JP5242039B2 - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
窒化物半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5242039B2 JP5242039B2 JP2006286528A JP2006286528A JP5242039B2 JP 5242039 B2 JP5242039 B2 JP 5242039B2 JP 2006286528 A JP2006286528 A JP 2006286528A JP 2006286528 A JP2006286528 A JP 2006286528A JP 5242039 B2 JP5242039 B2 JP 5242039B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- layer
- intermediate layer
- light emitting
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 108
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 94
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 20
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 40
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 27
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
図4は、本発明の第1実施形態による多層構造の中間層を示す部分断面図であり、図5は図4の多層構造の中間層のバンドギャッププロファイルの一例を表すグラフである。
図6は、本発明の第2実施形態による多層構造の中間層を示す部分断面図であり、図7は図6の多層構造中間層のバンドギャッププロファイルの一例を表すグラフである。中間層を構成する層の積層順序の面で、第2実施形態の中間層は第1実施形態の中間層と異なる。
図8は、本発明の技術範囲の外である別の第3実施形態である多層構造の中間層を示す部分断面図であり、図9は図8の多層構造の中間層のバンドギャッププロファイルの一例を表すグラフである。第3実施形態による中間層では、AlGaN/InGaN界面を形成しないようにAlGaN層とInGaN層の間にGaN層が挿入されている。
図10は、本発明の技術範囲の外である第4実施形態による多層構造の中間層のバンドギャッププロファイルを表すグラフである。第4実施形態では、中間層はバンドギャップが互いに異なる4つ以上の層152a、152b、152c、152dを含む(便宜上、中間層を示す部分断面図の図示は省略する)。
102 アンドープGaN層
103 第1n型窒化物半導体層
105 第2n型窒化物半導体層
106 電流拡散層
107 活性層
109 p型窒化物半導体層
110 透明電極層
120 p側電極
130 n側電極
150 多層構造中間層
Claims (20)
- 基板上に順次形成されたn−ドープの第1n型窒化物半導体層、n−ドープの第2n型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層と、
前記第2n型窒化物半導体層の一部上面に設けられたn側電極と、
前記第1n型窒化物半導体層と前記第2n型窒化物半導体層の間に形成された少なくとも一つの中間層とを含み、
前記中間層はバンドギャップの互いに異なる3層以上の積層物を1周期として複数周期積層された多層構造を有し、前記中間層は前記n側電極より下に位置し、
前記中間層は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体物質から成り、前記中間層の多層構造はAlとInの組成比を異にして互いに異なるエネルギーバンドを有し、
前記中間層は、前記1周期の積層物を構成する各層が積層方向に沿ってバンドギャップが増加または減少する順序で形成されることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。 - 前記中間層を構成する各層は、10乃至300Åの厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、超格子構造を形成することを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたAlGaN/GaN/InGaNの積層物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたAlGaN/GaN/InGaNの前記積層物が繰り返し積層された多層構造を有することを特徴とする、請求項4に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたInGaN/GaN/AlGaNの積層物を含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたInGaN/GaN/AlGaNの前記積層物が繰り返し積層された多層構造を有することを特徴とする、請求項6に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたAlGaN/GaN/InGaN/GaNの積層物を1周期として前記積層物が繰り返し積層された多層構造を有することを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層の少なくとも一部は、n型不純物でドーピングされていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層の少なくとも一部は、p型不純物でドーピングされていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、ドーピングされていないアンドープ層であることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層の少なくとも一部には、Inが不純物として添加されていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、バンドギャップの互いに異なる4層以上が積層された多層構造を有することを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板は、サファイア、SiC、Si、ZnO、MgO、GaNで構成された群より選択された物質から成ることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板と前記中間層の間に形成されたアンドープGaN層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板と前記アンドープGaN層の間に形成されたバッファ層をさらに含むことを特徴とする、請求項15に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記n型窒化物半導体層と活性層の間に形成された電流拡散層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板はサファイア基板であることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたInGaN/GaN/AlGaNの積層物が繰り返し積層された超格子構造を有することを特徴とする、請求項18に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記中間層は、順次積層されたAlGaN/GaN/InGaNの積層物が繰り返し積層された超格子構造を有することを特徴とする、請求項18に記載の窒化物半導体発光素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0132248 | 2005-12-28 | ||
KR1020050132248A KR100665364B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 질화물 반도체 발광 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007180499A JP2007180499A (ja) | 2007-07-12 |
JP5242039B2 true JP5242039B2 (ja) | 2013-07-24 |
Family
ID=37867084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006286528A Active JP5242039B2 (ja) | 2005-12-28 | 2006-10-20 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7462876B2 (ja) |
JP (1) | JP5242039B2 (ja) |
KR (1) | KR100665364B1 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100755587B1 (ko) * | 2006-07-12 | 2007-09-06 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
KR100748708B1 (ko) * | 2006-07-20 | 2007-08-13 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
KR100747641B1 (ko) * | 2006-07-21 | 2007-08-08 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
KR100920915B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2009-10-12 | 서울옵토디바이스주식회사 | 초격자 구조의 장벽층을 갖는 발광 다이오드 |
KR100891826B1 (ko) | 2007-01-12 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자 |
US8212262B2 (en) * | 2007-02-09 | 2012-07-03 | Cree, Inc. | Transparent LED chip |
EP1976031A3 (en) * | 2007-03-29 | 2010-09-08 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having well and/or barrier layers with superlattice structure |
KR100835116B1 (ko) | 2007-04-16 | 2008-06-05 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
KR101283261B1 (ko) * | 2007-05-21 | 2013-07-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101459752B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2014-11-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100877774B1 (ko) | 2007-09-10 | 2009-01-16 | 서울옵토디바이스주식회사 | 개선된 구조의 발광다이오드 |
KR101389348B1 (ko) | 2007-12-04 | 2014-04-30 | 삼성전자주식회사 | 질화갈륨계 반도체 발광소자 |
KR100903103B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2009-06-16 | 우리엘에스티 주식회사 | 화합물 반도체를 이용한 발광소자 |
KR101393354B1 (ko) | 2007-12-27 | 2014-05-13 | 서울바이오시스 주식회사 | 질화갈륨계 버퍼층 및 그것을 형성하는 방법 |
KR20090117538A (ko) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
JP5572976B2 (ja) | 2009-03-26 | 2014-08-20 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
KR101028314B1 (ko) | 2010-01-29 | 2011-04-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101766719B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2017-08-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
JP5533744B2 (ja) | 2010-03-31 | 2014-06-25 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP5175918B2 (ja) | 2010-12-01 | 2013-04-03 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
KR101781435B1 (ko) | 2011-04-13 | 2017-09-25 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
US20120119254A1 (en) * | 2011-07-08 | 2012-05-17 | Yong Tae Moon | Light emitting device, light emitting device package and lighting system including the same |
KR101843513B1 (ko) * | 2012-02-24 | 2018-03-29 | 서울바이오시스 주식회사 | 질화갈륨계 발광 다이오드 |
WO2014009856A1 (en) * | 2012-07-11 | 2014-01-16 | Koninklijke Philips N.V. | Reducing or eliminating nanopipe defects in iii-nitride structures |
KR102014172B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2019-08-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 자외선 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
US9401452B2 (en) * | 2012-09-14 | 2016-07-26 | Palo Alto Research Center Incorporated | P-side layers for short wavelength light emitters |
WO2014103428A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 株式会社村田製作所 | 垂直共振面発光レーザ |
KR102059033B1 (ko) * | 2013-02-04 | 2019-12-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
KR102042269B1 (ko) * | 2013-04-24 | 2019-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
DE102013104192A1 (de) | 2013-04-25 | 2014-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement mit einer Zwischenschicht |
JP6129051B2 (ja) | 2013-10-10 | 2017-05-17 | キヤノン株式会社 | 反射鏡、面発光レーザ、レーザ装置、光音響装置及び画像形成装置 |
TWI577046B (zh) * | 2014-12-23 | 2017-04-01 | 錼創科技股份有限公司 | 半導體發光元件及其製作方法 |
TWI568016B (zh) * | 2014-12-23 | 2017-01-21 | 錼創科技股份有限公司 | 半導體發光元件 |
CN105261680B (zh) * | 2015-09-01 | 2017-09-29 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发光二极管外延片及其制作方法 |
US10396240B2 (en) * | 2015-10-08 | 2019-08-27 | Ostendo Technologies, Inc. | III-nitride semiconductor light emitting device having amber-to-red light emission (>600 nm) and a method for making same |
CN105870279B (zh) * | 2016-04-28 | 2018-08-21 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片 |
DE102016112294A1 (de) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterschichtenfolge |
DE102018129051A1 (de) | 2018-11-19 | 2020-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierender Halbleiterlaser |
KR20210045835A (ko) * | 2019-10-17 | 2021-04-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 박막 구조체 및 이를 포함하는 전자 소자 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232629A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Toshiba Corp | 半導体素子 |
JP3063756B1 (ja) | 1998-10-06 | 2000-07-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP3505405B2 (ja) * | 1998-10-22 | 2004-03-08 | 三洋電機株式会社 | 半導体素子及びその製造方法 |
JP3063757B1 (ja) | 1998-11-17 | 2000-07-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP3794530B2 (ja) | 1998-12-24 | 2006-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2000228535A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2000349393A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体デバイス、面発光型半導体レーザ、及び端面発光型半導体レーザ |
JP3778765B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2006-05-24 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
KR100906760B1 (ko) * | 2001-03-28 | 2009-07-09 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자 |
WO2002103814A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Cree, Inc. | Gan based led formed on a sic substrate |
US6822272B2 (en) * | 2001-07-09 | 2004-11-23 | Nichia Corporation | Multilayered reflective membrane and gallium nitride-based light emitting element |
US6515308B1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-02-04 | Xerox Corporation | Nitride-based VCSEL or light emitting diode with p-n tunnel junction current injection |
JP3956753B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2007-08-08 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP3839799B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2006-11-01 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
-
2005
- 2005-12-28 KR KR1020050132248A patent/KR100665364B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-10-20 JP JP2006286528A patent/JP5242039B2/ja active Active
- 2006-10-23 US US11/584,503 patent/US7462876B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7462876B2 (en) | 2008-12-09 |
KR100665364B1 (ko) | 2007-01-09 |
US20070145406A1 (en) | 2007-06-28 |
JP2007180499A (ja) | 2007-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5242039B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP5165449B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4971377B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP4592560B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
US7084420B2 (en) | Nitride based semiconductor device | |
EP2843714B1 (en) | Semiconductor light emitting device including hole injection layer and method of fabricating the same. | |
KR101781435B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
KR100604406B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
US20140191192A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP2009152552A (ja) | 多重量子井戸構造の活性領域を有する発光ダイオード | |
WO2016072150A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
KR20110090118A (ko) | 반도체 발광소자 | |
US20090057709A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting diode | |
KR20110048240A (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR101423720B1 (ko) | 다중양자웰 구조의 활성 영역을 갖는 발광 소자 및 그제조방법 | |
KR20100049451A (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR101025971B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
KR101507130B1 (ko) | 초격자층을 갖는 발광 다이오드 | |
KR101123011B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR101712549B1 (ko) | 스페이서층을 가지는 발광 다이오드 | |
KR20110117963A (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 | |
KR20100027407A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
KR100661606B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
KR20090056319A (ko) | 초격자 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광소자 | |
KR20110100569A (ko) | 질화물 반도체 소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100521 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100622 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101021 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110105 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110105 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130403 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160412 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5242039 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |