CN107768412A - 显示基板及其制备方法和显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示基板及其制备方法和显示面板，该显示基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有薄膜晶体管和发光器件；薄膜晶体管包括：有源层、源极和漏极，有源层与源极、漏极之间形成有层间绝缘层，层间绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔，发光器件位于第一过孔内，漏极通过第二过孔与发光器件的阳极连接。与现有技术相比，本发明的技术方案通过改变薄膜晶体管与发光元件之间的相对位置，将发光元件设置于位于层间绝缘层中的第一过孔内，以使得发光元件和薄膜晶体管基本处于衬底基板上的同一高度位置，从而避免了发光元件发出的光照射至薄膜晶体管中的有源层上，进而保证了薄膜晶体管工作稳定性。

Description

显示基板及其制备方法和显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板。

背景技术

图1为现有技术中涉及的一种显示基板的截面示意图，如图1 所示，该显示基板包括：薄膜晶体管2和发光元件3，其中，薄膜晶体管2背向衬底基板1的一侧形成有钝化层8，发光元件2位于钝化层8背向衬底基板1的一侧，发光元件3的阳极通过钝化层8上的过孔与薄膜晶体管2的漏极连接。

在实际应用中发现，由于发光元件3位于薄膜晶体管2背向衬底基板1的一侧，发光元件3与薄膜晶体管2之间存在较大段差，则在发光元件3进行工作时，发光元件3发出的部分光不可避免的射向薄膜晶体管2中的有源层。与此同时，由于有源层的半导体材料对光照敏感，在光照下其电学特性会发生变化，薄膜晶体管的阈值电压出现漂移。

此外，为避免外部环境光射至有源层，则往往在薄膜晶体管和衬底基板之间设置一层金属薄膜，以遮挡环境光。然而，由于金属薄膜具有一定的反射作用，当发光元件产生的部分光射至金属薄膜表面 (背向衬底基板的一侧表面)时，该部分光线会在金属薄膜表面发生反射，并射向有源层，也会在一定程度上引起薄膜晶体管的阈值电压偏移问题。

由此可见，现有的显示基板上的薄膜晶体管的阈值电压容易发生漂移，工作稳定性差。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板及其制备方法和显示面板。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，包括：衬底基板，所述衬底基板上形成有薄膜晶体管和发光器件；

所述薄膜晶体管包括：有源层、源极和漏极，所述有源层与所述源极、漏极之间形成有层间绝缘层，所述层间绝缘层上设置有第一过孔和所述第二过孔，所述发光器件位于所述第一过孔内，所述漏极通过所述第二过孔与所述发光器件的阳极连接。

可选地，所述发光器件包括：在远离所述衬底基板方向上依次形成的所述阳极、发光层和阴极；

所述阳极背向所述衬底基板的一侧形成有缓冲层，所述缓冲层上对应所述第一过孔的位置形成有第三过孔，对应所述第二过孔的位置形成有第四过孔；

所述发光层位于所述第三过孔内；

所述薄膜晶体管位于所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧，所述漏极通过所述第二过孔、第四过孔与所述阳极连接。

可选地，还包括：与所述阳极同层设置的吸光图形，所述有源层在所述吸光图形所处平面上的正投影完全落入所述吸光图形上。

可选地，所述阳极和所述吸光图形的材料为氧化铟锡。

可选地，所述薄膜晶体管与所述衬底基板之间形成有遮光图形，所述薄膜晶体管在所述遮光图形所处平面的正投影完全落入所述遮光图形上；

所述遮光图形的材料为黑色树脂材料。

可选地，所述发光器件发出的光为白光，所述发光器件与所述衬底基板之间形成有彩色滤光图形。

为实现上述目的，本发明还提供了一种显示面板，包括：如上述的显示基板。

为实现上述目的，本发明还提供了一种显示基板的制备方法，包括：

形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层、源极和漏极，所述有源层与所述源极、漏极之间形成有层间绝缘层，所述层间绝缘层上设置有第一过孔和所述第二过孔；

形成发光器件，所述发光器件位于所述第一过孔内，所述漏极通过所述第二过孔与所述发光器件的阳极连接。

可选地，形成薄膜晶体管的步骤与形成发光器件的步骤具体包括：

在衬底基板上形成阳极；

在所述阳极背向所述衬底基板的一侧形成缓冲层；

在所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧形成有源层；

在所述有源层背向所述衬底基板的一侧形成栅绝缘层和栅极，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述有源层之间；

在所述栅极背向所述衬底基板的一侧形成层间绝缘层，所述层间绝缘层上形成有所述第一过孔、所述第二过孔和第五过孔；

在所述缓冲层上对应所述第一过孔的位置形成第三过孔，对应所述第二过孔的位置形成第四过孔；

在所述层间绝缘层背向所述衬底基板的一侧形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过对应的所述第五过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔、第四过孔与所述阳极连接；

在所述第三过孔内形成发光层；

在所述发光层背向所述衬底基板的一侧形成阴极。

可选地，所述在衬底基板上形成阳极的步骤之前还包括：

在衬底基板上形成遮光图形，所述遮光图形完全覆盖后续待形成所述薄膜晶体管的区域；

在衬底基板上形成彩色滤光图形，所述彩色滤光图形对应后续待形成发光元件的区域；

所述在衬底基板上形成阳极的步骤的同时还包括：

形成与所述阳极同层设置的吸光图形，所述吸光图形完全覆盖后续待形成所述薄膜晶体管的区域。

本发明具有以下有益效果：

本发明公开了一种显示基板及其制备方法和显示面板，该显示基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有薄膜晶体管和发光器件；薄膜晶体管包括：有源层、源极和漏极，有源层与源极、漏极之间形成有层间绝缘层，层间绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔，发光器件位于第一过孔内，漏极通过第二过孔与发光器件的阳极连接。与现有技术相比，本发明的技术方案通过改变薄膜晶体管与发光元件之间的相对位置，将发光元件设置于位于层间绝缘层中的第一过孔内，以使得发光元件和薄膜晶体管基本处于衬底基板上的同一高度位置，从而避免了发光元件发出的光照射至薄膜晶体管中的有源层上，进而保证了薄膜晶体管工作稳定性。

附图说明

图1为现有技术中涉及的一种显示基板的截面示意图；

图2为本发明实施例一提供的一种显示基板的截面示意图；

图3为本发明实施例一提供的显示基板的制备方法的流程图；

图4为本发明实施例三提供的显示基板的制备方法的流程图；

图5a～5k为制备图2所示显示基板的中间结构的截面示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制备方法和显示面板进行详细描述。

图2为本发明实施例一提供的一种显示基板的截面示意图，如图2所示，该显示基板包括：衬底基板1，衬底基板1上形成有薄膜晶体管2和发光器件，薄膜晶体管2包括：栅极204、有源层201、源极202和漏极203，有源层201与源极202、漏极203之间形成有层间绝缘层7(Inner Layer Dielectric，简称ILD)，层间绝缘层 7上设置有第一过孔7a和第二过孔7b，发光器件位于第一过孔7a 内，漏极203通过第二过孔7b与发光器件的阳极301连接。

在本实施例中，以薄膜晶体管2为顶栅型薄膜晶体管为例进行示例性描述，由于顶栅型薄膜晶体管2中的栅极204和源极202/漏极203之间不存在交叠区域，因此具有较小的寄生电容，减小了RC 延迟，反映到像素电路中即具有更高的开关速度，从而容易实现较高分辨率的OLED显示。具体地，栅极204位于有源层201背向衬底基板1的一侧，栅极204与有源层201之间设置有栅绝缘层9(栅绝缘层9的图形与栅极204的图形相同，可通过自对准工艺进行制备)，层间绝缘层7位于有源层201、栅极204背向衬底基板1的一侧，源极202和漏极203位于层间绝缘层7背向衬底基板1的一侧且通过层间绝缘层7上相应的第五过孔7c与有源层201连接。为减小有源层 201上与源极202、漏极203接触部分201a的电阻，可对有源层201 上与源极202、漏极203接触部分201a进行导体化，有源层201上未被导体化的部分202b作为沟道区，该沟道区与栅极204所处区域对应。

本领域技术人员应该知晓的是，底栅型薄膜晶体管也适用于本发明的技术方案，具体情况不进行详细描述。

本发明中的发光元件3为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)，一般包括阳极301、阴极303 和位于阳极301与阴极303之间的发光层302。当然，OLED中还可包括用于提高发光效率的空穴/电子传输层、空穴/电子阻挡层等结构 (附图中未示出)，其均应属于本发明的保护范围。

与现有技术相比，本发明的技术方案通过改变薄膜晶体管2与发光元件3之间的相对位置，将发光元件3设置于位于层间绝缘层7 中的第一过孔7a内，以使得发光元件3和薄膜晶体管2基本处于衬底基板1上的同一高度位置，从而避免了发光元件3发出的光照射至薄膜晶体管2中的有源层201上，进而保证了薄膜晶体管2工作稳定性。

作为一种具体可选方案，阳极301背向衬底基板1的一侧形成有缓冲层6，缓冲层6上对应第一过孔7a的位置形成有第三过孔6a，对应第二过孔7b的位置形成有第四过孔6b，发光层302位于第三过孔6a内；薄膜晶体管2位于缓冲层6背向衬底基板1的一侧，漏极203通过第二过孔7b、第四过孔6b与阳极301连接。

需要说明的是，当存在缓冲层6时，位于缓冲层6上的第三过孔6a为第一过孔7a在缓冲层6上的延伸，此时阳极301位于第三过孔6a底部、发光层302位于第三过孔6a内的情况，与前述的“发光器件位于第一过孔7a内”的描述不矛盾。

在本实施例中，在第三过孔6a(第一过孔7a)内形成发光层302 之前，还需要在源极202和漏极203背向衬底基板1的一侧形成钝化层8，钝化层8上对应第一过孔7a的位置形成第六过孔8a。在制备发光层302时，发光材料通过第六过孔8a沉积于第三过孔6a(第一过孔7a)内。

在本实施例中，可以以缓冲层6、层间绝缘层7作为现有技术中的像素界定层(Pixel Define Layer，简称PDL),缓冲层6上的第三过孔6a、层间绝缘层7上的第一过孔7a作为像素界定孔，以容纳发光元件3中的各功能膜层(例如发光层302)。与现有技术相比，本实施例技术方案无需再单独设置像素界定层，可使得显示基板的整体厚度减小，有利于显示基板的轻薄化。

为避免外部环境光透光衬底基板1射向有源层201，本实施例中优选地，在薄膜晶体管2与衬底基板1之间形成有遮光图形11，薄膜晶体管2在遮光图形11所处平面的正投影完全落入遮光图形11 上。进一步优选地，遮光图形11的材料为黑色树脂材料。

现有的遮光图形11往往采用金属材料来制备，由于金属材料的比热容较小，则当其吸收一定光后其自身的温度会发生较大变化(温度迅速上升)，又因为遮光图形11距离薄膜晶体管2的有源层201 距离较近，则高温度的金属遮光图形11会使得有源层201的温度上升，有源层201的电学特性发生变化，影响薄膜晶体管2的正常工作。为此，本发明中选用黑色树脂材料来作为遮光图形11，由于黑色树脂材料的比热容较大，因而当其吸收一定光后其自身的温度变化较小 (温度上升缓慢)，从而有效避免了对有源层201的温度造成影响，保证了薄膜晶体管2的工作稳定性。

优选地，该显示基板还包括：吸光图形5，吸光图形5与阳极301同层设置(两者可通过一次构图工艺形成)。在本实施例中，通过在遮光图形11背向衬底基板1的一侧设置吸光图形5，该吸光图形5可对透过遮光图形11的环境光进行有效吸收，从而能进一步避免环境光照射至有源层201。本实施例中，可选地，阳极301和吸光图形5的材料为氧化铟锡。需要说明的是，虽然氧化铟锡材料为透明材料，但是其对光线具有一定的吸收作用。

需要说明的是，本实施例中为避免吸光图形5上积累过多电荷而出现放电的问题，优选地，吸光图形5与阳极301连接。

作为本发明中的一种可选方案，发光器件发出的光为白光，发光器件与衬底基板1之间形成有彩色滤光图形10，以使得显示基板能进行彩色显示。需要说明的是，白光发光器件与彩色滤光图形10 的设计不仅能实现彩色显示，而且该彩色滤光图形10还能在一定程度上对外部环境光起到过滤作用，能有效减少从发光区域射入、并射向有源层201的光量，可在一定程度上保证薄膜晶体管2的工作稳定性。为避免出现漏光的问题，可使得彩色滤光图形10对遮光图形11 的边缘存在一定的覆盖。

在形成遮光图形11和彩色滤光图形10后，可在遮光图形11和彩色滤光图形10背向衬底基板1的一侧形成一层整层铺设的保护层 4(Over Coat，简称OC)，阳极301设置于保护层4背向衬底基板1 的一侧。

当然本实施例中也可选用合适的发光层302，以使发光器件发出的光为彩色光，此时无需设置彩色滤光图形10，该技术方案也应属于本发明的保护范围。

需要说明的是，上述阳极301位于缓冲层6朝向衬底基板1的一侧，有源层201位于缓冲层6背向衬底基板1的一侧的情况，仅为本实施例中的一种可选方案，其不会对本发明的技术方案产生限制。本发明中的阳极301还可位于其他位置，例如，将有源层201和阳极301均直接设置于保护层4背向衬底一侧的表面，此时无需再设置缓冲层6(吸光图形5也无法设置)。对于其他情况，此处不再一一举例，本领域技术人员应该知晓的是，但凡将发光元件3置于层间绝缘层7中的第一过孔7a，以使得发光元件3和薄膜晶体管2基本处于衬底基板1上的同一高度位置的设计，均应属于本发明的保护范围。

本发明实施例一提供了一种显示基板，该显示基板中的发光元件和薄膜晶体管基本处于衬底基板上的同一高度位置，从而有效避免发光元件发出的光照射至薄膜晶体管中的有源层上，进而保证了薄膜晶体管的工作稳定性。此外，遮光图形和吸光图形的设计，能有效避免外部环境光照射至薄膜晶体管中的有源层上，其也能在一定程度上保证薄膜晶体管的工作稳定性。

图3为本发明实施例一提供的显示基板的制备方法的流程图，如图3所示，该制备方法用于制备上述实施例一中的显示基板，该制备方法包括：

步骤S 101、形成薄膜晶体管。

其中，薄膜晶体管包括：栅极、有源层、源极和漏极，有源层与源极、漏极之间形成有层间绝缘层，层间绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔。

步骤S 102、形成发光器件。

其中，发光器件包括：阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的发光层。发光器件位于第一过孔内，漏极通过第二过孔与发光器件的阳极连接。

图4为本发明实施例三提供的显示基板的制备方法的流程图，图5a～5k为制备图2所示显示基板的中间结构的截面示意图，如图 4至图5k所示，该制备方法用于制备上述实施例一中图2所示显示基板，该制备方法包括：

步骤S201、在衬底基板上形成遮光图形、彩色滤光图形和保护层。

参见图5a所示，在步骤S201中，利用现有的黑矩阵制备工艺和彩膜制备工艺，分别在衬底基板上形成遮光图形11和彩色滤光图形10。其中，遮光图形11的材料为黑色树脂材料，遮光图形11完全覆盖后续待形成薄膜晶体管的区域；彩色滤光图形10对应后续待形成发光元件的区域。为避免出现漏光问题，彩色滤光图形10可覆盖遮光图形11的边缘。

在制备完遮光图形11和彩色滤光图形10后，在遮光图形11和彩色滤光图形10背向衬底基板的一侧形成一层整层铺设的保护层4，该保护层4可对遮光图形和彩色滤光图形提供保护，以避免在后续生产过程中遮光图形11和彩色滤光图形10出现损坏。其中，保护层4的材料可以为硬质透明树脂或氧化硅与氮化硅的混合物。

步骤S202、在保护层背向衬底基板的一侧形成阳极和吸光图形。

参见图5b所示，首先在保护层4上背向衬底基板1的一侧形成导电材料薄膜，其中形成薄膜的方式通常有沉积、涂敷、溅射等多种方式；可选地，导电材料薄膜的材料为氧化铟锡。接着对导电材料薄膜进行一次构图工艺，以得到阳极301和吸光图形5，其中吸光图形5完全覆盖后续待形成薄膜晶体管的区域。为避免吸光图形5上积累过多电荷而出现放电的问题，优选地，吸光图形与阳极连接。

需要说明的是，本发明中的构图工艺通常包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺。

步骤S203、在阳极背向衬底基板的一侧形成缓冲层。

参见图5c所示，在阳极301背向衬底基板1的一侧形成缓冲层材料薄膜，以得到缓冲层6。可选地，缓冲层材料薄膜的材料为氧化硅。

步骤S204、在缓冲层背向衬底基板的一侧形成有源层。

参见图5d所示，首先在缓冲层6背向衬底基板1的一侧形成有源层材料薄膜；可选地，有源层材料薄膜的材料为氧化物半导体材料。然后，对有源层材料薄膜进行一次构图工艺，以得到有源层201的图形。

步骤S205、在有源层背向衬底基板的一侧形成栅绝缘层和栅极。

参见图5e所示，可采用自对准工艺以制备栅绝缘层9和栅极 204。具体地，首先在有源层201背向衬底基板1的一侧依次形成栅绝缘层材料薄膜和栅金属薄膜。然后对栅金属薄膜进行一次构图工艺，以得到栅极的图形。接着以栅极204作为掩膜，对栅绝缘层材料薄膜进行等离子体刻蚀，以得到栅绝缘层9的图形。最后，在栅绝缘层材料薄膜完成刻蚀后，仍维持等离子体刻蚀工艺一段时间，以有源层上未被栅绝缘层覆盖的部分201a进行等离子体注入，使得该部分完成导体化处理。

此时，有源层201上未被栅绝缘层9覆盖的部分201a作为导体区，以供后续与源极、漏极进行连接；有源层201上被栅绝缘层9 覆盖的部分201b作为沟道区。

步骤S206、在栅极背向衬底基板的一侧形成层间绝缘层。

参见图5f所示，首先在栅极204背向衬底基板1的一侧形成层间绝缘层材料薄膜；然后对层间绝缘层材料薄膜进行一次构图工艺，以得到层间绝缘层7的图形，层间绝缘层7上形成有形成第一过孔 7a、第二过孔7b和第五过孔7c。

步骤S207、在缓冲层上对应第一过孔的位置形成第三过孔，对应第二过孔的位置形成第四过孔。

参见图5g所示，对缓冲层6进行一次构图工艺，以在缓冲层上对应第一过孔7a的位置形成第三过孔6a，对应第二过孔7b的位置形成第四过孔6b。

步骤S208、在层间绝缘层背向衬底基板的一侧形成源极和漏极。

参见图5h所示，首先在层间绝缘层7背向衬底基板1的一侧形成源漏金属薄膜；然后对源漏金属薄膜进行一次构图工艺，以得到源极202和漏极203的图形。其中，源极202和漏极203通过对应的第五过孔7c与有源层连接，漏极203通过第二过孔7b、第四过孔6b 与阳极301连接。

步骤S209、在源极和漏极背向衬底基板的一侧形成钝化层。

参见图5i所示，首先在源极202和漏极203背向衬底基板1的一侧形成钝化层材料薄膜；然后对钝化层材料薄膜进行一次构图工艺，以得到钝化层8的图形，其中，钝化层8上对应第一过孔7a的位置形成有第六过孔8a。

步骤S210、在第三过孔内形成发光层。

参见图5j所示，在步骤S209所制得的基板表面形成一层电致发光材料薄膜，电致发光材料薄膜与阳极301相接触的部分构成对应发光元件的发光层302，该发光层302位于第三过孔6a内。

当然，本实施例中也可以通过喷墨打印的方式在由钝化层8上的第六过孔8a、层间绝缘层7上的第一过孔7a、缓冲层6上的第三过孔6a所围成的像素界定孔内滴入电致发光材料墨水；然后通过固化、干燥处理，以得到发光层302的图形。

可选地，发光层302发出的光为白光。

步骤S211、在发光层背向衬底基板的一侧形成阴极。

参见图5k所示，在步骤S210所制得的基板的表面形成导电材料薄膜，以作为阴极303(当然也可根据需要对导电材料薄膜进行构图处理)。可选地，阴极303的材料为金属材料，金属材料具有一定的反射作用，可将发光层产生的光进行反射，以提升显示基板的出光效率。

本发明实施例二和实施例三均提供了一种显示基板的制备方法，在通过该制备方法制备出的显示基板中，发光元件和薄膜晶体管基本处于衬底基板上的同一高度位置，从而有效避免发光元件发出的光照射至薄膜晶体管中的有源层上，进而保证了薄膜晶体管的工作稳定性。此外，遮光图形和吸光图形的设计，能有效避免外部环境光照射至薄膜晶体管中的有源层上，其也能在一定程度上保证薄膜晶体管的工作稳定性。

本发明实施例四提供了一种显示面板，该显示面板包括显示基板，该显示基板采用上述实施例一中的显示基板，对于该显示基板的具体描述可参见上述实施例一中的相应内容，此处不再赘述。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板上形成有薄膜晶体管和发光器件；

所述薄膜晶体管包括：有源层、源极和漏极，所述有源层与所述源极、漏极之间形成有层间绝缘层，所述层间绝缘层上设置有第一过孔和所述第二过孔，所述发光器件位于所述第一过孔内，所述漏极通过所述第二过孔与所述发光器件的阳极连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光器件包括：在远离所述衬底基板方向上依次形成的所述阳极、发光层和阴极；

所述阳极背向所述衬底基板的一侧形成有缓冲层，所述缓冲层上对应所述第一过孔的位置形成有第三过孔，对应所述第二过孔的位置形成有第四过孔；

所述发光层位于所述第三过孔内；

所述薄膜晶体管位于所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧，所述漏极通过所述第二过孔、第四过孔与所述阳极连接。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，还包括：与所述阳极同层设置的吸光图形，所述有源层在所述吸光图形所处平面上的正投影完全落入所述吸光图形上。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述阳极和所述吸光图形的材料为氧化铟锡。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管与所述衬底基板之间形成有遮光图形，所述薄膜晶体管在所述遮光图形所处平面的正投影完全落入所述遮光图形上；

所述遮光图形的材料为黑色树脂材料。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光器件发出的光为白光，所述发光器件与所述衬底基板之间形成有彩色滤光图形。

7.一种显示面板，其特征在于，包括：如上述权利要求1-6中任一所述的显示基板。

8.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层、源极和漏极，所述有源层与所述源极、漏极之间形成有层间绝缘层，所述层间绝缘层上设置有第一过孔和所述第二过孔；

形成发光器件，所述发光器件位于所述第一过孔内，所述漏极通过所述第二过孔与所述发光器件的阳极连接。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，形成薄膜晶体管的步骤与形成发光器件的步骤具体包括：

在衬底基板上形成阳极；

在所述阳极背向所述衬底基板的一侧形成缓冲层；

在所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧形成有源层；

在所述有源层背向所述衬底基板的一侧形成栅绝缘层和栅极，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述有源层之间；

在所述栅极背向所述衬底基板的一侧形成层间绝缘层，所述层间绝缘层上形成有所述第一过孔、所述第二过孔和第五过孔；

在所述缓冲层上对应所述第一过孔的位置形成第三过孔，对应所述第二过孔的位置形成第四过孔；

在所述层间绝缘层背向所述衬底基板的一侧形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过对应的所述第五过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔、第四过孔与所述阳极连接；

在所述第三过孔内形成发光层；

在所述发光层背向所述衬底基板的一侧形成阴极。

10.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成阳极的步骤之前还包括：

在衬底基板上形成遮光图形，所述遮光图形完全覆盖后续待形成所述薄膜晶体管的区域；

在衬底基板上形成彩色滤光图形，所述彩色滤光图形对应后续待形成发光元件的区域；

所述在衬底基板上形成阳极的步骤的同时还包括：

形成与所述阳极同层设置的吸光图形，所述吸光图形完全覆盖后续待形成所述薄膜晶体管的区域。