CN111463252A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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CN111463252A CN202010310621.5A CN202010310621A CN111463252A CN 111463252 A CN111463252 A CN 111463252A CN 202010310621 A CN202010310621 A CN 202010310621A CN 111463252 A CN111463252 A CN 111463252A
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Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，用以提高显示面板良率，避免电源线与遮光层电连接导致子像素点亮不良。本申请实施例提供的一种显示面板，所述显示面板包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的遮光层，位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的有源层，位于所述有源层之上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层之上的电源线；所述有源层包括导体化区域；所述电源线通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述导体化区域电连接；所述遮光层包括绝缘部，所述绝缘部在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前大尺寸有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)主要采用顶栅氧化物薄膜晶体管面板，制作中顶栅氧化物薄膜晶体管主要采用氧化铟锡(IGZO)作为沟道层，由于光会使IGZO产生光致载流子使得阈值电压(Vth)负漂，因此需要在IGZO下方设置一层遮光层，遮光层的材料一般为金属，通常遮光层还作为引线层与OLED电连接。但是现有技术，在IGZO图案化工艺时，少数IGZO图案掩膜形成的光阻会因颗粒(Particle)、掩膜板(Mask)异常缺失和IGZO湿刻等因素掉落，导致光阻掉落区域的IGZO缺失，在后续绝缘层的刻蚀的工艺中，会刻穿遮光层上的缓冲层，导致后续形成的电源线(Vdd)与遮光层相连，由于遮光层与OLED相连，即导致Vdd与OLED电连接，由于Vdd提供直流(DC)高压信号，故而Vdd与OLED电连接的子像素会产生亮点不良。
综上，现有技术提供的OLED显示面板，容易出现电源线通过遮光层与OLED电连接的问题，导致子像素点亮不良，影响产品良率。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，用以提高显示面板良率，避免电源线与遮光层电连接导致子像素点亮不良。
本申请实施例提供的一种显示面板，所述显示面板包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的遮光层，位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的有源层，位于所述有源层之上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层之上的电源线；所述有源层包括导体化区域；所述电源线通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述导体化区域电连接；所述遮光层包括绝缘部，所述绝缘部在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影。
本申请实施例提供的显示面板，即便第一过孔对应的有源层存在缺失导致电源线与遮光层接触，由于遮光层包括绝缘部，且在衬底基板上绝缘部的正投影覆盖第一过孔的正投影，电源线仅与遮光层中的绝缘部接触，即电源线与遮光层绝缘，电源线的电信号不会通过遮光层提供给其他器件，从而可以避免显示面板点亮不良，提高产品良率，提高显示效果。
可选地，所述遮光层还包括：导体部；所述导体部的材料包括金属，所述绝缘部的材料包括所述金属的氧化物。
本申请实施例提供的显示面板，导体部包括金属，绝缘部包括导体部金属的氧化物，这样在设置遮光层的工艺中，可以先设置一层金属层，后续对金属层的部分区域进行氧化便可以形成绝缘部，工艺简单易于实现。
可选地，所述遮光层包括：第一遮光层以及位于所述第一遮光层之上的第二遮光层；
所述第一遮光层包括第一导体部；
所述第二遮光层包括第二导体部和所述绝缘部。
可选地，所述遮光层包括：第一遮光层以及位于所述第一遮光层之上的第二遮光层；
所述第一遮光层包括：第一导体部和所述绝缘部；
所述第二遮光层包括第二导体部，所述第二遮光层具有暴露所述绝缘部的第二过孔。
本申请实施例提供的显示面板，对于下层金属容易通过氧化工艺形成绝缘的氧化物而上层遮光层不易通过氧化工艺被氧化的情况，在形成第二层遮光层后形成第二过孔，再对第二过孔暴露的下层遮光层的金属进行氧化工艺，形成金属氧化物作为绝缘部，工艺简单，易于实现。
可选地，所述第一导体部的材料包括铝，所述绝缘部的材料包括氧化铝；所述第二导体部的材料包括下列之一或其组合：钼、钛、钼铌合金。
可选地，所述绝缘部在所述衬底基板上的正投影面积大于所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影面积。
本申请实施例提供的显示面板，在绝缘部在衬底基板上的正投影覆盖第一过孔在衬底基板上的正投影的同时，绝缘部在衬底基板上的正投影面积大于第一过孔在衬底基板上的正投影面积，当存在有源层缺失导致电源线与遮光层接触的情况下，不会出现工艺偏差导致第一过孔和绝缘层无法完全重合，可以确保电源线仅与绝缘部接触。
本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
在衬底基板之上形成包括导体部和绝缘部的遮光层；
在所述遮光层之上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层；其中所述有源层包括导体化区域；
形成贯穿所述第一绝缘层的第一过孔；其中，所述绝缘部在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影；
在所述第一绝缘层之上形成电源线，所述电源线通过所述第一过孔与所述导体化区域接触。
本申请实施例提供的显示面板制备方法，形成的遮光层包括绝缘部，即便第一过孔对应的有源层存在缺失导致电源线与遮光层接触，由于遮光层包括绝缘部，且在衬底基板上绝缘部的正投影覆盖第一过孔的正投影，电源线仅与遮光层中的绝缘部接触，即电源线与遮光层绝缘，电源线的电信号不会通过遮光层提供给其他器件，从而可以避免显示面板点亮不良，提高产品良率，提高显示效果。
可选地，在衬底基板之上形成包括绝缘部的遮光层，具体包括：
在所述衬底基板之上形成第一金属层；
在所述第一遮光层上形成第二金属层；
采用图形化工艺处理所述第一金属层和所述第二金属层，形成所述遮光层的图案，并在所述第二金属层上形成第二过孔；
对所述第二过孔暴露的所述第一金属层进行氧化工艺，形成绝缘部。
本申请实施例提供的显示面板制备方法，对于下层金属容易通过氧化工艺形成绝缘的氧化物而上层遮光层不易通过氧化工艺被氧化的情况，在形成第二金属层后形成第二过孔，再对第二过孔暴露的第一金属层的金属进行氧化工艺，形成金属氧化物作为绝缘部，工艺简单，易于实现。
可选地，采用图形化工艺处理所述第一金属层和所述第二金属层，形成所述遮光层的图案，并在所述第二金属层上形成第二过孔，具体包括：
在所述第二金属层上涂覆光刻胶；
采用半色调掩膜工艺对所述光刻胶进行曝光、显影，去除第一区域的所有光刻胶以及去除第二区域的部分光刻胶；
采用刻蚀工艺去除所述第一区域的所述第一金属层和所述第二金属层，形成所述遮光层的图案；
采用灰化工艺去除所述第二区域的光刻胶；
采用刻蚀工艺去除所述第二区域的所述第二金属层；
去除所述光刻胶。
本申请实施例提供的显示面板制备方法，由于采用半色调掩膜工艺，仅用一道掩膜板便可以形成遮光层的图案以及第二过孔的图案，可以节省成本。
本申请实施例提供的一种显示装置，包括本申请实施例提供的显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意图；
图7～图8为本申请实施例提供的另一种显示面板的制备方法的示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了一种显示面板，如图1所示，所述显示面板包括：衬底基板1，位于所述衬底基板1之上的遮光层2，位于所述遮光层2之上的缓冲层3，位于所述缓冲层3之上的有源层4，位于所述有源层4之上的第一绝缘层5，位于所述第一绝缘层5之上的电源线6；所述有源层4包括导体化区域7；所述电源线6通过贯穿所述第一绝缘层5的第一过孔8与所述导体化区域7电连接；所述遮光层2包括绝缘部9，所述绝缘部9在所述衬底基板1上的正投影，覆盖所述第一过孔8在所述衬底基板1上的正投影。
本申请实施例提供的显示面板，即便第一过孔对应区域的有源层存在缺失，在形成第一过孔的过程中缓冲层被刻穿导致电源线与遮光层接触，由于遮光层包括绝缘部，且在衬底基板上绝缘部的正投影覆盖第一过孔的正投影，电源线仅与遮光层中的绝缘部接触，即电源线与遮光层绝缘，电源线的电信号不会通过遮光层提供给其他器件，从而可以避免显示面板点亮不良，提高产品良率，提高显示效果。
可选地，所述遮光层2还包括：导体部10；所述导体部的材料包括金属，所述绝缘部的材料包括所述金属的氧化物。
本申请实施例提供的显示面板，导体部包括金属，绝缘部包括导体部金属的氧化物，这样在设置遮光层的工艺中，可以先设置一层金属层，后续对金属层的部分区域进行氧化工艺便可以形成绝缘部，工艺简单易于实现。
图1中以遮光层为单层为例进行举例说明，在具体实施时，也可以设置多层遮光层。
可选地，如图2所示，所述遮光层2包括：第一遮光层16以及位于所述第一遮光层16之上的第二遮光层17；
所述第一遮光层16包括第一导体部18；
所述第二遮光层17包括第二导体部19和所述绝缘部9。
在具体实施时，例如，第一导体部的材料包括第一金属，第二导体部的材料包括第二金属，绝缘部的材料包括第二金属的氧化物。
可选地，如图3所示，所述遮光层2包括：第一遮光层16以及位于所述第一遮光层16之上的第二遮光层17；
所述第一遮光层16包括：第一导体部18和所述绝缘部9；
所述第二遮光层17包括第二导体部19，所述第二遮光层17具有暴露所述绝缘部9的第二过孔20。
在具体实施时，例如，第一导体部的材料包括第一金属，第二导体部的材料包括第二金属，绝缘部的材料包括第二金属的氧化物。
可选地，所述第一导体部的材料包括铝(Al)，所述绝缘部的材料包括氧化铝(Al2O3)；所述第二导体部的材料包括下列之一或其组合：钼(Mo)、钛(Ti)、钼铌合金(MoNb)。
需要说明的是，当衬底基板上设置的遮光层的材料包括铝时，通常还在铝遮光层上再形成金属层，以避免铝金属层发生变形，铝金属层上的金属一般选择钼、钼铌合金或钛，但是对钼、钼铌合金或钛进行氧化工艺形成金属氧化物的难度较大，因此，本申请实施例提供的显示面板，对于需要设置两层金属层作为遮光层，且下层金属容易通过氧化工艺形成绝缘的氧化物而上层遮光层不易通过氧化工艺被氧化的情况，在形成第二层遮光层后形成第二过孔，再对第二过孔暴露的下层遮光层的金属进行氧化工艺，形成金属氧化物作为绝缘部，工艺简单，易于实现。
本申请实施例提供的如图1～图3所示的显示面板，以绝缘部在衬底基板上的正投影与第一过孔在衬底基板上的正投影重合为例进行举例说明，在具体实施时，可选地，也可以是如图4所示，所述绝缘部9在所述衬底基板1上的正投影面积大于所述第一过孔8在所述衬底基板1上的正投影面积。
本申请实施例提供的显示面板，在绝缘部在衬底基板上的正投影覆盖第一过孔在衬底基板上的正投影的同时，绝缘部在衬底基板上的正投影面积大于第一过孔在衬底基板上的正投影面积，当存在有源层缺失导致电源线与遮光层接触的情况下，不会出现工艺偏差导致第一过孔和绝缘层无法完全重合，可以确保电源线仅与绝缘部接触。
图3、图4中，以第二过孔在衬底基板上的正投影与绝缘部在衬底基板上的正投影重合为例进行举例说明，即第二过孔暴露的区域与绝缘部的区域重合。当然，可选地，也可以是如图5所示，第二过孔20在衬底基板1上的正投影面积大于绝缘部9在衬底基板上1的正投影面积。即第二过孔暴露的第一缓冲层中，仅部分金属被氧化成金属氧化物。
可选地，如图1～图5所示，有源层还包括半导体区域11；有源层4和第一绝缘层5之间还包括：栅绝缘层12，以及位于栅绝缘层12之上的栅极13；显示面板还包括：与电源线6位于同一层的源极14和漏极15，位于源极、漏极以及电源线之上的钝化层28；源极14通过贯穿第一绝缘层5的第三过孔26与导体化区域7接触，漏极15通过贯穿第一绝缘层5的第四过孔27与导体化区域7接触。
本申请实施例提供的如图1～图5所示的显示面板，以显示面板包括顶栅结构的薄膜晶体管为例进行举例说明，第一绝缘层即为层间绝缘层，当然在具体实施时也可以选择其他结构的薄膜晶体管。具体实施时，衬底基板例如可以是玻璃基板，缓冲层、栅绝缘层、第一绝缘层以及钝化层的材料例如可以包括氧化硅，有源层的材料例如可以包括氧化铟锡(IGZO)，栅极、源极、漏极以及电源线的材料例如可以包括铜。
本申请实施例提供的显示面板，还包括电致发光器件。电致发光器件例如可以是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。具体实施时，遮光层可以作为OLED的引线层，即遮光层的导体部与OLED电连接。薄膜晶体管的源极或漏极也可与遮光层的导体部搭接。
本申请实施例提供的如图1～图5所示的显示面板，以遮光层在衬底基板上的正投影覆盖有源层在衬底基板上的正投影为例进行举例说明，在具体实施时，遮光层在衬底基板上的正投影可以仅覆盖有源层的半导体区域在衬底基板上的正投影。
本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法，如图6所示，所述方法包括：
S101、在衬底基板之上形成包括导体部和绝缘部的遮光层；
S102、在所述遮光层之上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层；其中所述有源层包括导体化区域；
S103、形成贯穿所述第一绝缘层的第一过孔；其中，所述绝缘部在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影；
S104、在所述第一绝缘层之上形成电源线，所述电源线通过所述第一过孔与所述导体化区域接触。
本申请实施例提供的显示面板制备方法，形成的遮光层包括绝缘部，即便第一过孔对应的有源层存在缺失导致电源线与遮光层接触，由于遮光层包括绝缘部，且在衬底基板上绝缘部的正投影覆盖第一过孔的正投影，电源线仅与遮光层中的绝缘部接触，即电源线与遮光层绝缘，电源线的电信号不会通过遮光层提供给其他器件，从而可以避免显示面板点亮不良，提高产品良率，提高显示效果。
可选地，步骤S101在衬底基板之上形成包括绝缘部的遮光层，具体包括：
在所述衬底基板之上形成第一金属层；
在所述第一遮光层上形成第二金属层；
采用图形化工艺处理所述第一金属层和所述第二金属层，形成所述遮光层的图案，并在所述第二金属层上形成第二过孔；
对所述第二过孔暴露的所述第一金属层进行氧化工艺，形成绝缘部。
本申请实施例提供的显示面板制备方法，对于下层金属容易通过氧化工艺形成绝缘的氧化物而上层遮光层不易通过氧化工艺被氧化的情况，在形成第二金属层后形成第二过孔，再对第二过孔暴露的第一金属层的金属进行氧化工艺，形成金属氧化物作为绝缘部，工艺简单，易于实现。
可选地，采用图形化工艺处理所述第一金属层和所述第二金属层，形成所述遮光层的图案，并在所述第二金属层上形成第二过孔，具体包括：
在所述第二金属层上涂覆光刻胶；
采用半色调掩膜工艺对所述光刻胶进行曝光、显影，去除第一区域的所有光刻胶以及去除第二区域的部分光刻胶；
采用刻蚀工艺去除所述第一区域的所述第一金属层和所述第二金属层，形成所述遮光层的图案；
采用灰化工艺去除所述第二区域的光刻胶；
采用刻蚀工艺去除所述第二区域的所述第二金属层；
去除所述光刻胶。
本申请实施例提供的显示面板制备方法，由于采用半色调掩膜工艺，仅用一道掩膜板便可以形成遮光层的图案以及第二过孔的图案，可以节省成本。
需要说明的是，第一区域对应于未设置遮光层的区域，即第一金属层和第二金属层需要全部去除的区域，第二区域对应于第二过孔的区域。
可选地，在形成第一绝缘层之前，所述方法还包括：
在有源层之上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层上形成栅极；
对栅极和栅绝缘层采用图形化工艺，形成栅极的图案以及栅绝缘层的图案。
可选地，在形成贯穿所述第一绝缘层的第一过孔的同时，所述方法还包括：
形成贯穿所述第一绝缘层的第三过孔和第四过孔；
在第一绝缘层之上形成电源线的同时，所述方法还包括：
在第一绝缘层上形成源极和漏极的图案，源极通过第三过孔与导体化区域接触，漏极通过第四过孔与导体化区域接触。
可选地，在形成电源线之后，所述方法还包括：
在电源线之上形成钝化层。
接下来以形成如图4所示的结构为例对本申请实施例提供的显示面板制备方法进行举例说明，如图7～图8所示，本申请实施例提供的显示面板制备方法包括如下步骤：
S201、在衬底基板1上依次形成铝金属层21、钼金属层22，并在钼金属层22上涂覆光刻胶23；
具体实施时，可以在玻璃基板上依次沉积铝、钼，两层金属层的总厚度例如可以是0.2微米(μm)～0.25μm，钼的厚度例如可以是0.05μm～0.08μm；光刻胶例如可以选择正性光刻胶，光刻胶的厚度例如可以是2～2.2μm；
在具体实施时，钼也可以替换为钼铌合金或钛；
S202、采用半色调掩膜工艺对光刻胶23进行曝光、显影，去除第一区域24的所有光刻胶以及去除第二区域25的部分光刻胶23；
在具体实施时，第二区域保留的光刻胶的厚度例如可以是0.3μm～0.5μm；考虑到套刻精度，第二区域的孔径例如可以比后续需要形成的第一过孔的直径大2μm～3μm；
S203、采用刻蚀工艺去除第一区域24的钼金属层22和铝金属层21；
具体实施时，可以利用硝酸、磷酸以及醋酸的混酸刻蚀液对钼金属层和铝金属层进行刻蚀，形成遮光层的图案；
S204、采用灰化工艺去除第二区域25的光刻胶23；
具体实施时，可以采用体积流量为10000标况毫升每分(sccm)～12000sccm氧气灰化掉第二区域的光刻胶；
S205、采用刻蚀工艺去除所述第二区域25的钼金属层22，形成第二过孔20，并去除剩余光刻胶；
S206、对第二过孔20暴露的铝金属层21进行氧化工艺，形成绝缘部9；
可以采用体积流量为10000sccm～12000sccm的氧气对铝进行氧化，形成不导电的氧化铝；
S207、依次形成缓冲层3、有源层4、栅绝缘层12、栅极13的图案，之后对有源层4进行导体化工艺，在有源层4形成导体化区域7；
具体实施时，可以沉积厚度为0.3μm～0.5μm厚度的氧化硅作为缓冲层；形成有源层例如可以在缓冲层上沉积有源层材料，并采用图形化工艺形成有源层的图案；有源层的材料例如可以是IGZO，有源层的厚度例如可以是0.05μm～0.08μm；形成栅极和栅绝缘层，例如可以在有源层上沉积厚度为0.1μm～0.2μm的氧化硅作为栅绝缘层，之后沉积厚度为0.6μm～0.8μm的铜作为栅极，采用曝光、显影、湿刻等图形化工艺形成栅极的图案，之后再将栅极作为掩膜对栅绝缘层进行干刻工艺，形成栅绝缘层的图案，对铜金属层进行湿刻例如可以采用过氧化氢刻蚀液，对栅绝缘层采用干法刻蚀工艺，可以采用高浓度的四氟甲烷(CF4)和低浓度的氧气(O2)的混合气体进行干刻，CF4体积流量可以是2000sccm～2500sccm，O2的体积流量可以是1000sccm～1500sccm；对于有源层的导体化工艺例如可用采用氨气(NH3)或者氦气(He)进行；
208、形成第一绝缘层5，并采用图形化工艺形成第一绝缘层5上形成第一过孔8、第三过孔26以及第四过孔27；
具体实施时，可以沉积厚度为0.55μm～0.65μm的氧化硅作为第一绝缘层，即栅绝缘层，之后图形化工艺中可采用CF4和O2混合气体进行干刻，形成各接触孔，CF4的体积流量可以是1000sccm～1800sccm，O2的体积流量可以是1200sccm～2000sccm；
S209、在第一绝缘层5上沉积金属层，采用图形化工艺形成源极14的图案、漏极15的图案以及电源线6的图案，其中，源极通过第三过孔与导体化区域接触，漏极通过第四过孔与导体化区域接触，电源线通过第一过孔与导体化区域接触；
具体实施时，可以沉积厚度为0.5μm～0.6μm的铜，之后采用曝光、显影、刻蚀等工艺形成源极、漏极、电源线的图案；
S210、形成钝化层28；
具体实施时，可以在源极、漏极、电源线之上沉积一层厚度为0.5μm～0.6μm的氧化硅作为钝化层。
本申请实施例提供的一种显示装置，包括本申请实施例提供的显示面板。
本申请实施例提供的显示装置例如可以是手机、电脑、电视等装置。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置，即便第一过孔对应的有源层存在缺失导致电源线与遮光层接触，由于遮光层包括绝缘部，且在衬底基板上绝缘部的正投影覆盖第一过孔的正投影，电源线仅与遮光层中的绝缘部接触，即电源线与遮光层绝缘，电源线的电信号不会通过遮光层提供给其他器件，从而可以避免显示面板点亮不良，提高产品良率，提高显示效果。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的遮光层，位于所述遮光层之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的有源层，位于所述有源层之上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层之上的电源线；所述有源层包括导体化区域；所述电源线通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述导体化区域电连接；所述遮光层包括绝缘部，所述绝缘部在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层还包括：导体部；所述导体部的材料包括金属，所述绝缘部的材料包括所述金属的氧化物。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层包括：第一遮光层以及位于所述第一遮光层之上的第二遮光层；
所述第一遮光层包括第一导体部；
所述第二遮光层包括第二导体部和所述绝缘部。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层包括：第一遮光层以及位于所述第一遮光层之上的第二遮光层；
所述第一遮光层包括：第一导体部和所述绝缘部；
所述第二遮光层包括第二导体部，所述第二遮光层具有暴露所述绝缘部的第二过孔。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一导体部的材料包括铝，所述绝缘部的材料包括氧化铝；所述第二导体部的材料包括下列之一或其组合：钼、钛、钼铌合金。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘部在所述衬底基板上的正投影面积大于所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影面积。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板之上形成包括导体部和绝缘部的遮光层；
在所述遮光层之上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层；其中所述有源层包括导体化区域；
形成贯穿所述第一绝缘层的第一过孔；其中，所述绝缘部在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影；
在所述第一绝缘层之上形成电源线，所述电源线通过所述第一过孔与所述导体化区域接触。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在衬底基板之上形成包括绝缘部的遮光层，具体包括：
在所述衬底基板之上形成第一金属层；
在所述第一遮光层上形成第二金属层；
采用图形化工艺处理所述第一金属层和所述第二金属层，形成所述遮光层的图案，并在所述第二金属层上形成第二过孔；
对所述第二过孔暴露的所述第一金属层进行氧化工艺，形成绝缘部。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用图形化工艺处理所述第一金属层和所述第二金属层，形成所述遮光层的图案，并在所述第二金属层上形成第二过孔，具体包括：
在所述第二金属层上涂覆光刻胶；
采用半色调掩膜工艺对所述光刻胶进行曝光、显影，去除第一区域的所有光刻胶以及去除第二区域的部分光刻胶；
采用刻蚀工艺去除所述第一区域的所述第一金属层和所述第二金属层，形成所述遮光层的图案；
采用灰化工艺去除所述第二区域的光刻胶；
采用刻蚀工艺去除所述第二区域的所述第二金属层；
去除所述光刻胶。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的显示面板。
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