TW200415945A - Organic EL display panel - Google Patents

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200415945 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機E L顯示面板。 【先前技術】 作為取代液晶顯示面板而可施行高品質顯示之顯示面板 ’使用有機EL (電致發光）元件之有機EL顯示面板已逐漸受 到注目。 在有機EL顯示面板中，有呈現陽極與陰極之單純矩陣構 成’由在陽極與陰極之交點之有機EL元件發光之被動方式 與使用薄膜電晶體（TFT : Tin-Film-Transistor)控制供應至 有機EL元件之直流電流之主動方式。 以下’說明有關以往之主動方式之有機EL顯示面板。在 此有機EL顯示面板中，將多數個含有機el元件之單位像素 在頒不圖像之顯示部配設成矩陣狀。圖1 〇(a)係表示此有機 EL元件之單位像素2〇〇之平面圖。又，圖1〇(b)係表示單位 像素200之等效電路圖。 單位像素200具有有機EL元件i、儲存電容2、EL驅動用 TFT3、及開關用TFT4,電源線5與信號線7係在顯示部沿著 垂直方向被配設，掃描線6係沿著水平方向被配設。電源線5 、信號線7及掃描線6係在顯示部分別隔著特定間隔被配設。 參照圖10(a)及圖10(b)，有機EL元件i係經由EL驅動用 TFT3連接於電源線5,可由電源線5經由此驅動用tft3被供 應電源電壓。可由信號線7經由開關用T F τ 4將信號電壓供應 至EL驅動用TFT3之閘極部。並可由掃描線6將控制電壓供 89677.doc 200415945 應至開關用TFT4之閘極部。 圖11係表π沿著圖l〇(a)所示之有機EL元件a_A，線之 剖面圖。有機EL元件丨具有電洞輸送層13、發光層14及電子 輸送層15。有機EL元件丨係被配置於像素電極12與共通電極 16之間。在設於顯示部之整體之玻璃基板u上形成有由ιτ〇 (Indmm Tin Oxide :銦.錫氧化物）薄膜構成之像素電極ΐ2 。在像素電極12上依序形成電洞輸送層13、發光層μ、電 子輸送層15及金屬構成之共通電極16。將直流電流供應至 此構造時，可由像素電極12放出電洞，由共通電極Μ放出 電子’使電洞與電子在發光層14再韓合而激發發光層批 有機分子，藉以將光線向圖u之箭號之方向出射。 、$照圖1〇⑷，儲存電容2具有電極2a、與朝向電極2a配置 《電極以。電極2a連接於電源線5，電極2b連接於開關用 TFT4C及極和利用將電荷儲存於電極仏與電極η之間， 以設定由有機EL元件i出射光線所需之電流量。 在有機EL顯示面板中，由於並未由儲存電容2、虹驅動 用加、及開關用加4所佔之區域出射光線，故如圖⑽） =’在單位像素中，儲存電容2、el驅動用TFT3、及 ^用^4所佔之面積較大時，出射光線之有機EL元件i 件 $、〈比率會降低，而會降低數值孔徑（指有機EL元 =積在顯示部之面積中所佔之比率）。數值孔 持同—亮度’有必要提高單位像素期之亮度，此 板^二低有機EL元件1之壽命，進而降低有機EL顯示面 板芝哥命之—大原因。 89677.doc 200415945 、對此，日本特開200〇-397475號公報（第6頁、第2圖）（專利 、、/獻1)揭不知薄膜電晶體與儲存電容重疊配置於顯示部之 光出射面侧，以提高數值孔徑，延長壽命之有機EL顯示面 板0 <依據專利文獻1所載之技術，薄膜電晶體所佔面積雖 非k成數值孔I降低之要因，但更大面積之儲存電容依然 s舲數值孔徑抑制於低值，故有機el顯示面板之壽命改善 效果並不充分。 本發明係為解決此問題而設計者，其目的在於提供可進 一步延長壽命之有機EL顯示面板。 【專利文獻1】 日本特開2000-397475號公報（第6頁、第2圖） 【發明内容】 本發明之有機EL顯示面板之特徵係在於：包含基板、在 前述基板上被配置成矩陣狀之多數像素電極、朝向各像素 電極而被配置成覆蓋前述基板之全面之共通電極、為了將 信號電壓施加至各像素電極而分別隔著特定間隔沿著垂直 方向被配置之多數信號線、4 了將電源電壓供應至各像素 電極而分別隔著特定間隔沿著垂直方向被配置之多數電源 線、分別接通或切斷對各像素電極之前述電源電壓之施加 之多數薄膜電晶體、為了將前述接通或切斷用之控制電壓 施加至各薄膜電晶體而分別隔著特定間隔沿著閉線方:被 配置之多數掃描線、分別被配置於各像素電極與前述 電極之間，藉將前述信號電壓施加至各像素電極與前：： 89677.doc 200415945 通黾極之間而出射光線之多數 数有機EL·兀件、及分別設定各 有機EL元件出射前述光線所需之電流量之儲存電容；為了 使藉由各有機EL元件分別出射义、+.丄@ 為了 卞刀⑺出射則述光線所得之圖像全彩化 ^紅W之發Μ、綠（G)之發光體及藍（B)之發光體沿著 Π;線方向在各像素電極依序圖案化，在前述圖案化之 、+,— ()各先肢、珂述綠（G)之發光體及前 =(咐發^體中在前述閉線方向鄰接之2個發光體互相 重登，將由前述有機EL元件通過各發光體出射之光色重晶 之發光層重疊區域配置在相鄰於前述閉線方向之有組： 件間，將前述薄膜電晶體與前述#存電容之至少 於前述發光層重疊區域之中。 置 本發明之另一有機紅顯示面板之特徵係在於··包含 像基：上被配置成矩陣狀之多數像素電極、朝向各 像素笔極而被配置成覆蓋前述基板之全面之共通電極 了將信號電壓施加至各像素電極而分別隔著特定間隔沿著 向被配置之多數信號線、為了將電源電壓供應至各 ，、-亟而分別隔著特定間隔沿著垂直方向被配置之多數 電源線、分別接通或切斷對各像素電極之前述電 -加之多數薄膜電晶體、為了將前述接通或切斷 電壓施加至各薄膜電晶體而分別隔著特定間隔沿著間線二制 向被配置I多數掃描線、分別被配置於各像素電極與前: 共通電極之間’藉將前述信號電壓施加至各像素 2 述共通電極之間而出射光線之多數有機紅元件’、、= = 足各有機EU件出射前述光線所f之電流量之儲存電= 89677.doc 200415945 將前述各有機EL元件配置成重疊於前述信料、前述電源 線、與前述掃描線中至少！種線’將前述薄膜電晶體與前述 儲存電容之至少一方沿著鄰接之像素電極間之非開口區域 之長邊方向配置。 本發明之又另一有機EL顯示面板之特徵係在於：包含基 板、在前述基板上被配置成矩陣狀之多數像素電極 各像素電極而被配置成覆蓋前述基板之全面之共通電極、 為了將信號電壓施加至各像素電極而分別隔著特定間隔沿 著垂直方向被配置之多數信號線、為了將電源電壓供應: 各像素電極而分別隔著特定間隔沿著垂直方向被配置之多 數電源線、分襲通或切斷對各像素電極之前述電源電^ 之施加之多數薄膜電晶體、4了將前述接通或切斷用之控 制電壓施加至各薄膜電晶體而分別隔著特定間隔沿著閘線 万向被配置之多數掃描線、分別被配置於各像素電極與前 ^共通電極之間，藉將前述信號電壓施加至各像素電極與 珂述共通電極之間而出射光線之多數有機el元件、及分別 設定各有機EL元件出射前述光線所需之電流量之儲存 ;為了使藉由各有機EL元件分別出射前述光線所得之二象 全彩化，將紅⑻之發光體、綠（G)之發光體及藍⑻之發光 體沿著前述閘線方向在各像素電極依序圖案化，在前述圖 案化之際’利用使前I纟X(R)之發光體、前料（G)之發光 體及前述藍（B)之發光體中在前述閘線方向鄰接之2個:光 體互相重疊’將由前述有機EL元件通過各發光體出射：光 色重疊之發光層重疊區域配置成在相鄰於前述閑線方向之 89677.doc -10- 200415945 有機EL元件間向前述垂直方向延伸之長方形狀，將前述薄 ^電晶體與前述儲存電容之至少—方配置於前述發光層重 璺區jd將前述各有機EL元件配置成重疊於前述信號 、、泉、雨述電源線、與前述掃描線中至少1種線。 【實施方式】 在本實施形態之有機EL顯示面板中，將薄膜電晶體與餘 存電容之至少一方配置於利用使紅（幻之發光體、綠⑴）之 發光體及藍(B)之發光體中在閘線方向鄰接之2個發光體互 相重疊，使由有機EL元件通過各發光體出射之光色重疊之 :光層重疊區域之中。因此，不會因薄膜電晶體與儲：電 至少-方而減少發光面積’從而’可比以往技術更增 加發光面積，即使降低單位面積之發光量，也可獲得同j 之亮度。故可抑制對各像素之供„，提供更㉟一步延長 有機EL元件之壽命之有機EL顯示面板。 、在本實施形,態巾，最好前述薄膜電晶體與前述儲存電容 之土少一方係沿著前述垂直方向被配置。 最好‘述紅（R)之發光體、前述綠（G)之發光體及前述藍 (B)之發光體分別呈現沿著前述垂直方向之條帶形狀。 最好前述有機EL元件呈現向前述垂直方向延伸之長方形 狀’前述發光層重疊區域以互相鄰接之各有機el元件間之 大致中央為中心，沿著各有機EL7M+之長邊方向被配置。 相鄰之發光體間之距離為P，前述發光體沿著前述垂直方 向之長度為L，前述薄膜電晶體與前述儲存電容之至少一方 所佔之面積為s時，最好滿足S < P X Li關係。 89677.doc -11 - 200415945 最好前述相鄭之發光體間之距離為p相當於形成於前述 相鄰之發光體間之散熱肋之寬度。 、最好前述儲存電容係包含一體地形成於前述薄膜電晶體 之多晶矽構成之第i電極、由前述信號線至前述薄膜電晶』 之閘極部之閘配線、及在前述電源線與前述薄膜電晶體之 源極部被電性連接之第2電極，前述^電極朝向前述間配 2，前述閘配線朝向前述第2電極，而構成可將電荷儲存於 前述第1電極與前述閘配線之間、及前述閘配線與前述第2 電極之間。 最好前述紅（R)之發光體、前述綠（G)之發光體及前述藍 (B)之發光體分別被掩膜蒸鍍所形成。 以下，參照圖式說明本發明之實施形態。 首先，說明本實施形態之有機EL_示面板。在此有機el 顯示面板中，在顯示圖像之顯示部，多數個含有機EL元件i 之單位像素1 00被配設成矩陣狀。 圖1(a)係表示單位像素1〇〇之平面圖。又，圖丨^)係表示 單位像素100之等效電路圖。單位像素1〇〇具有有機£乙元件工 、儲存電容2、EL·驅動用TFT3、散熱肋3 1及開關用TFT4。 電源線5與信號線7係在有機EL顯示面板之顯示部沿著垂直 方向被配設，掃描線6係沿著水平方向被配設。電源線$、 信號線7及掃描線6係在顯示部分別隔著特定間隔被配設。 散熱肋31係分別隔著特定間隔而沿著各有機el元件1之長 邊形成。本實施形態之有機EL顯示面板係被使用薄膜電晶 體控制供應至有機EL元件之直流電流之主動方式所驅動。 89677.doc -12- 415945 在本μ她形怨 < 有機EL顯示面板中，在發光層重疊區域（非 ^區域）9配置儲存電容2、EL驅動用TFT3、及開關用TFT4 在此毛光層重疊區域9如後所述，係假定r、g、B各發 光互相重宜時由有機EL元件丨出射光線之際產生混色之 區或同時亦為在有機EL顯示面板之顯示部中，不能顯示 圖像之區域。多數個上述構成之單位像素1 係在顯示圖像 之顯示部中被配設成矩陣狀。 參照圖1(a)及圖Ub)，有機£L·元件1係經由p通道型iEL 驅動用TFT3連接於電源線5。EL驅動用TFT3之閘極部係經 由開關用TFT4連接於信號線7。開關用TFT4之閘極部係連 接於掃描線6。利用開關用TFT4，由信號線7所供應之信號 電壓依照掃描線6所供應之控制電壓被施行接通或切斷操 作。開關用TFT4通電時，信號電壓被供應至eL驅動用TFT3 之閑極巧’遠信號電壓超過臨限值時，EL驅動用TFT3通電 ’由電源線5經由EL驅動用TFT3將直流電流供應至有機EL 元件1，使其出射光線。開關用TFT4斷電時，信號電壓不被 供應至EL驅動用TFT3之閘極部，el驅動用TF 丁3斷電，直 流電流不由電源線5經由EL驅動用TFT3被供應至有機EL元 件1 ’故不出射光線。來自信號線7之信號電壓會隨著圖像 資訊（變化而變化，故由有機EL元件1出射之光線之狀態可 依知、圖像資訊而變化，在顯示部顯示對應於圖像資訊之 像0 圖2係表示沿著圖1(a)所示之有機el元件1之線A-A，之剖 面圖。有機EL元件1具有電洞輸送層13、發光層14及電子輸 89677.doc -13- 200415945 送層15。有機EL元件1係被配置於像素電極12與共通電極16 之間。在設於顯示部之整體之玻璃基板丨丨上形成有由〗τ 〇薄 膜構成之像素電極12。在像素電極12上依序形成電洞輸送 層13、發光層14、電子輸送層15及金屬構成之共通電極“ 。將直流電流供應至此構造時，可由像素電極12放出電洞 ，由共通電極16放出電子，使電洞與電子在發光層14再耦 合而激發發光層14之有機分子，藉以將光線向圖2之箭號之 方向出射。 圖3係表示沿著圖l(a)之線Β-Β，之剖面圖。參照圖1(勾、 圖1(b)及圖3,儲存電容2具有電極仏、電極孔及電極以。電 極2a形成於玻璃基板丨丨上，接續在電極2a之後形成EL驅動 用TFT3《源極邵3a。電極2a係由多晶矽所構成，藉摻入p( 磷）離子而被η型化。電極2a與源極部3&被形成為一體。覆 蓋電極2a與源極部3a而形成由Si〇2構成之閘極絕緣層34。 在閘極絕緣層34上朝向電極2a而形成電極沘。在閘極絕緣 層34上，覆蓋電極2b而形成由Si〇2構成之層間絕緣層35。 在層間絕緣層35上，朝向電極2b而形成電極2c。接續在電 極2c<後形成電源線5。電極2C與電源線5係在接觸部8與EL 驅動用TFT3之源極邵3a電性連接。參照圖1(a)，電極沘兼 作為由信號線7經開關用TFT4之源極部及汲極部而連接至 EL驅動用TFT3之閘極部之閘配線。EL驅動用τρτ3具有多 閘極構造。利用將電荷儲存於電極2a與電極2b之間及電極 2b與電極2c之間，以設定由有機EL元件i出射光線所需之電 流量。 89677.doc -14- 200415945 本爲施形悲之有機E L顯示面板為了施行全彩顯示，在顯 示#以發出紅（R)、綠（G)、藍（B)之3原色光之方式配置各單 位像素。作為全彩化方式，採用在各單位像素獨立地形成 分別附上R、G、B各色之有機EL元件之3色獨立像素方式。 以下，一面參照圖4(a)〜圖4(f)，一面說明本實施形態之 有機EL顯示面板之製程。在圖4(a)〜圖4(f)所示之製程中， 係以模式顯示具有圖i所示之構成之各單位像素1〇〇在有機 EL顯示面板之顯示部，以沿著水平方向鄰接之狀態形成之 過私。在圖4(a)〜圖4(f)所示之互相鄰接之3個單位像素1〇〇 上，分別形成附上R、G、B各色之圖2所示之有機El元件i。 首先，如圖4(a)所示，在玻璃基板丨丨上，利用蒸鍍或濺射 法形成ITO薄膜，蝕刻所形成之IT〇薄膜，而在各單位像素 分離地形成像素電極12。其次，如圖4(b)所示，在玻璃基板 11之全面覆蓋各像素電極12而蒸鍍電洞輸送層13。與圖4(a) 及圖4(b)所示之工序並行地，利用一面參照圖5(a)〜圖5(幻 所示之製程，在圖1所示之發光層重疊區域9形成圖3所示之 儲存電容2。 接著，如圖4(c)〜圖4(e)(在此，右側所示之正方形狀之圖 形係金屬掩膜17在平面狀態所視之圖）所示，將具有開設成 條狀之開口部之金屬掩膜17配置於玻璃基板丨丨之電洞輸送 層13側，利用使金屬掩膜17沿著水平方向以一定間距p逐次 滑動而施行真空蒸鍍，利財間夾著電洞輸送層Η而分別 朝向像素電極12之方式，分別形成分別附上R、g、B各色 之發光體（圖2所示之發光層14與電子輸送層15)之圖案。 89677.doc -15 · 200415945 具體而s ’如圖4(c)所示，使形成於金屬掩膜17之條狀之 開口 /口著配置於圖4(c)所示之左侧之像素電極12而對正金 屬掩膜17之位置。而，在電洞輸送層13上，以朝向配置於 左侧之像素電極12方式，沿著形成於金屬掩膜17之條狀之 開口形成附上R色之發光體（發光層14與電子輸送層15)。 其次，如圖4(d)所示，使形成於金屬掩膜17之條狀之開口 沿著配置於圖4(d)所示之3個像素電極12中之中央之像素電 極12而使金屬掩膜丨7沿著水平方向以一定間距p逐次滑動 。其後，在電洞輸送層13上，以朝向配置於中央之像素電 極12方式，沿著形成於金屬掩膜17之條狀之開口形成附上〇 色之發光體（發光層14與電子輸送層15)。 而後，圖4(e)所示，使形成於金屬掩膜17之條狀之開口沿 著配置於3個像素電極12中之右側之像素電極丨2而使金屬 掩膜17沿著水平方向以一定間距P逐次滑動。其次，在電洞 輸送層13上，以朝向配置於右側之像素電極丨2方式，沿著 形成於金屬掩膜17之條狀之開口形成附上b色之發光體（發 光層14與電子輸送層15)。 接著，如圖4(f)所示，利用蒸鍍掩膜18施行蒸鍍，以分別 朝向各像素電極12方式’在各電子輸送層15上形成共通電 極16之圖案。 其後，由形成於玻璃基板11上之此等構造上接著未圖示 之封裝板，再利用安裝未圖示之驅動電路，而完成有機EL 顯示面板。 以下，一面參照圖5(a)〜圖5(g)，一面說明儲存電容2之 89677.doc -16- 200415945 形成工序。在圖5(a)〜圖5(g)所示之形成工序中，與圖4(a) 及圖4(b)所π之工序並行地，顯示形成圖3所示之儲存電容2 之過程。 首先’如圖5(a)所示，在玻璃基板丨丨上之發光層重疊區域 9，利用多晶矽形成電極2&之圖案。 其次’如圖5(b)所示，摻入p(磷）離子而將電極2a施以^型 化（又，也可摻入Β(硼）離子而將其施以ρ型化）。 接著，如圖5(c)所示，利用si〇2,覆蓋電極以而形成閘極 絕緣層34 ’如圖5(d)所示，利用Mo(鉬）/Ai(鋁）/Mo(鉬）在閘 極絕緣層34上，以朝向電極2a方式形成電極几之圖案。 接著’如圖5(e)所示，利用si〇2,覆蓋電極几而在閘極絕 緣層34上形成層間絕緣層35，並如圖5(f)所示，以貫通閘極 絕緣層34與層間絕緣層35而到達eL驅動用TFT3之之源極 部3a<方式形成接觸部8。參照圖3，源極部“與電極仏被 形成為一體’電極2a與電極2b構成儲存電容2之一部分。 其後，如圖5(g)所示，利用M〇w (鉬鎢合金）在層間絕緣 層35上形成儲存電容2之電極。及電源線5，在接觸部8將電 極2c及電源線5、與EL驅動用TFT3之源極部“電性連接。 圖6係表示在有機EL顯示面板之顯示部中蒸鍍分別附上 R、G、B各色之發光體（圖2及圖4(c)〜圖4(f)所示之發光層 14與電子輸送層15)之區域由光出射侧所視之平面狀態。如 圖4(c)〜圖4(e)所示，利用使金屬掩膜17沿著水平方向以間 距P逐次滑動，將R之發光體蒸鍍於區域2丨（2點短劃線所圍 成之區域），將G之發光體蒸鍍於區域22 (實線所圍成之區域） 89677.doc -17- 200415945 ’將B之發光體蒸鍍於區域23 (虛線所圍成之區域）。使金屬 掩膜17沿著水平方向逐次滑動之際，金屬掩膜丨7發生位置 偏移時，在發光層重疊區域9 (以點表示之區域），使r、G 、B之各發光體呈現互相重疊之狀態。具體上，係在圖6之2 個發光層重疊區域9中左側之發光層重疊區域9，使r之發光 月豆W G之發光體互相重璺，在右侧之發光層重疊區域9，使 G之發光體與B之發光體互相重疊。 蒸鍍R之發光體、G之發光體、B之發光體之各單位像素 之水平方向之寬分別為Rx、Gx、及Bx，各單位像素之垂直 方向之長度為Px，發光層重疊區域9沿著水平方向之寬為乙 ，金屬掩膜17之位置偏移之最大長度為a。在發光層重疊區 域9中，各發光體重疊時，經由發光層重疊區域9出射之光 會產生所謂之混色。為了避免此混色，發光層重疊區域9被 設疋成在顯示部中，不能顯示圖像之區域。 在本實施形態之有機EL顯示面板中，如圖1所示，在顯示 4之單位像素100中，於發光層重疊區域9配置儲存電容2、 、驅動用TFT3、及開關用TFT4。而，EL驅動用TFT3及開 關用TFT4係沿著發光層重疊區域9之長邊方向被配置。 多…、圖6儲存電各2、EL驅動用TFT3、及開關用TFT4 所佔面積為S時，發光層重疊區域9之面積可以二乂以表示， 故儲存電容2、EL驅動用TFT3、及開關用丁FT4配置於發光 層重疊區域9内時，S<LxPx。在此狀態下，將直流電流供 應至各單位像素時，由發光層重疊區域9不會出射光線，而 會由有機EL元件1出射光線。 89677.doc -18 - 200415945 依據本貫施形態，在有機el顯示面板之各單位像素中， 由於在仗有機EL元件i出射光線之際會產生混色之發光層 重®區域9配置儲存電容2、Eug動用丁ρτ3、及開關用打T4 、。，因此，與以往技術之構成之發光面積相比，各像素之發 光面積更為增加，即使降低單位面積之發光量，也可獲得 與以往技術之構成同等之亮度。故可抑制對各像素供電之 供電量’其結果，可比以往技術之構成更進一步延長有機 EL元件之壽命。 又在本5她形怨中，流至有機EL·元件之電流密度雖與 以往技術之構成相同程度，但因發光面積比以往技術之構 成拓加，故可使其所顯示之圖像之亮度比以往技術之構成 之亮度更為提高。 在有機EL顯示面板中，為了謀求全彩化，有必要一面使 特疋掩腱沿著閘線方向移動一定量，一面沿著閘線方向蒸 鍍R之發光體、G之發光體、b之發光體，故在設計時，將 沿著閘線方向互相鄰接之R之發光體與G之發光體及G之發 光體與發光體互相重疊之發光層重疊區域設定作為掩 月旲 < 對準答許範圍為必須之要件。在如此設定之發光層重 武區域中，因會產生混色，不能使其發射光線，故以往成 為阻礙數值孔徑之提高之主要因素。 在本貝施开;^怨中，由於將儲存電容2、驅動用、 及開關用TFT4等非開口元件配置於不能發光之發光層重疊 區域，故就有機EL顯示面板整體而言，可提高數值孔徑。 又，在本實施形態中，雖以利用蒸鍍形成R、G、及]3之 89677.doc -19- 200415945 發光體為例加以說明，但本發明並不限定於此，也可利用 贺墨印刷或膠版印刷形成R、G、及β之發光體。 本實施形態之有機EL顯示面板之單位像心術也可採用 如圖7所示之構成。在此，對於與前述叫)所示之構成元 件共，《構成兀件，附以相同之參照符號而省略其說明。 又’單位像素100a之等效電路圖與圖1(b)所示相同。圖㈣ 表示沿著圖7中之線C_C，之剖面圖。在前述圖3所示之構成 之儲存私谷2中，係將電荷儲存於電極仏與電極孔及電極孔 :電極2c之間；相對地，在圖7及圖8所示之構成之儲存電 容2A中，僅將電荷儲存於電極几與電極仏之間，故所儲存 之私荷里乂於圖3所7^之構成之儲存電容2。圖7及圖8所示 之構成之儲存電容2八在前述圖5(a)所示之工序中，除了利 用多晶矽僅將作為EL驅動用TFT3之源極部“之部分圖案 化予以形成以外，均可利用同樣之方法形成。 圖9係表示本實施形態之有機EL顯示面板之又另一單位 像素100b之構成之平面圖。在與前面參照圖1所示之單位像 素100<構成元件相同之構成元件，附以同一之參照號碼。 因此’此等之構成元件之詳細說明予以省略。 與前述單位像素1〇〇不同之點在於設置有機EL元件lb,以 取代有機EL元件1。有機el元件lb如圖9所示，係被設成其 一部分與彳§號線7重疊。如此，將有機el元件1 b配置成與信 號線7重4時，可擴大有機EL元件之面積，故可更進一步增 加發光面積。 在此雖以有機EL元件1 b與信號線7重疊之例加以說明，但 89677.doc -20- 本發明並不限定於此。有機El元件i b 口 I ^ i 、 ，兀忏ib/、要配置成與信號線7 、電源線5及掃描線6中至少丨種線重疊即可。 、又，在本實施形態之有組顯示面板中，電源線5在顯示 邵中雖沿著垂直方向加以配設，但將電源線5兼__& 線6時，也可沿著水平方向加以配設。 田 —本實施形態之有機EL顯示面板搭載於行動電話之圖像顧 不邯時，可獲得一面利用有機E]L元件會 一 ③兄呵精細又圖像顯 示，一面更進一步提高使用壽命之行動電話。 …、 【產業上之可利用性】 —依據本發明，可提供更進—步提高使用壽命之有機職 示面板。 、 【圖式簡單說明】 圖1⑷係表示本實施形態之有機EL顯示面板之單位像素 之構成之平面圖，圖獅表示單位像素之等效電路圖； 圖2係表示形成料實施形態之單位像素之有機肛 之構成之剖面圖。 圖3係表不形成於圖1 (a)之單而 〇早位像素〈儲存電容部之構成 之剖面圖。 广⑷〜圖4(f)係表示本實施形態之有機EL顯示面板之 製造工序之剖面圖，圖4()係砉 极、、、’', ()係表不在破墒基板上形成像素電 、口 H4(b)係表π在破瑪基板上覆蓋像素電 極而开> 成電洞輸送層之工序之 ^ U ^ "面圖，圖4(C)係表示在電洞 輪运層上形成R之發光體(發光層與電子輸送層)之工序之 剖面圖’圖4⑷係表示在電洞輸送層上形成G之發光體之工 89677.doc -21 - 200415945 序《剖面w，®4(e)係表示在電輯送層上形成B之發光體 <工序之剖面圖，4(⑽表示在各發光體上形成共通電柄 <圖案之工序之剖面圖。 圖5⑷〜圖5(g)係表示設於本實施形態之有機队顯示面 ^單位像素之鍺存電容部之形成工序之剖面圖，圖$⑷ :、：在破瑪基板上形成電極之工序之剖面圖， 不將電極摻入雜質而型仆夕 ^ .,., 貝而P土化《工序（剖面圖’圖5(C)係表示 ;璃土板上覆蓋電極而形成閘極絕緣層之工序之剖面圖 闰圖⑽係表示在閘極絕緣層上形成電極之工序之剖面圖°， 圖响係表示在閑極絕緣層上覆蓋電極而形成層間絕緣芦 <工序^面圖’圖5(f)係表示將層間絕緣層之—部分言^ 而形成到達EL驅動用TFT之源極部之接觸部之工序之 表示覆蓋層間絕緣層與接觸部而形成電極與電 原、、果 < 工序·^剖面圖。 从:6係表示在本實施形態之有機EL顯示面板之顯示部中 各發光體（發光層與電子輸送層）之區域之模式 圖7係表示本實施形態之有機EL顯示面板之單 另一構成之平面圖。 圖圖8係表示設於圖7之單位像素之儲存電容之構成之剖面 圖9係表示本實施形態之有機EL顯示面板之單位、 又另一構成之平面圖。 素艾 圖WU)係表示以往例之有機虹顯示面板之單位、 構成之平面圖，圖10⑻係表示單位像素之等效電路圖Ά 89677.doc -22- 200415945 圖11係表示以往之有機EL顯示元件之構成之剖面圖。 【圖式代表符號說明】 1 有機EL元件 2 2a 、 2b 、 2c 3 4 5 6 7 8 9 11 12 13 儲存電容 儲存電容之電極 EL驅動用TFT 開關用TFT 電源線 掃描線 信號線 接觸部 發光層重疊區域 玻璃基板 像素電極 電洞輸送層 14 發光層 15 電子輸送層 1 6 共通電極 17 金屬掩膜 21 蒸鍍R之發光體之區域 22 蒸鍍G之發光體之區域 23 蒸鍍B之發光體之區域 34 閘極絕緣層 35 層間絕緣層 100、100a、200單位像素 89677.doc -23 -

Claims (1)

1. 拾、申請專利範園·· •一種有機EL顯示面板，其特徵在於具備： 基板； ^數像素電極，其在前述基板上被配置成矩睁狀； /、通包極’其與各像素電極對向，被配置成覆蓋前述 基板之全面； 夕數“虎線’其為了將信號電壓施加至各像素電極而 各個二開特走間隔沿著垂直方向被配置； 多數電源線，其為了將電源電壓供應至各像素電極而 各個空開特定間隔沿著垂直方向被配置； 义夕數薄電晶體，其分別接通或切斷對各像素電極之 前述電源電壓之施加； 八Γ數知描線，其為了將前述接通或切斷用之控制電壓 刀力“也加至纟薄膜電晶體而各個空開#定間隔沿著 線方向被配置； 甲 丑多：有機EL元件’其分別被配置於各像素電極與前述 :通電極之間’藉將前述信號電壓施加至各像素電極盥 則述共通電極之間而出射光；及 十储存電容，其分別設定各有機ELS件出射前述光所需之 電流量； 匈j使精由從各有機 U 1讦又圖 、，贿化，將紅（R)之發光體、綠（G)之發光體及藍⑺）之 光體沿著前述閘線方向在各像素電極依此順序圖案化 在前述圖案化之際’利用前述紅（R)之發光體、=述 200415945 (G)之發光體及前述藍（B)之發光體中在前述閘線方向鄰 接之2個發光體互相重疊，將疊合由前述有機el元件通 過各發光體出射之光色之發光層重疊區域配置在於前 逑閘線方向相鄰之有機EL元件間； 前述薄膜電晶體與前述儲存電容之至少一方配置於 别述發光層重疊區域之中者。 2. 一種有機EL·顯示面板，其特徵在於具備： 基板； 多數像素電極，其在前述基板上被配置成矩陣狀； 共通電極’其與各像素電極對向，被配置成覆蓋前述 基板之全面； 多數信號線，其為了將信號電壓施加至各像素電極而 口個空開特定間隔沿著垂直方向被配置； 多數電源線，其為了將電源電壓供應至各像素電極而 各個空開特定間隔沿著垂直方向被配置； 一多數薄膜電晶體，其分別接通或切斷對各像素電極之 前述電源電壓之施加； 夕數知描線，其為了將前述接通或切斷用之控制電壓 分別施加至各薄膜電晶體而各個空開特定間隔沿著閑 線方向被配置； 多數有機EL元件，其分別被配置於各像素電極與前述 :通電極之間，藉將前述信號電壓施加至各像素電極與 I逑共通電極之間而出射光；及 儲存電容，其分別設定各有機EL元件出射前述光所需 89677.doc 200415945 之電流量； I述各有機EL元件配置成與前述信號線、前述電源線 與前述掃描線之至少1種線重疊； 前述薄膜電晶體與前述儲存電容之至少一方沿著鄰 接之像素電極間之非開口區域之長邊方向配置者。 3. 一種有機EL·顯示面板，其特徵在於具備： 基板； 多數像素電極，其在前述基板上被配置成矩陣狀； /、通私極，其與各像素電極對向，被配置成覆蓋前述 基板之全面； 多數信號線，其為了將信號電壓施加至各像素電極而 各個空開特定間隔沿著垂直方向被配置； 多數電源線，其為了將電源電壓供應至各像素電極而 各個空開特定間隔沿著垂直方向被配置； 一多數薄膜電晶體，其分別接通或切斷對各像素電極之 前述電源電壓之施加； 八^數知描線’其為了將前述接通或切斷用之控制電壓 刀别她加至各薄膜電晶體而各個空開特定間隔沿著閘 線方向被配置； 多數有機EL元件，其分別被配置於各像素電極與前述 二通電極之間，藉將前述信號電壓施加至各像素電梓盥 則述共通電極之間而出射光；及 ’、 、=存電容，其分別設定各有機队元件出射前述光所需 之電流量； 89677.doc 200415945 二使猎由從各有機EL元件分別出射光所得之圖像 王:化，將紅⑻之發光體、綠（G)之發光體及 光體沿著前述閉線方向在各像素電極依此順序圖案化； 在可述圖案化之際，利用前述紅（R)之發光體、前述綠 發光體及前述藍（B)之發光體中在前述料方向鄰 要《2個發光體互相重疊，將疊合由前述有氣元件通 過各發光體出射之光色之發光層重疊區域以向前述垂 直万向延伸之長方形狀配置在於前述閘線方向相鄰之 有機EL元件間； 方配置於 前述薄膜電晶體與前述儲存電容之至少 前述發光層重疊區域之中； ^述各有機EL元件配置成與前述信號線、前述電源線 與㈤述掃描線之至少1種線重疊者。 士申，專利靶圍第丨至3項中任一項之有機示面板 /、中别述薄膜電晶體與前述儲存電容之至少一方沿著 ㈤述垂直方向被配置。 如申明專利範圍第丨至3項中任一項之有機el_示面板 一 /、中削述紅（R)之發光體、前述綠（G)之發光體及前述 風（B)之無光體各個呈沿著前述垂直方向之條帶形狀。 6·如申請專利範圍第丨至3項中任一項之有機EL_示面板 ’其中前述有機EL元件呈向前述垂直方向延伸之長方形 狀； / 則述發光層重疊區域以互相鄰接之各有機EL元件間 又大致中央為中心，沿著各有機EL元件之長邊方向被配 89677.doc 200415945 置。 如申請專利範圍第1至3項中任一項之有機E]L_示面板 ’其中設 相鄰之發光體間之距離為p， 前述發光體沿著前述垂直方向之長度為L， 前述薄膜電晶體與前述儲存電容之至少一方所佔之 面積為S時，滿足以下之關係： s< PXL 〇

   •如申請專利範圍第7項之有機虹顯示面板，其中前述 鄰〈發光體間之距離P相當於形成於前述相鄰之發光 間之肋之寬度。 9.如申請專糊第1至3項中任-項之有機EL顯示面 ，其中前述儲存電容構成如下：包含與前述薄膜電晶 <源極部一體形成之由多晶石夕構成之第！電極；由前 ㈣線至前述薄膜電晶體之閑極部之間極配線；及在

   =電料與前述薄膜電晶體之源極部被電㈣接之第 %極，前述第1電極盎前# .,_ ―〃則述閘極配線對向，前述閘極g 、、泉與前述第2電極對向，將雨_ 、+m 和包何儲存於前述第1電柄盥7 述閉極配線之間、及前述 一 /、 1Π , ^ 仏配、、泉與則述第2電極之間 10.如申請專利範園第！至3項 《 ，並中么^⑺、 中任—项之有機EL顯示面未 其中則述紅（R)之發光體、 . j k、，彔（G)艾發光體及前ϋ )之1先,豆各個被掩膜蒸鍍所 89677.doc