JP2003060236A - 絶縁基板を有する発光ダイオード - Google Patents

絶縁基板を有する発光ダイオード

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、同一の材料から形成されるｐ形の
オーミック電極とｎ形のオーミック電極を有するＬＥＤ
を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明では、ＬＥＤは、絶縁基板、絶縁
基板上に配置されるバッファ層、バッファ層上に配置さ
れ、第１の表面及び第２の表面を有するｎ＋形コンタク
ト層、ｎ＋形コンタクト層の第１の表面上に配置される
ｎ形クラッド層、ｎ形クラッド層上に配置される発光
層、発光層上に配置されるｐ形クラッド層、ｐ形クラッ
ド層上に配置されるｐ形コンタクト層、ｐ形コンタクト
層上に配置されるｎ＋形逆方向トンネリング層、ｎ＋形
逆方向トンネリング層上に配置されるｐ形の透明オーミ
ック電極、及び、ｎ＋形コンタクト層の第２の表面に配
置されるｎ形の透明オーミック電極を含む。ｐ形の透明
オーミック電極とｎ形の透明オーミック電極は同一の材
料から形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
（ＬＥＤ）に関わり、より詳細には、絶縁基板を有する
発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（ＬＥＤ）は、光ディス
プレイ装置、信号機、データ記憶機器、通信装置、照明
装置、及び、医療機器を含む様々な用途に使用されてい
る。ＬＥＤを設計するエンジニアの主な目的の１つは、
ＬＥＤから発される光の輝度を増加することである。
【０００３】米国特許第５，５６３，４２２号は、図１
０に窒化ガリウム（ＧａＮ）系のＬＥＤを開示する。こ
のＬＥＤは、ニッケル、金、又は、ニッケル‐金合金か
ら形成されるｐ形のオーミック電極５６を有する。この
ＬＥＤは更に、チタン、アルミニウム、又は、チタン‐
アルミニウム合金から形成されるｎ形のオーミック電極
５７を有する。電極５６と電極５７が異なる材料から形
成されるので、電極５６及び電極５７をそれぞれ形成す
るために２つの蒸着処理と２つのフォトリソグラフィッ
ク処理を必要とする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、同一の材料
から形成されるｐ形のオーミック電極とｎ形のオーミッ
ク電極を有するＬＥＤを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、ＬＥＤは、
サファイア絶縁基板、絶縁基板上に配置されるＧａＮバ
ッファ層、バッファ層上に配置され、第１の表面及び第
２の表面を有するｎ＋形コンタクト層、ｎ＋形コンタク
ト層の第１の表面上に配置されるｎ形クラッド層、ｎ形
クラッド層上に配置される発光層、発光層上に配置され
るｐ形クラッド層、ｐ形クラッド層上に配置されるｐ形
コンタクト層、ｐ形コンタクト層上に配置されるｎ＋形
逆方向トンネリング層、ｎ＋形逆方向トンネリング層上
に配置されるｐ形透明オーミック電極、及び、ｎ＋形コ
ンタクト層の第２の表面に配置されるｎ形透明オーミッ
ク電極を含む。ｐ形の透明オーミック電極とｎ形の透明
オーミック電極は同一の材料から形成される。
【０００６】本発明において、ｐ形の透明オーミック電
極とｎ形の透明オーミック電極は同一の材料から形成さ
れるので、１つの蒸着処理及び１つのフォトリソグラフ
ィック処理だけが、ｐ形の透明オーミック電極とｎ形の
透明オーミック電極を同時に形成するには必要となり、
その結果、ＬＥＤの製造費を少なくすることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の上記及び他の目的は、当
業者は、様々な図面に示す好適な実施例の以下に示す詳
細な説明を読むことにより明らかとなるであろう。
【０００８】図１を参照するに、本発明の良好な実施例
である絶縁基板を有するＬＥＤを示す。ＬＥＤは、スタ
ック構造を有し、サファイア絶縁基板１０、絶縁基板１
０上に配置されるＧａＮバッファ層１１、バッファ層１
１上に配置されるｎ＋形ＧａＮコンタクト層１２、ｎ＋
形コンタクト層１２上に配置されるｎ形ＡｌＧａＮクラ
ッド層１３、ｎ形クラッド層１３上に配置され、多重量
子井戸（ＭＱＷ）構造を有するＩｎＧａＮ発光層１４、
発光層１４上に配置されるｐ形ＡｌＧａＮクラッド層１
５、ｐ形クラッド層１５上に配置されるｐ形ＧａＮコン
タクト層１６、及び、ｐ形コンタクト層１６上に配置さ
れるｎ＋形ＩｎＧａＮ逆方向トンネリング層２０から構
成される。
【０００９】サファイアは誘電体であるので、ＬＥＤの
スタック構造の一部がエッチングされなければならず、
ｎ＋形コンタクト層１２の一部が露出される。この次
に、ＬＥＤの露出された表面にＩＴＯ層が形成される。
その次に、フォトリソグラフィック処理を使用して、ｎ
＋形逆方向トンネリング層２０上にｐ形の透明オーミッ
ク電極１７が、ｎ＋形コンタクト層１２の露出された部
分の上にｎ形の透明オーミック電極１９がそれぞれ形成
される。
【００１０】本発明の良好な実施例では、ｎ＋形逆方向
トンネリング層２０は、約１．５×１０２０ｃｍ−３の
高いキャリア濃度と、約２０オングストロームの厚さを
有し、高い透明度を与える。逆方向トンネリング層２０
とコンタクト層１６との間のｐｎ接合、及び、クラッド
層１５とクラッド層１３との間のｐｎ接合は、トンネル
効果によって逆方向トンネリング層２０を電子がトンネ
リングすることを誘導するために反対のバイアス状態で
なければならない。例えば、逆方向トンネリング層２０
とコンタクト層１６との間のｐｎ接合が順方向バイアス
状態である場合は、クラッド層１５とクラッド層１３と
の間のｐｎ接合は、逆方向バイアス状態でなければなら
ない。或いは、逆方向トンネリング層２０とコンタクト
層１６との間のｐｎ接合が逆方向バイアス状態である場
合は、クラッド層１５とクラッド層１３との間のｐｎ接
合は、順方向バイアス状態でなければならない。
【００１１】更に、本発明の他の実施例では、ＩｎＧａ
Ｎ発光層１４の多重量子井戸構造は、単一量子井戸構造
によって置き換えられることも可能である。ＧａＮバッ
ファ層１１及び／又はｐ形コンタクト層１６は選択的
に、このＬＥＤ構造から取り除かれても良い。ｎ＋形Ｇ
ａＮ材料は、ｎ形ＧａＮ材料によって置き換えられるこ
とが可能である。
【００１２】従来技術と比較すると、本発明のＬＥＤの
ｐ形の透明オーミック電極１７及びｎ形の透明オーミッ
ク電極１９は、ＩＴＯ、ＣＴＯ、又は、ＴｉＷＮといっ
た同一の材料から形成される。従って、本発明では、Ｌ
ＥＤの製造手順は単純化され、製造費も効果的に少なく
なる。
【００１３】当業者は、本発明の主旨を維持しながら装
置の多数の変更及び変形を容易に気が付くであろう。従
って、上記の開示は、特許請求の範囲によってのみその
範囲が制限されるものと理解するべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の良好な実施例による絶縁基板を有する
ＬＥＤを示す図である。
【符号の説明】
１０ サファイア絶縁基板 １１ ＧａＮバッファ層 １２ ｎ＋形ＧａＮコンタクト層 １３ ｎ形ＡｌＧａＮクラッド層 １４ ＩｎＧａＮ発光層 １５ ｐ形ＡｌＧａＮクラッド層 １６ ｐ形ＧａＮコンタクト層 １７ ｐ形の透明オーミック電極 １９ ｎ形の透明オーミック電極 ２０ 逆方向トンネリング層
フロントページの続き (72)発明者 謝 明 勳 台灣新竹市科學工業園區園區二路48號 (72)発明者 ▲黄▼ 兆 年 台灣新竹市科學工業園區園區二路48號 Ｆターム(参考） 4M104 AA04 BB29 BB36 CC01 DD34 DD63 DD94 FF03 GG04 HH20 5F041 AA42 AA43 CA04 CA05 CA40 CA88 CA98 CA99

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁基板と、 上記絶縁基板上に配置され、第１の表面及び第２の表面
    を含む半導体からなる多層と、 上記第１の表面上に配置される第１の透明オーミック電
    極と、 上記第２の表面上に配置される第２の透明オーミック電
    極とを含み、 上記第１の表面と上記絶縁基板との間の距離は、上記第
    ２の表面と上記絶縁基板との間の距離より大きく、 上記第１の透明オーミック電極及び上記第２の透明オー
    ミック電極は、同一の材料を含む発光ダイオード。
  2. 【請求項２】 上記絶縁基板は、サファイアを含む請求
    項１記載の発光ダイオード。
  3. 【請求項３】 上記第１の透明オーミック電極及び上記
    第２の透明オーミック電極は、酸化インジウムスズ（Ｉ
    ＴＯ）、酸化カドミウムスズ（ＣＴＯ）、及び、窒化チ
    タンタングステン（ＴｉＷＮ）からなるグループから選
    択される少なくとも１つの化合物から形成される請求項
    １記載の発光ダイオード。
  4. 【請求項４】 絶縁基板と、 上記絶縁基板上に配置され、窒化ガリウム（ＧａＮ）系
    の化合物からなるｎ形又はｎ＋形のコンタクト層と、 上記コンタクト層上に配置される透明オーミック電極と
    を含み、 上記透明オーミック電極は、酸化インジウムスズ、酸化
    カドミウムスズ、及び、窒化チタンタングステンからな
    るグループから選択される少なくとも１つの化合物から
    形成される発光ダイオード。
  5. 【請求項５】 絶縁基板と、 上記絶縁基板上に配置されるバッファ層と、 上記バッファ層上に配置され、第１の表面及び第２の表
    面を含むｎ＋形コンタクト層と、 上記ｎ＋形コンタクト層の上記第１の表面上に配置され
    るｎ形のクラッド層と、 上記ｎ形のクラッド層上に配置される発光層と、 上記発光層上に配置されるｐ形クラッド層と、 上記ｐ形クラッド層上に配置されるｐ形コンタクト層
    と、 上記ｐ形コンタクト層上に配置されるｎ＋形の逆方向ト
    ンネリング層と、 上記ｎ＋形の逆方向トンネリング層上に配置されるｐ形
    の透明オーミック電極と、 上記ｎ＋形コンタクト層の上記第２の表面上に配置され
    るｎ形の透明オーミック電極とを含み、 上記ｐ形の透明オーミック電極及びｎ形の透明オーミッ
    ク電極は、同一の材料を含む発光ダイオード。
  6. 【請求項６】 上記絶縁基板は、サファイアを含む請求
    項５記載の発光ダイオード。
  7. 【請求項７】 上記ｐ形の透明オーミック電極及びｎ形
    の透明オーミック電極は、酸化インジウムスズ、酸化カ
    ドミウムスズ、及び、窒化チタンタングステンからなる
    グループから選択される少なくとも１つの化合物から形
    成される請求項５記載の発光ダイオード。
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Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006510234A (ja) * 2003-06-25 2006-03-23 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 窒化物半導体の発光素子及びその製造方法
JP2006156590A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード
JP2006253240A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系発光ダイオードおよび発光装置
JP2006261609A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置
JP2006261358A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Fujitsu Ltd 半導体発光素子
JP2006313773A (ja) * 2005-05-06 2006-11-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2006313888A (ja) * 2005-05-03 2006-11-16 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
WO2007094490A1 (ja) * 2006-02-16 2007-08-23 Sumitomo Chemical Company, Limited ３族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
CN100345314C (zh) * 2004-01-18 2007-10-24 泰谷光电科技股份有限公司 氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
WO2007136097A1 (ja) * 2006-05-23 2007-11-29 Meijo University 半導体発光素子
US7355210B2 (en) 2004-03-24 2008-04-08 Epistar Corporation High-efficiency light-emitting element
JP2008511154A (ja) * 2004-08-26 2008-04-10 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US7385226B2 (en) 2004-03-24 2008-06-10 Epistar Corporation Light-emitting device
JP2008526012A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
EP1953838A2 (en) 2007-02-01 2008-08-06 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
JP2008244161A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の電極形成方法
JP2008545266A (ja) * 2005-07-06 2008-12-11 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 窒化物半導体ｌｅｄ及びその製造方法
JP2009170655A (ja) * 2008-01-16 2009-07-30 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2010524226A (ja) * 2007-04-02 2010-07-15 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
US7947996B2 (en) 2006-06-28 2011-05-24 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
WO2011118629A1 (ja) 2010-03-23 2011-09-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US8076694B2 (en) 2005-05-02 2011-12-13 Nichia Corporation Nitride semiconductor element having a silicon substrate and a current passing region
JP2011254096A (ja) * 2011-08-05 2011-12-15 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系発光ダイオードおよび発光装置
JP2011258974A (ja) * 2011-08-12 2011-12-22 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置
KR101201597B1 (ko) * 2011-03-25 2012-11-14 주식회사 퀀텀디바이스 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2013179176A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物半導体チップの製造方法
WO2014148542A1 (ja) * 2013-03-21 2014-09-25 ウシオ電機株式会社 Ｌｅｄ素子
US9461202B2 (en) 2005-06-21 2016-10-04 Epistar Corporation High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof
WO2019130804A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2019522356A (ja) * 2016-05-20 2019-08-08 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光デバイスにおいて層を成長させるためにリモートプラズマ化学気相堆積およびスパッタリング堆積を使用するための方法
US10529895B2 (en) 2005-02-21 2020-01-07 Epistar Corporation Optoelectronic semiconductor device

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW546859B (en) * 2002-09-20 2003-08-11 Formosa Epitaxy Inc Structure and manufacturing method of GaN light emitting diode
US20050082575A1 (en) * 2002-10-29 2005-04-21 Lung-Chien Chen Structure and manufacturing method for GaN light emitting diodes
TW577184B (en) * 2002-12-26 2004-02-21 Epistar Corp Light emitting layer having voltage/resistance interdependent layer
US7358539B2 (en) * 2003-04-09 2008-04-15 Lumination Llc Flip-chip light emitting diode with indium-tin-oxide based reflecting contacts
DE102004031950A1 (de) * 2003-06-26 2005-02-10 Kyocera Corp. Halbleiter/Elektroden-Kontaktstruktur und eine solche verwendendes Halbleiterbauteil
KR101034055B1 (ko) * 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20080005314A (ko) * 2003-08-29 2008-01-10 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 방사선 방출 반도체 소자
TW200529464A (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Super Nova Optoelectronics Corp Gallium nitride based light-emitting diode structure and manufacturing method thereof
KR100486614B1 (ko) * 2004-03-05 2005-05-03 에피밸리 주식회사 낮은 접촉저항을 가지는 ⅲ-질화물반도체 발광소자
KR20050093319A (ko) * 2004-03-18 2005-09-23 삼성전기주식회사 발광효율이 개선된 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2006295104A (ja) 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
US7804100B2 (en) * 2005-03-14 2010-09-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Polarization-reversed III-nitride light emitting device
KR100878433B1 (ko) * 2005-05-18 2009-01-13 삼성전기주식회사 발광소자의 오믹컨택층 제조방법 및 이를 이용한발광소자의 제조방법
TW200717843A (en) * 2005-10-19 2007-05-01 Epistar Corp Light-emitting element with high-light-extracting-efficiency
US8405106B2 (en) 2006-10-17 2013-03-26 Epistar Corporation Light-emitting device
US9530940B2 (en) 2005-10-19 2016-12-27 Epistar Corporation Light-emitting device with high light extraction
US8928022B2 (en) 2006-10-17 2015-01-06 Epistar Corporation Light-emitting device
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
KR100755658B1 (ko) * 2006-03-09 2007-09-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
CN100514775C (zh) * 2006-09-20 2009-07-15 中国科学院半导体研究所 一种制作氮化镓基激光器管芯的方法
DE102006057747B4 (de) * 2006-09-27 2015-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterkörper und Halbleiterchip mit einem Halbleiterkörper
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
DE102007018307A1 (de) * 2007-01-26 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
DE102007035687A1 (de) * 2007-07-30 2009-02-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einem Schichtenstapel
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
JP2010003804A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Sharp Corp 窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法
TWI384650B (zh) * 2008-07-18 2013-02-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體晶片的製造方法
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
TWI399868B (zh) * 2009-01-17 2013-06-21 Semi Photonics Co Ltd 具有高反射率接觸電極之發光二極體的製造方法
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US20110291147A1 (en) 2010-05-25 2011-12-01 Yongjun Jeff Hu Ohmic contacts for semiconductor structures
US20120267658A1 (en) * 2011-04-20 2012-10-25 Invenlux Limited Large-area light-emitting device and method for fabricating the same
JP5598437B2 (ja) * 2011-07-12 2014-10-01 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
KR20130079873A (ko) * 2012-01-03 2013-07-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
TWI466343B (zh) * 2012-01-06 2014-12-21 Phostek Inc 發光二極體裝置
TWI750664B (zh) * 2020-05-19 2021-12-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體晶片

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3318698B2 (ja) 1994-09-30 2002-08-26 ローム株式会社 半導体発光素子
DE69637304T2 (de) * 1995-03-17 2008-08-07 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung bestehend aus einer III-V Nitridverbindung
US5900650A (en) * 1995-08-31 1999-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3444703B2 (ja) 1995-09-07 2003-09-08 三菱電機株式会社 半導体レーザ
US5889295A (en) * 1996-02-26 1999-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US6020602A (en) * 1996-09-10 2000-02-01 Kabushiki Kaisha Toshba GaN based optoelectronic device and method for manufacturing the same
US6121634A (en) * 1997-02-21 2000-09-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Nitride semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JPH114020A (ja) * 1997-04-15 1999-01-06 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光装置
US6078064A (en) * 1998-05-04 2000-06-20 Epistar Co. Indium gallium nitride light emitting diode

Cited By (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7691657B2 (en) 2003-06-25 2010-04-06 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device using nitride semiconductor and fabrication method of the same
JP2006510234A (ja) * 2003-06-25 2006-03-23 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 窒化物半導体の発光素子及びその製造方法
CN100345314C (zh) * 2004-01-18 2007-10-24 泰谷光电科技股份有限公司 氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
US7385226B2 (en) 2004-03-24 2008-06-10 Epistar Corporation Light-emitting device
US7355210B2 (en) 2004-03-24 2008-04-08 Epistar Corporation High-efficiency light-emitting element
JP2013058786A (ja) * 2004-08-26 2013-03-28 Lg Innotek Co Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2008511154A (ja) * 2004-08-26 2008-04-10 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US8053794B2 (en) 2004-08-26 2011-11-08 Lg Innotek Co., Ltd Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
JP2006156590A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード
JP2008526012A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US8030639B2 (en) 2004-12-23 2011-10-04 Lg Innotek Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
US10529895B2 (en) 2005-02-21 2020-01-07 Epistar Corporation Optoelectronic semiconductor device
JP2006253240A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系発光ダイオードおよび発光装置
JP2006261358A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Fujitsu Ltd 半導体発光素子
JP2006261609A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置
US8076694B2 (en) 2005-05-02 2011-12-13 Nichia Corporation Nitride semiconductor element having a silicon substrate and a current passing region
JP2006313888A (ja) * 2005-05-03 2006-11-16 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
JP2006313773A (ja) * 2005-05-06 2006-11-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置およびその製造方法
US9461202B2 (en) 2005-06-21 2016-10-04 Epistar Corporation High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof
US8089082B2 (en) 2005-07-06 2012-01-03 Lg Innotek Co., Ltd. Nitride semiconductor LED and fabrication method thereof
JP2008545266A (ja) * 2005-07-06 2008-12-11 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 窒化物半導体ｌｅｄ及びその製造方法
KR101286418B1 (ko) * 2006-02-16 2013-07-19 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 3족 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
GB2449595A (en) * 2006-02-16 2008-11-26 Sumitomo Chemical Co Group III nitride semiconductor light emitting device and process for producing the same
JP2007220865A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Sumitomo Chemical Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
WO2007094490A1 (ja) * 2006-02-16 2007-08-23 Sumitomo Chemical Company, Limited ３族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
GB2449595B (en) * 2006-02-16 2010-01-27 Sumitomo Chemical Co Group III nitride semiconductor light emitting device and method for producing the same
US8097891B2 (en) 2006-02-16 2012-01-17 Sumitomo Chemical Company, Limited Group III nitride semiconductor light emitting device and method for producing the same
JP4959693B2 (ja) * 2006-05-23 2012-06-27 学校法人 名城大学 半導体発光素子
US7985964B2 (en) 2006-05-23 2011-07-26 Meijo University Light-emitting semiconductor device
GB2453464A (en) * 2006-05-23 2009-04-08 Univ Meijo Semiconductor light emitting element
GB2453464B (en) * 2006-05-23 2011-08-31 Univ Meijo Light-emitting semiconductor device
WO2007136097A1 (ja) * 2006-05-23 2007-11-29 Meijo University 半導体発光素子
US7947996B2 (en) 2006-06-28 2011-05-24 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
USRE49406E1 (en) 2007-02-01 2023-01-31 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
USRE49298E1 (en) 2007-02-01 2022-11-15 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
US8120057B2 (en) 2007-02-01 2012-02-21 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
EP3454383A1 (en) 2007-02-01 2019-03-13 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
US7982236B2 (en) 2007-02-01 2011-07-19 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
EP1953838A2 (en) 2007-02-01 2008-08-06 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
EP4068398A1 (en) 2007-02-01 2022-10-05 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
EP3258506A1 (en) 2007-02-01 2017-12-20 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element
JP2008244161A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の電極形成方法
JP2010524226A (ja) * 2007-04-02 2010-07-15 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
JP2009170655A (ja) * 2008-01-16 2009-07-30 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
WO2011118629A1 (ja) 2010-03-23 2011-09-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
KR101201597B1 (ko) * 2011-03-25 2012-11-14 주식회사 퀀텀디바이스 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2011254096A (ja) * 2011-08-05 2011-12-15 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系発光ダイオードおよび発光装置
JP2011258974A (ja) * 2011-08-12 2011-12-22 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置
JP2013179176A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物半導体チップの製造方法
WO2014148542A1 (ja) * 2013-03-21 2014-09-25 ウシオ電機株式会社 Ｌｅｄ素子
JP2019522356A (ja) * 2016-05-20 2019-08-08 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光デバイスにおいて層を成長させるためにリモートプラズマ化学気相堆積およびスパッタリング堆積を使用するための方法
WO2019130804A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2019121654A (ja) * 2017-12-28 2019-07-22 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子
US11367807B2 (en) 2017-12-28 2022-06-21 Nikkiso Co., Ltd. Nitride semiconductor light-emitting element

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Publication number Publication date
US6936860B2 (en) 2005-08-30
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