CN1812146A - 高光提取效率led电极及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于光电子器件领域。传统结构光提取效率低，热可靠性差，绝缘层一次生长完成，易造成PN结漏电。结构包括：P电极加厚电极(1)，高反镜保护层(2)，金属高反镜(3)，N电极(4)，N型半导体(5)，多量子阱有源区MQW(6)，P型半导体(7)，P电极欧姆接触层(8)，N电极加厚电极(9)，衬底(10)；由P型半导体，多量子阱有源区MQW，N型半导体构成LED台；其特征在于：LED台侧壁上有透明绝缘层(11)；台上表面小于下表面面积；LED台侧壁与竖直面成锐角；金属高反镜覆盖在P电极欧姆接触层上，并延展覆盖在透明绝缘层上，但不与N电极接触；金属高反镜、透明绝缘层和LED台三者折射率大小排列为高低高。本发明解决了LED侧面出光，不能有效提取器件所发出的光问题，防止PN结氧化。
Description
技术领域：
本发明属于光电子器件制造技术领域，具体有关于半导体发光二极管(LED)的电极构造。
背景技术：
半导体发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的是一种以半导体将电能转变成光能的光电子器件。具有体积小，寿命长，光电转换效率高，无污染，节能等特性，能够适应各种应用设备的轻薄小型化的要求，广泛应用于各种交通标志，LCD背光光源，打印，大屏幕显示，通信，照明等方面。
构成发光二极管的材料主要有各种化合物半导体材料如III-V族材料、II-VI族材料等。可以发出不同颜色的光，如紫，蓝，绿，黄和红。
公知的LED的构造如图1、图2和图3图4。
传统LED结构中，不加反射镜的LED有六个面可以出光。其中只有一个出光面可以被利用。如果不对其他几个出光面加以利用，那么大部分光都损失掉。传统结构普通电极LED所带高反镜的一般为平面板式，只在一个平面上对光进行反射，这样相当于有两个出光面的光线被利用。其缺点是还有两个出光面没有被利用，很多光从LED台的侧面逸出。这些从侧面逸出的光，只有一部分被封装的反射杯反射，大部分光损失掉。于是又出现一种传统倒金字塔结构普通电极LED如图5。这种传统金字塔结构普通电极的LED光提效率比传统结构普通电极LED高10％-20％。但这种传统倒金字塔结构普通电极LED侧面没有高反镜。这种LED的好处是LED台的侧面与竖直面成这一定的角度，一般为器件发出光的临界角。这样射向侧面的光线也被利用。但这种结构也存在很多问题，如这种倒金字塔结构制备起来很难，需要用腐蚀液钻蚀的办法才能实现。而且传统倒金字塔结构普通电极LED台的侧面与竖直面所成的角度很难准确地做成为光的临界角，这样很多光线依然没有被利用上。即使其角度做成为光的临界角，可是LED发出的光为各种同性，什么方向都有，依然有很多光得不到满意地利用。如果光线不能从我们所要利用的出光面射出来，那么这些光就会经过多次反射和吸收形成大量的热，造成光提取效率低，热可靠性差。传统制备绝缘层过程中，绝缘层都是一次生长完成，如果以传统方法来制备透明绝缘层11很容易造成PN结漏电现象。
发明内容：
本发明所要解决的问题是在LED侧面加上高反镜来解决传统LED侧面出光，不能有效提取器件所发出的光的问题，同时对LED侧面PN结进行保护，防止氧化，增加器件的可靠性。
高光提取效率LED电极，其结构至少包括：P电极加厚电极1，高反镜保护层2，金属高反镜3，N电极4，N型半导体5，多量子阱有源区MQW6，P型半导体7，P电极欧姆接触层8，N电极加厚电极9，衬底10；由P型半导体7，多量子阱有源区MQW6，N型半导体5自上而下构成LED的台；P电极欧姆接触层8位于LED台顶部的P型半导体7表面上；N电极4位于LED台底部的N型半导体5之上，与LED台的侧壁不相接触；其特征在于：在LED台的侧壁上有一透明绝缘层11；台上表面面积小于下表面面积；LED台的侧壁与竖直平面成锐角角度；金属高反镜3覆盖在P电极欧姆接触层8上，并延展覆盖在透明绝缘层11之上，包围LED台的顶部和侧壁，但不与N电极4接触；金属高反镜3、透明绝缘层11和LED台三者之间折射率大小排列为高低高。
透明绝缘层11的折射率小于金属高反镜3，同时也比N型半导体5、多量子阱有源区6、P型半导体7的折射率都要小。透明绝缘层11厚度可以是器件发出光的四分之一光学波长，也可以是非四分之一光学波长，最佳为四分之一的光学波长。
而且金属高反镜3、透明绝缘层11和LED台三者之间折射率关系构成高低高的结构，使光线相干叠加，从而有利于提高各种光的反射效率。LED台的侧壁与竖直平面成锐角角度，该角度的方向能使器件射向侧面的光线经金属高反镜3反射后从出光面射出。有了金属高反镜3后，即使LED的侧面与竖直面所成的角度不是器件所发光线的临界角，射向侧面的光线也能被很好地反射到出光面。同时透明绝缘层11可以对裸露的PN结进行保护，防止氧化退化提高器件可靠性。出光面为衬底10。
高光提取效率LED电极的制备方法，其制备方法包括：
1)在一块生长好LED结构晶圆上，用普通光刻法在晶圆上用光刻胶掩膜出LED的台结构图型，然后用离子刻蚀系统ICP刻出LED台；刻出LED台后剥离去掉光刻胶；
2)样品用王水清洗后，用普通光刻法掩膜，用溅射或蒸发的方法在LED台顶部的P半导体7上镀一层P电极欧姆接触层8；
3)对P电极欧姆接触层8进行合金；
4)利用普通光刻法对P电极欧姆接触层8和LED台的侧壁进行胶保护，用溅射金属或蒸发金属的方法在LED台的底部N型半导体5上沉积N电极4；N电极4不与LED台的侧壁相接触；剥离光刻胶；
5)利用普通光刻法遮挡，然后用溅射或蒸发的方法在P电极欧姆层8和LED台的侧壁沉积一层金属高反镜3，金属高反镜3覆盖P电极欧姆层8的表面以及由P型半导体7、多量子阱有源区6、N型半导体5构成的LED台的侧壁；
6)在金属高反镜3上用溅射金属或蒸发金属的方法镀一层金属形成高反镜保护层2；或是用薄膜生长的方法生长一层绝缘层，再用光刻腐蚀方法，形成高反镜保护层2；
7)在P电极欧姆接触层8的区域上方及N电极4上同时镀上金属，形成P电极加厚电极1和N电极加厚电极9；
8)解理，把两个器件间相连的N型半导体5和衬底10用激光划开得到如图5所示的LED的台；
其特征在于：在步骤1)刻出LED台之后，在步骤2)制备P电极欧姆接触层8之前，在LED台的侧壁上先制备一层透明绝缘层11；透明绝缘层11是用二步生长法进行：第一次在LED台的侧壁生长透明绝缘层后，用去离子水超声，露出透明绝缘层的针孔和空洞，然后在第一次生长的透明绝缘层表面再生长一层透明绝缘层，填补先前生长的透明绝缘层表面的针孔和空洞，形成透明绝缘层11。
由于二次生长法去掉透明绝缘层11中的针孔和空洞，这样金属层覆盖在其上面时不会产生漏电现象，而由传统方法一次性生长出的绝缘层很容易产生漏电现象。由于透明绝缘层11生长的温度不高于LED的P型掺杂剂激活温度，所以分二步生长透明绝缘层11不会对器件可靠性产生不利影响。
附图说明
图1为传统结构普通电极LED的剖面图
P电极加厚电极1，高反镜保护层2，金属高反镜3，N电极4，N型半导体5，有源区多量子阱(MQW)6，P型半导体7，P电极欧姆接触层8，N电极加厚电极9，衬底10；
图2为传统结构普通电极LED的俯视图
P电极加厚电极1，高反镜保护层2，N型半导体5，N电极加厚电极9
图3为倒金字塔结构普通电极LED的剖面图
P电极加厚电极1，N电极4，N型半导体5，有源区多量子阱(MQW)6，P型半导体7，P电极欧姆接触层8，N电极加厚电极9，衬底10
图4为倒金字塔结构普通电极LED的俯视图
P电极加厚电极1，高反镜保护层2，N型半导体5，N电极加厚电极9
图5为本发明电极结构LED的剖面图
P电极加厚电极4，高反镜保护层2，金属高反镜3，N电极4，N型半导体5，有源区多量子阱(MQW)6，P型半导体7，P电极欧姆接触层8，N电极加厚电极9，衬底10，透明绝缘层11
图6为本发明电极结构LED的俯视图
P电极加厚电极1，高反镜保护层2，N型半导体5，N电极加厚电极9，透明绝缘层11
具体实施方式
如图5所示，本发明电极结构实施如下：
1、加厚电极1和9的金属为Ti/Au膜系组合，也可是其他金属组合如Ti/Al/Ti/Au。Ti膜作为N电极4和Au膜的连接层，厚度为100-400，较佳厚度为200。Au膜的厚度为3000-10000。Al膜的厚度为为2000-5000。
2、金属高反镜3覆盖在P电极欧姆层8表面与LED台的侧壁的透明绝缘层11上。金属高反镜3在侧壁上的厚度为1500-5000。金属高反镜可以是Al镜或是Ag镜。
3、在金属高反镜3的外部的高反镜保护层2可以是不活泼金属Au，也可以是其他不活泼金属。或者为绝缘层SiO2，SiNx等。高反镜保护层2在LED侧壁上的厚度范围为1000-5000。高反镜保护层2如果是绝缘体膜，在金属高反镜3与加厚电极1之间的接触区域没有绝缘体层，金属高反镜3与P电极加厚电极1直接接触。
4、N电极4为Ti/Al金属膜系组合。Ti膜作为N型半导体5与Al膜的连接层，厚度为100-400。Al膜的厚度为2000-5000。N电极4与LED台的侧壁相距10-30μm。
5、P电极欧姆接触层8可以是金属Ni/Au，也可以是其他金属组合或者为透明导电膜如铟锡氧化物ITO膜等。Ni/Au金属或其他金属组合构成的P电极欧姆接触层8的总厚度为50-200；透明导电膜厚度为1000-4000。
6、衬底10可以是蓝宝石，砷化镓，硅，或是碳化硅。
7、N型半导体5是N型GaN，P型半导体7是P型GaN。
8、透明绝缘层11可以是SiO2，也可以是SiNx等。透明绝缘层11在LED侧壁上的厚度范围为200-5000，最佳厚度为LED器件所发光波长的光学厚度的四分之一。透明绝缘层11仅覆盖P型半导体7的边缘部分，范围为4-10μm。
实施例1：
如图5所示，本发明LED电极制备步骤如下：
1)在一块生长好LED结构晶圆上，先用卡尔休斯(Karl Suss)光刻机，普通光刻法在晶圆上用光刻胶掩膜出300μm×300μm面积的LED的台结构图型。光刻胶厚4μm。然后用ICP等离子刻蚀系统刻出LED的台来。台高从P-GaN到N-GaN共700nm左右。刻出台后用丙酮超声剥离去掉光刻胶。台的侧面与竖直面自然形成20度角度。
2)用离子增强化学气相沉积PECVD薄膜沉积技术在LED台的侧壁上300度分二步生长80nm(蓝光460的四分之一光学波长厚度)的SiO2(460nm光处，折射率为1.46)。先生长40nm SiO2后，把样品用水超声2分钟。然后再生长40nm。最后用普通光刻腐蚀法去掉LED台的侧面以外的SiO2。得到透明绝缘层11。
3)样品用王水清洗5分钟后，用Denton Explorer-14溅射台溅射的方法，每秒2的速率，在LED台顶部的P半导体层7上镀一层50的Ni膜和50的Au膜用作欧姆接触层8，用丙酮超声剥离光刻胶。
4)把样品在快速退火炉中合金，得到P电极欧姆接触层8。合金条件为500度1分钟，N2∶O2＝2L∶0.5L。
5)利用普通光刻法对P电极区和LED台的侧面进行胶保护，用DentonExplorer-14溅射台溅射的方法，在LED台的底部的N型半导体5上溅射Ti/Al金属膜用为N电极4。N电极与LED台的侧壁相距20μm。Ti膜的厚度200，溅射速率为每秒2；Al膜的厚度为2000，溅射速率为每秒3。
6)利用普通光刻法对N电极遮挡，然后用Denton Explorer-14溅射的方法在P电极欧姆接触层8和LED台的侧面沉积一层5000的Ag金属，得到金属高反镜3。
7)用Denton Explorer-14溅射的方法在金属高反镜3上沉积Ti/Au金属层，高反镜金属保护层2。Ti的厚度为200，Au的厚度为3000。金属高反镜3与高反镜保护层2与N电极保持10μm的距离。Ti的溅射速率为每秒2，Au的溅射速率为每秒4。
8)在P电极区，同时在高反镜保护层2上和N电极4上溅射200/5000的Ti/Au加厚金属电极，同时得到P电极加厚电极1和N电极加厚电极9。Ti的溅射速率为每秒2，Au的溅射速率为每秒4。
9)解理。用激光划开两个器件间N型半导体5和衬底10相连的部分，得到如图5所示的LED。
用杭州远方PMS-50(PLUS)UV光功率仪器对两种结构的LED封装后测试，本发明结构的LED光总辐射功率为4.77mW，传统结构的LED光总辐射功率为3.95mW。本发明结构的LED比相同设备制备的传统倒金字塔结构普通电极LED光功率高20.7％。两种LED测试条件同为20mA恒流下测得。
实施例2：
如图5所示，本发明LED电极制备步骤如下：
1)在一块生长好LED结构晶圆上，先用卡尔休斯(Karl Suss)光刻机，普通光刻法在晶圆上用光刻胶掩膜出300μm×300μm面积的LED的台结构图型。光刻胶厚3μm。然后用ICP等离子刻蚀系统刻出LED的台来。台高从P-GaN到N-GaN共700nm左右。刻出台后用丙酮超声剥离去掉光刻胶。台的侧面与竖直面自然形成18度左右的角度。
2)用离子增强化学气相沉积PECVD薄膜沉积技术在LED台的侧壁上300度分二步生长57.5nm(蓝光460的四分之一光学波长厚度)的SiNx(460nm处，SiNx折射率约为2)。先生长30nmSiNx后，把样品用水超声2分钟。然后再生长27.5nm。得到透明绝缘层11。
3)样品用王水清洗5分钟后，用Denton Explorer-14溅射台溅射的方法，每秒2的速率，在LED台顶部的P半导体层7上镀一层20的Ni膜和60的Au膜用作欧姆接触层8，用丙酮超声剥离光刻胶。
4)把样品在快速退火炉中合金，得到P电极欧姆接触层8。合金条件为500度1分钟，N2∶O2＝2L∶0.5L。
5)利用普通光刻法对P电极区和LED台的侧面进行胶保护，用DentonExplorer-14溅射台溅射的方法，在LED台的底部的N型半导体5上溅射Ti/Al金属膜用为N电极4。N电极与LED台的侧壁相距10μm。Ti膜的厚度200，溅射速率为每秒2；Al膜的厚度为5000，溅射速率为每秒3。
6)利用普通光刻法对N电极遮挡，然后用Denton Explorer-14溅射的方法在P电极欧姆接触层8和LED台的侧面沉积一层1500的Al金属，得到金属高反镜3。
7)利用离子增强化学气相沉积PECVD在金属高反镜3上低温120度生长4000SiO2薄膜，用光刻腐蚀方法去掉金属高反镜3以外的所有SiO2，并用样方法去掉在金属高反镜3正上方的SiO2，留出一个通孔，以便金属高反镜3与P电极加厚电极1接触。这样得到高反镜保护层2。
8)在P电极欧姆接触层正上方区域的高反镜保护层2上和N电极4上溅射200/10000的Ti/Au加厚金属电极，同时得到P电极加厚电极1和N电极加厚电极9。Ti的溅射速率为每秒2，Au的溅射速率为每秒4。
9)解理。用激光划开两个器件间N型半导体5和衬底10相连的部分，得到如图5所示的LED。
用杭州远方PMS-50(PLUS)UV光功率仪器对两种结构的LED封装后测试，本发明结构的LED光总辐射功率为4.65mW，传统结构的LED光总辐射功率为3.93mW。本发明结构的LED比相同设备制备的传统倒金字塔结构普通电极LED光功率高18.3％。两种LED测试条件同为20mA恒流下测得。
实施例3：
如图5所示，本发明LED电极制备步骤如下：
1)在一块生长好LED结构晶圆上，先用卡尔休斯(Karl Suss)光刻机，普通光刻法在晶圆上用光刻胶掩膜出300μm×300μm面积的LED的台结构图型。光刻胶厚5μm。然后用ICP等离子刻蚀系统刻出LED的台来。台高从P-GaN到N-GaN共700nm左右。刻出台后用丙酮超声剥离去掉光刻胶。台的侧面与竖直面自然形成30度角度。
2)用离子增强化学气相沉积PECVD薄膜沉积技术在LED台的侧壁上300度分两步生长262nm(绿光510的四分之三光学波长厚度)的SiO2(510nm处SiO2折射率为1.47)。先生长132nm SiO2后，把样品用水超声2分钟。然后再生长130nm。最后用普通光刻腐蚀法去掉LED台的侧面以外的SiO2。得到绝缘层11。
3)样品用王水清洗5分钟后，用Denton Discovery 550蒸发台蒸发的方法，每秒2的速率，在LED台顶部的P型半导体7表面350度蒸发ITO膜，膜厚度为2000。
4)把样品在快速退火炉中合金，得到P电极欧姆接触层8。合金条件为500度1分钟，N2∶O2＝2L∶0.5L。
5)利用普通光刻法对P电极区和LED台的侧面进行胶保护，用DentonDiscovery 550蒸发台蒸发的方法，在LED台的底部的N型半导体5上蒸发Ti/Al金属膜用为N电极4。N电极与LED台的侧壁相距15μm。Ti膜的厚度150，蒸发速率为每秒2；Al膜的厚度为3000，蒸发速率为每秒3。
6)利用普通光刻法对N电极遮挡，然后用Denton Discovery 550蒸发台蒸发的方法在P电极欧姆接触层8和透明绝缘层沉积11上蒸发一层2000的Ag金属，得到金属高反镜3。
7)用Denton Discovery 550蒸发台蒸发的方法在金属高反镜3上沉积Ti/Au金属层，得到高反镜金属保护层2。Ti的厚度为200，Au的厚度为4000。金属高反镜3与高反镜保护层2与N电极保持20μm的距离。Ti的蒸发速率为每秒2，Au的蒸发速率为每秒4。
8)在P电极区，同时在高反镜保护层2上和N电极4上蒸发200/2000/300/7000的Ti/Al/Ti/Au加厚金属电极，同时得到P电极加厚电极1和N电极加厚电极9。Ti的蒸发速率为每秒2，Au的蒸发速率为每秒4。
9)解理。用激光划开两个器件间N型半导体5和衬底10相连的部分，得到如图5所示的LED。
用杭州远方PMS-50(PLUS)UV光功率仪器对两种结构的LED封装后测试，本发明结构的LED光总辐射功率为3.04mW，传统结构的LED光总辐射功率为2.45mW。本发明结构的LED比相同设备制备的传统倒金字塔结构普通电极LED光功率高24％。两种LED测试条件同为20mA恒流下测得。
实施例4：
如图5所示，本发明LED电极制备步骤如下：
1)在一块生长好LED结构晶圆上，先用卡尔休斯(Karl Suss)光刻机，普通光刻法在晶圆上用光刻胶掩膜出300μm×300μm面积的LED的台结构图型。光刻胶厚4μm。然后用ICP等离子刻蚀系统刻出LED的台来。LED台高从P-GaN到N-GaN共700nm左右。刻出台后用丙酮超声剥离去掉光刻胶。台的侧面与竖直面自然形成20度角度。
2)用离子增强化学气相沉积PECVD薄膜沉积技术在LED台的侧壁上300度分二步生长240nm(蓝光460的四分之三光学波长厚度)的SiO2(460nm光处，折射率为1.46)。先生长120nm SiO2后，把样品用水超声2分钟。然后再生长120nm。最后用普通光刻腐蚀法去掉LED台的侧面以外的SiO2。得到透明绝缘层11。
3)样品用王水清洗5分钟后，用Denton Explorer-14溅射台溅射的方法，每秒2的速率，在LED台顶部的P半导体层7上镀一层20的Ni，50的Pt和50的Au膜用作欧姆接触层8，用丙酮超声剥离光刻胶。
4)把样品在快速退火炉中合金，得到P电极欧姆接触层8。合金条件为500度3分钟，N2∶O2＝2L∶0.5L。
5)利用普通光刻法对P电极区和LED台的侧面进行胶保护，用DentonExplorer-14溅射台溅射的方法，在LED台的底部的N型半导体5上溅射Ti/Al金属膜用为N电极4。N电极与LED台的侧壁相距20μm。Ti膜的厚度200，溅射速率为每秒2；Al膜的厚度为3500，溅射速率为每秒3。
6)利用普通光刻法对N电极遮挡，然后用Denton Explorer-14溅射的方法在P电极欧姆接触层8和LED台的侧面沉积一层5000的Al金属，得到金属高反镜3。
7)用Denton Explorer-14溅射的方法在金属高反镜3上沉积Ti/Au金属层，高反镜金属保护层2。Ti的厚度为200，Au的厚度为3000。金属高反镜3与高反镜保护层2与N电极保持10μm的距离。Ti的溅射速率为每秒2，Au的溅射速率为每秒4。
8)在P电极区，同时在高反镜保护层2上和N电极4上溅射200/5000/300/3000的Ti/Al/Ti/Au加厚金属电极，同时得到P电极加厚电极1和N电极加厚电极9。Ti的溅射速率为每秒2，Al的溅射速率为每秒3，Au的溅射速率为每秒4。
9)解理。用激光划开两个器件间N型半导体5和衬底10相连的部分，得到如图5所示的LED。
用杭州远方PMS-50(PLUS)UV光功率仪器对两种结构的LED封装后测试，本发明结构的LED光总辐射功率为4.38mW，传统结构的LED光总辐射功率为3.75mW。本发明结构的LED比相同设备制备的传统倒金字塔结构普通电极LED光功率高16.8％。两种LED测试条件同为20mA恒流下测得。
Claims (3)
1、高光提取效率LED电极，其结构至少包括：P电极加厚电极(1)，高反镜保护层(2)，金属高反镜(3)，N电极(4)，N型半导体(5)，多量子阱有源区MQW(6)，P型半导体(7)，P电极欧姆接触层(8)，N电极加厚电极(9)，衬底(10)；由P型半导体(7)，多量子阱有源区MQW(6)，N型半导体5自上而下构成LED台；P电极欧姆接触层(8)位于LED台顶部的P型半导体(7)表面上；N电极(4)位于LED台底部的N型半导体(5)之上，与LED台的侧壁不相接触；其特征在于：在LED台的侧壁上有一透明绝缘层(11)；台上表面面积小于下表面面积；LED台的侧壁与竖直平面成锐角角度；金属高反镜(3)覆盖在P电极欧姆接触层(8)上，并延展覆盖在透明绝缘层(11)之上，包围LED台的顶部和侧壁，但不与N电极(4)接触；金属高反镜(3)、透明绝缘层(11)和LED台三者之间折射率大小排列为高低高。
2、根据权利要求1所述的高光提取效率LED电极，其特征为：
透明绝缘层(11)的厚度是LED台发出光波长的四分之一光学厚度。
3、根据权利要求1所述的高光提取效率LED电极的制备方法，包括以下步骤：
1)在一块生长好LED结构晶圆上，用普通光刻法在晶圆上用光刻胶掩膜出LED的台结构图型，然后用离子刻蚀系统ICP刻出LED台；刻出LED台后剥离去掉光刻胶；
2)样品用王水清洗后，用普通光刻法掩膜，用溅射或蒸发的方法在LED台顶部的P半导体(7)上镀一层P电极欧姆接触层(8)；
3)对P电极欧姆接触层(8)进行合金；
4)利用普通光刻法对P电极欧姆接触层(8)和LED台的侧壁进行胶保护，用溅射金属或蒸发金属的方法在LED台的底部N型半导体5上沉积N电极(4)；N电极(4)不与LED台的侧壁相接触；剥离光刻胶；
5)利用普通光刻法遮挡，然后用溅射或蒸发的方法在P电极欧姆层(8)和LED台的侧壁沉积一层金属高反镜(3)，金属高反镜(3)覆盖P电极欧姆层(8)的表面以及由P型半导体(7)、多量子阱有源区(6)、N型半导体5构成的LED台的侧壁；
6)在金属高反镜(3)上用溅射金属或蒸发金属的方法镀一层金属形成高反镜保护层2；或是用薄膜生长的方法生长一层绝缘层，再用光刻腐蚀方法，形成高反镜保护层2；
7)在P电极欧姆接触层(8)的区域上方及N电极(4)上同时镀上金属，形成P电极加厚电极1和N电极加厚电极9；
8)解理，把两个器件间相连的N型半导体5和衬底10用激光划开得到LED台；
其特征在于：在步骤1)刻出LED台之后，在步骤2)制备P电极欧姆接触层(8)之前，在LED台的侧壁上先制备一层透明绝缘层(11)；透明绝缘层(11)是用二步生长法进行：第一次在LED台的侧壁生长透明绝缘层后，用去离子水超声，露出透明绝缘层的针孔和空洞，然后在第一次生长的透明绝缘层表面再生长一层透明绝缘层，填补先前生长的透明绝缘层表面的针孔和空洞，形成透明绝缘层(11)。
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