CN107422543A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,以改善现有技术的显示面板由于配向液分布不均匀,而导致在显示时容易出现波纹、白线、暗线等显示不良的问题。所述显示面板,包括:阵列基板以及设置在所述阵列基板之上的配向液层,其中,所述阵列基板具有相互交叉的第一信号线和第二信号线围设而成的多个像素单元,相邻两个所述像素单元之间的所述第一信号线所在的区域作为第一区域,相邻两个所述像素单元之间的所述第二信号线所在的区域作为第二区域,所述阵列基板面向所述配向液层的一面在每一所述第一区域的至少部分区域设置有第一凹口,在每一所述第二区域的至少部分区域设置有第二凹口。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
平面显示器(F1at Pane1Disp1ay,FPD)己成为市场上的主流产品,平面显示器的种类也越来越多,如液晶显示器(Liquid Crysta1Disp1ay,LCD)、有机发光二极管(OrganicLight Emitted Diode,OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asma Disp1ay Pane1,PDP)及场发射显示器(Field Emission Display,FED)等。
LCD显示器以其大尺寸、工艺成熟稳定、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域,在平板显示中占据主导地位。随着显示技术的发展,技术工艺的日益成熟,大众对LCD显示器的外观、视觉效果等提出了更高的需求,而窄边框就是其中一项。窄边框显示器产品可以提升客户的视觉享受,在市场上广受好评,从而受到了越来越多的LCD显示器生产商的高度重视。
现有技术的阵列基板由于在每一像素单元的四周设置有信号线,例如,为像素电极提供信号的栅线和数据线。由于信号线的膜层厚度一般较厚,进而使得每一像素单元在四周信号线所在的位置形成凸起,进而再在阵列基板上形成配向液层时,像素单元区域的配向液会被周围的凸起包围,使配向液不能在各个像素单元之间进行流动,容易产生整个显示面板的配向液分布不均匀的情况,进而导致显示面板在显示时容易出现波纹、白线、暗线等显示不良的问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,以改善现有技术的显示面板由于配向液分布不均匀,而导致在显示时容易出现波纹、白线、暗线等显示不良的问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:阵列基板以及设置在所述阵列基板之上的配向液层,其中,所述阵列基板具有相互交叉的第一信号线和第二信号线围设而成的多个像素单元,将相邻两个所述像素单元之间的所述第一信号线所在的区域作为第一区域,将相邻两个所述像素单元之间的所述第二信号线所在的区域作为第二区域;
所述阵列基板面向所述配向液层的一面在每一所述第一区域的部分区域设置有第一凹口,在每一所述第二区域的部分区域设置有第二凹口,相邻两个所述像素单元的所述配向液可通过所述第一凹口或所述第二凹口相互流通。
优选的,所述阵列基板面向所述配向液层的一面设置有第一膜层;
所述阵列基板通过使所述第一膜层在所述第一区域的至少部分区域的厚度小于其它区域的厚度进而形成所述第一凹口,通过使所述第一膜层在所述第二区域的至少部分区域的厚度小于其它区域的厚度进而形成所述第二凹口。
优选的,所述第一膜层为所述阵列基板的栅极绝缘层。
优选的,在垂直于所述第一信号线延伸的方向上,所述第一凹口的宽度与所述第一信号线的宽度相等;在垂直于所述第二信号线延伸的方向上,所述第二凹口的宽度与所述第二信号线的宽度相等。
优选的,所述阵列基板面向所述配向液层的一面在每一所述第一区域的中点位置设置有第一凹口,在每一所述第二区域的中点位置设置有第二凹口。
优选的,所述第一信号线包括栅线,所述第二信号线包括数据线;或者,所述第一信号线包括栅线以及与所述栅线平行的公共电极线,所述第二信号线包括数据线。
优选的,所述第一信号线包括栅线以及与所述栅线平行的公共电极线,所述第二信号线包括数据线;
所述阵列基板具体依次包括:衬底基板、公共电极层、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层以及像素电极层,其中,所述公共电极层包括位于每一所述像素单元的公共电极,所述栅极层包括栅极、栅线以及公共电极线,所述公共电极线与所述公共电极电性接触,所述源漏极层包括源极、漏极、以及数据线,所述有源层还包括位于所述数据线之下、与所述数据线延伸方向相同且接触的第一导线,所述钝化层具有暴露所述漏极的第一过孔,所述像素电极层包括位于每一所述像素单元的像素电极,所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏极连接。
本申请实施例还提供一种显示装置,包括本申请实施例提供的所述显示面板。
本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,其中,所述显示面板包括:阵列基板以及设置在所述阵列基板之上的配向液层,所述阵列基板具有相互交叉的第一信号线和第二信号线围设而成的多个像素单元,相邻两个所述像素单元之间的所述第一信号线所在的区域作为第一区域,相邻两个所述像素单元之间的所述第二信号线所在的区域作为第二区域,所述制作方法包括:
在阵列基板面向配向液层一面的每一第一区域的至少部分区域形成第一凹口,在每一第二区域的至少部分区域形成第二凹口;
在所述阵列基板之上形成所述配向液层,相邻两个所述像素单元的所述配向液可通过所述第一凹口或所述第二凹口相互流通。
优选的,所述在阵列基板面向配向液层一面的每一第一区域的至少部分区域形成第一凹口,在每一第二区域的至少部分区域形成第二凹口,具体包括:
在衬底基板之上形成栅极绝缘层;
去除每一所述第一区域的至少部分区域的所述栅极绝缘层,并同时去除每一所述第二区域的至少部分区域的所述栅极绝缘层,以使所述阵列基板面向配向液层一面的每一第一区域的至少部分区域形成第一凹口,每一第二区域的至少部分区域形成第二凹口。
本申请实施例有益效果如下:在本申请实施例中,通过在相邻两个像素单元之间的第一区域的至少部分区域设置第一凹口,在相邻两个像素单元之间的第二区域的至少部分区域设置第二凹口,进而在第一信号线和所述第二信号线所在的区域形成有凸起结构时,第一凹口或第二凹口可以使任意两个相邻的像素单元的配向液进行相互流通,进而可以使整个显示面板的配向液分布均匀,避免显示面板由于配向液分布不均匀时,出现波纹、白线、暗线等不良的问题。
附图说明
图1为本申请实施例提供的显示面板的俯视结构示意图;
图2为本申请实施例提供的显示面板在一个像素单元区域的放大结构示意图;
图3为本申请实施例提供的显示面板沿A-A'的截面结构示意图;
图4为本申请实施例提供的显示面板沿B-B'的剖视结构示意图;
图5为申请实施例提供的显示面板的制作流程示意图;
图6为本申请实施例中,制备完成公共电极层和栅极层的结构示意图;
图7为本申请实施例中,制备完成栅极绝缘层的显示面板的结构示意图;
图8为本申请实施例中,制备完成源漏极层的显示面板的结构示意图;
图9为本申请实施例中,制备完成钝化层的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本申请实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是,自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。
参见图1和图2所示,其中,图2为图1在一个像素单元处的放大示意图,本申请实施例提供一种显示面板,包括:阵列基板以及设置在阵列基板之上的配向液层(图中未示出),其中,阵列基板具有相互交叉的第一信号线81和第二信号线51围设而成的多个像素单元,第一信号线81和第二信号线51所在的区域形成有凸起结构(图中未示出),每一像素单元内设置有像素电极71,将相邻两个像素单元之间的第一信号线81所在的区域作为第一区域85,将相邻两个像素单元之间的第二信号线51所在的区域作为第二区域55,其中,
阵列基板面向配向液层的一面在每一第一区域85的至少部分区域设置有第一凹口80,在每一第二区域55的至少部分区域设置有第二凹口50,相邻两个像素单元71的配向液可通过第一凹口80或第二凹口50相互流通。需要说明的是,图1是以阵列基板面向配向液层的一面在每一第一区域85的中点位置设置有第一凹口80,在每一第二区域55的中点位置设置有第二凹口50进行的举例说明,本申请并不以此为限,在具体实施时,还可以是在整个第一区域形成第一凹口,在整个第二区域形成第二凹口。另外,图1是以第一信号线81包括栅线811和公共电极线812,第二信号线包括数据线51为例进行的举例说明,在具体实施时,第一信号线81和第二信号线51还可以包括其它设置在像素单元四周,导致像素单元的四周区域高于像素单元区域的信号线,本申请不以此为限。
在本申请实施例中,通过在相邻两个像素单元之间的第一区域的至少部分区域设置第一凹口,在相邻两个像素单元之间的第二区域的至少部分区域设置第二凹口,进而在第一信号线和所述第二信号线所在的区域形成有凸起结构时,第一凹口或第二凹口可以使任意两个相邻的像素单元的配向液进行相互流通,进而可以使整个显示面板的配向液分布均匀,避免显示面板由于配向液分布不均匀时,出现波纹、白线、暗线等不良的问题。
优选的,参见图1所示,在垂直于第一信号线81延伸的方向上,第一凹口80的宽度与第一信号线81的宽度相等;在垂直于第二信号线51的方向上,第二凹口50的宽度与第二信号线51的宽度相等。
优选的,阵列基板面向配向液层的一面设置有第一膜层;阵列基板通过使第一膜层在第一区域的至少部分区域的厚度小于其它区域的厚度进而形成第一凹口,通过使第一膜层在第二区域的至少部分区域的厚度小于其它区域的厚度进而形成第二凹口。即,在具体实施时,对于阵列基板而言,其一般包括有多个膜层,而对于阵列基板面向配向液层的一面在第一区域的至少部分区域设置的第一凹口,以及在第二区域的至少部分区域设置的第二凹口,具体可通过使阵列基板的某一个膜层在第一区域的至少部分区域的厚度小于其它区域的厚度进而形成第一凹口,使阵列基板的某一个膜层的在第二区域的至少部分区域的厚度小于其它区域的厚度进而形成第二凹口,当然,这里的其它区域应当理解为第一区域和第二区域以外的其它区域。
优选的,第一膜层为阵列基板的栅极绝缘层。本申请实施例中,由于栅极绝缘层一般较厚,通过使栅极绝缘层在第一区域的至少部分区域的厚度小于其它区域的厚度进而形成第一凹口,通过使栅极绝缘层在第二区域的至少部分区域的厚度小于其它区域的厚度进而形成第二凹口,可以在不影响显示面板正常显示功能的情况下,实现在阵列基板的面向配向液层的一面形成深度较为明显的第一凹口和第二凹口,有利于配向液在相邻像素单元之间进行流通。
在具体实施时,第一信号线包括:栅线,第二信号线包括:数据线;或者,第一信号线包括:栅线811以及与栅线811平行的公共电极线812,第二信号线包括:数据线51,参见图1所示。
优选的,第一信号线包括:栅线811以及与栅线811平行的公共电极线812,第二信号线包括:数据线51。结合图2、图3和图4所示,其中,图3为图2沿A-A’方向的截面示意图,图4为图2沿B-B’方向的截面示意图,阵列基板具体依次包括:
衬底基板1、公共电极层2(包括位于每一像素单元的公共电极21)、栅极层(包括栅极813、栅线811以及公共电极线812,公共电极线812与公共电极21电性接触)、栅极绝缘层3、有源层(包括位于数据线51之下、与数据线51延伸方向相同且接触的第一导线41)、源漏极层(包括源极52、漏极53、以及数据线51)、钝化层6、像素电极层7(包括位于每一像素单元的像素电极71,像素电极71通过第一过孔与漏极53连接)。
现有技术的阵列基板,栅线和公共电极线所在的区域的膜厚要大于像素单元区域的膜厚。而本申请实施例中,参见图3,通过去除相邻像素单元之间的栅线811和公共电极线812所在的第一区域80的部分区域的栅极绝缘层3,可使阵列基板的去除栅极绝缘层的区域的整体膜层厚度降低,并基本与像素单元区域(图3中80区域以外的区域)的膜厚相等,进而可以使相邻像素单元之间的配向液进行流通。现有技术的阵列基板,数据线所在的区域的膜厚要大于像素单元区域的膜厚。而本申请实施例中,参见图4,通过去除第一区域50的部分区域的栅极绝缘层3,可使去除栅极绝缘层3的区域的整体膜层厚度降低,并基本与像素单元区域(图4中第一区域50左右两侧区域)的膜厚基本相等,进而可以使相邻像素单元之间的配向液进行流通。本申请实施例还提供一种显示装置,包括本申请实施例提供的显示面板。
参见图5所示,本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,其中,显示面板包括:阵列基板以及设置在阵列基板之上的配向液层,阵列基板具有相互交叉的第一信号线和第二信号线围设而成的多个像素单元,相邻两个像素单元之间的第一信号线所在的区域作为第一区域,相邻两个像素单元之间的第二信号线所在的区域作为第二区域,所述制作方法包括:
步骤101、在阵列基板的面向配向液层的一面的每一第一区域的至少部分区域形成第一凹口,在每一第二区域的至少部分区域形成第二凹口。
在具体实施时,在阵列基板的面向配向液层的一面的每一第一区域的至少部分区域形成第一凹口,在每一第二区域的至少部分区域形成第二凹口,具体包括:
在衬底基板之上形成栅极绝缘层;
去除每一第一区域的至少部分区域的栅极绝缘层,并同时去除每一第二区域的至少部分区域的栅极绝缘层,以使在阵列基板的面向配向液层的一面的每一第一区域的至少部分区域形成第一凹口,在每一第二区域的至少部分区域形成第二凹口。
优选的,在衬底基板之上形成栅极绝缘层之前,制作方法还包括:
在衬底基板之上形成公共电极层和栅极层,其中,公共电极层包括位于每一像素单元的公共电极,栅极层包括栅极、栅线以及公共电极线,公共电极线与公共电极电性接触。
优选的,在去除每一第一区域的至少部分区域的栅极绝缘层,并同时去除每一第二区域的至少部分区域的栅极绝缘层之后,制作方法还包括:
在栅极绝缘层之上形成有源层和源漏极层;
在源漏极层之上形成钝化层,并在钝化层刻蚀出暴露漏极的第一过孔;
在钝化层之上形成像素电极层,其中,像素电极层包括位于每一像素单元的像素电极,每一像素电极通过第一过孔与漏极连接。
步骤102、在阵列基板之上形成配向液层,相邻两个像素单元的配向液可通过第一凹口或所述第二凹口相互流通。
为了更详细的对本申请提供的显示面板的制备方法进行说明,结合附图6至附图9举例如下:
本申请实施例提供具体的显示面板的制备方法,包括:
步骤一,在衬底基板上采用公共电极层/栅极层同步曝光工艺形成公共电极层和栅极层的图案,其中,公共电极层包括位于每一像素单元的公共电极21,即,公共电极层由多个位于每一像素单元的公共电极块构成;栅极层的图案包括薄膜晶体管的栅极813,以及为后续形成的像素电极提供信号的栅线811,以及与栅811线平行设置的、为公共电极21提供信号的公共电极线812,公共电极线812与公共电极21直接接触。衬底基板具体可以为玻璃基板,具体的公共电极层的材质可以为氧化铟锡。其中,栅线和公共电极线所在的区域作为第一区域,数据线所在的区域作为第二区域,在衬底基板上制备公共电极层和栅极层后的示意图如图6所示。
关于在衬底基板上形成公共电极层图案和栅极层图案的步骤,具体的,可以是在衬底基板上先沉积第一层ITO和栅极层,利用半曝光工艺进行曝光,显影后栅极线和公共电极线上均为未曝光区域,光刻胶会最厚;公共电极上的部位均为半曝光区域,所以剩余的PR胶厚度较薄;其它区域为全曝光,显影后无光刻胶残留。在以上曝光、显影后进行第一次刻蚀,将栅极线和公共电极线之间的部分、相邻公共电极之间的部分、公共电极与栅线之间及其它需要挖空的部分全部刻蚀掉。以上步骤之后进行光刻胶灰化,将公共电极上的光刻胶刻蚀掉,然后进行第二次刻蚀,刻蚀掉公共电极上的栅极层金属。完成以上步骤即制备出了公共电极层图案和栅极层图案。
步骤二,在完成上述步骤的衬底基板上沉积栅极绝缘层3,并对栅极绝缘层3的相邻像素单元之间的第一区域的部分区域进行刻蚀,以去除第一区域中点位置处的栅极绝缘层3,并同时对栅极绝缘层3的相邻像素单元之间的第二区域的部分区域进行刻蚀,优选的,选取第一区域和第二区域的中点位置处进行刻蚀,以去除第一区域和第二区域中点位置处的栅极绝缘层。制备完成栅极绝缘层3后的示意图如图7所示。
步骤三,在栅极绝缘层3上沉积有源层薄膜和源漏极层薄膜,并通过半曝光一次制备出有源层和源漏极层图案。其中,有源层图案包括薄膜晶体管的有源层,以及位于数据线下方与数据线平行且接触的第一导线;源漏极层图案包括薄膜晶体管的源极52、漏极53以及为后续形成的像素电极提供信号的数据线51。制备完成源漏极层后的示意图如图8所示。
具体的,可以在栅极绝缘层3上连续沉积有源层和源漏极层,之后进行半曝光,曝光显影后在数据线及其它需要保留源漏极的位置处光刻胶为最厚,在薄膜晶体管的沟道区所在区域光刻胶厚度为较薄,在像素区及其它不需要保留源漏极层的位置光刻胶消除。完成以上曝光显影后,进行第一次源漏极层刻蚀,刻蚀掉暴露在外的源漏极层金属,之后进行有源层刻蚀及光刻胶灰化,刻蚀掉暴露出来的有源层及对沟道区上光刻胶进行灰化刻蚀掉,这样沟道区的源漏极层金属将会暴露出来,之后进行第二次源漏极层刻蚀,刻蚀掉沟道区上的源漏极层金属。最后进行有源层刻蚀,这样就形成了沟道内有源层的结构。
步骤四,在源漏极层上形成钝化层6,并通过曝光、刻蚀工艺形成暴露漏极53的第一过孔61。制备完成钝化层6的示意图如图9所示。
步骤五,在完成上述工艺的衬底基板上,沉积像素电极层薄膜,并通过曝光、刻蚀工艺形成像素电极层图案,其中,像素电极层图案包括位于每一像素电极层的块状的像素电极71。制备完成像素电极的示意图如图2所示。
本申请实施例有益效果如下:在本申请实施例中,通过在相邻两个像素单元之间的第一区域的至少部分区域设置第一凹口,在相邻两个像素单元之间的第二区域的至少部分区域设置第二凹口,进而在第一信号线和所述第二信号线所在的区域形成有凸起结构时,第一凹口或第二凹口可以使任意两个相邻的像素单元的配向液进行相互流通,进而可以使整个显示面板的配向液分布均匀,避免显示面板由于配向液分布不均匀时,出现波纹、白线、暗线等不良的问题。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:阵列基板以及设置在所述阵列基板之上的配向液层,其中,所述阵列基板具有相互交叉的第一信号线和第二信号线围设而成的多个像素单元,相邻两个所述像素单元之间的所述第一信号线所在的区域作为第一区域,相邻两个所述像素单元之间的所述第二信号线所在的区域作为第二区域;
所述阵列基板面向所述配向液层的一面在每一所述第一区域的至少部分区域设置有第一凹口,在每一所述第二区域的至少部分区域设置有第二凹口,相邻两个所述像素单元的所述配向液可通过所述第一凹口或所述第二凹口相互流通。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板面向所述配向液层的一面设置有第一膜层;
所述阵列基板通过使所述第一膜层在所述第一区域的至少部分区域的厚度小于其它区域的厚度进而形成所述第一凹口,通过使所述第一膜层在所述第二区域的至少部分区域的厚度小于其它区域的厚度进而形成所述第二凹口。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一膜层为所述阵列基板的栅极绝缘层。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在垂直于所述第一信号线延伸的方向上,所述第一凹口的宽度与所述第一信号线的宽度相等;在垂直于所述第二信号线延伸的方向上,所述第二凹口的宽度与所述第二信号线的宽度相等。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板面向所述配向液层的一面在每一所述第一区域的中点位置设置有第一凹口,在每一所述第二区域的中点位置设置有第二凹口。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号线包括栅线,所述第二信号线包括数据线;或者,所述第一信号线包括栅线以及与所述栅线平行的公共电极线,所述第二信号线包括数据线。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号线包括栅线以及与所述栅线平行的公共电极线,所述第二信号线包括数据线;
所述阵列基板具体依次包括:衬底基板、公共电极层、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层以及像素电极层,其中,所述公共电极层包括位于每一所述像素单元的公共电极,所述栅极层包括栅极、栅线以及公共电极线,所述公共电极线与所述公共电极电性接触,所述源漏极层包括源极、漏极以及数据线,所述有源层还包括位于所述数据线之下、与所述数据线延伸方向相同且接触的第一导线,所述钝化层具有暴露所述漏极的第一过孔,所述像素电极层包括位于每一所述像素单元的像素电极,所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏极连接。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制作方法,其中,所述显示面板包括:阵列基板以及设置在所述阵列基板之上的配向液层,所述阵列基板具有相互交叉的第一信号线和第二信号线围设而成的多个像素单元,相邻两个所述像素单元之间的所述第一信号线所在的区域作为第一区域,相邻两个所述像素单元之间的所述第二信号线所在的区域作为第二区域,其特征在于,所述制作方法包括:
在阵列基板面向配向液层一面的每一所述第一区域的至少部分区域形成第一凹口,在每一所述第二区域的至少部分区域形成第二凹口;
在所述阵列基板之上形成所述配向液层,相邻两个所述像素单元的所述配向液可通过所述第一凹口或所述第二凹口相互流通。
10.如权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在阵列基板面向配向液层一面的每一第一区域的至少部分区域形成第一凹口,在每一第二区域的至少部分区域形成第二凹口,具体包括:
在衬底基板之上形成栅极绝缘层;
去除每一所述第一区域的至少部分区域的所述栅极绝缘层,并同时去除每一所述第二区域的至少部分区域的所述栅极绝缘层,以使所述阵列基板面向配向液层一面的每一所述第一区域的至少部分区域形成第一凹口,每一所述第二区域的至少部分区域形成第二凹口。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710539237.0A CN107422543B (zh) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107422543A true CN107422543A (zh) | 2017-12-01 |
CN107422543B CN107422543B (zh) | 2020-07-28 |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107422543B (zh) |
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CN107422543B (zh) | 2020-07-28 |
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PB01 | Publication | ||
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