CN103178080A - 有机发光显示装置及制造有机发光显示装置的方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 290
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 47
- 238000005187 foaming Methods 0.000 claims description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 7
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 150000001398 aluminium Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016553 CuOx Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种有机发光显示装置及制造有机发光显示装置的方法。该有机发光显示装置包括：薄膜晶体管，包括活化层、与活化层绝缘并且包括下栅电极和上栅电极的栅电极、覆盖栅电极的层间绝缘膜以及该绝缘膜上的并且接触活化层的源电极和漏电极；有机发光器件，包括与薄膜晶体管电连接的像素电极、对电极以及包括发射层的中间层；位于与活化层相同的层级上的起泡防止层；栅绝缘层，覆盖活化层和起泡防止层并且使活化层与栅电极绝缘；以及互连单元，包括位于栅绝缘层的覆盖在起泡防止层上方的一部分上的第一层和第二层，其中起泡防止层保护栅绝缘层上的互连单元免于起泡。
Description
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2011年12月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0141715的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部合并于此。
技术领域
实施例涉及有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。
背景技术
近来，已考虑用便携式薄膜平板显示装置代替显示装置。在平板显示装置中，有机发光显示装置是自发射显示装置，并且具有宽视角、高对比度和高响应速度。由于这些优势，有机发光显示装置作为下一代显示装置正获得诸多关注。
有机发光显示装置包括中间层、第一电极和第二电极。中间层包括有机发射层，并且在向第一电极和第二电极施加电压时，有机发射层发射可见光。
发明内容
实施例提供一种改进栅绝缘层和氧化铟锡（ITO）层间的粘合缺陷的有机发光显示装置及其制造方法。
根据示例实施例的方面，提供一种有机发光显示装置，其包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括活化层、与所述活化层绝缘并且包括下栅电极和上栅电极的栅电极、覆盖所述栅电极的层间绝缘膜和形成在所述层间绝缘膜上并且接触所述活化层的源电极和漏电极；有机发光器件，所述有机发光器件包括与所述薄膜晶体管电连接的像素电极、包括发射层的中间层和对电极，所述像素电极、所述中间层和所述对电极是以这个规定顺序顺次沉积的；形成在与所述活化层相同的层级上的起泡防止层；栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述活化层和所述起泡防止层，并且使所述活化层与所述栅电极绝缘；以及互连单元，所述互连单元包括沉积在所述栅绝缘层的、与所述起泡防止层对应的一部分上的第一层和第二层，其中所述起泡防止层防止所述栅绝缘层上的所述互连单元免于起泡。
所述起泡防止层可以形成在与所述活化层相同的层级上。
所述起泡防止层可以具有包括多个突起的表面。
所述栅绝缘层的面向所述互连单元的表面可以具有由于所述起泡防止层的突起而形成的粗糙部。
所述起泡防止层可以包括多晶硅。
所述第一层、所述下栅电极和所述像素电极各自可以包括透明导电金属氧化物。
所述第一层、所述下栅电极和所述像素电极各自可以包括从氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化铟镓（IGO）和氧化铝锌（AZO）的组中选择的至少一种。
所述上栅电极可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu的组中选择的至少一种材料。
所述有机发光显示装置可以进一步包括电容器，所述电容器包括：形成在与所述活化层相同的层级上的下电容器电极，和形成在所述栅绝缘层上的上电容器电极，其中所述电容器与所述薄膜晶体管电联接。
所述第一层可以形成在与所述下栅电极相同的层级上。
根据示例实施例的另一方面，提供一种制造有机发光显示装置的方法，其中所述方法包括：执行第一掩模工艺，用于在基板上形成起泡防止层和薄膜晶体管的活化层；执行第二掩模工艺，用于在所述基板上形成第一电极单元、栅电极和互连单元，所述第一电极单元用于形成像素电极；执行第三掩模工艺，用于形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜具有暴露所述活化层的相对边缘的接触孔和暴露所述第一电极单元的一部分的开口；执行第四掩模工艺，用于形成通过所述接触孔接触所述活化层的源电极和漏电极并且由所述第一电极单元形成所述像素电极；以及执行第五掩模工艺，用于形成暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层。
执行所述第一掩模工艺可以包括：在所述基板上形成硅层；使所述硅层结晶；以及将结晶的硅层图案化，以形成所述活化层和所述起泡防止层。
执行所述第一掩模工艺可以进一步包括：在所述基板上形成与所述活化层在相同的层级上的下电容器电极。
执行所述第二掩模工艺可以包括：在所述基板上以栅绝缘层、第一导电层和第二导电层的这个顺序顺次形成所述栅绝缘层、所述第一导电层和所述第二导电层，以覆盖所述活化层和所述起泡防止层；以及将所述活化层上的所述第一导电层和所述第二导电层图案化以形成栅电极，所述栅电极包括所述第一导电层的作为下栅电极的部分和所述第二导电层的作为上栅电极的部分。
在形成所述栅电极时，在所述起泡防止层上将所述第一导电层和所述第二导电层图案化，以形成所述互连单元，所述互连单元包括所述第一导电层的作为第一层的部分以及所述第二导电层的作为第二层的部分。
可以在与所述下栅电极相同的层级上形成所述第一层。
执行所述第四掩模工艺可以包括：在所述层间绝缘膜上形成第三导电层；将所述第三导电层图案化，以形成所述源电极和所述漏电极；以及去除构成所述第一电极单元的所述第二导电层，以形成构成所述第一导电层的所述像素电极。
执行所述第三掩模工艺可以包括：在所述第一电极单元和所述栅电极上形成绝缘层；以及将所述绝缘层图案化，以形成所述接触孔和暴露所述第一电极单元的一部分的所述开口。
执行所述第五掩模工艺可以包括：在所述基板的整个表面上形成绝缘层，以覆盖所述源电极和所述漏电极；以及将所述绝缘层图案化，以形成所述像素限定层。
所述方法可以进一步包括：在所述第五掩模工艺以后在所述像素电极上形成包括发射层的中间层、和对电极。
所述第一导电层可以包括从氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化铟镓（IGO）和氧化铝锌（AZO）的组中选择的至少一种材料。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，实施例将变得显而易见，附图中：
图1图示根据实施例的有机发光显示装置的示意性剖面图；以及
图2至图11图示根据实施例的制造有机发光显示装置的方法中各阶段的示意性剖面图。
具体实施方式
如这里所使用的，术语“和/或”包括相关联列出项中一个或多个的任意组合和全部组合。诸如“......中的至少一个”之类的表达在一元素列表后面时修饰整个列表的元素而不修饰列表中的单个元素。
下文中，下面参照附图中图示的实施例详细地描述示例实施例的结构和操作。
图1图示根据实施例的有机发光显示装置1的示意性剖面图。
参见图1，根据本实施例的有机发光显示装置1可以包括包含多个发光像素的第一基板10和通过密封与第一基板10联接的第二基板（未示出）。
例如，薄膜晶体管（TFT）、有机发光器件OLED和电容器Cst可以形成在第一基板10上。第一基板10可以是低温多晶硅基板、玻璃基板、塑料基板等等。
第二基板（未示出）可以是设置在第一基板10上，以阻挡外界湿气或空气渗入第一基板10上的薄膜晶体管（TFT）或发光像素内的封装基板。第二基板可以面向第一基板10，并且第一基板10和第二基板可以通过沿第一基板10和第二基板的边缘设置的密封构件（未示出）互相联接。第二基板可以是玻璃基板、塑料基板或不锈钢（SUS）基板。
第一基板10可以分成晶体管区2、存储区3、发光区4和互连区5。
晶体管区2可以包括作为驱动器件的TFT。TFT可以包括活化层（activationlayer）21、栅电极20、源电极29和漏电极27。
栅电极20可以包括下栅电极23和上栅电极25（位于下栅电极23上）。在实施中，下栅电极23可以包括透明导电材料，该透明导电材料包括从氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化铟镓（IGO）和氧化铝锌（AZO）的组中选择的至少一种。
上栅电极25可以包括三层25a、25b和25c。实施例不局限于此，并且上栅电极25可以包括单层或多层的金属或金属合金，例如Mo、MoW或铝类合金。
栅绝缘层12可以布置在栅电极20和活化层21之间，以使栅电极20与活化层21绝缘。
活化层21可以具有在其相对边缘处掺杂有高浓度杂质的源区21s和漏区21d。源区21s和漏区21d可以分别连接至源电极29和漏电极27。
存储区3可以包括电容器Cst。电容器Cst可以包括下电容器电极31和上电容器电极33。栅绝缘层12可以介于下电容器电极31和上电容器电极33之间。
下电容器电极31可以设置在与TFT的活化层21相同的层级上。下电容器电极31可以包括半导体材料，并且可以掺杂有杂质以提高其电导率。
上电容器电极33可以设置在与TFT的下栅电极23和有机发光器件OLED的像素电极43相同的层级上。例如，上电容器电极33可以包括透明导电材料，例如与下栅电极23中使用的透明导电材料相同的透明导电材料。
发光区4可以包括有机发光器件OLED。有机发光器件OLED可以包括像素电极43（连接至TFT的源电极29和漏电极27之一）、对电极45（面向像素电极43）和中间层44（介于像素电极43和对电极45之间）。像素电极43可以包括透明导电材料，并且可以设置在与TFT的下栅电极23相同的层级上。在实施中，像素电极43可以包括与下栅电极23中使用的材料相同的材料。
互连区5可以包括互连单元50。虽然未图示出，但是互连单元50可以电连接至TFT和/或有机发光器件OLED。互连单元50可以设置在栅绝缘层12上。互连单元50可以包括第一层53和第二层55a、55b和55c。第一层53可以设置在与下栅电极23相同的层级上。在实施中，第一层53可以包括与下栅电极23中使用的材料相同的材料。第二层55a、55b和55c可以设置在与上栅电极25相同的层级上。在实施中，第二层55a、55b和55c可以包括与上栅电极25中使用的材料相同的材料。例如，第一层53可以形成在互连区5的栅绝缘层12上，并且第二层55a、55b和55c可以形成在第一层53上。
第一层53可以包括透明导电材料，例如与下栅电极23中使用的透明导电材料相同的透明导电材料。例如，第一层53可以包括从氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化铟镓（IGO）和氧化铝锌（AZO）的组中选择的至少一种。
与包括三层25a、25b和25c的上栅电极25中一样，第二层55a、55b和55c的数量可以是三。实施例不局限于此，并且第二层55a、55b和55c各自可以包括单层或多层的金属或金属合金，例如Mo、MoW或铝类合金。
与互连单元50对应，起泡防止层51（blister prevention layer）可以设置在栅绝缘层12下面。例如，栅绝缘层12可以设置在互连单元50和起泡防止层51之间。在实施中，起泡防止层51和活化层21可以同时形成，并且起泡防止层51可以包括多晶硅，例如与活化层21中使用的多晶硅相同的多晶硅。起泡防止层51的面向互连单元50的表面可以包括突起51a。由于突起51a，在起泡防止层51上形成的栅绝缘层12可以具有粗糙部（roughness）12a。
起泡防止层51（具有突起51a）可以帮助防止在互连单元50和栅绝缘层12之间出现起泡。例如，互连单元50的第一层53可以包括透明导电材料，例如ITO，并且栅绝缘层12可以包括无机材料，例如SiNx或SiOx。包括透明导电材料（例如ITO）的第一层53相对于包括无机材料的栅绝缘层12可以具有由它们之间的属性差异导致的弱粘合力。例如，在高温加热以后，第一层53可以在栅绝缘层12上膨胀。这种膨胀可以称为“起泡现象”。例如，基板10可以具有相对大的面积，并且互连单元50可以具有相对大的面积。因此，互连单元50的第一层53的起泡可能性会相对增加。根据实施例，起泡防止层51可以具有位于其表面上的突起51a，并且由于突起51a，起泡防止层51上的栅绝缘层12的上表面可以具有粗糙部12a。因此，栅绝缘层12和第一层53的接触面积可以增大，并且粘合应力可以分散，从而有助于防止第一层53的起泡。此外，根据实施例，起泡防止层51可以与活化层21一起在相同的工艺过程中形成在辅助层11上。因此，可以防止第一层53的起泡，而无需单独的附加工艺。
例如，起泡可以出现在具有大互连宽度的互连单元内。关于这一点，可以在ILD以后在450℃下执行热处理。在此情况下，下部的具有良好热膨胀性的ITO化合物可能不收缩/膨胀，并且具有低热膨胀性的上部的Al互连收缩/膨胀。此时，随着互连的宽度可以更大，Al互连的热膨胀可能增加。因此，栅互连可能变得浮起（buoyant）。如果将活化层插入下部中，则应力可能在收缩和膨胀期间在活化层的晶界之间下降。因此，可以防止栅互连变得浮起。
图2至图11图示在根据实施例的制造图1的有机发光显示装置1的方法中各阶段的示意性剖面图。下文中，详细地描述制造图1的有机发光显示装置1的方法。
首先，如图2中所图示的，辅助层11可以形成在第一基板10上。例如，第一基板10可以由包括SiO2作为主要成分的透明玻璃材料构成。然而，用于形成第一基板10的材料不局限于此，并且多种其它材料，例如透明塑料材料或金属材料，也可以用来形成第一基板10。
辅助层11，例如障壁层、阻挡层和/或缓冲层，可以形成在第一基板10的上表面上，以帮助防止杂质离子的扩散和湿气或外界空气的渗透以及使上表面平整。辅助层11可以通过使用多种沉积方法（例如等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、常压CVD（APCVD）或低压CVD（LPCVD））沉积SiO2和/或SiNx来形成。
然后，如图3中所图示的，TFT的活化层21、下电容器电极31和起泡防止层51可以形成在辅助层11上。例如，非晶硅层（未示出）可以沉积在辅助层11上，然后被结晶以形成多晶硅层（未示出）。非晶硅的结晶可以通过使用多种方法来完成，例如快速热退火（RTA）、固相结晶（SPC）、准分子激光退火（ELA）、金属诱导结晶（MIC）、金属诱导横向结晶（MILC）或顺序横向固化（SLS）。然后，多晶硅层可以通过使用第一掩模（未示出）的掩模工艺来图案化，以形成TFT的活化层21、下电容器电极31和起泡防止层51。
在本实施例中，活化层21和下电容器电极31可以分离地形成。然而，在实施中，活化层21和下电容器电极31可以代替地一体形成。例如，活化层21可以形成沟道，下电容器电极31可以形成电容器电极，并且起泡防止层51可以形成电源互连层。
然后，如图4中所图示的，栅绝缘层12可以形成在第一基板10的整个表面上（在第一基板10上已经形成活化层21、下电容器电极31和起泡防止层51）。
为了形成栅绝缘层12，由例如SiNx或SiOx形成的无机绝缘膜可以通过例如PECVD、APCVD、LPCVD等被沉积。栅绝缘层12可以介于TFT的活化层21和（下面描述的）栅电极20之间以用作TFT的栅绝缘层，并且可以介于（下面描述的）上电容器电极33和（下面描述的）下电容器电极31之间以用作电容器Cst的介电层。
起泡防止层51可以具有突起（图1的51a）。因此，栅绝缘层12（覆盖起泡防止层51）可以相应地具有粗糙部（图1的12a）。
然后，如图5中所图示的，第一导电层13和第二导电层15可以顺序地形成在第一基板10的整个表面上（栅绝缘层12形成在第一基板10上）。
第一导电层13可以包括从ITO、IZO、ZnO和In2O3的组中选择的至少一种透明材料。如下面将描述的，第一导电层13可以被图案化，以形成像素电极43、下栅电极23、上电容器电极33和互连单元50的第一层53。
第二导电层15可以包括以该规定顺序顺次堆叠的第一层15a、第二层15b和第三层15c。第二导电层15可以具有Mo-Al-Mo的三层结构。然而，实施例不局限于此，并且第二导电层15可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu的组中选择的至少一种材料。如下面将描述的，第二导电层15可以被图案化，以形成上栅电极25以及互连单元50的第二层55a、55b和55c。
在实施中，第一导电层13可以包括多种其它适合的具有比第二导电层15更强耐腐蚀性的材料。第二导电层15可以包括多种其它适合的具有比第一导电层13更低电阻的材料，以允许电流更容易地流动。
然后，如图6中所图示的，栅电极20、第一电极单元40、第二电极单元30和互连单元50可以分离地形成在第一基板10上。
例如，第一导电层13和第二导电层15（它们顺序地沉积在第一基板10的整个表面上）可以通过使用利用第二掩模（未示出）的掩模工艺来图案化。
例如，在晶体管区2中，栅电极20可以形成在活化层21上，并且栅电极20可以包括下栅电极23（例如第一导电层13的一部分）和上栅电极25（例如第二导电层15的一部分）。
关于这一点，栅电极20可以对应于活化层21的中央部分，并且活化层21可以通过使用栅电极20作为自对准掩模而被掺杂有n型杂质或p型杂质，以形成源区21s和漏区21d（位于活化层21的与栅电极20的相对侧对应的边缘）以及介于源区21s和漏区21d之间的沟道区21c。在实施中，杂质可以包括例如硼（B）离子或磷（P）离子。
在存储区3中，第二电极单元30（用于形成上电容器电极33）可以形成在下电容器电极31上。在发光区4中，第一电极单元40（用于形成像素电极43）可以形成。在互连区5中，互连单元50（包括第一层53以及第二层55a、55b和55c）可以形成。
然后，如图7中所图示的，层间绝缘膜14可以沉积在第一基板10（在第一基板10上形成了栅电极20）的整个表面上。
层间绝缘膜14可以通过例如旋转涂覆从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂的组中选择的至少一种有机绝缘材料来形成。层间绝缘膜14可以具有足够的厚度，例如比栅绝缘层12的厚度大的厚度，以使TFT的栅电极20与源电极29和漏电极27绝缘。此外，代替有机绝缘材料，层间绝缘膜14可以包括无机绝缘材料，例如与栅绝缘层12中使用的无机绝缘材料相同的材料。在实施中，有机绝缘材料和无机绝缘材料可以交替地沉积，以形成层间绝缘膜14。
然后，如图8中所图示的，层间绝缘膜14可以被图案化，以形成开口H3、H4和H5（暴露第一电极单元40和第二电极单元30）以及接触孔H1和H2（暴露活化层21的源区21s的一部分和漏区21d的一部分）。
例如，层间绝缘膜14可以通过使用第三掩模（未示出）执行掩模工艺来图案化，以形成接触孔H1和H2以及开口H3、H4和H5。关于这一点，接触孔H1和H2可以暴露源区21s的一部分和漏区21d的一部分。并且第三开口H3和第四开口H4可以暴露第一电极单元40的至少一部分。第五开口H5可以暴露第二电极单元30的至少一部分。
然后，如图9中所图示的，第三导电层17可以沉积在第一基板10的整个表面上，以覆盖层间绝缘膜14。
第三导电层17可以包括从用来形成第一导电层13或第二导电层15的上述导电材料中选择的材料。然而，用于形成第三导电层17的材料不局限于此，并且多种其它导电材料也可以用来形成第三导电层17。导电材料可以沉积至足够的厚度，以填充接触孔H1和H2以及开口H3、H4和H5。
然后，如图10中所图示的，第三导电层（参见图9的17）可以被图案化，以分离地形成源电极29和漏电极27、像素电极43以及上电容器电极33。
例如，第三导电层（参见图9的17）可以通过使用第四掩模（未示出）执行掩模工艺被图案化，以形成源电极29和漏电极27。
关于这一点，源电极29和漏电极27中的一个电极（在本实施例中是漏电极27）可以被形成为，经由在用于形成像素电极43的第一电极单元（参见图8的40）的第二导电层15的边缘处的第三开口H3与像素电极43连接。
在形成源电极29和漏电极27时，也可以形成像素电极43和上电容器电极33。然而，实施例不局限于此，并且例如可以形成源电极29和漏电极27，然后可以通过附加的蚀刻分离地形成像素电极43和上电容器电极33。例如，对于第一电极单元（参见图8的40），可以去除第二导电层15的被第四开口H4暴露的一部分，以形成像素电极43。此外，对于第二电极单元（参见图8的30），可以去除第二导电层15的被第三开口H3暴露的一部分，以形成上电容器电极33。
在实施中，下栅电极23、上电容器电极33和像素电极43可以由相同材料形成。
n型杂质或p型杂质可以经由第五开口H5被注入，以掺杂下电容器电极31。用于掺杂的杂质可以与用于掺杂活化层21的杂质相同或不同。
然后，如图11中所图示的，像素限定层（PDL）16可以形成在第一基板10上。
例如，PDL 16可以沉积在第一基板10的整个表面上（像素电极43、源电极29和漏电极27以及上电容器电极33形成在第一基板10上）。在实施中，PDL 16可以通过例如旋转涂覆从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂的组中选择的至少一种有机绝缘材料来形成。在实施中，代替有机绝缘材料，PDL 16可以包括从SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5和Pr2O3中选择的无机绝缘材料。可替代地，有机绝缘材料和无机绝缘材料可以交替地沉积，以形成PDL 16。
PDL 16可以通过使用第五掩模（未示出）执行图案化工艺来限定像素，以形成暴露像素电极43的中央部分的第六开口H6。
然后，如图1中所图示的，中间层44（包括发射层）和对电极45可以形成在暴露像素电极43的第六开口H6内。
中间层44可以通过沉积有机发射层（EML）、和从空穴传输层（HTL）、空穴注入层（HIL）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）中选择的至少一个功能层来形成，空穴传输层（HTL）、空穴注入层（HIL）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）中的每个具有单层结构或多层结构。
有机EML可以包括低分子量有机材料或聚合有机材料。
当有机EML包括低分子量有机材料时，中间层44可以包括从有机EML向像素电极43的方向沉积的HTL和HIL，以及从有机EML向对电极45的方向沉积的ETL和EIL。此外，根据用途，还可以沉积多种其它层。低分子量有机材料的示例可以包括铜酞菁（CuPc）、N,N’-二萘-1-基-N,N’-二苯基-联苯胺（NPB）和三-8-羟基喹啉铝（Alq3）。
当有机EML包括聚合有机材料时，中间层44可以在从有机EML向像素电极43的方向上仅包括HTL。HTL可以通过例如在像素电极43上喷墨印刷或涂覆聚3,4-乙烯二氧噻吩（PEDOT）或聚苯胺（PANI）来形成。聚合有机材料的示例可以包括聚苯撑乙烯撑（PPV）和聚芴。这些材料可以通过使用传统上使用的激光进行喷墨印刷、旋转涂覆或热转印而用来具体实现彩色图案。
对电极45可以沉积在第一基板10的整个表面上，以用作公共电极。关于根据本实施例的有机发光显示装置1，像素电极43可以用作阳极，而对电极45可以用作阴极。在实施中，像素电极43可以用作阴极，而对电极45可以用作阳极。
当有机发光显示装置1是底发射型显示装置（在底发射型显示装置中，图像朝第一基板10的方向具体实现）时，像素电极43可以是透明电极，而对电极45可以是反射电极。关于这一点，反射电极可以通过以相对小的厚度沉积具有低功函数的金属，例如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al，或者其混合物而形成。
在用于形成有机发光显示装置1的各个掩模工艺中，所沉积的膜的去除可以通过干法蚀刻或湿法蚀刻来执行。
关于根据实施例的有机发光显示装置，可以同时形成起泡防止层51和活化层21。因此，可以减少和/或防止在栅绝缘层12上形成的互连单元50的第一层53发生起泡，而不需要附加工艺。
此外，已经参照有机发光显示装置描述了上述实施例。然而，实施例不局限于此，并且包括液晶显示装置的多种其它显示设备也可以应用于这些实施例。
此外，用于描述上述实施例的附图图示了一个TFT和一个电容器。然而，该结构仅适用于图解目的，并且实施例不局限于此。只要掩模工艺的数量不增加，就可以包括多个TFT和多个电容器。
根据实施例，在没有附加工艺的条件下，可以减少和/或防止栅绝缘层和互连单元的ITO层之间出现粘合缺陷。
尽管已经参照本发明的示例性实施例具体示出和描述了这些示例性实施例，但是本领域普通技术人员将明白，可以在这里对形式和细节做出多种变化，只要不背离由下面的权利要求限定的示例性实施例的精神和范围。
Claims (21)
1.一种有机发光显示装置，包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
活化层，
与所述活化层绝缘的栅电极，所述栅电极包括下栅电极和上栅电极，
覆盖所述栅电极的层间绝缘膜，和
所述层间绝缘膜上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极接触所述活化层；
有机发光器件，所述有机发光器件包括以如下顺序顺次堆叠的：
与所述薄膜晶体管电连接的像素电极，
包括发射层的中间层，和
对电极；
位于与所述活化层相同的层级上的起泡防止层；
覆盖所述活化层和所述起泡防止层的栅绝缘层，所述栅绝缘层使所述活化层与所述栅电极绝缘；以及
互连单元，所述互连单元包括位于所述栅绝缘层的、覆盖在所述起泡防止层上方的一部分上的第一层和第二层，
其中所述起泡防止层保护所述栅绝缘层上的所述互连单元免于起泡。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述起泡防止层具有包括多个突起的表面。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述栅绝缘层的面向所述互连单元的表面具有与所述起泡防止层的所述突起对应的粗糙部。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述起泡防止层包括多晶硅。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一层、所述下栅电极和所述像素电极各自包括透明导电金属氧化物。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中所述透明导电金属氧化物包括从氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌的组中选择的至少一种。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述上栅电极包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu的组中选择的至少一种材料。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括电容器，所述电容器包括：
位于与所述活化层相同的层级上的下电容器电极，和
位于所述栅绝缘层上的上电容器电极，
其中所述电容器与所述薄膜晶体管电联接。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一层位于与所述下栅电极相同的层级上。
10.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
执行第一掩模工艺，以在基板上形成起泡防止层和薄膜晶体管的活化层；
执行第二掩模工艺，以在所述基板上形成第一电极单元、栅电极和互连单元，所述第一电极单元用于形成像素电极；
执行第三掩模工艺，以形成层间绝缘膜，使得所述层间绝缘膜包括暴露所述活化层的相对边缘的接触孔并且包括暴露所述第一电极单元的一部分的开口；
执行第四掩模工艺，以形成源电极和漏电极并由所述第一电极单元形成所述像素电极，使得所述源电极和所述漏电极通过所述接触孔接触所述活化层；并且
执行第五掩模工艺，以形成暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层。
11.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法，其中执行所述第一掩模工艺包括：
在所述基板上形成硅层；
使所述硅层结晶；以及
将结晶的硅层图案化，以形成所述活化层和所述起泡防止层。
12.根据权利要求11所述的制造有机发光显示装置的方法，其中执行所述第一掩模工艺进一步包括：
在所述基板上形成与所述活化层在相同的层级上的下电容器电极。
13.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法，其中执行所述第二掩模工艺包括：
在所述基板上以栅绝缘层、第一导电层和第二导电层的这个顺序顺次形成所述栅绝缘层、所述第一导电层和所述第二导电层，使得所述栅绝缘层、所述第一导电层和所述第二导电层覆盖所述活化层和所述起泡防止层；以及
将所述活化层上的所述第一导电层和所述第二导电层图案化以形成栅电极，使得所述栅电极包括所述第一导电层的作为下栅电极的部分和所述第二导电层的作为上栅电极的部分。
14.根据权利要求13所述的制造有机发光显示装置的方法，其中与形成所述栅电极同时地，在所述起泡防止层上将所述第一导电层和所述第二导电层图案化以形成所述互连单元，使得所述互连单元包括所述第一导电层的作为第一层的部分和所述第二导电层的作为第二层的部分。
15.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中在与所述下栅电极相同的层级上形成所述第一层。
16.根据权利要求13所述的制造有机发光显示装置的方法，其中执行所述第四掩模工艺包括：
在所述层间绝缘膜上形成第三导电层；
将所述第三导电层图案化，以形成所述源电极和所述漏电极；以及
去除所述第二导电层的构成所述第一电极单元的部分，以形成构成所述第一导电层的所述像素电极。
17.根据权利要求11所述的制造有机发光显示装置的方法，其中执行所述第四掩模工艺进一步包括：
在所述下电容器电极上形成上电容器电极。
18.根据权利要求13所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述第一导电层包括从氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌的组中选择的至少一种材料。
19.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法，其中执行所述第三掩模工艺包括：
在所述第一电极单元和所述栅电极上形成所述层间绝缘膜；以及
将所述层间绝缘膜图案化，以形成所述接触孔和暴露所述第一电极单元的一部分的所述开口。
20.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法，其中执行所述第五掩模工艺包括：
在所述基板的整个表面上形成绝缘层，以覆盖所述源电极和所述漏电极；以及
将所述绝缘层图案化，以形成所述像素限定层。
21.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法，进一步包括：在所述第五掩模工艺以后在所述像素电极上形成中间层和对电极，使得所述中间层包括发射层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110141715A KR101884738B1 (ko) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| KR10-2011-0141715 | 2011-12-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103178080A true CN103178080A (zh) | 2013-06-26 |
Family
ID=48637832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012103871503A Pending CN103178080A (zh) | 2011-12-23 | 2012-10-12 | 有机发光显示装置及制造有机发光显示装置的方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8952386B2 (zh) |
| KR (1) | KR101884738B1 (zh) |
| CN (1) | CN103178080A (zh) |
| TW (1) | TW201327805A (zh) |
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- 2011-12-23 KR KR1020110141715A patent/KR101884738B1/ko active IP Right Grant
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- 2012-08-23 US US13/592,508 patent/US8952386B2/en active Active
- 2012-10-01 TW TW101136202A patent/TW201327805A/zh unknown
- 2012-10-12 CN CN2012103871503A patent/CN103178080A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130073719A (ko) | 2013-07-03 |
| US20130161632A1 (en) | 2013-06-27 |
| US8952386B2 (en) | 2015-02-10 |
| TW201327805A (zh) | 2013-07-01 |
| KR101884738B1 (ko) | 2018-08-31 |
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|---|---|---|---|
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