JP4581405B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する。
特に、背景色の均一化を図るために、表示領域外に形成されるダミーパターンを介して、静電気破壊が生じることを防止した電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する。

従来、互いに対向配置される一対の基板の一方に形成した走査電極と、他方の基板に形成したデータ電極とを、ドットマトリクス状に交差させることによって画素を形成し、それらの画素に印加する電圧をオン、オフさせることによって、当該画素に含まれる液晶物質を通過する光を変調させ、文字等の像を表示する液晶表示装置が多用されている。
このような液晶表示装置は、通常、第１の配線パターン（走査電極）を有する第１の基板と、第２の配線パターン（データ電極）及び画素電極を有する第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の外周面に沿って配置されるとともに、第１の基板及び第２の基板を貼り合わせるためのシール材と、第１の基板及び第２の基板の間に封入された液晶と、から構成されている。

かかる液晶表示装置においては、第１の配線パターンや、第２の配線パターンは、通常、表示領域の外側領域（以下、非表示領域と称する。）にまで延設されている。また、駆動用ＩＣと、それらの配線パターンとを接続するための引回し配線についても、透明電極等により、非表示領域に形成されている。
そして、多くの液晶表示装置は、かかる非表示領域をも含めて視認される状態で電子機器に組み込まれている。したがって、電圧がオフ時において視認される、非表示領域の色（以下、背景色と称する。）と、表示領域の色と、が等しいことが望ましいとされている。

そこで、表示領域において第１の配線パターンと第２の配線パターンが重なるのと同様に、非表示領域においても、対向する第１の配線パターンあるいは第２の配線パターンと重なるようにダミーパターンを形成して、液晶が注入された第１の基板及び第２の基板の間のセルギャップの均一化を図ることにより、電圧がオフ時における、非表示領域と表示領域との色を実質的に等しくした電気光学装置が開示されている。より具体的には、所定電圧の印加を受ける電極を備える第１の基板と、電極の一部と対向するダミー電極を備える第２の基板とを備える電気光学装置であって、第２の基板には、図１７に示すように、パターン形状の異なるダミー電極４２８、４３０が形成された複数の領域が存在するとともに、当該複数の領域においてダミー電極４２８、４３０の配線ピッチに対する配線幅の比率がそれぞれほぼ同一となるようにダミー電極が４２８、４３０設けられている電気光学装置である（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００１−１００２３１号公報 （請求項１、図１）

しかしながら、特許文献１に記載された電気光学装置は、ダミーパターンと、基板の端部との距離によっては、ダミーパターンに対して金属フレームや異物が接触して、静電気が発生する場合があった。したがって、当該ダミーパターンを介して、配線パターンに対して静電気が伝わり、静電気破壊が発生しやすいという問題が見られた。
また、ラビング処理や剥離帯電等で発生する静電気が配線パターンに蓄積するとともに、当該静電気がダミーパターンを介して放電される際にも、配向膜表面が大きなダメージを受け、表示不良が生じる場合があった。
かかる問題を解決するために、ダミーパターンと、配線パターンとの間の距離を広くすることも考えられるが、上述した背景色や、セルギャップの均一化の問題を考慮すると、当該距離を広くすることにも限界があり、配線パターンにおける静電気破壊等の発生を確実に防ぐことは困難であった。

そこで、本発明の発明者らは鋭意努力し、電気光学装置を構成するそれぞれの基板において、所定位置に形成されたダミーパターンを分割して、電気絶縁するための間隙を備えることにより、このような問題を解決できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、電気光学装置において、セルギャップの均一化を図るためのダミーパターンを介しての静電気破壊の発生を防止して、背景色のムラの発生を防止しつつ、長期信頼性に優れた電気光学装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、このような電気光学装置の効率的な製造方法を提供するとともに、このような電気光学装置を含む電子機器を効率的に提供することである。

本発明によれば、シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置において、前記第１の基板は、表示領域及び非表示領域にまたがる第１の配線パターンを備え、前記第２の基板は、第２の配線パターンと、前記第１の配線パターンの形状に対応して前記非表示領域に形成され、前記第２の配線パターンと離間しているダミーパターンと、を備えるとともに、当該ダミーパターンを分割する間隙を、少なくとも一つ以上備え、前記間隙は、前記シール材が設けられた領域よりも内側の領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置が提供され、上述した問題を解決することができる。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第２の配線パターンは、表示領域及び非表示領域にまたがって形成され、第１の基板は、当該第２の配線パターンの形状に対応して非表示領域に形成されるとともに、第１の配線パターンと離間しているダミーパターンを備え、かつ、当該ダミーパターンを分割する間隙を、少なくとも一つ以上備えることが好ましい。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、間隙を、シール材が設けられた領域よりも内側の領域に備えることが好ましい。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第２の基板において、ダミーパターンの間隙の幅（Ａ）を、当該ダミーパターンと、第２の配線パターンと、の間の距離（Ｂ）よりも小さくすることが好ましい。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ダミーパターンにおいて、第２の配線パターンに対向する側の辺を、当該第２の配線パターンと平行に配置することが好ましい。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ダミーパターンにおいて、分割したそれぞれのダミーパターン片の面積を実質的に等しくすることが好ましい。
なお、分割したそれぞれのダミーパターン片とは、分割されたダミーパターン片のうち、両端部のダミーパターン片を除いたダミーパターン片を意味する場合も含むものとする。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第２の基板において、ダミーパターンの線幅が異なる複数の領域が存在するとともに、それぞれの領域におけるダミーパターンのピッチ間隔に対する当該ダミーパターンの線幅の比率を、実質的に等しくすることが好ましい。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ダミーパターンの間隙の幅（Ａ）を１０〜２０μｍの範囲内の値とするとともに、当該ダミーパターンと、第２の配線パターンと、の間の距離（Ｂ）を３０〜１００μｍの範囲内の値とすることが好ましい。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ダミーパターンと、第２の基板の縁部と、の間の距離（Ｃ）を０．３〜３ｍｍの範囲内の値とすることが好ましい。

また、本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えた電子機器である。

以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。

［第１実施形態］
第１実施形態は、シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置である。そして、第１の基板は、表示領域及び非表示領域にまたがる第１の配線パターンを備え、第２の基板は、第２の配線パターンと、第１の配線パターンの形状に対応して非表示領域に形成され、第２の配線パターンと離間しているダミーパターンと、を備えるとともに、当該ダミーパターンを分割する間隙を、少なくとも一つ以上備えることを特徴とする。
以下、図１〜図１０を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の電気光学装置について、第１の基板及び第２の基板のそれぞれの基板上に所定のダミーパターンを備えた液晶表示装置を例に採って説明する。
なお、図１（ａ）は、第１実施形態の液晶表示装置１０を平面的に見た場合における、第１の基板１２上の第１の配線パターン１９及び間隙４３を有するダミーパターン４１を示す図であり、図１（ｂ）は、第１実施形態の液晶表示装置１０を平面的に見た場合における、第２の基板１４上の第２の配線パターン（データ電極２６、及び引回し配線２８）、画素電極２０及び間隙４３を有するダミーパターン４１を示す図であって、その内容については後述する。

１．液晶表示装置の基本構造
まず、図２〜図３を参照して、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置としての液晶表示装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線、あるいは位相差板及び偏光板について具体的に説明する。なお、図２は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置を構成する液晶パネル２００を示す概略斜視図であり、図３は、液晶パネル２００の模式的な概略断面図である。
また、図２に示される液晶パネル２００は、ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置となる。
なお、本実施形態においてはＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルを例にとって説明するが、パッシブマトリクス型構造を有する液晶パネルや、ＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）等の非線形素子を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルであっても構わない。

（１）セル構造
図２に示すように、液晶パネル２００は、ガラス板や合成樹脂板等を基体１３とする第１の基板１２と、これに対向配置され、同様にガラス板や合成樹脂板等を基体２７とする第２の基板１４とが、接着剤等のシール材２３０を介して貼り合わせられている。そして、第１の基板１２と、第２の基板１４とが形成する空間であって、シール材２３０の内側部分に対して、開口部２３０ａを介して液晶を注入した後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えている。
すなわち、図３に示すように、第１の基板１２と第２の基板１４との間に液晶２３２が充填されるとともに、密封されていることが好ましい。
なお、以下の説明においては、第１の基板の基体として第１のガラス基板を使用し、また、第２の基板の基体として第２のガラス基板を使用した例について説明する。

（２）配線
図２に示すように、第２のガラス基板２７の内面（第１のガラス基板１３に対向する表面）上に、複数のストライプ状のデータ電極（第２の配線パターン）２６を形成し、第１のガラス基板１３の内面（第２のガラス基板２７に対向する表面）上には、複数のストライプ状の走査電極（第１の配線パターン）１９を形成することが好ましい。また、第１の基板１２上の第１の配線パターン１９を、第２のガラス基板２７上の引回し配線２８に対して、導電性粒子を含むシール材２３０を介して導電接続することが好ましい。
また、データ電極にはＴＦＤ素子を介してＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる画素電極が接続され、当該画素電極と走査電極との交差領域がマトリクス状に配列されて多数の画素を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成することになる。
なお、以下の説明においては、第２の配線パターンには、データ電極及び引回し配線を含むものとする。

また、図２に示すように、第２のガラス基板２７は、第１のガラス基板１３の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部１４Ｔを有し、この基板張出部１４Ｔ上には、データ電極２６、引回し配線２８及び独立して形成された複数の配線パターンからなる外部接続用端子２１９が形成されていることが好ましい。
また、基板張出部１４Ｔ上には、これらデータ電極２６、引回し配線２８及び外部接続用端子２１９に対して導電接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体素子（ＩＣ）２６１が実装されていることが好ましい。
さらに、基板張出部１４Ｔの端部には、外部接続用端子２１９に導電接続されるように、フレキシブル配線基板１１０が実装されていることが好ましい。

（３）位相差板及び偏光板
図２に示される液晶パネル２００において、図３に示すように、第１のガラス基板１３の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）２５０及び偏光板２５１が配置されていることが好ましい。
そして、第２のガラス基板２７の外面においても、位相差板（１／４波長板）２４０及び偏光板２４１が配置されていることが好ましい。

２．第１の基板（カラーフィルタ基板）
（１）基本的構成
第１の基板１２は、図３に示すように、基本的に、第１のガラス基板１３と、着色層１６と、遮光層１８と、第１の配線パターン１９と、から構成してあることが好ましい。
また、第１の基板１２において、図３に示すように、画素毎に着色層１６が形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層（表面保護層あるいはオーバーコート層）２１５により、被覆してあることが好ましい。このようにして、着色層１６と平坦化層（表面保護層）２１５とによってカラーフィルタが形成されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層（図示せず。）を設けることも好ましい。

（２）着色層
また、図３に示す着色層１６は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術（エッチング法）によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。

（３）遮光層
また、図３に示すように、画素毎に形成された着色層１６の間の画素間領域に、遮光層（ブラックマトリクス、あるいはブラックマスクと称する場合もある。）１８を形成することが好ましい。
このようなブラックマトリクス１８としては、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。また、カーボン等の黒色材料を使用しなくとも優れた遮蔽効果を得ることができることから、加色法を利用して、Ｒ（赤）層、Ｇ（緑）層、Ｂ（青）層の三層構造とすることも好ましい。

（４）第１の配線パターン（走査電極）
図３に示すように、平坦化層２１５の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる第１の配線パターン１９を形成することが好ましい。かかる第１の配線パターン１９は、表示領域及び非表示領域にまたがる複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、第１の配線パターンの高さ（厚さ）を１〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましく、２〜１５μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
この理由は、第１の配線パターンの高さ（厚さ）が１μｍ未満の値となると、電気抵抗の値が過度に大きくなってしまう場合があるためである。一方、第１の配線パターンの高さが２０μｍを超えると、セルギャップにバラつきが生じたり、あるいは、電気光学装置の薄型化を図ることが困難になる場合があるためである。
また、隣接する第１の配線パターン１９間の距離を２０〜５０μｍの範囲内の値とすることが好ましく、２２〜４５μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。すなわち、通常、シール材に含まれる導電性粒子の粒径が１０μｍ程度であることを考慮して、隣接する第１の配線パターン１９間の距離を定めることが好ましい。
この理由は、かかる距離が２０μｍ未満の値となると、隣接する第１の配線パターン間で静電気が発生して静電気破壊が発生しやすくなり、表示不良等が生じる場合があるためである。一方、かかる距離が５０μｍを超えると、画素領域以外の面積が大きくなり、高精細な画像を表示させることが困難となる場合があるためである。

また、第１の基板における第１の配線パターンの端部位置は、シール材の外縁より内側に存在することが好ましい。すなわち、図１（ａ）に示すように、かかる液晶表示装置を平面的に透視した場合に、第１の配線パターン１９がシール材２３０の外縁２３０ａより外側に存在しないように配置されていることが好ましい。
ただし、第１の基板における第１の配線パターンは、通常、導電性粒子を含むシール材を介して、第２の基板における引回し配線と電気的に導通を取ることが必要である。そのため、図１（ａ）に示すように、第１の配線パターン１９の端部位置は、シール材２３０の内縁よりも外側に存在することが好ましい。このように構成することにより、第１の配線パターンと第２の基板における引回し配線とが電気的に導通されるとともに、金属フレームや異物の接触等による静電気破壊の発生を確実に防止することができる。
また、第１の基板１２の各辺に存在する複数の第１の配線パターンの端部位置が均一であることが好ましい。すなわち、図１（ａ）に示すように、第１のガラス基板１３の縁部１３ａの一辺側に存在する、複数の第１の配線パターン１９の端部１９ａと、当該第１のガラス基板１３の縁部１３ａとの距離が実質的に等しいことが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、各配線パターンと、シール材との接触面積が均一化されるためである。したがって、各配線パターンと、第２の基板上の引回し配線との導通特性が良好に保たれ、優れた画像表示を実現することができる。また、このように構成することにより、電気光学装置のセルギャップの均一化を図ることができるためである。

（６）ダミーパターン
（６）−１ 基本的構成
第１実施形態の液晶表示装置は、第１の基板において、図１（ａ）に示すように、対向する第２の基板における第２の配線パターンの形状に対応して、非表示領域（第２の配線パターンと、画素電極とが重なる領域４０以外の領域）に形成され、上述の第１の配線パターン１９と離間しているダミーパターン４１を備えている。
すなわち、かかるダミーパターンを備えることにより、表示領域と非表示領域とのセルギャップの均一化を図り、背景色のムラをなくすことができるためである。したがって、第１の基板において、シール材が付着する領域も含めた非表示領域に、かかるダミーパターンを形成することが好ましい。
また、かかるダミーパターンを構成する材料としては、表示領域との背景色の均一化を図るために、透明性を有する材料であることが好ましい。なかでも、同時工程で形成が可能であるとともに、容易に背景色の均一化を図ることができることから、第１の配線パターンと同じ材料であることがより好ましく、具体的には、インジウムスズ酸化物であることが好ましい。

また、かかるダミーパターン４１において、表示領域４０側と、第１のガラス基板１３の縁部１３ａ側と、に分割して、電気絶縁するための間隙４３を、少なくとも一つ以上備えることを特徴としている。
すなわち、所定の間隙を設けることにより、ダミーパターンに対して外部から金属フレームや異物が接触した場合であっても、当該ダミーパターンを介して、第１の配線パターンにまで、静電気の影響が及ぶことを効果的に防止することができるためである。したがって、第１の配線パターン等における静電気破壊が発生することを防止することができる。
なお、このように構成することにより、ダミーパターンを介して、第１の配線パターンから外部の金属フレーム等へ静電気が放電することを防止して、かかる場合における配向膜へのダメージ等についても効果的に防止することができる。

（６）−２ 間隙の位置
また、図１（ａ）に示すように、ダミーパターン４１において、シール材２３０が設けられた領域よりも内側の領域に間隙を設けることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、シール材中に含まれる導電性粒子の粒径と間隙の幅との関係を考慮する必要がなくなるためである。すなわち、シール材が設けられた領域に間隙を形成した場合には、シール材中の導電性粒子を介して、ダミーパターン片同士が導通する場合がある。したがって、シール材が設けられた領域よりも内側の領域に間隙を設けることにより、ダミーパターン片同士が導電性粒子を介して導通することを防止して、第１の配線パターン等における静電気破壊を効果的に防ぐことができる。

（６）−３ 間隙の幅
また、図４に示すように、ダミーパターン４１に設ける間隙４３の幅（Ａ）を１０〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、ダミーパターンの間隙の幅（Ａ）が１０μｍ未満の値となると、ダミーパターンに対して外部から金属フレームや異物が接触した場合に、分割したダミーパターン間においても、間隙を超えて静電気が伝わる場合があるためである。したがって、結局、第１の配線パターン等における静電気破壊の発生を防止することが困難になるためである。一方、ダミーパターンの間隙の幅（Ａ）が２０μｍを超えると、間隙部分において、背景色のムラが視認されてしまう場合があるためである。
したがって、ダミーパターンの間隙の幅（Ａ）を１２〜１９．５μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１５〜１９μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。

（６）−４ 間隙の数
また、ダミーパターンに設ける間隙の数に関して、少なくとも一個以上設けることが好ましいが、第１の配線パターン等における静電気破壊の発生をより確実に防止することができることから、複数設けることも好ましい。
この理由は、間隙が一個だけの場合には、その幅にもよるが、分割したダミーパターン片の間に、間隙を越えて静電気が伝わる場合があり、結局、第１の配線パターン等における静電気破壊を確実に防止することが困難となるためである。したがって、間隙を複数個設けた場合には、一箇所において、間隙を越えて静電気が伝わったとしても、第１の配線パターン等にまで静電気の影響が及ぶ可能性は低くなる。
ただし、間隙の数が多くなりすぎると、形成する際の制御が困難となることから、ダミーパターンに設ける間隙の数を２〜５個の範囲内とすることがより好ましい。

（６）−５ 間隙の形状
また、ダミーパターンに設ける間隙の形状は特に制限されるものではなく、例えば、図５（ａ）〜（ｄ）に示すような形状とすることができる。中でも、製造工程において形成が容易であるとともに、背景色のムラとして視認されることが少なくなることから、図５（ａ）〜（ｂ）に示すような直線状とすることが好ましい。
さらに、隣接するダミーパターンにそれぞれ設けられる間隙同士の位置関係についても特に制限されるものではなく、図６（ａ）〜（ｂ）に示すような配置が考えられるが、製造工程において形成が容易であることから、図６（ｂ）に示すように、隣接するダミーパターンにそれぞれ設けられる間隙が、同一直線状に並ぶように配置することが好ましい。

（６）−６ ダミーパターン片の面積
また、ダミーパターンにおいて、間隙により分割された、それぞれのダミーパターン片の面積に関し、図６（ｂ）に示すように、一つのダミーパターン４１を構成するそれぞれのダミーパターン片４９の面積を実質的に等しくすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、間隙を含むダミーパターンを精度よく形成することができるためである。また、ダミーパターンが帯電した場合であっても、それぞれのダミーパターン片に滞留する電荷の差をできる限り均等にして、ダミーパターン間において静電気が伝わることを有効に防止することができるためである。
なお、分割したそれぞれのダミーパターン片とは、分割されたダミーパターン片のうち、両端部のダミーパターン片を除いたダミーパターン片を意味する場合も含むものとする。

（６）−７ 第１の配線パターンとの距離
また、図４に示すように、ダミーパターン４１と、第１の配線パターン１９と、の間の距離（Ｂ）を３０〜１００μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる距離（Ｂ）が３０μｍ未満の値となると、間隙を含むダミーパターンにおいて、間隙を越えて静電気が伝わった場合に、第１の配線パターンに対しても、静電気の影響が及んでしまう場合があるためである。一方、かかる距離（Ｂ）が１００μｍを超えると、背景色のムラが視認されやすくなる場合があるためである。
したがって、ダミーパターンと、第１の配線パターンと、の間の距離（Ｂ）を３５〜８０μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、４０〜６０μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、ダミーパターンと、第１の配線パターンと、の間の距離（Ｂ）とは、図７（ａ）〜（ｂ）に示すように、それぞれの間隙を含むダミーパターン４１において、第１の配線パターン１９に最も近い部分４４と、当該第１の配線パターン１９との直線距離を意味する。

また、図４に示すように、ダミーパターン４１と、第１の配線パターン１９と、の間の距離（Ｂ）を、ダミーパターン４１に設ける間隙４３の幅（Ａ）よりも大きくすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、ダミーパターンに設けられた間隙を越えて静電気が伝わった場合においても、ダミーパターンと、第１の配線パターンとの間を、静電気が伝わることを防止することができるためである。したがって、第１の配線パターン等において静電気破壊が発生することを効果的に防止することができるためである。
なお、このように構成することにより、ダミーパターンを介して、第１の配線パターンから外部の金属フレーム等へ静電気が放電することも効果的に防止することができる。

また、図４及び図７（ａ）に示すように、ダミーパターン４１において、第１の配線パターン１９に対向する側の辺４２を、当該第１の配線パターン１９と平行に配置することが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、図７（ｂ）に示すように配置した場合と比較して、第１の配線パターン１９と、ダミーパターン４１とが、電気的に接続されにくくなるためである。すなわち、ダミーパターンを、図７（ｂ）に示すように配置した場合には、ダミーパターン４１が帯電すると、第１の配線パターン１９に最も近い端部４１ｂに電荷が集中して、第１の配線パターンとの間で、導電状態になりやすくなる。かかる状態を緩和するためには、第１の配線パターンに最も近い部分が、点ではなく、線あるいは面であることが有効である。したがって、ダミーパターンを、図７（ａ）に示すように配置することにより、ダミーパターンの端部位置における電荷を分散させることができる。

（６）−８ 基板の縁部との距離
また、図４に示すように、ダミーパターン４１と、第１のガラス基板１３ａの縁部と、の距離（Ｃ）を０．３〜３ｍｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる距離（Ｃ）が０．３ｍｍ未満の値となると、ダミーパターンに対して外部から金属フレームや異物が接触しやすくなり、ダミーパターンに対して、ひいては、第１の配線パターンに対して静電気が伝わり、静電気破壊等が生じやすくなる場合があるためである。一方、かかる距離（Ｃ）が３μｍを超えると、第１の基板、ひいては電気光学装置が大型化してしまう場合があるためである。
したがって、ダミーパターンと、第１のガラス基板１３の縁部１３ａとの距離（Ｃ）を０．５〜２．８ｍｍの範囲内の値とすることがより好ましく、０．７〜２．５ｍｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、ダミーパターン４１と、第１のガラス基板１３の縁部１３ａと、の距離（Ｃ）とは、図７（ａ）〜（ｂ）に示すように、間隙を含むダミーパターン４１において、第１のガラス基板１３の縁部１３ａに最も近い部分４８と、当該基板の縁部１３ａとの直線距離を意味する。

（６）−９ 線幅
また、ダミーパターンの線幅に関して、図８に示すように、第１の基板１２上に、線幅Ｗｄの異なる複数のダミーパターン４１ａ、４１ｂが存在するとともに、それらのピッチ間隔Ｗｐに対する線幅Ｗｄの比率を、それぞれ実質的に等しくすることが好ましい。
すなわち、図１（ｂ）に示すように、第２の基板１４上におけるデータ電極２６や引回し配線２８の線幅は、通常、領域ごとに異なっている。したがって、図１（ａ）に示すように、それらに対向して第１の基板１２上において形成されるダミーパターン４１の線幅もそれぞれ領域ごとに異なることとなる。かかる場合に、それぞれの領域において、ダミーパターンのピッチ間隔に対するダミーパターンの線幅の比率がそれぞれ異なる場合には、非表示領域におけるセルギャップが、領域ごとに不均一となるために、背景色にムラが生じる場合がある。したがって、図８に示すように、ダミーパターンの線幅Ｗｄの異なるそれぞれの領域において、ダミーパターンのピッチ間隔Ｗｐに対する当該ダミーパターンの線幅Ｗｄの比率をそれぞれ実質的に等しくすることによって、背景色にムラが生じることを防止することができる。

（７）配向膜（第１の配向膜）
また、図３に示すように、第１の配線パターン１９の上には、ポリイミド樹脂等からなる第１の配向膜２１７が形成されていることが好ましい。
この理由は、このように配向膜２１７を設けることにより、第１の基板１２を液晶表示装置等に使用した場合に、電気光学物質（液晶）の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができるためである。

３．第２の基板（素子基板）
（１）基本構造
図２及び図３に示すように、第１の基板１２と対向するもう一方の第２の基板１４は、基本的に、第２のガラス基板２７と、第２の配線パターンとしてのデータ電極２６及び引回し配線２８と、データ電極２６にＴＦＤ素子（図示せず）を介して接続された画素電極２０と、から構成してあることが好ましい。
また、第２の基板において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、第２のガラス基板と、画素電極との間に、反射層（半透過反射板）を設けることが好ましい。この反射層は、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成することが好ましい。また、反射層には、画素毎に、反射面を有する反射部と、開口部とが設けられていることが好ましい。
また、図３に示すように、データ電極２６上には、第１の基板１２における第１の配向膜２１７と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜２２４が形成されていることが好ましい。
なお、第１実施形態の液晶表示装置の例では、着色層を第１のガラス基板１３上に設けてあるが、第２のガラス基板２７上に着色層を設けることも好ましい。

（２）第２の配線パターン
（２）−１ データ電極
また、第２の基板には、図１（ｂ）に示すように、第２の配線パターンの一つであるデータ電極２６を設けることが好ましい。かかるデータ電極２６は、図１（ｂ）に示すように、表示領域及び非表示領域にまたがる複数の金属膜が、並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、データ電極は、図１（ｂ）に示すように、シール材２３０の外側であって、第２のガラス基板２７における基板張出し部１４Ｔまで延設されているとともに、一端側が外部接続用端子２１９の一部とされていることが好ましい。

（２）−２ 引回し配線
また、第２の基板には、図１（ｂ）に示すように、第２の配線パターンの一つである引回し配線２８を設けることが好ましい。かかる引回し配線２８についても、複数の金属膜が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、かかる引回し配線は、シール材２３０の外側であって、第２のガラス基板２７における基板張出し部１４Ｔまで延設され、一端側が外部接続用端子２１９の一部とされていることが好ましい。そして、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、引回し配線２８の端部のうち、外部接続用端子２１９が設けられていない側の端部が、シール材２３０を介して第１の基板１２上の第１の配線パターン１９と電気的に導通されることが好ましい。
ここで、図９（ａ）〜（ｃ）に、液晶パネルにおける第２の基板１４上の引回し配線２８と、第１の基板１２上の第２の配線パターン１９と、シール材２３０と、を示す概略平面図を示す。すなわち、図９（ａ）は、第２の基板１４における、外部接続用端子２８ａが設けられている側の辺に対して垂直な二辺まで引回し配線２８を形成して、第１の基板１２上の第１の配線パターン１９と導通を取っている例を示している。また、図９（ｂ）は、第２の基板１４における、外部接続用端子２８ａが設けられている側の辺に対して垂直な一辺まで引回し配線２８を形成して、第１の基板１２上の第１の配線パターン１９と導通を取っている例を示している。さらに、図９（ｃ）は、第２の基板１４における、外部接続用端子２８ａが設けられている辺側であって、データ電極２６が存在しない部分を利用して、引回し配線２８と第１の基板１２上の第１の配線パターン１９との導通を取っている例を示している。
このように、引回し配線の配線パターンとしては様々な態様があるが、いずれの場合においても、上述したように、第１の基板上に、かかる引回し配線の配線パターンの形状に対応させてダミーパターンを形成することにより、セルギャップの均一化が図られることとなる。

（２）−３ 端部位置
また、図１（ｂ）に示すように、第２の基板１４における外部接続用端子２１９が設けられていない側の第２の配線パターン（データ電極２６及び引回し配線２８を含む。以下同様）の端部２６ａ、２８ａが、上述した第１の基板における走査電極の端部と同様に、シール材２３０の外縁２３０ａより内側に存在することが好ましい。すなわち、金属フレームや異物が接触することによる静電気破壊の発生を確実に防止することができるためである。

（３）ダミーパターン
第２の基板においても、第１の基板と同様に、非表示領域と表示領域とのセルギャップの均一化を図り、背景色のムラをなくすために、図１（ｂ）に示すように、対向する第１の基板における第１の配線パターンの形状に対応して、非表示領域（第１の配線パターンと、データ電極とが重なる領域４０以外の領域）に形成されたダミーパターン４１を備えている。そして、当該ダミーパターン４１を介して、第２の配線パターン（データ電極）２６等に静電気が伝わることによる静電気破壊が発生することを防止するために、表示領域４０側と、第２のガラス基板２７の縁部２７ａ側と、に分割して、電気絶縁するための間隙４３を、少なくとも一つ以上備えることを特徴としている。
第２の基板に設けるダミーパターンについては、上述した第１の基板に設けるダミーパターンと同様とすることができるために、ここでの説明は省略する。
なお、対向する第１の基板上の第１の配線パターンとは、パッシブマトリクス型構造や、ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルにおいては、走査電極及び当該走査電極に接続される引回し配線を意味する。また、ＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス形構造を有する液晶パネルにおいては、分割あるいはパターン化された共通電極を意味する。

（４）二端子型非線形素子
二端子型非線形素子としては、ＴＦＤ素子が典型的である。
かかるＴＦＤ素子は、素子第１電極（第１金属膜）、絶縁膜、及び素子第２電極（第２金属膜）からなるサンドイッチ構成を有することが好ましい。ここで、第１金属膜や第２金属膜としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）や、クロム（Ｃｒ）等が挙げられる。また、絶縁膜としては、このような金属材料を陽極酸化させて構成してあることが好ましい。例えば、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）等が挙げられる。
そして、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、第１金属膜及び第２金属膜の両端子間に印加されると導通状態となるアクティブ素子である。
また、二端子型非線形素子の構成に関して、二個のＴＦＤ素子は、第１の配線パターン又は第２の配線パターン（データ線）と、画素電極との間に介在するように、第２のガラス基板上に形成され、反対のダイオード特性を有する第１のＴＦＤ素子及び第２のＴＦＤ素子から構成してあることが好ましい。
さらに、第１のＴＦＤ素子及び第２のＴＦＤ素子において、それぞれ別個の第２金属膜が設けてあるが、絶縁膜及び第１金属膜は、それぞれ共通していることが好ましい。
なお、ＴＦＤ素子以外にも、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子のような非線形素子を使用することもできる。

（５）画素電極
また、第２の基板上には、画素電極として、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる画素電極を形成することが好ましい。
そして、画素電極の端部には、配向規制手段としてのスリットを設けることが好ましい。このようなスリットを設けることにより、液晶分子の配向方向を制御して、視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態は、シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を備えるとともに、第１の基板は、表示領域及び非表示領域にまたがる第１の配線パターンを有し、第２の基板は、第２の配線パターンと、第１の配線パターンの形状に対応して非表示領域に形成され、第２の配線パターンと離間しているダミーパターンと、を有する電気光学装置の製造方法である。
そして、当該ダミーパターンを分割する間隙を、少なくとも一つ以上形成する工程を含むことを特徴とする。
以下、図１１〜図１５を参照しながら、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態について、ＴＦＤ素子を有するアクティブマトリクス型構造の液晶表示装置の製造方法を例に採って、詳細に説明する。

１．構成
製造対象の電気光学装置として、第１の基板及びその対向基板としての第２の基板を使用した液晶表示装置を例にとって説明するが、第１の基板及び第２の基板の構成については、第１実施形態と同様であるため、ここでの説明を省略する。

（１）第１の基板（カラーフィルタ基板）の製造
（１）−１ カラーフィルタの形成
図１１（ａ）に示すように、第１のガラス基板１３上には、画像表示領域に相当する箇所に、及び着色層１６、遮光層１８を順次形成することが好ましい。
また、着色層１６は、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、第１のガラス基板１３等の上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによっても形成することができる。なお、複数の色の着色層１６を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
また、かかる着色層１６を重ね合わせることにより、遮光層１８を形成することが好ましい。あるいは、カーボン等の黒色材料を使用して、遮光層１８を形成することも好ましい。

（１）−２ 保護膜の形成
次いで、図１１（ｂ）に示すように、第１の基板１２上に全面的に透光保護層２１５Ｘを形成する。この透光保護層２１５Ｘは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
次いで、上記透光保護層２１５Ｘに、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１１（ｃ）に示すように、画像表示領域に限定された保護膜２１５を形成する。この工程によって、透光保護層２１５Ｘから画像表示領域以外の領域、すなわち、図３に示すシール材２３０の外側に配置される領域とほぼ同じ領域上から透光性素材が欠落されることが好ましい。このように実施することにより、セルギャップの均一化を図ることができるためである。

（１）−３ 第１の配線パターンの形成
次いで、図１１（ｄ）に示すように、保護膜２１５上に、全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層１９Ｘを形成することが好ましい。この透明導電層１９Ｘは、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。そして、透明導電層１９Ｘに対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１１（ｅ）に示すように第１の配線パターン１９を形成することが好ましい。
より詳細には、まず、図１２（ａ）〜（ｂ）に示すように、保護膜２１５を含む第１のガラス基板１３上に、全面的に透明導電材料からなる透明導電層１９Ｘを形成する。ここで、図１２（ｂ）に示すように、透明導電層１９Ｘを積層するにあたり、あらかじめ、Ｔａ_２Ｏ_５やＳｉＯ_２等からなる下地層８１を形成することも好ましい。この理由は、形成される透明導電層１９Ｘの結晶性等を均一化させて、保護膜及びガラス基板に対する透明導電層の密着性を高めることができるためである。
次いで、図１２（ｃ）に示すように、透明導電層１９Ｘ上に所定のレジスト材料８６´を塗布した後、図１２（ｄ）に示すように、所定のマスクパターン８７を施した上で露光して、現像することにより、図１２（ｅ）に示すように、レジスト材料８６を塗布した後、所定形状にパターニングする。そして、図１２（ｆ）に示すように、透明導電材料１９Ｘに対してエッチング処理を行った後、再び露光、及び現像して、レジスト材料を剥離する。
このようにして、図１２（ｇ）及び図１１（ｄ）に示すように、所定パターン（図示せず）の第１の配線パターン１９を形成することが好ましい。このように形成された第１の配線パターンは、静電気の発生が少ないことが判明している。なお、図１１（ｄ）は、図１２（ｇ）のＸＸ断面を矢印方向に見た図を示している。

（１）−４ ダミーパターンの形成
次いで、図示しないが、第１の基板上の非表示領域に、第１実施形態で説明したような、間隙を含むダミーパターンを形成することが好ましい。このとき、当該ダミーパターンの形成工程を、第１の配線パターンを形成する工程と同時に実施することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、工程数を増やすことなく、効率よくダミーパターンを形成することができるためである。したがって、背景色の均一化を図るとともに、第１の配線パターンにおいて静電気破壊の発生が少ない電気光学装置を効率的に得ることができる。

（２）第２の基板（素子基板）の製造
（２）−１ 引回し配線の形成
第２の配線パターンとしてのデータ電極及び引回し配線は、スパッタリング法等により、第２のガラス基板上に、導電性の金属材料、例えば、クロム、アルミニウム、チタン、モリブデン等を、通常、５０〜３００ｎｍの厚さに全面的に形成した後、それをフォトリソグラフィ技術やエッチング法を用いて、パターニングすることにより形成されることが好ましい。
以下、図１３〜図１４を参照して、詳細に説明する。

まず、図１３（ａ）に示すように、ガラス基板２７上に、全面的に導電性の金属膜材料２６´をスパッタリング法等により積層する。このとき、図示しないが、ガラス基板と、金属膜材料との密着性を向上させることができることから、第２の基板１４のガラス基板２７上に、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）等からなる絶縁膜を形成することも好ましい。
次いで、図１３（ｂ）に示すように、その上からレジスト材料８２を全面的に塗布する。その後、図１３（ｃ）に示すように、開口部８３ｂを有するフォトマスク８３を介して、例えば、開口部８３ｂに対応した位置のみに光を照射し、パターン露光した後、図１３（ｄ）に示すように現像して、マスクの開口部８３ｂに対応した箇所のみにレジスト８２´を残す。
次いで、図１４（ａ）に示すように、エッチング法により、レジスト２５´に被覆されていない箇所の導電性の金属膜材料２６´を除去した後、さらに図１４（ｂ）に示すように、レジスト２５´を除去して、パターン化されたデータ電極２６等を形成する。
次いで、図１４（ｃ）に示すように、データ電極２６等の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、酸化膜２３を形成することが好ましい。より具体的には、データ電極２６等が形成されたガラス基板２７を、クエン酸溶液等の電解液中に浸漬した後、かかる電解液と、データ電極２６等との間に所定電圧を印加して、データ電極２６等の表面を酸化させることが好ましい。なお、酸化膜２３の厚さは適宜変更することができるが、通常、１０〜５０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。

以上のようにして形成されるデータ電極及び引回し配線は、第１の基板における第１の配線パターンの端部と同様に、外部接続用端子が設けられていない側のデータ電極及び引回し配線の端部の位置を制御して、形成することが好ましい。なお、かかるデータ電極等の端部位置の詳細については、第１実施形態において説明した第１の配線パターンの端部位置と同様とすることができるために、ここでの説明を省略する。

（２）−２ ＴＦＤ素子の形成
次いで、図示しないが、上述のデータ電極等の形成方法と同様の方法により素子第１電極を形成した後、再び、スパッタリング法等により、素子第１電極上に、全面的に金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ法を用いて、パターニングすることにより、素子第２電極を形成し、ＴＦＤ素子を形成することが好ましい。

（２）−３ 画素電極の形成
次いで、図示しないが、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより、図１４（ｄ）に示すように、画素電極２０を形成することが好ましい。

（２）−４ ダミーパターンの形成
次いで、図示しないが、第２の基板上の非表示領域に、第１の基板上に形成したような、間隙を含むダミーパターンを形成することが好ましい。このとき、工程数を増やすことなく、効率よくダミーパターンを形成することができることから、当該ダミーパターンの形成工程を、画素電極を形成する工程と同時に実施することが好ましい。

（３）貼り合わせ工程
（３）−１ シール材の印刷
次いで、図１５（ａ）に示すように、第１の基板上において、エポキシ樹脂等を主成分とするシール材２３０を、スクリーン印刷やディスペンサにより、表示領域を囲むようにパターニングして形成することが好ましい。
このとき、シール材の印刷位置に関し、図１５（ａ）に示すように、シール材２３０の外縁２３０ａと、第１の配線パターン１９の端部１９ａとを、実質的に一致させて印刷することが好ましい。この理由は、このような位置にシール材を印刷することにより、後述するプリベーク工程を経て、第１の基板と第２の基板とを張合わせた際に、第１の配線パターンの端部を、シール材の外縁よりも内側に存在させることが容易になるためである。また、シール材と、第１の配線パターンとの接触面積を比較的大きく確保することができるためである。さらに、第１の配線パターンの端部を位置合わせの目安にできるために、シール材の印刷位置決めを容易にすることができるためである。したがって、第１の配線パターンと、第２の基板における引き回し配線との導通を確実に取ることができるとともに、金属フレームや異物の接触による静電気破壊の発生を有効に防止することができる。
なお、本実施形態においては、第１の基板上にシール材を形成しているが、第２の基板上に印刷しても構わない。

（３）−２ プリベーク
次いで、所定形状にパターニングされたシール材が印刷された第１のガラス基板を低温処理（プリベーク）して、シール材中の溶剤を蒸発させることが好ましい。
このとき、シール材の硬化温度よりも低い温度条件で、減圧しながらプリベークすることが好ましい。例えば、３５〜７０℃程度の温度条件、５０〜９０ｋＰａの圧力条件の下で、実施することが好ましい。このような条件でプリベーク工程を実施することにより、シール材中に残留する溶剤を効率よく蒸発させるとともに、シール材から十分に脱気することができるためである。したがって、電気光学装置の製造後において、シール材内の気泡に起因する表示ムラや、断線等を、効果的に防止することができるためである。
また、シール材をプリベークした際には、図１５（ｂ）に示すように、シール材２３０の粘度が低下して、当該シール材２３０の幅が広がるとともに、シール材２３０の外縁２３０ａが、第１の配線パターン１９の端部１９ａよりも外側に位置していることが好ましい。このように実施することにより、第１の基板と第２の基板とを貼合せた際に、第１の配線パターンの端部を、シール材の外縁よりも内側に存在させることが容易になるためである。また、シール材と、第１の配線パターンの接触面積を広くすることができるためである。

（３）−３ 圧着
次いで、シール材が積層された第１の基板に対して、第２の基板を重ね合わせて接合させた後、加熱しながら加圧保持して、第１の基板と第２の基板とを貼合せることが好ましい。このとき、図１５（ｃ）に示すように、第１の配線パターン１９や、データ電極２６、引回し配線２８の所定の端部が、シール材２３０の外縁２３０ａよりも内側に存在するように貼り合わせることが好ましい。
このようにすれば、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた際に、第１の基板における第１の配線パターン、第２の基板における外部接続用端子が設けられていない側のデータ電極、引回し配線を、外部に露出させないようにできる。したがって、金属フレームや異物の接触による静電気破壊の発生を効果的に防止できる電気光学装置を得ることができる。

（４）液晶の注入及び偏光板の配置
次いで、第１の基板及び第２の基板が形成する空間であって、シール材の内側部分に対して、電気光学物質（液晶）を注入した後、封止材等にて封止することが好ましい。例えば、第１の基板及び第２の基板のそれぞれの外面に、偏光板を配置するとともに、液晶分子の配向方向を制御することにより、ノーマリーブラックモードの液晶表示装置を得ることができる。

［第３実施形態］
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の液晶表示装置を備えた電子機器について具体的に説明する。

図１６は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル２００と、これを制御するための制御手段１２００とを有している。また、図１６中では、液晶パネル２００を、パネル構造体２００Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２００Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。

また、表示情報処理回路１２２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２００Ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２００Ｂは、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路１２３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、第１の基板及び第２の基板において、非表示領域に所定の間隙を含むダミーパターンを形成した液晶表示装置を使用している。そのために、背景色の均一化を図れるとともに、静電気破壊の発生が少なく、信頼性に優れた電子機器とすることができる。

本発明によれば、所定の間隙を含むダミーパターンを形成することにより、背景色の均一化を図るとともに、静電気破壊の発生を防止することができ、電気光学物質として液晶分子を用いた電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を用いた装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、無機又は有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置等に使用することができる。

また、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各実施形態に示す液晶パネルはＴＦＤ素子を有するアクティブマトリクス型の構造を備えているが、その他のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の電気光学装置や、パッシブマトリクス型の電気光学装置にも適用することができる。
また、上記実施形態の液晶パネルは所謂ＣＯＧタイプの構造を有しているが、半導体素子（ＩＣチップ）を直接実装する構造ではない液晶パネル、例えば液晶パネルにフレキシブル配線基板やＴＡＢ基板を接続するように構成されたものであっても構わない。

（ａ）は、本発明に係る第１実施形態の電気光学装置に使用する第１の基板の要部を示す概略平面図であり、（ｂ）は、本発明に係る第１実施形態の電気光学装置に使用する第２の基板の要部示す概略平面図である。 本発明に係る第１実施形態の電気光学装置を構成する液晶パネルの外観を示す概略斜視図である。 液晶パネルを模式的に示す概略断面図である。 第１の配線パターン及びダミーパターンの配置を説明するために供する図である。 （ａ）〜（ｄ）は、ダミーパターンの間隙の形状を説明するために供する図である。 （ａ）〜（ｂ）は、ダミーパターンの間隙の配置を説明するために供する図である。 間隙を含むダミーパターンと、配線パターン及び基板の縁部と、の距離について説明するために供する図である。 ダミーパターンのピッチ間隔に対するダミーパターンの線幅の比率について説明するために供する図である。 （ａ）〜（ｃ）は、それぞれ第２の基板上の引回し配線と、第１の基板上の第１の配線パターンとの導通位置について説明するために供する図である。 パッシブマトリクス型構造の電気光学装置に使用する第２の基板の配線例を説明するために供する図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第１の基板を形成するための製造工程を示す断面図である（その１）。 （ａ）〜（ｇ）は、第１の基板を形成するための製造工程を示す断面図である（その２）。 （ａ）〜（ｄ）は、第２の基板を形成するための製造工程を示す断面図である（その１）。 （ａ）〜（ｄ）は、第２の基板を形成するための製造工程を示す断面図である（その２）。 （ａ）〜（ｃ）は、電気光学装置の製造工程を示す平面図である。 本発明に係る電子機器の実施形態の概略構成を示すブロック図である。 従来の電気光学装置のダミーパターンの構成を示す平面図である。

符号の説明

１０：電気光学装置（液晶表示装置）、１２：第１の基板（カラーフィルタ基板）、１３：第１のガラス基板、１３ａ：基板の縁部、１４：第２の基板（素子基板）、２７：第２のガラス基板、１９：第１の配線パターン（走査電極）、１９ａ：第１の配線パターンの端部、２６：第２の配線パターン（データ電極）、２６ａ：データ電極の端部、２８・２９：第２の配線パターン（引回し配線）、２８ａ：引回し配線の端部、４１：ダミーパターン、４３：間隙、２００：液晶パネル、２３０：シール材、２３０ａ：シール材の外縁

Claims (9)

1. シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置において、前記第１の基板は、表示領域及び非表示領域にまたがる第１の配線パターンを備え、前記第２の基板は、第２の配線パターンと、前記第１の配線パターンの形状に対応して前記非表示領域に形成され、前記第２の配線パターンと離間しているダミーパターンと、を備えるとともに、当該ダミーパターンを分割する間隙を、少なくとも一つ以上備え、前記間隙は、前記シール材が設けられた領域よりも内側の領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第２の配線パターンは、表示領域及び非表示領域にまたがって形成され、前記第１の基板は、当該第２の配線パターンの形状に対応して前記非表示領域に形成されるとともに、前記第１の配線パターンと離間しているダミーパターンを備え、かつ、当該ダミーパターンを分割する間隙を、少なくとも一つ以上備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第２の基板において、前記ダミーパターンの間隙の幅（Ａ）を、当該ダミーパターンと、前記第２の配線パターンと、の間の距離（Ｂ）よりも小さくすることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記ダミーパターンにおいて、前記第２の配線パターンに対向する側の辺を、当該第２の配線パターンと平行に配置することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記ダミーパターンにおいて、分割したそれぞれのダミーパターン片の面積を実質的に等しくすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記第２の基板において、前記ダミーパターンの線幅が異なる複数の領域が存在するとともに、それぞれの領域における前記ダミーパターンのピッチ間隔に対する当該ダミーパターンの線幅の比率を、実質的に等しくすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記ダミーパターンの間隙の幅（Ａ）を１０〜２０μｍの範囲内の値とするとともに、当該ダミーパターンと、前記第２の配線パターンと、の間の距離（Ｂ）を３０〜１００μｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記ダミーパターンと、前記第２の基板の縁部と、の間の距離（Ｃ）を０．３〜３ｍｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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