TW201327805A - 有機發光顯示設備及製造有機發光顯示設備之方法 - Google Patents

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Abstract

有機發光顯示設備包含薄膜電晶體，係包含主動層、與主動層絕緣且包含下部閘極電極及上部閘極電極之閘極電極、覆蓋閘極電極之層間絕緣薄膜、以及於層間絕緣薄膜上且接觸主動層之源極電極與汲極電極；有機發光裝置，係包含電性連接至薄膜電晶體之像素電極、包含發光層之中間層、以及反向電極；位於與主動層相同之水平面上之防泡層；覆蓋主動層與防泡層且將主動層與閘極電極絕緣之閘極絕緣層；及包含在閘極絕緣層覆蓋防泡層之部份上之第一與第二層之內連接單元，其中該防泡層保護閘極絕緣層上之內連接單元免於起泡。

Description

有機發光顯示設備及製造有機發光顯示設備之方法
相關申請案之交互參照。
本申請案主張於2011年12月23日向韓國智慧財產局
提出之韓國專利申請號10-2011-0141715之優先權及效益，
其全部內容於此併入作為參考。
實施例是關於一種有機發光顯示設備及製造有機發光顯示設備之方法。
近來，以可攜帶之薄膜平板顯示設備取代顯示設備已引起注意。在眾多平板顯示設備中，有機發光顯示設備為一種自發光的顯示設備且擁有寬廣視野角度、高對比率、以及快速回應速度。基於以上優點，有機發光顯示設備被視為是新一代的顯示設備而吸引許多關注。
有機發光顯示設備包含中間層、第一電極以及第二電極。此中間層包含有機發光層，且當電壓提供於第一與第二電極時，此有機發光層可發射出可見光。
實施例提供一種可改善原本存在於閘極絕緣層與氧化銦錫層之間附著缺陷之有機發光顯示設備，以及其製造方法。
根據範例實施例之一態樣，提供之有機發光顯示設備包含﹕薄膜電晶體，係包含主動層、與主動層絕緣且包含下部閘極電極及上部閘極電極之閘極電極、覆蓋閘極電極之層間絕緣薄膜、以及形成於層間絕緣薄膜上並接觸主動層之源極電極與汲極電極；有機發光裝置，係包含電性連接至薄膜電晶體之像素電極、包含發光層的中間層，以及反向電極，其係依所述順序依序沉積；與主動層形成於相同水平面之防泡層；覆蓋主動層與防泡層且將主動層與閘極電極絕緣之閘極絕緣層；及包含沉積在閘極絕緣層對應防泡層之部份上之第一層與第二層之內連接單元，其中該防泡層保護閘極絕緣層上之內連接單元免於起泡。
防泡層可與主動層形成於相同之水平面。
防泡層可具有包含複數個突出部之表面。
面對內連接單元的閘極絕緣層之表面可對應防泡層之突出部而有粗糙部位之形成。
防泡層可包含多晶矽。
下部閘極電極與像素電極可各包含透明導電性金屬氧化物。
第一層、下部閘極電極與像素電極可各包含選自氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵、以及氧化鋁鋅之群組中的至少之一。
上部閘極電極可包含選自銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢鉬合金以及銅之群組之材料中的至少之一。
有機發光顯示設備可進一步包含一電容，其包含﹕與主動層形成於相同水平面之一下部電容電極與形成於閘極絕緣層之一上部電容電極，其中該電容電耦合至薄膜電晶體。
第一層可與下部閘極電極形成於相同水平面。
根據範例實施例之另一態樣，提供製造有機發光顯示設備之方法，其中該方法包含﹕用以形成薄膜電晶體之主動層以及防泡層於基板上之第一光罩製程；用以形成形成像素電極之第一電極單元、閘極電極、以及內連接單元於基板上之第二光罩製程；用以形成含有暴露主動層相對邊緣的接觸孔以及暴露第一電極單元一部份之開孔之層間絕緣薄膜之第三光罩製程；用以形成透過接觸孔接觸主動層之源極電極與汲極電極且由第一電極單元形成像素電極之第四光罩製程；以及用以形成暴露至少一部份像素電極之像素定義層之第五光罩製程。
第一光罩製程包含﹕於基板上形成一矽層；結晶化該矽層；以及圖樣化該結晶化矽層以形成主動層與防泡層。
第一光罩製程可更進一步包含﹕於與基板上之主動層相同之水平面形成下部電容電極，於下部電容電極上形成一上部電容電極。
第二光罩製程可包含﹕將閘極絕緣層、第一導電層、第二導電層依序地依此順序形成於基板上以覆蓋主動層與防泡層；且圖樣化主動層上之第一導電層與第二導電層以形成包含第一導電層之ㄧ部份作為下部閘極電極以及第二導電層之ㄧ部份作為上部閘極電極的閘極電極。
當閘極電極形成時，於防泡層上圖樣化第一導電層與第二導電層以形成包含第一導電層作為第一層以及第二導電層作為第二層之內連接單元。
第一層可與下部閘極電極形成於相同之水平面。
第四光罩製程可包含﹕形成第三導電層於層間絕緣薄膜上；圖樣化第三導電層以形成源極電極與汲極電極；並移除組成第一電極單元之第二導電層以形成由第一導電層組成之像素電極。
第三光罩製程可包含﹕形成絕緣層於第一電極單元與閘極電極上；且圖樣化該絕緣層以形成接觸孔與暴露第一電極單元之開口。
第五光罩製程可包含﹕形成絕緣層於基板之整個表面上以覆蓋源極電極與汲極電極；且圖樣化該絕緣層以形成像素定義層。
製造方法可進一步包含﹕於第五光罩製程之後，形成包含發光層之中間層且在像素電極上形成反向電極。
第一導電層可包含至少一選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)之群組中之材料。
如同於此使用者，詞句“與/或”包含任何一個或所有相關列出事項之單一項或組合。當表述詞如“至少其一”前綴於一條列元件時，可修飾整體條列出之元件而非修飾條列中之單一個別元件。
其後，實施例之結構與操作將藉參照描繪於附圖中之實施例詳細描述於下。
第1圖係為描繪根據一實施例之有機發光顯示設備1之剖面示意圖。
請參閱第1圖，根據本實施例之有機發光顯示設備1可包含具有複數個發光像素之第一基板10以及藉密封與第一基板10黏合之第二基板 (未顯示)。
例如，薄膜電晶體(TFT)、有機發光裝置OLED與電容Cst可形成於第一基板10上。第一基板10可為低溫多晶矽基板、塑膠基板、或其相似物。
第二基板 (未顯示) 可為一封裝基板，其設置於第一基板10上以阻擋外部濕氣或空氣滲透進入薄膜電晶體(TFT)或第一基板10上之發光像素。第二基板可面對第一基板10，且第一基板10與第二基板以沿著第一基板10與第二基板邊緣設置之密封件(未顯示)彼此黏合。第二基板可為玻璃基板、塑膠基板、或是不銹鋼(SUS)基板。
第一基板10可被區分為電晶體區域2、儲存區域3、發光區域4、以及內連接區域5。
電晶體區域2可包含作為驅動裝置之薄膜電晶體(TFT)。薄膜電晶體可包含主動層21、閘極電極20、源極電極29與汲極電極27。
閘極電極20包含下閘極電極23與上閘極電極25(於下閘極電極23之上)。於實行上，下閘極電極23可包含包含選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)之群組之透明導電材料中的至少之一。
上閘極電極25包含25a、25b與25c三層。但本實施例並不對此設限，且上閘極電極25可包含一或多層之金屬或金屬合金，如﹕鉬、鎢鉬合金或鋁系合金。
閘極絕緣層12可設置於閘極電極20與主動層21之間以絕緣閘極電極20與活性層21。
主動層21可具有摻雜高濃度雜質於其相對之邊緣之源極區域21s與汲極區域21d。源極區域21s與汲極區域21d分別連接至源極電極29與汲極電極27。
儲存區域3可包含電容Cst。電容Cst可包含下部電容電極31與上部電容電極33，閘極絕緣層12可插設於下部電容電極31與上部電容電極33之間。
下部電容電極31可設置於與薄膜電晶體之主動層21相同之水平面。下部電容電極31可包含半導體材料且可摻雜雜質以改良其導電度。
上部電容電極33可設置於與薄膜電晶體之下部閘極電極23以及有機發光裝置OLED之像素電極43相同之水平面。例如上部電容電極33可包含透明導電材料，又例如與用在下部閘極電極23相同之透明導電材料。
發光區域4可包含有機發光裝置OLED。有機發光裝置OLED可包含像素電極43(連接至薄膜電晶體之源極電極29與汲極電極27的其中之一) 、反向電極45(面對像素電極43)、以及一中間層44(插設於像素電極43與反向電極45之間)。像素電極43可包含透明導電材料，且可設置於與薄膜電晶體之下部閘極電極23相同之水平面。實行上，像素電極43可包含與用於下部閘極電極23相同之材料。
內連接區域5可包含一內連接單元50。雖然無圖示，內連接單元50可電性連接至TFT與/或有機發光裝置OLED。內連接單元50可設置於閘極絕緣層12上。內連接單元50可包含第一層53以及第二層55a、55b與55c。第一層53可設置於與下部閘極電極23相同之水平面。於實行上，第一層53可包含與用於下部閘極電極23相同之材料。第二層55a、55b與55c可設置於與上部閘極電極25相同之水平面。於實行上，第二層55a、55b與55c可包含與用於上部閘極電極25相同之材料。例如，第一層53可形成於內連接區域5之閘極絕緣層12上，且55a、55b與55c可形成於第一層53上。
第一層53可包含透明導電材料，例如與用於下部閘極電極23相同之透明導電材料。例如，第一層53可包含選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)之群組中的至少之一。
55a、55b與55之數量可為3，如包含25a、25b與25c三層之上部閘極電極25。實施例並不對此設限，且第二層55a、55b與55c可各自包含一或多層金屬或金屬合金，如﹕鉬、鎢鉬合金或鋁系合金。
對應於內連接單元50，防泡層51可配置於閘極絕緣層12之下。例如，閘極絕緣層12可設置於內連接單元50與防泡層51之間。於實行上，防泡層51與主動層21可同時形成且防泡層51可包含多晶矽，例如與用於主動層21相同之多晶矽。面對內連接單元50的防泡層51之表面可包含一突出部51a。因為突出部51a，在防泡層51上形成之閘極絕層12可有一粗糙部12a。
防泡層51(包含突出部51a)可幫助防止氣泡於內連接單元50與閘極絕緣層12之間形成。例如，內連接單元50之第一層53可包含透明導電材料，如氧化銦錫(ITO)，且閘極絕緣層12可包含無機材料，如氮化矽(SiNX)或氧化矽(SiOX)。包含如氧化銦錫(ITO)之透明導電材料的第一層53對於包含無機材料的閘極絕緣層12，由於其間性質上之差異而具有弱黏著力。例如，高溫加熱後，第一層53於閘極絕緣層12上膨脹。此膨脹可被認為係起泡現象。舉例來說，基板10具有較大面積且內連接單元50具有較大面積。因此，內連接單元50的第一層53之起泡可能性相對增加。依據實施例，防泡層51於其表面有突出部51a，且因為突出部51a，在防泡層51上之閘極絕緣層12之上表面有一粗糙部12a。因此，閘極絕緣層12與第一層53之接觸面積增加，且黏著應力可分散於接觸面積上以幫助防止第一層53之起泡。同時，依據實施例，防泡層51於同一製程中可與主動層21一起形成在輔助層11上。從而可防止第一層53起泡而不需個別之額外程序。
第2圖至第11圖為根據實施例描繪第1圖之有機發光顯示設備1的製造方法之階段剖面示意圖。下文中，將詳細敘述第1圖之有機發光顯示裝置1之製造方法。
首先，如第2圖所示，輔助層11形成於第一基板10上。例如，第一基板10可由包含二氧化矽(SiO2)為主要成分的透明玻璃材料形成。然而，用以形成第一基板10之材料並不限於此，且其餘各種材料，如透明塑膠材料或金屬材料，亦可用以形成第一基板10。
輔助層11，如障礙層、阻擋層與/或緩衝層可形成於第一基板10之頂面以幫助防止雜質之分散以及溼氣與外界空氣之滲透並平坦化頂面。輔助層11可藉使用各種沉積方法，如：電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、常壓化學氣相沉積(APCVD)或低壓化學氣相沉積(LPCVD)沉積二氧化矽(SiO2)與/或矽氮化物(SiNX)而形成。
接著，如第3圖所示，薄膜電晶體之主動層21、下部電容電極31與防泡層51可形成於輔助層11上。例如，非晶矽層(未顯示)可沉積於輔助層11上後結晶化以形成多晶矽層(未顯示)。可使用各種方法以達成非晶矽層之結晶化，如：快速熱退火(RTA)、固態結晶(SPC)、準分子雷射退火(ELA)、金屬誘導結晶(MIC)、金屬誘導橫向結晶(MIlC)或連續橫向固化(SLS)。接著，經由使用第一光罩(未顯示)之光罩製程圖樣化多晶矽層以形成薄膜電晶體之主動層21、下部電容電極31與防泡層51。
於本實施例中，主動層21與下部電容電極31係各自形成。然而，於實行上，主動層21與下部電容電極31反而可以一體成形的形成。例如，主動層21可形成一通道，下部電容電極31可形成一電容電極，且防泡層51可形成一動力內連接層。
接著，如第4圖所示，閘極絕緣層12可形成於第一基板10之整個表面上(主動層21、下部電容電極31與防泡層51已於其上形成)。
可以電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、常壓化學氣相沉積(APCVD)或低壓化學氣相沉積(LPCVD)等沉積氮化矽(SiNX)或氧化矽(SiOX)形成無機絕緣薄膜以形成閘極絕緣層12。閘極絕緣層12可插設於薄膜電晶體之主動層21與閘極電極20(描述於下)之間以作為薄膜電晶體之閘極絕緣層，且可插設於上部電容電極33(描述於下)與下部電容電極31(描述於下)之間以作為電容Cst之介電層。
防泡層51可具有突出部(第1圖之51a)。從而閘極絕緣層12(覆蓋防泡層51)可對應地具粗糙部(第1圖之12a)。
接著，如第5圖所示，第一導電層13與第二導電層15可依序形成於第一基板10之整個表面(閘極絕緣層12已於其上形成)上。
第一導電層13可包含選自於氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)以及氧化銦(In2O3)之群組之透明材料中的至少之一。如後所述，第一導電層13可圖樣化以形成像素電極43、下部閘極電極23、上部電容電極33以及內連接單元50之第一層53。
第二導電層15可包含第一層15a、第二層15b以及第三層15c以所述順序依序堆疊。第二導電層可具有鉬-鋁-鉬之三層結構。然而，實施例並不限於此，且第二導電層15包含選自銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鎢鉬合金(MoW)以及銅(Cu)之群組中的至少之一。如後所述，以下，第二導電層15可圖樣化以形成上部閘極電極25以及內連接單元50之第二層55a、55b與55c。
在實行上，第一導電層13可包含具有比第二導電層15更強的抗腐蝕性之各種其他適合之材料。第二導電層15可包含具有更低的電阻之各種其他適合之材料以允許電流相較於第一導電層13更輕易地流動。
接著，如第6圖所示，於第一基板10上，閘極電極20、第一電極單元40、第二電極單元30與內連接單元50可分別形成。
例如，可藉執行使用第二光罩(未顯示)之光罩製程圖樣化第一導電層13與第二導電層15(依序沉降於第一基板10上之完整表面)。
例如，在電晶體區域2中，閘極電極20可形成於主動層21上，且閘極電極20可包含下部閘極電極23(如第一導電層13之一部份)與上部閘極電極25(如第二導電層15之一部份)。
就此點而言，閘極電極20可對應至主動層21之中間部份，且主動層21可藉利用閘極電極20作為自對準光罩而摻雜n型或p型雜質以形成源極區域21s與汲極區域21d(於對應於閘極電極20相對側之主動層21邊緣)且通道區域21c插設於其間。於實行上，雜質包含硼(B)離子或磷(P)離子。
在儲存區域3中，第二電極單元30(用以形成上部電容電極33)可於下部電容電極31上形成。在發光區域4中，可形成第一電極單元40(用以形成像素電極43)。在內連結區域5中，可形成內連接單元50(包含第一層53以及第二層55a、55b與55c)。
接著，如第7圖所示，層間絕緣薄膜14可沉積於第一基板10(閘極電極20已形成於其上)之整個表面上。
層間絕緣薄膜14可由例如旋轉塗布選自聚亞醯胺(polyimide)、聚醯胺(polyamide)、丙烯酸樹脂(acryl resin)、苯並環丁烯(benzocyclobutene)以及酚樹脂(phenol resin)之群組之有機絕緣材料中的至少之一而形成。層間絕緣薄膜14可具足夠之厚度，例如較閘極絕緣層12為厚以絕緣薄膜電晶體之閘極電極20及源極電極29與汲極電極27。同時，層間絕緣薄膜14可包含無機絕緣材料而非有機絕緣材料，例如與使用於閘極絕緣層12相同之無機絕緣材料。於實行上，有機絕緣材料與無機絕緣材料可交替沉積以形成層間絕緣薄膜14。
接著，如第8圖所示，可圖樣化層間絕緣薄膜14以形成開孔H3、H4與H5(暴露第一電極單元40與第二電極單元30)與接觸孔H1與H2(暴露主動層21之部份源極區域21s與汲極區域21d)。
例如，可藉執行使用第三光罩(未顯示)之光罩製程而圖樣化層間絕緣薄膜14以形成接觸孔與開孔H1、H2、H3、H4與H5。就此點而言，接觸孔H1與H2可暴露部份源極區域21s與汲極區域21d，且第三開孔H3與第四開孔H4可暴露至少一部份的第一電極單元40。第五開孔H5可暴露至少一部份的第二電極單元30。
接著，如第9圖所示，第三導電層17可沉積於第一基板10之整個表面上以覆蓋層間絕緣薄膜14。
第三導電層17可包含選自上述使用於形成第一導電層13與第二導電層15之導電材料之材料。然而用於形成第三導電層17之材料並不限於此，且其他各種導電材料亦可用於形成第三導電層17。導電材料可沉積至足夠之厚度以充填接觸孔與開孔H1、H2、H3、H4與H5。
接著，如第10圖所示，可圖樣化第三導電層(請參閱第9圖之17)以分別形成源極電極29、汲極電極27、像素電極43與上部電容電極33。
例如，可藉執行使用第四光罩(未顯示)之光罩製程圖樣化第三導電層(請參閱第9圖之17) 以形成源極電極29與汲極電極27。
就此點而言，源極電極29與汲極電極27的其中之一(在本實施例中為汲極電極27)可形成以經由位於第一電極單元(請參閱第8圖40)之第二導電層15邊緣之第三開孔H3連接像素電極43，以形成像素電極43。
當源極電極29與汲極電極27形成時，像素電極43與上部電容電極33亦可形成。然而，但本實施例並不對此設限，且舉例而言，源極電極29與汲極電極27可形成，而後可以另外蝕刻分別形成像素電極43與上部電容電極33。例如，關於第一電極單元(請參閱第8圖之40)，可移除藉第四開孔H4暴露之一部份第二導電層15以形成像素電極43。同時，關於第二電極單元(請參閱第8圖之30)，可移除藉第三開孔H3暴露之一部份第二導電層15以形成上部電容電極33。
於實行上，下部閘極電極23、上部電容電極33與像素電極43可由相同材料形成。
n型或p型雜質可經由第五開孔H5植入以摻雜於下部電容電極31。用以摻雜之雜質可與用於摻雜於主動層21之雜質相同或不同。
接著，如於第11圖中所描繪，像素定義層(PDL)16可於第一基板10上形成。
例如，像素定義層16可沉積於第一基板10(像素電極43、源極電極29、汲極電極27與上部電容電極33已形成於其上)之整個表面上。在實行上，像素定義層16可由例如旋轉塗布選自聚亞醯胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯以及酚樹脂之群組之有機絕緣材料中的至少之一而形成。在實行上，像素定義層16 可包含選自二氧化矽 (SiO2)、氮化矽 (SiNX)、三氧化二鋁(Al2O3)、氧化銅 (CuOX)、七氧化四鋱(Tb4O7)、三氧化二釔(Y2O3)、五氧化二鈮(Nb2O5)以及三氧化二鐠(Pr2O3)之無機絕緣材料而非有機絕緣材料。或者有機絕緣材料與無機絕緣材料可交替沉積以形成像素定義層16。
像素定義層16可藉由執行使用第五光罩(未顯示)之光罩製程以形成暴露像素電極43中間部份之第六開孔H6而定義像素。
接著，如第1圖所示，中間層44(包含發光層)與反向電極45可形成於暴露像素電極43之第六開孔H6內。
中間層44可藉由沉積有機發光層(EML)，及選自電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、或電子注入層(EIL)之至少一功能層而形成，以上各層均有一層或多層結構。
有機發光層可包含低分子量或聚合有機材料。
當有機發光層包含低分子量有機材料時，中間層44可包含從有機發光層朝像素電極43方向沉積之電洞傳輸層與電洞注入層，及從有機發光層朝反向電極45方向沉積之電子傳輸層與電子注入層。同時根據目的，亦可沉積各種其他層。低分子量有機材料之範例可包含銅酞菁(copper phthalocyanine, CuPc)、N,N'-二萘-1-基- N,N'-聯苯-聯苯胺(N,N'-dinaphthalene-1-yl-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB),與三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)。
當有機發光層包含聚合有機材料時，中間層44從有機發光層朝像素電極43方向可僅包含電洞傳輸層。電洞傳輸層可經由如噴射印刷或塗層聚3,4乙烯二氧噻吩(poly 3,4-ethylenedioxythiophene, PEDOT)或聚苯胺(polyaniline, PANI)於像素電極43上而形成。聚合有機材料之範例可包含聚對苯乙炔( polyphenylene vinylene, PPV)與聚茀(polyfluorene)。這些材料可藉由傳統使用之噴射印刷、旋轉塗布或使用雷射之熱轉印以具體化彩色圖樣。
反向電極45可沉積於第一基板10之整個表面上以作為共電極。關於根據本實施例之有機發光顯示設備1，可使用像素電極43作為正極且可使用反向電極作為負極。於實行上，可使用像素電極43作為負極且可使用反向電極作為正極。
當有機發光顯示設備1為底部發光型顯示設備時(其中影像朝向第一基板10顯示)，像素電極43可為透明電極且反向電極45可為反射電極。依此考量，反射電極可經由以相對小之厚度沉積具有低功函數之金屬，如銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁或其化合物而形成。
在形成有機發光顯示設備1之各個光罩製程中，沉積膜之移除可藉由乾蝕刻或溼蝕刻執行。
關於根據本實施例之發光顯示設備，防泡層51與主動層21可同時形成。因此，不須額外程序即可降低與/或保護形成於閘極絕緣層12之內連接單元50之第一層53之免於起泡。
同時，以上實施例藉參考有機發光顯示設備而描述。然而本實施例並不對此設限，且包含液晶顯示設備之其他各種顯示裝置亦可應用於實施例中。
同時，使用於描述以上實施例之圖示描繪一薄膜電晶體與一電容。然而，此構造僅用於說明目的且實施例並不對此設限，只要光罩製程的數目不增加，可包含複數個薄膜電晶體與電容。
根據實施例，不須額外程序，可降低與/或防止發生於閘極絕緣層與內連接單元之ITO層間的黏著缺陷。
雖然本發明已藉參照其範例實施例而具體顯現與描述，應為習知技藝者所理解的是，任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其執行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
1．．．有機發光顯示設備
2．．．電晶體區域
3．．．儲存區域
4．．．發光區域
5．．．內連接區域
10．．．第一基板
11．．．輔助層
12．．．閘極絕緣層
12a．．．粗糙部
13．．．第一導電層
14．．．層間絕緣薄膜
15．．．第二導電層
15a、15b、15c．．．第二導電層之次層
16．．．像素定義層
17．．．第三導電層
20．．．閘極電極
21．．．主動層
21c．．．主動層之通道區域
21d．．．主動層之汲極區域
21s．．．主動層之源極區域
23．．．下部閘極電極
25．．．上部閘極電極
25a、25b、25c．．．上部閘極電極之次層
27．．．汲極電極
29．．．源極電極
30．．．第二電極單元
31．．．下部電容電極
33．．．上部電容電極
40．．．第一電極單元
43．．．像素電極
44．．．中間層
45．．．反向電極
50．．．內連接單元
51．．．防泡層
51a．．．突出部
53．．．內連接單元之第一層
55a、55b、55c．．．內連接單元之第二層
Cst．．．電容
H1、H2．．．接觸孔
H3、H4、H5、H6．．．開孔
OLED．．．有機發光裝置
TFT．．．薄膜電晶體
實施例將藉參照附圖及對範例實施例之詳細描述而顯而易知，其中：
第1圖係為根據一實施例描繪之有機發光顯示設備之剖面示意圖。
第2圖至第11圖係為根據一實施例描繪之製造有機發光顯示設備方法之階段剖面示意圖。
1．．．有機發光顯示裝置
2．．．電晶體區域
3．．．儲存區域
4．．．發光區域
5．．．內連接區域
10．．．第一基板
11．．．輔助層
12．．．閘極絕緣層
12a．．．粗糙部
14．．．層間絕緣薄膜
16．．．像素定義層
20．．．閘極電極
21．．．主動層
21c．．．主動層之通道區域
21d．．．主動層之汲極區域
21s．．．主動層之源極區域
23．．．下部閘極電極
25．．．上部閘極電極
25a、25b、25c．．．上部閘極電極之次層
27．．．汲極電極
29．．．源極電極
30．．．第二電極單元
31．．．下部電容電極
33．．．上部電容電極
43．．．像素電極
44．．．中間層
45．．．反向電極
50．．．內連接單元
51．．．防泡層
51a．．．突出部
53．．．內連接單元之第一層
55a、55b、55c．．．內連接單元之第二層
Cst．．．電容
OLED．．．有機發光裝置
TFT．．．薄膜電晶體

Claims (20)

  1. 一種有機發光顯示設備，包含﹕
    一薄膜電晶體，包含﹕
    一主動層，
    一閘極電極，與該主動層絕緣，該閘極電極包含一下部閘極電極及一上部閘極電極，
    一層間絕緣薄膜，覆蓋該閘極電極，以及
    一源極電極與一汲極電極，於該層間絕緣薄膜上且該源極電極與該汲極電極接觸該主動層；
    一有機發光裝置，包含依此順序堆疊之﹕
    一像素電極，電性連接至該薄膜電晶體，
    一中間層，包含一發光層，以及
    一反向電極；
    一防泡層，與該主動層於相同之水平面上；
    一閘極絕緣層，覆蓋該主動層與該防泡層，該閘極絕緣層絕緣該主動層與該閘極電極；以及
    一內連接單元，包含在該閘極絕緣層覆蓋該防泡層之部份上之一第一層與一第二層，
    其中該防泡層保護該閘極絕緣層上之該內連接單元免於起泡。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該防泡層具有包含複數個突出部之一表面。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中面對該內連接單元之該閘極絕緣層之表面具對應於該防泡層之該些突出部之一粗糙部。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該防泡層包含多晶矽。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第一層、該下部閘極電極與該像素電極各包含一透明導電金屬氧化物。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示設備，其中該透明導電金屬氧化物包含選自氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵、以及氧化鋁鋅之群組中的至少之一。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該上部閘極電極包含選自銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢鉬合金及銅之群組之材料中的至少之一。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，進一步包含一電容，該電容包含﹕
    一下部電容電極，與該主動層於相同之水平面上，以及
    一上部電容電極，於該閘極絕緣層上，
    其中該電容電耦合至該薄膜電晶體。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第一層與該下部閘極電極於相同之水平面上。
  10. 一種製造有機發光顯示設備之方法，該方法包含﹕
    執行一第一光罩製程以形成一薄膜電晶體之一主動層以及一防泡層於一基板上；
    執行一第二光罩製程以於該基板上形成一第一電極單元，該第一電極單元係用以形成一像素電極、一閘極電極及一內連接單元；
    執行一第三光罩製程以形成一層間絕緣薄膜，使該層間絕緣薄膜包含暴露該主動層相對邊緣之複數個接觸孔及包含暴露該第一電極單元之一部份之一開孔；
    執行一第四光罩製程以形成一源極電極與一汲極電極以及來自該第一電極單元之該像素電極，使該源極電極與該汲極電極透過該些接觸孔接觸該主動層且；
    執行一第五光罩製程以形成暴露至少一部份該像素電極之一像素定義層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該第一光罩製程之執行包含﹕
    形成一矽層於該基板上；
    結晶化該矽層；以及
    圖樣化該結晶化矽層以形成該主動層與該防泡層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第一光罩製程之執行進一步包含﹕
    形成一下部電容電極於與該基板相同之水平面上，以及
    形成一上部電容電極於該下部電容電極上。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該第二光罩製程之執行包含﹕
    一閘極絕緣層、一第一導電層與一第二導電層依此順序依序地形成於該基板上，使該閘極絕緣層、該第一導電層與該第二導電層覆蓋該主動層與該防泡層；以及
    圖樣化位於該主動層上之該第一導電層與該第二導電層以形成一閘極電極，使該閘極電極包含部份該第一導電層作為一下部閘極電極以及部份第二導電層作為一上部閘極電極。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中於形成該閘極電極同時，該第一導電層與第二導電層圖樣化於該防泡層上以形成該內連接單元，使該內連接單元包含該第一導電層作為一第一層以及該第二導電層作為一第二層。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該第一層形成於與該下部閘極電極相同之水平面上。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第四光罩製程之執行包含﹕
    形成一第三導電層於層間絕緣薄膜上；
    圖樣化該第三導電層以形成該源極電極與該汲極電極；以及
    移除部份組成該第一電極單元之該第二導電層以形成由該第一導電層組成之該像素電極。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第一導電層包含至少一選自氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵及氧化鋁鋅之群組中之材料。
  18. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該第三光罩製程之執行包含﹕
    形成一絕緣層於該第一電極單元與該閘極電極上；以及
    圖樣化該絕緣層以形成該些接觸孔及暴露部份該第一電極單元之該開孔。
  19. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該第五光罩製程之執行包含﹕
    形成一絕緣層於該基板之整個表面上以覆蓋該源極電極與該汲極電極；以及
    圖樣化該絕緣層以形成該像素定義層。
  20. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其進一步包含，於該第五光罩製程之後，形成一中間層及一反向電極於該像素電極上使該中間層包含一發光層。
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