JP7228176B2 - Iii族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Description
1.半導体発光素子
本実施形態の発光素子100の概略構成を図1に示す。発光素子100は、フリップチップ型の発光素子である。発光素子100の発光波長は10nm以上380nm以下である。発光素子100は、III 族窒化物半導体から成る複数の半導体層を有する。図1に示すように、発光素子100は、基板110と、バッファ層120と、n型半導体層130と、発光層140と、電子ブロック層150と、第1のp型コンタクト層160と、第2のp型コンタクト層170と、透明電極TE1と、分布ブラッグ反射膜DBR1と、p電極P1と、n電極N1と、を有している。
2-1.Al組成
図2は、p型半導体層における膜厚とAl組成との関係を示すグラフである。図2の横軸は、電子ブロック層150から第2のp型コンタクト層170にかけての膜厚である。図2の縦軸は、Al組成である。
図3は、p型半導体層における膜厚とMg濃度との関係を示すグラフである。図3の横軸は、電子ブロック層150から第2のp型コンタクト層170にかけての膜厚である。図3の縦軸は、Mg濃度である。
第2のp型コンタクト層170の膜厚は、第1のp型コンタクト層160の膜厚よりも薄い。第1のp型コンタクト層160の膜厚は、50nm以上200nm以下である。第2のp型コンタクト層170の膜厚は、5nm以上50nm以下である。好ましくは、10nm以上40nm以下である。より好ましくは、15nm以上35nm以下である。
図4は、AlGaN層について組成を傾斜させた場合の正味の分極電荷濃度を示すグラフである。図4の横軸は、膜厚方向の深さ(nm)である。図4の縦軸は、正味の分極電荷濃度(cm-3)である。なお、図4の縦軸の上側には、その膜厚におけるAl組成が記載されている。つまり、深さ0nmにおいてAl組成が0であり、深さ100nmにおいてAl組成が0.65であるAlGaN層(サンプル)についての理論計算結果である。なお、このAlGaN層(サンプル)には不純物はドープされていない。
ここで分極についての検討結果について説明する。分極正電荷濃度は次式を満たす。
N=x×5×1013/d
N:分極正電荷濃度(cm-3)
x:Al組成傾斜層におけるAl組成の差x(0≦x≦1)
d:Al組成傾斜層の膜厚(cm)
Al組成の差xは、Al組成傾斜層の第1面のAl組成とAl組成傾斜層の第2面のAl組成との差である。例えば、Al組成傾斜層の第1面のAl組成が0.2であり、第2面のAl組成が0であれば、Al組成の差xは0.2である。
5-1.正孔濃度の増加
本実施形態の発光素子100においては、p型コンタクト層を第1のp型コンタクト層160と第2のp型コンタクト層170との2層を有する。第1のp型コンタクト層160および第2のp型コンタクト層170においては、発光層140から遠ざかるにしたがってAl組成が減少する。これにより、正孔濃度が増加する(特許文献1の段落[0025]-[0028]および図4参照)。
そして、第2のp型コンタクト層170の膜厚を第1のp型コンタクト層160の膜厚より薄くする。また、第2のp型コンタクト層170における単位膜厚に対するAl組成の変化率は、第1のp型コンタクト層160における単位膜厚に対するAl組成の変化率よりも大きい。そのため、p型コンタクト層におけるn型化している領域(電子集中領域)を可能な限り薄くすることができる。すなわち、Al組成を単調減少させるAl組成傾斜層に起因する分極の影響を極力排除することができる。したがって、本実施形態の発光素子100においては、Al組成傾斜層に起因する電気抵抗の増加が抑制されている。
第2のp型コンタクト層170の接触面171の側では、Al組成は0以上0.2以下である。Al組成傾斜層であってAl組成が0以上0.2以下の領域では、格子緩和が生じる(非特許文献1の図5(a))。このように格子緩和が生じる領域に対して、Al組成が小さくなるほどMgのドーピング量を増やすことにより、より多くの正孔を発生させることができる。
第1のp型コンタクト層160および第2のp型コンタクト層170は、いずれもp型AlGaN層である。発光素子100は、GaN層を有さない。また、Al組成が低いAlGaN層の膜厚は十分に薄い。そのため、発光素子100の半導体層は、紫外線をそれほど吸収しない。
第2のp型コンタクト層170の接触面171におけるAl組成はほとんど0である。したがって、第2のp型コンタクト層170は、透明電極TE1と好適にオーミック接触する。
この製造方法は、基板の上にn型半導体層を形成する工程と、n型半導体層の上に発光層を形成する工程と、発光層の上にp型半導体層を形成する工程と、を有する。p型半導体層を形成する工程は、発光層の側から第1のp型コンタクト層を形成する工程と、第1のp型コンタクト層の上に第2のp型コンタクト層を形成する工程と、を有する。
まず、基板110を準備する。そして、例えば、MOCVD炉のチャンバーの内部のサセプターに基板110を配置する。
次に、基板温度を1000℃以上に加熱する。そして、水素ガスをチャンバーの内部に供給する。これにより、基板110の主面は洗浄されるとともに還元される。
次に、基板110の上にバッファ層120を形成する。バッファ層120として、例えば、低温AlN層、高温AlN層、AlGaN層のいずれかを形成する。または、これらの複数層を形成してもよい。そして、上記以外のIII-V 族化合物を形成してもよい。
次に、バッファ層120の上にn型半導体層130を形成する。このときの基板温度は、900℃以上1200℃以下の範囲内である。この工程で、n型コンタクト層を形成する。また、基板110から発光層140に向かうにつれてAl組成の異なる組成傾斜層を設けてもよい。
次に、n型半導体層130の上に発光層140を形成する。その際に、井戸層と障壁層とを交互に積層する。つまり、発光層形成工程は、複数の障壁層を形成する障壁層形成工程と、複数の井戸層を形成する井戸層形成工程と、を有する。基板温度は、900℃以上1200℃以下の範囲内である。
次に、発光層140の障壁層の上に電子ブロック層150を形成する。電子ブロック層150として、例えば、p型AlGaN層を形成する。基板温度は、900℃以上1200℃以下の範囲内である。
次に、電子ブロック層150の上に第1のp型コンタクト層160を形成する。第1のp型コンタクト層160としてp型AlGaN層を形成する。p型AlGaN層を形成する際に、上層にいくにしたがって、TMAの供給量を減少させる。つまり、第1のp型コンタクト層160におけるAl組成を発光層140から遠ざかるほど小さくする。TMAの供給量の減少にともなってTMGの供給量を増加させるとよい。
次に、第1のp型コンタクト層160の上に第2のp型コンタクト層170を形成する。第2のp型コンタクト層170としてp型AlGaN層を形成する。p型AlGaN層を形成する際に、上層にいくにしたがって、TMAの供給量を減少させる。つまり、第2のp型コンタクト層170におけるAl組成を発光層から遠ざかるほど小さくする。TMAの供給量の減少にともなってTMGの供給量を増加させるとよい。
次に、第2のp型コンタクト層170の上に透明電極TE1を形成する。その際、スパッタリング技術を用いてもよいし、蒸着技術を用いてもよい。
そして、レーザーもしくはエッチングにより、第2のp型コンタクト層170の側から半導体層の一部を抉ってn型半導体層130の一部を露出させる。そして、その露出箇所に、n電極N1を形成する。また、透明電極TE1の上にp電極P1を形成する。p電極P1の形成工程とn電極N1の形成工程は、いずれを先に行ってもよい。
また、上記の工程の他、分布ブラッグ反射膜を形成する工程、絶縁膜で素子を覆う工程や熱処理工程等、その他の工程を実施してもよい。以上により、図1の発光素子100が製造される。
7-1.実施例の構造
図5は、実施例における発光素子の積層構造を示す図である。図5に示すように、実施例における発光素子は、c面サファイア基板と、AlNバッファ層と、アンドープのAl0.99Ga0.01N層と、n型Alx Ga1-x N傾斜層と、n型Al0.6 Ga0.4 N層と、AlGaN発光層と、p型Al0.8 Ga0.2
N層と、第1のp型Alx Ga1-x N傾斜層と、第2のp型Alx Ga1-x N傾斜層と、を順に積層した構造体を有する。
図6は、比較例における発光素子の積層構造を示す図である。図6の比較例における発光素子と図5の実施例における発光素子とでは、p型コンタクト層のみが異なっている。比較例の発光素子のp型コンタクト層は、1層のみのp型GaN層である。
図7は、発光素子に流れる電流と光出力との関係を示すグラフである。図7の横軸は発光素子に流れる電流(mA)である。図7の縦軸は発光素子の光出力(a.u.)である。図7に示すように、50mA以下の電流値において、実施例の発光素子の光出力は、比較例の発光素子の光出力よりも大きい。
図5に示す実施例の構造体に波長の異なる光を照射し、その光の透過率を測定した。そのために、第2のp型Alx Ga1-x N傾斜層の膜厚を0nm、25nm、50nm、100nmのサンプルを作製した。ここで0nmとは、第2のp型Alx Ga1-x N傾斜層を成膜しなかったサンプルを示している。なお、第2のp型Alx Ga1-x N傾斜層の表面におけるAl組成は0である。ただし、第2のp型Alx Ga1-x N傾斜層の膜厚が0nmのサンプルの表面におけるAl組成は0.4である。
8-1.フェイスアップ型の発光素子
本実施形態の発光素子100はフリップチップ型の半導体発光素子である。しかし、フェイスアップ型の半導体発光素子に本明細書の技術を適用することも可能である。
n型半導体層の積層構造は、上記の実施形態以外の構造であってもよい。例えば、n型半導体層130は、ノンドープの半導体層を含んでもよい。また、Al組成傾斜層を含んでもよい。
p型半導体層の積層構造は、上記の実施形態以外の構造であってもよい。例えば、p型半導体層は、ノンドープの半導体層を含んでもよい。また、Al組成傾斜層を含んでもよい。
発光素子100は、分布ブラッグ反射膜DBR1およびp電極P1が発光層140からの光を光取り出し面の側に反射する。しかし、発光素子は、上記以外の反射層を有していてもよい。
上記の変形例を自由に組み合わせてもよい。
以上詳細に説明したように、本実施形態の発光素子100は、第1のp型コンタクト層160および第2のp型コンタクト層170を有する。第1のp型コンタクト層160および第2のp型コンタクト層170においては、発光層140から遠ざかるにしたがってAl組成が減少する。これにより、正孔濃度が増加する。第2のp型コンタクト層170の膜厚を第1のp型コンタクト層160の膜厚より薄くするとともに、第2のp型コンタクト層170の組成の変化率を急峻にしている。したがって、Al組成傾斜層に起因する分極の影響を極力排除することができる。
第1の態様におけるIII 族窒化物半導体発光素子は、基板と、基板の上のn型半導体層と、n型半導体層の上の発光層と、発光層の上のp型半導体層と、を有する。このIII 族窒化物半導体発光素子の発光波長は380nm以下である。p型半導体層は、第1のp型コンタクト層と第2のp型コンタクト層とを有する。第1のp型コンタクト層は、第2のp型コンタクト層と発光層との間の位置に配置されている。第1のp型コンタクト層は、p型AlGaN層である。第2のp型コンタクト層は、p型AlGaN層である。第1のp型コンタクト層におけるAl組成は、発光層から遠ざかるほど小さい。第2のp型コンタクト層におけるAl組成は、発光層から遠ざかるほど小さい。第2のp型コンタクト層におけるAl組成は、第1のp型コンタクト層におけるAl組成よりも小さい。第2のp型コンタクト層における単位膜厚に対するAl組成の変化率は、第1のp型コンタクト層における単位膜厚に対するAl組成の変化率よりも大きい。
110…基板
120…バッファ層
130…n型半導体層
140…発光層
150…電子ブロック層
160…第1のp型コンタクト層
170…第2のp型コンタクト層
171…接触面
TE1…透明電極
DBR1…分布ブラッグ反射膜
N1…n電極
P1…p電極
Claims (5)
- 基板と、前記基板の上のn型半導体層と、前記n型半導体層の上の発光層と、前記発光層の上のp型半導体層と、前記p型半導体層の上の透明電極と、を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、
発光波長は10nm以上380nm以下であり、
前記p型半導体層は、第1のp型コンタクト層と第2のp型コンタクト層とを有し、
前記第1のp型コンタクト層は、前記第2のp型コンタクト層と前記発光層との間の位置に配置されており、
前記第1のp型コンタクト層は、p型Alx1Ga1-x1N層で、Al組成x1は0.8以下0.4以上であり、
前記第2のp型コンタクト層は、p型Alx2Ga1-x2N層で、Al組成x2は0.4以下0以上であり、
前記第1のp型コンタクト層におけるAl組成x1は、前記発光層から前記第2のp型コンタクト層に向けて単調に減少し、
前記第2のp型コンタクト層におけるAl組成x2は、前記第1のp型コンタクト層との接合点におけるAl組成から前記透明電極に向けて単調に減少し、
前記第2のp型コンタクト層における単位膜厚に対するAl組成の変化率は、前記第1のp型コンタクト層における単位膜厚に対するAl組成の変化率よりも大きく、
前記第2のp型コンタクト層と前記透明電極との接触面における前記第2のp型コンタクト層のAl組成x2が、0以上0.01以下であり、
前記第2のp型コンタクト層におけるAl組成の傾斜によって生じた分極正電荷をその正電荷濃度と等量の濃度のMgの負イオンで補償した上で、さらに、所定濃度以上の正孔を生じさせるように、前記第2のp型コンタクト層におけるMgの添加濃度を前記正電荷濃度の2倍以上とした
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第1のp型コンタクト層におけるMgドープ量は、前記発光層から前記第2のp型コンタクト層に向けて単調に増加し、
前記第2のp型コンタクト層におけるMgドープ量は、前記第1のp型コンタクト層との接合点におけるMgドープ量から前記透明電極に向けて単調に増加し、
前記第2のp型コンタクト層における単位膜厚に対するMgドープ量の変化率は、前記第1のp型コンタクト層における単位膜厚に対するMgドープ量の変化率よりも大きい
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第2のp型コンタクト層の膜厚は、前記第1のp型コンタクト層の膜厚よりも薄いことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第2のp型コンタクト層の膜厚は、5nm以上50nm以下であることを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記第1のp型コンタクト層における前記Al組成x1の減少率及び前記第2のp型コンタクト層における前記Al組成x2の減少率は一定である
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
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JP6727385B1 (ja) * | 2019-08-20 | 2020-07-22 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
US11099393B2 (en) * | 2019-11-22 | 2021-08-24 | Facebook Technologies, Llc | Surface emitting light source with lateral variant refractive index profile |
CN211125682U (zh) * | 2019-12-23 | 2020-07-28 | 厦门三安光电有限公司 | 一种正装发光二极管芯片 |
US20210366703A1 (en) * | 2020-05-20 | 2021-11-25 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor element |
US20210375614A1 (en) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor element |
US11749964B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-09-05 | Meta Platforms Technologies, Llc | Monolithic light source with integrated optics based on nonlinear frequency conversion |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164922A (ja) | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2001203385A (ja) | 2000-01-17 | 2001-07-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード |
JP2002231999A (ja) | 2001-01-05 | 2002-08-16 | Lumileds Lighting Us Llc | Iii−窒化物発光デバイスにオーミックコンタクトを形成する方法 |
WO2005018008A1 (ja) | 2003-08-19 | 2005-02-24 | Nichia Corporation | 半導体素子 |
JP2012146847A (ja) | 2011-01-13 | 2012-08-02 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子および半導体光学装置 |
JP2013191848A (ja) | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Tsmc Solid State Lighting Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2014116580A (ja) | 2012-09-14 | 2014-06-26 | Palo Alto Research Center Inc | 短波長発光素子のためのp側層 |
US20150083994A1 (en) | 2013-09-23 | 2015-03-26 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Group III Nitride Heterostructure for Optoelectronic Device |
WO2017049053A1 (en) | 2015-09-17 | 2017-03-23 | Crystal Is, Inc. | Ultraviolet light-emitting devices incorporating two-dimensional hole gases |
JP2017517148A (ja) | 2014-05-27 | 2017-06-22 | ザ・シランナ・グループ・プロプライエタリー・リミテッドThe Silanna Group Pty Limited | 半導体構造と超格子とを用いた高度電子デバイス |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2874948B2 (ja) * | 1990-03-30 | 1999-03-24 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
JPH11274556A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US6153894A (en) * | 1998-11-12 | 2000-11-28 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Group-III nitride semiconductor light-emitting device |
JP2002374039A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-12-26 | Ricoh Co Ltd | 光送受信システムおよび光通信システム |
JP2008182069A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
CN102623599B (zh) * | 2012-04-25 | 2014-05-07 | 华灿光电股份有限公司 | 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管 |
JP6192378B2 (ja) | 2013-06-18 | 2017-09-06 | 学校法人 名城大学 | 窒化物半導体発光素子 |
JP6302254B2 (ja) * | 2014-01-15 | 2018-03-28 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ、及び、窒化物半導体素子の製造方法 |
CN106033788B (zh) * | 2015-03-17 | 2018-05-22 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种采用MOCVD技术制备370-380nm高亮度近紫外LED的方法 |
JP6860293B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2021-04-14 | 日機装株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
WO2018025805A1 (ja) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
WO2018052252A1 (ko) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지 |
CN107170864A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-09-15 | 华南师范大学 | 一种led外延片及其制备方法 |
-
2017
- 2017-11-10 JP JP2017217383A patent/JP7228176B2/ja active Active
-
2018
- 2018-11-07 CN CN201811317180.0A patent/CN109768139B/zh active Active
- 2018-11-08 US US16/184,821 patent/US10833223B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164922A (ja) | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2001203385A (ja) | 2000-01-17 | 2001-07-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード |
JP2002231999A (ja) | 2001-01-05 | 2002-08-16 | Lumileds Lighting Us Llc | Iii−窒化物発光デバイスにオーミックコンタクトを形成する方法 |
WO2005018008A1 (ja) | 2003-08-19 | 2005-02-24 | Nichia Corporation | 半導体素子 |
JP2012146847A (ja) | 2011-01-13 | 2012-08-02 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子および半導体光学装置 |
JP2013191848A (ja) | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Tsmc Solid State Lighting Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2014116580A (ja) | 2012-09-14 | 2014-06-26 | Palo Alto Research Center Inc | 短波長発光素子のためのp側層 |
US20150083994A1 (en) | 2013-09-23 | 2015-03-26 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Group III Nitride Heterostructure for Optoelectronic Device |
JP2017517148A (ja) | 2014-05-27 | 2017-06-22 | ザ・シランナ・グループ・プロプライエタリー・リミテッドThe Silanna Group Pty Limited | 半導体構造と超格子とを用いた高度電子デバイス |
WO2017049053A1 (en) | 2015-09-17 | 2017-03-23 | Crystal Is, Inc. | Ultraviolet light-emitting devices incorporating two-dimensional hole gases |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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