JP4396198B2 - 電気光学装置および電気機器 - Google Patents
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Description
本発明は、電気光学装置および電気機器に関する。特に、明るく、コントラスト等に優れた電気光学装置および電気機器に関する。
携帯電話等の普及に伴い、高精細な画像表示が可能な液晶表示装置が望まれている。
例えば、コントラストが十分で、しかも良好な黒表示を得ることができるノーマリーブラックモードの液晶表示装置が提案されている。すなわち、ノーマリーブラックモードの液晶表示装置は、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置と異なり、非電圧印加状態の際に、光の透過率が最も小さくなって、画素を黒色認識させる構成になっている。
より具体的には、図１９に示すように、液晶素子３１０の液晶分子が初期のツイスト配向状態にあるときに光の透過率が最も小さくなるように吸収軸３１９ａ、３２０ａの方向を設定し、配置された一対の偏光板３１９、３２０のうちの、前側偏光板３１９との間に、液晶素子３１０のリタデーションの値とほぼ等しい値で、且つ液晶素子３１０のリタデーションの波長依存性に対して逆の波長依存性を有するリタデーションをもつねじれ位相板３２１を配置し、さらにねじれ位相板３２１と、このねじれ位相板３２１に隣接する前側偏光板３１９との間に、位相差板３２７を、その遅相軸３２７ａを前側偏光板３１９の吸収軸３１９ａに対して斜めにずらして配置した液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
例えば、コントラストが十分で、しかも良好な黒表示を得ることができるノーマリーブラックモードの液晶表示装置が提案されている。すなわち、ノーマリーブラックモードの液晶表示装置は、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置と異なり、非電圧印加状態の際に、光の透過率が最も小さくなって、画素を黒色認識させる構成になっている。
より具体的には、図１９に示すように、液晶素子３１０の液晶分子が初期のツイスト配向状態にあるときに光の透過率が最も小さくなるように吸収軸３１９ａ、３２０ａの方向を設定し、配置された一対の偏光板３１９、３２０のうちの、前側偏光板３１９との間に、液晶素子３１０のリタデーションの値とほぼ等しい値で、且つ液晶素子３１０のリタデーションの波長依存性に対して逆の波長依存性を有するリタデーションをもつねじれ位相板３２１を配置し、さらにねじれ位相板３２１と、このねじれ位相板３２１に隣接する前側偏光板３１９との間に、位相差板３２７を、その遅相軸３２７ａを前側偏光板３１９の吸収軸３１９ａに対して斜めにずらして配置した液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
また、認識される画像表示の視角特性を向上させるために、対向する基板上におけるいずれかの透明電極に、所定の開口部を形成した液晶表示装置が提案されている。より具体的には、図２０に示すように、表示の単位となる絵素領域は液晶分子が軸対称配向する複数のサブ絵素領域を有するとともに、液晶層を挟持する第１電極および第２電極の少なくとも一方は、絵素領域内に規則的に配置された複数の開口部４２４ａを有し、サブ絵素領域は、多角形の角および辺の少なくとも一方に開口部４２４ａを有するサブ電極領域４５０で規定され、サブ電極領域４５０の端辺の少なくとも１つは、該絵素電極４２４の端辺の少なくとも１つと一致させてなる液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００１−１８８２３２号公報 （特許請求の範囲）
特許第３３８６３７４号公報 （特許請求の範囲）
しかしながら、開示された電気光学装置においては、それを薄型化した場合に、第１基板上の透明電極と、第２基板上のデータ配線としての電気配線とが近接し、それらの間でリーク電流が発生して、光透過による線欠陥等の表示不良が発生する場合が見られた。
そこで、本発明は、上記問題点を解決するものであり、ノーマリーブラックモードの電気光学装置等であって、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の基板に反射膜を設けるとともに、第２の基板における隣接する画素電極間であって、画素電極に信号を供給するための配線が設けられていない側の反射膜の一部に、非形成部を設けることにより、画素領域以外の箇所での光透過を防止しつつ画素面積を拡大できることを見出した。すなわち、本発明は、明るく、コントラスト等に優れた電気光学装置および電気機器をそれぞれ提供することを目的としている。
本発明によれば、一対の第１の基板と、第２の基板との間に、液晶分子より成る電気光学物質を封入してなるノーマリーブラックモードの電気光学装置であって、第１の基板は、ストライプ状の走査電極を備え、第２の基板は、走査電極と平面上で重なる画素電極と、画素電極に対応して設けられた二端子型非線形素子から成るスイッチング素子と、走査電極と平面上で交差すると共に、スイッチング素子を介して画素電極に信号を供給する配線とを備え、第１の基板には、配線と画素電極の少なくとも一部分に平面上で重なるように反射膜が設けられ、配線に沿った方向に隣接する画素電極との間に反射膜の非形成部が存在することを特徴とする電気光学装置が提供され、上述した問題点を解決することができる。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、反射膜は、配線に重なることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、反射膜は、画素電極の一部に重なることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、反射膜が、半透過反射機能を有することが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、スイッチング素子は、二端子型非線形素子であることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、電気光学物質は、第１の基板および第２の基板に対して実質的に垂直に配向していることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の基板は、画素領域において電気光学物質の配向を規制する配向規制手段を備えることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、配向規制手段は、電極および画素電極の少なくとも一方の電極に設けられているスリットを含むことが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の基板は第１の配向膜を有し、第２の基板は第２の配向膜を有するとともに、配向規制手段は、第１の配向膜および第２の配向膜の少なくとも一方の配向膜の表面に設けられている凸部を含むことが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の基板は第１の配向膜を有し、第２の基板は第２の配向膜を有するとともに、配向規制手段は、第１の配向膜および第２の配向膜の少なくとも一方の配向膜の表面に設けられている凹部を含むことが好ましい。
また、本発明の別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えることを特徴とする電気機器である。
本発明の電気光学装置によれば、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の基板に反射膜を設けるとともに、当該反射膜に所定の非形成部を設けることにより、反射膜を遮光部として利用しつつ、それぞれの画素面積を拡大させることができ、明るく、コントラストに優れた画像表示を認識することが可能となる。
すなわち、第２の基板の配線やスイッチング素子等と、第１の基板の電極との間で、リーク電流が発生した場合であっても、画素領域以外の領域からの光透過を防止することができる。また、それ以外の箇所においては、ノーマリーブラックモードの電気光学装置であることから、遮光部としての反射膜を形成する必要がなく、したがって、それぞれの画素面積を拡大させることができ、明るい画像表示を認識することが可能となる。
すなわち、第２の基板の配線やスイッチング素子等と、第１の基板の電極との間で、リーク電流が発生した場合であっても、画素領域以外の領域からの光透過を防止することができる。また、それ以外の箇所においては、ノーマリーブラックモードの電気光学装置であることから、遮光部としての反射膜を形成する必要がなく、したがって、それぞれの画素面積を拡大させることができ、明るい画像表示を認識することが可能となる。
また、本発明の電気光学装置によれば、反射膜が、電気光学装置を垂直方向に透視した場合に、第２の基板の配線に重なることにより、第２の基板の配線と、第１の基板の電極との間で、リーク電流が発生した場合であっても、遮光部としての反射膜によって、画素領域以外での光透過を防いで、線欠陥等の画像欠陥の発生を防止することができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、反射膜が、電気光学装置を垂直方向に透視した場合に、第２の基板の画素電極の一部に重なっていることにより、さらに効果的に光透過を防止することができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、反射膜が、半透過反射機能を有することにより、透過表示あるいは反射表示のいずれにおいても、明るく、コントラストに優れた画像表示を認識することができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、スイッチング素子が、二端子型非線形素子であることにより、さらにコントラストに優れた画像表示を認識することができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、電気光学物質が、所定方向に配向していることにより、配向制御が容易になり、視角特性を向上させることが容易になる。
また、本発明の電気光学装置によれば、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の基板に、所定の配向規制手段を備えることにより、視角特性に優れた画像表示を得ることができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、配向規制手段が、走査線および画素電極の少なくとも一方の電極に設けられたスリットを含むことにより、斜め電界を生じさせて、容易に配向制御することができ、優れた視角特性を示す画像表示を得ることができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、配向規制手段が、所定の配向膜の表面に設けられた凸部を含むことにより、容易に配向制御をすることができ、優れた視角特性を示す画像表示を得ることができる。
また、本発明の電気光学装置によれば、配向規制手段が、所定の配向膜の表面に設けられた凹部を含むことにより、容易に配向制御をすることができ、優れた視角特性を示す画像表示を得ることができる。
また、本発明の電気機器によれば、反射膜を設けるとともに、当該反射膜に、所定の非形成部を設けることにより、薄型の電気光学装置を利用して、明るく、コントラストに優れた画像表示を認識できる電気機器を効率的に提供することができる。
以下、図面を適宜参照して、本発明の電気光学装置、および電気機器に関する実施形態について具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
［第１実施形態］
第１実施形態は、図１（ａ）〜（ｂ）に例示されるように、一対の第１の基板１２と、第２の基板１４との間に、電気光学物質２３２を封入してなるノーマリーブラックモードの電気光学装置１０であって、
第１の基板は、電極１９を備え、
第２の基板は、画素電極２０と、画素電極２０に対応して設けられているスイッチング素子３１と、スイッチング素子３１を介して画素電極２０に信号を供給するための配線２６とを備え、
第１の基板１２および第２の基板１４の少なくとも一方の基板には反射膜２１２が設けられているとともに、隣接する画素電極２０間であって、配線２６が設けられていない側の反射膜２１２の一部に、非形成部６４が設けられていることを特徴とする電気光学装置１０である。
なお、図１（ａ）は、第１実施形態の電気光学装置を垂直方向に透視した平面図を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＡＡ断面を矢印方向に見た断面図を示し、特に説明を要しないものについては適宜省略されている。
以下、カラーフィルタ基板（第１の基板）、二端子型非線形素子としてのＴＦＤ素子を備えた対向基板（第２の基板）、およびそれらを用いた液晶表示装置を例に採って説明する。
第１実施形態は、図１（ａ）〜（ｂ）に例示されるように、一対の第１の基板１２と、第２の基板１４との間に、電気光学物質２３２を封入してなるノーマリーブラックモードの電気光学装置１０であって、
第１の基板は、電極１９を備え、
第２の基板は、画素電極２０と、画素電極２０に対応して設けられているスイッチング素子３１と、スイッチング素子３１を介して画素電極２０に信号を供給するための配線２６とを備え、
第１の基板１２および第２の基板１４の少なくとも一方の基板には反射膜２１２が設けられているとともに、隣接する画素電極２０間であって、配線２６が設けられていない側の反射膜２１２の一部に、非形成部６４が設けられていることを特徴とする電気光学装置１０である。
なお、図１（ａ）は、第１実施形態の電気光学装置を垂直方向に透視した平面図を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＡＡ断面を矢印方向に見た断面図を示し、特に説明を要しないものについては適宜省略されている。
以下、カラーフィルタ基板（第１の基板）、二端子型非線形素子としてのＴＦＤ素子を備えた対向基板（第２の基板）、およびそれらを用いた液晶表示装置を例に採って説明する。
１．液晶表示装置の基本構造
まず、図２〜図４を参照して、本発明の第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線、あるいは位相差板および偏光板について具体的に説明する。なお、図２は、本発明に係る第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置に使用される液晶パネル２００の外観を示す概略斜視図であり、図３は、液晶パネル２００の模式的な概略断面図であり、図４は、アクティブマトリクス配線の配線例を示す図である。
また、図２に示される液晶パネル２００は、二端子型非線形素子としてのＴＦＤ素子（Thin Film Diode）３１を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置となる。
まず、図２〜図４を参照して、本発明の第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線、あるいは位相差板および偏光板について具体的に説明する。なお、図２は、本発明に係る第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置に使用される液晶パネル２００の外観を示す概略斜視図であり、図３は、液晶パネル２００の模式的な概略断面図であり、図４は、アクティブマトリクス配線の配線例を示す図である。
また、図２に示される液晶パネル２００は、二端子型非線形素子としてのＴＦＤ素子（Thin Film Diode）３１を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置となる。
（１）セル構造
図２に示すように、液晶パネル２００は、ガラス板や合成樹脂板等からなる透明な第１のガラス基板１３を基体とする第１の基板（カラーフィルタ基板）１２と、これに対向配置される第２のガラス基板２７を基体とする第２の基板（対向基板）１４とが、接着剤等のシール材２３０を介して貼り合わせられていることが好ましい。そして、カラーフィルタ基板１２と、対向基板１４とが形成する空間であって、シール材２３０の内側部分に対して、開口部２３０ａを介して液晶分子を注入した後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えていることが好ましい。
すなわち、図３に示すように、カラーフィルタ基板１２と対向基板１４との間に液晶分子２３２が充填されていることが好ましい。
図２に示すように、液晶パネル２００は、ガラス板や合成樹脂板等からなる透明な第１のガラス基板１３を基体とする第１の基板（カラーフィルタ基板）１２と、これに対向配置される第２のガラス基板２７を基体とする第２の基板（対向基板）１４とが、接着剤等のシール材２３０を介して貼り合わせられていることが好ましい。そして、カラーフィルタ基板１２と、対向基板１４とが形成する空間であって、シール材２３０の内側部分に対して、開口部２３０ａを介して液晶分子を注入した後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えていることが好ましい。
すなわち、図３に示すように、カラーフィルタ基板１２と対向基板１４との間に液晶分子２３２が充填されていることが好ましい。
（２）配線
図２に示すように、第２のガラス基板２７の内面（第１のガラス基板１３に対向する表面）上に、マトリクス状の画素電極２０を形成し、第１のガラス基板１３の内面（第２のガラス基板２７に対向する表面）上には、複数のストライプ状の電極１９を形成することが好ましい。また、画素電極２０を、非線形素子３１を介して配線２６に対して導電接続するとともに、もう一方の電極１９を、配線２８に対して導電接続することが好ましい。
そして、画素電極２０と電極１９との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成することになる。
また、図４に、ドライバＩＣおよびＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス配線の具体的な配線例を示す。すなわち、Ｙ方向に延在する複数の配線２６と、Ｘ方向に延在する複数の電極１９とから構成されており、各交差部分において画素５０が構成されている。また、各画素５０において、液晶表示要素５１と、ＴＦＤ素子３１とが直列接続されている。
図２に示すように、第２のガラス基板２７の内面（第１のガラス基板１３に対向する表面）上に、マトリクス状の画素電極２０を形成し、第１のガラス基板１３の内面（第２のガラス基板２７に対向する表面）上には、複数のストライプ状の電極１９を形成することが好ましい。また、画素電極２０を、非線形素子３１を介して配線２６に対して導電接続するとともに、もう一方の電極１９を、配線２８に対して導電接続することが好ましい。
そして、画素電極２０と電極１９との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成することになる。
また、図４に、ドライバＩＣおよびＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス配線の具体的な配線例を示す。すなわち、Ｙ方向に延在する複数の配線２６と、Ｘ方向に延在する複数の電極１９とから構成されており、各交差部分において画素５０が構成されている。また、各画素５０において、液晶表示要素５１と、ＴＦＤ素子３１とが直列接続されている。
また、図２に示すように、第２のガラス基板２７は、第１のガラス基板１３の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部１４Ｔを有し、この基板張出部１４Ｔ上には、配線（データ電極）２６、電気配線２６´および、独立して形成された複数の配線パターンからなる入力端子部２１９が形成されていることが好ましい。
また、基板張出部１４Ｔ上には、これら配線２６、２６´および入力端子部２１９に対して導電接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体素子（ＩＣ）２６１が実装されていることが好ましい。
さらに、基板張出部１４Ｔの端部には、入力端子部２１９に導電接続されるように、フレキシブル配線基板１１０が実装されていることが好ましい。
また、基板張出部１４Ｔ上には、これら配線２６、２６´および入力端子部２１９に対して導電接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体素子（ＩＣ）２６１が実装されていることが好ましい。
さらに、基板張出部１４Ｔの端部には、入力端子部２１９に導電接続されるように、フレキシブル配線基板１１０が実装されていることが好ましい。
（３）位相差板および偏光板
図２に示される液晶パネル２００において、図３に示すように、第１のガラス基板１３の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）２５０および偏光板２５１が配置されていることが好ましい。
そして、第２のガラス基板２７の外面においても、位相差板（１／４波長板）２４０および偏光板２４１が配置されていることが好ましい。
図２に示される液晶パネル２００において、図３に示すように、第１のガラス基板１３の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）２５０および偏光板２５１が配置されていることが好ましい。
そして、第２のガラス基板２７の外面においても、位相差板（１／４波長板）２４０および偏光板２４１が配置されていることが好ましい。
２．カラーフィルタ基板（第１の基板）
（１）基本的構成
カラーフィルタ基板１２は、図３に示すように、基本的に、ガラス基板１３と、着色層１６ｒ、１６ｇ、１６ｂと、電極１９と、から構成してあることが好ましい。
また、カラーフィルタ基板１２において、図３に示すように、画素毎に着色層１６が形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層（表面保護層、オーバーコート層）２１５により、被覆してあることが好ましい。したがって、この着色層１６と平坦化層（表面保護層）２１５とによってカラーフィルタが形成されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層（図示せず。）を設けることも好ましい。
（１）基本的構成
カラーフィルタ基板１２は、図３に示すように、基本的に、ガラス基板１３と、着色層１６ｒ、１６ｇ、１６ｂと、電極１９と、から構成してあることが好ましい。
また、カラーフィルタ基板１２において、図３に示すように、画素毎に着色層１６が形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層（表面保護層、オーバーコート層）２１５により、被覆してあることが好ましい。したがって、この着色層１６と平坦化層（表面保護層）２１５とによってカラーフィルタが形成されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層（図示せず。）を設けることも好ましい。
（２）着色層
また、図３に示す着色層１６は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術（エッチング法を含む。）によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
また、図３に示す着色層１６は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術（エッチング法を含む。）によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
（３）電極
図３に示すように、平坦化層２１５の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる電極１９を形成することが好ましい。かかる電極１９は、複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、アクティブマトリクス配線においては、かかる電極１９が、走査電極を構成することになる。
図３に示すように、平坦化層２１５の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる電極１９を形成することが好ましい。かかる電極１９は、複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、アクティブマトリクス配線においては、かかる電極１９が、走査電極を構成することになる。
また、図５（ａ）に例示されるように、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１と、第１の基板における電極１９とを、鉛直方向に透視した場合に、それぞれが重ならないように配置してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、第１の基板における電極１９と、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１との間の距離を、比較的離することができるためである。したがって、第１の基板と、第２の基板とを近接して対向配置した場合であっても、第１の基板における電極１９と、第２の基板におけるＴＦＤ素子との間でリーク電流が発生し、電圧印加状態となることを防いで、画像欠陥の発生を有効に防止することができるためである。
なお、このように第１の基板における電極１９を、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１の位置を考慮して、それに重ならないように配置することも好ましいし、あるいは、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１を、第１の基板における電極（走査電極）１９の位置を考慮して、それと重ならないように配置することも好ましい。
この理由は、このように構成することにより、第１の基板における電極１９と、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１との間の距離を、比較的離することができるためである。したがって、第１の基板と、第２の基板とを近接して対向配置した場合であっても、第１の基板における電極１９と、第２の基板におけるＴＦＤ素子との間でリーク電流が発生し、電圧印加状態となることを防いで、画像欠陥の発生を有効に防止することができるためである。
なお、このように第１の基板における電極１９を、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１の位置を考慮して、それに重ならないように配置することも好ましいし、あるいは、第２の基板におけるＴＦＤ素子３１を、第１の基板における電極（走査電極）１９の位置を考慮して、それと重ならないように配置することも好ましい。
また、図６（ａ）〜（ｃ）に例示されるように、第１の基板における電極１９には、配向制御をするための第１のスリット４１が設けてあるとともに、当該第１のスリット４１の平面形状が実質的に円形であることが好ましい。
この理由は、このような第１のスリットを形成することにより、液晶分子の配向方向を制御して、視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。また、かかる第１のスリットの平面形状を実質的に円形とすることにより、全方位に対して視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。
ここで、第１のスリットを形成した場合の液晶分子の配向制御については、以下のようになされる。すなわち、液晶層において電圧非印加状態では、液晶分子は、例えば、垂直配向膜によって、垂直方向に配向する。一方、液晶層において電圧印加状態になると、図７に示すように、負の誘電異方性を有する液晶分子は、その長軸が電気力線Ｅに対して垂直になるように配向する。そして、第１のスリット４１の周辺における電気力線Ｅは、垂直方向対して傾くために、第１のスリット４１の周辺の液晶分子は、第１のスリット４１を中心に放射状に倒れるように配向する。よって、あらゆる方向からの画像表示の視認に対しても、優れた画像表示を認識することができる。
この理由は、このような第１のスリットを形成することにより、液晶分子の配向方向を制御して、視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。また、かかる第１のスリットの平面形状を実質的に円形とすることにより、全方位に対して視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。
ここで、第１のスリットを形成した場合の液晶分子の配向制御については、以下のようになされる。すなわち、液晶層において電圧非印加状態では、液晶分子は、例えば、垂直配向膜によって、垂直方向に配向する。一方、液晶層において電圧印加状態になると、図７に示すように、負の誘電異方性を有する液晶分子は、その長軸が電気力線Ｅに対して垂直になるように配向する。そして、第１のスリット４１の周辺における電気力線Ｅは、垂直方向対して傾くために、第１のスリット４１の周辺の液晶分子は、第１のスリット４１を中心に放射状に倒れるように配向する。よって、あらゆる方向からの画像表示の視認に対しても、優れた画像表示を認識することができる。
また、第１の基板１２における電極１９に設ける第１のスリット４１の数は特に制限されるものではく、図６（ａ）に示すように、画素領域それぞれに対して１個設けることも好ましく、図６（ｂ）〜（ｃ）に示すように、画素領域それぞれに対して複数個設けることも好ましい。
ただし、画素電極の形状と相俟って、一つの画素領域においてバランスよく配向制御して、全方位に対して視角特性を向上させることができることから、図６（ｃ）に示すように、画素領域それぞれに対して３個設けることがより好ましい。
ただし、画素電極の形状と相俟って、一つの画素領域においてバランスよく配向制御して、全方位に対して視角特性を向上させることができることから、図６（ｃ）に示すように、画素領域それぞれに対して３個設けることがより好ましい。
また、図８（ａ）〜（ｂ）に示されるように、第２の基板１４における配線２６の位置に対応させて、第１の基板１２における電極（走査電極）１９を絶縁処理することが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、第１の基板１２と、第２の基板１４とを近接して対向配置した場合であっても、対向する配線２６と、電極１９との間での、リーク電流の発生を防いで、優れた電気絶縁性を示すことができるためである。したがって、電気光学装置を薄型化して構成した場合であっても、画像欠陥の発生を有効に防止することができる。
この理由は、このように構成することにより、第１の基板１２と、第２の基板１４とを近接して対向配置した場合であっても、対向する配線２６と、電極１９との間での、リーク電流の発生を防いで、優れた電気絶縁性を示すことができるためである。したがって、電気光学装置を薄型化して構成した場合であっても、画像欠陥の発生を有効に防止することができる。
また、第１の基板１２における電極１９の一部を絶縁処理して、絶縁処理部３３を設けるにあたり、絶縁抵抗（体積抵抗）を１×１０5〜１×１０12Ω・ｃｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる絶縁処理部３３における絶縁抵抗が１×１０5Ω・ｃｍ未満の値になると、第１の基板１２と、第２の基板１４とを近接して配置した場合に、配線２６と、電極１９との間でリーク電流が発生し易くなる場合があるためである。一方、かかる絶縁抵抗が１×１０12Ω・ｃｍを超えると、絶縁処理部３３に使用可能な絶縁処理材の種類が過度に制限される場合があるためである。
また、第１の基板１２における電極１９の一部を絶縁処理するにあたり、当該絶縁処理方法は特に制限されるものではないが、例えば、図８（ｂ）に示すように、絶縁性樹脂を塗布したり、あるいは、配線の端部に対して、絶縁性フィルム等の絶縁処理材を積層したりすることが好ましい。
なお、絶縁性樹脂を使用する場合、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。
また、絶縁処理材を使用する場合、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等からなる高絶縁性樹脂からなる絶縁性フィルムを使用することがより好ましい。
この理由は、かかる絶縁処理部３３における絶縁抵抗が１×１０5Ω・ｃｍ未満の値になると、第１の基板１２と、第２の基板１４とを近接して配置した場合に、配線２６と、電極１９との間でリーク電流が発生し易くなる場合があるためである。一方、かかる絶縁抵抗が１×１０12Ω・ｃｍを超えると、絶縁処理部３３に使用可能な絶縁処理材の種類が過度に制限される場合があるためである。
また、第１の基板１２における電極１９の一部を絶縁処理するにあたり、当該絶縁処理方法は特に制限されるものではないが、例えば、図８（ｂ）に示すように、絶縁性樹脂を塗布したり、あるいは、配線の端部に対して、絶縁性フィルム等の絶縁処理材を積層したりすることが好ましい。
なお、絶縁性樹脂を使用する場合、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。
また、絶縁処理材を使用する場合、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等からなる高絶縁性樹脂からなる絶縁性フィルムを使用することがより好ましい。
（４）反射層
また、第１実施形態の電気光学装置においては、図３に示すように、第１のガラス基板１３の表面には、反射膜２１２が形成されている。この反射膜２１２は、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成することが好ましい。また、反射膜２１２は、画素毎に、反射面を有する反射部２１２ｒと、開口部２１２ａとが設けられている、半透過反射板であることが好ましい。
そして、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、図３に示すように、ガラス基板１３と、着色層１６との間に、反射膜（半透過反射板）２１２を設けることが好ましい。
なお、第１実施形態にかかる電気光学装置においては、かかる反射層が、後述する第１の遮光部を構成することとなる。
また、第１実施形態の電気光学装置においては、図３に示すように、第１のガラス基板１３の表面には、反射膜２１２が形成されている。この反射膜２１２は、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成することが好ましい。また、反射膜２１２は、画素毎に、反射面を有する反射部２１２ｒと、開口部２１２ａとが設けられている、半透過反射板であることが好ましい。
そして、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、図３に示すように、ガラス基板１３と、着色層１６との間に、反射膜（半透過反射板）２１２を設けることが好ましい。
なお、第１実施形態にかかる電気光学装置においては、かかる反射層が、後述する第１の遮光部を構成することとなる。
（５）配向膜
また、図３に示すように、第１の基板における電極１９の上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜２１７が形成されていることが好ましい。
この理由は、このように配向膜２１７を設けることにより、カラーフィルタ基板１２を液晶表示装置等に使用した場合に、電気光学物質（液晶分子）の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができるためである。
なお、電気光学物質に対して斜め電界領域を発生させるなど、配向制御を行う場合、特定の電気光学物質（液晶分子）を使用するのみならず、図７に示すような、垂直配向膜２１７、２２４等の特定の配向膜材料を通常使用することから、配向膜におけるラビング処理を不要とすることができる。したがって、ラビング処理の際の配向膜における劣化を容易に防止することができる。
また、図３に示すように、第１の基板における電極１９の上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜２１７が形成されていることが好ましい。
この理由は、このように配向膜２１７を設けることにより、カラーフィルタ基板１２を液晶表示装置等に使用した場合に、電気光学物質（液晶分子）の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができるためである。
なお、電気光学物質に対して斜め電界領域を発生させるなど、配向制御を行う場合、特定の電気光学物質（液晶分子）を使用するのみならず、図７に示すような、垂直配向膜２１７、２２４等の特定の配向膜材料を通常使用することから、配向膜におけるラビング処理を不要とすることができる。したがって、ラビング処理の際の配向膜における劣化を容易に防止することができる。
また、図９（ａ）に示すように、配向膜２１７には、配向規制手段としての凸部２１７ａが形成されていることが好ましい。この理由は、このような凸部を形成することにより、液晶分子の配向方向を制御して、視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。
ここで、配向膜の一部に凸部を形成した場合の液晶分子の配向制御については、以下のようになる。すなわち、例えば、第１の基板の配向膜には凸部を形成し、第２の基板の画素電極には、後述する第２のスリットを形成した場合に、図１０（ａ）に示すように、電圧を印加しない状態では、液晶分子２３２は第１の基板１２および第２の基板１４に対して垂直に配向する。ここで、中間の電圧を印加すると、図１０（ｂ）に示すように、画素電極２０における第２のスリット４５で、第２の基板１４に対して斜めの電界が発生する。また、配向膜２１７における凸部２１７ａの近傍の液晶分子２３２は、電圧無印加の状態からわずかに傾斜する。この凸部２１７ａの傾斜面と、斜め電界との影響で液晶分子２３２の傾斜方向が決定され、凸部２１７ａと、第２のスリット４５との真ん中で、液晶分子２３２の配向方向が分割される。この時、例えば真下から真上に透過する光Ａは、液晶分子２３２が多少傾斜しているため、若干の複屈折の影響を受け、透過が抑えられ、グレイの中間調表示が得られる。また、右下から左上に透過する光Ｂは、液晶分子２３２が左方向に傾斜した領域では透過しにくく、右方向に傾斜した領域では透過しやすく、平均するとグレイの中間調表示が得られる。一方、左下から右上に透過する光Ｃも、同様の原理でグレイ表示となり、全方位で均一な表示が得られる。さらに、図１０（ｃ）に示すように、所定の電圧を印加すると液晶分子２３２はほぼ水平になり、白表示が得られる。したがって、黒、中間調、白の表示状態のすべての状態において、視角特性に優れた表示が得られる。
ここで、配向膜の一部に凸部を形成した場合の液晶分子の配向制御については、以下のようになる。すなわち、例えば、第１の基板の配向膜には凸部を形成し、第２の基板の画素電極には、後述する第２のスリットを形成した場合に、図１０（ａ）に示すように、電圧を印加しない状態では、液晶分子２３２は第１の基板１２および第２の基板１４に対して垂直に配向する。ここで、中間の電圧を印加すると、図１０（ｂ）に示すように、画素電極２０における第２のスリット４５で、第２の基板１４に対して斜めの電界が発生する。また、配向膜２１７における凸部２１７ａの近傍の液晶分子２３２は、電圧無印加の状態からわずかに傾斜する。この凸部２１７ａの傾斜面と、斜め電界との影響で液晶分子２３２の傾斜方向が決定され、凸部２１７ａと、第２のスリット４５との真ん中で、液晶分子２３２の配向方向が分割される。この時、例えば真下から真上に透過する光Ａは、液晶分子２３２が多少傾斜しているため、若干の複屈折の影響を受け、透過が抑えられ、グレイの中間調表示が得られる。また、右下から左上に透過する光Ｂは、液晶分子２３２が左方向に傾斜した領域では透過しにくく、右方向に傾斜した領域では透過しやすく、平均するとグレイの中間調表示が得られる。一方、左下から右上に透過する光Ｃも、同様の原理でグレイ表示となり、全方位で均一な表示が得られる。さらに、図１０（ｃ）に示すように、所定の電圧を印加すると液晶分子２３２はほぼ水平になり、白表示が得られる。したがって、黒、中間調、白の表示状態のすべての状態において、視角特性に優れた表示が得られる。
一方、図９（ｂ）に示すように、配向膜２１７には、凸部と同様、液晶分子２３２の配向方向を制御して、視角特性を向上させることができることから、配向規制手段としての凹部２１７ｂが形成されていることも好ましい。
なお、この場合の液晶分子の配向制御の仕組みについては、上述の凸部を形成した場合と同様であるために、説明は省略する。
なお、この場合の液晶分子の配向制御の仕組みについては、上述の凸部を形成した場合と同様であるために、説明は省略する。
３．対向基板（第２の基板）
（１）基本構造
また、図１および図３に示すように、カラーフィルタ基板１２と対向するもう一方の対向基板（第２の基板）１４は、ガラス等からなる第２のガラス基板２７上に、配線２６と、二端子型非線形素子（スイッチング素子）としてのＴＦＤ素子３１と、画素電極２０と、を順次積層させたものであることが好ましい。
なお、第１実施形態の電気光学装置の例では、着色層が第１のガラス基板１３に設けてあるが、着色層を、かかる対向基板１４の第２のガラス基板２７上に設けることも好ましい。
（１）基本構造
また、図１および図３に示すように、カラーフィルタ基板１２と対向するもう一方の対向基板（第２の基板）１４は、ガラス等からなる第２のガラス基板２７上に、配線２６と、二端子型非線形素子（スイッチング素子）としてのＴＦＤ素子３１と、画素電極２０と、を順次積層させたものであることが好ましい。
なお、第１実施形態の電気光学装置の例では、着色層が第１のガラス基板１３に設けてあるが、着色層を、かかる対向基板１４の第２のガラス基板２７上に設けることも好ましい。
（２）配線（電気配線）
また、第２の基板には、図１（ａ）〜（ｂ）に示すように、配線２６を設けることが好ましい。かかる配線２６は、図２に示すように、複数の電気配線が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。なお、、アクティブマトリクス配線においては、かかる配線２６が、データ線を構成することになる。
また、第２の基板には、図１（ａ）〜（ｂ）に示すように、配線２６を設けることが好ましい。かかる配線２６は、図２に示すように、複数の電気配線が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。なお、、アクティブマトリクス配線においては、かかる配線２６が、データ線を構成することになる。
（３）スイッチング素子
スイッチング素子は、二端子型非線形素子であることが好ましい。この二端子型非線形素子としては、図１１（ａ）〜（ｂ）に例示するように、ＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂが典型的である。
かかるＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂは、素子第１電極（第１金属膜）２４、絶縁膜２３、および素子第２電極（第２金属膜）２２、２５からなるサンドイッチ構成を有することが好ましい。ここで、第１金属膜２４や第２金属膜２２、２５としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）や、クロム（Ｃｒ）等が挙げられる。また、絶縁膜２３としては、このような金属材料を陽極酸化させて構成してあることが好ましい。例えば、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等が具体的に挙げられる。
そして、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、第１金属膜２４および第２金属膜２５の両端子間に印加されると導通状態となるアクティブ素子である。
なお、ＴＦＤ素子以外にも、図１２にその配線例を示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子のような非線形素子を使用することもできる。
スイッチング素子は、二端子型非線形素子であることが好ましい。この二端子型非線形素子としては、図１１（ａ）〜（ｂ）に例示するように、ＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂが典型的である。
かかるＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂは、素子第１電極（第１金属膜）２４、絶縁膜２３、および素子第２電極（第２金属膜）２２、２５からなるサンドイッチ構成を有することが好ましい。ここで、第１金属膜２４や第２金属膜２２、２５としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）や、クロム（Ｃｒ）等が挙げられる。また、絶縁膜２３としては、このような金属材料を陽極酸化させて構成してあることが好ましい。例えば、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等が具体的に挙げられる。
そして、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、第１金属膜２４および第２金属膜２５の両端子間に印加されると導通状態となるアクティブ素子である。
なお、ＴＦＤ素子以外にも、図１２にその配線例を示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子のような非線形素子を使用することもできる。
また、二端子型非線形素子の構成に関して、図１１（ａ）に示すように、二個のＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂは、第１の基板における電極（走査電極）１９または配線（データ線）２６と、画素電極２０との間に介在するように、ガラス基板２７上に形成され、反対のダイオード特性を有する第１のＴＦＤ素子３１ｂおよび第２のＴＦＤ素子３１ａから構成してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、印加する電圧波形として、交流を使用することができ、液晶表示装置等における液晶分子の劣化を防止することができるためである。すなわち、液晶分子の劣化を防止するために、ダイオードスイッチング特性が、正負方向において対称的であることが望まれ、図１１（ａ）に例示するように、二個のＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂを逆向きに直列接続することにより、交流を使用することができるためである。
また、第１のＴＦＤ素子３１ｂは、図１１（ｂ）に示すように、配線から分岐した部分に相当する第２金属膜２５と、絶縁膜２３と、第１金属膜２４と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。一方、第２のＴＦＤ素子３１ａは、同様に、画素電極２０に電気接続された第２金属膜２２と、絶縁膜２３と、第１金属膜２４と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。
さらに、第１のＴＦＤ素子３１ｂおよび第２のＴＦＤ素子３１ａにおいて、それぞれ別個の第２金属膜２２、２５が設けてあるが、絶縁膜２３および第１金属膜２４は、それぞれ共通していることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、印加する電圧波形として、交流を使用することができ、液晶表示装置等における液晶分子の劣化を防止することができるためである。すなわち、液晶分子の劣化を防止するために、ダイオードスイッチング特性が、正負方向において対称的であることが望まれ、図１１（ａ）に例示するように、二個のＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂを逆向きに直列接続することにより、交流を使用することができるためである。
また、第１のＴＦＤ素子３１ｂは、図１１（ｂ）に示すように、配線から分岐した部分に相当する第２金属膜２５と、絶縁膜２３と、第１金属膜２４と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。一方、第２のＴＦＤ素子３１ａは、同様に、画素電極２０に電気接続された第２金属膜２２と、絶縁膜２３と、第１金属膜２４と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。
さらに、第１のＴＦＤ素子３１ｂおよび第２のＴＦＤ素子３１ａにおいて、それぞれ別個の第２金属膜２２、２５が設けてあるが、絶縁膜２３および第１金属膜２４は、それぞれ共通していることが好ましい。
（４）画素電極
また、図１（ａ）〜（ｂ）等に示すように、第２の基板１４上には、画素電極として、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる透明電極２０を形成することが好ましい。
また、図１（ａ）〜（ｂ）等に示すように、第２の基板１４上には、画素電極として、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる透明電極２０を形成することが好ましい。
そして、図６（ａ）〜（ｃ）に例示されるように、画素電極２０の端部には、第２のスリット４５を設けることが好ましい。このような第２のスリット４５を設けることにより、第１の基板における電極１９に形成された第１のスリット４１と相俟って、液晶分子の配向方向を制御して、視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。
また、画素電極に第２のスリットを形成した際の平面形状に関し、図６（ｃ）に示すように、複数円が部分的に重なった形状とすることが好ましい。すなわち、電気光学装置を垂直方向に透視した場合に、第１の基板における電極１９に設けられた第１のスリット４１を中心とした複数円が、部分的に重なった形状とすることが好ましい。
この理由は、第２の透明電極をこのような形状とすることにより、全方位に対して視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。したがって、あらゆる方向からの視認に対して、優れた画像表示を認識することができる。
また、画素電極に第２のスリットを形成した際の平面形状に関し、図６（ｃ）に示すように、複数円が部分的に重なった形状とすることが好ましい。すなわち、電気光学装置を垂直方向に透視した場合に、第１の基板における電極１９に設けられた第１のスリット４１を中心とした複数円が、部分的に重なった形状とすることが好ましい。
この理由は、第２の透明電極をこのような形状とすることにより、全方位に対して視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。したがって、あらゆる方向からの視認に対して、優れた画像表示を認識することができる。
（５）配向膜（第２の配向膜）
また、図３に示すように、画素電極２０上には、第１の基板１２における第１の配向膜と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜２２４が形成されていることが好ましい。
そして、第２の配向膜においても、第１の配向膜と同様に、配向規制手段としての凸部あるいは凹部を設けることが好ましい。
また、図３に示すように、画素電極２０上には、第１の基板１２における第１の配向膜と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜２２４が形成されていることが好ましい。
そして、第２の配向膜においても、第１の配向膜と同様に、配向規制手段としての凸部あるいは凹部を設けることが好ましい。
４．第１の遮光部（反射膜）
第１実施形態の電気光学装置においては、第１の基板（カラーフィルタ基板）１２において、図３に示すように、反射膜２１２の一部であって、画素毎に形成された着色層１６の間の画素間領域に相当する反射膜２１２を、第１の遮光部６２として形成することを特徴とする。すなわち、反射膜の一部を第１の遮光部として構成することにより、光透過を確実に防止することができるとともに、電気光学装置の薄型化を図ることができるためである。
このような反射層２１２としては、上述のとおり、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜などを用いることができる。
第１実施形態の電気光学装置においては、第１の基板（カラーフィルタ基板）１２において、図３に示すように、反射膜２１２の一部であって、画素毎に形成された着色層１６の間の画素間領域に相当する反射膜２１２を、第１の遮光部６２として形成することを特徴とする。すなわち、反射膜の一部を第１の遮光部として構成することにより、光透過を確実に防止することができるとともに、電気光学装置の薄型化を図ることができるためである。
このような反射層２１２としては、上述のとおり、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜などを用いることができる。
そして、反射膜２１２の一部からなる第１の遮光部６２は、図１（ａ）に示すように、電気光学装置を垂直方向に透視した場合に、画素間領域に相当する位置であって、配線２６に重なるように形成することが好ましい。一方、かかる位置以外の箇所、例えば、画素領域や、隣接する画素間領域であって、配線２６が存在しない領域には、反射膜２１２の非形成部６４を設けることが好ましい。
この理由は、配線に重なるように反射膜２１２を形成することにより、第２のガラス基板２７上の配線２６と、第１のガラス基板１３上に設けられた電極１９との間で、リーク電流が発生した場合であっても、光透過を確実に防止することができるためである。また、電気配線に沿った位置以外の箇所においては、反射膜２１２を形成しないことにより、画素領域における光透過可能な領域の面積を拡大させることができるためである。したがって、明るく、コントラストに優れた画像表示を得ることができる。
ただし、配線２６と同様に、第１のガラス基板上１３の電極１９との間で、リーク電流が発生する場合があることから、ＴＦＤ素子３１およびその近傍に相当する位置にも、反射膜２１２を形成することが好ましい。
なお、隣接する画素間領域であって、第１の遮光部６２としての反射膜２１２が存在しない箇所においては、ノーマリーブラックモードの電気光学装置であるために、有効に光透過を防止することができる。
この理由は、配線に重なるように反射膜２１２を形成することにより、第２のガラス基板２７上の配線２６と、第１のガラス基板１３上に設けられた電極１９との間で、リーク電流が発生した場合であっても、光透過を確実に防止することができるためである。また、電気配線に沿った位置以外の箇所においては、反射膜２１２を形成しないことにより、画素領域における光透過可能な領域の面積を拡大させることができるためである。したがって、明るく、コントラストに優れた画像表示を得ることができる。
ただし、配線２６と同様に、第１のガラス基板上１３の電極１９との間で、リーク電流が発生する場合があることから、ＴＦＤ素子３１およびその近傍に相当する位置にも、反射膜２１２を形成することが好ましい。
なお、隣接する画素間領域であって、第１の遮光部６２としての反射膜２１２が存在しない箇所においては、ノーマリーブラックモードの電気光学装置であるために、有効に光透過を防止することができる。
また、図１に示すように、第１の遮光部６２としての反射膜２１２の一部は、電気光学装置１０を垂直方向に透視した場合に、画素電極２０の一部と重なっていることが好ましい。この理由は、第１の遮光部６２としての反射層２１２を、配線２６に沿った位置であって、隣接する画素間領域だけでなく、画素電極２０にも一部重ねて形成することにより、配線２６と、電極１９との間で、リーク電流が発生した場合であっても、光透過を確実に防止することができるためである。
また、第１の遮光部６２としての反射層２１２と、画素電極２０とが重なる幅を、例えば、５μｍ以下の値とすることが好ましい。この理由は、かかる幅が５μｍを超えると、画素領域における光透過可能な領域の面積が小さくなり、得られる画像表示の明るさが低下する場合があるためである。ただし、かかる幅が極端に小さくなると、光透過してしまう場合がある。したがって、反射膜２１２と、画素電極２０とが重なる幅を、０．５〜４．５μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１〜４μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
また、第１の遮光部６２としての反射層２１２と、画素電極２０とが重なる幅を、例えば、５μｍ以下の値とすることが好ましい。この理由は、かかる幅が５μｍを超えると、画素領域における光透過可能な領域の面積が小さくなり、得られる画像表示の明るさが低下する場合があるためである。ただし、かかる幅が極端に小さくなると、光透過してしまう場合がある。したがって、反射膜２１２と、画素電極２０とが重なる幅を、０．５〜４．５μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１〜４μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
また、反射膜の一部からなる第１の遮光部の面積は、画像表示のコントラストに応じて変化させることが好ましい。すなわち、第１の遮光部６２を、図１（ａ）に示すように、少なくとも配線２６に重なるように設けることも好ましいが、より高いコントラストを得たい場合には、図１３（ａ）〜（ｂ）に示すように、配線２６に重なるような位置以外に部分的に形成することも好ましい。この理由は、このように構成することにより、より確実に画素領域以外の領域での光透過を防いで、所望のコントラスト状態を達成した画像表示を得ることができるためである。
５．ノーマリーブラックモード（第２の遮光部）
第１実施形態の電気光学装置は、電圧非印加状態で黒表示を示す、いわゆるノーマリーブラックモードの電気光学装置（液晶表示装置）であることを特徴とする。すなわち、このような電気光学装置であれば、上述の反射膜からなる遮光部（第１の遮光部）とは別の第２の遮光部として作用し、画素領域以外の領域を容易に光不透過状態とすることができるためである。また、それぞれの画素面積を拡大させた場合であっても、隣接する画素間での混色を容易に防止することができるためである。したがって、第２の基板における配線に沿った位置等の、リーク電流が発生する恐れのある箇所以外において、反射膜を形成することなく、明るく、コントラストに優れた画像表示を得ることができるためである。
第１実施形態の電気光学装置は、電圧非印加状態で黒表示を示す、いわゆるノーマリーブラックモードの電気光学装置（液晶表示装置）であることを特徴とする。すなわち、このような電気光学装置であれば、上述の反射膜からなる遮光部（第１の遮光部）とは別の第２の遮光部として作用し、画素領域以外の領域を容易に光不透過状態とすることができるためである。また、それぞれの画素面積を拡大させた場合であっても、隣接する画素間での混色を容易に防止することができるためである。したがって、第２の基板における配線に沿った位置等の、リーク電流が発生する恐れのある箇所以外において、反射膜を形成することなく、明るく、コントラストに優れた画像表示を得ることができるためである。
６．製造方法
第１実施形態の電気光学装置の製造方法の一例を、図１４〜図１７を適宜参照しながら説明する。
第１実施形態の電気光学装置の製造方法の一例を、図１４〜図１７を適宜参照しながら説明する。
（１）第１の基板の製造
図１４（ａ）に示すように、第１のガラス基板上には、画像表示領域に相当する箇所に、反射膜（第１の遮光部）２１２、および着色層１６を順次形成することが好ましい。
図１４（ａ）に示すように、第１のガラス基板上には、画像表示領域に相当する箇所に、反射膜（第１の遮光部）２１２、および着色層１６を順次形成することが好ましい。
（１）−１ 反射膜（第１の遮光部）の形成
ここで、開口部２１２ａを備えた反射膜２１２は、蒸着法やスパッタリング法にて金属材料等を基板上に被着させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成される。
このとき、第１の基板と第２の基板とを対向配置させた場合に、隣接する画素間領域においては、第２の基板（対向基板）１４における配線２６に重なるように反射膜を形成して、遮光部とすることが好ましい。このように反射膜（第１の遮光部）を形成することにより、確実に光透過を防止することができる電気光学装置を効率的に製造することができる。ただし、第１実施形態の電気光学装置は、ノーマリーブラックモードの電気光学装置であることから、配線やスイッチング素子が存在する箇所のようなリーク電流が発生しやすい箇所以外には、反射膜を形成しないことにより、画素領域を拡大させることができる。
ここで、開口部２１２ａを備えた反射膜２１２は、蒸着法やスパッタリング法にて金属材料等を基板上に被着させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成される。
このとき、第１の基板と第２の基板とを対向配置させた場合に、隣接する画素間領域においては、第２の基板（対向基板）１４における配線２６に重なるように反射膜を形成して、遮光部とすることが好ましい。このように反射膜（第１の遮光部）を形成することにより、確実に光透過を防止することができる電気光学装置を効率的に製造することができる。ただし、第１実施形態の電気光学装置は、ノーマリーブラックモードの電気光学装置であることから、配線やスイッチング素子が存在する箇所のようなリーク電流が発生しやすい箇所以外には、反射膜を形成しないことにより、画素領域を拡大させることができる。
（１）−２ 着色層の形成
また、着色層１６についても、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、反射膜２１２等の上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによっても形成することができる。
なお、複数の色の着色層１６を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層１６についても、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、反射膜２１２等の上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによっても形成することができる。
なお、複数の色の着色層１６を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
（１）−３ 透光保護層の形成
次いで、図１４（ｂ）に示すように、第１の基板１２上に全面的に透光保護層２１５Ｘを形成する。この透光保護層２１５Ｘは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
次いで、上記透光保護層２１５Ｘに、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１４（ｃ）に示すように、画像表示領域に限定された平坦化層２１５を形成する。この工程によって、透光保護層２１５Ｘから画像表示領域以外の領域、すなわち、図３に示すシール材２３０の外側に配置される領域とほぼ同じ領域上から透光性素材が欠落される。
次いで、図１４（ｂ）に示すように、第１の基板１２上に全面的に透光保護層２１５Ｘを形成する。この透光保護層２１５Ｘは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
次いで、上記透光保護層２１５Ｘに、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１４（ｃ）に示すように、画像表示領域に限定された平坦化層２１５を形成する。この工程によって、透光保護層２１５Ｘから画像表示領域以外の領域、すなわち、図３に示すシール材２３０の外側に配置される領域とほぼ同じ領域上から透光性素材が欠落される。
（１）−４ 電極の形成
次いで、図１４（ｄ）に示すように、平坦化層２１５上に、全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層１９Ｘを形成することが好ましい。この透明導電層１９Ｘは、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。
そして、透明導電層１９Ｘに対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１４（ｅ）に示すように電極１９を形成することが好ましい。
このとき、電極１９には、それぞれの画素領域に対応させて、１個または複数個の第１のスリットを形成することが好ましい。また、かかる第１のスリットの平面形状を、実質的に円形とすることが好ましい。このような第１のスリットを形成することにより、視角特性に優れた画像表示を得られる電気光学装置を、効率的に製造することができる。
また、電極を形成するにあたり、第２の基板における素子第１電極の位置を考慮して、それと重ならないように、電極をずらしたり、平行移動させたりすることが好ましい。すなわち、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、電極と、第２の基板における素子第１電極の端部との間の距離が比較的離れていることから、薄型化が容易な電気光学装置を効率的に製造することができる。
ただし、電極については、通常どおり形成し、第２の基板における素子第１電極の形成位置を考慮して、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、電極と、第２の基板における素子第１電極のいずれかの端部とが重ならないように配置することも好ましい。
次いで、図１４（ｄ）に示すように、平坦化層２１５上に、全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層１９Ｘを形成することが好ましい。この透明導電層１９Ｘは、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。
そして、透明導電層１９Ｘに対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１４（ｅ）に示すように電極１９を形成することが好ましい。
このとき、電極１９には、それぞれの画素領域に対応させて、１個または複数個の第１のスリットを形成することが好ましい。また、かかる第１のスリットの平面形状を、実質的に円形とすることが好ましい。このような第１のスリットを形成することにより、視角特性に優れた画像表示を得られる電気光学装置を、効率的に製造することができる。
また、電極を形成するにあたり、第２の基板における素子第１電極の位置を考慮して、それと重ならないように、電極をずらしたり、平行移動させたりすることが好ましい。すなわち、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、電極と、第２の基板における素子第１電極の端部との間の距離が比較的離れていることから、薄型化が容易な電気光学装置を効率的に製造することができる。
ただし、電極については、通常どおり形成し、第２の基板における素子第１電極の形成位置を考慮して、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、電極と、第２の基板における素子第１電極のいずれかの端部とが重ならないように配置することも好ましい。
また、電極の絶縁処理工程を設けて、対向する第２の基板における配線と、電極と、の間の絶縁抵抗を所定値以上の値にすることが好ましい。すなわち、電極を形成した後に、第２の基板における配線の位置に対応させて、絶縁処理を施すことが好ましい。
なお、このように実施することにより、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、優れた絶縁特性が得られ、光透過を防止できるとともに、薄型化が容易な電気光学装置を効率的に製造することができる。
なお、このように実施することにより、第１の基板と、第２の基板とを対向配置した場合に、優れた絶縁特性が得られ、光透過を防止できるとともに、薄型化が容易な電気光学装置を効率的に製造することができる。
（２）第２の基板の製造
（２）−１ 素子第１電極の形成
図１５（ａ）〜図１６（ｂ）に示すように、第２の基板のガラス基板２７上に、第１の金属膜２４を形成する工程である。この第１の金属膜２４は、例えば、タンタルから構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。また、この第１の金属膜２４の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、２０〜５００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
また、図示しないが、第１の金属膜２４の形成前に、第２の基板１４のガラス基板２７上に、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁膜を形成することも好ましい。この理由は、第２の基板１４のガラス基板２７と、第１の金属膜２４との間に、このように絶縁膜を形成することにより、第２のガラス基板２７に対する第１の金属膜２４の密着力を著しく向上させることができるとともに、第２のガラス基板２７から第１の金属膜２４への不純物の拡散を効率的に抑制することができるためである。
（２）−１ 素子第１電極の形成
図１５（ａ）〜図１６（ｂ）に示すように、第２の基板のガラス基板２７上に、第１の金属膜２４を形成する工程である。この第１の金属膜２４は、例えば、タンタルから構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。また、この第１の金属膜２４の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、２０〜５００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
また、図示しないが、第１の金属膜２４の形成前に、第２の基板１４のガラス基板２７上に、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁膜を形成することも好ましい。この理由は、第２の基板１４のガラス基板２７と、第１の金属膜２４との間に、このように絶縁膜を形成することにより、第２のガラス基板２７に対する第１の金属膜２４の密着力を著しく向上させることができるとともに、第２のガラス基板２７から第１の金属膜２４への不純物の拡散を効率的に抑制することができるためである。
次いで、図１６（ｃ）に示すように、第１の金属膜２４の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、酸化膜２３を形成することが好ましい。より具体的には、第１の金属膜２４が形成されたガラス基板２７を、クエン酸溶液等の電解液中に浸漬した後、かかる電解液と、第１の金属膜２４との間に所定電圧を印加して、第１の金属膜２４の表面を酸化させることが好ましい。
なお、酸化膜２３の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、１０〜５０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
なお、酸化膜２３の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、１０〜５０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
次いで、図１７（ａ）に示すように、酸化膜２３が形成された第１の金属膜２４を、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングして、その一部を素子第１電極２４とすることが好ましい。
なお、素子第１電極２４を形成するにあたり、第２の基板における素子第１電極のいずれかの端部と、第１の基板における電極とを鉛直方向に透視した場合に、それぞれが重ならないように配置することが好ましい。すなわち、第１の基板における電極については、通常どおり形成し、第２の基板における素子第１電極の形成位置を考慮することが好ましい。
この理由は、既に上述したように、図１に例示する第１の基板１２における電極１９と、第２の基板１４における素子第１電極２４の端部との間の距離を比較的離すことができるためである。したがって、それぞれ近接して対向配置した場合であっても、第１の基板１２と、第２の基板１４に形成された対向する電極間で、リーク電流の発生を防いで、優れた電気絶縁性を示すとともに、画素領域以外の領域での光透過を防止することができる。
なお、素子第１電極２４を形成するにあたり、第２の基板における素子第１電極のいずれかの端部と、第１の基板における電極とを鉛直方向に透視した場合に、それぞれが重ならないように配置することが好ましい。すなわち、第１の基板における電極については、通常どおり形成し、第２の基板における素子第１電極の形成位置を考慮することが好ましい。
この理由は、既に上述したように、図１に例示する第１の基板１２における電極１９と、第２の基板１４における素子第１電極２４の端部との間の距離を比較的離すことができるためである。したがって、それぞれ近接して対向配置した場合であっても、第１の基板１２と、第２の基板１４に形成された対向する電極間で、リーク電流の発生を防いで、優れた電気絶縁性を示すとともに、画素領域以外の領域での光透過を防止することができる。
（２）−２ 素子第２電極の形成
次いで、図示しないが、再び、スパッタリング法等により、第１の金属膜２４上に、全面的に第２の金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ技術を用いて、パターニングすることにより、図１７（ｂ）に示すように、素子第２電極２２、２５を形成することが好ましい。
次いで、図示しないが、再び、スパッタリング法等により、第１の金属膜２４上に、全面的に第２の金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ技術を用いて、パターニングすることにより、図１７（ｂ）に示すように、素子第２電極２２、２５を形成することが好ましい。
（２）−３ 画素電極の形成
次いで、図示しないが、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより、図１７（ｃ）に示すように、画素電極２０を形成することが好ましい。また、このとき同時に、画素電極の端部には、図１７（ｃ）に示すように、電気光学物質の配向制御をするための第２のスリットを形成することが好ましい。このような第２のスリットを形成することにより、視角特性に優れた画像表示が得られる電気光学装置を効率的に製造することができる。
次いで、図示しないが、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより、図１７（ｃ）に示すように、画素電極２０を形成することが好ましい。また、このとき同時に、画素電極の端部には、図１７（ｃ）に示すように、電気光学物質の配向制御をするための第２のスリットを形成することが好ましい。このような第２のスリットを形成することにより、視角特性に優れた画像表示が得られる電気光学装置を効率的に製造することができる。
（３）液晶分子の注入および偏光板の配置
次いで、上述のようにして得られた第１の基板（カラーフィルタ基板）および第２の基板（対向基板）を対向配置して、接着剤等のシール材を介して貼り合わせるとともに、第１および第２の基板が形成する空間であって、シール材の内側部分に対して、電気光学物質（液晶分子）を注入した後、封止材等にて封止することが好ましい。
そして、第１の基板および第２の基板のそれぞれの外面に、所定の偏光板を配置するとともに、液晶分子の配向方向を制御することにより、ノーマリーブラックモードの電気光学装置を得ることができる。したがって、画素領域以外の領域を第２の遮光部として利用できる光不透過状態とすることができ、それぞれの画素面積が拡大されるとともに、コントラストに優れた画像表示を得られる電気光学装置が効率的に得られる。
次いで、上述のようにして得られた第１の基板（カラーフィルタ基板）および第２の基板（対向基板）を対向配置して、接着剤等のシール材を介して貼り合わせるとともに、第１および第２の基板が形成する空間であって、シール材の内側部分に対して、電気光学物質（液晶分子）を注入した後、封止材等にて封止することが好ましい。
そして、第１の基板および第２の基板のそれぞれの外面に、所定の偏光板を配置するとともに、液晶分子の配向方向を制御することにより、ノーマリーブラックモードの電気光学装置を得ることができる。したがって、画素領域以外の領域を第２の遮光部として利用できる光不透過状態とすることができ、それぞれの画素面積が拡大されるとともに、コントラストに優れた画像表示を得られる電気光学装置が効率的に得られる。
［第２実施形態］
本発明に係る第２実施形態として、第１実施形態の電気光学装置を備えた電気機器について具体的に説明する。
本発明に係る第２実施形態として、第１実施形態の電気光学装置を備えた電気機器について具体的に説明する。
図１８は、本実施形態の電気機器の全体構成を示す概略構成図である。この電気機器は、液晶パネル２００と、これを制御するための制御手段１２００とを有している。また、図１８中では、液晶パネル２００を、パネル構造体２００Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２００Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。
また、表示情報処理回路１２２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２００Ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２００Ｂは、走査線駆動回路、データ線駆動回路および検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路１２３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電気機器であれば、所定の反射膜を備えるとともに、当該反射膜に所定の非形成部を形成された電気光学装置を有していることから、コントラストが高く、明るい画面表示とすることができる。
そして、本実施形態の電気機器であれば、所定の反射膜を備えるとともに、当該反射膜に所定の非形成部を形成された電気光学装置を有していることから、コントラストが高く、明るい画面表示とすることができる。
本発明によれば、コントラストが高く、視角特性に優れた画像表示を実現できるために、電気光学物質として液晶分子を用いた電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）などが挙げられる。
さらに、本発明の電気光学装置および電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各実施形態に示す液晶パネルは単純マトリクス型の構造を備えているが、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の電気光学装置にも適用することができる。
また、上記実施形態の液晶パネルは所謂ＣＯＧタイプの構造を有しているが、半導体素子（ＩＣチップ）を直接実装する構造ではない液晶パネル、例えば液晶パネルにフレキシブル配線基板やＴＡＢ基板を接続するように構成されたものであっても構わない。
また、上記実施形態の液晶パネルは所謂ＣＯＧタイプの構造を有しているが、半導体素子（ＩＣチップ）を直接実装する構造ではない液晶パネル、例えば液晶パネルにフレキシブル配線基板やＴＡＢ基板を接続するように構成されたものであっても構わない。
１０：電気光学装置、１２：第１の基板、１３：第１のガラス基板、１４：第２の基板、１６：着色層、１８：ブラックマトリクス、１９：電極（走査電極）、２０：画素電極、２２・２５：素子第２電極（第２の金属膜）、２３：絶縁膜、２４：素子第１電極（第１の金属膜）、２６：配線（データ電極）、２７：第２のガラス基板、３１ａ：第１のＴＦＤ素子、３１ｂ：第２のＴＦＤ素子、３３：絶縁処理部、４１：第１のスリット、４５：第２のスリット、６２：遮光部（第１の遮光部）、６４：非形成部、２００：液晶パネル、２１２：反射膜、２１２ａ：開口部、２１２ｒ：反射部、２１５：保護膜（平坦化層）、２１７：第１の配向膜、２１７ａ：凸部、２１７ｂ：凹部、２２４：第２の配向膜
Claims (7)
- 一対の第１の基板と、第２の基板との間に、液晶分子より成る電気光学物質を封入してなるノーマリーブラックモードの電気光学装置であって、
前記第１の基板は、ストライプ状の走査電極を備え、
前記第２の基板は、前記走査電極と平面上で重なる画素電極と、前記画素電極に対応して設けられた二端子型非線形素子から成るスイッチング素子と、
前記走査電極と前記平面上で交差すると共に、前記スイッチング素子を介して前記画素電極に信号を供給する配線とを備え、
前記第１の基板には、前記配線と前記画素電極の少なくとも一部分に前記平面上で重なるように反射膜が設けられ、
前記配線に沿った方向に隣接する前記画素電極との間に前記反射膜の非形成部が存在することを特徴とする電気光学装置。 - 前記反射膜が、半透過反射機能を有することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の基板は、画素領域において前記液晶分子より成る電気光学物質の配向を規制する配向規制手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
- 前記配向規制手段は、前記電極および前記画素電極の少なくとも一方の電極に設けられているスリットを含むことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
- 前記第１の基板は第１の配向膜を有し、前記第２の基板は第２の配向膜を有するとともに、前記配向規制手段は、前記第１の配向膜および第２の配向膜の少なくとも一方の配向膜の表面に設けられている凸部を含むことを特徴とする請求項３または４に記載の電気光学装置。
- 前記第１の基板は第１の配向膜を有し、前記第２の基板は第２の配向膜を有するとともに、前記配向規制手段は、前記第１の配向膜および第２の配向膜の少なくとも一方の配向膜の表面に設けられている凹部を含むことを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項１〜６のいずれか一項に記載された電気光学装置を備えることを特徴とする電気機器。
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