JP2003338383A - 有機ｅｌパネル及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌパネル及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 点欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】 正孔輸送層５２の厚みを１５０ｎｍを超
える値、好ましくは１７０ｎｍ以上とした。従って、有
機発光層５４の形成の際にダストが混入し、陰極の一部
が正孔輸送層５２の表面に位置した場合においても、正
孔輸送層５２が絶縁破壊することを防止でき、点欠陥の
発生を抑制できる
える値、好ましくは１７０ｎｍ以上とした。従って、有
機発光層５４の形成の際にダストが混入し、陰極の一部
が正孔輸送層５２の表面に位置した場合においても、正
孔輸送層５２が絶縁破壊することを防止でき、点欠陥の
発生を抑制できる
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極間に、
少なくとも有機発光層と、正孔輸送層とを有する有機Ｅ
Ｌ素子をマトリクス配置した有機ＥＬパネルに関する。
少なくとも有機発光層と、正孔輸送層とを有する有機Ｅ
Ｌ素子をマトリクス配置した有機ＥＬパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、フラットディスプレイパネル
の１つとして、有機ＥＬディスプレイパネルが知られて
いる。この有機ＥＬディスプレイパネルは、液晶ディス
プレイパネル（ＬＣＤ）とは異なり、自発光であり、明
るく見やすいフラットディスプレイパネルとしてその普
及が期待されている。
の１つとして、有機ＥＬディスプレイパネルが知られて
いる。この有機ＥＬディスプレイパネルは、液晶ディス
プレイパネル（ＬＣＤ）とは異なり、自発光であり、明
るく見やすいフラットディスプレイパネルとしてその普
及が期待されている。
【０００３】この有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素
子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構
成される。有機ＥＬ素子は、ＩＴＯなどで構成された陽
極上に正孔輸送層、有機発光層、アルミなどの陰極を積
層した構造を有している。なお、有機発光層と陰極との
間に電子輸送層を配置する場合も多い。
子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構
成される。有機ＥＬ素子は、ＩＴＯなどで構成された陽
極上に正孔輸送層、有機発光層、アルミなどの陰極を積
層した構造を有している。なお、有機発光層と陰極との
間に電子輸送層を配置する場合も多い。
【０００４】ここで、陽極および有機発光層は画素毎の
発光領域にのみ存在するようにパターニングするが、正
孔輸送層および陰極はマスクを使用せず表示領域の全面
に形成する。陽極は、画素毎に電流を流すために必然的
に離れて形成され、また有機発光層は発光色が異なる場
合には別々に形成することが必要であり、また画素間で
発光させずに画素毎の区切りを明確にするためである。
一方、マスクなどを使用しない方がプロセス的にも楽で
あり、正孔輸送層、陰極は全面に形成する。また、陰極
は、有機ＥＬ素子を上方空間から分離する役割もある。
発光領域にのみ存在するようにパターニングするが、正
孔輸送層および陰極はマスクを使用せず表示領域の全面
に形成する。陽極は、画素毎に電流を流すために必然的
に離れて形成され、また有機発光層は発光色が異なる場
合には別々に形成することが必要であり、また画素間で
発光させずに画素毎の区切りを明確にするためである。
一方、マスクなどを使用しない方がプロセス的にも楽で
あり、正孔輸送層、陰極は全面に形成する。また、陰極
は、有機ＥＬ素子を上方空間から分離する役割もある。
【０００５】このようにして、有機ＥＬパネルが形成さ
れ、これによって表示が行われる。
れ、これによって表示が行われる。
【０００６】ここで、製造された有機ＥＬパネルの試験
を行うと、所望の発光がなされない欠陥画素が存在す
る。この欠陥には、電流供給を制御するＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）に欠陥があったり、有機ＥＬ素子自体に問
題があったりする場合がある。
を行うと、所望の発光がなされない欠陥画素が存在す
る。この欠陥には、電流供給を制御するＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）に欠陥があったり、有機ＥＬ素子自体に問
題があったりする場合がある。
【０００７】欠陥画素には、常時発光してしまう輝点欠
陥画素と、発光しないダークスポットがあり、有機ＥＬ
素子について問題がある場合には、通常ダークスポット
となる。
陥画素と、発光しないダークスポットがあり、有機ＥＬ
素子について問題がある場合には、通常ダークスポット
となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この有機ＥＬ素子の欠
陥について、検討した結果、製造中に有機発光層にダス
トが混入し、これが原因になっている場合があることを
発見した。すなわち、上述のように、発光層は画素毎の
個別のパターンとする必要があり（電子輸送層も有機発
光層と同一のパターンとする場合も多い）、この有機発
光層のパターン形成のためには蒸着源の前にマスクを配
置して蒸着を行う。そして、このマスクの使用が蒸着環
境にダストを持ち込み有機発光層にダストが混入する。
陥について、検討した結果、製造中に有機発光層にダス
トが混入し、これが原因になっている場合があることを
発見した。すなわち、上述のように、発光層は画素毎の
個別のパターンとする必要があり（電子輸送層も有機発
光層と同一のパターンとする場合も多い）、この有機発
光層のパターン形成のためには蒸着源の前にマスクを配
置して蒸着を行う。そして、このマスクの使用が蒸着環
境にダストを持ち込み有機発光層にダストが混入する。
【０００９】このようにして、有機発光層の形成時にダ
ストが混入すると、このダストは正孔輸送層上にのる。
そして、このダストが存在すると、有機発光層（さらに
電子輸送層を含んだ有機層）は薄いため、ダストをカバ
ーすることができず、陰極がダストの周囲で直接正孔輸
送層に接触してしまい、これによって陰極と陽極と正孔
輸送層を介して直接位置することになり、陰極陽極間が
狭くなってしまう。そこで、その部分にリーク電流が流
れ、発光しない画素が生じる。
ストが混入すると、このダストは正孔輸送層上にのる。
そして、このダストが存在すると、有機発光層（さらに
電子輸送層を含んだ有機層）は薄いため、ダストをカバ
ーすることができず、陰極がダストの周囲で直接正孔輸
送層に接触してしまい、これによって陰極と陽極と正孔
輸送層を介して直接位置することになり、陰極陽極間が
狭くなってしまう。そこで、その部分にリーク電流が流
れ、発光しない画素が生じる。
【００１０】本発明は、ダークスポットの発生を効果的
に防止できる有機ＥＬパネルの製造に関する。
に防止できる有機ＥＬパネルの製造に関する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、正孔輸送層の
厚みを１５０ｎｍを超える（好ましくは１７０ｎｍ以上
の）厚みとする。
厚みを１５０ｎｍを超える（好ましくは１７０ｎｍ以上
の）厚みとする。
【００１２】これによって、有機発光層にダストなどが
混入し、正孔輸送層の上面に陰極が至った場合において
も、絶縁破壊を起こす危険がなく、有機ＥＬ素子の欠陥
発生を減少することができる。
混入し、正孔輸送層の上面に陰極が至った場合において
も、絶縁破壊を起こす危険がなく、有機ＥＬ素子の欠陥
発生を減少することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面に基づいて説明する。
て、図面に基づいて説明する。
【００１４】図１に、画素の構成について示す。ここ
で、アクティブマトリクス型の素子基板には、１画素に
２つのＴＦＴと、１つの容量、１つの有機ＥＬ素子ＥＬ
が形成されるが、この図においては、駆動ＴＦＴ４０
と、有機ＥＬ素子ＥＬのみを示している。
で、アクティブマトリクス型の素子基板には、１画素に
２つのＴＦＴと、１つの容量、１つの有機ＥＬ素子ＥＬ
が形成されるが、この図においては、駆動ＴＦＴ４０
と、有機ＥＬ素子ＥＬのみを示している。
【００１５】図において、素子基板は、ガラス基板３０
上に形成された駆動ＴＦＴ４０を有している。この駆動
ＴＦＴ４０と有機ＥＬ素子ＥＬの構成を示す。このよう
に、駆動ＴＦＴ４０はガラス基板３０上に形成され、こ
の駆動ＴＦＴ４０は、低温ポリシリコンで形成されてい
る能動層４０ａを有している。この能動層４０ａは、両
端が不純物がドープされたソース領域、ドレイン領域と
なっており、これらに挟まれた中央部がチャネル領域と
なっている。このチャネル領域の上部には酸化シリコン
からなるゲート絶縁膜４０ｂを介しゲート電極４０ｃが
形成されている。ゲート絶縁膜４０ｂおよびゲート電極
４０ｃは、層間絶縁膜３４に覆われており、ゲート電極
４０ｃの両側には、層間絶縁膜３４のコンタクトホール
を介しソース領域およびドレイン領域に接続されるソー
ス電極４０ｄ、ドレイン電極４０ｅが形成されている。
そして、ソース電極３２ｄ、ドレイン電極３２ｅの上端
が層間絶縁膜３４の表面に位置している。
上に形成された駆動ＴＦＴ４０を有している。この駆動
ＴＦＴ４０と有機ＥＬ素子ＥＬの構成を示す。このよう
に、駆動ＴＦＴ４０はガラス基板３０上に形成され、こ
の駆動ＴＦＴ４０は、低温ポリシリコンで形成されてい
る能動層４０ａを有している。この能動層４０ａは、両
端が不純物がドープされたソース領域、ドレイン領域と
なっており、これらに挟まれた中央部がチャネル領域と
なっている。このチャネル領域の上部には酸化シリコン
からなるゲート絶縁膜４０ｂを介しゲート電極４０ｃが
形成されている。ゲート絶縁膜４０ｂおよびゲート電極
４０ｃは、層間絶縁膜３４に覆われており、ゲート電極
４０ｃの両側には、層間絶縁膜３４のコンタクトホール
を介しソース領域およびドレイン領域に接続されるソー
ス電極４０ｄ、ドレイン電極４０ｅが形成されている。
そして、ソース電極３２ｄ、ドレイン電極３２ｅの上端
が層間絶縁膜３４の表面に位置している。
【００１６】また、層間絶縁膜３４の表面上には、ドレ
イン電極４０ｅと電源ラインＶＬを接続するメタル配線
等が配置される。さらに、この層間絶縁膜３４を覆っ
て、第１平坦化膜３６が形成されている。
イン電極４０ｅと電源ラインＶＬを接続するメタル配線
等が配置される。さらに、この層間絶縁膜３４を覆っ
て、第１平坦化膜３６が形成されている。
【００１７】そして、第１平坦化膜３６の上面には、Ｉ
ＴＯから構成される透明電極５０が形成され、この一端
が第１平坦化膜３６のコンタクトホールを介し駆動ＴＦ
Ｔ４０のソース電極４０ｄに接続されている。
ＴＯから構成される透明電極５０が形成され、この一端
が第１平坦化膜３６のコンタクトホールを介し駆動ＴＦ
Ｔ４０のソース電極４０ｄに接続されている。
【００１８】また、この透明電極５０は、有機ＥＬ素子
の陽極を構成し、この透明電極５０上には、正孔輸送層
５２、有機発光層５４、電子輸送層５６を介し、金属製
の陰極５８が形成されている。なお、透明電極５０の周
辺および側方には第２平坦化膜６０が配置されている。
また、有機発光層５４は、形成の際の位置ずれに対応す
るため透明電極５０より大きいが、画素領域内にのみ存
在するように、第２平坦化膜６０上にまで延びるが、す
ぐに終端している。一方、有機発光層５４以外の正孔輸
送層５２、電子輸送層５６は、全面に広がって形成され
ている。ただし、電子輸送層５６は、Ａｌｑ３など発光
する材料を含む場合もあり、電子輸送層５６も有機発光
層５４と同様に発光部のみに限定して形成する場合も多
い。
の陽極を構成し、この透明電極５０上には、正孔輸送層
５２、有機発光層５４、電子輸送層５６を介し、金属製
の陰極５８が形成されている。なお、透明電極５０の周
辺および側方には第２平坦化膜６０が配置されている。
また、有機発光層５４は、形成の際の位置ずれに対応す
るため透明電極５０より大きいが、画素領域内にのみ存
在するように、第２平坦化膜６０上にまで延びるが、す
ぐに終端している。一方、有機発光層５４以外の正孔輸
送層５２、電子輸送層５６は、全面に広がって形成され
ている。ただし、電子輸送層５６は、Ａｌｑ３など発光
する材料を含む場合もあり、電子輸送層５６も有機発光
層５４と同様に発光部のみに限定して形成する場合も多
い。
【００１９】このような構成において、有機発光層５４
は、画素毎にパターニングして形成する。このパターニ
ングは、真空蒸着における蒸発物をマスクを用いて、規
制することによって行う。このようなマスクには、ダス
トがつきやすく、特に０．３μｍ程度以下のダストは、
その混入を完全に防止することは難しい。
は、画素毎にパターニングして形成する。このパターニ
ングは、真空蒸着における蒸発物をマスクを用いて、規
制することによって行う。このようなマスクには、ダス
トがつきやすく、特に０．３μｍ程度以下のダストは、
その混入を完全に防止することは難しい。
【００２０】そして、有機発光層５４の形成時におい
て、このようなダストが混入すると、図２に示すよう
に、そのダストによって、有機発光層５４が分断され
る。そして、その後、電子輸送層５６、陰極５８を順に
形成したときにも、ダストの周りには、不連続な部分が
発生してしまい、陰極の一部が正孔輸送層５２に直接接
する場所も生じてしまう。
て、このようなダストが混入すると、図２に示すよう
に、そのダストによって、有機発光層５４が分断され
る。そして、その後、電子輸送層５６、陰極５８を順に
形成したときにも、ダストの周りには、不連続な部分が
発生してしまい、陰極の一部が正孔輸送層５２に直接接
する場所も生じてしまう。
【００２１】このような状態の有機ＥＬ素子では、最大
電圧印加時においては、その電圧（例えば、１２Ｖ）が
正孔輸送層５２に印加され、通常の場合には正孔輸送層
５２が絶縁破壊を起こし、その部分で短絡してしまい、
欠陥画素になってしまう。そして、このような変質が起
こると、これによって、正孔輸送層５２の表面における
変質が広がり、周りの画素にまで影響が及びやすくな
る。
電圧印加時においては、その電圧（例えば、１２Ｖ）が
正孔輸送層５２に印加され、通常の場合には正孔輸送層
５２が絶縁破壊を起こし、その部分で短絡してしまい、
欠陥画素になってしまう。そして、このような変質が起
こると、これによって、正孔輸送層５２の表面における
変質が広がり、周りの画素にまで影響が及びやすくな
る。
【００２２】ところが、本実施形態では、図３に示すよ
うに、この正孔輸送層５２の厚みが１５０ｎｍを超える
よう（好ましくは１７０ｎｍ以上）に設定されており、
厚くなっている。そこで、１２Ｖの印加では、正孔輸送
層５２が、絶縁破壊を起こさない。従って、ダストが混
入した場合においても、正孔輸送層５２が破壊されるこ
とがなく、上述のような欠点発生を防止することができ
る。
うに、この正孔輸送層５２の厚みが１５０ｎｍを超える
よう（好ましくは１７０ｎｍ以上）に設定されており、
厚くなっている。そこで、１２Ｖの印加では、正孔輸送
層５２が、絶縁破壊を起こさない。従って、ダストが混
入した場合においても、正孔輸送層５２が破壊されるこ
とがなく、上述のような欠点発生を防止することができ
る。
【００２３】また、図４に示すように、有機発光層５４
の形成位置がずれた場合には、透明電極５０上であって
も、有機発光層５４が存在しない場合も生じる。このよ
うな場合にも、正孔輸送層５２に大きな電圧がかかる
が、本実施形態によれば、正孔輸送層５２が比較的厚い
ため、絶縁破壊を起こすおそれがない。なお、図におい
ては、電子輸送層５６も有機発光層５４と同様に画素に
対応してパターニングしている。
の形成位置がずれた場合には、透明電極５０上であって
も、有機発光層５４が存在しない場合も生じる。このよ
うな場合にも、正孔輸送層５２に大きな電圧がかかる
が、本実施形態によれば、正孔輸送層５２が比較的厚い
ため、絶縁破壊を起こすおそれがない。なお、図におい
ては、電子輸送層５６も有機発光層５４と同様に画素に
対応してパターニングしている。
【００２４】また、電子輸送層５６は、存在しない場合
もあり、また電子輸送層５６には、Ａｌｑ３などの発光
機能を有するものが用いられる場合もあり、電子輸送層
５６は有機発光層５４と同じようにマスクを用いてパタ
ーニングされる場合も多く、このような場合に正孔輸送
層５２を介し陽極５０と陰極５８が向き合う場合が発生
しやすい。この場合には正孔輸送層５２の両側に電圧が
そのままかかる。
もあり、また電子輸送層５６には、Ａｌｑ３などの発光
機能を有するものが用いられる場合もあり、電子輸送層
５６は有機発光層５４と同じようにマスクを用いてパタ
ーニングされる場合も多く、このような場合に正孔輸送
層５２を介し陽極５０と陰極５８が向き合う場合が発生
しやすい。この場合には正孔輸送層５２の両側に電圧が
そのままかかる。
【００２５】ここで、本実施形態では、正孔輸送層５２
は、トリフェニルアミンの２量体系化合物であるＮＰＤ
や、ＮＰＢ(N,N-di(naphthalene-1-yl)- N,N-diphenyl-
benzidene)などで構成されている。このＮＰＤの正孔輸
送層５２における一定電圧印加時における正孔輸送層５
２の厚みとリーク電流の関係を図５に示す。このよう
に、正孔輸送層５２の厚みを１５０ｎｍを超えるよう
（好ましくは、１７０ｎｍ以上）にすることで、有機Ｅ
Ｌ素子における陽極、陰極間のリーク電流を少なくで
き、絶縁破壊を防止できることが分かる。
は、トリフェニルアミンの２量体系化合物であるＮＰＤ
や、ＮＰＢ(N,N-di(naphthalene-1-yl)- N,N-diphenyl-
benzidene)などで構成されている。このＮＰＤの正孔輸
送層５２における一定電圧印加時における正孔輸送層５
２の厚みとリーク電流の関係を図５に示す。このよう
に、正孔輸送層５２の厚みを１５０ｎｍを超えるよう
（好ましくは、１７０ｎｍ以上）にすることで、有機Ｅ
Ｌ素子における陽極、陰極間のリーク電流を少なくで
き、絶縁破壊を防止できることが分かる。
【００２６】なお、リーク電流の防止の観点からは、正
孔輸送層５２の厚みはいくら厚くてもよいが、有機ＥＬ
素子としての機能のためには、薄い方がよい。図５か
ら、厚み３００ｎｍ以上としてもリーク電流防止の機能
にはあまり差がなく、３００ｎｍ以下の方が効率的であ
る。また、正孔輸送層５２を厚くするとそのだけ材料費
が高くなるという欠点もある。
孔輸送層５２の厚みはいくら厚くてもよいが、有機ＥＬ
素子としての機能のためには、薄い方がよい。図５か
ら、厚み３００ｎｍ以上としてもリーク電流防止の機能
にはあまり差がなく、３００ｎｍ以下の方が効率的であ
る。また、正孔輸送層５２を厚くするとそのだけ材料費
が高くなるという欠点もある。
【００２７】また、この正孔輸送層５２の厚みによって
透過光の干渉が影響を受ける。比較的波長の小さい青色
側の光において、正孔輸送層５２の厚みが２４０ｎｍ程
度とした場合に、その透過が効率的になる。このため、
この２４０ｎｍを中心として±２０％程度の範囲は透過
率が比較的よい。そこで、この観点からも正孔輸送層５
２の厚みは３００ｎｍ以下に設定することが好適であ
る。
透過光の干渉が影響を受ける。比較的波長の小さい青色
側の光において、正孔輸送層５２の厚みが２４０ｎｍ程
度とした場合に、その透過が効率的になる。このため、
この２４０ｎｍを中心として±２０％程度の範囲は透過
率が比較的よい。そこで、この観点からも正孔輸送層５
２の厚みは３００ｎｍ以下に設定することが好適であ
る。
【００２８】ここで、有機ＥＬパネルにおいては、画素
毎にＲＧＢのいずれかを発光させるように、発光材料を
画素毎に変更するＲＧＢタイプと、各画素の発光色は一
色（例えば白）として、カラーフィルタ等によって各画
素の色をＲＧＢに変換するタイプがある。
毎にＲＧＢのいずれかを発光させるように、発光材料を
画素毎に変更するＲＧＢタイプと、各画素の発光色は一
色（例えば白）として、カラーフィルタ等によって各画
素の色をＲＧＢに変換するタイプがある。
【００２９】前者のＲＧＢタイプの場合は、各色の発光
効率などを考慮すると、正孔輸送層５２の厚みが１８０
ｎｍ〜１９０ｎｍ程度とするとパネルとして最も適切で
あることが分かった。また、白色に発光させるタイプ
は、オレンジ色の発光層と、緑色の発光層を積層し、両
発光層からの光により白色とするタイプが好適である。
この場合における正孔輸送層５２の厚みは２４０ｎｍ±
２０％程度が好適である。
効率などを考慮すると、正孔輸送層５２の厚みが１８０
ｎｍ〜１９０ｎｍ程度とするとパネルとして最も適切で
あることが分かった。また、白色に発光させるタイプ
は、オレンジ色の発光層と、緑色の発光層を積層し、両
発光層からの光により白色とするタイプが好適である。
この場合における正孔輸送層５２の厚みは２４０ｎｍ±
２０％程度が好適である。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
正孔輸送層の厚みを１５０ｎｍを超える（好ましくは１
７０ｎｍ以上の）厚みとすることで、有機発光層にダス
トなどが混入し、正孔輸送層の上面に陰極が至った場合
においても、絶縁破壊を起こす危険がなく、有機ＥＬ素
子の欠陥発生を減少することができる。
正孔輸送層の厚みを１５０ｎｍを超える（好ましくは１
７０ｎｍ以上の）厚みとすることで、有機発光層にダス
トなどが混入し、正孔輸送層の上面に陰極が至った場合
においても、絶縁破壊を起こす危険がなく、有機ＥＬ素
子の欠陥発生を減少することができる。
【図１】 画素部分の構成を示す図である。
【図２】 ダストによる各層の構成を示す図である。
【図３】 ダストが存在する場合であって、正孔輸送層
が厚い場合の構成を示す図である。
が厚い場合の構成を示す図である。
【図４】 パターンがずれた場合の構成を示す図であ
る。
る。
【図５】 リーク電流の特性を示す図である。
Claims (9)
- 【請求項１】 一対の電極間に、少なくとも有機発光層
と、正孔輸送層とを有する有機ＥＬ素子をマトリクス配
置した有機ＥＬパネルであって、 前記正孔輸送層の厚みを１５０ｎｍを超える大きさ、好
ましくは１７０ｎｍ以上とした有機ＥＬパネル。 - 【請求項２】 請求項１に記載の有機ＥＬパネルにおい
て、 前記正孔輸送層の厚みを１７０ｎｍ以上とした有機ＥＬ
パネル。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の有機ＥＬパネ
ルにおいて、 前記正孔輸送層は、トリフェニルアミンの２量体系の化
合物であるＮＰＤまたはＮＰＢを正孔輸送材料として含
む。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１つに記載の有
機ＥＬパネルにおいて、 有機ＥＬ素子の周辺部において、前記一対の電極が正孔
輸送層のみを介し対向する部分が存在する有機ＥＬパネ
ル。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１つに記載の有
機ＥＬパネルにおいて、 前記正孔輸送層の厚みは、３００ｎｍ以下である有機Ｅ
Ｌパネル。 - 【請求項６】 一対の電極間に、少なくとも有機発光層
と、正孔輸送層とを有する有機ＥＬ素子をマトリクス配
置した有機ＥＬパネルの製造方法であって、 前記有機ＥＬ素子の陽極を形成した後に、 全面に正孔輸送層を１５０ｎｍを超える厚みで形成し、 形成された正孔輸送層の上にマスクを用いて有機ＥＬ素
子毎に区切って、有機発光層を形成する有機ＥＬパネル
の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の有機ＥＬパネルの製造
方法において、 前記正孔輸送層の厚みを１７０ｎｍ以上とする有機ＥＬ
パネルの製造方法。 - 【請求項８】 請求項６または７に記載の有機ＥＬパネ
ルの製造方法において、 前記正孔輸送層は、トリフェニルアミンの２量体系の化
合物であるＮＰＤまたはＮＰＢを正孔輸送材料として含
む。 - 【請求項９】 請求項６〜８のいずれか１つに記載の有
機ＥＬパネルの製造方法において、 前記正孔輸送層の厚みは、３００ｎｍ以下である有機Ｅ
Ｌパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2003068428A JP2003338383A (ja) | 2002-03-13 | 2003-03-13 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2002068751 | 2002-03-13 | ||
| JP2002-68751 | 2002-03-13 | ||
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003338383A true JP2003338383A (ja) | 2003-11-28 |
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ID=28449060
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-
2003
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- 2003-03-12 US US10/386,818 patent/US20040027063A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-12 CN CN03119457A patent/CN1447632A/zh active Pending
- 2003-03-12 KR KR1020030015378A patent/KR100542526B1/ko active IP Right Grant
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