JP2006261358A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 短波長領域の光をp側から高効率で取り出すことのできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 Al0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層5をn型,p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層4,7で挟み、p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7上にn型Ga2O3透光性電極8を形成する。n型Ga2O3透光性電極8は、紫外光に対して透明であり、また、n型Ga2O3透光性電極8とp型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7との間はn−pトンネル接合が形成されて低コンタクト抵抗に抑えられつつ導通が確保される。
【選択図】 図1
【解決手段】 Al0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層5をn型,p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層4,7で挟み、p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7上にn型Ga2O3透光性電極8を形成する。n型Ga2O3透光性電極8は、紫外光に対して透明であり、また、n型Ga2O3透光性電極8とp型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7との間はn−pトンネル接合が形成されて低コンタクト抵抗に抑えられつつ導通が確保される。
【選択図】 図1
Description
本発明は半導体発光素子に関し、特にその発光波長が比較的短波長領域に存在するLED(Light Emitting Diode)や半導体レーザ等の半導体発光素子に関する。
近年、青〜紫外領域といった短波長領域に発光波長が存在するLEDや半導体レーザ等の半導体発光素子の材料には、窒化ガリウム(GaN)や窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)等の窒化物半導体(AlyGa1-yN(0≦y≦1))が注目されている。
図5は従来のLEDの一例の断面模式図である。
この図5に示すLED100は、青色の波長の光を発するいわゆる青色LEDであり、サファイア基板101上にGaNバッファ層102を介して、n型GaNクラッド層103、GaN/InGaN量子井戸活性層104、p型GaNクラッド層105を有している。ここで、GaN/InGaN量子井戸活性層104は、GaNの障壁層と窒化インジウムガリウム(InGaN)の井戸層の積層構造を有している。さらに、LED100は、n型GaNクラッド層103にn側の電極106を有し、p型GaNクラッド層105上に青色の波長の光に対して透明なn型酸化亜鉛(ZnO)透光性電極107を介してp側の電極108を有している。このようなLED100において、発光はp側、すなわちp型GaNクラッド層105側から取り出される。
この図5に示すLED100は、青色の波長の光を発するいわゆる青色LEDであり、サファイア基板101上にGaNバッファ層102を介して、n型GaNクラッド層103、GaN/InGaN量子井戸活性層104、p型GaNクラッド層105を有している。ここで、GaN/InGaN量子井戸活性層104は、GaNの障壁層と窒化インジウムガリウム(InGaN)の井戸層の積層構造を有している。さらに、LED100は、n型GaNクラッド層103にn側の電極106を有し、p型GaNクラッド層105上に青色の波長の光に対して透明なn型酸化亜鉛(ZnO)透光性電極107を介してp側の電極108を有している。このようなLED100において、発光はp側、すなわちp型GaNクラッド層105側から取り出される。
このLED100では、p型GaNクラッド層105上にこれと導電型の異なるn型ZnO透光性電極107を形成し、両者間のコンタクト抵抗を低く抑えつつ導通を確保すると共に、p側の透光性を確保するようにしている。
また、従来は、窒化物半導体としてAlGaNを用い、透光性電極を酸化ガリウム(Ga2O3)で形成して、紫外領域といったより発光波長の短い素子の形成も行われている(特許文献1参照)。なお、この提案では、透光性電極をその下のクラッド層と同導電型にして両者間のコンタクト抵抗の低減が試みられている。
特開2004−179365号公報
紫外領域に発光波長が存在する半導体発光素子を形成する場合、ZnOは紫外領域の発光に対して透明でないため、その透光性電極に用いることはできない。そこで、上記のようにそのような波長領域の光に対して透明なGa2O3等が透光性電極に用いられる。
しかし、透光性電極とクラッド層の間のコンタクト抵抗を考慮してp型のクラッド層上に同じくp型の透光性電極を形成しようとする場合には、p型不純物の活性化率が低い等の問題のために、高品位のp型透光性電極を安定して形成することが難しい。そのため、発光効率が低下する、キャリア分布が不均一になる、素子の大面積化への対応が難しい、といった光の取り出し効率の向上を妨げるような問題が生じる可能性があり、素子の性能や品質あるいは生産性等の点で、未だ改善の余地が残されているのが現状である。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、短波長領域の光を高効率で取り出すことのできる半導体発光素子を提供することを目的とする。
本発明では上記課題を解決するために、窒化物半導体が用いられた半導体発光素子において、活性層を挟むn型,p型窒化物半導体層と、前記p型窒化物半導体層の側にn型の(InxGa1-x)2O3(0≦x≦1)を用いて形成されたn型透光性電極と、を有することを特徴とする半導体発光素子が提供される。
このような半導体発光素子によれば、p型窒化物半導体層側にn型(InxGa1-x)2O3を用いてn型透光性電極を形成する。(InxGa1-x)2O3はその組成に応じ青〜紫外の短波長の光に対して透明である。さらに、n型透光性電極とp型窒化物半導体層との間にはn−pトンネル接合が形成され、コンタクト抵抗が低く抑えられつつ導通が確保される。また、透光性電極をn型で構成するため、p型で構成した場合に比べ、活性化率が高く、キャリア分布の良好な透光性電極が得られるようになる。
本発明では、半導体発光素子の活性層を挟むn型,p型窒化物半導体層のうち、p型窒化物半導体層の側にn型(InxGa1-x)2O3を用いてn型透光性電極を形成するようにした。これにより、青〜紫外といった短波長の光をp側から高効率で取り出すことのできる高品質、高性能の半導体発光素子が実現可能になる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
まず、第1の実施の形態について説明する。
図1は第1の実施の形態の半導体発光素子の断面模式図である。
まず、第1の実施の形態について説明する。
図1は第1の実施の形態の半導体発光素子の断面模式図である。
この図1に示す半導体発光素子1は、紫外領域に発光波長が存在するLEDである。半導体発光素子1は、サファイア基板2上に窒化アルミニウム(AlN)バッファ層3を介して、n型Al0.35Ga0.65Nクラッド層4、Al0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層5、p型Al0.45Ga0.55N電子ブロック層6、p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7が順に積層された構造を有している。そして、p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7上には、n型Ga2O3透光性電極8が形成され、このn型Ga2O3透光性電極8とn型Al0.35Ga0.65Nクラッド層4にそれぞれp側,n側の電極9,10が取り付けられている。
このような構成の半導体発光素子1は、例えば次のようにして形成することができる。まず、適当なサイズのサファイア基板2上に、有機金属気相エピタキシー(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy,MOVPE)法を用い、AlNバッファ層3を成長させた後、同じくMOVPE法を用い、n型不純物としてシリコン(Si)を3×1018cm-3程度ドーピングしてn型Al0.35Ga0.65Nクラッド層4を約1μmの膜厚で成長させる。
次いで、MOVPE法を用い、n型Al0.35Ga0.65Nクラッド層4上に、Al0.3Ga0.7Nを障壁層としAl0.15Ga0.85Nを井戸層とするAl0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層5を成長させる。その際、障壁層と井戸層の積層数は半導体発光素子1の要求特性等に応じて適当に設定することができ、例えば1組の障壁層と井戸層のペアを1周期としてその積層数を3周期とする。また、障壁層と井戸層は、例えば障壁層を膜厚約20nm、井戸層を膜厚約3nmにしてそれぞれ形成する。
次いで、MOVPE法を用い、Al0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層5上に、p型不純物としてマグネシウム(Mg)を5×1020cm-3程度ドーピングしてp型Al0.45Ga0.55N電子ブロック層6を膜厚約10nmで成長させ、さらに、Mgを1×1020cm-3程度ドーピングしてp型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7を膜厚約100nmで成長させる。成長後は、適当な温度でアニールを行い、ドーピングしたMgの活性化を行う。
なお、このp型Al0.45Ga0.55N電子ブロック層6は、p側の電極9に正電圧、n側の電極10に負電圧を印加したときに、Al0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層5内で一定のエネルギー状態になった電子がp型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7側(電極9側)に流出してホールと結合してしまうのを防ぐ役割を果たす。ただし、その形成に当たっては、その厚みと組成に留意する必要がある。まず厚みについては、上記のように10nm程度とすることが好ましい。これはその組成にもよるが、厚いと素子内の抵抗が高くなってしまい、薄いと電子の流出をブロックできなくなってしまうためである。また、組成については、その上層に形成されるp型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7よりもAl組成比を若干高く、上記のように0.45程度とすることが好ましい。これはその厚みにもよるが、Al組成が0.45より高い場合にはバンドギャップが大きくなるため素子内の抵抗が高くなってしまい、0.45より低い場合には電子の流出をブロックできなくなってしまうためである。
p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7の成長後は、これまでの工程で形成された積層構造体の一部をフォトリソグラフィによってn型Al0.35Ga0.65Nクラッド層4が露出するまでエッチングし、n側の電極10の取り付け領域を形成する。
その後、例えばパルスレーザ堆積法やスパッタ法等を用い、p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7上に、Siをドーピングしてn型Ga2O3透光性電極8を膜厚約100nmで形成する。
最後に、n型Ga2O3透光性電極8とn型Al0.35Ga0.65Nクラッド層4のそれぞれの所定の位置にp側,n側の電極9,10を形成する。n型Ga2O3透光性電極8側に取り付けるp側の電極9は、例えば、ニッケル(Ni)を膜厚約10nm、金(Au)を膜厚約1000nmで真空蒸着して形成することができる。また、n型Al0.35Ga0.65Nクラッド層4側に取り付けるn側の電極10は、例えば、チタン(Ti)を膜厚約10nm、Alを膜厚約10nm、Tiを膜厚約10nm、Auを膜厚約1000nmで真空蒸着して形成することができる。
なお、上記形成方法におけるMOVPE法においては、Al源、Ga源、N源には従来公知の通常の原料種を用いればよく、例えば、Al源にトリメチルアルミニウム、Ga源にトリメチルガリウム、N源にアンモニアを用いることができる。また、キャリアガスには水素を用い、各成長層に応じて適当な成長温度を選択すればよい。また、ドーパント原料としては、例えば、モノシランやシクロペンタジエニルマグネシウムを用いることができる。
このように、第1の実施の形態の半導体発光素子1は、p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7上にそれと異なる導電型のn型Ga2O3透光性電極8が形成されている。β型の結晶構造を有するGa2O3(β−Ga2O3)は、吸収端が260nm付近に存在するため、波長280nmより長波長の領域では完全に透明な物質である。また、Ga2O3は、不純物のドーピングによってn型の導電性を与えることができる。このようにしてn型Ga2O3透光性電極8がp型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7上に形成された場合には、それらの間にn−pトンネル接合が形成されることによって導通が確保される。n型Ga2O3透光性電極8は、p型の場合よりもその形成が容易であり、また、高い活性化率を得やすく、キャリア分布の均一化も図りやすい。これにより、紫外領域の波長の光をp側から高効率で取り出すことのできる半導体発光素子1が実現される。
次に、第2の実施の形態について説明する。
図2は第2の実施の形態の半導体発光素子の断面模式図である。ただし、図2では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
図2は第2の実施の形態の半導体発光素子の断面模式図である。ただし、図2では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
この図2に示す第2の実施の形態の半導体発光素子1aは、第1の実施の形態の半導体発光素子1と同じく紫外領域に発光波長が存在するLEDであるが、p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7とn型Ga2O3透光性電極8の間にさらにn型AlGaN層11が形成されている点で、第1の実施の形態の半導体発光素子1と相違する。
このような構成の半導体発光素子1aは、第1の実施の形態の半導体発光素子1と同様にしてp型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7まで形成した後、まず、MOVPE法を用い、Siをドーピングしてn型AlGaN層11を膜厚約10nmで成長させる。その後、フォトリソグラフィによって積層構造体の一部をn型Al0.35Ga0.65Nクラッド層4が露出するまでエッチングし、電極10の取り付け領域を形成する。以降は第1の実施の形態の半導体発光素子1と同様にしてn型Ga2O3透光性電極8およびp側,n側の電極9,10を形成する。
このような半導体発光素子1aにおいて、そのp型Al0.35Ga0.65Nクラッド層7とn型Ga2O3透光性電極8の間に形成されるn型AlGaN層11は、その比抵抗がn型Ga2O3透光性電極8のそれよりも1桁程度小さい。そのため、半導体発光素子1aでは、n型Ga2O3透光性電極8を流れる電流がn型AlGaN層11で広がり、電流の面内分布が均一化されやすくなる。このような特性は、通常の発光面積のLED構造は勿論、より大発光面積のLED構造を形成する際にも有効である。
次に、第3の実施の形態について説明する。
図3は第3の実施の形態の半導体発光素子の断面模式図である。
この図3に示す半導体発光素子20は、紫外領域に発光波長が存在する面発光型の半導体レーザである。半導体発光素子20は、サファイア基板21上にAlNバッファ層22を介して、DBR(Distributed Bragg Reflector)であるn型AlGaN/AlGaN反射鏡層23、Al0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層24、p型AlGaN/AlGaN反射鏡層25が順に積層された構造を有している。n型AlGaN/AlGaN反射鏡層23およびp型AlGaN/AlGaN反射鏡層25は、組成の異なる1組のAlGaN/AlGaNのペアを1周期とし、いずれも20周期で構成されている。そして、p型AlGaN/AlGaN反射鏡層25上には、n型Ga2O3透光性電極26が形成され、このn型Ga2O3透光性電極26とn型AlGaN/AlGaN反射鏡層23にそれぞれp側,n側の電極27,28が取り付けられている。
図3は第3の実施の形態の半導体発光素子の断面模式図である。
この図3に示す半導体発光素子20は、紫外領域に発光波長が存在する面発光型の半導体レーザである。半導体発光素子20は、サファイア基板21上にAlNバッファ層22を介して、DBR(Distributed Bragg Reflector)であるn型AlGaN/AlGaN反射鏡層23、Al0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層24、p型AlGaN/AlGaN反射鏡層25が順に積層された構造を有している。n型AlGaN/AlGaN反射鏡層23およびp型AlGaN/AlGaN反射鏡層25は、組成の異なる1組のAlGaN/AlGaNのペアを1周期とし、いずれも20周期で構成されている。そして、p型AlGaN/AlGaN反射鏡層25上には、n型Ga2O3透光性電極26が形成され、このn型Ga2O3透光性電極26とn型AlGaN/AlGaN反射鏡層23にそれぞれp側,n側の電極27,28が取り付けられている。
このような構成の半導体発光素子20は、例えば次のようにして形成することができる。まず、サファイア基板21上に、MOVPE法を用い、AlNバッファ層3を成長させた後、同じくMOVPE法を用い、Siを3×1018cm-3程度ドーピングして各層が数nm程度のn型AlGaN/AlGaN反射鏡層23を20周期成長させる。
次いで、MOVPE法を用い、n型AlGaN/AlGaN反射鏡層23上に、Al0.3Ga0.7Nを障壁層としAl0.15Ga0.85Nを井戸層とするAl0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層24を成長させる。その際、障壁層と井戸層の積層数は適当に設定することができ、例えば3周期とする。また、障壁層と井戸層は、例えば障壁層を膜厚約20nm、井戸層を膜厚約3nmにしてそれぞれ形成する。
次いで、MOVPE法を用い、Al0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層24上に、Mgを5×1019cm-3程度ドーピングして各層が数nm程度のp型AlGaN/AlGaN反射鏡層25を20周期成長させる。
p型AlGaN/AlGaN反射鏡層25の成長後は、フォトリソグラフィによって積層構造体の一部をn型AlGaN/AlGaN反射鏡層23が露出するまでエッチングし、電極28の取り付け領域を形成する。
その後、例えばパルスレーザ堆積法等を用い、p型AlGaN/AlGaN反射鏡層25上に、Siをドーピングしてn型Ga2O3透光性電極26を膜厚約100nmで形成する。
最後に、n型Ga2O3透光性電極26とn型AlGaN/AlGaN反射鏡層23のそれぞれ所定位置にp側,n側の電極27,28を形成する。n型Ga2O3透光性電極26側に取り付けるp側の電極27は、例えば、Niを膜厚約10nm、Auを膜厚約1000nmで真空蒸着して形成することができ、また、n型AlGaN/AlGaN反射鏡層23側に取り付けるn側の電極28は、例えば、Tiを膜厚約10nm、Alを膜厚約10nm、Tiを膜厚約10nm、Auを膜厚約1000nmで真空蒸着して形成することができる。
このような半導体発光素子20によれば、p型AlGaN/AlGaN反射鏡層25上にそれと異なる導電型のn型Ga2O3透光性電極26が形成され、それらの間にn−pトンネル接合が形成される。それにより、n型Ga2O3透光性電極26は、紫外領域のレーザ光に透光性を示すと共に良好な導電性を示す。n型Ga2O3透光性電極26は、その形成が比較的容易であり、また、高い活性化率でキャリア分布の均一化も図りやすく、それにより、紫外領域の波長のレーザ光をp側から高効率で取り出すことのできる半導体発光素子20が実現される。
次に、第4の実施の形態について説明する。
図4は第4の実施の形態の半導体発光素子の断面模式図である。ただし、図4では、図3に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
図4は第4の実施の形態の半導体発光素子の断面模式図である。ただし、図4では、図3に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
この図4に示す第4の実施の形態の半導体発光素子20aは、第3の実施の形態の半導体発光素子20と同じく紫外領域に発光波長が存在する面発光型の半導体レーザであるが、p型AlGaN/AlGaN反射鏡層25とn型Ga2O3透光性電極26の間にさらにn型AlGaN層29が形成されている点で、第3の実施の形態の半導体発光素子20と相違する。
このような構成の半導体発光素子20aは、第3の実施の形態の半導体発光素子20と同様にしてp型AlGaN/AlGaN反射鏡層25まで形成した後、まず、MOVPE法を用い、Siをドーピングしてn型AlGaN層29を膜厚約10nmで成長させる。その後、フォトリソグラフィによって積層構造体の一部をn型AlGaN/AlGaN反射鏡層23が露出するまでエッチングし、電極28の取り付け領域を形成する。以降は第3の実施の形態の半導体発光素子20と同様にしてn型Ga2O3透光性電極26およびp側,n側の電極27,28を形成する。
このようにp型AlGaN/AlGaN反射鏡層25とn型Ga2O3透光性電極26の間にn型AlGaN層29を形成することにより、その比抵抗の低さからn型Ga2O3透光性電極26を流れる電流をn型AlGaN層29で広げることができるようになる。その結果、半導体レーザの発光領域の大面積化等を図ることが可能になる。
なお、以上の第1〜第4の実施の形態では、透光性電極材料にGa2O3を用いたが、いずれの形態においてもその透光性電極材料として酸化インジウム(In2O3)とGa2O3の混晶である(InxGa1-x)2O3(0≦x≦1)を用いることができる。その場合、In組成が大きくなると、透明な波長領域が長波長側にシフトするが、その一方で導電性は高くなるため、コンタクト抵抗をより低下させることが可能になる。したがって、LEDや半導体レーザ等の半導体発光素子の形成に当たっては、各素子の発光波長域(青〜紫外領域)やその要求特性等に応じて、透光性電極の材質(組成比)を適当に設定すればよい。
また、上記した各層の組成や膜厚、ドーパントおよびそのドープ量、積層構造、形成方法等は単なる例であって、形成する各半導体発光素子の形態に応じて適当に変更可能である。例えば、バッファ層、n型,p型のクラッド層や反射鏡層、量子井戸活性層、電子ブロック層といった窒化物半導体層は、組成式AlyGa1-yN(0≦y≦1)で表される窒化物半導体を用いて形成することができる。p型クラッド層と透光性電極との間、p型反射鏡層と透光性電極との間に形成する半導体層についても同様である。
(付記1) 窒化物半導体が用いられた半導体発光素子において、
活性層を挟むn型,p型窒化物半導体層と、
前記p型窒化物半導体層の側にn型の(InxGa1-x)2O3(0≦x≦1)を用いて形成されたn型透光性電極と、
を有することを特徴とする半導体発光素子。
活性層を挟むn型,p型窒化物半導体層と、
前記p型窒化物半導体層の側にn型の(InxGa1-x)2O3(0≦x≦1)を用いて形成されたn型透光性電極と、
を有することを特徴とする半導体発光素子。
(付記2) 前記n型透光性電極は、前記p型窒化物半導体層上に形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体発光素子。
(付記3) 前記p型窒化物半導体層上に形成されたn型半導体層を有し、前記n型透光性電極は、前記n型半導体層上に形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体発光素子。
(付記3) 前記p型窒化物半導体層上に形成されたn型半導体層を有し、前記n型透光性電極は、前記n型半導体層上に形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体発光素子。
(付記4) 前記p型窒化物半導体層は、p型のAlyGa1-yN(0≦y≦1)を用いて形成されていることを特徴とする付記1記載の半導体発光素子。
(付記5) 前記n型,p型窒化物半導体層は、反射鏡層であることを特徴とする付記1記載の半導体発光素子。
(付記5) 前記n型,p型窒化物半導体層は、反射鏡層であることを特徴とする付記1記載の半導体発光素子。
(付記6) 前記活性層は、障壁層と井戸層とを積層した量子井戸構造を有していることを特徴とする付記1記載の半導体発光素子。
(付記7) 前記p型窒化物半導体層と前記活性層との間に、前記活性層から前記p型窒化物半導体層への電子の流出をブロックする電子ブロック層を有していることを特徴とする付記1記載の半導体発光素子。
(付記7) 前記p型窒化物半導体層と前記活性層との間に、前記活性層から前記p型窒化物半導体層への電子の流出をブロックする電子ブロック層を有していることを特徴とする付記1記載の半導体発光素子。
1,1a,20,20a 半導体発光素子
2,21 サファイア基板
3,22 AlNバッファ層
4 n型Al0.35Ga0.65Nクラッド層
5,24 Al0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層
6 p型Al0.45Ga0.55N電子ブロック層
7 p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層
8,26 n型Ga2O3透光性電極
9,10,27,28 電極
11,29 n型AlGaN層
23 n型AlGaN/AlGaN反射鏡層
25 p型AlGaN/AlGaN反射鏡層
2,21 サファイア基板
3,22 AlNバッファ層
4 n型Al0.35Ga0.65Nクラッド層
5,24 Al0.3Ga0.7N/Al0.15Ga0.85N量子井戸活性層
6 p型Al0.45Ga0.55N電子ブロック層
7 p型Al0.35Ga0.65Nクラッド層
8,26 n型Ga2O3透光性電極
9,10,27,28 電極
11,29 n型AlGaN層
23 n型AlGaN/AlGaN反射鏡層
25 p型AlGaN/AlGaN反射鏡層
Claims (5)
- 窒化物半導体が用いられた半導体発光素子において、
活性層を挟むn型,p型窒化物半導体層と、
前記p型窒化物半導体層の側にn型の(InxGa1-x)2O3(0≦x≦1)を用いて形成されたn型透光性電極と、
を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記n型透光性電極は、前記p型窒化物半導体層上に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記p型窒化物半導体層上に形成されたn型半導体層を有し、前記n型透光性電極は、前記n型半導体層上に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記p型窒化物半導体層は、p型のAlyGa1-yN(0≦y≦1)を用いて形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記n型,p型窒化物半導体層は、反射鏡層であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
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