JP2005215355A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板張出し部を小さくして、全体としての小型化を図ることができる液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 シール材を介して対向配置される一対の基板と、当該一対の基板の間であって、シール材の内側領域に狭持された電気光学材料と、一対の基板のうちいずれか一方の基板上に実装された半導体素子と、を備えた電気光学装置において、例えば、シール材の内側領域に凹部を設けて、半導体素子を実装する。
【選択図】 図１
【解決手段】 シール材を介して対向配置される一対の基板と、当該一対の基板の間であって、シール材の内側領域に狭持された電気光学材料と、一対の基板のうちいずれか一方の基板上に実装された半導体素子と、を備えた電気光学装置において、例えば、シール材の内側領域に凹部を設けて、半導体素子を実装する。
【選択図】 図１
Description
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する。特に、半導体素子をシール材の内側領域に実装することにより、基板張出部の面積を小さくして、全体として小型化を図ることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する。
従来、電気光学装置の一態様である液晶表示装置として、それぞれ表面に電極を備えるとともに、シール材を介して対向配置された一対の基板と、当該一対の基板の間であってシール材の内側領域に狭持された液晶と、を備えた液晶表示装置が多用されている。
また、かかる液晶表示装置は、一方の基板のうち他方の基板から張出した領域（以下、基板張出部と称する。）を有するとともに、それぞれの基板上の電極に対して電圧を供給するための配線パターンが形成されている。そして、図１５に示すように、この基板張出部において、いわゆるＣＯＧ（Chip on Glass）技術により半導体素子が実装されるとともに、当該半導体素子と配線パターンとが接続されている（例えば、特許文献１参照）。
また、かかる液晶表示装置は、一方の基板のうち他方の基板から張出した領域（以下、基板張出部と称する。）を有するとともに、それぞれの基板上の電極に対して電圧を供給するための配線パターンが形成されている。そして、図１５に示すように、この基板張出部において、いわゆるＣＯＧ（Chip on Glass）技術により半導体素子が実装されるとともに、当該半導体素子と配線パターンとが接続されている（例えば、特許文献１参照）。
また、半導体素子を別の方法により実装した液晶表示装置として、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープを用いて半導体素子を実装した液晶表示装置も開示されている。より詳細には、図１６に示すように、半導体素子をＴＡＢテープを介して基板張出部の配線に対して接続した液晶表示装置である（例えば、特許文献２参照）。
また、液晶表示装置に使用されるガラス基板の割れを防止することを目的として、一対の基板の大きさを実質的に等しくした液晶表示装置が提案されている。より詳細には、図１７に示すように、アレイガラス基板とガラス基板との間に液晶をシール材により封止した液晶表示装置であって、ガラス基板は、アレイガラス基板と略同じ寸法であり且つドライバＩＣの実装位置に対向する位置には、当該ドライバＩＣの開口が形成された液晶表示装置である（例えば、特許文献３参照）。
特開２００３−９８５４３号公報 （図１１）
特開２００３−２５５３８０号公報 （図５）
特開２００３−２８００２８号公報 （請求項１、図２）
しかしながら、特許文献１に開示された液晶表示装置は、半導体素子の実装領域を確保するために、基板張出部の面積が大きくなってしまうという問題があった。したがって、基板の外形が大きくなるために、液晶表示装置の小型化を図ることが困難であった。
また、特許文献２に記載された液晶表示装置は、基板の外形自体が大きくなることはないものの、半導体素子が搭載されたＴＣＰを折りたたんで使用した場合であっても、結局、液晶表示装置の厚さが大きくなり、小型化を図ることが困難であった。
さらに、特許文献３に開示された液晶表示装置は、いわゆる基板張出部の存在はなくなるものの、基板全体の大きさに関しては変化するところがなく、逆に、厚みが増してしまうものであった。
また、特許文献２に記載された液晶表示装置は、基板の外形自体が大きくなることはないものの、半導体素子が搭載されたＴＣＰを折りたたんで使用した場合であっても、結局、液晶表示装置の厚さが大きくなり、小型化を図ることが困難であった。
さらに、特許文献３に開示された液晶表示装置は、いわゆる基板張出部の存在はなくなるものの、基板全体の大きさに関しては変化するところがなく、逆に、厚みが増してしまうものであった。
そこで、本発明の発明者らは鋭意努力し、一対の基板を貼り合わせるためのシール材の内側領域を利用して、半導体素子を基板上に実装することにより、基板の外形の大型化を防いで、このような問題を解決できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、基板における基板張出部の面積を小さくすることにより、全体として小型化を図ることができる電気光学装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、このような電気光学装置の効率的な製造方法を提供するとともに、このような電気光学装置を含む電子機器を効率的に提供することである。
すなわち、本発明は、基板における基板張出部の面積を小さくすることにより、全体として小型化を図ることができる電気光学装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、このような電気光学装置の効率的な製造方法を提供するとともに、このような電気光学装置を含む電子機器を効率的に提供することである。
本発明によれば、シール材を介して対向配置される一対の基板と、当該一対の基板の間であって、シール材の内側領域に狭持された電気光学材料と、一対の基板のうちいずれか一方の基板上に実装された半導体素子と、を備えた電気光学装置であって、半導体素子をシール材の内側領域に実装することを特徴とする電気光学装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、一対の基板が表示領域及び非表示領域を有するとともに、当該非表示領域の一部に遮光領域を備え、当該遮光領域と、半導体素子の実装領域と、を重ねてあることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、半導体素子と、当該半導体素子が実装された基板に対向する基板と、の間に間隙を備えることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、一対の基板のうちいずれか一方の基板の内面上であって、半導体素子の実装領域に相当する箇所に、凹部を設けてあることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、半導体素子が異方性導電膜又は半田バンプを介して基板に対して実装してあることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、半導体素子の周囲が樹脂封止してあることが好ましい。
また、本発明の別の態様は、シール材を介して対向配置される一対の基板と、当該一対の基板の間であって、シール材の内側領域に狭持された電気光学材料と、一対の基板のうちいずれかの基板上に実装された半導体素子と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、半導体素子をシール材の内側領域に実装することを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、一対の基板のうちいずれか一方の基板の内面上であって、半導体素子の実装領域に相当する箇所に、凹部を設ける工程を含むことが好ましい。
また、本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えた電子機器である。
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
［第１実施形態］
第１実施形態は、シール材を介して対向配置される一対の基板と、当該一対の基板の間であって、シール材の内側領域に狭持された電気光学材料と、一対の基板のうちいずれか一方の基板上に実装された半導体素子と、を備えた電気光学装置であって、半導体素子をシール材の内側領域に実装することを特徴とする電気光学装置である。
以下、図１〜図９を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の電気光学装置について、第１の基板及びそれに対向する第２の基板を用いた液晶表示装置を例に採って説明する。
第１実施形態は、シール材を介して対向配置される一対の基板と、当該一対の基板の間であって、シール材の内側領域に狭持された電気光学材料と、一対の基板のうちいずれか一方の基板上に実装された半導体素子と、を備えた電気光学装置であって、半導体素子をシール材の内側領域に実装することを特徴とする電気光学装置である。
以下、図１〜図９を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の電気光学装置について、第１の基板及びそれに対向する第２の基板を用いた液晶表示装置を例に採って説明する。
１．液晶表示装置の基本構造
まず、図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置としての液晶表示装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線等について具体的に説明する。なお、図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置に使用される液晶パネル２００の模式的な概略断面図であり、図２は、液晶パネル２００の外観を示す概略斜視図であり、図３は、アクティブマトリクス配線の配線例を示す図である。
また、図２に示される液晶パネル２００は、非線形素子としてのＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置となる。
まず、図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置としての液晶表示装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線等について具体的に説明する。なお、図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置に使用される液晶パネル２００の模式的な概略断面図であり、図２は、液晶パネル２００の外観を示す概略斜視図であり、図３は、アクティブマトリクス配線の配線例を示す図である。
また、図２に示される液晶パネル２００は、非線形素子としてのＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置となる。
（１）セル構造
図１及び図２に示すように、液晶パネル２００は、ガラス板や合成樹脂板等を基体とする第１の基板１２と、これに対向配置され、第１の基板１２と同様にガラス板や合成樹脂板等を基体とする第２の基板１４とが、接着剤等のシール材２３０を介して貼り合わせられていることが好ましい。
また、第１の基板１２と、第２の基板１４とが形成する空間であって、シール材２３０の内側領域に対して、シール材２３０の開口部２３０ａを介して液晶材料を注入した後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えていることが好ましい。すなわち、図１に示すように、第１の基板１２と第２の基板１４との間に液晶材料２３２が充填されていることが好ましい。
なお、以下、第１の基板及び第２の基板におけるそれぞれの基体として、第１のガラス基板１３及び第２のガラス基板２７を使用した液晶表示装置を例に採って説明する。
図１及び図２に示すように、液晶パネル２００は、ガラス板や合成樹脂板等を基体とする第１の基板１２と、これに対向配置され、第１の基板１２と同様にガラス板や合成樹脂板等を基体とする第２の基板１４とが、接着剤等のシール材２３０を介して貼り合わせられていることが好ましい。
また、第１の基板１２と、第２の基板１４とが形成する空間であって、シール材２３０の内側領域に対して、シール材２３０の開口部２３０ａを介して液晶材料を注入した後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えていることが好ましい。すなわち、図１に示すように、第１の基板１２と第２の基板１４との間に液晶材料２３２が充填されていることが好ましい。
なお、以下、第１の基板及び第２の基板におけるそれぞれの基体として、第１のガラス基板１３及び第２のガラス基板２７を使用した液晶表示装置を例に採って説明する。
（２）配線
図２に示すように、第２のガラス基板２７の内面（第１のガラス基板１３に対向する表面）上に、画素電極２０をマトリクス状に形成するとともに、第１のガラス基板１３の内面（第２のガラス基板２７に対向する表面）上には、複数のストライプ状の第１の配線パターン１９を形成することが好ましい。また、画素電極２０を、ＴＦＤ素子３１を介して第２の配線パターン２６に対して導電接続するとともに、もう一方の第１の配線パターン１９を、シール材２３０を介して第２の配線パターン（引回し配線）２８に対して導電接続することが好ましい。
そして、画素電極２０と第１の配線パターン１９との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素（以下、画素領域と称する場合がある。）として構成される。すなわち、これら多数の画素の配列により、全体として表示領域Ａが構成され、それ以外の周辺領域が非表示領域Ｂとして構成されることになる。
なお、図３に、半導体素子（ドライバＩＣ）及びＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス配線の具体的な回路図の一例を示す。すなわち、Ｙ方向に延在する複数の第２の配線パターン２６と、Ｘ方向に延在する複数の第１の配線パターン１９とから構成されており、各交差部分において画素領域５０が構成されている。また、各画素領域５０において、液晶表示要素５１と、ＴＦＤ素子３１とが直列接続されている。
図２に示すように、第２のガラス基板２７の内面（第１のガラス基板１３に対向する表面）上に、画素電極２０をマトリクス状に形成するとともに、第１のガラス基板１３の内面（第２のガラス基板２７に対向する表面）上には、複数のストライプ状の第１の配線パターン１９を形成することが好ましい。また、画素電極２０を、ＴＦＤ素子３１を介して第２の配線パターン２６に対して導電接続するとともに、もう一方の第１の配線パターン１９を、シール材２３０を介して第２の配線パターン（引回し配線）２８に対して導電接続することが好ましい。
そして、画素電極２０と第１の配線パターン１９との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素（以下、画素領域と称する場合がある。）として構成される。すなわち、これら多数の画素の配列により、全体として表示領域Ａが構成され、それ以外の周辺領域が非表示領域Ｂとして構成されることになる。
なお、図３に、半導体素子（ドライバＩＣ）及びＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス配線の具体的な回路図の一例を示す。すなわち、Ｙ方向に延在する複数の第２の配線パターン２６と、Ｘ方向に延在する複数の第１の配線パターン１９とから構成されており、各交差部分において画素領域５０が構成されている。また、各画素領域５０において、液晶表示要素５１と、ＴＦＤ素子３１とが直列接続されている。
また、図２に示すように、第２のガラス基板２７は、第１のガラス基板１３の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部１４Ｔを有し、この基板張出部１４Ｔ上には、独立して形成された複数の配線パターンからなる外部接続用端子２１９が形成されていることが好ましい。また、基板張出部１４Ｔの端部には、外部接続用端子２１９に導電接続されるように、フレキシブル配線基板１１０が実装されていることが好ましい。
（３）位相差板及び偏光板
図２に示される液晶パネル２００において、図１に示すように、第１のガラス基板１３の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）２５０及び偏光板２５１が配置されていることが好ましい。また、第２のガラス基板２７の外面においても、位相差板（１／４波長板）２４０及び偏光板２４１が配置されていることが好ましい。
図２に示される液晶パネル２００において、図１に示すように、第１のガラス基板１３の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）２５０及び偏光板２５１が配置されていることが好ましい。また、第２のガラス基板２７の外面においても、位相差板（１／４波長板）２４０及び偏光板２４１が配置されていることが好ましい。
２．第１の基板
（１）基本的構成
第１の基板１２は、図１に示すように、基本的に、第１のガラス基板１３と、反射層２１２と、着色層１６と、遮光層１８と、第１の配線パターン１９と、から構成してあることが好ましい。
また、第１の基板において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、ガラス基板上に、反射層（半透過反射板）を設けることが好ましい。この反射層は、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成することができる。また、反射層には、画素毎に、反射面を有する反射部と、開口部とが設けられていることが好ましい。
さらに、第１の基板１２において、図１に示すように、画素毎に着色層１６が形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる表面保護層２１５により、被覆してあることが好ましい。したがって、この着色層１６と表面保護層２１５とによってカラーフィルタが形成されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層（図示せず。）を設けることも好ましい。
なお、第１実施形態においては、反射層を第１の基板側に設けてあるが、対向する第２の基板側に設けても構わない。
（１）基本的構成
第１の基板１２は、図１に示すように、基本的に、第１のガラス基板１３と、反射層２１２と、着色層１６と、遮光層１８と、第１の配線パターン１９と、から構成してあることが好ましい。
また、第１の基板において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、ガラス基板上に、反射層（半透過反射板）を設けることが好ましい。この反射層は、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成することができる。また、反射層には、画素毎に、反射面を有する反射部と、開口部とが設けられていることが好ましい。
さらに、第１の基板１２において、図１に示すように、画素毎に着色層１６が形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる表面保護層２１５により、被覆してあることが好ましい。したがって、この着色層１６と表面保護層２１５とによってカラーフィルタが形成されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層（図示せず。）を設けることも好ましい。
なお、第１実施形態においては、反射層を第１の基板側に設けてあるが、対向する第２の基板側に設けても構わない。
（２）着色層
また、図１に示す着色層１６は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術（エッチング法）によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
また、図１に示す着色層１６は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術（エッチング法）によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
（３）遮光部（遮光領域）
図１に示すように、表示領域Ａにおいて、画素毎に形成された着色層１６の間の画素間領域に、遮光部（ブラックマトリクスと称する場合がある。）１８を形成することが好ましい。すなわち、隣接する画素間において色材が混色することを防止して、コントラストに優れた画像表示を得ることができるためである。
このような遮光部１８としては、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。ただし、カーボン等の黒色材料を使用しなくとも優れた遮蔽効果を得ることができることから、加色法を利用して、Ｒ（赤）層、Ｇ（緑）層、Ｂ（青）層の三層構造とすることが好ましい。
図１に示すように、表示領域Ａにおいて、画素毎に形成された着色層１６の間の画素間領域に、遮光部（ブラックマトリクスと称する場合がある。）１８を形成することが好ましい。すなわち、隣接する画素間において色材が混色することを防止して、コントラストに優れた画像表示を得ることができるためである。
このような遮光部１８としては、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。ただし、カーボン等の黒色材料を使用しなくとも優れた遮蔽効果を得ることができることから、加色法を利用して、Ｒ（赤）層、Ｇ（緑）層、Ｂ（青）層の三層構造とすることが好ましい。
また、非表示領域Ｂにおいても遮光部を形成し、図１に示すように、非表示領域Ｂの一部を遮光領域６２とすることが好ましい。かかる遮光領域６２は、上述の表示領域Ａを取り囲むように周辺見切りとして形成されることが好ましい。この理由は、非表示領域Ｂにおいてバックライトからの光を確実に遮光するためである。
また、遮光領域の幅を２〜５ｍｍの範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、遮光領域の幅が２ｍｍ未満の値となると、画像を表示させた場合に、遮光領域周辺から光が漏れる場合があるためである。一方、遮光領域の幅が５ｍｍを超えると、基板の外形が大きくなって、液晶表示装置全体としての小型化を図ることが困難となる場合があるためである。
また、遮光領域の幅を２〜５ｍｍの範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、遮光領域の幅が２ｍｍ未満の値となると、画像を表示させた場合に、遮光領域周辺から光が漏れる場合があるためである。一方、遮光領域の幅が５ｍｍを超えると、基板の外形が大きくなって、液晶表示装置全体としての小型化を図ることが困難となる場合があるためである。
（４）第１の配線パターン
図１に示すように、表面保護層２１５の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる第１の配線パターン（走査電極と称する場合がある。）１９を形成することが好ましい。かかる第１の配線パターン１９は、複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
図１に示すように、表面保護層２１５の上に、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる第１の配線パターン（走査電極と称する場合がある。）１９を形成することが好ましい。かかる第１の配線パターン１９は、複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
（５）配向膜（第１の配向膜）
また、図１に示すように、第１の配線パターン１９の上には、ポリイミド樹脂等からなる第１の配向膜２１７が形成されていることが好ましい。
この理由は、このように配向膜２１７を設けることにより、第１の基板１２を液晶表示装置等に使用した場合に、液晶の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができるためである。
また、図１に示すように、第１の配線パターン１９の上には、ポリイミド樹脂等からなる第１の配向膜２１７が形成されていることが好ましい。
この理由は、このように配向膜２１７を設けることにより、第１の基板１２を液晶表示装置等に使用した場合に、液晶の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができるためである。
３．第２の基板
（１）基本構造
また、図１及び図２に示すように、第１の基板１２と対向するもう一方の第２の基板１４は、基本的に、第２のガラス基板２７上に、第２の配線パターン２６、２８と、ＴＦＤ素子３１と、画素電極２０と、を順次積層させたものであることが好ましい。そして、かかる第２の基板１４上において、第２の配線パターン２６、２８と接続されるように、後述する半導体素子２６１が実装されることが好ましい。
なお、第１実施形態の液晶表示装置の例では、着色層を第１のガラス基板１３上に設けてあるが、第２のガラス基板２７上に設けることも好ましい。
（１）基本構造
また、図１及び図２に示すように、第１の基板１２と対向するもう一方の第２の基板１４は、基本的に、第２のガラス基板２７上に、第２の配線パターン２６、２８と、ＴＦＤ素子３１と、画素電極２０と、を順次積層させたものであることが好ましい。そして、かかる第２の基板１４上において、第２の配線パターン２６、２８と接続されるように、後述する半導体素子２６１が実装されることが好ましい。
なお、第１実施形態の液晶表示装置の例では、着色層を第１のガラス基板１３上に設けてあるが、第２のガラス基板２７上に設けることも好ましい。
（２）第２の配線パターン
また、第２の基板には、図４に示すように、第２の配線パターン（データ電極と称する場合がある。）２６を設けることが好ましい。かかる第２の配線パターン２６は、複数の配線パターンが並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、第２の基板には、図４に示すように、第２の配線パターン（データ電極と称する場合がある。）２６を設けることが好ましい。かかる第２の配線パターン２６は、複数の配線パターンが並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
（３）非線形素子
非線形素子としては、図５（ａ）〜（ｂ）に例示するように、二端子型のＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂが典型的である。
かかるＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂは、素子第１電極（第１金属膜）２４、絶縁膜２３、及び素子第２電極（第２金属膜）２２、２５からなるサンドイッチ構成を有することが好ましい。ここで、第１金属膜２４や第２金属膜２２、２５としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）や、クロム（Ｃｒ）等が挙げられる。また、絶縁膜２３としては、このような金属材料を陽極酸化させて構成してあることが好ましい。例えば、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等が具体的に挙げられる。
そして、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、第１金属膜２４及び第２金属膜２５の両端子間に印加されると導通状態となるアクティブ素子である。
また、第１のＴＦＤ素子３１ｂは、図５（ｂ）に示すように、第１金属膜２４と、絶縁膜２３と、第２の配線パターンから分岐した部分に相当する第２金属膜２５と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。一方、第２のＴＦＤ素子３１ａは、同様に、第１金属膜２４と、絶縁膜２３と、画素電極２０に電気接続された第２金属膜２２と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。
さらに、第１のＴＦＤ素子３１ｂ及び第２のＴＦＤ素子３１ａにおいて、それぞれ別個の第２金属膜２２、２５が設けてあるが、絶縁膜２３及び第１金属膜２４は、それぞれ共通していることが好ましい。
なお、ＴＦＤ素子以外にも、図６にその回路図の一例を示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子のような三端子型非線形素子を使用することもできる。
非線形素子としては、図５（ａ）〜（ｂ）に例示するように、二端子型のＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂが典型的である。
かかるＴＦＤ素子３１ａ、３１ｂは、素子第１電極（第１金属膜）２４、絶縁膜２３、及び素子第２電極（第２金属膜）２２、２５からなるサンドイッチ構成を有することが好ましい。ここで、第１金属膜２４や第２金属膜２２、２５としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）や、クロム（Ｃｒ）等が挙げられる。また、絶縁膜２３としては、このような金属材料を陽極酸化させて構成してあることが好ましい。例えば、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等が具体的に挙げられる。
そして、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、第１金属膜２４及び第２金属膜２５の両端子間に印加されると導通状態となるアクティブ素子である。
また、第１のＴＦＤ素子３１ｂは、図５（ｂ）に示すように、第１金属膜２４と、絶縁膜２３と、第２の配線パターンから分岐した部分に相当する第２金属膜２５と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。一方、第２のＴＦＤ素子３１ａは、同様に、第１金属膜２４と、絶縁膜２３と、画素電極２０に電気接続された第２金属膜２２と、がこの順に積層されて構成されていることが好ましい。
さらに、第１のＴＦＤ素子３１ｂ及び第２のＴＦＤ素子３１ａにおいて、それぞれ別個の第２金属膜２２、２５が設けてあるが、絶縁膜２３及び第１金属膜２４は、それぞれ共通していることが好ましい。
なお、ＴＦＤ素子以外にも、図６にその回路図の一例を示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子のような三端子型非線形素子を使用することもできる。
（４）画素電極
また、図４及び図５（ａ）に示すように、第２の基板１４上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる画素電極２０を形成することが好ましい。そして、かかる画素電極２０は、上述のＴＦＤ素子３１を介して第２の配線パターン（データ電極）２６に接続されることが好ましい。
また、図４及び図５（ａ）に示すように、第２の基板１４上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる画素電極２０を形成することが好ましい。そして、かかる画素電極２０は、上述のＴＦＤ素子３１を介して第２の配線パターン（データ電極）２６に接続されることが好ましい。
（５）配向膜（第２の配向膜）
また、図１に示すように、第２の配線パターン２６や画素電極（図示せず）上には、第１の基板１２における第１の配向膜と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜２２４が形成されていることが好ましい。
また、図１に示すように、第２の配線パターン２６や画素電極（図示せず）上には、第１の基板１２における第１の配向膜と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜２２４が形成されていることが好ましい。
４．半導体素子
（１）概要
半導体素子は、第２の基板上の第２の配線パターンを介して、第１の基板上の第１の配線パターン及び第２の基板上の画素電極に対して電圧を印加するとともに、それぞれの画素に応じて印加する電圧を変化させて、画像を表示させるための部材である。
本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置に用いられる半導体素子は、従来のものと比較して、薄型化されていることが好ましい。この理由は、シール材の内側であって第１の基板及び第２の基板の間における第２の基板上に実装された半導体素子が、対向する第１の基板と接触して押圧することがなくなり、セルギャップにバラつきが生じたり、半導体素子が破損したりすることを防止することができるためである。
ただし、半導体素子の厚さを過度に薄くすると、内部配線が困難であったり、強度が低下したりする場合があることから、具体的には、半導体素子の厚さを１５〜２５μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
（１）概要
半導体素子は、第２の基板上の第２の配線パターンを介して、第１の基板上の第１の配線パターン及び第２の基板上の画素電極に対して電圧を印加するとともに、それぞれの画素に応じて印加する電圧を変化させて、画像を表示させるための部材である。
本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置に用いられる半導体素子は、従来のものと比較して、薄型化されていることが好ましい。この理由は、シール材の内側であって第１の基板及び第２の基板の間における第２の基板上に実装された半導体素子が、対向する第１の基板と接触して押圧することがなくなり、セルギャップにバラつきが生じたり、半導体素子が破損したりすることを防止することができるためである。
ただし、半導体素子の厚さを過度に薄くすると、内部配線が困難であったり、強度が低下したりする場合があることから、具体的には、半導体素子の厚さを１５〜２５μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
（２）実装領域
本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置においては、図１に示すように、第１の基板１２と第２の基板１４とを貼り合わせるためのシール材２３０の内側領域に、半導体素子２６１を実装することを特徴としている。すなわち、半導体素子の実装領域として、従来より存在しているシール材の内側領域における非表示領域を利用することにより、基板張出部１４Ｔ上に半導体素子の実装領域を確保する必要がなくなるためである。したがって、液晶表示装置全体として小型化を図ることができる。
また、シール材の内側領域に実装された半導体素子の実装領域は、図１に示すように、第１の基板１２において非表示領域Ｂの一部に形成された遮光領域６２と重なっていることが好ましい。この理由は、かかる遮光領域６２は、通常、非表示領域から光が漏れることを防止するために設けられており、当該領域に半導体素子２６１を実装することにより、外光が半導体に当たって、光誤動作が生じることを防止するためである。したがって、表示特性を低下させることなく、基板張出部１４Ｔの面積を小さくすることができ、液晶表示装置全体としての小型化を図ることができる。
なお、シール材中にセルギャップの調整を図るためのギャップ材等が含まれている場合には、半導体素子の実装領域と、シール材の積層位置とが、重ならないことが好ましい。この理由は、かかるギャップ材等によって、半導体素子を損傷させることを防止するためである。一方で、シール材中にかかるギャップ材等が含まれていない場合には、半導体素子の実装領域と、シール材の積層位置とを、一部重ねることが好ましい。この理由は、かかるシール材であれば、上述のような問題がないどころか、後述するように、シール材を半導体素子の周囲の樹脂封止に利用することができるためである。
本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置においては、図１に示すように、第１の基板１２と第２の基板１４とを貼り合わせるためのシール材２３０の内側領域に、半導体素子２６１を実装することを特徴としている。すなわち、半導体素子の実装領域として、従来より存在しているシール材の内側領域における非表示領域を利用することにより、基板張出部１４Ｔ上に半導体素子の実装領域を確保する必要がなくなるためである。したがって、液晶表示装置全体として小型化を図ることができる。
また、シール材の内側領域に実装された半導体素子の実装領域は、図１に示すように、第１の基板１２において非表示領域Ｂの一部に形成された遮光領域６２と重なっていることが好ましい。この理由は、かかる遮光領域６２は、通常、非表示領域から光が漏れることを防止するために設けられており、当該領域に半導体素子２６１を実装することにより、外光が半導体に当たって、光誤動作が生じることを防止するためである。したがって、表示特性を低下させることなく、基板張出部１４Ｔの面積を小さくすることができ、液晶表示装置全体としての小型化を図ることができる。
なお、シール材中にセルギャップの調整を図るためのギャップ材等が含まれている場合には、半導体素子の実装領域と、シール材の積層位置とが、重ならないことが好ましい。この理由は、かかるギャップ材等によって、半導体素子を損傷させることを防止するためである。一方で、シール材中にかかるギャップ材等が含まれていない場合には、半導体素子の実装領域と、シール材の積層位置とを、一部重ねることが好ましい。この理由は、かかるシール材であれば、上述のような問題がないどころか、後述するように、シール材を半導体素子の周囲の樹脂封止に利用することができるためである。
（３）間隙
また、図１に示すように、第２の基板１４上に実装された半導体素子２６１と、対向する第１の基板１２との間に、間隙を備えることが好ましい。この理由は、かかる半導体素子２６１が、対向する第１の基板１２と接触するような場合には、半導体素子２６１が第１の基板１２を押圧してしまい、セルギャップにバラつきを生じたり、半導体素子を破損させたりする場合があるためである。また、シール材の内側領域全体への液晶材料の注入が不十分になる場合があるためである。
したがって、具体的には、第２の基板１４上に実装された半導体素子２６１と、対向する第１の基板１２との間の間隙を１〜５μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
また、図１に示すように、第２の基板１４上に実装された半導体素子２６１と、対向する第１の基板１２との間に、間隙を備えることが好ましい。この理由は、かかる半導体素子２６１が、対向する第１の基板１２と接触するような場合には、半導体素子２６１が第１の基板１２を押圧してしまい、セルギャップにバラつきを生じたり、半導体素子を破損させたりする場合があるためである。また、シール材の内側領域全体への液晶材料の注入が不十分になる場合があるためである。
したがって、具体的には、第２の基板１４上に実装された半導体素子２６１と、対向する第１の基板１２との間の間隙を１〜５μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
（４）凹部
また、半導体素子の実装領域に関し、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の基板１２及び第２の基板１４あるいはいずれか一方の基板の内面上であって、当該半導体素子２６１の実装領域に相当する箇所に、凹部６０を設けることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、第２の基板１４上の半導体素子２６１が、対向する第１の基板１２と接触して押圧することがなくなり、セルギャップにバラつきが生じたり、半導体素子２６１が破損したりすることを防止することができるためである。
かかる凹部６０を設ける位置に関し、図８（ａ）に示すように、半導体素子２６１が実装される箇所にのみそれぞれ設けることも好ましく、図８（ｂ）に示すように、半導体素子２６１が実装される辺側の全体に設けることも好ましく、さらには、図８（ｃ）に示すように、表示領域Ａを取り囲むように設けることも好ましい。
また、凹部６０を設けるにあたり、図７（ａ）に示すように、当該凹部６０の側面の断面形状を傾斜状とすることが好ましい。この理由は、このように構成することにより、凹部６０上にまたがって形成される第１の配線パターン１９や第２の配線パターン２６等が断線することを防止することができるためである。
また、半導体素子の実装領域に関し、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の基板１２及び第２の基板１４あるいはいずれか一方の基板の内面上であって、当該半導体素子２６１の実装領域に相当する箇所に、凹部６０を設けることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、第２の基板１４上の半導体素子２６１が、対向する第１の基板１２と接触して押圧することがなくなり、セルギャップにバラつきが生じたり、半導体素子２６１が破損したりすることを防止することができるためである。
かかる凹部６０を設ける位置に関し、図８（ａ）に示すように、半導体素子２６１が実装される箇所にのみそれぞれ設けることも好ましく、図８（ｂ）に示すように、半導体素子２６１が実装される辺側の全体に設けることも好ましく、さらには、図８（ｃ）に示すように、表示領域Ａを取り囲むように設けることも好ましい。
また、凹部６０を設けるにあたり、図７（ａ）に示すように、当該凹部６０の側面の断面形状を傾斜状とすることが好ましい。この理由は、このように構成することにより、凹部６０上にまたがって形成される第１の配線パターン１９や第２の配線パターン２６等が断線することを防止することができるためである。
（５）実装方法
また、半導体素子を実装する際には、例えば、ワイヤーボンディング、ダイボンディングによる実装方法や、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に接続する方法、異方性導電膜を用いる方法、あるいは半田バンプを用いるフリップチップ方法等、種々の方法を採用することができる。中でも、薄型化を図ることができるとともに、半導体素子の接続箇所を周囲から絶縁する役割を果たすことができることから、異方性導電膜を用いて実装されていることが好ましい。
また、半導体素子を実装する際には、例えば、ワイヤーボンディング、ダイボンディングによる実装方法や、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に接続する方法、異方性導電膜を用いる方法、あるいは半田バンプを用いるフリップチップ方法等、種々の方法を採用することができる。中でも、薄型化を図ることができるとともに、半導体素子の接続箇所を周囲から絶縁する役割を果たすことができることから、異方性導電膜を用いて実装されていることが好ましい。
（６）樹脂封止
また、図９に示すように、第２の基板１４上における半導体素子２６１の周囲を樹脂６８により封止することが好ましい。この理由は、このように構成することにより、例えば、半導体素子２６１を、異方性導電膜６６を介して実装した場合に、当該異方性導電膜６６の構成成分が液晶材料２３２中に溶け出すことを防止することができるためである。
なお、上述のとおり、シール材中にギャップ材等が含まれていない場合には、かかるシール材の一部を利用して、半導体素子の周囲を封止することが好ましい。この理由は、シール材が封止材を兼ねることにより、半導体素子の実装領域と、シール材の積層位置とを重ねることができ、さらなる液晶表示装置の小型化を図ることができるためである。
また、図９に示すように、第２の基板１４上における半導体素子２６１の周囲を樹脂６８により封止することが好ましい。この理由は、このように構成することにより、例えば、半導体素子２６１を、異方性導電膜６６を介して実装した場合に、当該異方性導電膜６６の構成成分が液晶材料２３２中に溶け出すことを防止することができるためである。
なお、上述のとおり、シール材中にギャップ材等が含まれていない場合には、かかるシール材の一部を利用して、半導体素子の周囲を封止することが好ましい。この理由は、シール材が封止材を兼ねることにより、半導体素子の実装領域と、シール材の積層位置とを重ねることができ、さらなる液晶表示装置の小型化を図ることができるためである。
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態は、シール材を介して対向配置される一対の基板と、当該一対の基板の間であって、シール材の内側領域に狭持された電気光学材料と、一対の基板のうちいずれかの基板上に実装された半導体素子と、を備えた電気光学装置の製造方法である。そして、半導体素子を前記シール材の内側領域に実装することを特徴とする。
ここでは、第１実施形態の液晶表示装置の製造方法の一例を、図１０〜図１３を適宜参照しながら説明する
本発明の第２実施形態は、シール材を介して対向配置される一対の基板と、当該一対の基板の間であって、シール材の内側領域に狭持された電気光学材料と、一対の基板のうちいずれかの基板上に実装された半導体素子と、を備えた電気光学装置の製造方法である。そして、半導体素子を前記シール材の内側領域に実装することを特徴とする。
ここでは、第１実施形態の液晶表示装置の製造方法の一例を、図１０〜図１３を適宜参照しながら説明する
（１）第１の基板の製造
（１）−１ カラーフィルタの形成
図１０（ａ）に示すように、第１のガラス基板１３上には、表示領域Ａに相当する箇所に、反射層２１２及び着色層１６、遮光層１８を順次形成することが好ましい。
ここで、開口部を備えた反射層２１２は、蒸着法やスパッタリング法にて金属材料等を基板上に被着させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成される。
また、着色層１６は、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、ガラス基板１３上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成することができる。なお、複数の色の着色層１６を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
（１）−１ カラーフィルタの形成
図１０（ａ）に示すように、第１のガラス基板１３上には、表示領域Ａに相当する箇所に、反射層２１２及び着色層１６、遮光層１８を順次形成することが好ましい。
ここで、開口部を備えた反射層２１２は、蒸着法やスパッタリング法にて金属材料等を基板上に被着させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成される。
また、着色層１６は、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、ガラス基板１３上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成することができる。なお、複数の色の着色層１６を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
また、遮光部１８についても、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成する。
このとき、第１実施形態において説明したように、表示領域Ａにおける画素間領域だけでなく、非表示領域Ｂにおいても遮光部を形成して、遮光領域６２を設けることが好ましい。この理由は、このように実施することにより、後述するように、シール材の内側領域であって、非表示領域Ｂに半導体素子を実装した場合であっても、光り抜け等の表示不良が少ない液晶表示装置を得ることができるためである。
このとき、第１実施形態において説明したように、表示領域Ａにおける画素間領域だけでなく、非表示領域Ｂにおいても遮光部を形成して、遮光領域６２を設けることが好ましい。この理由は、このように実施することにより、後述するように、シール材の内側領域であって、非表示領域Ｂに半導体素子を実装した場合であっても、光り抜け等の表示不良が少ない液晶表示装置を得ることができるためである。
（１）−２ 表面保護層の形成
次いで、図１０（ｂ）に示すように、第１の基板１２上に全面的に透光保護層２１５Ｘを形成する。この透光保護層２１５Ｘは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
次いで、上記透光保護層２１５Ｘに、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１０（ｃ）に示すように、表示領域Ａに限定された表面保護層２１５を形成する。この工程によって、透光保護層２１５Ｘから表示領域Ａ以外の非表示領域Ｂから透光性素材が欠落される。
次いで、図１０（ｂ）に示すように、第１の基板１２上に全面的に透光保護層２１５Ｘを形成する。この透光保護層２１５Ｘは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
次いで、上記透光保護層２１５Ｘに、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１０（ｃ）に示すように、表示領域Ａに限定された表面保護層２１５を形成する。この工程によって、透光保護層２１５Ｘから表示領域Ａ以外の非表示領域Ｂから透光性素材が欠落される。
（１）−３ 第１の配線パターンの形成
次いで、図１０（ｄ）に示すように、表面保護層２１５上に、全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層１９Ｘを形成することが好ましい。この透明導電層１９Ｘは、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。そして、透明導電層１９Ｘに対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１０（ｅ）に示すように第１の配線パターン１９を形成することが好ましい。
次いで、図１０（ｄ）に示すように、表面保護層２１５上に、全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層１９Ｘを形成することが好ましい。この透明導電層１９Ｘは、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。そして、透明導電層１９Ｘに対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図１０（ｅ）に示すように第１の配線パターン１９を形成することが好ましい。
（２）第２の基板の製造
（２）−１ 凹部の形成
まず、図示しないが、第２の基板の基体となるガラス基板を準備した後、後述する半導体素子の実装領域を含む領域に対して、ウェットエッチング法やドライエッチング法により凹部を形成することが好ましい。このとき、凹部の側面の断面形状が傾斜状となるように形成することが好ましい。この理由は、このように実施することにより、後工程において、第２の配線パターンを形成する際に、精度よく形成することができるためである。
（２）−１ 凹部の形成
まず、図示しないが、第２の基板の基体となるガラス基板を準備した後、後述する半導体素子の実装領域を含む領域に対して、ウェットエッチング法やドライエッチング法により凹部を形成することが好ましい。このとき、凹部の側面の断面形状が傾斜状となるように形成することが好ましい。この理由は、このように実施することにより、後工程において、第２の配線パターンを形成する際に、精度よく形成することができるためである。
（２）−２ 素子第１電極の形成
図１１（ａ）〜図１２（ｂ）に示すように、第２の基板のガラス基板２７上に、第１の金属膜２４を形成する工程である。この第１の金属膜２４は、例えば、タンタルから構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。また、この第１の金属膜２４の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、２０〜５００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
また、図１１（ａ）に示すように、第１の金属膜２４の形成前に、第２のガラス基板２７に対する第１の金属膜２４の密着力を著しく向上させることができるとともに、第２のガラス基板２７から第１の金属膜２４への不純物の拡散を効率的に抑制することができることから、第２の基板１４のガラス基板２７上に、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁膜１５８を形成することも好ましい。
図１１（ａ）〜図１２（ｂ）に示すように、第２の基板のガラス基板２７上に、第１の金属膜２４を形成する工程である。この第１の金属膜２４は、例えば、タンタルから構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。また、この第１の金属膜２４の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、２０〜５００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
また、図１１（ａ）に示すように、第１の金属膜２４の形成前に、第２のガラス基板２７に対する第１の金属膜２４の密着力を著しく向上させることができるとともに、第２のガラス基板２７から第１の金属膜２４への不純物の拡散を効率的に抑制することができることから、第２の基板１４のガラス基板２７上に、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁膜１５８を形成することも好ましい。
次いで、図１２（ｃ）に示すように、第１の金属膜２４の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、酸化膜２３を形成することが好ましい。より具体的には、第１の金属膜２４が形成されたガラス基板２７を、クエン酸溶液等の電解液中に浸漬した後、かかる電解液と、第１の金属膜２４との間に所定電圧を印加して、第１の金属膜２４の表面を酸化させることが好ましい。
さらに、酸化膜２３が形成された第１の金属膜２４を、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングして、その一部を素子第１電極２４とすることが好ましい。
なお、酸化膜２３の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、１０〜５０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
さらに、酸化膜２３が形成された第１の金属膜２４を、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングして、その一部を素子第１電極２４とすることが好ましい。
なお、酸化膜２３の厚さはＴＦＤ素子の用途等に対応して、適宜変更することができるが、通常、１０〜５０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
（２）−３ 素子第２電極及び第２の配線パターンの形成
次いで、図示しないが、再び、スパッタリング法等により、第１の金属膜２４上に、全面的に第２の金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ技術を用いて、パターニングすることにより、図１２（ｄ）に示すように、素子第２電極２２を形成することが好ましい。このとき、同時に、第２の配線パターンを形成することが好ましい。
次いで、図示しないが、再び、スパッタリング法等により、第１の金属膜２４上に、全面的に第２の金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ技術を用いて、パターニングすることにより、図１２（ｄ）に示すように、素子第２電極２２を形成することが好ましい。このとき、同時に、第２の配線パターンを形成することが好ましい。
（２）−４ 画素電極の形成
次いで、図示しないが、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより、図１２（ｅ）に示すように、画素電極２０を形成することが好ましい。
次いで、図示しないが、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより、図１２（ｅ）に示すように、画素電極２０を形成することが好ましい。
（３）半導体素子の実装
次いで、図１３（ａ）に示すように、第２の基板１４上における前述の凹部６０を形成した箇所に半導体素子２６１を実装して、半導体素子２６１と、第２の配線パターン２６や、フレキシブル基板等と接続するための配線パターン６４とを接続することが好ましい。このとき、第１実施形態で説明したように、異方性導電膜６６を使用して半導体素子２６１を実装することが好ましい。この理由は、このように実施することにより、液晶表示装置の薄型化を図ることができるとともに、半導体素子の接続箇所を封止して、周囲からの絶縁性を確保することができるためである。
次いで、図１３（ｂ）に示すように、実装された半導体素子２６１の周囲を樹脂６８により封止することが好ましい。この理由は、このように実施することにより、異方性導電膜が液晶材料中に溶け出すことを防止して、信頼性に優れた液晶表示装置を得ることができるためである。
次いで、図１３（ａ）に示すように、第２の基板１４上における前述の凹部６０を形成した箇所に半導体素子２６１を実装して、半導体素子２６１と、第２の配線パターン２６や、フレキシブル基板等と接続するための配線パターン６４とを接続することが好ましい。このとき、第１実施形態で説明したように、異方性導電膜６６を使用して半導体素子２６１を実装することが好ましい。この理由は、このように実施することにより、液晶表示装置の薄型化を図ることができるとともに、半導体素子の接続箇所を封止して、周囲からの絶縁性を確保することができるためである。
次いで、図１３（ｂ）に示すように、実装された半導体素子２６１の周囲を樹脂６８により封止することが好ましい。この理由は、このように実施することにより、異方性導電膜が液晶材料中に溶け出すことを防止して、信頼性に優れた液晶表示装置を得ることができるためである。
（４）貼り合わせ工程
次いで、第２の基板上において、エポキシ樹脂等を主成分とするシール材を、スクリーン印刷やディスペンサにより、表示領域Ａを囲むようにパターニングして形成することが好ましい。そして、第１の基板と、シール材が積層された第２の基板とを重ね合わせて接合させた後、加熱しながら加圧保持して、第１の基板と第２の基板とを貼合せることにより、セル構造を形成することが好ましい。
なお、本実施形態においては、第２の基板上にシール材を塗布しているが、第１の基板上に印刷しても構わない。
次いで、第２の基板上において、エポキシ樹脂等を主成分とするシール材を、スクリーン印刷やディスペンサにより、表示領域Ａを囲むようにパターニングして形成することが好ましい。そして、第１の基板と、シール材が積層された第２の基板とを重ね合わせて接合させた後、加熱しながら加圧保持して、第１の基板と第２の基板とを貼合せることにより、セル構造を形成することが好ましい。
なお、本実施形態においては、第２の基板上にシール材を塗布しているが、第１の基板上に印刷しても構わない。
（５）液晶材料の注入及び偏光板の配置
次いで、第１の基板及び第２の基板が形成する空間であって、シール材の内側部分に対して、液晶材料を注入した後、封止材等にて封止することが好ましい。また、第１の基板及び第２の基板のそれぞれの表面に、偏光板を配置することが好ましい。
次いで、第１の基板及び第２の基板が形成する空間であって、シール材の内側部分に対して、液晶材料を注入した後、封止材等にて封止することが好ましい。また、第１の基板及び第２の基板のそれぞれの表面に、偏光板を配置することが好ましい。
［第３実施形態］
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の液晶表示装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の液晶表示装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
図１４は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル２００と、これを制御するための制御手段１２００とを有している。また、図１４中では、液晶パネル２００を、パネル構造体２００Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２００Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。
また、表示情報処理回路１２２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２００Ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２００Ｂは、第１の配線パターン駆動回路、第２の配線パターン駆動回路及び検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路１２３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、半導体素子が、シール材の内側領域に実装されているために、液晶パネルにおける基板張出部の面積を小さくして、全体としての小型化を図ることができる電子機器とすることができる。
そして、本実施形態の電子機器であれば、半導体素子が、シール材の内側領域に実装されているために、液晶パネルにおける基板張出部の面積を小さくして、全体としての小型化を図ることができる電子機器とすることができる。
本発明によれば、半導体素子をシール材の内側領域に実装することにより、基板の外形を小さくして、全体として電気光学装置の小型化を図ることができる。したがって、電気光学物質として液晶分子を用いた電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を使用した装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、プラズマディスプレイ装置、有機及び無機エレクトロルミネッセンス装置などに適用することができる。
また、本発明の液晶表示装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各実施形態に示す液晶パネルはＴＦＤ（薄膜ダイオード）を用いたアクティブマトリクス型の構造を備えているが、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置や、パッシブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用することができる。
１２：第１の基板（カラーフィルタ基板）、１３：第１のガラス基板、１４：第２の基板（素子基板）、２７：第２のガラス基板、１９：第１の配線パターン、２６・２８：第２の配線パターン、３１：非線形素子（ＴＦＤ素子）、６０：凹部、６２：遮光領域、６６：異方性導電膜、６８：絶縁性樹脂、２００：液晶パネル、２３０：シール材、２３０ａ：開口部、２３２：液晶材料、２６１：半導体素子
Claims (9)
- シール材を介して対向配置される一対の基板と、当該一対の基板の間であって前記シール材の内側領域に狭持された電気光学材料と、前記一対の基板のうちいずれか一方の基板上に実装された半導体素子と、を備えた電気光学装置において、前記半導体素子を前記シール材の内側領域に実装することを特徴とする電気光学装置。
- 前記一対の基板が表示領域及び非表示領域を有するとともに、当該非表示領域の一部に遮光領域を備え、当該遮光領域と、前記半導体素子の実装領域と、を重ねてあることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
- 前記半導体素子と、当該半導体素子が実装された基板に対向する基板と、の間に間隙を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
- 前記一対の基板のうちいずれか一方の基板の内面上であって、前記半導体素子の実装領域に相当する箇所に、凹部を設けてあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記半導体素子が異方性導電膜又は半田バンプを介して前記基板に対して実装してあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記半導体素子の周囲が樹脂封止してあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- シール材を介して対向配置される一対の基板と、当該一対の基板の間であって、前記シール材の内側領域に狭持された電気光学材料と、前記一対の基板のうちいずれかの基板上に実装された半導体素子と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記半導体素子を前記シール材の内側領域に実装することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 前記一対の基板のうちいずれか一方の基板の内面上であって、前記半導体素子の実装領域に相当する箇所に、凹部を設ける工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
- 請求項１〜６のいずれかに記載された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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| JP2004022261A JP2005215355A (ja) | 2004-01-29 | 2004-01-29 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2008276240A (ja) * | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示パネル及びこれの製造方法 |
| JP2010224115A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Casio Computer Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| CN104298012A (zh) * | 2014-09-22 | 2015-01-21 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| US9329447B2 (en) | 2012-06-20 | 2016-05-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of manufacturing the same |
-
2004
- 2004-01-29 JP JP2004022261A patent/JP2005215355A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
| JP2008276240A (ja) * | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示パネル及びこれの製造方法 |
| JP2010224115A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Casio Computer Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| US9329447B2 (en) | 2012-06-20 | 2016-05-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of manufacturing the same |
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