GB9913950D0 (en) * | 1999-06-15 | 1999-08-18 | Arima Optoelectronics Corp | Unipolar light emitting devices based on iii-nitride semiconductor superlattices |
-
2003
- 2003-08-06 JP JP2003206217A patent/JP3839799B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-25 US US10/876,838 patent/US7196347B2/en active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0870139A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-03-12 | Nichia Chem Ind Ltd | n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法 |
JPH10308558A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 |
JPH11163402A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系半導体発光素子 |
JP2004343147A (ja) * | 1998-03-12 | 2004-12-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2003204078A (ja) * | 1998-12-08 | 2003-07-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2002170991A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-06-14 | United Epitaxy Co Ltd | 窒化物化合物半導体のエピタキシャル成長 |
JP2002170776A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Inst Of Physical & Chemical Res | 低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子 |
JP2003115642A (ja) * | 2001-03-28 | 2003-04-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2004112002A (ja) * | 2001-07-04 | 2004-04-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2003101141A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-04-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 多層膜反射層およびそれを用いた窒化ガリウム系発光素子 |
WO2003103062A1 (fr) * | 2002-06-04 | 2003-12-11 | Nitride Semiconductors Co.,Ltd. | Dispositif semi-conducteur a base de nitrure de gallium et son procede de fabrication |
JP2004281553A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発光ダイオード |
JP2005051170A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2004336080A (ja) * | 2004-08-18 | 2004-11-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008547210A (ja) * | 2005-06-17 | 2008-12-25 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 光電子応用のための(Al,Ga,In)NとZnOの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法 |
US8334151B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-12-18 | The Regents Of The University Of California | Method for fabricating a direct wafer bonded optoelectronic device |
KR100635214B1 (ko) | 2005-08-02 | 2006-10-16 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 구조의 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
WO2007052840A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Showa Denko K.K. | Semiconductor light-emitting diode |
JP2007149713A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-06-14 | Showa Denko Kk | 半導体発光ダイオード |
US8299451B2 (en) | 2005-11-07 | 2012-10-30 | Showa Denko K.K. | Semiconductor light-emitting diode |
KR100992499B1 (ko) | 2005-11-07 | 2010-11-08 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 반도체 발광 다이오드 |
JP2007158285A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Jiaotong Univ | Iii族窒化物基反射器を製造する方法 |
JP4511473B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2010-07-28 | 國立交通大學 | Iii族窒化物基反射器を製造する方法 |
JP2007180499A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
WO2007091651A1 (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体素子 |
US8154036B2 (en) | 2006-02-09 | 2012-04-10 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor device |
JP2007214384A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2007221146A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Lg Electronics Inc | 縦型発光素子及びその製造方法 |
JP2008108779A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
US10454010B1 (en) | 2006-12-11 | 2019-10-22 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
US10593854B1 (en) | 2006-12-11 | 2020-03-17 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting device with light emitting diodes |
US10644213B1 (en) | 2006-12-11 | 2020-05-05 | The Regents Of The University Of California | Filament LED light bulb |
US10658557B1 (en) | 2006-12-11 | 2020-05-19 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting device with light emitting diodes |
JP2008277500A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子 |
JP2009016505A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子 |
JP2010532561A (ja) * | 2007-07-04 | 2010-10-07 | ウリエルエスティー カンパニー リミテッド | 化合物半導体発光素子 |
KR101368687B1 (ko) * | 2012-07-02 | 2014-03-04 | 전자부품연구원 | 초격자 구조를 이용한 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7196347B2 (en) | 2007-03-27 |
JP3839799B2 (ja) | 2006-11-01 |
US20050029528A1 (en) | 2005-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3839799B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US7808010B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof | |
US7939833B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
US8093606B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
US8704250B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof | |
JP5044692B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
US20090127572A1 (en) | Nitride Semiconductor Light Emitting Device | |
US9640712B2 (en) | Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same | |
US20070057282A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP5048496B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR100705886B1 (ko) | 질화물 반도체층 구조물 및 질화물 반도체 레이저 | |
JPH10335757A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
KR20130066870A (ko) | 반도체 발광소자 | |
JPH11340509A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP5098135B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
KR100738399B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
CN102544290A (zh) | 氮化物半导体发光二极管元件 | |
JP2006261358A (ja) | 半導体発光素子 | |
CN115485862A (zh) | 紫外led及其制作方法 | |
KR101117484B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
US20070069226A1 (en) | Fabrication method of nitride semiconductor light emitting device and nitride semiconductor light emitting device thereby | |
JP4284103B2 (ja) | 酸化物半導体発光素子 | |
JP2007150075A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JPH11243227A (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP7413599B1 (ja) | Iii-v族化合物半導体発光素子及びiii-v族化合物半導体発光素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20060315 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20060403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060801 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060803 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3839799 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120811 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130811 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |