CN206573817U - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了显示面板及包含显示面板的显示装置。显示面板包括衬底基板；位于衬底基板上的遮光层，该遮光层包括多个遮光区域；覆盖遮光层的缓冲层；位于缓冲层上的半导体层；其中，各遮光区域包括至少两个遮光块，且远离衬底基板的遮光块向靠近衬底基板的遮光块的正投影，位于靠近衬底基板的遮光块的上表面覆盖的区域内。该实施方式可以减缓遮光区域边缘的陡峭程度，从而有利于改善位于遮光区域边缘上方的半导体层的厚度较薄的问题。

Description

显示面板和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及显示面板和显示装置。

背景技术

在液晶显示屏的结构中，通常需要在衬底基板上设置遮光层，以避免TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)器件的性能受到背光的影响。具体可以参见图1所示，其示出了现有技术中显示面板的局部结构示意图。如图1所示，衬底基板11上设置有遮光层12。遮光层12上设置有缓冲层13。缓冲层13上设置有薄膜晶体管(包括：半导体层14、源极16、漏极17和栅极18)。其中，半导体层14设置于缓冲层13上；源极16和漏极17设置于半导体层14上；栅极18位于覆盖半导体层14的绝缘层15上)。由于在工艺制作后成型的遮光层12近似为梯形，所以当遮光层12厚度较大时，会导致位于遮光层12上方的半导体层的厚度不均匀，尤其是凸起处的两边厚度较薄。这样可能会使得TFT器件的驱动电流降低，以致像素充电不足，影响显示面板的显示效果。

实用新型内容

鉴于现有技术中的上述缺陷，本申请实施例提供一种改善的显示面板和显示装置，来解决以上背景技术部分提到的技术问题。

为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，该阵列基板包括：衬底基板；位于衬底基板上的遮光层，遮光层包括多个遮光区域；覆盖遮光层的缓冲层；位于缓冲层上的半导体层；其中，各遮光区域包括至少两个遮光块，且远离衬底基板的遮光块向靠近衬底基板的遮光块的正投影，位于靠近衬底基板的遮光块的上表面覆盖的区域内。

在一些实施例中，至少两个遮光块具有相同材料，且各遮光块的材料包括以下至少一种：钼金属、钛金属或氮化钼金属。

在一些实施例中，至少两个遮光块的材料不同；各遮光块具有与衬底基板平行的上表面和下表面，且同一遮光块的上表面向下表面的正投影位于下表面覆盖的区域内。

在一些实施例中，至少两个遮光块包括第一遮光块和第二遮光块，且第一遮光块的下表面与衬底基板接触。

在一些实施例中，第一遮光块的材料为钛金属，第二遮光块的材料为钼金属。

在一些实施例中，第一遮光块的材料为氮化钼金属，第二遮光块的材料为钼金属或氮化钼金属。

在一些实施例中，第一遮光块和第二遮光块的材料为氮化钼金属，且第二遮光块的含氮量低于第一遮光块的含氮量。

在一些实施例中，遮光区域还包括第三遮光块，第三遮光块位于第一遮光块和第二遮光块之间；第一遮光块和第三遮光块的材料均为氮化钼金属，第二遮光块的材料为钼金属，其中，第三遮光块的含氮量低于第一遮光块的含氮量。

在一些实施例中，至少两个遮光块之间设置有介质层，介质层为氮化硅层或氧化硅层。

在一些实施例中，半导体层中设置有沟道，各沟道向遮光层的正投影分别位于其中一个遮光区域内。

在一些实施例中，显示面板包括薄膜晶体管；各沟道分别位于其中一个薄膜晶体管的源极和漏极之间，且各薄膜晶体管的栅极向遮光层的正投影分别位于对应的一个遮光区域内。

在一些实施例中，各薄膜晶体管的栅极位于衬底基板和半导体层之间，且各薄膜晶体管的栅极复用为其中一个遮光区域中的至少两个遮光块。

第二方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

本申请实施例提供的显示面板和显示装置，通过将遮光区域设置为至少两个遮光块，并且远离衬底基板的遮光块的尺寸小于靠近衬底基板的遮光块的尺寸，可以减缓遮光区域边缘的陡峭程度，从而有利于改善位于遮光区域边缘上方的半导体层的厚度较薄的问题。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是的现有技术中的显示面板的局部结构示意图；

图2是本申请提供的显示面板的一个实施例的示意图；

图3是本申请提供的显示面板中的遮光层的一个实施例的结构示意图；

图4是本申请提供的显示面板中的遮光层的另一个实施例的结构示意图；

图5是本申请提供的显示面板中的遮光层的又一个实施例的结构示意图；

图6是本申请提供的显示面板的另一个实施例的示意图；

图7是本申请提供的显示装置的一个实施例的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请的原理和特征作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关实用新型，而非对该实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与实用新型相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

请参见图2，其示出了本申请提供的显示面板的一个实施例的示意图。如图所示，本申请的显示面板可以包括：衬底基板21，位于衬底基板21上的遮光层22，覆盖遮光层22的缓冲层23和位于缓冲层23上的半导体层24。

在本实施例中，遮光层22可以包括多个遮光区域。各遮光区域包括至少两个遮光块。且远离衬底基板21的遮光块向靠近衬底基板21的遮光块的正投影，位于该靠近衬底基板21的遮光块的上表面覆盖的区域内。

从图2中可知，各遮光区域可以包括遮光块221和遮光块222，且遮光块221和遮光块222沿第一方向叠置。遮光块221位于衬底基板21上，且遮光块222位于遮光块221上。同时，遮光块222向遮光块221的正投影位于遮光块221的上表面所覆盖的区域内。此时，遮光区域的边缘可以形成阶梯状，与现有技术中的遮光层边缘相比，减缓了边缘处的陡峭程度。这样，位于遮光层22上方的半导体层24的形状也随之发生改变。也就是说，位于遮光区域上方的半导体层24也形成如图2所示的阶梯状。因此，可以适当地改善半导体层24的厚度不均匀的问题。

在本实施例的一些可选的实现方式中，遮光区域的至少两个遮光块的材料可以不同。同时各遮光块具有与衬底基板21平行的上表面和下表面，且同一遮光块的上表面向下表面的正投影位于下表面覆盖的区域内。如图所示，遮光块221可以为第一遮光块，第一遮光块的下表面与衬底基板21接触。遮光块222可以为第二遮光块。并且遮光块221和遮光块222均为梯形。其中，上表面是指正视显示面板时位于上方的表面，下表面是指与上表面相对的表面。也可以说，在与衬底基板表面平行的两个表面中，上表面是相对远离衬底基板一侧的表面，下表面是相对靠近衬底基板一侧的表面。可以理解的是，遮光块221和遮光块222可以是等腰梯形，也可以不是等腰梯形，在本申请中并不限制。

作为示例，第一遮光块221的材料可以为钛金属，第二遮光块222的材料可以为钼金属。其制作过程可以是：首先在衬底基板21上镀钛金属膜，再镀钼金属膜；最后进行图形化处理。在图形化处理过程中，可以先利用刻蚀液(如硝酸、磷酸和醋酸的混合液)对钼金属膜进行湿法刻蚀；然后利用等离子体干法刻蚀钛金属膜。就可以完成图中所示的遮光区域中的各遮光块。需要说明的是，遮光区域的具体制作过程在本申请中并不限制。

可选地，第一遮光块221的材料可以为氮化钼金属，第二遮光块222的材料可以为钼金属或氮化钼金属。比如：第一遮光块221的材料为氮化钼金属，第二遮光块222的材料为钼金属。其制作过程可以是：首先在衬底基板21上镀氮化钼金属膜；再镀钼金属膜；然后进行湿法刻蚀。由于两个遮光块的含氮量不同，因此两个膜层的刻蚀速度也不同，含氮量越高的膜层其刻蚀速度相对越低。这样通过一种刻蚀方法即可形成遮光区域。与上述遮光区域的制作过程相比，简化了遮光区域的制作工艺，有利于降低生产成本。作为示例，第一遮光块221和第二遮光块222的材料可以均为氮化钼金属。此时第二遮光块222的含氮量可以低于第一遮光块221的含氮量。此种遮光区域同样可以利用湿法刻蚀实现。

在本实施例的一些可选的实现方式中，如图2所示，半导体层24中可以设置有沟道。各沟道向遮光层22的正投影分别位于其中一个遮光区域内。此外，显示面板中还可以包括薄膜晶体管的源极26、漏极27和栅极28。各沟道分别位于其中一个薄膜晶体管的源极和漏极之间，且各薄膜晶体管的栅极向遮光层22的正投影分别位于对应的一个遮光区域内。从图2中可知，各薄膜晶体管的栅极可以为顶栅结构，即栅极位于半导体层24的上方的绝缘层25上，且与源极和漏极相互绝缘。

本申请实施例中，通过将遮光区域设置为至少两个遮光块，并且远离衬底基板的遮光块的尺寸小于靠近衬底基板的遮光块的尺寸，可以减缓遮光区域边缘的陡峭程度，从而有利于改善位于遮光区域边缘上方的半导体层的厚度较薄的问题。以减少半导体层断裂情况的发生，或者降低半导体层中厚度较薄处所引起的显示异常等情况的发生概率。

继续参见图3，其为本申请提供的显示面板中的遮光层的一个实施例的结构示意图。如图所示，本申请的显示面板可以包括：衬底基板31，位于衬底基板31上的遮光层32，覆盖遮光层32的缓冲层33和位于缓冲层33上的半导体层34。与图2所示的实施例相同的是，本实施例中的遮光层32同样可以包括多个遮光区域。每个遮光区域包括至少两个遮光块，且各遮光块的材料不同。

与图2所示的实施例不同的是，本实施例中的遮光区域包括三个遮光块，即第一遮光块321、第二遮光块322和第三遮光块323。其中，第一遮光块321与衬底基板31接触。第三遮光块323位于第一遮光块321和第二遮光块322之间。此外，第一遮光块321和第三遮光块323的材料可以均为氮化钼金属。而第二遮光块322的材料可以为钼金属。为了可以利用湿法刻蚀形成各遮光块，第三遮光块323的含氮量可以低于第一遮光块321的含氮量。这样，由于第二遮光块322中不含有氮元素，所以刻蚀速度相对最快。第三遮光块323中的含氮量低于第一遮光块321中的含氮量，所以刻蚀速度相对较快。而第一遮光块321的刻蚀速度相对最慢。

本实施例中的遮光区域包含三个遮光块。因此，遮光区域的边缘可以形成多级(三级)的阶梯状，从而可以进一步减缓边缘处的陡峭程度。这样，位于遮光区域上方的半导体层34的形状也随之发生改变，从而进一步改善半导体层34中对应凸起处的边缘厚度较薄问题，以减少半导体层34断裂情况的发生，或者降低因半导体层34中对应凸起处的边缘厚度较薄导致显示异常等情况的发生概率。

在本实施例的一些可选地实现方式中，第一遮光块321、第二遮光块322和第三遮光块323的材料可以均为氮化钼金属。此时，各遮光块中的含氮量由低到高依次是第二遮光块322、第三遮光块323和第一遮光块321。

需要说明的是，本申请对遮光区域包含的遮光块的数量并不限制。在生产成本可控，且显示面板厚度满足要求的前提下，遮光区域可以包含更多的遮光块，以使其边缘形成多级(四级以上)的阶梯状。

进一步参见图4，其为本申请提供的显示面板中的遮光层的另一个实施例的结构示意图。本申请的显示面板可以包括：衬底基板41、遮光层42、缓冲层43和半导体层44。其中，遮光层42包括多个遮光区域。遮光区域包括至少两个遮光块。各层之间的具体结构可以参见图2所示的实施例，此处不再赘述。

在本实施例中，遮光区域中的各遮光块可以具有相同材料，且各遮光块的材料可以包括以下至少一种：钼金属、钛金属或氮化钼金属。如图4所示，遮光区域包括遮光块421和遮光块422，且遮光块421和遮光块422的材料均为钼金属。此时，两个遮光块可以在同一钼金属膜上利用半色调掩膜法制作而成。这样可以减少因遮光块的材料不同而对衬底基板41进行多次镀膜的步骤，有利于简化生产工艺。需要说明的是，遮光块421和遮光块422也可以是在不同的钼金属膜上制作而成的。虽然需要在衬底基板41上进行两次镀膜，但两个膜层的材料相同，在一定程度上也可以简化生产工艺。

进一步参考图5，其为本申请提供的显示面板中的遮光层的又一个实施例的结构示意图。

在本实施例中，遮光层可以包括多个遮光区域。各遮光区域包括至少两个遮光块，且各遮光块之间可以设置有介质层。其中，介质层可以为氮化硅层或氧化硅层。如图5所示，位于衬底基板51上的遮光层52中的遮光区域包括遮光块521和遮光块522。遮光块521和遮光块522可以是上述各实施例中的遮光块。当遮光块521和遮光块522形成在不同的膜层上时，在遮光块521和遮光块522之间可以设置有介质层53。该介质层53可以作为平坦化层，通过设置介质层53，可以将遮光块521边缘处形成的坡度在一定程度上进行平坦化。这样，减小遮光块521的边缘处的坡度对半导体层的厚度造成的影响。与两个遮光块间形成的阶梯状相比，可以使边缘处更加平缓，从而有利于改善位于其上的半导体层的厚度较薄问题。

需要说明的是，当遮光区域中包括至少两个介质层时，各介质层的材料在本申请中并不限制。各介质层的材料可以相同(比如：各介质层均为氮化硅层)，也可以不同(比如：一个介质层为氮化硅层，另一个介质层为氧化硅层)。

接下来请参见图6，其为本申请提供的显示面板的另一个实施例的示意图。

在本实施例中，显示面板可以包括：衬底基板61、遮光层62、缓冲层63以及薄膜晶体管。其中，薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极65和半导体层64。具体结构位置关系可以参见图2所示的实施例，此处不再赘述。

从图6中可知，遮光层62包括遮光区域，遮光区域包括遮光块621和遮光块622。薄膜晶体管的栅极65可以位于衬底基板61和半导体层64之间，并且薄膜晶体管的栅极65可以复用为遮光区域中的遮光块621和遮光块622。也就是说，通过上述各实施例中制作遮光块的方法来制作薄膜晶体管的栅极65。可以进一步简化显示面板的制作工艺，也有利于显示面板的薄型化设计。

可以理解，显示面板中还可以包括一些公知的结构，诸如阵列基板上的像素电极、信号线、驱动电路、与阵列基板对向设置的彩膜基板、液晶层、用于支撑液晶层的支撑柱等。在应用于触控显示面板时，上述显示面板还可以包括设置于阵列基板上的触控电极等，为了避免不必要地模糊本申请，这些公知的结构在图6中没有示出。

本申请还提供了一种显示装置。该显示装置可以包括上述各实施例描述的显示面板。该显示装置可以为液晶显示装置，如手机、平板电脑、智能手表等等。可以参见图7，其示出了本申请提供的显示装置的一个实施例的示意图。

在本实施例中，显示装置通过将遮光区域设置为沿远离衬底基板的方向上叠置的至少两个遮光块，并且远离衬底基板的遮光块的尺寸小于靠近衬底基板的遮光块的尺寸，可以减缓遮光区域边缘的陡峭程度，从而有利于改善位于遮光区域边缘上方的半导体层的厚度较薄的问题，以降低显示区域71内发生显示异常的情况。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的实用新型范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述实用新型构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (13)

1.一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的遮光层，所述遮光层包括多个遮光区域；

覆盖所述遮光层的缓冲层；

位于所述缓冲层上的半导体层；其中，

各所述遮光区域包括至少两个遮光块，且远离所述衬底基板的遮光块向靠近所述衬底基板的遮光块的正投影，位于所述靠近所述衬底基板的遮光块的上表面覆盖的区域内。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述至少两个遮光块具有相同材料，且各所述遮光块的材料包括以下至少一种：钼金属、钛金属或氮化钼金属。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述至少两个遮光块的材料不同；

各所述遮光块具有与所述衬底基板平行的上表面和下表面，且同一遮光块的上表面向下表面的正投影位于下表面覆盖的区域内。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述至少两个遮光块包括第一遮光块和第二遮光块，且所述第一遮光块的下表面与所述衬底基板接触。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光块的材料为钛金属，所述第二遮光块的材料为钼金属。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于：所述第一遮光块的材料为氮化钼金属，所述第二遮光块的材料为钼金属或氮化钼金属。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于：所述第一遮光块和所述第二遮光块的材料为氮化钼金属，且所述第二遮光块的含氮量低于所述第一遮光块的含氮量。

8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述遮光区域还包括第三遮光块，所述第三遮光块位于所述第一遮光块和所述第二遮光块之间；

所述第一遮光块和所述第三遮光块的材料均为氮化钼金属，所述第二遮光块的材料为钼金属，其中，所述第三遮光块的含氮量低于所述第一遮光块的含氮量。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述至少两个遮光块之间设置有介质层，所述介质层为氮化硅层或氧化硅层。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层中设置有沟道，各所述沟道向所述遮光层的正投影分别位于其中一个所述遮光区域内。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括薄膜晶体管；

各所述沟道分别位于其中一个所述薄膜晶体管的源极和漏极之间，且各所述薄膜晶体管的栅极向所述遮光层的正投影分别位于对应的一个所述遮光区域内。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，各所述薄膜晶体管的栅极位于所述衬底基板和所述半导体层之间，且各所述薄膜晶体管的栅极复用为其中一个所述遮光区域中的所述至少两个遮光块。

13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-12任意一项所述的显示面板。