JP2005091638A - 電気光学装置および電気機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】コントラストや視角特性等に優れた電気光学装置および電気機器を提供する。
【解決手段】一対の第１の基板１２と、第２の基板１４との間に、電気光学物質２３２を封入してなる電気光学装置であって、電気光学物質２３２は、第１の基板１２および第２の基板１４に対して実質的に垂直に配向しており、第１の基板１２は、第１の電極１９を備え、第２の基板１４は、第２の電極２０を備えるとともに、当該第２の電極２０に対応して設けられたスイッチング素子３１と、当該スイッチング素子３１を介して、第２の電極２０に信号を供給するための配線２６とを備え、配線２６の線幅をＷ（μｍ）とし、当該配線２６と、第２の電極２０との間の距離とをＳ（μｍ）としたときに、Ｓ／Ｗ＞１の関係を満足する。
【選択図】図１
【解決手段】一対の第１の基板１２と、第２の基板１４との間に、電気光学物質２３２を封入してなる電気光学装置であって、電気光学物質２３２は、第１の基板１２および第２の基板１４に対して実質的に垂直に配向しており、第１の基板１２は、第１の電極１９を備え、第２の基板１４は、第２の電極２０を備えるとともに、当該第２の電極２０に対応して設けられたスイッチング素子３１と、当該スイッチング素子３１を介して、第２の電極２０に信号を供給するための配線２６とを備え、配線２６の線幅をＷ（μｍ）とし、当該配線２６と、第２の電極２０との間の距離とをＳ（μｍ）としたときに、Ｓ／Ｗ＞１の関係を満足する。
【選択図】図１
Description
本発明は、電気光学装置および電気機器に関する。特に、コントラストや視角特性等に優れた電気光学装置および電気機器に関する。
携帯電話等の普及に伴い、高精細な画像表示が可能な液晶表示装置が望まれている。
例えば、コントラストが十分で、しかも良好な黒表示を得ることができるノーマリーブラックモードの液晶表示装置が提案されている。すなわち、ノーマリーブラックモードの液晶表示装置は、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置と異なり、非電圧印加状態の際に、光の透過率が最も小さくなって、画素を黒色認識させる構成になっている。
より具体的には、図１８に示すように、液晶素子３１０の液晶分子が初期のツイスト配向状態にあるときに光の透過率が最も小さくなるように吸収軸３１９ａ，３２０ａの方向を設定し、配置された一対の偏光板３１９，３２０のうちの、前側偏光板３１９との間に、液晶素子３１０のリタデーションの値とほぼ等しい値で、且つ液晶素子３１０のリタデーションの波長依存性に対して逆の波長依存性を有するリタデーションをもつねじれ位相板３２１を配置し、さらにねじれ位相板３２１と、このねじれ位相板３２１に隣接する前側偏光板３１９との間に、位相差板３２７を、その遅相軸３２７ａを前側偏光板３１９の吸収軸３１９ａに対して斜めにずらして配置した液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
例えば、コントラストが十分で、しかも良好な黒表示を得ることができるノーマリーブラックモードの液晶表示装置が提案されている。すなわち、ノーマリーブラックモードの液晶表示装置は、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置と異なり、非電圧印加状態の際に、光の透過率が最も小さくなって、画素を黒色認識させる構成になっている。
より具体的には、図１８に示すように、液晶素子３１０の液晶分子が初期のツイスト配向状態にあるときに光の透過率が最も小さくなるように吸収軸３１９ａ，３２０ａの方向を設定し、配置された一対の偏光板３１９，３２０のうちの、前側偏光板３１９との間に、液晶素子３１０のリタデーションの値とほぼ等しい値で、且つ液晶素子３１０のリタデーションの波長依存性に対して逆の波長依存性を有するリタデーションをもつねじれ位相板３２１を配置し、さらにねじれ位相板３２１と、このねじれ位相板３２１に隣接する前側偏光板３１９との間に、位相差板３２７を、その遅相軸３２７ａを前側偏光板３１９の吸収軸３１９ａに対して斜めにずらして配置した液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
また、認識される画像表示の視角特性を向上させるために、対向する基板上におけるいずれかの透明電極に、所定の開口部を形成した液晶表示装置が提案されている。より具体的には、図１９に示すように、表示の単位となる絵素領域は液晶分子が軸対称配向する複数のサブ絵素領域を有するとともに、液晶層を挟持する第１電極および第２電極の少なくとも一方は、絵素領域内に規則的に配置された複数の開口部４２４ａを有し、サブ絵素領域は、多角形の角および辺の少なくとも一方に開口部４２４ａを有するサブ電極領域４５０で規定され、サブ電極領域４５０の端辺の少なくとも１つは、該絵素電極４２４の端辺の少なくとも１つと一致させてなる液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００１−１８８２３２号公報 （特許請求の範囲）
特許第３３８６３７４号公報 （特許請求の範囲）
しかしながら、開示されたノーマリーブラックモードの液晶表示装置の場合、電気配線の線幅（Ｗ）や、その電気配線と、透明電極との間の距離（Ｓ）を何ら考慮していないために、液晶分子が所定方向に配向しないという配向不良が生じやすいという問題が見られた。
特に、特許文献２に開示された液晶表示装置のような、垂直配向モードの液晶表示装置の場合、配線（データ線）と画素電極との間に十分な距離が確保されていないと、データ線の電圧の影響により、液晶分子の配向制御を行うことができないという問題が見られた。
特に、特許文献２に開示された液晶表示装置のような、垂直配向モードの液晶表示装置の場合、配線（データ線）と画素電極との間に十分な距離が確保されていないと、データ線の電圧の影響により、液晶分子の配向制御を行うことができないという問題が見られた。
そこで、本発明は、上記問題点を解決するものであり、第１の基板および第２の基板に対して実質的に垂直に配向している電気光学物質を封入してなる電気光学装置等において、第２の基板の配線の線幅（Ｗ）や、その配線と第２の電極との間の距離（Ｓ）の関係をそれぞれ制限することにより、適確に配向制御を行うことが可能になり、コントラストや視角特性に優れた電気光学装置および電気機器をそれぞれ提供することを目的としている。
本発明によれば、一対の第１の基板と、第２の基板との間に、電気光学物質を封入してなる電気光学装置であって、
電気光学物質は、第１の基板および第２の基板に対して実質的に垂直に配向しており、
第１の基板は、第１の電極を備え、
第２の基板は、第２の電極を備えるとともに、当該第２の電極に対応して設けられたスイッチング素子と、当該スイッチング素子を介して、第２の電極に信号を供給するための配線とを備え、
配線の線幅をＷ（μｍ）とし、当該配線と、第２の電極との間の距離とをＳ（μｍ）としたときに、Ｓ／Ｗ＞１の関係を満足することを特徴とする電気光学装置が提供され、上述した問題点を解決することができる。
なお、第２の基板の配線と、第２の電極との間の距離（Ｓ）は、当該配線から第２の電極へ直線を引いたと想定した場合における直線の最短距離を意味している。
電気光学物質は、第１の基板および第２の基板に対して実質的に垂直に配向しており、
第１の基板は、第１の電極を備え、
第２の基板は、第２の電極を備えるとともに、当該第２の電極に対応して設けられたスイッチング素子と、当該スイッチング素子を介して、第２の電極に信号を供給するための配線とを備え、
配線の線幅をＷ（μｍ）とし、当該配線と、第２の電極との間の距離とをＳ（μｍ）としたときに、Ｓ／Ｗ＞１の関係を満足することを特徴とする電気光学装置が提供され、上述した問題点を解決することができる。
なお、第２の基板の配線と、第２の電極との間の距離（Ｓ）は、当該配線から第２の電極へ直線を引いたと想定した場合における直線の最短距離を意味している。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第２の基板における配線と、第２の電極との間の距離（Ｓ）を２．５〜７μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第２の基板の配線の線幅（Ｗ）を０．１〜０．７μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、スイッチング素子は、二端子型非線形素子であることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の基板は、画素領域において電気光学物質の配向を規制するための配向規制手段を備えることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、配向規制手段は、第１の電極および第２の電極の少なくとも一方の電極に設けられたスリットを含むことが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の基板は第１の配向膜を有し、第２の基板は第２の配向膜を有するとともに、配向規制手段は、第１の配向膜および第２の配向膜の少なくとも一方の表面に設けられた凸部を含むことが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の基板は第１の配向膜を有し、第２の基板は第２の配向膜を有するとともに、配向規制手段は、第１の配向膜および第２の配向膜の少なくとも一方の配向膜の表面に設けられた凹部を含むことが好ましい。
また、本発明の別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えた電気機器である。
本発明の電気光学装置によれば、第２の基板の配線（電気配線）の線幅（Ｗ）と、第２の電極までの距離（Ｓ）との関係を制限することにより、配向不良を有効に防止して、コントラストや視角特性に優れた電気光学装置を提供することができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、第２の基板における配線（電気配線）と、第２の電極と、の間の距離（Ｓ）を所定範囲内の値とすることにより、配向不良を確実に防止できるとともに、電気光学装置用基板の配線の引き回しや、製造自体についても容易に実施することができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、配線（電気配線）の線幅（Ｗ）を所定範囲内の値とすることにより、配向不良を確実に防止できるとともに、電気光学装置用基板の配線の引き回しや、製造自体についても容易に実施することができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、スイッチング素子を、二端子型非線形素子とすることにより、さらにコントラストに優れた画像表示を認識することができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、画素領域において所定の配向規制手段を備えることにより、視角特性に優れた画像表示を認識することができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、配向規制手段が、第１の電極および第２の電極の少なくとも一方の電極に設けられたスリットを含むことにより、例えば、斜め電界を生じさせて、容易に配向制御することができ、優れた視角特性を示す画像表示を得ることができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、配向規制手段が、所定の配向膜の表面に設けられた凸部を含むことにより、容易に配向制御をすることができ、優れた視角特性を示す画像表示を得ることができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、配向規制手段が、所定の配向膜の表面に設けられた凹部を含むことにより、容易に配向制御をすることができ、優れた視角特性を示す画像表示を得ることができる。
また、本発明の電気機器によれば、上述したいずれかの電気光学装置を備えることにより、薄型で、コントラストや視角特性に優れた電気光学装置を利用した電気機器を効率的に提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、および電気機器に関する実施形態について具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
［第１実施形態］
第１実施形態は、図１に例示されるように、一対の第１の基板１２と、第２の基板１４との間に、電気光学物質２３２を封入してなる電気光学装置１０であって、
電気光学物質２３２は、第１の基板１２および第２の基板１４に対して実質的に垂直に配向しており、
第１の基板１２は、第１の電極１９を備え、
第２の基板１４は、第２の電極２０を備えるとともに、当該第２の電極２０に対応して設けられたスイッチング素子３１と、当該スイッチング素子３１を介して、第２の電極２０に信号を供給するための配線２６とを備え、
配線２６の線幅をＷ（μｍ）とし、当該配線と、第２の電極２０との間の距離をＳ（μｍ）としたときに、Ｓ／Ｗ＞１の関係を満足することを特徴とする電気光学装置１０である。
なお、図１（ａ）は、第１実施形態の電気光学装置を垂直方向に透視した平面図を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＡＡ断面を矢印方向に見た断面図を示し、特に説明を要しないものについては適宜省略されている。
以下、カラーフィルタ基板（第１の基板）１２、二端子型非線形素子としてのＴＦＤ素子３１を備えた対向基板（第２の基板）１４、およびそれらを用いた液晶表示装置を例に採って説明する。
第１実施形態は、図１に例示されるように、一対の第１の基板１２と、第２の基板１４との間に、電気光学物質２３２を封入してなる電気光学装置１０であって、
電気光学物質２３２は、第１の基板１２および第２の基板１４に対して実質的に垂直に配向しており、
第１の基板１２は、第１の電極１９を備え、
第２の基板１４は、第２の電極２０を備えるとともに、当該第２の電極２０に対応して設けられたスイッチング素子３１と、当該スイッチング素子３１を介して、第２の電極２０に信号を供給するための配線２６とを備え、
配線２６の線幅をＷ（μｍ）とし、当該配線と、第２の電極２０との間の距離をＳ（μｍ）としたときに、Ｓ／Ｗ＞１の関係を満足することを特徴とする電気光学装置１０である。
なお、図１（ａ）は、第１実施形態の電気光学装置を垂直方向に透視した平面図を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＡＡ断面を矢印方向に見た断面図を示し、特に説明を要しないものについては適宜省略されている。
以下、カラーフィルタ基板（第１の基板）１２、二端子型非線形素子としてのＴＦＤ素子３１を備えた対向基板（第２の基板）１４、およびそれらを用いた液晶表示装置を例に採って説明する。
１．液晶表示装置の基本構造
まず、図２〜図４を参照して、本発明の第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線、あるいは位相差板および偏光板について具体的に説明する。なお、図２は、本発明に係る第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置に使用される液晶パネル２００を示す概略斜視図であり、図３は、液晶パネル２００の概略断面図であり、図４は、アクティブマトリクス（ＴＦＤ）の配線例を示す図である。
また、図２に示される液晶パネル２００は、二端子型非線形素子としてのＴＦＤ素子（Thin Film Diode）３１を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置となる。
まず、図２〜図４を参照して、本発明の第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線、あるいは位相差板および偏光板について具体的に説明する。なお、図２は、本発明に係る第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置に使用される液晶パネル２００を示す概略斜視図であり、図３は、液晶パネル２００の概略断面図であり、図４は、アクティブマトリクス（ＴＦＤ）の配線例を示す図である。
また、図２に示される液晶パネル２００は、二端子型非線形素子としてのＴＦＤ素子（Thin Film Diode）３１を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置となる。
（１）セル構造
図２に示すように、液晶パネル２００は、ガラス板や合成樹脂板等からなる透明な第１のガラス基板１３を基体とする第１の基板（カラーフィルタ基板）１２と、これに対向配置される第２のガラス基板２７を基体とする第２の基板（対向基板）１４とが、接着剤等のシール材２３０を介して貼り合わせられていることが好ましい。そして、カラーフィルタ基板１２と、対向基板１４とが形成する空間であって、シール材２３０の内側部分に対して、開口部２３０ａを介して液晶分子を注入した後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えていることが好ましい。
すなわち、図３の液晶パネル２００の概略断面図に示すように、カラーフィルタ基板１２と対向基板１４との間に、液晶分子２３２が充填されていることが好ましい。
図２に示すように、液晶パネル２００は、ガラス板や合成樹脂板等からなる透明な第１のガラス基板１３を基体とする第１の基板（カラーフィルタ基板）１２と、これに対向配置される第２のガラス基板２７を基体とする第２の基板（対向基板）１４とが、接着剤等のシール材２３０を介して貼り合わせられていることが好ましい。そして、カラーフィルタ基板１２と、対向基板１４とが形成する空間であって、シール材２３０の内側部分に対して、開口部２３０ａを介して液晶分子を注入した後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えていることが好ましい。
すなわち、図３の液晶パネル２００の概略断面図に示すように、カラーフィルタ基板１２と対向基板１４との間に、液晶分子２３２が充填されていることが好ましい。
（２）配線
図２に示すように、第２のガラス基板２７の内面（第１のガラス基板１３に対向する表面）上に、マトリクス状の第２の電極２０を形成し、第１のガラス基板１３の内面（第２のガラス基板２７に対向する表面）上には、複数のストライプ状の第１の電極１９を形成することが好ましい。
また、第２の電極２０を、ＴＦＤ素子３１を介して配線（電気配線）２６に対して導電接続するとともに、もう一方の第１の電極１９を、電気配線２６´に対して導電接続することが好ましい。
そして、第２の電極２０と、第１の電極１９との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成することになる。
また、図４に、ドライバＩＣおよびＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクスの具体的な配線例を示す。すなわち、Ｙ方向に延在する複数の配線（データ線）２６と、Ｘ方向に延在する複数の第１の電極（走査線）１９とから構成されており、各交差部分において画素５０が構成されている。また、各画素５０において、液晶表示要素５１と、ＴＦＤ素子３１とが直列接続されている。
図２に示すように、第２のガラス基板２７の内面（第１のガラス基板１３に対向する表面）上に、マトリクス状の第２の電極２０を形成し、第１のガラス基板１３の内面（第２のガラス基板２７に対向する表面）上には、複数のストライプ状の第１の電極１９を形成することが好ましい。
また、第２の電極２０を、ＴＦＤ素子３１を介して配線（電気配線）２６に対して導電接続するとともに、もう一方の第１の電極１９を、電気配線２６´に対して導電接続することが好ましい。
そして、第２の電極２０と、第１の電極１９との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成することになる。
また、図４に、ドライバＩＣおよびＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクスの具体的な配線例を示す。すなわち、Ｙ方向に延在する複数の配線（データ線）２６と、Ｘ方向に延在する複数の第１の電極（走査線）１９とから構成されており、各交差部分において画素５０が構成されている。また、各画素５０において、液晶表示要素５１と、ＴＦＤ素子３１とが直列接続されている。
また、図２に示すように、第２のガラス基板２７は、第１のガラス基板１３の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部１４Ｔを有し、この基板張出部１４Ｔ上には、配線（データ線）２６、電気配線２６´、および、独立して形成された複数の配線パターンからなる入力端子部２１９が形成されていることが好ましい。
また、基板張出部１４Ｔ上には、これら配線２６、２６´および入力端子部２１９に対して導電接続されるように、駆動回路等を内蔵した半導体素子（ＩＣ）２６１が実装されていることが好ましい。
さらに、基板張出部１４Ｔの端部には、入力端子部２１９に導電接続されるように、フレキシブル配線基板１１０が実装されていることが好ましい。
また、基板張出部１４Ｔ上には、これら配線２６、２６´および入力端子部２１９に対して導電接続されるように、駆動回路等を内蔵した半導体素子（ＩＣ）２６１が実装されていることが好ましい。
さらに、基板張出部１４Ｔの端部には、入力端子部２１９に導電接続されるように、フレキシブル配線基板１１０が実装されていることが好ましい。
（３）位相差板および偏光板
図２に示される液晶パネル２００において、図３に示すように、第１のガラス基板１３の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）２５０および偏光板２５１が配置されていることが好ましい。
そして、第２のガラス基板２７の外面においても、位相差板（１／４波長板）２４０および偏光板２４１が配置されていることが好ましい。
図２に示される液晶パネル２００において、図３に示すように、第１のガラス基板１３の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）２５０および偏光板２５１が配置されていることが好ましい。
そして、第２のガラス基板２７の外面においても、位相差板（１／４波長板）２４０および偏光板２４１が配置されていることが好ましい。
２．カラーフィルタ基板（第１の基板）
（１）基本的構成
カラーフィルタ基板１２は、図３に示すように、基本的に、ガラス基板１３と、着色層１６と、第１の電極１９と、から構成してあることが好ましい。
また、カラーフィルタ基板１２において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、ガラス基板１３と、着色層１６との間に、図３に示すように、反射層（半透過反射板）２１２を設けることが好ましい。
さらに、カラーフィルタ基板１２において、図３に示すように、画素毎に着色層１６が形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層（表面保護層、オーバーコート層）２１５により、被覆してあることが好ましい。したがって、この着色層１６と平坦化層（表面保護層）２１５とによってカラーフィルタが形成されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層（図示せず。）を設けることも好ましい。
（１）基本的構成
カラーフィルタ基板１２は、図３に示すように、基本的に、ガラス基板１３と、着色層１６と、第１の電極１９と、から構成してあることが好ましい。
また、カラーフィルタ基板１２において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、ガラス基板１３と、着色層１６との間に、図３に示すように、反射層（半透過反射板）２１２を設けることが好ましい。
さらに、カラーフィルタ基板１２において、図３に示すように、画素毎に着色層１６が形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層（表面保護層、オーバーコート層）２１５により、被覆してあることが好ましい。したがって、この着色層１６と平坦化層（表面保護層）２１５とによってカラーフィルタが形成されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層（図示せず。）を設けることも好ましい。
（２）着色層
また、図３に示す着色層１６は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術（エッチング法）によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
また、図３に示す着色層１６は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術（エッチング法）によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
（３）第１の電極
図３に示すように、平坦化層２１５の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる第１の電極１９を形成することが好ましい。かかる第１の電極１９は、ストライプ状であって、それが複数個並列した構成であることが好ましい。また、アクティブマトリクス配線においては、かかる第１の電極１９が、走査線を構成することになる。
図３に示すように、平坦化層２１５の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる第１の電極１９を形成することが好ましい。かかる第１の電極１９は、ストライプ状であって、それが複数個並列した構成であることが好ましい。また、アクティブマトリクス配線においては、かかる第１の電極１９が、走査線を構成することになる。
また、図５（ａ）に例示されるように、第２の基板１４におけるＴＦＤ素子３１と、第１の基板における第１の電極１９とを、鉛直方向に透視した場合に、それぞれが重ならないように配置してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、第１の基板における第１の電極１９と、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１との間の距離を、所定値以上の値とすることができるためである。したがって、第１の基板と、第２の基板とを近接して対向配置した場合や、押圧されて近接した場合であっても、第１の基板における第１の電極１９と、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１との間でリーク電流が発生し、電圧が印加状態となることを防いで、画像欠陥の発生を有効に防止することができるためである。
なお、このように第１の基板における第１の電極１９を、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１の位置を考慮して、それに重ならないように配置することも好ましい。さらには、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１を、第１の基板における第１の電極（走査線）１９の位置を考慮して、それと重ならないように配置することも好ましい。
この理由は、このように構成することにより、第１の基板における第１の電極１９と、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１との間の距離を、所定値以上の値とすることができるためである。したがって、第１の基板と、第２の基板とを近接して対向配置した場合や、押圧されて近接した場合であっても、第１の基板における第１の電極１９と、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１との間でリーク電流が発生し、電圧が印加状態となることを防いで、画像欠陥の発生を有効に防止することができるためである。
なお、このように第１の基板における第１の電極１９を、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１の位置を考慮して、それに重ならないように配置することも好ましい。さらには、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１を、第１の基板における第１の電極（走査線）１９の位置を考慮して、それと重ならないように配置することも好ましい。
また、図６（ａ）〜（ｃ）に例示されるように、第１の基板における第１の電極１９には、電気光学物質（液晶分子）の配向規制手段としての第１のスリット４１が設けてあるとともに、当該第１のスリット４１の平面形状を実質的に円形とすることが好ましい。
この理由は、このような第１のスリットを形成することにより、液晶分子の配向方向を容易に制御して、視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。また、かかる第１のスリットの平面形状を実質的に円形とすることにより、全方位に対して視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。
ここで、第１のスリットを形成した場合の液晶分子の配向制御については、以下のようになされる。すなわち、液晶層において電圧非印加状態では、液晶分子は、例えば、垂直配向膜によって、垂直方向に配向する。一方、液晶層において電圧印加状態になると、図７に示すように、負の誘電異方性を有する液晶分子は、その長軸が電気力線Ｅに対して垂直になるように配向する。そして、第１のスリット４１の周辺における電気力線Ｅは、垂直方向対して傾くために、第１のスリット４１の周辺の液晶分子は、第１のスリット４１を中心に放射状に倒れるように配向することとなる。よって、あらゆる方向からの画像表示の視認に対しても、優れた画像表示を認識することができる。
この理由は、このような第１のスリットを形成することにより、液晶分子の配向方向を容易に制御して、視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。また、かかる第１のスリットの平面形状を実質的に円形とすることにより、全方位に対して視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。
ここで、第１のスリットを形成した場合の液晶分子の配向制御については、以下のようになされる。すなわち、液晶層において電圧非印加状態では、液晶分子は、例えば、垂直配向膜によって、垂直方向に配向する。一方、液晶層において電圧印加状態になると、図７に示すように、負の誘電異方性を有する液晶分子は、その長軸が電気力線Ｅに対して垂直になるように配向する。そして、第１のスリット４１の周辺における電気力線Ｅは、垂直方向対して傾くために、第１のスリット４１の周辺の液晶分子は、第１のスリット４１を中心に放射状に倒れるように配向することとなる。よって、あらゆる方向からの画像表示の視認に対しても、優れた画像表示を認識することができる。
また、第１の基板１２における第１の電極１９に設ける第１のスリット４１の数は特に制限されるものではく、図６（ａ）に示すように、画素領域それぞれに対して１個設けることも好ましく、図６（ｂ）〜（ｃ）に示すように、画素領域それぞれに対して複数個設けることも好ましい。
ただし、第２の電極（画素電極）の形状と相俟って、一つの画素領域においてバランスよく配向制御して、全方位に対して視角特性を向上させることができることから、図６（ｃ）に示すように、画素領域それぞれに対して３個設けることがより好ましい。
ただし、第２の電極（画素電極）の形状と相俟って、一つの画素領域においてバランスよく配向制御して、全方位に対して視角特性を向上させることができることから、図６（ｃ）に示すように、画素領域それぞれに対して３個設けることがより好ましい。
また、図８（ａ）〜（ｂ）に示されるように、第２の基板１４における配線２６の位置に対応させて、第１の基板１２における第１の電極（走査線）１９の周囲を絶縁処理することが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、第１の基板１２と、第２の基板１４とを近接して対向配置した場合であっても、対向する配線２６と、第１の電極１９との間での、リーク電流の発生を防いで、優れた電気絶縁性を示すことができるためである。したがって、電気光学装置を薄型化して構成した場合であっても、画像欠陥の発生を有効に防止することができる。
この理由は、このように構成することにより、第１の基板１２と、第２の基板１４とを近接して対向配置した場合であっても、対向する配線２６と、第１の電極１９との間での、リーク電流の発生を防いで、優れた電気絶縁性を示すことができるためである。したがって、電気光学装置を薄型化して構成した場合であっても、画像欠陥の発生を有効に防止することができる。
また、第１の基板１２における第１の電極１９の一部を絶縁処理して、絶縁処理部３３を設けるにあたり、絶縁抵抗（体積抵抗）を１×１０5〜１×１０12Ω・ｃｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる絶縁処理部３３における絶縁抵抗が１×１０5Ω・ｃｍ未満の値になると、第１の基板１２と、第２の基板１４とを近接して配置した場合に、配線２６と、第１の電極１９との間でリーク電流が発生し易くなる場合があるためである。一方、かかる絶縁抵抗が１×１０12Ω・ｃｍを超えると、絶縁処理部３３に使用可能な絶縁処理材の種類が過度に制限される場合があるためである。
また、第１の基板１２における第１の電極１９の一部を絶縁処理するにあたり、当該絶縁処理方法は特に制限されるものではないが、例えば、図８（ｂ）に示すように、絶縁性樹脂を塗布したり、あるいは、電気配線の端部に対して、絶縁性フィルム等の絶縁処理材を積層したりすることが好ましい。
なお、絶縁性樹脂を使用する場合、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。
また、絶縁処理材を使用する場合、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等からなる高絶縁性樹脂からなる絶縁性フィルムを使用することがより好ましい。
この理由は、かかる絶縁処理部３３における絶縁抵抗が１×１０5Ω・ｃｍ未満の値になると、第１の基板１２と、第２の基板１４とを近接して配置した場合に、配線２６と、第１の電極１９との間でリーク電流が発生し易くなる場合があるためである。一方、かかる絶縁抵抗が１×１０12Ω・ｃｍを超えると、絶縁処理部３３に使用可能な絶縁処理材の種類が過度に制限される場合があるためである。
また、第１の基板１２における第１の電極１９の一部を絶縁処理するにあたり、当該絶縁処理方法は特に制限されるものではないが、例えば、図８（ｂ）に示すように、絶縁性樹脂を塗布したり、あるいは、電気配線の端部に対して、絶縁性フィルム等の絶縁処理材を積層したりすることが好ましい。
なお、絶縁性樹脂を使用する場合、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。
また、絶縁処理材を使用する場合、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等からなる高絶縁性樹脂からなる絶縁性フィルムを使用することがより好ましい。
（４）反射層
また、図３に示すように、第１のガラス基板１３の表面には、反射層２１２が形成されていることが好ましい。この反射層２１２は、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成することが好ましい。また、反射層２１２には、画素毎に、反射面を有する反射部２１２ｒと、開口部２１２ａとが設けられていることが好ましい。
そして、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、図３に示すように、ガラス基板１３と、着色層１６との間に、反射膜（半透過反射板）２１２を設けることが好ましい。
また、図３に示すように、第１のガラス基板１３の表面には、反射層２１２が形成されていることが好ましい。この反射層２１２は、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成することが好ましい。また、反射層２１２には、画素毎に、反射面を有する反射部２１２ｒと、開口部２１２ａとが設けられていることが好ましい。
そして、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、図３に示すように、ガラス基板１３と、着色層１６との間に、反射膜（半透過反射板）２１２を設けることが好ましい。
（５）配向膜（第１の配向膜）
また、図３に示すように、第１の電極１９の上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜２１７が形成されていることが好ましい。
この理由は、このように配向膜２１７を設けることにより、カラーフィルタ基板１２を液晶表示装置等に使用した場合に、電気光学物質（液晶分子）の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができるためである。
なお、電気光学物質に対して斜め電界領域を発生させるなど、配向制御を行う場合、特定の電気光学物質（液晶分子）を使用するのみならず、図７に示すような、垂直配向膜２１７、２２４等の特定の配向膜材料を通常使用することから、配向膜におけるラビング処理を不要とすることができる。したがって、ラビング処理の際の配向膜における劣化を容易に防止することができる。
また、図３に示すように、第１の電極１９の上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜２１７が形成されていることが好ましい。
この理由は、このように配向膜２１７を設けることにより、カラーフィルタ基板１２を液晶表示装置等に使用した場合に、電気光学物質（液晶分子）の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができるためである。
なお、電気光学物質に対して斜め電界領域を発生させるなど、配向制御を行う場合、特定の電気光学物質（液晶分子）を使用するのみならず、図７に示すような、垂直配向膜２１７、２２４等の特定の配向膜材料を通常使用することから、配向膜におけるラビング処理を不要とすることができる。したがって、ラビング処理の際の配向膜における劣化を容易に防止することができる。
また、図９（ａ）に示すように、第１の配向膜２１７には、配向規制手段としての凸部２１７ａが形成されていることが好ましい。この理由は、このような凸部を形成することにより、液晶分子の配向方向を制御して、視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。
ここで、配向膜の一部に凸部を形成した場合の液晶分子の配向制御については、以下のようになる。すなわち、例えば、第１の基板の配向膜には凸部を形成し、第２の基板の画素電極には、後述する第２のスリットを形成した場合に、図１０（ａ）に示すように、電圧を印加しない状態では、液晶分子２３２は第１の基板１２および第２の基板１４に対して垂直に配向する。ここで、中間の電圧を印加すると、図１０（ｂ）に示すように、画素電極２０における第２のスリット４５で、第２の基板１４に対して斜めの電界が発生する。また、配向膜２１７における凸部２１７ａの近傍の液晶分子２３２は、電圧無印加の状態からわずかに傾斜する。この凸部２１７ａの傾斜面と、斜め電界との影響で液晶分子２３２の傾斜方向が決定され、凸部２１７ａと、第２のスリット４５との真ん中で、液晶分子２３２の配向方向が分割される。この時、例えば真下から真上に透過する光Ａは、液晶分子２３２が多少傾斜しているため、若干の複屈折の影響を受け、透過が抑えられ、グレイの中間調表示が得られる。また、右下から左上に透過する光Ｂは、液晶分子２３２が左方向に傾斜した領域では透過しにくく、右方向に傾斜した領域では透過しやすく、平均するとグレイの中間調表示が得られる。一方、左下から右上に透過する光Ｃも、同様の原理でグレイ表示となり、全方位で均一な表示が得られる。さらに、図１０（ｃ）に示すように、所定の電圧を印加すると液晶分子２３２はほぼ水平になり、白表示が得られる。したがって、黒、中間調、白の表示状態のすべての状態において、視角特性に優れた表示が得られる。
ここで、配向膜の一部に凸部を形成した場合の液晶分子の配向制御については、以下のようになる。すなわち、例えば、第１の基板の配向膜には凸部を形成し、第２の基板の画素電極には、後述する第２のスリットを形成した場合に、図１０（ａ）に示すように、電圧を印加しない状態では、液晶分子２３２は第１の基板１２および第２の基板１４に対して垂直に配向する。ここで、中間の電圧を印加すると、図１０（ｂ）に示すように、画素電極２０における第２のスリット４５で、第２の基板１４に対して斜めの電界が発生する。また、配向膜２１７における凸部２１７ａの近傍の液晶分子２３２は、電圧無印加の状態からわずかに傾斜する。この凸部２１７ａの傾斜面と、斜め電界との影響で液晶分子２３２の傾斜方向が決定され、凸部２１７ａと、第２のスリット４５との真ん中で、液晶分子２３２の配向方向が分割される。この時、例えば真下から真上に透過する光Ａは、液晶分子２３２が多少傾斜しているため、若干の複屈折の影響を受け、透過が抑えられ、グレイの中間調表示が得られる。また、右下から左上に透過する光Ｂは、液晶分子２３２が左方向に傾斜した領域では透過しにくく、右方向に傾斜した領域では透過しやすく、平均するとグレイの中間調表示が得られる。一方、左下から右上に透過する光Ｃも、同様の原理でグレイ表示となり、全方位で均一な表示が得られる。さらに、図１０（ｃ）に示すように、所定の電圧を印加すると液晶分子２３２はほぼ水平になり、白表示が得られる。したがって、黒、中間調、白の表示状態のすべての状態において、視角特性に優れた表示が得られる。
一方、図９（ｂ）に示すように、配向膜２１７には、凸部と同様、液晶分子２３２の配向方向を制御して、視角特性を向上させることができることから、配向規制手段としての凹部２１７ｂが形成されていることも好ましい。
なお、この場合の液晶分子の配向制御の仕組みについては、上述の凸部を形成した場合と同様であるために、説明は省略する。
なお、この場合の液晶分子の配向制御の仕組みについては、上述の凸部を形成した場合と同様であるために、説明は省略する。
３．対向基板（第２の基板）
（１）基本構造
また、図１および図３に示すように、カラーフィルタ基板１２と対向するもう一方の対向基板（第２の基板）１４は、ガラス等からなる第２のガラス基板２７上に、配線２６と、ＴＦＤ素子３１と、第２の電極２０と、を順次積層させたものである。
なお、第１実施形態の電気光学装置の例では、着色層１６が、第１のガラス基板１３に設けてあるが、着色層１６を、対向基板１４の第２のガラス基板２７上に設けることも好ましい。
（１）基本構造
また、図１および図３に示すように、カラーフィルタ基板１２と対向するもう一方の対向基板（第２の基板）１４は、ガラス等からなる第２のガラス基板２７上に、配線２６と、ＴＦＤ素子３１と、第２の電極２０と、を順次積層させたものである。
なお、第１実施形態の電気光学装置の例では、着色層１６が、第１のガラス基板１３に設けてあるが、着色層１６を、対向基板１４の第２のガラス基板２７上に設けることも好ましい。
（２）配線（電気配線）
また、第２の基板には、図１（ａ）〜（ｂ）に示すように、配線２６を設けることが好ましい。かかる配線２６は、図２に示すようにストライプ状であって、複数個が並列した構成であることが好ましい。なお、アクティブマトリクス型構造においては、かかる配線２６が、データ線としての機能を果たすことになる。
ここで、第２の基板１４の配線２６の線幅をＷ（μｍ）とし、当該配線２６と、第２のスリット４５が形成してある第２の電極２０との間の距離をＳ（μｍ）としたときに、Ｓ／Ｗ＞１の関係を満足することを特徴としている。すなわち、第２の基板の配線の線幅（Ｗ）が過度に大きかったり、当該配線と、第２の電極との距離（Ｓ）が過度に短かったりすると、配線の電圧の影響が生じるためである。すなわち、配線に所定電圧が印加されると、第１の電極との間で印加状態となって液晶分子の配向性に影響を与え、白色表示となったり、視角特性を低下させたりするためである。
したがって、Ｓ／Ｗで表される値を１．１以上とすることがより好ましく、１．３以上とすることがさらに好ましい。
また、第２の基板には、図１（ａ）〜（ｂ）に示すように、配線２６を設けることが好ましい。かかる配線２６は、図２に示すようにストライプ状であって、複数個が並列した構成であることが好ましい。なお、アクティブマトリクス型構造においては、かかる配線２６が、データ線としての機能を果たすことになる。
ここで、第２の基板１４の配線２６の線幅をＷ（μｍ）とし、当該配線２６と、第２のスリット４５が形成してある第２の電極２０との間の距離をＳ（μｍ）としたときに、Ｓ／Ｗ＞１の関係を満足することを特徴としている。すなわち、第２の基板の配線の線幅（Ｗ）が過度に大きかったり、当該配線と、第２の電極との距離（Ｓ）が過度に短かったりすると、配線の電圧の影響が生じるためである。すなわち、配線に所定電圧が印加されると、第１の電極との間で印加状態となって液晶分子の配向性に影響を与え、白色表示となったり、視角特性を低下させたりするためである。
したがって、Ｓ／Ｗで表される値を１．１以上とすることがより好ましく、１．３以上とすることがさらに好ましい。
また、第２の基板における配線の線幅（Ｗ）を０．１〜０．７μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる配線の線幅（Ｗ）が０．１μｍ未満の値になると、断線しやすくなったり、精度良く形成することが困難になったりする場合があるためである。一方、かかる配線の線幅（Ｗ）が０．７μｍを超えると、画素電極としての第２の電極２０との間の電気絶縁性が著しく低下したり、液晶分子の配向不良が生じたりする場合があるためである。
したがって、第２の基板における配線の線幅（Ｗ）を０．２〜０．６μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
この理由は、かかる配線の線幅（Ｗ）が０．１μｍ未満の値になると、断線しやすくなったり、精度良く形成することが困難になったりする場合があるためである。一方、かかる配線の線幅（Ｗ）が０．７μｍを超えると、画素電極としての第２の電極２０との間の電気絶縁性が著しく低下したり、液晶分子の配向不良が生じたりする場合があるためである。
したがって、第２の基板における配線の線幅（Ｗ）を０．２〜０．６μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
（３）スイッチング素子
スイッチング素子は、二端子型非線形素子であることが好ましい。この二端子型非線形素子としては、図１１（ａ）〜（ｂ）に例示するように、ＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂが典型的である。
かかるＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂは、素子第１電極（第１金属膜）２４、絶縁膜２３、および素子第２電極（第２金属膜）２２、２５からなるサンドイッチ構成を有することが好ましい。ここで、第１金属膜２４や第２金属膜２２、２５としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）や、クロム（Ｃｒ）等が挙げられる。また、絶縁膜２３としては、このような金属材料を陽極酸化させて構成してあることが好ましい。例えば、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等が具体的に挙げられる。
そして、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、第１金属膜２４および第２金属膜２５の両端子間に印加されると導通状態となるアクティブ素子である。
なお、ＴＦＤ素子以外にも、図１２にその配線例を示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子のような非線形素子を使用することもできる。
スイッチング素子は、二端子型非線形素子であることが好ましい。この二端子型非線形素子としては、図１１（ａ）〜（ｂ）に例示するように、ＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂが典型的である。
かかるＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂは、素子第１電極（第１金属膜）２４、絶縁膜２３、および素子第２電極（第２金属膜）２２、２５からなるサンドイッチ構成を有することが好ましい。ここで、第１金属膜２４や第２金属膜２２、２５としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）や、クロム（Ｃｒ）等が挙げられる。また、絶縁膜２３としては、このような金属材料を陽極酸化させて構成してあることが好ましい。例えば、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等が具体的に挙げられる。
そして、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、第１金属膜２４および第２金属膜２５の両端子間に印加されると導通状態となるアクティブ素子である。
なお、ＴＦＤ素子以外にも、図１２にその配線例を示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子のような非線形素子を使用することもできる。
また、二端子型非線形素子の構成に関して、図１１（ａ）に示すように、二個のＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂを用いた場合、第１の電極（走査線）１９または配線（データ線）２６と、画素電極２０との間に介在するように、第２のガラス基板２７上に形成するとともに、反対のダイオード特性を有する第１のＴＦＤ素子３１ｂおよび第２のＴＦＤ素子３１ａから構成してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、印加する電圧波形として、交流を使用することができ、液晶表示装置等における液晶分子の劣化を防止することができるためである。すなわち、液晶分子の劣化を防止するために、ダイオードスイッチング特性が、正負方向において対称的であることが望まれ、図１１（ａ）に例示するように、二個のＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂを逆向きに直列接続することにより、交流を使用することができるためである。
また、第１のＴＦＤ素子３１ｂは、図１１（ｂ）に示すように、配線から分岐した部分に相当する第２金属膜２５と、絶縁膜２３と、第１金属膜２４と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。一方、第２のＴＦＤ素子３１ａは、同様に、画素電極２０に電気接続された第２金属膜２２と、絶縁膜２３と、第１金属膜２４と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。
さらに、第１のＴＦＤ素子３１ｂおよび第２のＴＦＤ素子３１ａにおいて、それぞれ別個の第２金属膜２２、２５が設けてあるが、絶縁膜２３および第１金属膜２４は、それぞれ共通していることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、印加する電圧波形として、交流を使用することができ、液晶表示装置等における液晶分子の劣化を防止することができるためである。すなわち、液晶分子の劣化を防止するために、ダイオードスイッチング特性が、正負方向において対称的であることが望まれ、図１１（ａ）に例示するように、二個のＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂを逆向きに直列接続することにより、交流を使用することができるためである。
また、第１のＴＦＤ素子３１ｂは、図１１（ｂ）に示すように、配線から分岐した部分に相当する第２金属膜２５と、絶縁膜２３と、第１金属膜２４と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。一方、第２のＴＦＤ素子３１ａは、同様に、画素電極２０に電気接続された第２金属膜２２と、絶縁膜２３と、第１金属膜２４と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。
さらに、第１のＴＦＤ素子３１ｂおよび第２のＴＦＤ素子３１ａにおいて、それぞれ別個の第２金属膜２２、２５が設けてあるが、絶縁膜２３および第１金属膜２４は、それぞれ共通していることが好ましい。
また、ＴＦＤ素子の配置に関して、第２の基板の配線の線幅をＷ（μｍ）とし、ＴＦＤ素子と、第２の電極と、の間の距離をＬ（μｍ）としたときに、Ｌ／Ｗ＞１の関係を満足することが好ましい。
この理由は、第２の基板の配線の線幅（Ｗ）を基準として、ＴＦＤ素子と、第２の電極との距離（Ｗ）が過度に短いと、ＴＦＤ素子の電圧の影響が生じるためである。すなわち、第１の電極との間で印加状態となって液晶分子の配向性に影響を与え、白色表示となったり、視角特性を低下させたりするためである。
したがって、Ｌ／Ｗで表される値を１．１以上とすることがより好ましく、１．３以上とすることがさらに好ましい。
なお、第２の基板のＴＦＤ素子と、第２の電極との間の距離（Ｌ）は、ＴＦＤ素子から第２の電極へ直線を引いたと想定した場合における、当該直線の最短距離を意味している。また、この場合のＴＦＤ素子とは、第１金属膜と、第２金属膜との、交差領域を意味している。
この理由は、第２の基板の配線の線幅（Ｗ）を基準として、ＴＦＤ素子と、第２の電極との距離（Ｗ）が過度に短いと、ＴＦＤ素子の電圧の影響が生じるためである。すなわち、第１の電極との間で印加状態となって液晶分子の配向性に影響を与え、白色表示となったり、視角特性を低下させたりするためである。
したがって、Ｌ／Ｗで表される値を１．１以上とすることがより好ましく、１．３以上とすることがさらに好ましい。
なお、第２の基板のＴＦＤ素子と、第２の電極との間の距離（Ｌ）は、ＴＦＤ素子から第２の電極へ直線を引いたと想定した場合における、当該直線の最短距離を意味している。また、この場合のＴＦＤ素子とは、第１金属膜と、第２金属膜との、交差領域を意味している。
（４）第２の電極
また、図１等に示すように、第２の基板１４上には、画素電極として、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる第２の電極２０を形成することが好ましい。
また、図６（ａ）〜（ｃ）に例示されるように、第２の電極２０の内部や端部に、第２のスリット４５を設けることが好ましい。
この理由は、このように第２のスリット４５を設けることにより、第１の基板における第１の電極１９に形成された第１のスリット４１と相俟って、液晶分子の配向方向を制御して、視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。
なお、第２の電極２０の端部に、第２のスリット４５を設けることにより、電気光学物質に対して配向制御を容易かつ精度良く行うことができることから、より好ましい態様である。
また、図１等に示すように、第２の基板１４上には、画素電極として、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる第２の電極２０を形成することが好ましい。
また、図６（ａ）〜（ｃ）に例示されるように、第２の電極２０の内部や端部に、第２のスリット４５を設けることが好ましい。
この理由は、このように第２のスリット４５を設けることにより、第１の基板における第１の電極１９に形成された第１のスリット４１と相俟って、液晶分子の配向方向を制御して、視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。
なお、第２の電極２０の端部に、第２のスリット４５を設けることにより、電気光学物質に対して配向制御を容易かつ精度良く行うことができることから、より好ましい態様である。
また、第２の電極（画素電極）２０を形成するにあたり、第２のスリット４５との関係において、図６（ｃ）に示すように、複数円が部分的に重なった形状とすることが好ましい。すなわち、電気光学装置を垂直方向に透視した場合に、第１の基板における第１の電極１９に設けられた第１のスリット４１を中心とした複数円が、部分的に重なった形状とすることが好ましい。
この理由は、第２の電極をこのような形状とすることにより、全方位に対して視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。したがって、あらゆる方向からの視認に対して、優れた画像表示を認識することができる。
この理由は、第２の電極をこのような形状とすることにより、全方位に対して視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。したがって、あらゆる方向からの視認に対して、優れた画像表示を認識することができる。
第２の電極（画素電極）に関して、第２の基板の配線（データ線）から、第２の電極までの距離（Ｓ）と、第２の基板の配線の線幅（Ｗ）と、の関係を所定範囲に制限することにより、電気光学物質に対して配向制御を行う場合に、第２の基板の配線の電位に起因した配向不良を有効に防止することができる。
すなわち、第２の基板の配線の線幅をＷ（μｍ）とし、当該配線と、第２の電極と、の間の距離をＳ（μｍ）としたときに、Ｓ／Ｗ＞１の関係を満足するように配線および第２の電極を形成することを特徴とする。
この理由は、このような関係を満足することにより、第２の基板の配線に所定電圧が印加されていたとしても、画素電極である第２の電極上の液晶分子の配向性に対して、悪影響を及ぼすことが少なくなるためである。したがって、配向不良を効果的に防止し、コントラストに優れた電気光学装置を提供することができる。
すなわち、第２の基板の配線の線幅をＷ（μｍ）とし、当該配線と、第２の電極と、の間の距離をＳ（μｍ）としたときに、Ｓ／Ｗ＞１の関係を満足するように配線および第２の電極を形成することを特徴とする。
この理由は、このような関係を満足することにより、第２の基板の配線に所定電圧が印加されていたとしても、画素電極である第２の電極上の液晶分子の配向性に対して、悪影響を及ぼすことが少なくなるためである。したがって、配向不良を効果的に防止し、コントラストに優れた電気光学装置を提供することができる。
また、第２の基板における配線（データ線）と、第２の電極（画素電極）と、の間の距離（Ｓ）を２．５〜７μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このような範囲内の値であれば、配向不良を確実に防止できるとともに、配線の引き回しや、製造自体についても容易に実施することができるためである。すなわち、かかる距離（Ｓ）が２．５μｍ未満の値になると、配線に印加されている電圧が、画素電極である第２の電極上の液晶分子の配向性に悪影響を及ぼし、配向不良を生じる場合があるためである。一方、かかる距離（Ｓ）が７μｍを超えると、液晶分子の配向性に悪影響を及ぼすことは少なくなるものの、画素電極の面積が相対的に減少して、画像情報を認識することが困難になる場合があるためである。
したがって、第２の基板における配線（データ線）と、第２の電極（画素電極）と、の間の距離（Ｓ）を３〜６μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、３．５〜５μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、このような範囲内の値であれば、配向不良を確実に防止できるとともに、配線の引き回しや、製造自体についても容易に実施することができるためである。すなわち、かかる距離（Ｓ）が２．５μｍ未満の値になると、配線に印加されている電圧が、画素電極である第２の電極上の液晶分子の配向性に悪影響を及ぼし、配向不良を生じる場合があるためである。一方、かかる距離（Ｓ）が７μｍを超えると、液晶分子の配向性に悪影響を及ぼすことは少なくなるものの、画素電極の面積が相対的に減少して、画像情報を認識することが困難になる場合があるためである。
したがって、第２の基板における配線（データ線）と、第２の電極（画素電極）と、の間の距離（Ｓ）を３〜６μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、３．５〜５μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
（５）配向膜（第２の配向膜）
また、図３に示すように、画素電極２０上には、第１の基板１２における第１の配向膜と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜２２４が形成されていることが好ましい。
そして、第２の配向膜においても、第１の配向膜と同様に、配向規制手段としての凸部あるいは凹部を設けることが好ましい。
また、図３に示すように、画素電極２０上には、第１の基板１２における第１の配向膜と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜２２４が形成されていることが好ましい。
そして、第２の配向膜においても、第１の配向膜と同様に、配向規制手段としての凸部あるいは凹部を設けることが好ましい。
４．ノーマリーブラックモード
第１実施形態の電気光学装置は、電圧非印加状態で黒表示を示す、いわゆるノーマリーブラックモードの電気光学装置（液晶表示装置）であることが好ましい。すなわち、このような電気光学装置であれば、画素領域以外の領域を容易に光不透過状態とすることができるためである。また、それぞれの画素面積を拡大させた場合であっても、隣接する画素間での混色を容易に防止することができるためである。したがって、第２の基板における配線に沿った位置等の、リーク電流が発生する恐れのある箇所以外において、遮光層を形成することなく、明るく、コントラストに優れた画像表示を得ることができるためである。
第１実施形態の電気光学装置は、電圧非印加状態で黒表示を示す、いわゆるノーマリーブラックモードの電気光学装置（液晶表示装置）であることが好ましい。すなわち、このような電気光学装置であれば、画素領域以外の領域を容易に光不透過状態とすることができるためである。また、それぞれの画素面積を拡大させた場合であっても、隣接する画素間での混色を容易に防止することができるためである。したがって、第２の基板における配線に沿った位置等の、リーク電流が発生する恐れのある箇所以外において、遮光層を形成することなく、明るく、コントラストに優れた画像表示を得ることができるためである。
５．製造方法
第１実施形態の電気光学装置の製造方法の一例を、図１３〜図１６を適宜参照しながら説明する。
第１実施形態の電気光学装置の製造方法の一例を、図１３〜図１６を適宜参照しながら説明する。
（１）第１の基板の製造
（１）−１ カラーフィルタの形成
図１３（ａ）に示すように、第１基板上には、画像表示領域に相当する箇所に、反射層２１２、および黒色遮光層（ブラックマトリクス）１８を順次形成することが好ましい。
ここで、開口部２１２ａを備えた反射層２１２は、蒸着法やスパッタリング法にて金属材料等を基板上に被着させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成される。また、黒色遮光層（ブラックマトリクス）１８は、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成する。
また、着色層１６についても、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、反射層２１２等の上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによっても形成することができる。
なお、複数の色の着色層１６を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
（１）−１ カラーフィルタの形成
図１３（ａ）に示すように、第１基板上には、画像表示領域に相当する箇所に、反射層２１２、および黒色遮光層（ブラックマトリクス）１８を順次形成することが好ましい。
ここで、開口部２１２ａを備えた反射層２１２は、蒸着法やスパッタリング法にて金属材料等を基板上に被着させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成される。また、黒色遮光層（ブラックマトリクス）１８は、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成する。
また、着色層１６についても、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、反射層２１２等の上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによっても形成することができる。
なお、複数の色の着色層１６を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
（１）−２ 透光保護層の形成
次いで、図１３（ｂ）に示すように、第１基板１２上に全面的に透光保護層２１５Ｘを形成する。この透光保護層２１５Ｘは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
次いで、上記透光保護層２１５Ｘに、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１３（ｃ）に示すように、画像表示領域に限定された平坦化層２１５を形成する。この工程によって、透光保護層２１５Ｘから画像表示領域以外の領域、すなわち、図３に示すシール材２３０の外側に配置される領域とほぼ同じ領域上から透光性素材が欠落される。
次いで、図１３（ｂ）に示すように、第１基板１２上に全面的に透光保護層２１５Ｘを形成する。この透光保護層２１５Ｘは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
次いで、上記透光保護層２１５Ｘに、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１３（ｃ）に示すように、画像表示領域に限定された平坦化層２１５を形成する。この工程によって、透光保護層２１５Ｘから画像表示領域以外の領域、すなわち、図３に示すシール材２３０の外側に配置される領域とほぼ同じ領域上から透光性素材が欠落される。
（１）−３ 第１の電極の形成
次いで、図１３（ｄ）に示すように、平坦化層２１５上に、全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層１９Ｘを形成することが好ましい。この透明導電層１９Ｘは、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。
そして、透明導電層１９Ｘに対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１３（ｅ）に示すように第１の電極１９、を形成することが好ましい。このとき、第１の電極１９には、それぞれの画素領域に対応させて、１個または複数個の第１のスリットを形成することが好ましい。
以下、透明導電層１９Ｘの形成に関して、配置工程、および絶縁処理工程に分けてそれぞれ説明する。
次いで、図１３（ｄ）に示すように、平坦化層２１５上に、全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層１９Ｘを形成することが好ましい。この透明導電層１９Ｘは、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。
そして、透明導電層１９Ｘに対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１３（ｅ）に示すように第１の電極１９、を形成することが好ましい。このとき、第１の電極１９には、それぞれの画素領域に対応させて、１個または複数個の第１のスリットを形成することが好ましい。
以下、透明導電層１９Ｘの形成に関して、配置工程、および絶縁処理工程に分けてそれぞれ説明する。
（１）−４ 第１の電極の配置工程
第１の基板における第１の電極を形成するにあたり、第１の基板上に、着色層と、遮光層としてのブラックマトリクスと、第１の電極と、を順次に形成するとともに、第２の基板における素子第１電極の位置を考慮して、それと重ならないように、第１の電極をずらしたり、平行移動させたりすることが好ましい。
すなわち、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、第１の電極と、第２の基板における素子第１電極の端部との間の距離が比較的離れていることから、薄型化が容易な電気光学装置を効率的に製造することができる。
ただし、後述するように、第１の基板における第１の電極については、通常どおり形成し、第２の基板における素子第１電極の形成位置を考慮して、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、第１の当面電極と、第２の基板における素子第１電極のいずれかの端部とが重ならないように配置することがより好ましい。
第１の基板における第１の電極を形成するにあたり、第１の基板上に、着色層と、遮光層としてのブラックマトリクスと、第１の電極と、を順次に形成するとともに、第２の基板における素子第１電極の位置を考慮して、それと重ならないように、第１の電極をずらしたり、平行移動させたりすることが好ましい。
すなわち、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、第１の電極と、第２の基板における素子第１電極の端部との間の距離が比較的離れていることから、薄型化が容易な電気光学装置を効率的に製造することができる。
ただし、後述するように、第１の基板における第１の電極については、通常どおり形成し、第２の基板における素子第１電極の形成位置を考慮して、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、第１の当面電極と、第２の基板における素子第１電極のいずれかの端部とが重ならないように配置することがより好ましい。
（１）−５ 第１の電極の絶縁処理工程
第１の基板における第１の電極の絶縁処理工程を設けて、対向する第２の基板における素子第１電極の端部と、第１の基板における第１の電極と、の間の絶縁抵抗を所定値以上の値にすることが好ましい。
すなわち、第１の基板における第１の電極を形成した後に、第２の基板における素子第１電極のいずれかの端部位置に対応させて、絶縁処理を施すことが好ましい。
なお、このように実施することにより、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、優れた絶縁特性が得られるとともに、薄型化が容易な電気光学装置を効率的に製造することができる。
第１の基板における第１の電極の絶縁処理工程を設けて、対向する第２の基板における素子第１電極の端部と、第１の基板における第１の電極と、の間の絶縁抵抗を所定値以上の値にすることが好ましい。
すなわち、第１の基板における第１の電極を形成した後に、第２の基板における素子第１電極のいずれかの端部位置に対応させて、絶縁処理を施すことが好ましい。
なお、このように実施することにより、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、優れた絶縁特性が得られるとともに、薄型化が容易な電気光学装置を効率的に製造することができる。
（２）第２の基板の製造
（２）−１ 素子第１電極の形成
図１４（ａ）〜図１５（ｂ）に示すように、第２の基板のガラス基板２７上に、金属膜２４を形成する工程である。この金属膜２４は、例えば、タンタルから構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。また、この金属膜２４の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、１００〜５００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
また、図示しないが、金属膜２４の形成前に、第２の基板１４のガラス基板２７上に、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁膜を形成することも好ましい。この理由は、第２の基板１４のガラス基板２７と、金属膜２４との間に、このように絶縁膜を形成することにより、ガラス基板２７に対する金属膜２４の密着力を著しく向上させることができるとともに、ガラス基板２７から金属膜２４への不純物の拡散を効率的に抑制することができるためである。
（２）−１ 素子第１電極の形成
図１４（ａ）〜図１５（ｂ）に示すように、第２の基板のガラス基板２７上に、金属膜２４を形成する工程である。この金属膜２４は、例えば、タンタルから構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。また、この金属膜２４の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、１００〜５００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
また、図示しないが、金属膜２４の形成前に、第２の基板１４のガラス基板２７上に、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁膜を形成することも好ましい。この理由は、第２の基板１４のガラス基板２７と、金属膜２４との間に、このように絶縁膜を形成することにより、ガラス基板２７に対する金属膜２４の密着力を著しく向上させることができるとともに、ガラス基板２７から金属膜２４への不純物の拡散を効率的に抑制することができるためである。
次いで、図１５（ｃ）に示すように、第１の金属膜２４の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、酸化膜２３を形成することが好ましい。より具体的には、第１の金属膜２４が形成されたガラス基板２７を、クエン酸溶液等の電解液中に浸漬した後、かかる電解液と、第１の金属膜２４との間に所定電圧を印加して、第１の金属膜２４の表面を酸化させることが好ましい。
なお、酸化膜２３の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、１０〜５０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
なお、酸化膜２３の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、１０〜５０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
次いで、図１６（ａ）に示すように、酸化膜２３が形成された第１の金属膜２４を、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングして、その一部を素子第１電極２４とすることが好ましい。
なお、素子第１電極２４を形成するにあたり、第２の基板における素子第１電極のいずれかの端部と、第１の基板における第１の電極とを鉛直方向に透視した場合に、それぞれが重ならないように配置することが好ましい。すなわち、第１の基板における第１の電極については、通常どおり形成し、第２の基板における素子第１電極の形成位置を考慮することが好ましい。
この理由は、既に上述したように、図１に例示する第１の基板１２における第１の電極１９と、第２の基板１４における素子第１電極２４の端部との間の距離を比較的離すことができるためである。したがって、それぞれ近接して対向配置した場合であっても、第１の基板１２と、第２の基板１４に形成された対向する電極間で、リーク電流の発生を防いで、優れた電気絶縁性を示すことができる。
なお、素子第１電極２４を形成するにあたり、第２の基板における素子第１電極のいずれかの端部と、第１の基板における第１の電極とを鉛直方向に透視した場合に、それぞれが重ならないように配置することが好ましい。すなわち、第１の基板における第１の電極については、通常どおり形成し、第２の基板における素子第１電極の形成位置を考慮することが好ましい。
この理由は、既に上述したように、図１に例示する第１の基板１２における第１の電極１９と、第２の基板１４における素子第１電極２４の端部との間の距離を比較的離すことができるためである。したがって、それぞれ近接して対向配置した場合であっても、第１の基板１２と、第２の基板１４に形成された対向する電極間で、リーク電流の発生を防いで、優れた電気絶縁性を示すことができる。
（２）−２ 素子第２電極の形成
次いで、図示しないが、再び、スパッタリング法等により、素子第１電極としての第１金属膜２４上に、全面的に金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ技術を用いて、パターニングすることにより、図１６（ｂ）に示すように、素子第２電極としての第２金属膜２２、２５を形成することが好ましい。
次いで、図示しないが、再び、スパッタリング法等により、素子第１電極としての第１金属膜２４上に、全面的に金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ技術を用いて、パターニングすることにより、図１６（ｂ）に示すように、素子第２電極としての第２金属膜２２、２５を形成することが好ましい。
（２）−３ 第２の電極の形成
次いで、図示しないが、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより、図１６（ｃ）に示すように、第２の電極（画素電極）２０を形成することが好ましい。また、このとき同時に、第２の電極の端部には、図１６（ｃ）に示すように、電気光学物質の配向制御をするための第２のスリットを形成することが好ましい。このような第２のスリットを形成することにより、視角特性に優れた画像表示が得られる電気光学装置を効率的に製造することができる。
次いで、図示しないが、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより、図１６（ｃ）に示すように、第２の電極（画素電極）２０を形成することが好ましい。また、このとき同時に、第２の電極の端部には、図１６（ｃ）に示すように、電気光学物質の配向制御をするための第２のスリットを形成することが好ましい。このような第２のスリットを形成することにより、視角特性に優れた画像表示が得られる電気光学装置を効率的に製造することができる。
［第２実施形態］
本発明に係る第２実施形態として、第１実施形態の電気光学装置を備えた電気機器について具体的に説明する。
本発明に係る第２実施形態として、第１実施形態の電気光学装置を備えた電気機器について具体的に説明する。
図１７は、本実施形態の電気機器の全体構成を示す概略構成図である。この電気機器は、液晶パネル２００と、これを制御するための制御手段１２００とを有している。また、図１７中では、液晶パネル２００を、パネル構造体２００Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２００Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。
また、表示情報処理回路１２２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２００Ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２００Ｂは、走査線駆動回路、データ線駆動回路および検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路１２３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電気機器であれば、第２の基板における配線と、第２の電極との距離を所定範囲に制限していることから、適確に配向制御を行うことができ、コントラストが高く、視角特性に優れた画面表示とすることができる。
そして、本実施形態の電気機器であれば、第２の基板における配線と、第２の電極との距離を所定範囲に制限していることから、適確に配向制御を行うことができ、コントラストが高く、視角特性に優れた画面表示とすることができる。
本発明によれば、適確に配向制御を行うことができ、コントラストが高く、視角特性に優れた画像表示を実現できるために、電気光学物質として液晶分子を用いた電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）などが挙げられる。
さらに、本発明の電気光学装置および電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各実施形態に示す液晶パネルは単純マトリクス型の構造を備えているが、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の電気光学装置にも適用することができる。
また、上記実施形態の液晶パネルは所謂ＣＯＧタイプの構造を有しているが、半導体素子（ＩＣチップ）を直接実装する構造ではない液晶パネル、例えば液晶パネルにフレキシブル配線基板やＴＡＢ基板を接続するように構成されたものであっても構わない。
また、上記実施形態の液晶パネルは所謂ＣＯＧタイプの構造を有しているが、半導体素子（ＩＣチップ）を直接実装する構造ではない液晶パネル、例えば液晶パネルにフレキシブル配線基板やＴＡＢ基板を接続するように構成されたものであっても構わない。
１０：電気光学装置、１２：第１の基板、１３：第１のガラス基板、１４：第２の基板、１６：着色層、１８：ブラックマトリクス、１９：第１の電極（走査線）、２０：第２の電極（画素電極）、２２・２５：素子第２電極（第２の金属膜）、２３：絶縁膜、２４：素子第１電極（第１の金属膜）、２６：配線（データ線）、２７：第２のガラス基板、３１ａ：第１のＴＦＤ素子、３１ｂ：第２のＴＦＤ素子、３３：絶縁処理部、４１：第１のスリット、４５：第２のスリット、２００：液晶パネル、２１２：反射層、２１２ａ：開口部、２１２ｒ：反射部、２１５：保護膜（平坦化層）、２１７：第１の配向膜、２１７ａ：凸部、２１７ｂ：凹部、２２４：第２の配向膜
Claims (9)
- 一対の第１の基板と、第２の基板との間に、電気光学物質を封入してなる電気光学装置であって、
前記電気光学物質は、前記第１の基板および第２の基板に対して実質的に垂直に配向しており、
前記第１の基板は、第１の電極を備え、
前記第２の基板は、第２の電極を備えるとともに、当該第２の電極に対応して設けられたスイッチング素子と、当該スイッチング素子を介して、前記第２の電極に信号を供給するための配線とを備え、
前記配線の線幅をＷ（μｍ）とし、当該配線と、前記第２の電極との間の距離をＳ（μｍ）としたときに、Ｓ／Ｗ＞１の関係を満足することを特徴とするOLE_LINK1電気光学装置。OLE_LINK1 - 前記距離（Ｓ）を２．５〜７μｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
- 前記配線の線幅（Ｗ）を０．１〜０．７μｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
- 前記スイッチング素子は、二端子型非線形素子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の基板は、画素領域において前記電気光学物質の配向を規制するための配向規制手段を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記配向規制手段は、前記第１の電極および第２の電極の少なくとも一方の電極に設けられたスリットを含むことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
- 前記第１の基板は第１の配向膜を有し、前記第２の基板は第２の配向膜を有するとともに、
前記配向規制手段は、前記第１の配向膜および第２の配向膜の少なくとも一方の表面に設けられた凸部を含むことを特徴とする請求項５または６に記載の電気光学装置。 - 前記第１の基板は第１の配向膜を有し、前記第２の基板は第２の配向膜を有するとともに、
前記配向規制手段は、前記第１の配向膜および第２の配向膜の少なくとも一方の配向膜の表面に設けられた凹部を含むことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 請求項１〜８のいずれか一項に記載された電気光学装置を備えることを特徴とする電気機器。
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