JP2005183930A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光ダイオードはシリコン支持基板(1)の上にバッファ層(2)を介して配置されたp型窒化物半導体層(3)、活性層(4)、n型窒化物半導体層(5)及び電流拡散層(6)を有する。電流分散層(6)は2次元電子ガス効果を得るためのヘテロ接合を含む複数の第1及び第2の層(9)、(10)の積層体からなる。2次元電子ガス効果を有する電流分散層(6)の横方向の抵抗が小さいので、電流の広がりが生じ、光取り出し効率が向上する。電流分散層(6)は第1の電極(7)をオーミックコンタクトさせる領域としても機能する。
【選択図】図1
Description
活性層で発生した光は、コンタクト層又は電流分散層の表面から取り出される。このため、光非透過性のパッド電極又はアノード電極はコンタクト層又は電流分散層の表面の一部のみに設けられる。従って、活性層で発生した光は、コンタクト層又は電流分散層におけるパッド電極又はアノード電極が設けられていない部分から取り出される。なお、コンタクト層又は電流分散層の表面に光透過性電極が配置され、この光透過性電極の上にパッド電極が配置されることがある。
また、光透透過性電極を設けると、電流分布の均一性は改善されるが、光透透過性電極の光透過率は70〜90%程度であるので、光透透過性電極において光の取り出し効率が10〜30%低下した。
また、前記特許文献1に従って、比較的厚い電流分散層を設けると、電流分散層における光吸収によって光の取り出し効率の低下を招く。
本発明の目的は発光効率の良い半導体発光素子を提供することである。
前記電流分散層の前記第1の層と前記第2の層との少なくとも一方に第2導電型決定用不純物が添加されていることが望ましい。
前記第2の化合物半導体層は、前記活性層よりも大きいバンドギャップを有し、且つ前記第1の層及び前記第2の層よりも大きい厚みを有していることが望ましい。前記第2の化合物半導体層が大きい厚みを有していると、前記第2の化合物半導体層がクラッド層として良好に機能し、キャリアのオーバーフローを良好に抑制することができる。これにより、活性層に対するキャリアの閉じ込め効率が向上し、発光効率が向上する。
前記電流分散層の前記第1の層は前記活性層よりも大きいバンドギャップを有し且つAl(アルミニウム)を含まない又は第1の割合で含む窒化物半導体から成り、前記第2の層は前記活性層よりも大きいバンドギャップを有し且つAlを前記第1の割合よりも大きい第2の割合で含んでいる窒化物半導体から成ることが望ましい。Al(アルミニウム)の含有率が互いに異なる2つの窒化物半導体間のヘテロ接合によって2次元キャリア層を良好に得ることができる。
前記電流分散層の前記第1の層は前記第2の化合物半導体層よりも薄いことが望ましい。前記第1の層の好ましい厚みは15nm〜5000nmである。
前記第1導電型はp型であり、前記第2導電型はn型であることが望ましい。前記電流分散層がn型の場合には、前記電流分散層に含まれているヘテロ接合に基づいて2次元電子ガスが生じる。電子は正孔よりも高い移動度(mobility)を有するので、半導体発光素子の応答特性を向上させることができる。
前記第1の電極は前記電流分散層の露出表面の一部に直接に接続されていることが望ましい。これにより、前記第1の電極を容易に形成することができる。
半導体発光素子は、更に、前記第1の化合物半導体層を支持するための導電性支持基板を備えていることが望ましい。これにより、半導体発光素子の機械的強度が向上する。また、前記第2の電極を前記導電性支持基板に接続することが可能になる。
前記半導体発光素子を、支持基板を用意する工程と、前記支持基板の上に第1導電型を有する第1の化合物半導体層と活性層と第2導電型を有する第2の化合物半導体層とを順次に気相成長法で形成する工程と、気相成長法によって、前記第2の化合物半導体層上に、第1の化合物半導体から成る第1の層と前記第1の化合物半導体と異なる第2の化合物半導体から成る第2の層とを交互に複数回繰返して形成して電流分散層を得る工程と、前記電流分散層に電気的に接続された第1の電極を形成する工程と、前記第1の化合物半導体に対して電気的に接続された第2の電極を形成する工程とを含む第1の方法によって製造することができる。
また、前記半導体発光素子を、半導体を成長させるための成長用基板を用意する工程と、気相成長法によって、前記成長用基板の上に第1の化合物半導体から成る第1の層と前記第1の化合物半導体と異なる第2の化合物半導体から成る第2の層とを交互に複数回繰り返して形成して電流分散層を得る工程と、前記電流拡散層の上に第1導電型を有する第1の化合物半導体層と活性層と第2導電型を有する第2の化合物半導体層とを順次に気相成長法で形成する工程と、支持基板を用意する工程と、前記第2の化合物半導体層の一方の主面と前記支持基板の一方の主面との内の少なくとも一方に金属又は合金から成る導電体層を形成する工程と、前記支持基板の一方の主面と前記第2の化合物半導体層の一方の主面とを前記導電体層を介して貼付ける工程と、前記貼付け工程の前又は後に前記成長用基板を除去する工程と、前記電流分散層に電気的に接続された第1の電極を形成する工程と、前記第2の化合物半導体層に対して電気的に接続された第2の電極を形成する工程とを含む第2の方法によって製造することができる。この第2の方法における電流分散層の第1の層は前記第1の方法における電流拡散層の第2の層と同様な機能を有する。この第2の方法における電流分散層の第2の層は前記第1の方法における電流分散層の第1の層と同様な機能を有する。この第2の方法における前記第1の化合物半導体層は前記第1の方法における前記第2の化合物半導体層と同様な機能を有する。この第2の方法における前記第2の化合物半導体層は前記第1の方法における前記第1の化合物半導体層と同様な機能を有する。この第2の方法によれば、電流分散層を第1及び第2の化合物半導体層と活性層との気相成長のバッファ層として機能させることができる。
(1) 電流分散層が第1及び第2の層の交互積層体から成り、多重ヘテロ接合構造を有する。ヘテロ接合の近傍に2次元キャリア層、即ち2次元電子ガス又は2次元ホールガスを生じる。このため、電流分散層の第1の層の横方向の抵抗、即ち電流分散層の一方の主面に対して平行な方向の抵抗が小さくなり、電流分散層において電流の横方向分散効果が生じ、活性層における電流分布の均一性が向上し、発光効率を高めることができる。
(2) 多重ヘテロ接合構造を有する電流分散層において従来と同一の電流分散機能を得る場合には、電流分散層の厚みを従来の電流分散層の厚みよりも薄くすることができる。電流分散層を薄くすれば、ここでの光吸収が小さくなり、光取り出し効率が向上し、且つここでの電力損失が低減する。
バッファ層2は、主としてシリコン支持基板1の結晶の面方位をこの上に形成する窒化物半導体から成る各層3〜6に良好に受け継がせるためのバッファ機能を有する。このバッファ機能を良好に発揮するために、バッファ層2は10nm以上の厚さを有していることが望ましい。但し、バッファ層2のクラックを防止するために、バッファ層2の厚みを500nm以下にするのが望ましい。
図1の単層構成のバッファ層の代りに、第1の層と第2の層とを複数回繰返してエピタキシャル成長させた多層構造バッファ領域とすることができる。この多層構造バッファ領域の第1の層は
化学式 AlxMyGa1-x-yN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)
とから選択された少なくとも1種の元素、
前記x及びyは、 0<x≦1、
0≦y<1、
x+y≦1
を満足する数値、
で示される材料から成ることが望ましい。即ち、上記化学式に従う多層構造バッファ領域の第1の層の好ましい材料は、例えばAlN(窒化アルミニウム)、又はAlGaN(窒化ガリウム アルミニウム)、又はAlInGaN(窒化ガリウム インジウム アルミニウム)、又はAlBGaN(窒化ガリウム ボロン アルミニウム)、又はAlInBGaN(窒化ガリウム ボロン インジウム アルミニウム)、又はAlInN(窒化 インジウム アルミニウム)、又はAlBN(窒化ボロン アルミニウム)、又はAlInBN(窒化ボロン インジウム アルミニウム)である。
また、多層構造バッファ領域の第2の層は、
化学式 AlaMbGa1-a-bN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)
とから選択された少なくとも1種の元素、
前記a及びbは、 0≦a≦1、
0≦b<1、
a+b≦1、
a<x
を満足する数値、
で示される材料から成ることが望ましい。
また、バッファ層2の上のp型窒化物半導体層3が比較的厚い場合にはバッファ層2を省くこともできる。
発光ダイオードの主半導体領域としての機能を有するp型窒化物半導体層3、活性層4及びn型窒化物半導体層5は、バッファ層2を介してシリコン基板1の上にエピタキシャル成長されているので、その結晶性は比較的良好である。
電流分散層6の第1の層9の好ましい材料は不純物を無視して次の化学式で示される。
AlaMbGa1-a-bN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)
とから選択された少なくとも1種の元素、
前記a及びbは、 0≦a<1、
0≦b1、
a+b≦1、
を満足する数値である。
換言すれば、電流分散層6の第1の層9の好ましい材料は、GaN(窒化ガリウム)、InN(窒化インジウム)、InGaN(窒化ガリウム インジウム)、BN(窒化ボロン)、BGaN(窒化ガリウム ボロン)、BInGaN(窒化ガリウム インジウム ボロン)、AlInN(窒化インジウム、アルミニウム)、AlGaN(窒化ガリウム アルミニウム)、AlInGaN(窒化ガリウム インジウム アルミニウム)、AlBN(窒化ボロン アルミニウム)、AlBGaN(窒化ガリウム ボロン アルミニウム)及びAlBInGaN(窒化ガリウム インジウム ボロン アルミニウム)等から選択される。
この実施例の第1の層9は上記化学式のa及びbが零のn型GaN(窒化ガリウム)から成り、エネルギーバンド図において活性層4よりも大きいバンドギャップを有し且つ25nmの厚さを有する。第1の層9の厚さは好ましくは15〜500nmから選択される。第1の層9の厚みが15nmよりも小さくなると、第1の層9に2次元電子ガスを生じさせる効果を十分に得ることができなくなる。また、第1の層9が500nmよりも厚くなると、ここでの光吸収が大きくなり、光取り出し効率が低下する。
化学式 AlxMyGa1-x-yN
ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)
とから選択された少なくとも1種の元素、
前記x及びyは、 0<x≦1、
0≦y<1、
x+y≦1
a<x
を満足する数値である。
換言すれば、電流分散層6の第2の層10の好ましい材料は、AlN(窒化アルミニウム)、AlInN(窒化インジウム、アルミニウム)、AlGaN(窒化ガリウム アルミニウム)、AlInGaN(窒化ガリウム インジウム アルミニウム)、AlBN(窒化ボロン アルミニウム)、AlBGaN(窒化ガリウム ボロン アルミニウム)及びAlBInGaN(窒化ガリウム インジウム ボロン アルミニウム)等から選択される。但し、この第2の層10は第1の層9に対してヘテロ接合を形成するために第1の層9と異なる材料で形成される。また、第2の層10は第1の層9に2次元キャリア層としての2次元電子ガス層を形成できる材料から成る。この実施例の第2の層10は上記化学式のx=1、y=0に相当するAlN(窒化アルミニウム)から成り、活性層4よりも大きいバンドギャップを有し且つ第1の層9よりも薄いと共に量子力学的トンネル効果を得ることができる5nmの厚さを有する。第2の層10の厚みは、好ましくは0.5〜5nmの値から選択される。第2の層10の厚みが0.5nmよりも小さくなると、2次元電子ガス層を良好に形成できなくなる。また、第2の層10の厚みが5nmよりも大きくなると、トンネル効果を得ることができなくなり、第2の層10の厚み方向の抵抗が大きくなる。
この実施例では、第1及び第2の層9、10にn型不純物が添加されている。しかし、第1及び第2の層9、10のいずれか一方のみにn型不純物を添加すること、又は第1及び第2の層9、10のいずれにもn型不純物を添加しないことができる。
前記特許文献2に示されているアノード電極と同様に電流分散層6の表面の外周側部分に付加的に細条電極を配置し、これを第1の電極7に電気的に接続することも可能である。この場合、電流分散層6の表面の面積に対する細条電極の表面の割合を前記特許文献2よりも小さくすることができる。また、第1の電極7に付加的に光透過性電極を電流分散層6の表面に設けることもできる。また、第1の電極7と電流分散層6との間にオーミック性を更に向上させるためのn型窒化物半導体から成るコンタクト層を設けることができる。
(1)n型の電流分散層6が第1及び第2の層9、10の複数の交互積層体であり、複数のヘテロ接合を含む。複数のヘテロ接合のそれぞれに界面に隣接して2次元キャリア層として2次元電子ガス層が生じる。このため、電流分散層6の横方向の抵抗が小さくなり、活性層4の第1の電極7に対向していない外周側領域に流れる電流が増大する。この結果、図3に示すように第1の電極7の外側の第1及び第2の位置P1、P2間と第3及び第4の位置P3、P4間とにおいてほぼ均一な光出力を得ることができる。これにより、前記特許文献2に記載されている細条電極を省くこと、又は細条電極の表面積を低減することができ、細条電極による光取り出しの妨害を無くすこと、又は低減することができ、光取り出し効率が向上する。また、従来の光透過性電極を有する発光ダイオードに比較して、本実施例の発光ダイオードは従来の光透過性電極における光吸収分だけ光取り出し効率を高くすることができる。
(2) 2次元電子ガス効果を有する電流分散層6を、従来の単一層の構造の電流分散層よりも薄くしても、従来の単一層構造の電流分散層と同等の電流分散効果即ち電流を横方向に広げる効果を得ることができる。従って、電流分散層6における光吸収及び電圧降下を従来の電流分散層よりも小さくすることができる。
(3) 電流分散層6はn型窒化物半導体層5よりも不純物濃度が大きいので、コンタクト層としての機能も有し、ここに第1の電極7を直接にオーミック接触させることができる。この電流分散層6はキャリアを多く含むので、第1の電極7の電流分散層6に対する接触抵抗を低減させることができる。
(4)電流分散層6は、p型バッファ層2、p型窒化物半導体層3、活性層4、及びn型窒化半導体層5の形成に引き続いて気相成長で形成されるので、製造工程がさほど複雑にならず、発光ダイオードの製造コストの上昇を抑えることができる。
図4の実施例2の発光ダイオードも2次元電子ガス効果を有する電流分散層6′を有するので、実施例1と同一の効果を有する。
まず、図6に示す例えばシリコンから成る成長用基板20を用意する。次に、この成長用基板20の上に電流分散層6、第1導電型の第1の化合物半導体層としてのn型窒化物半導体層5、活性層4、第2導電型の化合物半導体層としてのp型窒化物半導体層3及びバッファ層2を順次に周知のOMVPE法で形成する。図6の電流分散層6は第1及び第2の層10,9の複数の交互積層体からなる。
図6の各層の配列順は図1の各層の配列順と反対である。従って、図6の第1の化合物半導体層としてのn型窒化物半導体層5は図1の第2の化合物半導体層としてのn型窒化物半導体層5と同一の機能を有し、図6の第2の化合物半導体層としてのp型窒化物半導体層3は図1の第1の化合物半導体層としてのp型窒化物半導体層3と同一の機能を有し、図6の電流分散層6の第1の層10は図1の電流分散層6の第2の層10と同一の機能を有し、図6の電流分散層6の第2の層9は図1の電流分散層6の第1の層9と同一の機能を有する。
図6の第1及び第2の層10、9から成る多層構造の電流分散層6はこの上の層5、4、3、2のエピタキシャル成長のためのバッファ領域として機能し、上の層5、4、3、2の結晶性及び平坦性を向上させることができる。
次に、図7に示すp型シリコン支持基板1を用意し、このシリコン支持基板1の一方の主面にAu等の金属層を形成する。このシリコン支持基板1の一方の主面の金属層は後述の貼り合せ工程において必要になる貼り合せ可能な導電体層である。
次に、p型バッファ層2の金属層とシリコン支持基板1の金属層とを熱圧着等で貼り合せる。これにより、図7に示すようにp型バッファ層2とp型シリコン基板1とが金属層21を介して貼り合せたものが得られる。
この実施例4では、p型バッファ層2とp型シリコン支持基板1と両方に金属層を設けたが、この代わりにp型バッファ層2とp型シリコン支持基板1とのいずれか一方のみに金属層を設け、この金属層を介してp型バッファ層2とp型シリコン支持基板1とを貼り合せることもできる。また、p型バッファ層2の金属層とシリコン支持基板1の金属層とを合金層等の別の導電体層とすることもできる。
次に、図7のB−B線の上の成長用基板20を除去する。この実施例4では、p型バッファ層2とp型シリコン支持基板1と貼り合せた後に成長用基板20を除去しているが、この代わりにp型バッファ層2とp型シリコン支持基板1との貼り合せ前に成長用基板20を除去することもできる。
しかる後、図1の第1の電極7に相当するものを電流分散層6の表面上に形成し、シリコン支持基板1に第2の電極8に相当するものを接続して図1と実質的に同一の発光ダイオードを得る。
なお、図7のp型シリコン支持基板1の代わりにn型シリコン支持基板や金属板を使用することも勿論可能である。
(1) p型窒化物半導体層3とn型窒化物半導体層5とのいずれか一方又は両方を互いに材料の異なる窒化物半導体層の多層構造にすることができる。
(2) p型バッファ層2を互いに材料の異なる窒化物半導体層の多層構造にすることができる。
(3) 電流分散層6に2次元電子ガスの効果を高めるための第3の層を付加することができる。
(4)p型バッファ層2、p型窒化物半導体層3、活性層4、及びn型窒化半導体層5、及び電流分散層6を、窒素以外の5族の元素例えばP(リン)と3族の元素との化合物半導体で形成することができる。
(5) 実施例1〜5において、各層の導電型を反対の導電型にすることができる。電流分散層6がp型の場合は、ヘテロ接合に基づいて2次元ホールガスが生じる。
2 p型バッファ層
3 p型窒化物半導体層
4 活性層
5 n型窒化物半導体層
6 n型電流分散層
7 第1の電極
8 第2の電極
9 第1の層
10 第2の層
Claims (11)
- 第1導電型を有する第1の化合物半導体層と、
前記第1の化合物半導体層の上に配置された化合物半導体から成る活性層と、
前記活性層の上に配置され且つ光透過性を有し且つ前記第1導電型と反対の第2導電型を有している第2の化合物半導体層と、
前記第2の化合物半導体層上に配置され且つ光透過性を有しており、且つ第1の化合物半導体から成る第1の層と前記第1の化合物半導体と異なる第2の化合物半導体から成る第2の層とが交互に複数回繰り返して配置された積層体から成る電流分散層と、
前記活性層から放射された光を前記電流分散層の表面側から取り出すことを許す状態に前記電流分散層に電気的に接続された第1の電極と、
前記第1の化合物半導体層に対して電気的に接続された第2の電極と
を備えていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1の層の前記第1の化合物半導体は前記第1の層と前記第2の層との間のヘテロ接合に基づいて前記第1の層に2次元キャリア層を生じさせることができる材料であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記電流分散層の前記第1の層と前記第2の層との少なくとも一方に第2導電型決定用不純物が添加されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第2の化合物半導体層は、前記活性層よりも大きいバンドギャップを有し、且つ前記第1の層及び前記第2の層よりも大きい厚みを有していることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第1の層は前記活性層よりも大きいバンドギャップを有し且つAlを含まない又は第1の割合で含む第2の導電型窒化物半導体から成り、前記第2の層は前記活性層よりも大きいバンドギャップを有し且つAlを前記第1の割合よりも大きい第2の割合で含んでいる第2導電型窒化物半導体から成ることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第1の層は前記第2の化合物半導体層よりも薄いことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第1導電型はp型であり、前記第2導電型はn型であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第1の電極が前記電流分散層の露出表面の一部に直接に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 更に、前記第1の化合物半導体層を支持するための導電性支持基板を備え、前記第2の電極は前記導電性支持基板に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 支持基板を用意する工程と、
前記支持基板の上に第1導電型を有する第1の化合物半導体層と活性層と第2導電型を有する第2の化合物半導体層とを順次に気相成長法で形成する工程と、
気相成長法によって、前記第2の化合物半導体層上に、第1の化合物半導体から成る第1の層と前記第1の化合物半導体と異なる第2の化合物半導体から成る第2の層とを交互に複数回繰返して形成して電流分散層を得る工程と、
前記電流分散層に電気的に接続された第1の電極を形成する工程と、
前記第1の化合物半導体に対して電気的に接続された第2の電極を形成する工程と
から成る半導体発光素子の製造方法。 - 半導体を成長させるための成長用基板を用意する工程と、
気相成長法によって、前記成長用基板の上に第1の化合物半導体から成る第1の層と前記第1の化合物半導体と異なる第2の化合物半導体から成る第2の層とを交互に複数回繰り返して形成して電流分散層を得る工程と、
前記電流分散層の上に第1導電型を有する第1の化合物半導体層と活性層と第2導電型を有する第2の化合物半導体層とを順次に気相成長法で形成する工程と、
支持基板を用意する工程と、
前記第2の化合物半導体層の一方の主面と前記支持基板の一方の主面との内の少なくとも一方に金属又は合金から成る導電体層を形成する工程と、
前記支持基板の一方の主面と前記第2の化合物半導体層の一方の主面とを前記導電体層を介して貼付ける工程と、
前記貼付け工程の前又は後に前記成長用基板を除去する工程と、
前記電流分散層に電気的に接続された第1の電極を形成する工程と、
前記第2の化合物半導体層に対して電気的に接続された第2の電極を形成する工程と
から成る半導体発光素子の製造方法。
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