CN109887976A - 一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置。能够对遮光层中可能会发生异常突起的部分进行阻挡，从而能够防止发生短路，提高成品良率。本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底、设置在所述衬底上的遮光层以及设置在所述遮光层远离所述衬底一侧的阻挡层；所述遮光层包括第一遮光图案；所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。本发明实施例用于防止遮光层在后续的薄膜制备工艺的加热作用下发生异常突起而刺穿有源层。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置。
背景技术
近年来大尺寸OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)因其高对比度、自发光和渐成电视新的增长热点，其中大尺寸OLED中顶栅结构的TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)相比底栅结构的TFT具有高的开态电流、更高开口率和更好的TFT稳定性而受到关注。
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置。能够对遮光层中可能会发生异常突起的部分进行阻挡，从而能够防止发生短路，提高成品良率。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底、设置在所述衬底上的遮光层以及设置在所述遮光层远离所述衬底一侧的阻挡层；所述遮光层包括第一遮光图案；所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。
可选的，所述阻挡层的材质包括硬化光刻胶。
可选的，所述遮光层还包括第二遮光图案，所述第二遮光图案设置在所述第一遮光图案远离所述衬底的一侧，且所述第二遮光图案覆盖部分所述第一遮光图案；所述阻挡层至少覆盖所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域。
可选的，所述第一遮光图案的材质为铝，所述第二遮光图案的材质为钼。
可选的，所述第一遮光图案的厚度为0.1-0.15微米，所述第二遮光图案的厚度为0.05-0.08微米。
可选的，所述阻挡层在所述衬底上的正投影的边缘超出所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域在所述衬底上的正投影的边缘1.0-2.0微米。
可选的，所述阵列基板还包括依次设置在所述遮光层上的缓冲层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为顶栅结构，且所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述顶栅结构中有源层在所述衬底上的正投影。
另一方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
另一方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
再一方面，本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：
在衬底上形成遮光层，所述遮光层包括第一遮光图案；在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成阻挡层，所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。
可选的，所述遮光层还包括第二遮光图案，所述第二遮光图案形成在所述第一遮光图案远离所述衬底的一侧，且所述第二遮光图案覆盖部分所述第一遮光图案，所述阻挡层至少覆盖所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域。
可选的，在衬底上形成遮光层，包括：在衬底上依次形成第一遮光层和第二遮光层，并在第二遮光层上形成光刻胶，所述第二遮光层的刻蚀选择比大于所述第一遮光层的刻蚀选择比；通过一次构图工艺形成所述第一遮光图案、第二遮光图案和覆盖所述第一遮光图案和所述第二遮光图案的光刻胶图案，使得所述光刻胶图案在所述衬底上的正投影的边缘超出所述第一遮光图案在所述衬底上的正投影的边缘1.0-2.0微米。
可选的，所述光刻胶图案包括对应第一区域的第一厚度部分和对应第二区域的第二厚度部分；其中，所述第一区域是指覆盖在所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域，且在所述衬底上的正投影的边缘超出所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域在所述衬底上的正投影的边缘1.0-2.0微米的区域，所述第二区域是指第一遮光图案和第二遮光图案所限定的区域与所述第一区域未发生交叠的区域，所述第一厚度部分的厚度大于所述第二厚度部分的厚度。
可选的，在形成所述第一遮光图案和第二遮光图案之后，所述制备方法还包括：对覆盖在所述第一遮光图案和第二遮光图案上方的光刻胶图案进行加热，使得所述光刻胶图案对应第三区域的部分坍塌，覆盖所述第三区域；以及对所述光刻胶图案对应所述第二区域的部分进行灰化去除，所述第三区域是指所述第一区域与所述第二遮光图案未发生交叠的区域。
可选的，在对所述光刻胶图案对应所述第二区域的部分进行灰化去除之后，所述制备方法还包括：对残留的光刻胶进行硬化处理获得所述阻挡层。
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法及显示面板和显示装置，通过在遮光层远离衬底的一侧设置阻挡层，能够对遮光层中可能会发生异常突起的部分进行阻挡，从而能够防止发生短路，提高成品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图4为本发明实施例提供的在衬底上形成第一遮光层、第二遮光层和光刻胶的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的在图4的基础上通过半色调掩膜板形成光刻胶图案的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的在图5的基础上在光刻胶图案的掩膜下对第一遮光层和第二遮光层进行刻蚀，形成第一遮光图案和第二遮光图案的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的在图6的基础上对光刻胶图案进行加热使得光刻胶图案对应第三区域的部分坍塌，覆盖第三区域的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的在图7的基础上对光刻胶半保留部分进行灰化处理，并对残留的光刻胶进行硬化处理形成阻挡层的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的在图8的基础上形成缓冲层以及有源层的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的在图9的基础上形成栅绝缘层、栅极和层间绝缘层的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的在图10的基础上形成源漏极图案和钝化层的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
顶栅结构的TFT在使用时，由于有源层受到光线照射造成TFT阈值电压负漂，从而会影响TFT的工作稳定性。因此，目前，大尺寸OLED面板最开始会在衬底上形成遮光层对有源层进行遮光。
目前，遮光层由于加热等原因发生异常突起(如在后续的薄膜/刻蚀/退火工艺中，金属铝由于这些工艺中的加热作用会发生电迁移而发生异常突起)时，容易刺穿TFT5中的有源层51(如图1所示)，从而发生短路，不利于提高成品良率。
基于此，本发明的实施例提供一种阵列基板，参见图2，包括衬底1、设置在衬底1上的遮光层2以及设置在该遮光层2远离衬底一侧的阻挡层3；该遮光层2包括第一遮光图案21，该阻挡层3至少覆盖部分该第一遮光图案21。
本发明的实施例提供一种阵列基板，通过在该遮光层2远离衬底的一侧设置阻挡层3，能够对该遮光层2中可能会发生异常突起的部分进行阻挡，从而能够防止发生短路，提高成品良率。
示例性的，该第一遮光图案21的材质可以为铝，也可以为铝钕合金等，第一种可能的情况下，该阻挡层3可以完全覆盖该第一遮光图案21，防止该第一遮光图案21在加热作用下发生异常突起，从而能够防止该第一遮光图案21刺穿有源层51发生短路，提高成品良率。
第二种可能的情况下，继续参见图2，该遮光层2还可以包括第二遮光图案22，该第二遮光图案22设置在该第一遮光图案21远离衬底1的一侧，且该第二遮光图案22覆盖部分该第一遮光图案21，该阻挡层3至少覆盖该第一遮光图案21未被第二遮光图案22覆盖的区域。这时，该第二遮光图案22和阻挡层3共同对该第一遮光图案21可能发生的异常突起进行阻挡，同样能够防止第一遮光图案21发生异常突起刺穿有源层51发生短路，提高成品良率。
在这种情况下，该第二遮光图案22的材质可以为钼，作为该第一遮光图案21的阻挡层。即该遮光层2采用Al/Mo(Mo作为Al电迁移阻挡层)结构的情形。
基于此，可选的，继续参见图2，该第一遮光图案21的厚度可以为0.1-0.15微米，该第二遮光图案22的厚度可以为0.05-0.08微米。
其中，该阻挡层3可以为任何能够对第一遮光图案21发生异常突起进行阻挡的材质，如该阻挡层3的材质可以为钼、钼钨合金或钼铌合金等。
本发明的一实施例中，该阻挡层3的材质包括硬化光刻胶。硬化光刻胶可以为对光刻胶进行烘烤碳化后所获得的产物。
本发明的又一实施例中，如图2所示，该阻挡层3在衬底1上的正投影的边缘超出该第一遮光图案21未被该第二遮光图案22覆盖的区域在衬底1上的正投影的边缘1.0-2.0微米。能够保证该第一遮光图案21容易发生异常突起的区域被阻挡层3完全遮挡。
本发明的又一实施例中，如图2所示，所述阵列基板还可以包括依次设置在该遮光层2上的缓冲层4和薄膜晶体管5，该薄膜晶体管5为顶栅结构，且该遮光层2在衬底1上的正投影覆盖该顶栅结构中有源层51在该衬底1上的正投影。该遮光层2能够有效对有源层51进行遮光，避免TFT阈值电压负漂，提高TFT的稳定性。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制备方法，参见图3，包括：步骤1)在衬底1上形成遮光层2，该遮光层2包括第一遮光图案21；步骤2)在该遮光层2远离衬底1的一侧形成阻挡层3，该阻挡层3至少覆盖部分该第一遮光图案21。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制备方法，通过在该遮光层2远离衬底1的一侧形成阻挡层3，该阻挡层3至少覆盖部分该第一遮光图案21，因此，能够对该遮光层2中可能发生异常突起的部分进行阻挡，从而能够防止发生短路，提高成品良率。
本发明的又一实施例中，如图2所示，该遮光层2还包括第二遮光图案22，该第二遮光图案22形成在所述第一遮光图案21远离所述衬底1的一侧，且该第二遮光图案22覆盖部分第一遮光图案21，该阻挡层3至少覆盖该第一遮光图案21未被该第二遮光图案22覆盖的区域。
基于此，在衬底上形成遮光层2，可以包括：
首先，如图4所示，在衬底1上依次形成第一遮光层100和第二遮光层200，并在第二遮光层200上形成光刻胶300，该第二遮光层200的刻蚀选择比大于第一遮光层100的刻蚀选择比，如该第一遮光层100的材质可以为铝，第二遮光层200的材质可以为钼。其中，第一遮光层100的厚度可以为0.1-0.15微米，第二遮光层200的厚度可以为0.05-0.08微米。
而后，通过一次构图工艺形成第一遮光图案21、第二遮光图案22和覆盖该第一遮光图案21和第二遮光图案22的光刻胶图案301，使得该光刻胶图案在衬底1上的正投影的边缘超出该第一遮光图案21在衬底1上的正投影的边缘1.0-2.0微米。
具体的，可以通过曝光、显影等工艺在待形成的第一遮光图案21和第二遮光图案22的上方形成光刻胶掩膜，使得该光刻胶掩膜在衬底1上的正投影的边缘超出该第一遮光图案21在衬底1上的正投影的边缘1.0-2.0微米，接着，通过控制刻蚀时间，对第一遮光层100和第二遮光层200进行刻蚀，如可以采用硝酸、磷酸或醋酸进行刻蚀，由于第二遮光层200的刻蚀选择比大于第一遮光层的刻蚀选择比，因此，所获得的第二遮光图案22相对于第一遮光图案21向内缩进，即如图6所示，第二遮光图案22覆盖在该第一遮光图案21的中部。
其中，该光刻胶图案103可以采用普通掩膜版制备获得，也可以采用半色调掩膜版制备获得。
当该光刻胶图案103采用普通掩膜版制备获得时，该光刻胶图案与第一遮光图案21和第二遮光图案22所限定的区域对应不同位置处的厚度一致，最终所形成的阻挡层3完全覆盖该第一遮光图案21和第二遮光图案22。
而当该光刻胶图案103采用半色调掩膜版制备获得时，能够对位于不同区域的光刻胶图案103的厚度进行控制，从而能够使尽可能地减小阻挡层3在第一遮光图案21上的覆盖面积，从而能够避免硬化光刻胶中含有大量氢而对TFT的沟道层产生影响，造成阈值电压漂移。
基于此，本发明的一实施例中，该光刻胶图案103包括对应第一区域的第一厚度部分和对应第二区域的第二厚度部分；其中，该第一区域是指覆盖在第一遮光图案21未被所述第二遮光图案22覆盖的区域，且在衬底1上的正投影的边缘超出第一遮光图案21未被第二遮光图案22覆盖的区域在衬底1上的正投影的边缘1.0-2.0微米的区域，该第二区域是指第一遮光图案21和第二遮光图案22所限定的区域与该第一区域未发生交叠的区域，该第一厚度部分的厚度大于该第二厚度部分的厚度。
具体的，采用半色调掩膜版400对该光刻胶300进行曝光、显影形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分，其中，如图6所示，光刻胶完全保留部分与第一区域对应，光刻胶半保留部分与第二区域对应，光刻胶完全去除部分与除第一区域和第二区域以外的区域对应。通过对该光刻胶完全去除部分进行去除，即可形成如图6所示的包含光刻胶完全保留部分和光刻胶半保留部分的光刻胶图案301。
其中，如图6所示，该光刻胶完全保留部分第一厚度部分即光刻胶完全保留部分的厚度D1可以为1.2-1.3微米，该光刻胶半保留部分第二厚度部分即光刻胶半保留部分的厚度D2可以为1.0微米。
其中，继续参见图5，半色调掩模板400包括完全透光部分、完全不透光部分、以及半透光部分。若光刻胶300为正性光刻胶，半色调掩模板400的完全透光部分与光刻胶完全去除部分对应，完全不透光部与光刻胶完全保留部分对应，半透光部分与光刻胶半保留部分对应；若光刻胶300为负性光刻胶，半色调掩模板400的完全透光部分与光刻胶完全保留部分对应，完全不透光部与光刻胶完全去除部分对应，半透光部分与光刻胶半保留部分对应。
在形成所述第一遮光图案21和第二遮光图案22之后，该制备方法还可以包括：对覆盖在第一遮光图案21和第二遮光图案22上方的光刻胶图案301进行加热，使得该光刻胶对应第三区域的部分坍塌，覆盖该第三区域，形成如图7所示的结构，以及对该光刻胶图案对应第二区域的部分进行灰化去除，形成如图8所示的结构，该第三区域是指第一区域与第二遮光图案22未发生交叠的区域。
其中，加热的温度可以为130-180℃，时间为可以为2-4min。由于光刻胶图案301在进行掩膜时不发生烘烤，因此，光刻胶图案301中含有较多的溶剂，通过对覆盖在第一遮光图案21和第二遮光图案22上方的光刻胶图案301进行加热，使光刻胶图案301中的溶剂挥发，能够使光刻胶图案301对应第三区域的部分在烘烤作用下硬化坍塌至第一遮光图案21未被第二遮光图案22覆盖的区域，即使得第二遮光图案22缩进后，裸露在外的第一遮光图案21被光刻胶图案301覆盖。
而后，在对该光刻胶图案对应第二区域的部分进行灰化去除之后，该制备方法还可以包括：对残留的光刻胶进行硬化处理获得该阻挡层3，获得如图8所示的结构。通过对光刻胶进行硬化处理，能够在后续的气相沉积工艺中减少光刻胶对腔室造成污染。
其中，可以采用离子注入法对残留的光刻胶进行硬化处理。如可采用磷烷或者硼烷进行离子注入，对光刻胶进行离子掺杂，以实现硬化处理。
综上所述，在整个制备过程中，通过一次构图工艺即可形成第一遮光图案21和第二遮光图案22，并通过该次构图工艺中采用的光刻胶300制备阻挡层3，能够在不增加掩膜次数的情况下完成阻挡层3的制备，同时，由于第一区域在衬底1上的正投影的边缘超出第一遮光图案未被第二遮光图案22覆盖的区域的在衬底1上的正投影的边缘1.0-2.0微米，能够使该第一遮光图案21未被该第二遮光图案22覆盖的区域完全被变性的光刻胶覆盖，从而能够提高工艺可靠性。在此基础上，通过采用半色调掩膜板400对光刻胶300进行掩膜，最终将覆盖在第二区域的光刻胶半保留部分灰化去除，能够尽可能减小阻挡层3在第一遮光图案21上的覆盖面积，从而能够避免硬化光刻胶中含有大量氢而对TFT的沟道层产生影响，造成阈值电压漂移。
本发明的又一些实施例中，在完成该阻挡层3的制备之后，该制备方法还可以包括：
如图9所示，在制备有阻挡层3的衬底上继续沉积缓冲层4，该缓冲层4的材质可以为氧化硅，厚度可以为0.3-0.5微米。
之后，继续参见图9，继续在缓冲层4上沉积一层半导体层，并通过构图工艺形成有源层51，该半导体层的材质可以为氧化铟锡，厚度可以为0.05-0.1微米。由于遮光需求，该遮光层2在衬底1上的正投影的边缘超出该有源层51在衬底上的正投影的边缘2-4微米。
接着，在形成有有源层51的衬底1上继续沉积一层栅绝缘层52，该栅绝缘层52可以为氧化硅薄膜，厚度可以为0.1-0.2微米，紧接着，再在栅绝缘层52上沉积一层栅金属层，该栅金属层的材质可以为铜，厚度可以为0.5-0.7微米。通过构图工艺形成栅极53，例如可以在光刻胶掩膜作用下通过过氧化氢溶液对栅金属层进行湿刻形成栅极53，湿刻完成后，不去除栅极53上的光刻胶，继续在光刻胶的掩膜作用下对栅绝缘层52进行干刻，如可以采用CF4和氧气的混合气体绝对栅绝缘层52进行干刻，获得如图10所示结构，随后，通过湿法去除光刻胶。
然后，在形成有栅极53的衬底1上沉积一层层间绝缘层54，其材质可以为氧化硅，厚度可以为0.3-0.5微米，并在该层间绝缘层54中形成用于连接源漏极和有源层51的过孔，例如可以通过干刻工艺形成过孔。获得如图10所示结构。
最后，参见图11，沉积一层金属层，该金属层可以为铜或铝等金属，厚度可以为0.5-0.7微米，并通过构图工艺形成源漏极图案55，该源漏极图案55分别通过形成在层间绝缘层54中的过孔与该有源层51电连接，从而完成顶栅结构的TFT5的制备。
当然，在顶栅结构的TFT5制备完成之后，继续参见图11，还可以继续沉积一层钝化层6，该钝化层6的材质可以为氧化硅，厚度可以为0.3-0.5微米。
本发明的实施例提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
本发明实施例提供的显示面板的有益效果与上述技术方案提供的阵列基板的有益效果相同，在此不再赘述。
本发明的实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示装置的有益效果与上述技术方案提供的阵列基板的有益效果相同，在此不再赘述。
其中，上述实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (15)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、设置在所述衬底上的遮光层以及设置在所述遮光层远离所述衬底一侧的阻挡层；
所述遮光层包括第一遮光图案；所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层的材质包括硬化光刻胶。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层还包括第二遮光图案，所述第二遮光图案设置在所述第一遮光图案远离所述衬底的一侧，且所述第二遮光图案覆盖部分所述第一遮光图案；
所述阻挡层至少覆盖所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一遮光图案的材质为铝，所述第二遮光图案的材质为钼。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一遮光图案的厚度为0.1-0.15微米，所述第二遮光图案的厚度为0.05-0.08微米。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述阻挡层在所述衬底上的正投影的边缘超出所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域在所述衬底上的正投影的边缘1.0-2.0微米。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板还包括依次设置在所述遮光层上的缓冲层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为顶栅结构，且所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖所述顶栅结构中有源层在所述衬底上的正投影。
8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板。
10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成遮光层，所述遮光层包括第一遮光图案；
在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成阻挡层，所述阻挡层至少覆盖部分所述第一遮光图案。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述遮光层还包括第二遮光图案，所述第二遮光图案形成在所述第一遮光图案远离所述衬底的一侧，且所述第二遮光图案覆盖部分所述第一遮光图案，所述阻挡层至少覆盖所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域。
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
在衬底上形成遮光层，包括：
在衬底上依次形成第一遮光层和第二遮光层，并在第二遮光层上形成光刻胶，所述第二遮光层的刻蚀选择比大于所述第一遮光层的刻蚀选择比；
通过一次构图工艺形成所述第一遮光图案、第二遮光图案和覆盖所述第一遮光图案和所述第二遮光图案的光刻胶图案，使得所述光刻胶图案在所述衬底上的正投影的边缘超出所述第一遮光图案在所述衬底上的正投影的边缘1.0-2.0微米。
13.根据权利要求12所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述光刻胶图案包括对应第一区域的第一厚度部分和对应第二区域的第二厚度部分；其中，所述第一区域是指覆盖在所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域，且在所述衬底上的正投影的边缘超出所述第一遮光图案未被所述第二遮光图案覆盖的区域在所述衬底上的正投影的边缘1.0-2.0微米的区域，所述第二区域是指第一遮光图案和第二遮光图案所限定的区域与所述第一区域未发生交叠的区域，所述第一厚度部分的厚度大于所述第二厚度部分的厚度。
14.根据权利要求12所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
在形成所述第一遮光图案和第二遮光图案之后，所述制备方法还包括：对覆盖在所述第一遮光图案和第二遮光图案上方的光刻胶图案进行加热，使得所述光刻胶图案对应第三区域的部分坍塌，覆盖所述第三区域；以及对所述光刻胶图案对应所述第二区域的部分进行灰化去除，所述第三区域是指所述第一区域与所述第二遮光图案未发生交叠的区域。
15.根据权利要求14所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在对所述光刻胶图案对应所述第二区域的部分进行灰化去除之后，所述制备方法还包括：对残留的光刻胶进行硬化处理获得所述阻挡层。
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