JP2003338383A - 有機elパネル及びその製造方法 - Google Patents
有機elパネル及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003338383A JP2003338383A JP2003068428A JP2003068428A JP2003338383A JP 2003338383 A JP2003338383 A JP 2003338383A JP 2003068428 A JP2003068428 A JP 2003068428A JP 2003068428 A JP2003068428 A JP 2003068428A JP 2003338383 A JP2003338383 A JP 2003338383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- hole transport
- transport layer
- panel
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- -1 diphenyl compound Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 79
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 点欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】 正孔輸送層52の厚みを150nmを超
える値、好ましくは170nm以上とした。従って、有
機発光層54の形成の際にダストが混入し、陰極の一部
が正孔輸送層52の表面に位置した場合においても、正
孔輸送層52が絶縁破壊することを防止でき、点欠陥の
発生を抑制できる
える値、好ましくは170nm以上とした。従って、有
機発光層54の形成の際にダストが混入し、陰極の一部
が正孔輸送層52の表面に位置した場合においても、正
孔輸送層52が絶縁破壊することを防止でき、点欠陥の
発生を抑制できる
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極間に、
少なくとも有機発光層と、正孔輸送層とを有する有機E
L素子をマトリクス配置した有機ELパネルに関する。
少なくとも有機発光層と、正孔輸送層とを有する有機E
L素子をマトリクス配置した有機ELパネルに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、フラットディスプレイパネル
の1つとして、有機ELディスプレイパネルが知られて
いる。この有機ELディスプレイパネルは、液晶ディス
プレイパネル(LCD)とは異なり、自発光であり、明
るく見やすいフラットディスプレイパネルとしてその普
及が期待されている。
の1つとして、有機ELディスプレイパネルが知られて
いる。この有機ELディスプレイパネルは、液晶ディス
プレイパネル(LCD)とは異なり、自発光であり、明
るく見やすいフラットディスプレイパネルとしてその普
及が期待されている。
【0003】この有機ELディスプレイは、有機EL素
子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構
成される。有機EL素子は、ITOなどで構成された陽
極上に正孔輸送層、有機発光層、アルミなどの陰極を積
層した構造を有している。なお、有機発光層と陰極との
間に電子輸送層を配置する場合も多い。
子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構
成される。有機EL素子は、ITOなどで構成された陽
極上に正孔輸送層、有機発光層、アルミなどの陰極を積
層した構造を有している。なお、有機発光層と陰極との
間に電子輸送層を配置する場合も多い。
【0004】ここで、陽極および有機発光層は画素毎の
発光領域にのみ存在するようにパターニングするが、正
孔輸送層および陰極はマスクを使用せず表示領域の全面
に形成する。陽極は、画素毎に電流を流すために必然的
に離れて形成され、また有機発光層は発光色が異なる場
合には別々に形成することが必要であり、また画素間で
発光させずに画素毎の区切りを明確にするためである。
一方、マスクなどを使用しない方がプロセス的にも楽で
あり、正孔輸送層、陰極は全面に形成する。また、陰極
は、有機EL素子を上方空間から分離する役割もある。
発光領域にのみ存在するようにパターニングするが、正
孔輸送層および陰極はマスクを使用せず表示領域の全面
に形成する。陽極は、画素毎に電流を流すために必然的
に離れて形成され、また有機発光層は発光色が異なる場
合には別々に形成することが必要であり、また画素間で
発光させずに画素毎の区切りを明確にするためである。
一方、マスクなどを使用しない方がプロセス的にも楽で
あり、正孔輸送層、陰極は全面に形成する。また、陰極
は、有機EL素子を上方空間から分離する役割もある。
【0005】このようにして、有機ELパネルが形成さ
れ、これによって表示が行われる。
れ、これによって表示が行われる。
【0006】ここで、製造された有機ELパネルの試験
を行うと、所望の発光がなされない欠陥画素が存在す
る。この欠陥には、電流供給を制御するTFT(薄膜ト
ランジスタ)に欠陥があったり、有機EL素子自体に問
題があったりする場合がある。
を行うと、所望の発光がなされない欠陥画素が存在す
る。この欠陥には、電流供給を制御するTFT(薄膜ト
ランジスタ)に欠陥があったり、有機EL素子自体に問
題があったりする場合がある。
【0007】欠陥画素には、常時発光してしまう輝点欠
陥画素と、発光しないダークスポットがあり、有機EL
素子について問題がある場合には、通常ダークスポット
となる。
陥画素と、発光しないダークスポットがあり、有機EL
素子について問題がある場合には、通常ダークスポット
となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】この有機EL素子の欠
陥について、検討した結果、製造中に有機発光層にダス
トが混入し、これが原因になっている場合があることを
発見した。すなわち、上述のように、発光層は画素毎の
個別のパターンとする必要があり(電子輸送層も有機発
光層と同一のパターンとする場合も多い)、この有機発
光層のパターン形成のためには蒸着源の前にマスクを配
置して蒸着を行う。そして、このマスクの使用が蒸着環
境にダストを持ち込み有機発光層にダストが混入する。
陥について、検討した結果、製造中に有機発光層にダス
トが混入し、これが原因になっている場合があることを
発見した。すなわち、上述のように、発光層は画素毎の
個別のパターンとする必要があり(電子輸送層も有機発
光層と同一のパターンとする場合も多い)、この有機発
光層のパターン形成のためには蒸着源の前にマスクを配
置して蒸着を行う。そして、このマスクの使用が蒸着環
境にダストを持ち込み有機発光層にダストが混入する。
【0009】このようにして、有機発光層の形成時にダ
ストが混入すると、このダストは正孔輸送層上にのる。
そして、このダストが存在すると、有機発光層(さらに
電子輸送層を含んだ有機層)は薄いため、ダストをカバ
ーすることができず、陰極がダストの周囲で直接正孔輸
送層に接触してしまい、これによって陰極と陽極と正孔
輸送層を介して直接位置することになり、陰極陽極間が
狭くなってしまう。そこで、その部分にリーク電流が流
れ、発光しない画素が生じる。
ストが混入すると、このダストは正孔輸送層上にのる。
そして、このダストが存在すると、有機発光層(さらに
電子輸送層を含んだ有機層)は薄いため、ダストをカバ
ーすることができず、陰極がダストの周囲で直接正孔輸
送層に接触してしまい、これによって陰極と陽極と正孔
輸送層を介して直接位置することになり、陰極陽極間が
狭くなってしまう。そこで、その部分にリーク電流が流
れ、発光しない画素が生じる。
【0010】本発明は、ダークスポットの発生を効果的
に防止できる有機ELパネルの製造に関する。
に防止できる有機ELパネルの製造に関する。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、正孔輸送層の
厚みを150nmを超える(好ましくは170nm以上
の)厚みとする。
厚みを150nmを超える(好ましくは170nm以上
の)厚みとする。
【0012】これによって、有機発光層にダストなどが
混入し、正孔輸送層の上面に陰極が至った場合において
も、絶縁破壊を起こす危険がなく、有機EL素子の欠陥
発生を減少することができる。
混入し、正孔輸送層の上面に陰極が至った場合において
も、絶縁破壊を起こす危険がなく、有機EL素子の欠陥
発生を減少することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面に基づいて説明する。
て、図面に基づいて説明する。
【0014】図1に、画素の構成について示す。ここ
で、アクティブマトリクス型の素子基板には、1画素に
2つのTFTと、1つの容量、1つの有機EL素子EL
が形成されるが、この図においては、駆動TFT40
と、有機EL素子ELのみを示している。
で、アクティブマトリクス型の素子基板には、1画素に
2つのTFTと、1つの容量、1つの有機EL素子EL
が形成されるが、この図においては、駆動TFT40
と、有機EL素子ELのみを示している。
【0015】図において、素子基板は、ガラス基板30
上に形成された駆動TFT40を有している。この駆動
TFT40と有機EL素子ELの構成を示す。このよう
に、駆動TFT40はガラス基板30上に形成され、こ
の駆動TFT40は、低温ポリシリコンで形成されてい
る能動層40aを有している。この能動層40aは、両
端が不純物がドープされたソース領域、ドレイン領域と
なっており、これらに挟まれた中央部がチャネル領域と
なっている。このチャネル領域の上部には酸化シリコン
からなるゲート絶縁膜40bを介しゲート電極40cが
形成されている。ゲート絶縁膜40bおよびゲート電極
40cは、層間絶縁膜34に覆われており、ゲート電極
40cの両側には、層間絶縁膜34のコンタクトホール
を介しソース領域およびドレイン領域に接続されるソー
ス電極40d、ドレイン電極40eが形成されている。
そして、ソース電極32d、ドレイン電極32eの上端
が層間絶縁膜34の表面に位置している。
上に形成された駆動TFT40を有している。この駆動
TFT40と有機EL素子ELの構成を示す。このよう
に、駆動TFT40はガラス基板30上に形成され、こ
の駆動TFT40は、低温ポリシリコンで形成されてい
る能動層40aを有している。この能動層40aは、両
端が不純物がドープされたソース領域、ドレイン領域と
なっており、これらに挟まれた中央部がチャネル領域と
なっている。このチャネル領域の上部には酸化シリコン
からなるゲート絶縁膜40bを介しゲート電極40cが
形成されている。ゲート絶縁膜40bおよびゲート電極
40cは、層間絶縁膜34に覆われており、ゲート電極
40cの両側には、層間絶縁膜34のコンタクトホール
を介しソース領域およびドレイン領域に接続されるソー
ス電極40d、ドレイン電極40eが形成されている。
そして、ソース電極32d、ドレイン電極32eの上端
が層間絶縁膜34の表面に位置している。
【0016】また、層間絶縁膜34の表面上には、ドレ
イン電極40eと電源ラインVLを接続するメタル配線
等が配置される。さらに、この層間絶縁膜34を覆っ
て、第1平坦化膜36が形成されている。
イン電極40eと電源ラインVLを接続するメタル配線
等が配置される。さらに、この層間絶縁膜34を覆っ
て、第1平坦化膜36が形成されている。
【0017】そして、第1平坦化膜36の上面には、I
TOから構成される透明電極50が形成され、この一端
が第1平坦化膜36のコンタクトホールを介し駆動TF
T40のソース電極40dに接続されている。
TOから構成される透明電極50が形成され、この一端
が第1平坦化膜36のコンタクトホールを介し駆動TF
T40のソース電極40dに接続されている。
【0018】また、この透明電極50は、有機EL素子
の陽極を構成し、この透明電極50上には、正孔輸送層
52、有機発光層54、電子輸送層56を介し、金属製
の陰極58が形成されている。なお、透明電極50の周
辺および側方には第2平坦化膜60が配置されている。
また、有機発光層54は、形成の際の位置ずれに対応す
るため透明電極50より大きいが、画素領域内にのみ存
在するように、第2平坦化膜60上にまで延びるが、す
ぐに終端している。一方、有機発光層54以外の正孔輸
送層52、電子輸送層56は、全面に広がって形成され
ている。ただし、電子輸送層56は、Alq3など発光
する材料を含む場合もあり、電子輸送層56も有機発光
層54と同様に発光部のみに限定して形成する場合も多
い。
の陽極を構成し、この透明電極50上には、正孔輸送層
52、有機発光層54、電子輸送層56を介し、金属製
の陰極58が形成されている。なお、透明電極50の周
辺および側方には第2平坦化膜60が配置されている。
また、有機発光層54は、形成の際の位置ずれに対応す
るため透明電極50より大きいが、画素領域内にのみ存
在するように、第2平坦化膜60上にまで延びるが、す
ぐに終端している。一方、有機発光層54以外の正孔輸
送層52、電子輸送層56は、全面に広がって形成され
ている。ただし、電子輸送層56は、Alq3など発光
する材料を含む場合もあり、電子輸送層56も有機発光
層54と同様に発光部のみに限定して形成する場合も多
い。
【0019】このような構成において、有機発光層54
は、画素毎にパターニングして形成する。このパターニ
ングは、真空蒸着における蒸発物をマスクを用いて、規
制することによって行う。このようなマスクには、ダス
トがつきやすく、特に0.3μm程度以下のダストは、
その混入を完全に防止することは難しい。
は、画素毎にパターニングして形成する。このパターニ
ングは、真空蒸着における蒸発物をマスクを用いて、規
制することによって行う。このようなマスクには、ダス
トがつきやすく、特に0.3μm程度以下のダストは、
その混入を完全に防止することは難しい。
【0020】そして、有機発光層54の形成時におい
て、このようなダストが混入すると、図2に示すよう
に、そのダストによって、有機発光層54が分断され
る。そして、その後、電子輸送層56、陰極58を順に
形成したときにも、ダストの周りには、不連続な部分が
発生してしまい、陰極の一部が正孔輸送層52に直接接
する場所も生じてしまう。
て、このようなダストが混入すると、図2に示すよう
に、そのダストによって、有機発光層54が分断され
る。そして、その後、電子輸送層56、陰極58を順に
形成したときにも、ダストの周りには、不連続な部分が
発生してしまい、陰極の一部が正孔輸送層52に直接接
する場所も生じてしまう。
【0021】このような状態の有機EL素子では、最大
電圧印加時においては、その電圧(例えば、12V)が
正孔輸送層52に印加され、通常の場合には正孔輸送層
52が絶縁破壊を起こし、その部分で短絡してしまい、
欠陥画素になってしまう。そして、このような変質が起
こると、これによって、正孔輸送層52の表面における
変質が広がり、周りの画素にまで影響が及びやすくな
る。
電圧印加時においては、その電圧(例えば、12V)が
正孔輸送層52に印加され、通常の場合には正孔輸送層
52が絶縁破壊を起こし、その部分で短絡してしまい、
欠陥画素になってしまう。そして、このような変質が起
こると、これによって、正孔輸送層52の表面における
変質が広がり、周りの画素にまで影響が及びやすくな
る。
【0022】ところが、本実施形態では、図3に示すよ
うに、この正孔輸送層52の厚みが150nmを超える
よう(好ましくは170nm以上)に設定されており、
厚くなっている。そこで、12Vの印加では、正孔輸送
層52が、絶縁破壊を起こさない。従って、ダストが混
入した場合においても、正孔輸送層52が破壊されるこ
とがなく、上述のような欠点発生を防止することができ
る。
うに、この正孔輸送層52の厚みが150nmを超える
よう(好ましくは170nm以上)に設定されており、
厚くなっている。そこで、12Vの印加では、正孔輸送
層52が、絶縁破壊を起こさない。従って、ダストが混
入した場合においても、正孔輸送層52が破壊されるこ
とがなく、上述のような欠点発生を防止することができ
る。
【0023】また、図4に示すように、有機発光層54
の形成位置がずれた場合には、透明電極50上であって
も、有機発光層54が存在しない場合も生じる。このよ
うな場合にも、正孔輸送層52に大きな電圧がかかる
が、本実施形態によれば、正孔輸送層52が比較的厚い
ため、絶縁破壊を起こすおそれがない。なお、図におい
ては、電子輸送層56も有機発光層54と同様に画素に
対応してパターニングしている。
の形成位置がずれた場合には、透明電極50上であって
も、有機発光層54が存在しない場合も生じる。このよ
うな場合にも、正孔輸送層52に大きな電圧がかかる
が、本実施形態によれば、正孔輸送層52が比較的厚い
ため、絶縁破壊を起こすおそれがない。なお、図におい
ては、電子輸送層56も有機発光層54と同様に画素に
対応してパターニングしている。
【0024】また、電子輸送層56は、存在しない場合
もあり、また電子輸送層56には、Alq3などの発光
機能を有するものが用いられる場合もあり、電子輸送層
56は有機発光層54と同じようにマスクを用いてパタ
ーニングされる場合も多く、このような場合に正孔輸送
層52を介し陽極50と陰極58が向き合う場合が発生
しやすい。この場合には正孔輸送層52の両側に電圧が
そのままかかる。
もあり、また電子輸送層56には、Alq3などの発光
機能を有するものが用いられる場合もあり、電子輸送層
56は有機発光層54と同じようにマスクを用いてパタ
ーニングされる場合も多く、このような場合に正孔輸送
層52を介し陽極50と陰極58が向き合う場合が発生
しやすい。この場合には正孔輸送層52の両側に電圧が
そのままかかる。
【0025】ここで、本実施形態では、正孔輸送層52
は、トリフェニルアミンの2量体系化合物であるNPD
や、NPB(N,N-di(naphthalene-1-yl)- N,N-diphenyl-
benzidene)などで構成されている。このNPDの正孔輸
送層52における一定電圧印加時における正孔輸送層5
2の厚みとリーク電流の関係を図5に示す。このよう
に、正孔輸送層52の厚みを150nmを超えるよう
(好ましくは、170nm以上)にすることで、有機E
L素子における陽極、陰極間のリーク電流を少なくで
き、絶縁破壊を防止できることが分かる。
は、トリフェニルアミンの2量体系化合物であるNPD
や、NPB(N,N-di(naphthalene-1-yl)- N,N-diphenyl-
benzidene)などで構成されている。このNPDの正孔輸
送層52における一定電圧印加時における正孔輸送層5
2の厚みとリーク電流の関係を図5に示す。このよう
に、正孔輸送層52の厚みを150nmを超えるよう
(好ましくは、170nm以上)にすることで、有機E
L素子における陽極、陰極間のリーク電流を少なくで
き、絶縁破壊を防止できることが分かる。
【0026】なお、リーク電流の防止の観点からは、正
孔輸送層52の厚みはいくら厚くてもよいが、有機EL
素子としての機能のためには、薄い方がよい。図5か
ら、厚み300nm以上としてもリーク電流防止の機能
にはあまり差がなく、300nm以下の方が効率的であ
る。また、正孔輸送層52を厚くするとそのだけ材料費
が高くなるという欠点もある。
孔輸送層52の厚みはいくら厚くてもよいが、有機EL
素子としての機能のためには、薄い方がよい。図5か
ら、厚み300nm以上としてもリーク電流防止の機能
にはあまり差がなく、300nm以下の方が効率的であ
る。また、正孔輸送層52を厚くするとそのだけ材料費
が高くなるという欠点もある。
【0027】また、この正孔輸送層52の厚みによって
透過光の干渉が影響を受ける。比較的波長の小さい青色
側の光において、正孔輸送層52の厚みが240nm程
度とした場合に、その透過が効率的になる。このため、
この240nmを中心として±20%程度の範囲は透過
率が比較的よい。そこで、この観点からも正孔輸送層5
2の厚みは300nm以下に設定することが好適であ
る。
透過光の干渉が影響を受ける。比較的波長の小さい青色
側の光において、正孔輸送層52の厚みが240nm程
度とした場合に、その透過が効率的になる。このため、
この240nmを中心として±20%程度の範囲は透過
率が比較的よい。そこで、この観点からも正孔輸送層5
2の厚みは300nm以下に設定することが好適であ
る。
【0028】ここで、有機ELパネルにおいては、画素
毎にRGBのいずれかを発光させるように、発光材料を
画素毎に変更するRGBタイプと、各画素の発光色は一
色(例えば白)として、カラーフィルタ等によって各画
素の色をRGBに変換するタイプがある。
毎にRGBのいずれかを発光させるように、発光材料を
画素毎に変更するRGBタイプと、各画素の発光色は一
色(例えば白)として、カラーフィルタ等によって各画
素の色をRGBに変換するタイプがある。
【0029】前者のRGBタイプの場合は、各色の発光
効率などを考慮すると、正孔輸送層52の厚みが180
nm〜190nm程度とするとパネルとして最も適切で
あることが分かった。また、白色に発光させるタイプ
は、オレンジ色の発光層と、緑色の発光層を積層し、両
発光層からの光により白色とするタイプが好適である。
この場合における正孔輸送層52の厚みは240nm±
20%程度が好適である。
効率などを考慮すると、正孔輸送層52の厚みが180
nm〜190nm程度とするとパネルとして最も適切で
あることが分かった。また、白色に発光させるタイプ
は、オレンジ色の発光層と、緑色の発光層を積層し、両
発光層からの光により白色とするタイプが好適である。
この場合における正孔輸送層52の厚みは240nm±
20%程度が好適である。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
正孔輸送層の厚みを150nmを超える(好ましくは1
70nm以上の)厚みとすることで、有機発光層にダス
トなどが混入し、正孔輸送層の上面に陰極が至った場合
においても、絶縁破壊を起こす危険がなく、有機EL素
子の欠陥発生を減少することができる。
正孔輸送層の厚みを150nmを超える(好ましくは1
70nm以上の)厚みとすることで、有機発光層にダス
トなどが混入し、正孔輸送層の上面に陰極が至った場合
においても、絶縁破壊を起こす危険がなく、有機EL素
子の欠陥発生を減少することができる。
【図1】 画素部分の構成を示す図である。
【図2】 ダストによる各層の構成を示す図である。
【図3】 ダストが存在する場合であって、正孔輸送層
が厚い場合の構成を示す図である。
が厚い場合の構成を示す図である。
【図4】 パターンがずれた場合の構成を示す図であ
る。
る。
【図5】 リーク電流の特性を示す図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 一対の電極間に、少なくとも有機発光層
と、正孔輸送層とを有する有機EL素子をマトリクス配
置した有機ELパネルであって、 前記正孔輸送層の厚みを150nmを超える大きさ、好
ましくは170nm以上とした有機ELパネル。 - 【請求項2】 請求項1に記載の有機ELパネルにおい
て、 前記正孔輸送層の厚みを170nm以上とした有機EL
パネル。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の有機ELパネ
ルにおいて、 前記正孔輸送層は、トリフェニルアミンの2量体系の化
合物であるNPDまたはNPBを正孔輸送材料として含
む。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれか1つに記載の有
機ELパネルにおいて、 有機EL素子の周辺部において、前記一対の電極が正孔
輸送層のみを介し対向する部分が存在する有機ELパネ
ル。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれか1つに記載の有
機ELパネルにおいて、 前記正孔輸送層の厚みは、300nm以下である有機E
Lパネル。 - 【請求項6】 一対の電極間に、少なくとも有機発光層
と、正孔輸送層とを有する有機EL素子をマトリクス配
置した有機ELパネルの製造方法であって、 前記有機EL素子の陽極を形成した後に、 全面に正孔輸送層を150nmを超える厚みで形成し、 形成された正孔輸送層の上にマスクを用いて有機EL素
子毎に区切って、有機発光層を形成する有機ELパネル
の製造方法。 - 【請求項7】 請求項6に記載の有機ELパネルの製造
方法において、 前記正孔輸送層の厚みを170nm以上とする有機EL
パネルの製造方法。 - 【請求項8】 請求項6または7に記載の有機ELパネ
ルの製造方法において、 前記正孔輸送層は、トリフェニルアミンの2量体系の化
合物であるNPDまたはNPBを正孔輸送材料として含
む。 - 【請求項9】 請求項6〜8のいずれか1つに記載の有
機ELパネルの製造方法において、 前記正孔輸送層の厚みは、300nm以下である有機E
Lパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003068428A JP2003338383A (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | 有機elパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002068751 | 2002-03-13 | ||
JP2002-68751 | 2002-03-13 | ||
JP2003068428A JP2003338383A (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | 有機elパネル及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003338383A true JP2003338383A (ja) | 2003-11-28 |
Family
ID=28449060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003068428A Withdrawn JP2003338383A (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | 有機elパネル及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040027063A1 (ja) |
JP (1) | JP2003338383A (ja) |
KR (1) | KR100542526B1 (ja) |
CN (1) | CN1447632A (ja) |
TW (1) | TW594617B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011009639A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el装置及びその製造方法 |
WO2014038559A1 (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-13 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7569849B2 (en) * | 2001-02-16 | 2009-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit |
CA2419704A1 (en) | 2003-02-24 | 2004-08-24 | Ignis Innovation Inc. | Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode |
CA2443206A1 (en) | 2003-09-23 | 2005-03-23 | Ignis Innovation Inc. | Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation |
CA2472671A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays |
JP2008518457A (ja) * | 2004-10-28 | 2008-05-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ルミネッセント電荷輸送層を備える発光ダイオード |
CA2490858A1 (en) | 2004-12-07 | 2006-06-07 | Ignis Innovation Inc. | Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays |
CA2495726A1 (en) | 2005-01-28 | 2006-07-28 | Ignis Innovation Inc. | Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays |
WO2007118332A1 (en) | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
US8283967B2 (en) | 2009-11-12 | 2012-10-09 | Ignis Innovation Inc. | Stable current source for system integration to display substrate |
US9606607B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-03-28 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
CN103688302B (zh) | 2011-05-17 | 2016-06-29 | 伊格尼斯创新公司 | 用于显示系统的使用动态功率控制的系统和方法 |
US8901579B2 (en) | 2011-08-03 | 2014-12-02 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
US9070775B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-06-30 | Ignis Innovations Inc. | Thin film transistor |
US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
US9385169B2 (en) | 2011-11-29 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
US9721505B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
WO2014140992A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Ignis Innovation Inc. | Dynamic adjustment of touch resolutions on an amoled display |
US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
US10997901B2 (en) | 2014-02-28 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Display system |
US10176752B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Integrated gate driver |
KR102343754B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2021-12-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
CA2872563A1 (en) | 2014-11-28 | 2016-05-28 | Ignis Innovation Inc. | High pixel density array architecture |
US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
CA2898282A1 (en) | 2015-07-24 | 2017-01-24 | Ignis Innovation Inc. | Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays |
CA2909813A1 (en) | 2015-10-26 | 2017-04-26 | Ignis Innovation Inc | High ppi pattern orientation |
US10586491B2 (en) | 2016-12-06 | 2020-03-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for mitigation of hysteresis |
US10714018B2 (en) | 2017-05-17 | 2020-07-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for loading image correction data for displays |
US11025899B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-06-01 | Ignis Innovation Inc. | Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices |
US10971078B2 (en) | 2018-02-12 | 2021-04-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel measurement through data line |
US11211587B2 (en) * | 2018-07-30 | 2021-12-28 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with structured electrode |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5294869A (en) * | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
JP2797883B2 (ja) * | 1993-03-18 | 1998-09-17 | 株式会社日立製作所 | 多色発光素子とその基板 |
JP2760347B2 (ja) * | 1996-09-27 | 1998-05-28 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜電界発光素子およびその製造方法 |
JPH1140365A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Tdk Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
US6075316A (en) * | 1997-12-15 | 2000-06-13 | Motorola, Inc. | Full color organic electroluminescent display device and method of fabrication |
DE69941200D1 (de) * | 1998-01-09 | 2009-09-17 | Sony Corp | Elektrolumineszente Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
TW439387B (en) * | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
JP4001692B2 (ja) * | 1999-02-18 | 2007-10-31 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
JP4136185B2 (ja) * | 1999-05-12 | 2008-08-20 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法 |
US6469439B2 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an organic electroluminescent device |
JP4497596B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2010-07-07 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP2001109395A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
JP3670941B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2005-07-13 | 三洋電機株式会社 | アクティブマトリクス型自発光表示装置及びアクティブマトリクス型有機el表示装置 |
JP4026336B2 (ja) * | 2000-08-11 | 2007-12-26 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置の製造方法 |
US6606110B2 (en) * | 2000-12-27 | 2003-08-12 | Polaroid Corporation | Integral organic light emitting diode printhead |
TW591564B (en) * | 2002-04-24 | 2004-06-11 | Sanyo Electric Co | Display device |
-
2003
- 2003-03-03 TW TW092104364A patent/TW594617B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-12 US US10/386,818 patent/US20040027063A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-12 CN CN03119457A patent/CN1447632A/zh active Pending
- 2003-03-12 KR KR1020030015378A patent/KR100542526B1/ko active IP Right Grant
- 2003-03-13 JP JP2003068428A patent/JP2003338383A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011009639A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el装置及びその製造方法 |
US8357997B2 (en) | 2009-06-29 | 2013-01-22 | Japan Display Central Inc. | Organic EL device and manufacturing method thereof |
WO2014038559A1 (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-13 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
EP2894942A4 (en) * | 2012-09-04 | 2015-10-07 | Mitsubishi Chem Corp | ORGANIC ELECTROLUMINESCENZING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
JPWO2014038559A1 (ja) * | 2012-09-04 | 2016-08-12 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100542526B1 (ko) | 2006-01-11 |
US20040027063A1 (en) | 2004-02-12 |
TW594617B (en) | 2004-06-21 |
CN1447632A (zh) | 2003-10-08 |
KR20030074383A (ko) | 2003-09-19 |
TW200306507A (en) | 2003-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003338383A (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
KR100484591B1 (ko) | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 | |
US7205715B2 (en) | Active matrix organic electroluminescent display device and method of fabricating the same | |
JP2004046154A (ja) | アクティブ・マトリクス有機電界発光素子及びその製造方法 | |
KR20180013377A (ko) | 표시장치 | |
JP4411288B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4640690B2 (ja) | アクティブマトリクス有機el表示装置の製造方法 | |
JPH10172762A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置 | |
JP2006147555A (ja) | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 | |
JP2009111023A (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
KR20060023180A (ko) | 유기 el 패널 및 그 제조 방법 | |
KR20110035049A (ko) | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 | |
JP2004282066A (ja) | 薄膜トランジスタ及びこれを具備した平板表示素子 | |
JP2004079512A (ja) | 有機elパネルおよびその製造方法 | |
JP2004288624A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP2002252088A (ja) | 発光体、発光素子部、およびそれを用いた発光表示装置 | |
JP2005158708A (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
JP4596582B2 (ja) | 表示装置 | |
CN100435379C (zh) | 电致发光显示装置 | |
WO2003075615A1 (fr) | Affichage a electroluminescence organique et procede de fabrication correspondant | |
KR101978779B1 (ko) | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
US20060226769A1 (en) | Display device | |
WO2004049286A1 (ja) | 有機el表示パネル | |
KR20020043324A (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR101373491B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060303 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060825 |