JP2007180499A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による窒化物半導体発光素子は、基板上に順次形成されたn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層と、上記n型窒化物半導体層の一部上面に設けられたn側電極と、上記基板とn型窒化物半導体層の間に形成された少なくとも一つの中間層を含み、上記中間層はバンドギャップの互いに異なる3層以上が積層された多層構造を有し、上記中間層は上記n側電極より下に位置する。
【選択図】図2
Description
102 アンドープGaN層
103 第1n型窒化物半導体層
105 第2n型窒化物半導体層
106 電流拡散層
107 活性層
109 p型窒化物半導体層
110 透明電極層
120 p側電極
130 n側電極
150 多層構造中間層
Claims (22)
- 基板上に順次形成されたn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層の一部上面に設けられたn側電極と、
前記基板と前記n型窒化物半導体層の間に形成された少なくとも一つの中間層とを含み、
前記中間層はバンドギャップの互いに異なる3層以上が積層された多層構造を有し、前記中間層は前記n側電極より下に位置することを特徴とする、窒化物半導体発光素子。 - 前記中間層は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0 ≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体物質から成り、前記中間層の多層構造はAlとInの組成比を異にして互いに異なるエネルギーバンドを有することを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層を構成する各層の厚さは、10乃至300Åの厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、超格子構造を形成することを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたAlGaN/GaN/InGaNの積層物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたAlGaN/GaN/InGaNの前記積層物が繰り返し積層された多層構造を有することを特徴とする、請求項5に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたInGaN/GaN/AlGaNの積層物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたInGaN/GaN/AlGaNの前記積層物が繰り返し積層された多層構造を有することを特徴とする、請求項7に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたAlGaN/GaN/InGaN/GaNの積層物を1周期として前記積層物が繰り返し積層された多層構造を有することを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層の少なくとも一部は、n型不純物でドーピングされていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層の少なくとも一部は、p型不純物でドーピングされていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、ドーピングされていないアンドープ層であることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層の少なくとも一部には、Inが不純物として添加されていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、バンドギャップの互いに異なる4層以上が積層された多層構造を有することを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層を構成する層のうちバンドギャップの最も大きい第1層と最も小さい第2層の間には、バンドギャップが積層方向に沿って順次に増加または減少するように前記第1及び第2層以外の他層が積層されていることを特徴とする、請求項14に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板は、サファイア、SiC、Si、ZnO、MgO、GaNで構成された群より選択された物質から成ることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板と前記中間層の間に形成されたアンドープGaN層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板と前記アンドープGaN層の間に形成されたバッファ層をさらに含むことを特徴とする、請求項17に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記n型窒化物半導体層と活性層の間に形成された電流拡散層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- サファイア基板上に順次形成された第1n型窒化物半導体層、中間層、第2n型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層と、
前記第2窒化物半導体層の一部上面に設けられたn側電極とを含み、
前記中間層は、バンドギャップの互いに異なる3層以上が積層された多層構造を有し、前記中間層は前記n側電極より下に位置することを特徴とする、窒化物半導体発光素子。 - 前記中間層は、順次積層されたInGaN/GaN/AlGaNの積層物が繰り返し積層された超格子構造を有することを特徴とする、請求項20に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたAlGaN/GaN/InGaNの積層物が繰り返し積層された超格子構造を有することを特徴とする、請求項20に記載の窒化物半導体発光素子。
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