CN1714378A - 有机el显示屏 - Google Patents
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Abstract
有机EL显示屏包括基板、像素电极、公共电极、信号线、电源线、薄膜晶体管、扫描线、有机EL元件和存储电容器。为通过有机EL元件的光发射得到全彩色图像，与像素电极对应构成红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体的图形，并依此次序沿栅极线方向配置。构成发射体图形使沿栅极线方向的互相相邻的每组红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体在沿栅极线方向配置的相邻有机EL元件之间互相交迭，限定一光发射层交迭区，有机EL元件发出并通过该发射体的光分量的彩色可在这里混合。薄膜晶体管和存储电容器的至少一个配置在所述光发射层交迭区中。
Description
技术领域
本发明涉及有机EL显示屏。
背景技术
作为能高质量显示和代替液晶显示屏的的显示屏，采用有机EL(电致发光)元件的有机EL显示屏受到极大的关注。
有机EL显示屏分为无源显示屏和有源显示屏，前者具有一无源矩阵结构，其中发光的有机EL元件位于阳极和阴极的交点上，后者利用薄膜晶体管(TFT)控制加到有机EL元件上的直流电流。
下面说明传统的有源有机EL显示屏。在该有机EL显示屏中，每个包括有机EL元件的单元像素在显示图像的显示区中布成矩阵形。图10A是该有机EL显示屏中单元像素200的平面图。图10B是单元像素200的等效电路。
单元像素200包括有机EL元件1，存储电容器2，EL驱动TFT 3，及开关TFT 4。电源线5和信号线7沿显示区中垂直方向配置。扫描线6沿水平方向配置。电源线5、信号线7和扫描线6以规定的间隔配置在显示区中。
参看图10A和10B，有机EL元件1通过EL驱动TFT 3连接到电流线5。从电流线5通过EL驱动TFT 3对有机EL元件1供给电源电压。从信号线7通过开关TFT 4对EL驱动TFT 3的栅极供给信号电压。从扫描线6对开关TFT4的栅极供给控制电压。
图11是沿10A所示的有机EL元件1中的A-A′线的截面图。有机EL元件1包括空穴传输层13、光发射层14和电子传输层15。有机EL元件1配置在像素电极12和公共电极16之间。由ITO(铟锡氧化物)薄膜制成的像素电极12形成玻璃基板上且在显示区上延伸。由金属制成的空穴传输层13、光发射层14、电子传输层15和公共电极16依此次序形成在像素电极12上。当对此结构加上直流电流时，从像素电极12发射空穴，从公共电极16发射电子。空穴和电子在光发射层14中复合，并激发光发射层14中的有机分子。因此，光沿图11中的箭头方向射出。
参看图10A，存储电容器2包括电极2a和对着电极2a的电极2b。电极2a连接到电源线5。电极2b连接到开关TFT 4的漏极。当电荷存储于电极2a和电极2b之间时，就设定了使有机机元件发光所需的电流量。
在有机EL显示屏中由存储电容器2、EL驱动TFT 3和开关TFT 4所占的区域不发射光。如图10A所示，如果单元像素200中存储电容器2、EL驱动TFT 3和开关TFT 4所占的区域大，则发光的有机EL元件1的面积比率就小。即，孔径率(有机EL元件1的面积与显示区的面积比)下降。孔径率低时，为保持亮度必须增加每单元像素200的亮度。这是一个缩短有机EL元件1的寿命因而缩短有机机显示屏的寿命的影响因素。
日本专利申请公开公告第2000-397475号(第6页，图2)(专利参考文献1)揭示一种有机EL显示屏，其中薄膜晶体管和存储电容器可重叠在显示区的光发射表面侧上，以增加孔径率和延长寿命。
根据专利文献1中所述的技术，薄膜晶体管所占的面积肯定不是会引起低孔径率。但有较大面积的存储电容器仍然将孔径率抑制得很低。延长有机EL显示屏寿命的效果不充分。
本发明为解决这个问题，其目的在于提供有长寿命的有机EL显示屏。
(专利文献1)日本专利申请公开公告第2000-297475号(第6页，图2)
发明内容
根据本发明的一种有机EL显示屏，其特征在于，包括：基板；在基板上配置成矩阵形的像素电极；面向像素电极并覆盖基板整个表面的公共电极；对像素电极施加信号电压的信号线，所述信号线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；对像素电极施加电源电压的电源线，所述电源线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；对像素电极实施电源电压施加的通/断控制的薄膜晶体管；对薄膜晶体管施加通/断控制的控制电压的扫描线，所述扫描线沿栅极线方向延伸并以预定间隔配置；配置在像素电极和公共电极之间并当信号电压加到像素电极和公共电极之间时发光的有机EL元件；以及设定为使有机EL元件发光所需电流量的存储电容器，其中，为通过有机EL元件的光发射得到全彩色图像，与像素电极对应构成红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体图形，并依此次序沿栅极线方向配置，其中构成发射体图形使沿栅极线方向的互相相邻的每组红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体在沿栅极线方向配置的相邻有机EL元件之间互相交迭，限定一光发射层交迭区，有机EL元件发出并通过该发射体的光分量的彩色可在这里混合，以及薄膜晶体管和存储电容器的至少一个配置在所述光发射层交迭区中。
根据本发明另一种有机EL显示屏，其特征在于，包括：基板；在基板上配置成矩阵形的像素电极；面向像素电极并覆盖基板整个表面的公共电极；对像素电极施加信号电压的信号线，所述信号线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；对像素电极施加电源电压的电源线，所述电源线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；对像素电极实施电源电压施加的通/断控制的薄膜晶体管；对薄膜晶体管施加通/断控制的控制电压的扫描线，所述扫描线沿栅极线方向延伸并以预定间隔配置；配置在像素电极和公共电极之间并当信号电压加到像素电极和公共电极之间时发光的有机EL元件；以及设定为使有机EL元件发光所需电流量的存储电容器，其中，配置每个有机EL元件至少一条所述信号线、所述电源线和所述扫描线相互交迭，以及其中，在相邻像素电极之间沿非孔径区的长边方向配置至少一个薄膜晶体管和存储电容器。
根据本发明又一种有机EL显示屏，其特征在于，包括：基板；在基板上配置成矩阵形的像素电极；面向像素电极并覆盖基板整个表面的公共电极；对像素电极施加信号电压的信号线，所述信号线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；对像素电极施加电源电压的电源线，所述电源线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；对像素电极实施电源电压施加的通/断控制的薄膜晶体管；对薄膜晶体管施加通/断控制的控制电压的扫描线，所述扫描线沿栅极线方向延伸并以预定间隔配置；配置在像素电极和公共电极之间并当信号电压加到像素电极和公共电极之间时发光的有机EL元件；以及设定为使有机EL元件发光所需电流量的存储电容器，其中，为通过有机EL元件的光发射得到全彩色图像，与像素电极对应地构成红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体图形，并依此次序沿栅极线方向配置，其中构成发射体图形使沿栅极线方向的互相相邻的每组红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体在沿栅极线方向配置的相邻有机EL元件之间互相交迭，以沿垂直方向延伸的矩形限定一光发射层交迭区，有机EL元件发出并通过该发射体的光分量的彩色可这里混合，以及至少一个薄膜晶体管和存储电容器配置在所述光发射层交迭区中，以及其中，配置每个有机EL元件与至少一条所述信号线、所述电源线和所述扫描线相交迭。
附图说明
图1A是根据一实施例的有机EL显示屏的单元像素结构的平面图，图1B是单元像素的等效电路图；
图2是根据所述实施例形成于单元像素中的有机EL元件结构的截面图；
图3是形成于图1A所示的单元像素中的存储电容器结构的截面图；
图4A-4F是根据所述实施例制造有机EL显示屏的步骤的截面图，其中，4A是在玻璃基板上形成像素电极步骤的截面图，图4B是在玻璃基板上形成覆盖像素电极的空穴传输层步骤的截面图，图4C是在空穴传输层上形成R发射体(光发射层和电子传输层)步骤的截面图，图4D是在空穴传输层上形成G发射体步骤的截面图，图4E是在空穴传输层上形成B发射体步骤的截面图，图4F是在发射体上形成公共电极图形步骤的截面图；
图5A-5G是根据所述实施例形成在有机EL显示屏的单元像素中的存储电容器工艺的截面图，其中，图5A是在玻璃基板上形成电极步骤的截面图，图5B是掺杂电极以形成p型电极步骤的截面图，图5C是在玻璃基板上形成覆盖电极的栅极绝缘体步骤的截面图，图5D是在栅极绝缘体上形成电极步骤的截面图，图5E是在栅极绝缘体上形成覆盖电极的中间层电介质薄膜步骤的截面图，图5F是形成通过部分中间层电介质薄膜到达EL驱动TFT的源极的接触部分的步骤的截面图，图5G是形成覆盖中间层电介质薄膜和接触部分的电极和电源线的截面图；
图6是根据所述实施例在有机EL显示屏的显示区中应该淀积R、G、B发射体(光发射层和电子传输层)区域的示意图；
图7根据所述实施例的有机EL显示屏的单元像素的另一个结构的平面图；
图8是形成于图7所示的像素单元中的存储电容器结构的截面图；
图9是根据所述实施例的有机EL显示屏的单元像素的又一个结构的平面图；
图10A是传统的有机EL显示屏的单元像素结构的平面图，图10B是该单元像素的等效电路图；以及
图11是传统的有机EL元件结构的截面图。
具体实施方式
根据本实施例的有机EL显示屏，红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体在栅极线方向上中的相邻两发射体互相交迭。因而，至少一个薄膜晶体管和存储电容器配置在光发射层交迭区中，这里有机EL元件发出并通过发射体的光分量的彩色可混合。因此，光发射区没有被薄膜晶体管和存储电容器中至少一个所减小。由于与现有技术相比，可增加光发射区，故即使每单位面积的光发射量减少了也能保持相等的亮度。由于抑制了对每个像素的供电量，所以可提供其有机EL元件具有较长寿命的有机EL显示屏。
本实施例中最好沿垂直方向配置薄膜晶体管和存储电容器中的至少一个。
最好沿垂直方向拉长红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体以形成条子。
有机EL元件最好有在垂直方向上拉长的矩形。光发射层交迭区最好沿每个有机EL元件的长边方向配置，而中心差不多定在互相相邻的有机EL元件之间的中点。
设P为相邻发射体之间的距离，L为发射体在垂直方向上的长度，S为至少一个薄膜晶体管和存储电容器中的所占的面积。那末最好满足S＜P×L。
相邻发射体之间的距离P最好相当于在相邻发射体之间形成的加强筋的宽度。
存储电容器包括由多晶硅构成并与薄膜晶体管的源极整体形成的第一电极、从信号线延伸到薄膜晶体管栅极的栅极互连、以及在薄膜晶体管的源极电连接到电源线的第二电极。最好所述第一电极面向所述栅极互连，所述栅极互连面向所述第二电极，以及，电荷存储于第一电极和栅极互连之间及栅极互连和第二电极之间。
所述红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体最好采用掩膜蒸发的方法形成。
以下参看附图说明本发明的实施例。
说明该实施例的有机EL显示屏，在该有机EL显示屏中，包括有机EL元件1的多个单元像素100在显示图像的显示区中配置成矩阵形。
图1A是单元像素100的平面图。图1B是单元像素100的等效电路。单元像素100包括有机EL元件1、存储电容器2、EL驱动TFT 3、加强筋31、及开关TFT 4。电源线5和信号线7沿显示区的垂直方向配置。扫描线6沿水平方向配置。电源线5、信号线7和扫描线6以规定的间隔配置在显示区中。加强筋31以规定的间隔形成并沿有机EL元件1的长边方向延伸。本实施例的有机EL显示屏采用薄膜晶体管控制对有机EL元件供给直流电流的有源方案来驱动。本实施例的有机EL显示屏，存储电容器2、EL驱动TFT 3和开关TFT 4配置在光发射层交迭区9(非孔径区)中。光发射层交迭区9中，当光从有机EL元件1射出时，由于假设R、G、B发射体交迭(后面说明)，会发生色混合。在光发射层交迭区9中，在有机EL显示屏的显示区中不能显示图像。每个具有上述结构的单元像素100可在显示图像的显示区中配置成矩阵形。
参看图1A和1B，有机EL元件1通过p沟道EL驱动TFT 3连接到电源线5。EL驱动TFT 3的栅极通过开关TFT 4连接到信号线7。开关TFT 4的栅极连接到扫描线6。根据扫描线6所提供的控制电压，开关TFT 4对信号线7提供的信号电压作通/断控制。当开关TFT 4导通时，信号电压加到EL驱动TFT3的栅极。当信号电压超出阈值时，EL驱动TFT 3就开通，使直流电流从电源线5通过EL驱动TFT 3加到有机EL元件1。因而发光。当开关TFT 4关断时，没有信号电压提供给EL驱动TFT 3的栅极。EL驱动TFT 3被关断，故没有直流电流从电源线5通过EL驱动TFT 3供给有机EL元件1。因此就不发光。信号线7的电压随视频数据的改变而改变。因而从有机EL元件1发出的光的状态随视频数据改变，使在显示区中显示对应于视频数据的图像。
图2是沿图1A所示的有机EL元件1的线A-A’的截面图。有机EL元件1包括空穴传输层13、光发射层14和电子传输层15。有机EL元件1配置在像素电极12和公共电极16之间。由ITO薄膜制成的像素电极12形成在玻璃基板11上且在显示区上延伸。由金属制成的空穴传输层13、光发射层14、电子传输层15和公共电极16依序形成在像素电极12上。当对此结构加上直流电流时，从像素电极12发射空穴，从公共电极16发射电子。空穴和电子在光发射层14中复合，并激发光发射层14中的有机分子。因此，光沿图2中的箭头方向射出。
图3是沿图1A的B-B’线的截面图。参看图1A、1B和3，存储电容器2包括电极2a、电极2b和电极2c。电极2a形成在玻璃基板11上。EL驱动TFT3的源极3a形成在电极2a的旁边。电极2a由多晶硅制成并掺杂P(磷)离子形成n型多晶硅。电极2a和源极3a整体形成。由SiO2构成的栅极绝缘体34覆盖电极2a和源极3a。电极2b对着电极2a形成在栅极绝缘体34上。中间层电介质薄膜35由SiO2构成，覆盖电极2b。电极2c面对电极2b形成在中间层电介质薄膜35上。电源线5形成在电极2c旁。电极2c和电源线5在接触部分8电连接到EL驱动TFT 3的源极3a。参看图1A，电极2b也用作从信号线通过开关TFT 4的源极和漏极延伸到EL驱动TFT 3的栅极的栅极互连。EL驱动TFT 3具有多栅极结构。当电荷存储于电极2a和电极2b之间及电极2b和电极2c之间时，设定了使有机EL元件发光所需的电流量。
本实施例的有机EL显示屏实施全彩色显示。因此，显示区中配置单元像素以三原色即红(R)、绿(G)、蓝(B)三色发光。作为彩色方案，采用三色独立像素方案，在单元像素中独立地形成对应于R、G、B的有机EL元件。
下面参看图4A至4F说明本实施例的有机EL显示屏的制造过程。图4A至4F所示的制造过程，示意地表明每个具有图1所示结构的单元像素100在有机EL显示屏的显示区中沿水平方向互相邻接地形成。对应于R、G、B的有机EL元件1形成在图4A至4F所示的三个相邻单元像素上。
首先，如图4A所示，通过蒸发或溅射在玻璃基板11上形成ITO薄膜。通过蚀刻将形成的ITO薄膜分成单元像素，形成像素电极12。如图4B所示，用蒸发在玻璃基板整个表面上淀积空穴传输层13，覆盖像素电极12。与图4A和4B的步骤并行地，通过后述参看图5A至5G的工艺在图1所示的光发射层交迭区9形成图3所示的存储电容器2。
其次，如图4C至4E所示(在右边示出的每一方块图形表示从上边看到的金属掩膜17)，具有条形开口部分的金属掩膜17置于玻璃基板11的空穴传输层13侧上。执行真空蒸发的同时在水平方向上以规定节距P连续移动金属掩膜17。因而，面对像素电极12形成R、G、B发射体图形(图2示出的光发射层14和电子传输层15)而在其间插入空穴传输层13。
具体地说，如图4C所示，对准金属掩膜17设定使形成在金属掩膜17中的条形开口沿配置在图4C左边的像素电极12。沿形成在金属掩膜17中的条形开口在空穴传输层13上形成R的发射体(光发射层14和电子传输层15)，使发射体面向配置在左边上的像素电极12。
其次，如图4D所示，在水平方向以规定节距P移动金属掩膜17，使设定金属掩膜17上的条形开口沿图4D所示的三个像素电极12中配置在中间的像素电极12。沿形成在金属掩膜17中的条形开口在空穴传输层13上形成G的发射体(光发射层14和电子传输层15)，使磷对着配置在中心的像素电极12。
最后，如图4E所示，在水平方向以规定的节距P进一步移动金属掩膜17，使形成于金属掩膜17中的条形开口沿三个像素电极12中的配置在右边的像素电极12设定。沿形成在金属掩膜17中的条形开口在空穴传输层13上形成B的发射体(光发射层14和电子传输层15)，使磷对着配置在右边的像素电极12。
接着，如图4F所示，通过用蒸发掩膜18的蒸发在每个电子传输层15上形成公共电极16的图形，使公共电极16面对每个像素电极12。
然后，从形成在玻璃基板11上的这些结构的上面键合密封板(未示出)。装上驱动电路(未示出)。从而完成有机EL显示屏。
下面将参看图5A至5G说明形成存储电容器2的过程。图5A至图5G所示的形成过程表示与图4A和图4B所示步骤平行地形成图2所示的存储电容器2的过程。
首先，如图5A所示，在玻璃基板11上光发射层交迭区9中通过图形化多晶硅形成电极2a。
如图5B如示，用P(磷)离子掺杂电极2a，形成n型电极(用B(硼)离子掺杂电极2a，形成p型电极)。
如图5C所示，形成由SiO2构成的绝缘体34覆盖电极2a。如图5D所示，通过在栅极绝缘体34上图形化Mo(钼)/Al(铝)/Mo(钼)形成电极2b，使电极2b面向电极2a。
如图5E所示，在栅极绝缘体34上形成由SiO2构成的中间层电介质薄膜35。如图5F所示，形成接触部分8，它通过栅极绝缘体34和中间层电介质薄膜35到达EL驱动TFT 3的源极3a。参看图3，源极3a和电极2a可整体形成。电极2a和电极2b形成部分存储电容器2。
如图5G所示，在中间层电介质薄膜35上形成由MoW(钼-钨)构成的存储电容器2的电极2c和电源线5。电极2c和电源线5在接触部分8电连接到EL驱动TFT 3的源极3a。
图6是从光射出侧看到的区域的平面图，在有机EL显示屏的显示区中，应通过蒸发淀积R、G、B的发射体(图2和4C至4F所示的光发射层14和电子传输层15)。如图4C至4E所示，当金属掩膜17在水平方向上以节距P连续移动时，在区域21中(点划线包围的区域)淀积R发射体，在区域22中(实线包围的区域)淀积G发射体，在区域23中(虚线包围的区域)淀积B发射体。如果金属掩膜17发生不对准，则R、G、B发射体在光发射层交迭区9中(阴影区域)互相交迭。具体说，R发射体和G发射体互相交迭在图6所示的两个光发射层交迭区9的左面一个中。G发射体和B发射体互相交迭在右面一个光发射层交迭区9中。
R发射体、G发射体和B发射体淀积在其中的单元像素的水平宽度分别为Rx、Gx和Bx。每个单元像素的垂直长度是Px。光发射层交迭区9的水平宽度是L。金属掩膜17的不对准的最大长度是A。当发射体交迭在光发射层交迭区9时，通过光发射层交迭区9射出的光中出现所谓的色混合。为避免色混合，光发射层交迭区9是显示区中没有图像显示的区域。
本实施例的有机EL显示屏，如图1所示，在显示区的每一个单元像素中，存储电容器2、EL驱动TFT 3、开关TFT 4配置在光发射层交迭区9中。EL驱动TFT 3和开关TFT 4沿光发射层交迭区9中的长边方向配置。
设S为存储电容器2、EL驱动TFT 3和开关TFT 4所占的面积。参看图6，则光发射层交迭区9的面积由L×Px给出。当存储电容器2、EL驱动TFT 3和开关TFT 4配置于光发射层交迭区9中时，S＜L×Px。这时，对各像素电极供给直流电流，没有光从光发射层交迭区9射出，而从有机EL元件1射出光。
根据本实施例，在有机EL显示屏的每个单元像素中，存储电容器2、EL驱动TFT 3和开关TFT 4配置在从有机EL元件1射出的光发生色混合的光发射层交迭区9中。因此，每个像素中的光发射面积可做得比现有技术中的更大。即使降低每单位面积的光发射量，也可得到如现有技术中同样的亮度。因此，可抑制对每个像素所加的功率量。结果，有机EL显示屏的寿命可比现有技术的更长。
本实施例中，由于光发射面积比以前的更大。当对每个有机EL元件加上与以前大致相同的电流密度时，可使所显示图像的亮度比以前的更亮。
在有机EL显示屏中，为实现全彩色显示，必须沿栅极线方向淀积R发射体、G发射体和B发射体，同时沿栅极线方向以预定的量移动预定的掩膜。本质上是在设计时设计沿栅极线方向相邻的R发射体和G发射体，G发射体和B发射体在其中互相交迭的光发射层交迭区作为掩膜对准裕度。在如此设定的光发射层交迭区中，由于发生色混合，没有光被射出。这阻碍了孔径率的增加。
本实施例中非孔径元件诸如存储电容器2、EL驱动TFT 3、和开关TFT 4配置于不射出光的光发射层交迭区中。因此，在有机EL显示屏中总体上可增加孔径率。
本实施例中通过蒸发形成R、G、B发射体。但本发明不限于此。可用喷墨印刷或胶印的方法来形成R、G、B发射体。
根据本实施例，有机EL显示屏中单元像素100a可具有图7所示的结构。图7中用与图1A相同的标号来标注图7中相同的结构元件，并省略其说明。单元像素100a的等效电路图与图1B相同。图8是沿图7的线C-C’的截面图。在具有上述图3结构的存储电容器2，电荷存储于电极2a和电极2b之间以及电极2b和电极2c之间。在具有如图7和8所示结构的存储电容器2A中，电荷只存储在电极2b和电极2c之间。因此，存储在存储电容器2A中的电荷量小于图3所示结构的存储电容器2的电荷量。除了上述图5中所述的步骤外，图7和8结构的存储电容器2A可以采用上述相同的步骤来形成，只是通过图形化多晶硅形成用作EL驱动TFT 3的源极3a的部分。
图9是本实施例又一个有机EL显示屏的单元像素100b的结构平面图。用与上述图1单元像素相同的标号来标注图9中的相同的结构元件，并省略其说明。
单元像素100b不同于上述的单元像素100，以有机EL元件1b代替有机EL元件1。如图9所示，有机EL元件1b部分交迭信号线7。当有机EL元件1b部分交迭信号线7时，可增加有机EL元件的面积。因此可进一步增加光发射面积。
上例中，有机EL元件1b交迭信号线7。但本发明不限于此。只要求有机EL元件1b交迭信号线7、电源线5和扫描线6中的至少一条。
本实施例的有机EL显示屏中电源线5在显示区中沿垂直方向配置。电源线5可通过共用扫描线6作为电源线5而沿水平方向配置。
当将本实施例的有机EL显示屏装到蜂窝式电话机的图像显示部分中时，可利用有机EL元件得到具有长寿命同时实现高精度图像显示的蜂窝式电话机。
工业上的应用性
根据本发明可提供具有长寿命的有机EL显示屏。
Claims (10)
1.一种有机EL显示屏，其特征在于，包括：
基板；
在基板上配置成矩阵形的像素电极；
面向像素电极并覆盖基板整个表面的公共电极；
对像素电极施加信号电压的信号线，所述信号线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；
对像素电极施加电源电压的电源线，所述电源线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；
对像素电极实施电源电压施加的通/断控制的薄膜晶体管；
对薄膜晶体管施加通/断控制的电压的扫描线，所述扫描线沿栅极线方向延伸并以预定间隔配置；
配置在像素电极和公共电极之间并当信号电压加到像素电极和公共电极之间时发光的有机EL元件；以及
设定为使有机EL元件发光所需电流量的存储电容器，
其中，为通过有机EL元件的光发射得到全彩色图像，与像素电极对应地构成红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体图形，并依此次序沿栅极线方向配置，
其中，构成发射体图形使沿栅极线方向的互相相邻的每组红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体在沿栅极线方向配置的相邻有机EL元件之间互相交迭，限定一光发射层交迭区，有机EL元件发出并通过该发射体的光分量的彩色可在这里混合，以及
其中，薄膜晶体管和存储电容器的至少一个配置在所述光发射层交迭区中。
2.一种有机EL显示屏，其特征在于，包括：
基板；
在基板上配置成矩阵形的像素电极；
面向像素电极并覆盖基板整个表面的公共电极；
对像素电极施加信号电压的信号线，所述信号线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；
对像素电极施加电源电压的电源线，所述电源线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；
对像素电极实施电源电压施加的通/断控制的薄膜晶体管；
对薄膜晶体管施加通/断控制的控制电压的扫描线，所述扫描线沿栅极线方向延伸并以预定间隔配置；
配置在像素电极和公共电极之间并当信号电压加到像素电极和公共电极之间时发光的有机EL元件；以及
设定为使有机EL元件发光所需电流量的存储电容器，
其中，配置每个有机EL元件使之交迭所述信号线、所述电源线和所述信号线中的至少一条，及
其中，在相邻像素电极之间沿非孔径区的长边方向配置薄膜晶体管和存储电容器中的至少一个。
3.一种有机EL显示屏，其特征在于，包括：
基板；
在基板上配置成矩阵形的像素电极；
面向像素电极并覆盖基板整个表面的公共电极；
对像素电极施加信号电压的信号线，所述信号线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；
对像素电极施加电源电压的电源线，所述电源线沿垂直方向延伸并以预定间隔配置；
对像素电极实施电源电压施加的通/断控制的薄膜晶体管；
对薄膜晶体管施加通/断控制的控制电压的扫描线，所述扫描线沿栅极线方向延伸并以预定间隔配置；
配置在像素电极和公共电极之间并当信号电压加到像素电极和公共电极之间时发光的有机EL元件；以及
设定为使有机EL元件发光所需电流量的存储电容器，
其中，为通过有机EL元件的光发射得到全彩色图像，与像素电极对应地构成红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体图形，并依此次序沿栅极线方向配置，其中，构成发射体图形使沿栅极线方向的互相相邻的每组红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体在沿栅极线方向配置的相邻有机EL元件之间互相交迭，以沿垂直方向延伸的矩形限定一光发射层交迭区，有机EL元件发出并通过该发射体的光分量的彩色在这里混合，以及
其中，薄膜晶体管和存储电容器的至少一个配置在所述光发射层交迭区中，以及
其中，配置每个有机EL元件使之交迭所述信号线、所述电源线和所述信号线中的至少一条。
4.如权利要求1至3中任一项所述的有机EL显示屏，其特征在于，所述薄膜晶体管和存储电容器中的至少一个沿垂直方向配置。
5.如权利要求1至3中任一项所述的有机EL显示屏，其特征在于，所述红(R)发射体、绿(G)发射体和红(R)发射体沿垂直方向加长，形成一个条子。
6.如权利要求1至3中任一项所述的有机EL显示屏，其特征在于，所述每个有机EL元件具有沿垂直方向延伸的矩形形状，以及
沿有机EL元件的长边方向配置光发射层交迭区，同时中心几乎是定在互相相邻的有机EL元件之间的中点上。
7.如权利要求1至3中任一项所述的有机EL显示屏，其特征在于，满足关系S＜P×L，其中P为相邻发射体之间的距离，L为沿垂直方向发射体的长度，S为薄膜晶体管和存储电容器中至少一个所占的面积。
8.如权利要求7所述的有机EL显示屏，其特征在于，所述相邻发射体之间的距离P相当于在相邻发射体之间形成的加强筋的宽度。
9.如权利要求1至3中任一项所述的有机EL显示屏，其特征在于，所述存储电容器包括由多晶硅构成并与薄膜晶体管的源极整体形成的第一电极、从信号线到薄膜晶体管栅极延伸的栅极互连、以及在薄膜晶体管的源极电连接到电源线的第二电极，所述第一电极面向所述栅极互连，所述栅极互连面向所述第二电极，以及，电荷存储于第一电极和栅极互连之间及栅极互连和第二电极之间。
10.如权利要求1至3中任一项所述的有机EL显示屏，其特征在于，所述红(R)发射体、绿(G)发射体和蓝(B)发射体通过掩膜蒸发形成。
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: JAPAN DISPLAY MIDDLE INC. Free format text: FORMER NAME: TOSHIBA MOBILE DISPLAY CO., LTD. Owner name: TOSHIBA MOBILE DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: TOSHIBA MATSUSHITA DISPLAY TECHNOLOGY LTD. |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan Patentee after: Toshiba Mobile Display Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: TOSHIBA MATSUSHITA DISPLAY TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Saitama Prefecture, Japan Patentee after: JAPAN DISPLAY Inc. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: Toshiba Mobile Display Co.,Ltd. |
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| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20080514 |
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| CX01 | Expiry of patent term |