CN112652688A - 一种发光二极管及其制造方法 - Google Patents

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CN112652688A CN202011615568.6A CN202011615568A CN112652688A CN 112652688 A CN112652688 A CN 112652688A CN 202011615568 A CN202011615568 A CN 202011615568A CN 112652688 A CN112652688 A CN 112652688A
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Abstract

本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：外延层，外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中外延层在第一半导体层朝向第二半导体层一侧形成有多个彼此间隔的台面结构，以外露部分第一半导体层；第一电极层，设置于外露的第一半导体层上，并与第一半导体层电连接，其中第一电极层在多个台阶结构的间隔区域内形成互联的网状结构。通过上述方式，本申请能够得到一种新型结构的发光二极管，提高了发光二极管的可靠性。

Description

一种发光二极管及其制造方法
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光二极管及其制造方法。
背景技术
现有的垂直发光二极管的制造工艺，一般于生长衬底上制备依次层叠于生长衬底上的N-GaN层、量子阱层、P-GaN层及透明导电层，然后键合透明导电层及支撑衬底并剥离生长衬底，最后于N-GaN层上制备N电极。
本申请的发明人在长期研发过程中，发现上述结构的垂直发光二极管的P、N电极位于垂直发光二极管的异侧，因金属电极阻挡光线的出射，导致电极周围区域的亮度损失严重；此外，在串并联应用中，上述结构的垂直发光二极管之间的金属搭桥容易在高台阶差上因包裹能力而出现断裂、金属变薄的情况，进而导致电流传导变差甚至是失效。
因此，有必要提供一种具有新型电极结构的发光二极管。
发明内容
基于此，本申请提供一种发光二极管及其制造方法，能够得到一种新型结构的发光二极管，提高了发光二极管的可靠性。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提出一种发光二极管，该发光二极管包括：外延层，外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中外延层在第一半导体层朝向第二半导体层一侧形成有多个彼此间隔的台面结构，以外露部分第一半导体层；第一电极层，设置于外露的第一半导体层上，并与第一半导体层电连接，其中第一电极层在多个台阶结构的间隔区域内形成互联的网状结构。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提出一种发光二极管的制造方法，该制造方法包括：提供一外延层，外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中外延层在第一半导体层朝向第二半导体层一侧形成有多个间隔设置的台面结构，以外露部分第一半导体层；在外露的第一半导体层上沉积第一电极层，其中第一电极层与第一半导体层电连接，且在多个台阶结构的间隔区域内形成互联的网状结构。
区别于现有技术的情况，本申请的外延层在第一半导体层朝向第二半导体层一侧形成有多个彼此间隔的台面结构，以外露部分第一半导体层；第一电极层，设置于外露的第一半导体层上，并与第一半导体层电连接，其中第一电极层在多个台阶结构的间隔区域内形成互联的网状结构，得到一种新型结构的发光二极管，提高了发光二极管的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1是本申请第一实施例提供的发光二极管的结构示意图；
图2是本申请第二实施例提供的发光二极管的结构示意图；
图3是本申请第三实施例提供的发光二极管的局部结构示意图；
图4是本申请中形成互联的网状结构的第一电极层的俯视结构示意图；
图5是本申请第四实施例提供的发光二极管的结构示意图；
图6是本申请第五实施例提供的发光二极管的结构示意图；
图7是本申请第六实施例提供的发光二极管的结构示意图；
图8是本申请第七实施例提供的发光二极管的结构示意图；
图9是本申请第八实施例提供的发光二极管的结构示意图；
图10是本申请第九实施例提供的发光二极管的结构示意图；
图11是本申请第十实施例提供的发光二极管的结构示意图；
图12是本申请第十一实施例提供的发光二极管的结构示意图
图13是本申请的发光二极管在制造过程的不同阶段中的视图；
图14是本申请一实施例提供的发光二极管的制造方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本申请提出了一种发光二极管，该发光二极管的光波可以为UVC、UVB、UVA、紫光、蓝光、绿光、黄光、红光及红外光等。
如图1所示，该发光二极管100至少包括：外延层10。外延层10包括层叠设置的第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13，其中外延层10在第一半导体层11朝向第二半导体层13一侧形成有台面结构50，以外露部分第一半导体层11。
可选地，在一实施例中，如图1所示，该发光二极管100还包括：第一电极层20、绝缘层30以及第二电极层40。第一电极层20设置于外露的第一半导体层11上，并与第一半导体层11电连接。其中，如图1和图2所示，第一电极层20可以完全覆盖或部分覆盖第一半导体层11的外露区域，第一电极层20的厚度为0.001μm～5μm。
具体而言，第一半导体层11可以为n型半导体层，具体可以为掺杂Si、Ge及Sn中至少一种的氮化镓系化合物半导体(例如GaN、AlGaN、InGaN等)，对应的第一电极层20也称为n型电极层。
第一电极层20的材料可以为金属材料或掺杂有金属材料的混合物或化合物，可以为透明材料或不透明材料，例如，第一电极层20可以为透明导电氧化物(TransparentConductive Oxide，TCO)层，例如铟锡氧化物(ITO)层、氧化锌(ZnO)层，也可以为由镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金构成的单层或叠层。
为提高发光效率，第一电极层20的材料可以为反射性材料，反射性材料可以为镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金。在其他实施例中，第一电极层20可以为透明电极且在第一电极层20朝向绝缘层30的一侧设置有反射层，该透明电极可由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等TCO材料制成。该反射层的材料可以为镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金。
由于第一电极层20与第二电极层40设置于发光二极管100的同一侧，因此，在第一电极层20与第二电极层40之间需要引入绝缘层30。绝缘层30覆盖于第一电极层20以及台面结构50上，且设置有用于外露台面结构50内的第二半导体层13的通孔90。其中，通孔90形成于台面结构50的顶部。
具体而言，绝缘层30可以为包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy,x、y≥1)、分布式布拉格反射镜(distributed Bragg reflection，DBR)、氧化铝(Al2O3)、硅胶、树脂或丙烯酸中的至少一种的单层或叠层，绝缘层30的厚度为0.001μm～5μm。可根据产品需求定义通孔90的数量、形状、大小、单元间距及排列方式，在此不做限定。其中，多个通孔90可通过激光、刻蚀、钻孔等技术实现。
第二电极层40覆盖于绝缘层30上，以通过绝缘层30与第一电极层20和第一半导体层11电性隔离，第二电极层40进一步延伸至通孔90内，进而与第二半导体层13电连接。第二电极层40的厚度为0.001μm～10μm。其中，第二电极层40可以为面电极层、线电极层或点电极层，具体不作限定。
具体而言，第二半导体层13可以为p型半导体层，例如可以为掺杂Mg、Zn、Be、Ca、Sr及Ba中至少一种的氮化镓系化合物半导体(例如GaN、AlGaN、InGaN等)，对应的第二电极层40也称为p型电极层。
第二电极层40的材料可以为金属材料或掺杂有金属材料的混合物或化合物，可以为透明材料或不透明材料，例如，第二电极层40可以为透明导电氧化物(TransparentConductive Oxide，TCO)层，例如铟锡氧化物(ITO)层、氧化锌(ZnO)层，也可以为由镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金构成的单层或叠层。
区别于现有技术的情况，本申请的第一电极层20设置于外露的第一半导体层11上且与第一半导体层11电连接，绝缘层30覆盖于第一电极层20以及台面结构50上，且绝缘层30上设置有用于外露台面结构50内的第二半导体层13的通孔90，第二电极层40覆盖于绝缘层30上并进一步延伸至通孔90内，进而与第二半导体层13电连接。因此，本申请中将第一电极层20与第二电极层40设置在发光二极管100的同侧(例如发光二极管100的底部)，而出光方向是向上出光，因此，第一电极层20与第二电极层40不会阻挡光线的出射或吸收光线，电极周围区域的亮度没有损失；此外，能够减小第一电极层20与第二电极层40之间的台阶高度差，避免发光二极管100之间的金属搭桥在串并联应用时发生断裂，使串并联结构更加可靠。
可选地，在一实施例中，如图4所示，台面结构50为间隔设置的多个，多个台面结构50成几何形状排列，台面结构50的面积根据电流扩散情况及所需发光二极管100的尺寸而定。台面结构50的形状可以是三角形、四边形、五边形、六边形、圆形以及其他任意定义的形状。第一电极层20在多个台面结构50的间隔区域内形成互联的网状结构。
可选地，在一实施例中，该发光二极管100还包括：第二电极层40。第二电极层40覆盖台面结构50，并与台面结构50内的第二半导体层13电连接。
为提高发光效率，上述实施例中的第二电极层40的材料可以为反射性材料，反射性材料可以为镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金。在其他实施例中，第二电极层40可以为透明电极且在第二电极层40朝向绝缘层30的一侧设置有反射层，该透明电极可由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等TCO材料制成。该反射层的材料可以为镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金。
进一步地，如图1所示，台面结构50上的第二电极层40呈杯状设置，以使得第二电极层40进一步作为反射杯。反射杯用于对发光二极管100发射出的光线起有效反射的作用，在本实施例中，反射杯的高度和内腔锥角没有限定。
区别于现有技术的情况，本申请的第二电极层40呈杯状设置，以使得第二电极层40进一步作为反射杯，反射杯用于对发光二极管100发射出的光线起有效反射的作用，进而提高发光二极管100的发光效率。
可选地，如图1或图2所示，在一实施例中，第二电极层40对台面结构50进行全覆盖；进一步地，第二电极层40对外露的第一半导体层11进行全覆盖，起到了充分的保护作用，提高了第二电极层40与外延层10的附着性和完整性，提高发光二极管100的可靠性。
可选地，在一实施例中，如图5所示，第二电极层40进一步至少部分覆盖第一电极层20。
如图6所示，在一实施例中，发光二极管100进一步包括生长基板60，第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13分别以外延生长方式生长于生长基板60上。其中，生长基板60的材料可以为蓝宝石、SiC、AlN、Al2O3、GaAs、GaN或其他适当材料。
进一步地，该生长基板60为可剥离的生长基板60，具体的剥离方法根据生长基板60的材料确定。
如图7所示，在一实施例中，生长基板60与第一半导体层11之间可以设置有缓冲层61。缓冲层61的材料可以为InGaN、GaN、AlInGaN中的任意一种或组合。其中，缓冲层61可以作为剥离牺牲层，通过去除缓冲层61，以剥离生长基板60，并外露出第一半导体层11。
如图8所示，在一实施例中，生长基板60与缓冲层61之间可以设置有牺牲层62。牺牲层62的材料可以为AlN。去除牺牲层62，以剥离生长基板60，并外露出缓冲层61。
如图9所示，在一实施例中，发光二极管100进一步包括封装基板70，第二电极层40背离外延层10的一侧以键合方式固定于封装基板70上。
具体而言，封装基板70的材料具有良好导热性能，例如封装基板70的材料可以为氧化铝、氮化铝、硅、铜及其合金等。封装基板70进一步包括第一键合层71，第二电极层40背离外延层10的一侧上形成有第二键合层41，通过第一键合层71与第二键合层41之间的键合实现第二电极层40与封装基板70之间的键合固定。
如图10-12所示，在一实施例中，外露的第一半导体上进一步设置有外露第一电极层20和/或第二电极层40的开口区域。
不同于传统垂直发光二极管100的下正上负的电极分布，本申请实施例可选择仅暴露第一电极层20、仅暴露第二电极层40或第一电极层20和第二电极层40均暴露，暴露后的第一电极层20和/或第二电极层40可进行金属连接或打线作业，以适应与不同结构的驱动电路的连接。
在一实施例中，可以通过干法刻蚀或湿法腐蚀，将去除生长基板60后的外露出缓冲层61或第一半导体层11进行表面图形化处理，形成有序或无序排列的锥形、半球形等凸起或凹坑结构62，增加从缓冲层61或第一半导体层11发射到外界的光，提高发光二极管100的发光亮度。
本申请还提出一种用于制造上述实施例的发光二极管100的制造方法，图13所示为根据本申请的发光二极管100在制造过程的不同阶段中的视图。为了便于说明和理解，发光二极管100显示为在制造过程中的个别器件。然而，应该明白，多个发光二极管100通常在晶圆级上制造，而个别的发光二极管100会在随后的工艺步骤中单个化。尽管如此，本文所述的制造方法也可用于制造单一的器件。还应明白，虽然在下文中以特定顺序来显示制造步骤，该发光二极管100可用不同顺序的步骤来制造，并且可包括额外或较少的步骤。
如图14所示，该方法包括：
S10：提供一生长基板60。
生长基板60的材料可以为蓝宝石、SiC、AlN、Al2O3、GaAs、GaN或其他适当材料。
进一步地，在本步骤中，可以通过常规的MOCVD工艺或可以借助于诸如物理气相沉积、溅射、氢气相沉积法或原子层沉积工艺，在生长基板60的一侧主表面上生长缓冲层61。缓冲层61的材料可以为InGaN、GaN、AlInGaN中的任意一种或组合。其中，缓冲层61可以作为剥离牺牲层，通过去除缓冲层61，以从缓冲层61和生长基板60之间的接触面剥离生长基板60，并外露出第一半导体层11。
S20：在生长基板60上以外延生长方式依次生长第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13。
在本步骤中，可以采用金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organic ChemicalVapor Deposition，MOCVD)或分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)方法在生长基板60上以外延生长方式依次生长第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13。
第一半导体层11可以为n型半导体层，其主要作用是提供复合发光的电子，具体可以为掺杂Si、Ge及Sn中至少一种的氮化镓系化合物半导体(例如GaN、AlGaN、InGaN等)。有源层12为电子-空穴复合区域，可以具有单异质结、双异质结、单量子肼和多量子肼的结构。第二半导体层13可以为P型半导体层，其主要作用是提供复合发光的空穴，具体可以为掺杂Mg、Zn、Be、Ca、Sr及Ba中至少一种的氮化镓系化合物半导体(例如GaN、AlGaN、InGaN等)。
可选地，在生长基板60的一侧主表面上生长有缓冲层61时，则在缓冲层61远离生长基板60的一侧上以外延生长方式依次生长第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13。
S30：在第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13背离生长基板60的一侧进行图案化处理，以形成台面结构50，并外露部分第一半导体层11，得到外延层10。
具体来说，可以通过掩膜和蚀刻工艺对第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13蚀刻，进而形成台面结构50。上述蚀刻工艺可以包括干式蚀刻、湿式蚀刻或其组合。
可选地，可以通过掩膜和蚀刻工艺对第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13蚀刻，进而形成多个间隔设置的台面结构50。
本步骤得到的外延层10包括层叠设置的第一半导体层11、有源层12以及第二半导体层13，其中外延层10在第一半导体层11朝向第二半导体层13一侧形成有台面结构50，以外露部分第一半导体层11。
S40：在外露的第一半导体层11上沉积第一电极层20，其中第一电极层20与第一半导体层11电连接。
具体而言，可以采用热蒸镀、电子束蒸镀和磁控溅射蒸镀等方法在外露的第一半导体层11上沉积第一电极层20，第一电极层20与第一半导体层11直接接触。
第一电极层20的材料可以为金属材料或掺杂有金属材料的混合物或化合物，可以为透明材料或不透明材料，例如，第一电极层20可以为TCO层，例如铟锡氧化物(ITO)层、氧化锌(ZnO)层，也可以为由镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金构成的单层或叠层。
需要说明的是，在步骤S40之前，可以采用溅射、喷涂、ALD或PECVD沉积工艺在外露的台面结构50沉积绝缘层30，其中，绝缘层30可以为包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy,x、y≥1)、分布式布拉格反射镜(distributed Bragg reflection，DBR)、氧化铝(Al2O3)、硅胶、树脂或丙烯酸中的至少一种的单层或叠层，绝缘层30的厚度为0.001μm～5μm。
S50：在第一电极层20以及台面结构50上沉积绝缘层30，并在绝缘层30上形成外露台面结构50内的第二半导体层13的通孔90。
具体而言，可以采用溅射、喷涂、ALD或PECVD沉积工艺在第一电极层20以及台面结构50上沉积绝缘层30。其中，绝缘层30可以为包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy,x、y≥1)、DBR、氧化铝(Al2O3)、硅胶、树脂或丙烯酸中的至少一种的单层或叠层，绝缘层30的厚度为0.001μm～5μm。
可根据产品需求定义通孔90的数量、形状、大小、单元间距及排列方式，在此不做限定。其中，通过激光、刻蚀、钻孔等技术在绝缘层30上形成外露台面结构50内的第二半导体层13的通孔90。
S60：在绝缘层30上沉积第二电极层40，其中第二电极层40通过绝缘层30与第一电极层20和第一半导体层11电性隔离，第二电极层40进一步延伸至通孔90内，进而与第二半导体层13电连接。
具体而言，可以采用热蒸镀、电子束蒸镀和磁控溅射蒸镀等方法在绝缘层30上沉积第二电极层40，第二电极层40进一步延伸至通孔90内，进而与第二半导体层13电连接。
第二电极层40的材料可以为金属材料或掺杂有金属材料的混合物或化合物，可以为透明材料或不透明材料，例如，第二电极层40可以为TCO层，例如铟锡氧化物(ITO)层、氧化锌(ZnO)层，也可以为由镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金构成的单层或叠层。
S70：第二电极层40背离外延层10的一侧以键合方式固定于封装基板70上。
具体而言，封装基板70的材料具有良好导热性能，例如封装基板70的材料可以为氧化铝、氮化铝、硅、铜及其合金等。封装基板70进一步包括第一键合层71，第二电极层40背离外延层10的一侧上形成有第二键合层41，通过第一键合层71与第二键合层41之间的键合实现第二电极层40与封装基板70之间的键合固定。
第一键合层71和/或第二键合层41的材料可以氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy，x、y≥1)、分布式布拉格反射镜(DBR)、氧化铝(Al2O3)、金属镍(Ni)、金属铬(Cr)、金属钛(Ti)、金属铝(Al)、金属银(Ag)、金属铂(Pt)、金属金(Au)、金属锡(Sn)、金属铟(In)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金构成的单层或叠层，第一键合层71和/或第二键合层41的厚度0.001μm～10μm。
S80：剥离生长基板60。
具体而言，可以缓冲层61作为剥离牺牲层，去除缓冲层61，以从缓冲层61和生长基板60的接触面剥离生长基板60。在本步骤中，可通过干蚀刻、湿蚀刻、激光剥离或其它适合的技术实现缓冲层61和生长基板60之间的剥离。具体来说，在缓冲层61为GaN缓冲层61时，GaN的禁带宽度为3.4eV，采用缓冲层61做为剥离牺牲层，利用激光可以轻易地实现缓冲层61和生长基板60之间的剥离。
S90：对外露的第一半导体层11进行蚀刻，以形成外露第一电极层20和/或第二电极层40的开口区域。
具体来说，可通过干法蚀刻、湿法蚀刻或其组合的方式将部分外露的第一半导体层11去除。本申请实施例可选择仅暴露第一电极层20、仅暴露第二电极层40或第一电极层20和第二电极层40均暴露，暴露后的第一电极层20和/或第二电极层40可进行金属连接或打线作业，以适应与不同结构的驱动电路的连接。
可选地，在一实施例中，步骤S30之后，该方法进一步包括：
S100：在台面结构50上形成与所述第二半导体层13电连接的第二电极层40。
在上述步骤S40中，为提高发光效率，第一电极层20的材料可以为反射性材料，反射性材料可以为镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金。在其他实施例中，第一电极层20可以为透明电极且在第一电极层20朝向绝缘层30的一侧设置有反射层，该透明电极可由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等TCO材料制成。该反射层的材料可以为镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金。
可选地，在上述步骤S60或步骤S100中，为提高发光效率，第二电极层40的材料可以为反射性材料，反射性材料可以为镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金。在其他实施例中，第二电极层40可以为透明电极且在第二电极层40朝向绝缘层30的一侧设置有反射层，该透明电极可由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等TCO材料制成。该反射层的材料可以为镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)中的任意一种金属或它们中任意两种或以上的合金。
此外，上述步骤S60和步骤S100的台面结构50上的第二电极层40呈杯状设置呈杯状设置，以使得第二电极层40进一步作为反射杯。反射杯用于对发光二极管100发射出的光线起有效反射的作用，在本实施例中，反射杯的高度和内腔锥角没有限定。
以上仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
外延层，所述外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中所述外延层在所述第一半导体层朝向所述第二半导体层一侧形成有多个彼此间隔的台面结构，以外露部分所述第一半导体层；
第一电极层，设置于外露的所述第一半导体层上，并与所述第一半导体层电连接，其中所述第一电极层在多个所述台阶结构的间隔区域内形成互联的网状结构。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极层的材料为透光性材料，所述发光二极管进一步包括：
绝缘层，覆盖于所述第一电极层以及所述台面结构上，且设置有用于外露所述台面结构内的所述第二半导体层的通孔；
第二电极层，覆盖于所述绝缘层上，以通过所述绝缘层与所述第一电极层和所述第一半导体层电性隔离，所述第二电极层进一步延伸至所述通孔内，进而与所述第二半导体层电连接，所述第二电极层的材料为反射性材料，所述台面结构上的所述第二电极层呈杯状设置，以使得所述第二电极层进一步作为反射杯。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极层对所述台面结构进行全覆盖。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极层进一步至少部分覆盖所述第一电极层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管进一步包括生长基板，所述第一半导体层、有源层以及第二半导体层分别以外延生长方式生长于所述生长基板上。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管进一步包括封装基板，所述第二电极层背离所述外延层的一侧以键合方式固定于所述封装基板上。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述外露的第一半导体上进一步设置有外露所述第一电极层和/或所述第二电极层的开口区域。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述通孔形成于所述台面结构的顶部。
9.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一外延层，所述外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，其中所述外延层在所述第一半导体层朝向所述第二半导体层一侧形成有多个间隔设置的台面结构，以外露部分所述第一半导体层；
在外露的所述第一半导体层上沉积第一电极层，其中所述第一电极层与所述第一半导体层电连接，且在多个所述台阶结构的间隔区域内形成互联的网状结构。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一电极层的材料为透光材料，所述制造方法包括：
在所述第一电极层以及所述台面结构上沉积绝缘层，并在所述绝缘层上形成外露所述台面结构内的所述第二半导体层的通孔；
在所述绝缘层上沉积第二电极层，其中所述第二电极层通过所述绝缘层与所述第一电极层和所述第一半导体层电性隔离，所述第二电极层进一步延伸至所述通孔内，进而与所述第二半导体层电连接，所述第二电极层的材料为反射性材料，所述台面结构上的所述第二电极层呈杯状设置。
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