JP2005208345A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 ショート等の発生を少なくすることにより、電気的特性の検査が困難な電極パターン間における検査を省略することができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 複数の電極パターンからなる配線ブロックを少なくとも３つ以上有する第１の基板と、当該複数の電極パターンに対応した配線パターンを有する第２の基板と、が互いに対向配置され、表示領域と、非表示領域とを備える電気光学装置であって、
表示領域における複数の電極パターンを一定のピッチ間隔で配置するとともに、
非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）を、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離（ｗ２、ｗ３）よりも、それぞれ広くすることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
特に、ショート等の発生を少なくすることにより、電極パターンのピッチ間隔が狭い領域における電気的特性の検査を省略することができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。

従来、互いに対向配置される一対の基板の一方に形成した走査電極と、他方の基板に形成したデータ電極とを、ドットマトリクス状に交差させることによって画素を形成し、それらの画素に印加する電圧をオン、オフさせることによって、当該画素に含まれる液晶物質を通過する光を変調させ、文字等の像を表示する液晶表示装置が多用されている。
より具体的には、かかる液晶表示装置は、図１５に示すように、電極パターン（走査電極）６１７ｂ及び第１の駆動用ＩＣ６０６ｂを有する第１の基板６０３ｂと、配線パターン（データ電極）６１７ａ及び第２の駆動用ＩＣ６０６ａを有する第２の基板６０３ａと、をシール材を介して貼り合わせるとともに、第１の基板６０３ｂ及び第２の基板６０３ａの間に液晶を封入することにより構成されている（例えば、特許文献１参照）。

また、かかる液晶表示装置は、製造段階において、電極パターン及び配線パターンそれぞれにおいて、形成不良や、異物の接触によるショートが発生していないかの検査が行われている。より具体的には、例えば、図１３（ａ）〜（ｂ）に示すように、少なくとも一定のピッチ間隔ａの電極９２を有する基板上に該ピッチ間隔ａに対応する間隔に配置した少なくとも２本のプローブ９５を接触させ該電極９２上を該電極９２とほぼ直交する方向に移動することによって、該電極９２の電気的特性の検査を行っている（例えば、特許文献２参照）
特開２００２−９８９８３号公報 （図１） 特開昭６２−６６１５２号公報 （特許請求の範囲）

しかしながら、特許文献１に記載された液晶表示装置は、第１の基板及び第２の基板のそれぞれの基板端部に駆動用ＩＣの実装領域を設ける必要があるために、液晶表示装置が大型化してしまうという問題が見られた。
かかる問題を解決するために、いずれか一方の基板にのみ駆動用ＩＣを実装するとともに、導電性粒子を含むシール材等を介して、他方の基板上の電極パターンに接続するいわゆる三辺フリーの液晶パネルを備えた液晶表示装置が使用されている。

一方、近年、画像表示の高精細化が望まれており、第１の基板及び第２の基板における電極パターンの数が増加しつつある。したがって、それぞれの基板上において、電極パターンや引回し配線の配置が複雑化するという問題もあった。
したがって、いわゆる三辺フリーの液晶パネルを備えた液晶表示装置において、第２の基板上における駆動用ＩＣが実装されている辺側の導電性粒子を含むシール材を介して、第２の基板上の引回し配線と、第１の基板上の電極パターンとを導電接続した液晶表示装置が提案されている。かかる液晶表示装置は、図１６に示すように、第１の基板７１２上の電極パターン７１９として、複数の電極パターン７１９からなる配線ブロック７７０を構成するとともに、当該配線ブロック７７０を複数形成し、基板７１２上の異なる辺側の非表示領域を介して表示領域Ａに配線されている。

しかしながら、このように複数の配線ブロックからなる電極パターンを形成した場合には、非表示領域において、隣接する配線ブロックの境界となる電極パターン同士にショートが生じていたとしても、特許文献２に記載された電極パターンの検査方法では、当該ショートを検知することができなかった。すなわち、非表示領域において隣接する配線ブロックは、表示領域においては、それらの間に、他方の非表示領域を介して配線された別の配線ブロックが存在しているために、隣接しないこととなる。そのために、非表示領域において配線ブロックの端部位置の電極パターン間にショートが生じていたとしても、表示領域において、一定の間隔に配置されたプローブを使用して検知することができなかった。また、非表示領域においては、表示領域と比較して、電極パターン間の距離が小さいために、プローブを使用した検査が実質的に不可能であった。したがって、液晶表示装置の使用後になって初めて、接続不良が発見されるという問題が見られた。

そこで、本発明の発明者らは鋭意努力し、電気光学装置を構成する第１の基板において、電極パターンを、所定の配線ブロックを複数備えた構成とするとともに、非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離を、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離よりも広くすることにより、隣接する配線ブロックの端部位置における電極パターン間のショートの発生を防止して、このような問題を解決できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、複数の配線ブロックからなる電極パターンを形成した場合に、表示領域において隣接する電極パターンについては、所定の電気的特性の検査を行うことにより、また、非表示領域においては隣接するとともに、表示領域においては隣接しなくなる配線ブロックの端部位置における電極パターン間については、ショート等の発生を未然に防止して電気的特性の検査を省略することができる電気光学装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、このような電気光学装置の効率的な製造方法を提供することである。また、本発明のさらに別の目的は、このような電気光学装置を備えた電子機器を提供することである。

本発明によれば、表示領域と非表示領域にまたがる複数の電極パターンからなる配線ブロックを少なくとも３つ以上有する第１の基板と、当該複数の電極パターンに対応した配線パターンを有する第２の基板と、が互いに対向配置された電気光学装置であって、表示領域における複数の電極パターンを一定のピッチ間隔で配置するとともに、非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）を、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離（ｗ２、ｗ３）よりも、それぞれ広くした電気光学装置が提供され上述した問題を解決することができる。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）を１ｓ（μｍ）としたときに、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離（ｗ２、ｗ３）を０．１〜０．５ｓ（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましい。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第１の基板における配線ブロック内の複数の電極パターンと、第２の基板における配線パターンと、を、第１の基板及び第２の基板の一辺側において導電接続することが好ましい。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、前記第１の基板は、前記導電接続する側の辺に直交する方向に２つの辺を備え、前記配線ブロックは、前記導電接続する側の辺に対して平行な方向に配置された第１領域と、当該導電接続する側の辺に対して直交する方向に配置された第２領域と、を有するとともに、前記直交する２つの辺のそれぞれの側から交互に配置されることが好ましい。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、配線ブロックの第１領域の端部と、当該第１領域の端部が対向する配線ブロックの第２領域と、の距離（ｗ４）を、当該第２領域内の電極パターン間の距離（ｗ２）よりも広くすることが好ましい。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）を３０〜１００μｍの範囲内の値とすることが好ましい。

また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離（ｗ２、ｗ３）をそれぞれ１０〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。

また、本発明の別の電気光学装置は、表示領域と非表示領域にまたがる複数の電極パターンからなる配線ブロックを少なくとも３つ以上有する第１の基板と、当該複数の電極パターンに対応した配線パターンを有する第２の基板と、が互いに対向配置された電気光学装置であって、表示領域における複数の電極パターンを所定のピッチ間隔で配置するとともに、非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離を、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離よりも、それぞれ広くすることを特徴とする電気光学装置である。

また、本発明の別の態様は、表示領域と非表示領域にまたがる複数の電極パターンからなる配線ブロックを少なくとも３つ以上有する第１の基板と、当該複数の電極パターンに対応した配線パターンを有する第２の基板と、が互いに対向配置された電気光学装置の製造方法であって、
表示領域における複数の電極パターンを一定のピッチ間隔で形成するとともに、
非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）が、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離（ｗ２、ｗ３）よりも、それぞれ広くなるように形成する電気光学装置の製造方法である。

また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、配線ブロックの第１領域の端部と、当該第１領域の端部が対向する配線ブロックの第２領域と、の距離（ｗ４）が、当該第２領域内の電極パターン間の距離（ｗ２）よりも広くなるように電極パターンを形成することが好ましい。

また、本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えた電子機器である。

以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。

［第１実施形態］
第１実施形態は、表示領域と非表示領域にまたがる複数の電極パターンからなる配線ブロックを少なくとも３つ以上有する第１の基板と、当該複数の電極パターンに対応した配線パターンを有する第２の基板と、が互いに対向配置された電気光学装置である。
そして、表示領域における複数の電極パターンを一定のピッチ間隔で配置するとともに、非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）を、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離（ｗ２、ｗ３）よりも、それぞれ広くすることを特徴とする。
以下、図１〜図８を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の電気光学装置について、第１の基板（カラーフィルタ基板と称する場合がある。）、及び第２の基板を用いた液晶表示装置１０を例に採って説明する。
なお、図１（ａ）は、第１実施形態の液晶表示装置１０を平面的に見た場合における、第１の基板１２上の電極パターン（走査電極）１９及び配線ブロック７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄ並びに表示領域Ａを示す図であり、図１（ｂ）は、第１実施形態の液晶表示装置１０を平面的に見た場合における、第２の基板１４上の配線パターン（データ電極２６）及び引回し配線２８、２９並びに表示領域Ａを示す図であって、その内容については後述する。

１．液晶表示装置の基本構造
まず、図２〜図３を参照して、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置としての液晶表示装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線、あるいは位相差板及び偏光板について具体的に説明する。なお、図２は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置を構成する液晶パネル２００を示す概略斜視図であり、図３は、液晶パネル２００の模式的な概略断面図である。
また、図２に示される液晶パネル２００は、パッシブマトリクス型構造を有する液晶パネル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置となる。
なお、本実施形態においてはパッシブマトリクス型構造を有する液晶パネルを例にとって説明するが、ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）やＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）等の非線形素子を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルであっても構わない。

（１）セル構造
図２に示すように、液晶パネル２００は、ガラス板や合成樹脂板等を基体１３とする第１の基板１２と、これに対向配置され、同様にガラス板や合成樹脂板等を基体２７とする第２の基板１４とが、接着剤等のシール材２３０を介して貼り合わせられている。そして、第１の基板１２と、第２の基板１４とが形成する空間であって、シール材２３０の内側部分に対して、開口部２３０ａを介して液晶を注入した後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えている。
すなわち、図３に示すように、第１の基板１２と第２の基板１４との間に液晶２３２が充填されるとともに、密封されていることが好ましい。
なお、以下の説明においては、第１の基板の基体として第１のガラス基板を使用し、また、第２の基板の基体として第２のガラス基板を使用した例について説明する。

（２）配線
図２に示すように、第２のガラス基板２７の内面（第１のガラス基板１３に対向する表面）上に、複数のストライプ状のデータ電極（配線パターン）２６を形成し、第１のガラス基板１３の内面（第２のガラス基板２７に対向する表面）上には、複数のストライプ状の走査電極（電極パターン）１９を形成することが好ましい。また、データ電極２６は、表示領域外において、引回し配線２９に対して接続されることが好ましい。さらに、もう一方の走査電極１９は、第２のガラス基板２７上の引回し配線２８に対して、導電性粒子を含むシール材２３０を介して導電接続されることが好ましい。
また、データ電極と走査電極との交差領域がマトリクス状に配列されて多数の画素を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成することになる。

また、図２に示すように、第２のガラス基板２７は、第１のガラス基板１３の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部１４Ｔを有し、この基板張出部１４Ｔ上には、データ電極２６、引回し配線２８、２９及び、独立して形成された複数の配線からなる外部接続用端子２１９が形成されていることが好ましい。
また、基板張出部１４Ｔ上には、これらデータ電極２６、引回し配線２８、２９及び外部接続用端子２１９に対して導電接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体素子（ＩＣ）２６１が実装されていることが好ましい。
さらに、基板張出部１４Ｔの端部には、外部接続用端子２１９に導電接続されるように、フレキシブル配線基板１１０が実装されていることが好ましい。

（３）位相差板及び偏光板
図２に示される液晶パネル２００において、図３に示すように、第１のガラス基板１３の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）２５０及び偏光板２５１が配置されていることが好ましい。
そして、第２のガラス基板２７の外面においても、位相差板（１／４波長板）２４０及び偏光板２４１が配置されていることが好ましい。

２．第１の基板（カラーフィルタ基板）
（１）基本的構成
第１の基板１２は、図３に示すように、基本的に、第１のガラス基板１３と、着色層１６と、遮光層１８と、走査電極（電極パターン）１９と、から構成してあることが好ましい。
また、第１の基板１２において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、ガラス基板１３と、着色層１６との間に、図３に示すように、反射層（半透過反射板）２１２を設けることが好ましい。
さらに、第１の基板１２において、図３に示すように、画素毎に着色層１６が形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層（表面保護層あるいはオーバーコート層）２１５により、被覆してあることが好ましい。このようにして、着色層１６と平坦化層（表面保護層）２１５とによってカラーフィルタが形成されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層（図示せず。）を設けることも好ましい。

（２）着色層
また、図３に示す着色層１６は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術（エッチング法）によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。

（３）遮光層
また、図３に示すように、画素毎に形成された着色層１６の間の画素間領域に、遮光層（ブラックマトリクス、あるいはブラックマスクと称する場合もある。）１８を形成することが好ましい。
このようなブラックマトリクス１８としては、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。また、カーボン等の黒色材料を使用しなくとも優れた遮蔽効果を得ることができることから、加色法を利用して、Ｒ（赤）層、Ｇ（緑）層、Ｂ（青）層の三層構造とすることも好ましい。

（４）反射層
また、図３に示すように、第１のガラス基板１３の表面には、反射層２１２が形成されていることが好ましい。この反射層２１２は、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成することが好ましい。また、反射層２１２には、画素毎に、反射面を有する反射部２１２ｒと、開口部２１２ａとが設けられていることが好ましい。

（５）電極パターン（走査電極）
（５）−１ 配線ブロック
図３に示すように、平坦化層２１５の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなるとともに、第１の基板の一辺側において第２の基板上の引回し配線と導電接続される走査電極（電極パターン）１９を形成することが好ましい。そして、かかる走査電極１９は、図１（ａ）に示すように、複数の電極パターン１９からなる配線ブロック７０からなることを特徴としている。
ここで、かかる配線ブロック７０ａ〜７０ｄは、第１の基板上の複数の電極パターンと第２の基板上の配線パターンとを導電接続する側の辺１３ａに対して平行な方向に配置された第１領域７０ａＡ、７０ｂＡ、７０ｃＡ、７０ｄＡと、当該辺１３ａに対して直交する方向に配置された第２領域７０ａＢ、７０ｂＢ、７０ｃＢ、７０ｄＢと、をそれぞれ有することが好ましい。すなわち、第１の基板１２上の一辺１３ａ側において、導電性粒子を含むシール材（図示せず）を介して、走査電極１９と第２の基板上の引回し配線とを導電接続するとともに、図面上、左右の非表示領域を介して、表示領域Ａに対して配置するためである。

また、第１実施形態の液晶表示装置は、かかる配線ブロックを少なくとも３つ以上有することを特徴としている。すなわち、走査電極１９を複数の配線ブロック７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄから構成するとともに、表示領域Ａにおいて、導電接続する側の辺１３ａと直交する２つの辺のそれぞれの側から表示領域Ａに対して配線ブロック７０ａ〜７０ｄが交互に配置されていることが好ましい。この理由は、駆動用ＩＣの端子の配置に合わせて配線を引回す必要があるためである。したがって、非表示領域における走査電極１９のピッチ間隔を、比較的広くすることが可能になり、隣接する走査電極間でのショート等の発生を少なくすることができる。
なお、かかる配線ブロックを１つあるいは２つのみ有する場合には、後述するようなプローブを使用した検査を、表示領域のみにおいて実施することにより、それぞれ隣接する電極パターン間でのショートの有無を検査することができる。したがって、本発明によって解決される課題となる問題が生じることはないが、他方で、配線ルールを簡素化することが困難となる場合がある。

（５）−２ 表示領域における配置
また、かかる走査電極（電極パターン）１９は、図１（ａ）に示すように、表示領域Ａにおいては、複数の透明電極１９が並列したストライプ状に構成するとともに、一定のピッチ間隔で配置することが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、それぞれの画素面積の均一化を図り、画像を表示させた場合における表示ムラを防止することができるためである。また、第２実施形態において説明する電気的特性の検査をする際に、一定の間隔に配置した２本のプローブを使用して、容易に検査することができるためである。
したがって、図１（ａ）に示すように、複数の配線ブロック７０ａ〜７０ｄが、異なる非表示領域を介して表示領域Ａ内に配線されている場合であっても、表示領域Ａにおいては、それぞれの配線ブロック７０ａ〜７０ｄ内の走査電極１９の幅や、隣接する走査電極１９間の距離を等しくすることが好ましい。
ただし、少なくともプローブを使用した検査を行う位置において、隣接する走査電極間の距離を均一化してあることにより、当該検査を容易に行うことができるため、その他の位置における隣接する走査電極間の距離が異なっていても構わない。
さらに、プローブの間隔が可変であるような場合には、隣接する走査電極間の距離がそれぞれ異なっていても構わない。

（５）−３ 非表示領域における配置
また、図４に示すように、非表示領域においては、隣接する配線ブロック７０ｂ、７０ｄ間の距離（ｗ１）を、当該隣接する配線ブロック７０ｂ、７０ｄ内の走査電極間１９の距離（ｗ２、ｗ３）よりも、それぞれ広くすることを特徴としている。すなわち、通常、液晶表示装置の製造段階において、隣接する走査電極間のショート等を検知するための電気的特性の検査を実施しているが、当該検査が困難な箇所に関しては、初めからショート等の発生を少なくして、当該検査を省略することができるためである。
具体的には、各配線ブロック内において隣接する走査電極に関しては、表示領域、非表示領域に拘わらず隣接している。したがって、表示領域において電気的特性の検査を行うことにより、隣接する走査電極間における形成不良や異物の接触によるショートの発生を容易に検知することができる。
一方、非表示領域における隣接する配線ブロックの、それぞれ端部位置における走査電極に関しては、表示領域においては、他の配線ブロックがそれらの間に存在するために隣接しないこととなる。したがって、一定の間隔に配置した２本のプローブを使用して、電気的特性を検査することができない。よって、非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）を、当該配線ブロック内の走査電極間の距離（ｗ２、ｗ３）よりも広くすることにより、ショート等の発生を少なくして、電気的特性の検査を省略することができる。また、このように構成することにより、かかる検査を省略した場合であっても、歩留まりを著しく向上させることができる。

また、非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）を１ｓ（μｍ）としたときに、当該隣接する配線ブロック内の走査電極間の距離（ｗ２、ｗ３）を０．１〜０．５ｓの範囲内の値とすることが好ましく、０．１５〜０．４５ｓの範囲内の値とすることがより好ましく、０．２〜０．４ｓの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかる走査電極間の距離（ｗ２、ｗ３）が０．１ｓ未満の値となると、走査電極の形成が困難となるとともに、隣接する走査電極間でショートが発生しやすくなる場合があるためである。一方、かかる走査電極の距離（ｗ２、ｗ３）が０．５ｓを越えると、走査電極の幅の値にもよるが、配線の幅が細くなり、配線抵抗値の上昇による表示品位の低下が生じたり、非表示領域の面積が大きくなって液晶表示装置が大型化したりする場合があるためである。

（５）−４ 非表示領域における隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）
また、非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）を３０〜１００μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる配線ブロック間の距離（ｗ１）が３０μｍ未満の値となると、それぞれの配線ブロックの端部に位置し、互いに隣接する走査電極間においてショート等が発生しやすくなる場合があるためである。一方、かかる配線ブロック間の距離（ｗ１）が１００μｍを越えると、非表示領域の面積が大きくなり、液晶表示装置が大型化する場合があるためである。
したがって、非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）を３５〜８０μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、４０〜６０μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。

（５）−５ 非表示領域における配線ブロック内の走査電極間の距離（ｗ２、ｗ３）
また、非表示領域における配線ブロック内の走査電極間の距離（ｗ２、ｗ３）を１０〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる走査電極間の距離（ｗ２、ｗ３）が１０μｍ未満の値となると、走査電極の形成が困難であるとともに、導電性粒子の粒径にもよるが、第１の基板上の走査電極と、第２の基板上の引回し配線との接続箇所において、導電性粒子を介して、隣接する走査電極間においてショートが発生する場合があるためである。一方、かかる走査電極間の距離（ｗ２、ｗ３）が２０μｍを越えると、走査電極の幅にもよるが、非表示領域の面積が大きくなり、液晶表示装置が大型化する場合があるためである。
したがって、非表示領域における配線ブロック内の走査電極間の距離（ｗ２、ｗ３）を１２〜１９μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１５〜１８μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、隣接する配線ブロック内の走査電極間のそれぞれの距離（ｗ２、ｗ３）は、非表示領域であっても、色ムラが視認されることのないように、それぞれ等しくすることが好ましい。

（５）−６ 第１領域の端部と対向する第２領域との距離（ｗ４）
また、図４に示すように、配線ブロック７０ｃの第１領域７０ｃＡの端部１９ａと、当該第１領域７０ｃＡの端部１９ａが対向する配線ブロック７０ｂの第２領域７０ｂＢとの距離（ｗ４）を、当該第２領域７０ｂＢ内の電極パターン１９間の距離（ｗ２）よりも広くすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、かかる第１領域７０ｃＡの電極パターン１９と、対向する第２領域７０ｂＢの電極パターン１９との間でのショートの発生を有効に防止することができるためである。すなわち、図１（ａ）に示すように、一つの配線ブロック７０ｃ内の走査電極１９と、当該配線ブロック７０ｃの第１領域７０ｃＡの端部１９ａが対向する配線ブロック７０ｂ内の走査電極１９とは、表示領域においては、一部を除いて隣接することはない。したがって、表示領域において、一定の間隔に配置された２本のプローブを使用して、電気的特性の検査を行った場合であっても、それらの間の電気的特性を検査することができない。よって、かかる配線ブロックの第１領域の端部１９ａと、対向する配線ブロック７０ｂの第２領域との距離（ｗ４）を、当該配線ブロック７０ｂの第２領域内の走査電極１９間の距離（ｗ２）よりも広くすることにより、それらの間でのショートの発生を少なくして、電気的特性の検査を省略することができる。また、このように構成することにより、当該検査を省略した場合であっても、歩留まりを著しく向上させることができる。
なお、具体的には、配線ブロックの第１領域の端部と、当該第１領域の端部が対向する配線ブロックの第２領域との距離（ｗ４）を３５〜８０μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、４０〜６０μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。

（５）−７ 高さ（厚さ）
また、電極パターンの高さ（厚さ）を１〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましく、２〜１５μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
この理由は、電極パターンの高さ（厚さ）が１μｍ未満の値となると、電気抵抗の値が過度に大きくなってしまう場合があるためである。一方、電極パターンの高さ（厚さ）が２０μｍを超えると、セルギャップにバラつきが生じたり、あるいは、電気光学装置の薄型化を図ることが困難になる場合があるためである。

（６）ダミー電極
また、第１の基板において、図５に示すように、走査電極１９の非形成領域４０に、セルギャップを均一に調整するためのダミー電極４１を形成することが好ましい。すなわち、かかる非形成領域４０にも、電極パターン１９の高さや幅と、同等の高さや幅を有するダミー電極４１を形成することが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、液晶パネルにおける表示領域全体において、セルギャップの均一化を図ることができるためである。したがって、表示ムラ等を効果的に防止することができる。
なお、走査電極の非形成領域とは、基板上において、走査電極が形成されていない領域を基本的には意味するが、例えば、図６（ａ）に示すように、隣接する電極パターンの間隙を除き、走査電極が存在していない基板領域４０を意味している。

（７）配向膜（第１の配向膜）
また、図３に示すように、電極パターン（走査電極）１９の上には、ポリイミド樹脂等からなる第１の配向膜２１７が形成されていることが好ましい。
この理由は、このように配向膜２１７を設けることにより、第１の基板１２を液晶表示装置等に使用した場合に、電気光学物質（液晶）の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができるためである。

３．第２の基板
（１）基本構造
図２及び図３に示すように、第１の基板１２と対向するもう一方の第２の基板１４は、基本的に、第２のガラス基板２７と、データ電極２６と、引回し配線２８、２９と、から構成してあることが好ましい。
また、図３に示すように、データ電極２６上には、第１の基板１２における第１の配向膜と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜２２４が形成されていることが好ましい。
さらに、第２の基板においても、第１の基板と同様に、データ電極や引回し配線が形成されていない領域（図６（ｂ）中に示す領域４２）に対して、セルギャップを均一に調整するためのダミー電極が形成されていることが好ましい。
なお、第１実施形態の液晶表示装置の例では、着色層が第１のガラス基板１３上に設けてあるが、着色層を、かかる第２の基板１４の第２のガラス基板２７上に設けることも好ましい。また、アクティブマトリクス型の液晶パネルを使用した電気光学装置である場合には、第２の基板上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる画素電極をさらに有するとともに、ＴＦＤ（Thin Film Diode）や、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の非線形素子を介して、データ電極と接続されることが好ましい。

（２）配線パターン（データ電極）
また、第２の基板には、図１（ｂ）に示すように、データ電極２６を設けることが好ましい。かかるデータ電極２６は、図１（ｂ）に示すように、複数の透明電極が、並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、データ電極は、図１（ｂ）に示すように、一端側が外部接続用端子２１９となる引回し配線２９に接続されるとともに、シール材の外側であって、第２のガラス基板２７における基板張出し部１４Ｔまで延設されていることが好ましい。

（３）引回し配線
また、第２の基板には、図１（ｂ）に示すように、データ電極及び走査電極に接続される引回し配線２８、２９を設けることが好ましい。かかる引回し配線２８、２９についても、複数の金属膜や透明電極等が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、かかる引回し配線は、シール材の外側であって、第２のガラス基板２７における基板張出し部１４Ｔまで延設され、一端側が外部接続用端子２１９の一部とされていることが好ましい。そして、図７に示すように、引回し配線２８の端部のうち、外部接続用端子２１９が設けられていない側の端部が、シール材（図示せず）を介して第１の基板（カラーフィルタ基板）１２上の走査電極（電極パターン）１９と電気的に導通されることが好ましい。
なお、図７は、第２の基板１４における、外部接続用端子２１９が設けられている辺側であって、引回し配線２９が存在しない部分を利用して、引回し配線２８と第１の基板１２上の走査電極１９との導通を取っている例を示している。
さらに、ＴＦＤやＴＦＴ等のアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルの場合には、図８に示すように、引回し配線２９が、外部入力端子部２１９から対面方向に延設され、データ線が形成されるとともに、非線形素子３１を介して、画素電極２０に接続されることとなる。

［第２実施形態］
第２実施形態は、表示領域と非表示領域にまたがる複数の電極パターンからなる配線ブロックを少なくとも３つ以上有する第１の基板と、当該複数の電極パターンに対応した配線パターンを有する第２の基板と、が互いに対向配置された電気光学装置の製造方法である。
そして、表示領域における複数の電極パターンを一定のピッチ間隔で形成するとともに、非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）が、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離（ｗ２、ｗ３）よりも、それぞれ広くなるように形成することを特徴とする。
以下、図９〜図１３を参照しながら、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態について、パッシブマトリクス型構造の液晶表示装置の製造方法を例に採って、詳細に説明する。

１．構成
製造対象の電気光学装置として、第１の基板（カラーフィルタ基板）及びその対向基板としての第２の基板を使用した液晶表示装置を例にとって説明するが、第１の基板及び第２の基板の構成については、第１の実施形態と同様であるため、ここでの説明を省略する。

（１）第１の基板（カラーフィルタ基板）の製造
（１）−１ カラーフィルタの形成
図９（ａ）に示すように、第１のガラス基板上には、画像表示領域に相当する箇所に、反射層２１２、及び着色層１６、遮光層１８を順次形成することが好ましい。
ここで、開口部２１２ａを備えた反射層２１２は、蒸着法やスパッタリング法にて金属材料等を第１のガラス基板１３上に被着させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成される。
また、着色層１６は、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、反射層２１２等の上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによっても形成することができる。なお、複数の色の着色層１６を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
また、かかる着色層１６を重ね合わせることにより、遮光層１８を形成することが好ましい。あるいは、カーボン等の黒色材料を使用して、遮光層１８を形成することも好ましい。

（１）−２ 保護膜の形成
次いで、図９（ｂ）に示すように、第１の基板１２上に全面的に透光保護層２１５Ｘを形成する。この透光保護層２１５Ｘは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
次いで、上記透光保護層２１５Ｘに、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図９（ｃ）に示すように、画像表示領域に限定された保護膜２１５を形成する。この工程によって、透光保護層２１５Ｘから画像表示領域以外の領域、すなわち、図３に示すシール材２３０の外側に配置される領域とほぼ同じ領域上から透光性素材が欠落されることが好ましい。このように実施することにより、セルギャップの均一化を図ることができるためである。

（１）−３ 走査電極（電極パターン）の形成
次いで、図９（ｄ）に示すように、保護膜２１５上に、全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層１９Ｘを形成することが好ましい。この透明導電層１９Ｘは、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。そして、透明導電層１９Ｘに対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図９（ｅ）に示すように走査電極（電極パターン）１９を形成することが好ましい。
より詳細には、まず、図１０（ａ）〜（ｂ）に示すように、保護膜２１５を含む第１のガラス基板１３上に、全面的に透明導電材料からなる透明導電層１９Ｘを形成する。ここで、図１０（ｂ）に示すように、透明導電層１９Ｘを積層するにあたり、あらかじめ、Ｔａ_２Ｏ_５やＳｉＯ_２等からなる下地層８１を形成することも好ましい。この理由は、形成される透明導電層１９Ｘの結晶性等を均一化させて、保護膜及びガラス基板に対する透明導電層の密着性を高めることができるためである。
次いで、図１０（ｃ）に示すように、透明導電層１９Ｘ上に所定のレジスト材料８６´を塗布した後、図１０（ｄ）に示すように、所定のマスクパターン８７を施した上で露光して、現像することにより、図１０（ｅ）に示すように、レジスト材料８６を塗布した後、所定形状にパターニングする。そして、図１０（ｆ）に示すように、透明導電材料１９Ｘに対してエッチング処理を行った後、再び露光、及び現像して、レジスト材料を剥離する。
このようにして、図１０（ｇ）及び図９（ｄ）に示すように、所定パターン（図示せず）の走査電極（電極パターン）１９を形成することが好ましい。このように形成された走査電極（電極パターン）は、静電気の発生が少ないことが判明している。なお、図９（ｄ）は、図１０（ｇ）のＸＸ断面を矢印方向に見た図を示している。
なお、第１の基板上に、第１実施形態で説明した、セルギャップを調整するためのダミー電極を形成する場合には、走査電極を形成する際に、同時に形成することが好ましい。この理由は、このように実施することにより、工程数を増やすことなく、効率よくダミー電極を形成することができるためである。

また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、走査電極（電極パターン）を形成する際に、複数の走査電極からなる配線ブロックを少なくとも３つ以上形成することを特徴としている。そして、表示領域においては、複数の走査電極を一定のピッチ間隔で形成するとともに、非表示領域においては、隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）が、当該隣接する配線ブロック内の走査電極間の距離（ｗ２、ｗ３）よりも、それぞれ広くなるように形成することを特徴としている。
また、配線ブロックは、第１の基板上の複数の電極パターンと第２の基板上の配線パターンとを導電接続する側の辺に対して平行な方向に配置された第１領域と、当該辺に対して直交する方向に配置された第２領域と、を有するとともに、当該辺と直交する２つの辺のそれぞれの側から交互に配置されることが好ましい。そして、配線ブロックの第１領域の端部と、当該第１領域の端部と対向する配線ブロックの第２領域との距離（ｗ４）が、当該第２領域内の走査電極間の距離（ｗ２）よりも広くなるように形成することが好ましい。
すなわち、各配線ブロック内の走査電極に関しては、表示領域、非表示領域に拘わらず隣接しているために、表示領域において電気的特性の検査を行うことにより、隣接する走査電極間における形成不良や異物の接触によるショートの発生を容易に検知することができる。一方、表示領域において隣接することのない走査電極同士については、後述するような一定の間隔に配置した２本のプローブを使用して、電気的特性を検査することができない。よって、非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離（ｗ１）や、走査電極の端部と、対向する配線ブロックとの間の距離（ｗ４）については、当該配線ブロック内の走査電極間の距離（ｗ２、ｗ３）よりも広くすることにより、それらの間でのショート等の発生を少なくして、電気的特性の検査を省略することができるためである。また、このように配線ブロックを形成することにより、かかる検査を省略した場合であっても、歩留まりを著しく向上させることができる。

（２）第２の基板の製造
（２）−１ 引回し配線の形成
引回し配線は、スパッタリング法等により、第２の基板上に、導電性の金属材料、例えば、クロム、アルミニウム、チタン、モリブデン等を、通常、５０〜３００ｎｍの厚さに全面的に形成した後、それをフォトリソグラフィ技術やエッチング法を用いて、パターニングすることにより形成されることが好ましい。
以下、図１１〜図１２を参照して、詳細に説明する。

まず、図１１（ａ）に示すように、ガラス基板２７上に、全面的に導電性の金属膜材料２８´をスパッタリング法等により積層する。このとき、図示しないが、ガラス基板と、金属膜材料との密着性を向上させることができることから、第２の基板１４のガラス基板２７上に、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）等からなる絶縁膜を形成することも好ましい。
次いで、図１１（ｂ）に示すように、その上からレジスト材料８２を全面的に塗布する。その後、図１１（ｃ）に示すように、開口部８３ｂを有するフォトマスク８３を介して、例えば、開口部８３ｂに対応した位置のみに光を照射し、パターン露光した後、図１１（ｄ）に示すように現像して、マスクの開口部８３ｂに対応した箇所のみにレジスト８２´を残す。
次いで、図１２（ａ）に示すように、エッチング法により、レジスト２５´に被覆されていない箇所の導電性の金属膜材料２８´を除去した後、さらに図１２（ｂ）に示すように、レジスト２５´を除去して、パターン化された引回し配線２８を形成する。
次いで、図１２（ｃ）に示すように、引回し配線２８の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、酸化膜２３を形成することが好ましい。より具体的には、引回し配線２８が形成されたガラス基板２７を、クエン酸溶液等の電解液中に浸漬した後、かかる電解液と、引回し配線２８との間に所定電圧を印加して、引回し配線２８の表面を酸化させることが好ましい。なお、酸化膜２３の厚さは適宜変更することができるが、通常、１０〜５０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。

（２）−２ データ電極（配線パターン）の形成
次いで、電極パターンの形成方法と同様に、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより、データ電極を形成することが好ましい。
また、第２の基板においても、第１実施形態で説明したセルギャップを調整するためのダミー電極を形成する場合には、データ電極を形成する際に、同時に形成することが好ましい。

（３）検査工程
次いで、第１の基板上に形成された走査電極や、第２の基板上に形成されたデータ電極に対して、電気的特性の検査を行う検査工程を実施することが好ましい。すなわち、それぞれの基板上においてかかる検査を行い、隣接する電極パターン間でショート等が発生している場合に、液晶表示装置に組み込むことを中止することができるためである。
具体的には、図１３に示すような検査装置９６を使用して、かかる検査工程を実施することが好ましい。すなわち、取付け板９７に、電極パターン９２のピッチ間隔ａをもって、２本のプローブ９５を固定し取り付ける。次いで、プローブ９５を検出回路９６に各々接続して、電極パターン９２上をプローブ９５がすべるように、基板又は取付け板９７を平行移動させることにより、各電極パターン９２間の導通を確認し、ショートを検出することが好ましい。
このように検査工程を実施することにより、隣接する電極パターンについての電気的特性の検査を、全面的に、効率よく実施することができるためである。したがって、得られる液晶表示装置の信頼性を著しく向上させることができる。
また、かかる検査工程は、第１の基板及び第２の基板それぞれにおいて、表示領域に形成された電極パターンに対して実施することが好ましい。この理由は、表示領域においては、走査電極又はデータ電極はピッチ間隔を均一にして形成されているために、上述の検査装置における２本のプローブの間隔を固定して、効率的に検査することができるためである。
したがって、ショートの発生を少なくすることにより、かかる検査工程において検査が困難な電極パターン間、すなわち、表示領域において隣接することのない電極パターン間での電気的特性の検査を省略することから、それらの間の距離を、表示領域において隣接する電極パターン間の距離よりも広くなるように形成しておくことが好ましい。そして、このように実施することにより、電気的特性の検査を省略した場合であっても、歩留まりを著しく向上させることができる。

（４）貼り合わせ工程
次いで、第１の基板上において、エポキシ樹脂等を主成分とするシール材を、スクリーン印刷やディスペンサにより、表示領域を囲むようにパターニングして形成した後、シール材が積層された第２の基板に対して、第１の基板を重ね合わせて接合させ、加熱しながら加圧保持して、第１の基板と第２の基板とを貼合せることが好ましい。

（５）液晶の注入及び偏光板の配置
次いで、第１の基板及び第２の基板が形成する空間であって、シール材の内側部分に対して、電気光学物質（液晶）を注入した後、封止材等にて封止することが好ましい。例えば、第１の基板及び第２の基板のそれぞれの外面に、偏光板を配置するとともに、液晶分子の配向方向を制御することにより、ノーマリーブラックモードの液晶表示装置を得ることができる。

［第３実施形態］
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の液晶表示装置を備えた電子機器について具体的に説明する。

図１４は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル２００と、これを制御するための制御手段１２００とを有している。また、図１４中では、液晶パネル２００を、パネル構造体２００Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２００Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。

また、表示情報処理回路１２２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２００Ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２００Ｂは、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路１２３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、ショートの発生の有無等の検査が困難な電極パターン間の距離を、当該検査が可能な電極パターン間の距離よりも広くした液晶表示装置を使用している。そのために、ショートやコロージョンの発生が少なく、信頼性に優れた電子機器とすることができる。

本発明によれば、ショートの発生の有無等の検査が困難な電極パターン間の距離を、当該検査が可能な電極パターン間の距離よりも広くすることにより、かかる検査が困難な電極パターン間については、あらかじめショートやコロージョンの発生を防止して検査を省略することができる。そして、かかる検査を省略した場合であっても、歩留まりを著しく向上させることができる。したがって、電気光学物質として液晶分子を用いた電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を使用した装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、プラズマディスプレイ装置、有機及び無機エレクトロルミネッセンス装置などが挙げられる。

また、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各実施形態に示す液晶パネルはパッシブマトリクス型の構造を備えているが、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の電気光学装置にも適用することができる。
また、上記実施形態の液晶パネルは所謂ＣＯＧタイプの構造を有しているが、半導体素子（ＩＣチップ）を直接実装する構造ではない液晶パネル、例えば液晶パネルにフレキシブル配線基板やＴＡＢ基板を接続するように構成されたものであっても構わない。

（ａ）は、本発明に係る第１実施形態の電気光学装置に使用する第１の基板の要部を概略して示す平面図であり、（ｂ）は、本発明に係る第１実施形態の電気光学装置に使用する第２の基板の要部を概略して示す平面図である。 本発明に係る第１実施形態の電気光学装置を構成する液晶パネルの外観を示す概略斜視図である。 液晶パネルを模式的に示す概略断面図である。 走査電極間の距離を説明するために供する図である。 （ａ）及び（ｂ）は、それぞれ基板上のダミー電極を説明するために供する図である。 （ａ）及び（ｂ）は、それぞれ基板上の電極パターンの非形成領域を説明するために供する図である。 第２の基板上の引回し配線と、第１の基板上の走査電極との導通方法を説明するために供する図である。 アクティブマトリクス型構造の電気光学装置に使用する第２の基板の配線例を説明するために供する図である。 （ａ）〜（ｅ）は、第１の基板を形成するための製造工程を示す断面図である（その１）。 （ａ）〜（ｇ）は、第１の基板を形成するための製造工程を示す断面図である（その２）。 （ａ）〜（ｄ）は、第２の基板を形成するための製造工程を示す断面図である（その１）。 （ａ）〜（ｃ）は、第２の基板を形成するための製造工程を示す断面図である（その２）。 （ａ）及び（ｂ）は、それぞれ電極パターンの電気的特性の検査方法を説明するために供する図である。 本発明に係る電子機器の実施形態の概略構成を示すブロック図である。 従来の電気光学装置の構成を示す平面図である。 従来の電気光学装置の配線ブロックの構成を示す平面図である。

符号の説明

１０：電気光学装置（液晶表示装置）、１２：第１の基板（カラーフィルタ基板）、１３：第１のガラス基板、１３ａ：第１のガラス基板の辺、１４：第２の基板、２７：第２のガラス基板、１９：走査電極（電極パターン）、１９ａ：走査電極（配線ブロック）の端部、２６：データ電極（配線パターン）、２８・２９：引回し配線、３１：二端子型非線形素子（ＴＦＤ素子）、７０ａ・７０ｂ・７０ｃ・７０ｄ：配線ブロック、７０ａＡ・７０ｂＡ・７０ｃＡ・７０ｄＡ：配線ブロックの第１領域、７０ａＢ・７０ｂＢ・７０ｃＢ・７０ｄＢ：配線ブロックの第２領域、９５：プローブ、２００：液晶パネル、２３０：シール材

Claims (11)

1. 表示領域と非表示領域にまたがる複数の電極パターンからなる配線ブロックを少なくとも３つ以上有する第１の基板と、当該複数の電極パターンに対応した配線パターンを有する第２の基板と、が互いに対向配置された電気光学装置であって、
   前記表示領域における複数の電極パターンを一定のピッチ間隔で配置するとともに、
   前記非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離を、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離よりも、それぞれ広くすることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離を１ｓとしたときに、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離を０．１〜０．５ｓの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１の基板における配線ブロック内の複数の電極パターンと、前記第２の基板における配線パターンと、を、前記第１の基板及び第２の基板の一辺側において導電接続することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１の基板は、前記導電接続する側の辺に直交する方向に２つの辺を備え、
   前記配線ブロックは、前記導電接続する側の辺に対して平行な方向に配置された第１領域と、当該導電接続する側の辺に対して直交する方向に配置された第２領域と、を有するとともに、
   前記２つの辺のそれぞれの側から交互に配置されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記配線ブロックの第１領域の端部と、当該第１領域の端部が対向する配線ブロックの第２領域と、の距離を、当該第２領域内の電極パターン間の距離よりも広くすることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記隣接する配線ブロック間の距離を３０〜１００μｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離をそれぞれ１０〜２０μｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 表示領域と非表示領域にまたがる複数の電極パターンからなる配線ブロックを少なくとも３つ以上有する第１の基板と、当該複数の電極パターンに対応した配線パターンを有する第２の基板と、が互いに対向配置された電気光学装置であって、
   前記表示領域における複数の電極パターンを所定のピッチ間隔で配置するとともに、
   前記非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離を、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離よりも、それぞれ広くすることを特徴とする電気光学装置。
9. 表示領域と非表示領域にまたがる複数の電極パターンからなる配線ブロックを少なくとも３つ以上有する第１の基板と、当該複数の電極パターンに対応した配線パターンを有する第２の基板と、が互いに対向配置された電気光学装置の製造方法であって、
   前記表示領域における複数の電極パターンを一定のピッチ間隔で形成するとともに、
   前記非表示領域において隣接する配線ブロック間の距離が、当該隣接する配線ブロック内の電極パターン間の距離よりも、それぞれ広くなるように形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 前記配線ブロックの第１領域の端部と、当該第１領域の端部が対向する配線ブロックの第２領域と、の距離が、当該第２領域内の電極パターン間の距離よりも広くなるように前記電極パターンを形成することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
11. 請求項１〜８のいずれかに記載した電気光学装置を備えた電子機器。

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