JP4581405B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する。
特に、背景色の均一化を図るために、表示領域外に形成されるダミーパターンを介して、静電気破壊が生じることを防止した電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する。
The present invention relates to an electro-optical device, a method for manufacturing the electro-optical device, and an electronic apparatus including the electro-optical device.
In particular, the present invention includes an electro-optical device, a method for manufacturing an electro-optical device, and an electro-optical device that prevent electrostatic breakdown through a dummy pattern formed outside the display area in order to make the background color uniform. It relates to electronic equipment.
従来、互いに対向配置される一対の基板の一方に形成した走査電極と、他方の基板に形成したデータ電極とを、ドットマトリクス状に交差させることによって画素を形成し、それらの画素に印加する電圧をオン、オフさせることによって、当該画素に含まれる液晶物質を通過する光を変調させ、文字等の像を表示する液晶表示装置が多用されている。
このような液晶表示装置は、通常、第1の配線パターン(走査電極)を有する第1の基板と、第2の配線パターン(データ電極)及び画素電極を有する第2の基板と、当該第1の基板及び第2の基板の外周面に沿って配置されるとともに、第1の基板及び第2の基板を貼り合わせるためのシール材と、第1の基板及び第2の基板の間に封入された液晶と、から構成されている。
Conventionally, a pixel is formed by intersecting a scan electrode formed on one of a pair of substrates opposed to each other and a data electrode formed on the other substrate in a dot matrix form, and a voltage applied to these pixels A liquid crystal display device that displays an image such as a character by modulating light that passes through a liquid crystal substance included in the pixel by turning on and off is widely used.
Such a liquid crystal display device usually has a first substrate having a first wiring pattern (scanning electrode), a second substrate having a second wiring pattern (data electrode) and a pixel electrode, and the first substrate. Arranged along the outer peripheral surfaces of the first substrate and the second substrate, and sealed between the first substrate and the second substrate, and a sealing material for bonding the first substrate and the second substrate together Liquid crystal.
かかる液晶表示装置においては、第1の配線パターンや、第2の配線パターンは、通常、表示領域の外側領域(以下、非表示領域と称する。)にまで延設されている。また、駆動用ICと、それらの配線パターンとを接続するための引回し配線についても、透明電極等により、非表示領域に形成されている。
そして、多くの液晶表示装置は、かかる非表示領域をも含めて視認される状態で電子機器に組み込まれている。したがって、電圧がオフ時において視認される、非表示領域の色(以下、背景色と称する。)と、表示領域の色と、が等しいことが望ましいとされている。
In such a liquid crystal display device, the first wiring pattern and the second wiring pattern are usually extended to an outer area of the display area (hereinafter referred to as a non-display area). Further, the lead wiring for connecting the driving IC and the wiring patterns thereof is also formed in the non-display area by a transparent electrode or the like.
Many liquid crystal display devices are incorporated in electronic devices in a state where the liquid crystal display device is visually recognized including the non-display area. Therefore, it is desirable that the color of the non-display area (hereinafter referred to as the background color) visually recognized when the voltage is off is equal to the color of the display area.
そこで、表示領域において第1の配線パターンと第2の配線パターンが重なるのと同様に、非表示領域においても、対向する第1の配線パターンあるいは第2の配線パターンと重なるようにダミーパターンを形成して、液晶が注入された第1の基板及び第2の基板の間のセルギャップの均一化を図ることにより、電圧がオフ時における、非表示領域と表示領域との色を実質的に等しくした電気光学装置が開示されている。より具体的には、所定電圧の印加を受ける電極を備える第1の基板と、電極の一部と対向するダミー電極を備える第2の基板とを備える電気光学装置であって、第2の基板には、図17に示すように、パターン形状の異なるダミー電極428、430が形成された複数の領域が存在するとともに、当該複数の領域においてダミー電極428、430の配線ピッチに対する配線幅の比率がそれぞれほぼ同一となるようにダミー電極が428、430設けられている電気光学装置である(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、特許文献1に記載された電気光学装置は、ダミーパターンと、基板の端部との距離によっては、ダミーパターンに対して金属フレームや異物が接触して、静電気が発生する場合があった。したがって、当該ダミーパターンを介して、配線パターンに対して静電気が伝わり、静電気破壊が発生しやすいという問題が見られた。
また、ラビング処理や剥離帯電等で発生する静電気が配線パターンに蓄積するとともに、当該静電気がダミーパターンを介して放電される際にも、配向膜表面が大きなダメージを受け、表示不良が生じる場合があった。
かかる問題を解決するために、ダミーパターンと、配線パターンとの間の距離を広くすることも考えられるが、上述した背景色や、セルギャップの均一化の問題を考慮すると、当該距離を広くすることにも限界があり、配線パターンにおける静電気破壊等の発生を確実に防ぐことは困難であった。
However, in the electro-optical device described in
In addition, static electricity generated by rubbing or peeling charging accumulates in the wiring pattern, and when the static electricity is discharged through the dummy pattern, the alignment film surface may be damaged greatly, resulting in display defects. there were.
In order to solve such a problem, it is conceivable to increase the distance between the dummy pattern and the wiring pattern. However, considering the background color and the problem of uniform cell gap, the distance is increased. There is a limit to this, and it has been difficult to reliably prevent the occurrence of electrostatic breakdown or the like in the wiring pattern.
そこで、本発明の発明者らは鋭意努力し、電気光学装置を構成するそれぞれの基板において、所定位置に形成されたダミーパターンを分割して、電気絶縁するための間隙を備えることにより、このような問題を解決できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、電気光学装置において、セルギャップの均一化を図るためのダミーパターンを介しての静電気破壊の発生を防止して、背景色のムラの発生を防止しつつ、長期信頼性に優れた電気光学装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、このような電気光学装置の効率的な製造方法を提供するとともに、このような電気光学装置を含む電子機器を効率的に提供することである。
Accordingly, the inventors of the present invention have made diligent efforts to divide the dummy pattern formed at a predetermined position in each substrate constituting the electro-optical device, and to provide a gap for electrical insulation as described above. The present invention has been completed by finding that it is possible to solve various problems.
That is, according to the present invention, in an electro-optical device, the occurrence of electrostatic breakdown through a dummy pattern for uniform cell gap is prevented, and the occurrence of background color unevenness is prevented, thereby achieving long-term reliability. An object is to provide an excellent electro-optical device. Another object of the present invention is to provide an efficient manufacturing method of such an electro-optical device and to efficiently provide an electronic apparatus including such an electro-optical device.
本発明によれば、シール材を介して対向配置される第1の基板及び第2の基板と、当該第1の基板及び第2の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置において、前記第1の基板は、表示領域及び非表示領域にまたがる第1の配線パターンを備え、前記第2の基板は、第2の配線パターンと、前記第1の配線パターンの形状に対応して前記非表示領域に形成され、前記第2の配線パターンと離間しているダミーパターンと、を備えるとともに、当該ダミーパターンを分割する間隙を、少なくとも一つ以上備え、前記間隙は、前記シール材が設けられた領域よりも内側の領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
According to the present invention, the first substrate and the second substrate that are disposed to face each other with the sealant interposed therebetween, and the electro-optical material sandwiched between the first substrate and the second substrate are included. In the electro-optical device, the first substrate includes a first wiring pattern extending over a display region and a non-display region, and the second substrate includes a second wiring pattern and a shape of the first wiring pattern. wherein formed on the non-display area in response to a dummy pattern that is spaced apart from the second wiring pattern, provided with a, a gap that divides the dummy pattern comprises at least one, the gap is An electro-optical device is provided which is provided in a region inside a region where the sealing material is provided, and can solve the above-described problem.
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第2の配線パターンは、表示領域及び非表示領域にまたがって形成され、第1の基板は、当該第2の配線パターンの形状に対応して非表示領域に形成されるとともに、第1の配線パターンと離間しているダミーパターンを備え、かつ、当該ダミーパターンを分割する間隙を、少なくとも一つ以上備えることが好ましい。 In configuring the electro-optical device of the present invention, the second wiring pattern is formed over the display area and the non-display area, and the first substrate corresponds to the shape of the second wiring pattern. It is preferable that a dummy pattern that is formed in the non-display area and is spaced apart from the first wiring pattern is provided, and at least one gap that divides the dummy pattern is provided.
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、間隙を、シール材が設けられた領域よりも内側の領域に備えることが好ましい。 In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that the gap is provided in a region inside the region where the sealing material is provided.
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第2の基板において、ダミーパターンの間隙の幅(A)を、当該ダミーパターンと、第2の配線パターンと、の間の距離(B)よりも小さくすることが好ましい。 In constructing the electro-optical device of the present invention, the width (A) of the gap between the dummy patterns in the second substrate is determined from the distance (B) between the dummy pattern and the second wiring pattern. It is preferable to reduce the size.
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ダミーパターンにおいて、第2の配線パターンに対向する側の辺を、当該第2の配線パターンと平行に配置することが好ましい。 In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that the side of the dummy pattern that faces the second wiring pattern is arranged in parallel with the second wiring pattern.
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ダミーパターンにおいて、分割したそれぞれのダミーパターン片の面積を実質的に等しくすることが好ましい。
なお、分割したそれぞれのダミーパターン片とは、分割されたダミーパターン片のうち、両端部のダミーパターン片を除いたダミーパターン片を意味する場合も含むものとする。
Further, in configuring the electro-optical device according to the present invention, it is preferable that the areas of the divided dummy pattern pieces are substantially equal in the dummy pattern.
Note that each of the divided dummy pattern pieces includes a case in which the dummy pattern pieces excluding the dummy pattern pieces at both ends of the divided dummy pattern pieces are included.
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、第2の基板において、ダミーパターンの線幅が異なる複数の領域が存在するとともに、それぞれの領域におけるダミーパターンのピッチ間隔に対する当該ダミーパターンの線幅の比率を、実質的に等しくすることが好ましい。 In configuring the electro-optical device of the present invention, the second substrate includes a plurality of regions having different dummy pattern line widths, and the dummy pattern line widths with respect to the pitch intervals of the dummy patterns in the respective regions. It is preferable that the ratios of these are substantially equal.
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ダミーパターンの間隙の幅(A)を10〜20μmの範囲内の値とするとともに、当該ダミーパターンと、第2の配線パターンと、の間の距離(B)を30〜100μmの範囲内の値とすることが好ましい。 In constructing the electro-optical device of the present invention, the width (A) of the gap between the dummy patterns is set to a value within the range of 10 to 20 μm, and the dummy pattern and the second wiring pattern are between The distance (B) is preferably set to a value in the range of 30 to 100 μm.
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ダミーパターンと、第2の基板の縁部と、の間の距離(C)を0.3〜3mmの範囲内の値とすることが好ましい。 In configuring the electro-optical device of the present invention, it is preferable that the distance (C) between the dummy pattern and the edge of the second substrate is set to a value within a range of 0.3 to 3 mm.
また、本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えた電子機器である。 Still another embodiment of the present invention is an electronic apparatus including any of the electro-optical devices described above.
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments relating to an electro-optical device, an electro-optical device manufacturing method, and an electronic apparatus including the electro-optical device according to the invention will be specifically described below with reference to the drawings.
However, this embodiment shows one aspect of the present invention and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the present invention.
[第1実施形態]
第1実施形態は、シール材を介して対向配置される第1の基板及び第2の基板と、当該第1の基板及び第2の基板の間に狭持された電気光学物質と、を含む電気光学装置である。そして、第1の基板は、表示領域及び非表示領域にまたがる第1の配線パターンを備え、第2の基板は、第2の配線パターンと、第1の配線パターンの形状に対応して非表示領域に形成され、第2の配線パターンと離間しているダミーパターンと、を備えるとともに、当該ダミーパターンを分割する間隙を、少なくとも一つ以上備えることを特徴とする。
以下、図1〜図10を適宜参照しながら、本発明の第1実施形態の電気光学装置について、第1の基板及び第2の基板のそれぞれの基板上に所定のダミーパターンを備えた液晶表示装置を例に採って説明する。
なお、図1(a)は、第1実施形態の液晶表示装置10を平面的に見た場合における、第1の基板12上の第1の配線パターン19及び間隙43を有するダミーパターン41を示す図であり、図1(b)は、第1実施形態の液晶表示装置10を平面的に見た場合における、第2の基板14上の第2の配線パターン(データ電極26、及び引回し配線28)、画素電極20及び間隙43を有するダミーパターン41を示す図であって、その内容については後述する。
[First Embodiment]
1st Embodiment contains the 1st board | substrate and 2nd board | substrate which are opposingly arranged through a sealing material, and the electro-optical material pinched | interposed between the said 1st board | substrate and 2nd board | substrate. An electro-optical device. The first substrate includes a first wiring pattern extending over the display area and the non-display area, and the second substrate is not displayed corresponding to the second wiring pattern and the shape of the first wiring pattern. A dummy pattern formed in the region and spaced apart from the second wiring pattern is provided, and at least one gap for dividing the dummy pattern is provided.
Hereinafter, with reference to FIGS. 1 to 10 as appropriate, a liquid crystal display provided with a predetermined dummy pattern on each of the first substrate and the second substrate in the electro-optical device according to the first embodiment of the present invention. The apparatus will be described as an example.
FIG. 1A shows the
1.液晶表示装置の基本構造
まず、図2〜図3を参照して、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置としての液晶表示装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線、あるいは位相差板及び偏光板について具体的に説明する。なお、図2は、本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置を構成する液晶パネル200を示す概略斜視図であり、図3は、液晶パネル200の模式的な概略断面図である。
また、図2に示される液晶パネル200は、TFD素子(Thin Film Diode)を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル200であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置となる。
なお、本実施形態においてはTFD素子を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルを例にとって説明するが、パッシブマトリクス型構造を有する液晶パネルや、TFT素子(Thin Film Transistor)等の非線形素子を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルであっても構わない。
1. Basic Structure of Liquid Crystal Display Device First, referring to FIGS. 2 to 3, the basic structure of a liquid crystal display device as an electro-optical device according to the first embodiment of the present invention, that is, a cell structure, wiring, or a retardation plate The polarizing plate will be specifically described. 2 is a schematic perspective view showing a
The
In this embodiment, a liquid crystal panel having an active matrix structure using a TFD element will be described as an example. However, a liquid crystal panel having a passive matrix structure or a non-linear element such as a TFT element (Thin Film Transistor) is used. It may be a liquid crystal panel having an active matrix structure.
(1)セル構造
図2に示すように、液晶パネル200は、ガラス板や合成樹脂板等を基体13とする第1の基板12と、これに対向配置され、同様にガラス板や合成樹脂板等を基体27とする第2の基板14とが、接着剤等のシール材230を介して貼り合わせられている。そして、第1の基板12と、第2の基板14とが形成する空間であって、シール材230の内側部分に対して、開口部230aを介して液晶を注入した後、封止材231にて封止されてなるセル構造を備えている。
すなわち、図3に示すように、第1の基板12と第2の基板14との間に液晶232が充填されるとともに、密封されていることが好ましい。
なお、以下の説明においては、第1の基板の基体として第1のガラス基板を使用し、また、第2の基板の基体として第2のガラス基板を使用した例について説明する。
(1) Cell structure As shown in FIG. 2, a
That is, as shown in FIG. 3, it is preferable that the
In the following description, an example will be described in which the first glass substrate is used as the base of the first substrate, and the second glass substrate is used as the base of the second substrate.
(2)配線
図2に示すように、第2のガラス基板27の内面(第1のガラス基板13に対向する表面)上に、複数のストライプ状のデータ電極(第2の配線パターン)26を形成し、第1のガラス基板13の内面(第2のガラス基板27に対向する表面)上には、複数のストライプ状の走査電極(第1の配線パターン)19を形成することが好ましい。また、第1の基板12上の第1の配線パターン19を、第2のガラス基板27上の引回し配線28に対して、導電性粒子を含むシール材230を介して導電接続することが好ましい。
また、データ電極にはTFD素子を介してITO(インジウムスズ酸化物)等の透明導電体からなる画素電極が接続され、当該画素電極と走査電極との交差領域がマトリクス状に配列されて多数の画素を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Aを構成することになる。
なお、以下の説明においては、第2の配線パターンには、データ電極及び引回し配線を含むものとする。
(2) Wiring As shown in FIG. 2, a plurality of stripe-shaped data electrodes (second wiring patterns) 26 are formed on the inner surface of the second glass substrate 27 (the surface facing the first glass substrate 13). It is preferable to form a plurality of stripe-shaped scanning electrodes (first wiring patterns) 19 on the inner surface of the first glass substrate 13 (the surface facing the second glass substrate 27). Further, it is preferable that the
In addition, a pixel electrode made of a transparent conductor such as ITO (indium tin oxide) is connected to the data electrode through a TFD element, and intersection regions between the pixel electrode and the scanning electrode are arranged in a matrix to form a large number of data electrodes. A pixel is constituted, and the arrangement of these many pixels constitutes the liquid crystal display region A as a whole.
In the following description, it is assumed that the second wiring pattern includes a data electrode and a lead wiring.
また、図2に示すように、第2のガラス基板27は、第1のガラス基板13の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部14Tを有し、この基板張出部14T上には、データ電極26、引回し配線28及び独立して形成された複数の配線パターンからなる外部接続用端子219が形成されていることが好ましい。
また、基板張出部14T上には、これらデータ電極26、引回し配線28及び外部接続用端子219に対して導電接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体素子(IC)261が実装されていることが好ましい。
さらに、基板張出部14Tの端部には、外部接続用端子219に導電接続されるように、フレキシブル配線基板110が実装されていることが好ましい。
Further, as shown in FIG. 2, the
A semiconductor element (IC) 261 with a built-in liquid crystal driving circuit and the like is provided on the
Furthermore, it is preferable that the
(3)位相差板及び偏光板
図2に示される液晶パネル200において、図3に示すように、第1のガラス基板13の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板(1/4波長板)250及び偏光板251が配置されていることが好ましい。
そして、第2のガラス基板27の外面においても、位相差板(1/4波長板)240及び偏光板241が配置されていることが好ましい。
(3) Retardation Plate and Polarizing Plate In the
Also on the outer surface of the
2.第1の基板(カラーフィルタ基板)
(1)基本的構成
第1の基板12は、図3に示すように、基本的に、第1のガラス基板13と、着色層16と、遮光層18と、第1の配線パターン19と、から構成してあることが好ましい。
また、第1の基板12において、図3に示すように、画素毎に着色層16が形成され、その上をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層(表面保護層あるいはオーバーコート層)215により、被覆してあることが好ましい。このようにして、着色層16と平坦化層(表面保護層)215とによってカラーフィルタが形成されることになる。さらに、電気絶縁性を向上させるための絶縁層(図示せず。)を設けることも好ましい。
2. First substrate (color filter substrate)
(1) Basic Configuration As shown in FIG. 3, the
Further, as shown in FIG. 3, a
(2)着色層
また、図3に示す着色層16は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてR(赤)、G(緑)、B(青)の3色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Y(イエロー)、M(マゼンダ)、C(シアン)等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術(エッチング法)によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することができる。そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
また、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
(2) Colored layer In addition, the
Such a colored layer usually has a predetermined color by applying a colored resist made of a photosensitive resin containing a coloring material such as a pigment or a dye on the surface of the substrate, and removing unnecessary portions by a photolithography technique (etching method). A colored layer having a pattern can be formed. And when forming the colored layer of a some color tone, the said process is repeated.
In addition, a stripe arrangement is often used as the arrangement pattern of the colored layers, but various pattern shapes such as an oblique mosaic arrangement and a delta arrangement can be adopted in addition to the stripe arrangement.
(3)遮光層
また、図3に示すように、画素毎に形成された着色層16の間の画素間領域に、遮光層(ブラックマトリクス、あるいはブラックマスクと称する場合もある。)18を形成することが好ましい。
このようなブラックマトリクス18としては、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の3色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。また、カーボン等の黒色材料を使用しなくとも優れた遮蔽効果を得ることができることから、加色法を利用して、R(赤)層、G(緑)層、B(青)層の三層構造とすることも好ましい。
(3) Light Shielding Layer Further, as shown in FIG. 3, a light shielding layer (sometimes referred to as a black matrix or a black mask) 18 is formed in an inter-pixel region between the
Examples of such a
(4)第1の配線パターン(走査電極)
図3に示すように、平坦化層215の上に、ITO(インジウムスズ酸化物)等の透明導電体からなる第1の配線パターン19を形成することが好ましい。かかる第1の配線パターン19は、表示領域及び非表示領域にまたがる複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、第1の配線パターンの高さ(厚さ)を1〜20μmの範囲内の値とすることが好ましく、2〜15μmの範囲内の値とすることがより好ましい。
この理由は、第1の配線パターンの高さ(厚さ)が1μm未満の値となると、電気抵抗の値が過度に大きくなってしまう場合があるためである。一方、第1の配線パターンの高さが20μmを超えると、セルギャップにバラつきが生じたり、あるいは、電気光学装置の薄型化を図ることが困難になる場合があるためである。
また、隣接する第1の配線パターン19間の距離を20〜50μmの範囲内の値とすることが好ましく、22〜45μmの範囲内の値とすることがより好ましい。すなわち、通常、シール材に含まれる導電性粒子の粒径が10μm程度であることを考慮して、隣接する第1の配線パターン19間の距離を定めることが好ましい。
この理由は、かかる距離が20μm未満の値となると、隣接する第1の配線パターン間で静電気が発生して静電気破壊が発生しやすくなり、表示不良等が生じる場合があるためである。一方、かかる距離が50μmを超えると、画素領域以外の面積が大きくなり、高精細な画像を表示させることが困難となる場合があるためである。
(4) First wiring pattern (scanning electrode)
As shown in FIG. 3, it is preferable to form a
Further, the height (thickness) of the first wiring pattern is preferably set to a value within the range of 1 to 20 μm, and more preferably set to a value within the range of 2 to 15 μm.
This is because if the height (thickness) of the first wiring pattern is less than 1 μm, the value of the electrical resistance may be excessively increased. On the other hand, if the height of the first wiring pattern exceeds 20 μm, the cell gap may vary or it may be difficult to reduce the thickness of the electro-optical device.
Moreover, it is preferable to make the distance between the adjacent
This is because when the distance is less than 20 μm, static electricity is generated between the adjacent first wiring patterns, and electrostatic breakdown is likely to occur, which may cause a display defect or the like. On the other hand, when the distance exceeds 50 μm, the area other than the pixel region becomes large, and it may be difficult to display a high-definition image.
また、第1の基板における第1の配線パターンの端部位置は、シール材の外縁より内側に存在することが好ましい。すなわち、図1(a)に示すように、かかる液晶表示装置を平面的に透視した場合に、第1の配線パターン19がシール材230の外縁230aより外側に存在しないように配置されていることが好ましい。
ただし、第1の基板における第1の配線パターンは、通常、導電性粒子を含むシール材を介して、第2の基板における引回し配線と電気的に導通を取ることが必要である。そのため、図1(a)に示すように、第1の配線パターン19の端部位置は、シール材230の内縁よりも外側に存在することが好ましい。このように構成することにより、第1の配線パターンと第2の基板における引回し配線とが電気的に導通されるとともに、金属フレームや異物の接触等による静電気破壊の発生を確実に防止することができる。
また、第1の基板12の各辺に存在する複数の第1の配線パターンの端部位置が均一であることが好ましい。すなわち、図1(a)に示すように、第1のガラス基板13の縁部13aの一辺側に存在する、複数の第1の配線パターン19の端部19aと、当該第1のガラス基板13の縁部13aとの距離が実質的に等しいことが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、各配線パターンと、シール材との接触面積が均一化されるためである。したがって、各配線パターンと、第2の基板上の引回し配線との導通特性が良好に保たれ、優れた画像表示を実現することができる。また、このように構成することにより、電気光学装置のセルギャップの均一化を図ることができるためである。
Moreover, it is preferable that the edge part position of the 1st wiring pattern in a 1st board | substrate exists inside the outer edge of a sealing material. That is, as shown in FIG. 1A, when the liquid crystal display device is seen through in plan, the
However, the first wiring pattern on the first substrate usually needs to be electrically connected to the lead wiring on the second substrate through a sealing material containing conductive particles. Therefore, as shown in FIG. 1A, the end position of the
Moreover, it is preferable that the edge part position of the some 1st wiring pattern which exists in each edge | side of the 1st board |
This is because the contact area between each wiring pattern and the sealing material is made uniform by configuring in this way. Therefore, the conduction characteristics between each wiring pattern and the lead wiring on the second substrate are kept good, and an excellent image display can be realized. In addition, with this configuration, the cell gap of the electro-optical device can be made uniform.
(6)ダミーパターン
(6)−1 基本的構成
第1実施形態の液晶表示装置は、第1の基板において、図1(a)に示すように、対向する第2の基板における第2の配線パターンの形状に対応して、非表示領域(第2の配線パターンと、画素電極とが重なる領域40以外の領域)に形成され、上述の第1の配線パターン19と離間しているダミーパターン41を備えている。
すなわち、かかるダミーパターンを備えることにより、表示領域と非表示領域とのセルギャップの均一化を図り、背景色のムラをなくすことができるためである。したがって、第1の基板において、シール材が付着する領域も含めた非表示領域に、かかるダミーパターンを形成することが好ましい。
また、かかるダミーパターンを構成する材料としては、表示領域との背景色の均一化を図るために、透明性を有する材料であることが好ましい。なかでも、同時工程で形成が可能であるとともに、容易に背景色の均一化を図ることができることから、第1の配線パターンと同じ材料であることがより好ましく、具体的には、インジウムスズ酸化物であることが好ましい。
(6) Dummy Pattern (6) -1 Basic Configuration As shown in FIG. 1A, the liquid crystal display device according to the first embodiment includes a second wiring on the second substrate facing each other on the first substrate. Corresponding to the shape of the pattern, a
That is, by providing such a dummy pattern, the cell gap between the display area and the non-display area can be made uniform, and the background color unevenness can be eliminated. Therefore, it is preferable to form such a dummy pattern in the non-display area including the area where the sealing material adheres on the first substrate.
Further, the material constituting the dummy pattern is preferably a material having transparency in order to make the background color uniform with the display area. In particular, since it can be formed in the same process and the background color can be easily uniformed, it is more preferably the same material as the first wiring pattern, specifically, indium tin oxide. It is preferable that it is a thing.
また、かかるダミーパターン41において、表示領域40側と、第1のガラス基板13の縁部13a側と、に分割して、電気絶縁するための間隙43を、少なくとも一つ以上備えることを特徴としている。
すなわち、所定の間隙を設けることにより、ダミーパターンに対して外部から金属フレームや異物が接触した場合であっても、当該ダミーパターンを介して、第1の配線パターンにまで、静電気の影響が及ぶことを効果的に防止することができるためである。したがって、第1の配線パターン等における静電気破壊が発生することを防止することができる。
なお、このように構成することにより、ダミーパターンを介して、第1の配線パターンから外部の金属フレーム等へ静電気が放電することを防止して、かかる場合における配向膜へのダメージ等についても効果的に防止することができる。
In addition, the
That is, by providing a predetermined gap, even when a metal frame or a foreign object comes into contact with the dummy pattern from the outside, the influence of static electricity reaches the first wiring pattern through the dummy pattern. This is because this can be effectively prevented. Therefore, it is possible to prevent electrostatic breakdown in the first wiring pattern and the like.
This configuration prevents static electricity from discharging from the first wiring pattern to the external metal frame or the like via the dummy pattern, and is effective for damage to the alignment film in such a case. Can be prevented.
(6)−2 間隙の位置
また、図1(a)に示すように、ダミーパターン41において、シール材230が設けられた領域よりも内側の領域に間隙を設けることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、シール材中に含まれる導電性粒子の粒径と間隙の幅との関係を考慮する必要がなくなるためである。すなわち、シール材が設けられた領域に間隙を形成した場合には、シール材中の導電性粒子を介して、ダミーパターン片同士が導通する場合がある。したがって、シール材が設けられた領域よりも内側の領域に間隙を設けることにより、ダミーパターン片同士が導電性粒子を介して導通することを防止して、第1の配線パターン等における静電気破壊を効果的に防ぐことができる。
(6) -2 Position of Gap As shown in FIG. 1A, it is preferable to provide a gap in a region inside the
This reason is because it becomes unnecessary to consider the relationship between the particle size of the electroconductive particle contained in a sealing material, and the width | variety of a gap | interval by comprising in this way. That is, when a gap is formed in the region where the sealing material is provided, the dummy pattern pieces may be electrically connected to each other through the conductive particles in the sealing material. Therefore, by providing a gap in the area inside the area where the sealing material is provided, the dummy pattern pieces are prevented from conducting through the conductive particles, and electrostatic breakdown in the first wiring pattern or the like is prevented. Can be effectively prevented.
(6)−3 間隙の幅
また、図4に示すように、ダミーパターン41に設ける間隙43の幅(A)を10〜20μmの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、ダミーパターンの間隙の幅(A)が10μm未満の値となると、ダミーパターンに対して外部から金属フレームや異物が接触した場合に、分割したダミーパターン間においても、間隙を超えて静電気が伝わる場合があるためである。したがって、結局、第1の配線パターン等における静電気破壊の発生を防止することが困難になるためである。一方、ダミーパターンの間隙の幅(A)が20μmを超えると、間隙部分において、背景色のムラが視認されてしまう場合があるためである。
したがって、ダミーパターンの間隙の幅(A)を12〜19.5μmの範囲内の値とすることがより好ましく、15〜19μmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
(6) -3 Width of the gap As shown in FIG. 4, the width (A) of the
The reason for this is that when the gap width (A) of the dummy pattern is less than 10 μm, when a metal frame or foreign matter comes into contact with the dummy pattern from the outside, the gap between the divided dummy patterns also exceeds the gap. This is because static electricity may be transmitted. Therefore, eventually, it becomes difficult to prevent the occurrence of electrostatic breakdown in the first wiring pattern or the like. On the other hand, if the width (A) of the gap of the dummy pattern exceeds 20 μm, unevenness of the background color may be visually recognized in the gap portion.
Therefore, the width (A) of the gap between the dummy patterns is more preferably set to a value within the range of 12 to 19.5 μm, and further preferably set to a value within the range of 15 to 19 μm.
(6)−4 間隙の数
また、ダミーパターンに設ける間隙の数に関して、少なくとも一個以上設けることが好ましいが、第1の配線パターン等における静電気破壊の発生をより確実に防止することができることから、複数設けることも好ましい。
この理由は、間隙が一個だけの場合には、その幅にもよるが、分割したダミーパターン片の間に、間隙を越えて静電気が伝わる場合があり、結局、第1の配線パターン等における静電気破壊を確実に防止することが困難となるためである。したがって、間隙を複数個設けた場合には、一箇所において、間隙を越えて静電気が伝わったとしても、第1の配線パターン等にまで静電気の影響が及ぶ可能性は低くなる。
ただし、間隙の数が多くなりすぎると、形成する際の制御が困難となることから、ダミーパターンに設ける間隙の数を2〜5個の範囲内とすることがより好ましい。
(6) -4 Number of gaps Further, regarding the number of gaps provided in the dummy pattern, it is preferable to provide at least one, but it is possible to more reliably prevent the occurrence of electrostatic breakdown in the first wiring pattern or the like. It is also preferable to provide a plurality.
The reason for this is that when there is only one gap, depending on the width, static electricity may be transmitted across the gap between the divided dummy pattern pieces. This is because it is difficult to reliably prevent destruction. Therefore, when a plurality of gaps are provided, even if static electricity is transmitted across the gap at one place, the possibility of the influence of static electricity on the first wiring pattern or the like is low.
However, if the number of gaps becomes too large, it becomes difficult to control the formation, and therefore the number of gaps provided in the dummy pattern is more preferably in the range of 2 to 5.
(6)−5 間隙の形状
また、ダミーパターンに設ける間隙の形状は特に制限されるものではなく、例えば、図5(a)〜(d)に示すような形状とすることができる。中でも、製造工程において形成が容易であるとともに、背景色のムラとして視認されることが少なくなることから、図5(a)〜(b)に示すような直線状とすることが好ましい。
さらに、隣接するダミーパターンにそれぞれ設けられる間隙同士の位置関係についても特に制限されるものではなく、図6(a)〜(b)に示すような配置が考えられるが、製造工程において形成が容易であることから、図6(b)に示すように、隣接するダミーパターンにそれぞれ設けられる間隙が、同一直線状に並ぶように配置することが好ましい。
(6) -5 Shape of the gap The shape of the gap provided in the dummy pattern is not particularly limited, and can be, for example, a shape as shown in FIGS. Among these, since it is easy to form in the manufacturing process and is less likely to be visually recognized as uneven background color, a linear shape as shown in FIGS. 5A to 5B is preferable.
Furthermore, the positional relationship between the gaps provided in the adjacent dummy patterns is not particularly limited, and an arrangement as shown in FIGS. 6A to 6B can be considered, but it can be easily formed in the manufacturing process. Therefore, as shown in FIG. 6B, it is preferable that the gaps respectively provided in the adjacent dummy patterns are arranged in the same straight line.
(6)−6 ダミーパターン片の面積
また、ダミーパターンにおいて、間隙により分割された、それぞれのダミーパターン片の面積に関し、図6(b)に示すように、一つのダミーパターン41を構成するそれぞれのダミーパターン片49の面積を実質的に等しくすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、間隙を含むダミーパターンを精度よく形成することができるためである。また、ダミーパターンが帯電した場合であっても、それぞれのダミーパターン片に滞留する電荷の差をできる限り均等にして、ダミーパターン間において静電気が伝わることを有効に防止することができるためである。
なお、分割したそれぞれのダミーパターン片とは、分割されたダミーパターン片のうち、両端部のダミーパターン片を除いたダミーパターン片を意味する場合も含むものとする。
(6) -6 Area of Dummy Pattern Piece Further, regarding the area of each dummy pattern piece divided by the gap in the dummy pattern, each
This is because the dummy pattern including the gap can be formed with high accuracy by such a configuration. Further, even when the dummy pattern is charged, it is possible to make it possible to effectively prevent the static electricity from being transmitted between the dummy patterns by making the difference between the charges accumulated in the respective dummy pattern pieces as uniform as possible. .
Note that each of the divided dummy pattern pieces includes a case in which the dummy pattern pieces excluding the dummy pattern pieces at both ends of the divided dummy pattern pieces are included.
(6)−7 第1の配線パターンとの距離
また、図4に示すように、ダミーパターン41と、第1の配線パターン19と、の間の距離(B)を30〜100μmの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる距離(B)が30μm未満の値となると、間隙を含むダミーパターンにおいて、間隙を越えて静電気が伝わった場合に、第1の配線パターンに対しても、静電気の影響が及んでしまう場合があるためである。一方、かかる距離(B)が100μmを超えると、背景色のムラが視認されやすくなる場合があるためである。
したがって、ダミーパターンと、第1の配線パターンと、の間の距離(B)を35〜80μmの範囲内の値とすることがより好ましく、40〜60μmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、ダミーパターンと、第1の配線パターンと、の間の距離(B)とは、図7(a)〜(b)に示すように、それぞれの間隙を含むダミーパターン41において、第1の配線パターン19に最も近い部分44と、当該第1の配線パターン19との直線距離を意味する。
(6) -7 Distance to First Wiring Pattern As shown in FIG. 4, the distance (B) between the
The reason for this is that when the distance (B) is less than 30 μm, when the static electricity is transmitted across the gap in the dummy pattern including the gap, the first wiring pattern is also affected by the static electricity. This is because there is a case where it will be lost. On the other hand, if this distance (B) exceeds 100 μm, background color unevenness may be easily recognized.
Therefore, the distance (B) between the dummy pattern and the first wiring pattern is more preferably set to a value within the range of 35 to 80 μm, and further preferably set to a value within the range of 40 to 60 μm. .
It should be noted that the distance (B) between the dummy pattern and the first wiring pattern is the first pattern in the
また、図4に示すように、ダミーパターン41と、第1の配線パターン19と、の間の距離(B)を、ダミーパターン41に設ける間隙43の幅(A)よりも大きくすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、ダミーパターンに設けられた間隙を越えて静電気が伝わった場合においても、ダミーパターンと、第1の配線パターンとの間を、静電気が伝わることを防止することができるためである。したがって、第1の配線パターン等において静電気破壊が発生することを効果的に防止することができるためである。
なお、このように構成することにより、ダミーパターンを介して、第1の配線パターンから外部の金属フレーム等へ静電気が放電することも効果的に防止することができる。
In addition, as shown in FIG. 4, it is preferable that the distance (B) between the
The reason for this is that, when the static electricity is transmitted across the gap provided in the dummy pattern, the static electricity is prevented from being transmitted between the dummy pattern and the first wiring pattern. This is because it can be done. Therefore, it is possible to effectively prevent electrostatic breakdown from occurring in the first wiring pattern or the like.
With this configuration, it is possible to effectively prevent static electricity from being discharged from the first wiring pattern to an external metal frame or the like via the dummy pattern.
また、図4及び図7(a)に示すように、ダミーパターン41において、第1の配線パターン19に対向する側の辺42を、当該第1の配線パターン19と平行に配置することが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、図7(b)に示すように配置した場合と比較して、第1の配線パターン19と、ダミーパターン41とが、電気的に接続されにくくなるためである。すなわち、ダミーパターンを、図7(b)に示すように配置した場合には、ダミーパターン41が帯電すると、第1の配線パターン19に最も近い端部41bに電荷が集中して、第1の配線パターンとの間で、導電状態になりやすくなる。かかる状態を緩和するためには、第1の配線パターンに最も近い部分が、点ではなく、線あるいは面であることが有効である。したがって、ダミーパターンを、図7(a)に示すように配置することにより、ダミーパターンの端部位置における電荷を分散させることができる。
Further, as shown in FIGS. 4 and 7A, in the
This is because the
(6)−8 基板の縁部との距離
また、図4に示すように、ダミーパターン41と、第1のガラス基板13aの縁部と、の距離(C)を0.3〜3mmの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる距離(C)が0.3mm未満の値となると、ダミーパターンに対して外部から金属フレームや異物が接触しやすくなり、ダミーパターンに対して、ひいては、第1の配線パターンに対して静電気が伝わり、静電気破壊等が生じやすくなる場合があるためである。一方、かかる距離(C)が3μmを超えると、第1の基板、ひいては電気光学装置が大型化してしまう場合があるためである。
したがって、ダミーパターンと、第1のガラス基板13の縁部13aとの距離(C)を0.5〜2.8mmの範囲内の値とすることがより好ましく、0.7〜2.5mmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、ダミーパターン41と、第1のガラス基板13の縁部13aと、の距離(C)とは、図7(a)〜(b)に示すように、間隙を含むダミーパターン41において、第1のガラス基板13の縁部13aに最も近い部分48と、当該基板の縁部13aとの直線距離を意味する。
(6) -8 Distance to the edge of the substrate As shown in FIG. 4, the distance (C) between the
The reason for this is that when the distance (C) is less than 0.3 mm, a metal frame or a foreign object can easily come into contact with the dummy pattern from the outside. On the other hand, static electricity is transmitted and electrostatic breakdown or the like is likely to occur. On the other hand, if the distance (C) exceeds 3 μm, the first substrate and thus the electro-optical device may be increased in size.
Therefore, it is more preferable to set the distance (C) between the dummy pattern and the
The distance (C) between the
(6)−9 線幅
また、ダミーパターンの線幅に関して、図8に示すように、第1の基板12上に、線幅Wdの異なる複数のダミーパターン41a、41bが存在するとともに、それらのピッチ間隔Wpに対する線幅Wdの比率を、それぞれ実質的に等しくすることが好ましい。
すなわち、図1(b)に示すように、第2の基板14上におけるデータ電極26や引回し配線28の線幅は、通常、領域ごとに異なっている。したがって、図1(a)に示すように、それらに対向して第1の基板12上において形成されるダミーパターン41の線幅もそれぞれ領域ごとに異なることとなる。かかる場合に、それぞれの領域において、ダミーパターンのピッチ間隔に対するダミーパターンの線幅の比率がそれぞれ異なる場合には、非表示領域におけるセルギャップが、領域ごとに不均一となるために、背景色にムラが生じる場合がある。したがって、図8に示すように、ダミーパターンの線幅Wdの異なるそれぞれの領域において、ダミーパターンのピッチ間隔Wpに対する当該ダミーパターンの線幅Wdの比率をそれぞれ実質的に等しくすることによって、背景色にムラが生じることを防止することができる。
(6) -9 Line Width Regarding the line width of the dummy pattern, as shown in FIG. 8, there are a plurality of
That is, as shown in FIG. 1B, the line widths of the
(7)配向膜(第1の配向膜)
また、図3に示すように、第1の配線パターン19の上には、ポリイミド樹脂等からなる第1の配向膜217が形成されていることが好ましい。
この理由は、このように配向膜217を設けることにより、第1の基板12を液晶表示装置等に使用した場合に、電気光学物質(液晶)の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができるためである。
(7) Alignment film (first alignment film)
Further, as shown in FIG. 3, it is preferable that a
The reason for this is that by providing the
3.第2の基板(素子基板)
(1)基本構造
図2及び図3に示すように、第1の基板12と対向するもう一方の第2の基板14は、基本的に、第2のガラス基板27と、第2の配線パターンとしてのデータ電極26及び引回し配線28と、データ電極26にTFD素子(図示せず)を介して接続された画素電極20と、から構成してあることが好ましい。
また、第2の基板において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、第2のガラス基板と、画素電極との間に、反射層(半透過反射板)を設けることが好ましい。この反射層は、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成することが好ましい。また、反射層には、画素毎に、反射面を有する反射部と、開口部とが設けられていることが好ましい。
また、図3に示すように、データ電極26上には、第1の基板12における第1の配向膜217と同様のポリイミド樹脂等からなる第2の配向膜224が形成されていることが好ましい。
なお、第1実施形態の液晶表示装置の例では、着色層を第1のガラス基板13上に設けてあるが、第2のガラス基板27上に着色層を設けることも好ましい。
3. Second substrate (element substrate)
(1) Basic Structure As shown in FIGS. 2 and 3, the other
Further, when the second substrate needs a reflection function, for example, in a transflective liquid crystal display device used for a mobile phone or the like, a reflection function is provided between the second glass substrate and the pixel electrode. It is preferable to provide a layer (semi-transmissive reflector). This reflective layer is preferably composed of a metal thin film made of aluminum, aluminum alloy, chromium, chromium alloy, silver, silver alloy or the like. Moreover, it is preferable that the reflective layer is provided with a reflective portion having a reflective surface and an opening for each pixel.
Further, as shown in FIG. 3, it is preferable that a
In the example of the liquid crystal display device of the first embodiment, the colored layer is provided on the
(2)第2の配線パターン
(2)−1 データ電極
また、第2の基板には、図1(b)に示すように、第2の配線パターンの一つであるデータ電極26を設けることが好ましい。かかるデータ電極26は、図1(b)に示すように、表示領域及び非表示領域にまたがる複数の金属膜が、並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、データ電極は、図1(b)に示すように、シール材230の外側であって、第2のガラス基板27における基板張出し部14Tまで延設されているとともに、一端側が外部接続用端子219の一部とされていることが好ましい。
(2) Second Wiring Pattern (2) -1 Data Electrode Further, as shown in FIG. 1B, the second substrate is provided with a
As shown in FIG. 1B, the data electrode extends outside the sealing
(2)−2 引回し配線
また、第2の基板には、図1(b)に示すように、第2の配線パターンの一つである引回し配線28を設けることが好ましい。かかる引回し配線28についても、複数の金属膜が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
また、かかる引回し配線は、シール材230の外側であって、第2のガラス基板27における基板張出し部14Tまで延設され、一端側が外部接続用端子219の一部とされていることが好ましい。そして、図9(a)〜(c)に示すように、引回し配線28の端部のうち、外部接続用端子219が設けられていない側の端部が、シール材230を介して第1の基板12上の第1の配線パターン19と電気的に導通されることが好ましい。
ここで、図9(a)〜(c)に、液晶パネルにおける第2の基板14上の引回し配線28と、第1の基板12上の第2の配線パターン19と、シール材230と、を示す概略平面図を示す。すなわち、図9(a)は、第2の基板14における、外部接続用端子28aが設けられている側の辺に対して垂直な二辺まで引回し配線28を形成して、第1の基板12上の第1の配線パターン19と導通を取っている例を示している。また、図9(b)は、第2の基板14における、外部接続用端子28aが設けられている側の辺に対して垂直な一辺まで引回し配線28を形成して、第1の基板12上の第1の配線パターン19と導通を取っている例を示している。さらに、図9(c)は、第2の基板14における、外部接続用端子28aが設けられている辺側であって、データ電極26が存在しない部分を利用して、引回し配線28と第1の基板12上の第1の配線パターン19との導通を取っている例を示している。
このように、引回し配線の配線パターンとしては様々な態様があるが、いずれの場合においても、上述したように、第1の基板上に、かかる引回し配線の配線パターンの形状に対応させてダミーパターンを形成することにより、セルギャップの均一化が図られることとなる。
(2) -2 Leading Wiring Moreover, it is preferable to provide the
Further, it is preferable that the routing wiring extends outside the sealing
9A to 9C, the
As described above, there are various modes for the wiring pattern of the routing wiring. In any case, as described above, the wiring pattern on the first substrate is made to correspond to the shape of the wiring pattern of the routing wiring. By forming the dummy pattern, the cell gap is made uniform.
(2)−3 端部位置
また、図1(b)に示すように、第2の基板14における外部接続用端子219が設けられていない側の第2の配線パターン(データ電極26及び引回し配線28を含む。以下同様)の端部26a、28aが、上述した第1の基板における走査電極の端部と同様に、シール材230の外縁230aより内側に存在することが好ましい。すなわち、金属フレームや異物が接触することによる静電気破壊の発生を確実に防止することができるためである。
(2) -3 End Position Further, as shown in FIG. 1B, the second wiring pattern (
(3)ダミーパターン
第2の基板においても、第1の基板と同様に、非表示領域と表示領域とのセルギャップの均一化を図り、背景色のムラをなくすために、図1(b)に示すように、対向する第1の基板における第1の配線パターンの形状に対応して、非表示領域(第1の配線パターンと、データ電極とが重なる領域40以外の領域)に形成されたダミーパターン41を備えている。そして、当該ダミーパターン41を介して、第2の配線パターン(データ電極)26等に静電気が伝わることによる静電気破壊が発生することを防止するために、表示領域40側と、第2のガラス基板27の縁部27a側と、に分割して、電気絶縁するための間隙43を、少なくとも一つ以上備えることを特徴としている。
第2の基板に設けるダミーパターンについては、上述した第1の基板に設けるダミーパターンと同様とすることができるために、ここでの説明は省略する。
なお、対向する第1の基板上の第1の配線パターンとは、パッシブマトリクス型構造や、TFD素子(Thin Film Diode)を用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルにおいては、走査電極及び当該走査電極に接続される引回し配線を意味する。また、TFT素子(Thin Film Transistor)を用いたアクティブマトリクス形構造を有する液晶パネルにおいては、分割あるいはパターン化された共通電極を意味する。
(3) Dummy pattern Also in the second substrate, as in the first substrate, in order to equalize the cell gap between the non-display area and the display area and eliminate the unevenness of the background color, FIG. As shown in FIG. 4, the non-display area (the area other than the
Since the dummy pattern provided on the second substrate can be the same as the dummy pattern provided on the first substrate described above, description thereof is omitted here.
Note that the first wiring pattern on the opposing first substrate is a scanning matrix and a scanning electrode in a liquid crystal panel having a passive matrix structure or an active matrix structure using a TFD element (Thin Film Diode). It means the routing wiring connected to the electrode. Further, in a liquid crystal panel having an active matrix structure using TFT elements (Thin Film Transistors), it means a divided or patterned common electrode.
(4)二端子型非線形素子
二端子型非線形素子としては、TFD素子が典型的である。
かかるTFD素子は、素子第1電極(第1金属膜)、絶縁膜、及び素子第2電極(第2金属膜)からなるサンドイッチ構成を有することが好ましい。ここで、第1金属膜や第2金属膜としては、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)や、クロム(Cr)等が挙げられる。また、絶縁膜としては、このような金属材料を陽極酸化させて構成してあることが好ましい。例えば、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化アルミニウム(Al2O3)等が挙げられる。
そして、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、第1金属膜及び第2金属膜の両端子間に印加されると導通状態となるアクティブ素子である。
また、二端子型非線形素子の構成に関して、二個のTFD素子は、第1の配線パターン又は第2の配線パターン(データ線)と、画素電極との間に介在するように、第2のガラス基板上に形成され、反対のダイオード特性を有する第1のTFD素子及び第2のTFD素子から構成してあることが好ましい。
さらに、第1のTFD素子及び第2のTFD素子において、それぞれ別個の第2金属膜が設けてあるが、絶縁膜及び第1金属膜は、それぞれ共通していることが好ましい。
なお、TFD素子以外にも、TFT(薄膜トランジスタ)素子のような非線形素子を使用することもできる。
(4) Two-terminal nonlinear element A TFD element is typical as a two-terminal nonlinear element.
Such a TFD element preferably has a sandwich structure composed of an element first electrode (first metal film), an insulating film, and an element second electrode (second metal film). Here, examples of the first metal film and the second metal film include tantalum (Ta), titanium (Ti), aluminum (Al), and chromium (Cr). The insulating film is preferably configured by anodizing such a metal material. Examples thereof include tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) and aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
The active element exhibits diode switching characteristics in positive and negative directions and becomes conductive when a voltage equal to or higher than a threshold is applied between both terminals of the first metal film and the second metal film.
In addition, regarding the configuration of the two-terminal nonlinear element, the two TFD elements are arranged such that the second glass is interposed between the first wiring pattern or the second wiring pattern (data line) and the pixel electrode. It is preferable that the first TFD element and the second TFD element are formed on the substrate and have opposite diode characteristics.
Furthermore, although the first TFD element and the second TFD element are provided with separate second metal films, it is preferable that the insulating film and the first metal film are respectively common.
In addition to the TFD element, a non-linear element such as a TFT (thin film transistor) element can also be used.
(5)画素電極
また、第2の基板上には、画素電極として、ITO(インジウムスズ酸化物)等の透明導電体からなる画素電極を形成することが好ましい。
そして、画素電極の端部には、配向規制手段としてのスリットを設けることが好ましい。このようなスリットを設けることにより、液晶分子の配向方向を制御して、視角特性に優れた画像表示を得ることができるためである。
(5) Pixel electrode Moreover, it is preferable to form the pixel electrode which consists of transparent conductors, such as ITO (indium tin oxide), on a 2nd board | substrate as a pixel electrode.
And it is preferable to provide the slit as an orientation control means in the edge part of a pixel electrode. This is because by providing such a slit, it is possible to control the alignment direction of the liquid crystal molecules and obtain an image display excellent in viewing angle characteristics.
[第2実施形態]
本発明の第2実施形態は、シール材を介して対向配置される第1の基板及び第2の基板と、当該第1の基板及び第2の基板の間に狭持された電気光学物質と、を備えるとともに、第1の基板は、表示領域及び非表示領域にまたがる第1の配線パターンを有し、第2の基板は、第2の配線パターンと、第1の配線パターンの形状に対応して非表示領域に形成され、第2の配線パターンと離間しているダミーパターンと、を有する電気光学装置の製造方法である。
そして、当該ダミーパターンを分割する間隙を、少なくとも一つ以上形成する工程を含むことを特徴とする。
以下、図11〜図15を参照しながら、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態について、TFD素子を有するアクティブマトリクス型構造の液晶表示装置の製造方法を例に採って、詳細に説明する。
[Second Embodiment]
According to a second embodiment of the present invention, a first substrate and a second substrate that are arranged to face each other with a sealant interposed therebetween, and an electro-optical material sandwiched between the first substrate and the second substrate The first substrate has a first wiring pattern that spans the display region and the non-display region, and the second substrate corresponds to the second wiring pattern and the shape of the first wiring pattern. Thus, the electro-optical device manufacturing method includes a dummy pattern formed in a non-display area and spaced apart from the second wiring pattern.
The method further includes a step of forming at least one gap for dividing the dummy pattern.
Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 11 to 15, taking as an example a method for manufacturing a liquid crystal display device having an active matrix structure having TFD elements. explain.
1.構成
製造対象の電気光学装置として、第1の基板及びその対向基板としての第2の基板を使用した液晶表示装置を例にとって説明するが、第1の基板及び第2の基板の構成については、第1実施形態と同様であるため、ここでの説明を省略する。
1. Structure As an electro-optical device to be manufactured, a liquid crystal display device using a first substrate and a second substrate as its counter substrate will be described as an example. Regarding the configurations of the first substrate and the second substrate, Since it is the same as that of 1st Embodiment, description here is abbreviate | omitted.
(1)第1の基板(カラーフィルタ基板)の製造
(1)−1 カラーフィルタの形成
図11(a)に示すように、第1のガラス基板13上には、画像表示領域に相当する箇所に、及び着色層16、遮光層18を順次形成することが好ましい。
また、着色層16は、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、第1のガラス基板13等の上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによっても形成することができる。なお、複数の色の着色層16を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
また、かかる着色層16を重ね合わせることにより、遮光層18を形成することが好ましい。あるいは、カーボン等の黒色材料を使用して、遮光層18を形成することも好ましい。
(1) Manufacture of first substrate (color filter substrate) (1) -1 Formation of color filter As shown in FIG. 11 (a), on the
The
Moreover, it is preferable to form the
(1)−2 保護膜の形成
次いで、図11(b)に示すように、第1の基板12上に全面的に透光保護層215Xを形成する。この透光保護層215Xは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
次いで、上記透光保護層215Xに、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図11(c)に示すように、画像表示領域に限定された保護膜215を形成する。この工程によって、透光保護層215Xから画像表示領域以外の領域、すなわち、図3に示すシール材230の外側に配置される領域とほぼ同じ領域上から透光性素材が欠落されることが好ましい。このように実施することにより、セルギャップの均一化を図ることができるためである。
(1) -2 Formation of Protective Film Next, as shown in FIG. 11B, a translucent
Next, the light-transmitting
(1)−3 第1の配線パターンの形成
次いで、図11(d)に示すように、保護膜215上に、全面的にITO(インジウムスズ酸化物)等の透明導電体材料からなる透明導電層19Xを形成することが好ましい。この透明導電層19Xは、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。そして、透明導電層19Xに対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図11(e)に示すように第1の配線パターン19を形成することが好ましい。
より詳細には、まず、図12(a)〜(b)に示すように、保護膜215を含む第1のガラス基板13上に、全面的に透明導電材料からなる透明導電層19Xを形成する。ここで、図12(b)に示すように、透明導電層19Xを積層するにあたり、あらかじめ、Ta2O5やSiO2等からなる下地層81を形成することも好ましい。この理由は、形成される透明導電層19Xの結晶性等を均一化させて、保護膜及びガラス基板に対する透明導電層の密着性を高めることができるためである。
次いで、図12(c)に示すように、透明導電層19X上に所定のレジスト材料86´を塗布した後、図12(d)に示すように、所定のマスクパターン87を施した上で露光して、現像することにより、図12(e)に示すように、レジスト材料86を塗布した後、所定形状にパターニングする。そして、図12(f)に示すように、透明導電材料19Xに対してエッチング処理を行った後、再び露光、及び現像して、レジスト材料を剥離する。
このようにして、図12(g)及び図11(d)に示すように、所定パターン(図示せず)の第1の配線パターン19を形成することが好ましい。このように形成された第1の配線パターンは、静電気の発生が少ないことが判明している。なお、図11(d)は、図12(g)のXX断面を矢印方向に見た図を示している。
(1) -3 Formation of First Wiring Pattern Next, as shown in FIG. 11 (d), a transparent conductive material made entirely of a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide) is formed on the
More specifically, first, as shown in FIGS. 12A to 12B, a transparent
Next, as shown in FIG. 12C, after applying a predetermined resist material 86 'on the transparent
In this way, it is preferable to form the
(1)−4 ダミーパターンの形成
次いで、図示しないが、第1の基板上の非表示領域に、第1実施形態で説明したような、間隙を含むダミーパターンを形成することが好ましい。このとき、当該ダミーパターンの形成工程を、第1の配線パターンを形成する工程と同時に実施することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、工程数を増やすことなく、効率よくダミーパターンを形成することができるためである。したがって、背景色の均一化を図るとともに、第1の配線パターンにおいて静電気破壊の発生が少ない電気光学装置を効率的に得ることができる。
(1) -4 Formation of Dummy Pattern Next, although not shown, it is preferable to form a dummy pattern including a gap as described in the first embodiment in a non-display area on the first substrate. At this time, it is preferable to perform the dummy pattern forming step simultaneously with the step of forming the first wiring pattern.
This is because the dummy pattern can be formed efficiently without increasing the number of steps by carrying out in this way. Accordingly, it is possible to efficiently obtain an electro-optical device that makes the background color uniform and causes less electrostatic breakdown in the first wiring pattern.
(2)第2の基板(素子基板)の製造
(2)−1 引回し配線の形成
第2の配線パターンとしてのデータ電極及び引回し配線は、スパッタリング法等により、第2のガラス基板上に、導電性の金属材料、例えば、クロム、アルミニウム、チタン、モリブデン等を、通常、50〜300nmの厚さに全面的に形成した後、それをフォトリソグラフィ技術やエッチング法を用いて、パターニングすることにより形成されることが好ましい。
以下、図13〜図14を参照して、詳細に説明する。
(2) Manufacture of second substrate (element substrate) (2) -1 Formation of routing wiring The data electrode and routing wiring as the second wiring pattern are formed on the second glass substrate by sputtering or the like. A conductive metal material, for example, chromium, aluminum, titanium, molybdenum, etc. is generally formed on the entire surface to a thickness of 50 to 300 nm, and then patterned using a photolithography technique or an etching method. It is preferably formed by.
Hereinafter, a detailed description will be given with reference to FIGS.
まず、図13(a)に示すように、ガラス基板27上に、全面的に導電性の金属膜材料26´をスパッタリング法等により積層する。このとき、図示しないが、ガラス基板と、金属膜材料との密着性を向上させることができることから、第2の基板14のガラス基板27上に、酸化タンタル(Ta2O5)等からなる絶縁膜を形成することも好ましい。
次いで、図13(b)に示すように、その上からレジスト材料82を全面的に塗布する。その後、図13(c)に示すように、開口部83bを有するフォトマスク83を介して、例えば、開口部83bに対応した位置のみに光を照射し、パターン露光した後、図13(d)に示すように現像して、マスクの開口部83bに対応した箇所のみにレジスト82´を残す。
次いで、図14(a)に示すように、エッチング法により、レジスト25´に被覆されていない箇所の導電性の金属膜材料26´を除去した後、さらに図14(b)に示すように、レジスト25´を除去して、パターン化されたデータ電極26等を形成する。
次いで、図14(c)に示すように、データ電極26等の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、酸化膜23を形成することが好ましい。より具体的には、データ電極26等が形成されたガラス基板27を、クエン酸溶液等の電解液中に浸漬した後、かかる電解液と、データ電極26等との間に所定電圧を印加して、データ電極26等の表面を酸化させることが好ましい。なお、酸化膜23の厚さは適宜変更することができるが、通常、10〜50nmの範囲内の値とすることが好ましい。
First, as shown in FIG. 13A, a conductive
Next, as shown in FIG. 13B, a resist
Next, as shown in FIG. 14A, after removing the conductive
Next, as shown in FIG. 14C, the
以上のようにして形成されるデータ電極及び引回し配線は、第1の基板における第1の配線パターンの端部と同様に、外部接続用端子が設けられていない側のデータ電極及び引回し配線の端部の位置を制御して、形成することが好ましい。なお、かかるデータ電極等の端部位置の詳細については、第1実施形態において説明した第1の配線パターンの端部位置と同様とすることができるために、ここでの説明を省略する。 The data electrode and the lead wiring formed as described above are the data electrode and the lead wiring on the side where the external connection terminal is not provided, like the end of the first wiring pattern on the first substrate. It is preferable to form the film by controlling the position of the end portion. Note that details of the end positions of the data electrodes and the like can be the same as the end positions of the first wiring pattern described in the first embodiment, and thus description thereof is omitted here.
(2)−2 TFD素子の形成
次いで、図示しないが、上述のデータ電極等の形成方法と同様の方法により素子第1電極を形成した後、再び、スパッタリング法等により、素子第1電極上に、全面的に金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ法を用いて、パターニングすることにより、素子第2電極を形成し、TFD素子を形成することが好ましい。
(2) -2 Formation of TFD element Next, although not shown, after the element first electrode is formed by the same method as the method for forming the data electrode and the like, the element is again formed on the element first electrode by sputtering or the like. It is preferable to form a metal film over the entire surface and pattern it using a photolithography method to form a second electrode to form a TFD element.
(2)−3 画素電極の形成
次いで、図示しないが、スパッタリング法等により、ITO(インジウムスズ酸化物等)等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより、図14(d)に示すように、画素電極20を形成することが好ましい。
(2) -3 Formation of Pixel Electrode Next, although not shown, after forming a transparent conductive layer made of a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide or the like) by sputtering or the like, using a photolithography technique. It is preferable to form the
(2)−4 ダミーパターンの形成
次いで、図示しないが、第2の基板上の非表示領域に、第1の基板上に形成したような、間隙を含むダミーパターンを形成することが好ましい。このとき、工程数を増やすことなく、効率よくダミーパターンを形成することができることから、当該ダミーパターンの形成工程を、画素電極を形成する工程と同時に実施することが好ましい。
(2) -4 Formation of Dummy Pattern Next, although not shown, it is preferable to form a dummy pattern including a gap as formed on the first substrate in a non-display area on the second substrate. At this time, since the dummy pattern can be efficiently formed without increasing the number of steps, it is preferable to perform the dummy pattern forming step simultaneously with the step of forming the pixel electrode.
(3)貼り合わせ工程
(3)−1 シール材の印刷
次いで、図15(a)に示すように、第1の基板上において、エポキシ樹脂等を主成分とするシール材230を、スクリーン印刷やディスペンサにより、表示領域を囲むようにパターニングして形成することが好ましい。
このとき、シール材の印刷位置に関し、図15(a)に示すように、シール材230の外縁230aと、第1の配線パターン19の端部19aとを、実質的に一致させて印刷することが好ましい。この理由は、このような位置にシール材を印刷することにより、後述するプリベーク工程を経て、第1の基板と第2の基板とを張合わせた際に、第1の配線パターンの端部を、シール材の外縁よりも内側に存在させることが容易になるためである。また、シール材と、第1の配線パターンとの接触面積を比較的大きく確保することができるためである。さらに、第1の配線パターンの端部を位置合わせの目安にできるために、シール材の印刷位置決めを容易にすることができるためである。したがって、第1の配線パターンと、第2の基板における引き回し配線との導通を確実に取ることができるとともに、金属フレームや異物の接触による静電気破壊の発生を有効に防止することができる。
なお、本実施形態においては、第1の基板上にシール材を形成しているが、第2の基板上に印刷しても構わない。
(3) Bonding Step (3) -1 Printing of Sealing Material Next, as shown in FIG. 15A, on the first substrate, the sealing
At this time, with respect to the printing position of the sealing material, as shown in FIG. 15A, printing is performed with the
In this embodiment, the sealing material is formed on the first substrate, but printing may be performed on the second substrate.
(3)−2 プリベーク
次いで、所定形状にパターニングされたシール材が印刷された第1のガラス基板を低温処理(プリベーク)して、シール材中の溶剤を蒸発させることが好ましい。
このとき、シール材の硬化温度よりも低い温度条件で、減圧しながらプリベークすることが好ましい。例えば、35〜70℃程度の温度条件、50〜90kPaの圧力条件の下で、実施することが好ましい。このような条件でプリベーク工程を実施することにより、シール材中に残留する溶剤を効率よく蒸発させるとともに、シール材から十分に脱気することができるためである。したがって、電気光学装置の製造後において、シール材内の気泡に起因する表示ムラや、断線等を、効果的に防止することができるためである。
また、シール材をプリベークした際には、図15(b)に示すように、シール材230の粘度が低下して、当該シール材230の幅が広がるとともに、シール材230の外縁230aが、第1の配線パターン19の端部19aよりも外側に位置していることが好ましい。このように実施することにより、第1の基板と第2の基板とを貼合せた際に、第1の配線パターンの端部を、シール材の外縁よりも内側に存在させることが容易になるためである。また、シール材と、第1の配線パターンの接触面積を広くすることができるためである。
(3) -2 Prebaking Next, it is preferable that the first glass substrate on which the sealing material patterned in a predetermined shape is printed is subjected to low temperature treatment (prebaking) to evaporate the solvent in the sealing material.
At this time, it is preferable to pre-bake under reduced pressure under a temperature condition lower than the curing temperature of the sealing material. For example, it is preferable to carry out under a temperature condition of about 35 to 70 ° C. and a pressure condition of 50 to 90 kPa. This is because by performing the pre-baking process under such conditions, the solvent remaining in the sealing material can be efficiently evaporated and the sealing material can be sufficiently degassed. Therefore, after the electro-optical device is manufactured, display unevenness due to bubbles in the sealing material, disconnection, and the like can be effectively prevented.
Further, when the seal material is pre-baked, as shown in FIG. 15B, the viscosity of the
(3)−3 圧着
次いで、シール材が積層された第1の基板に対して、第2の基板を重ね合わせて接合させた後、加熱しながら加圧保持して、第1の基板と第2の基板とを貼合せることが好ましい。このとき、図15(c)に示すように、第1の配線パターン19や、データ電極26、引回し配線28の所定の端部が、シール材230の外縁230aよりも内側に存在するように貼り合わせることが好ましい。
このようにすれば、第1の基板と第2の基板とを貼り合わせた際に、第1の基板における第1の配線パターン、第2の基板における外部接続用端子が設けられていない側のデータ電極、引回し配線を、外部に露出させないようにできる。したがって、金属フレームや異物の接触による静電気破壊の発生を効果的に防止できる電気光学装置を得ることができる。
(3) -3 Crimping Then, after the second substrate is overlapped and bonded to the first substrate on which the sealing material is laminated, the first substrate and the first substrate are bonded to each other with heating. It is preferable to bond two substrates. At this time, as shown in FIG. 15C, the predetermined end portions of the
In this way, when the first substrate and the second substrate are bonded together, the first wiring pattern on the first substrate and the external connection terminal on the second substrate are not provided. The data electrode and the lead wiring can be prevented from being exposed to the outside. Accordingly, it is possible to obtain an electro-optical device that can effectively prevent the occurrence of electrostatic breakdown due to contact with a metal frame or a foreign object.
(4)液晶の注入及び偏光板の配置
次いで、第1の基板及び第2の基板が形成する空間であって、シール材の内側部分に対して、電気光学物質(液晶)を注入した後、封止材等にて封止することが好ましい。例えば、第1の基板及び第2の基板のそれぞれの外面に、偏光板を配置するとともに、液晶分子の配向方向を制御することにより、ノーマリーブラックモードの液晶表示装置を得ることができる。
(4) Injection of liquid crystal and arrangement of polarizing plate Next, after injecting an electro-optical material (liquid crystal) into the space formed by the first substrate and the second substrate and into the inner part of the sealing material, It is preferable to seal with a sealing material or the like. For example, a normally black mode liquid crystal display device can be obtained by disposing polarizing plates on the outer surfaces of the first substrate and the second substrate and controlling the alignment direction of the liquid crystal molecules.
[第3実施形態]
本発明に係る第3実施形態として、第1実施形態の液晶表示装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
[Third Embodiment]
As a third embodiment according to the present invention, an electronic apparatus including the liquid crystal display device according to the first embodiment will be specifically described.
図16は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル200と、これを制御するための制御手段1200とを有している。また、図16中では、液晶パネル200を、パネル構造体200Aと、半導体素子(IC)等で構成される駆動回路200Bと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段1200は、表示情報出力源1210と、表示処理回路1220と、電源回路1230と、タイミングジェネレータ1240とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源1210は、ROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ1240によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路1220に供給するように構成されていることが好ましい。
FIG. 16 is a schematic configuration diagram showing the overall configuration of the electronic apparatus of the present embodiment. This electronic apparatus includes a
The display
また、表示情報処理回路1220は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号CLKと共に駆動回路200Bへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路200Bは、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路1230は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、第1の基板及び第2の基板において、非表示領域に所定の間隙を含むダミーパターンを形成した液晶表示装置を使用している。そのために、背景色の均一化を図れるとともに、静電気破壊の発生が少なく、信頼性に優れた電子機器とすることができる。
The display
In the electronic apparatus of this embodiment, a liquid crystal display device in which a dummy pattern including a predetermined gap is formed in a non-display area on the first substrate and the second substrate is used. Therefore, the background color can be made uniform, and the occurrence of electrostatic breakdown can be reduced and an electronic device having excellent reliability can be obtained.
本発明によれば、所定の間隙を含むダミーパターンを形成することにより、背景色の均一化を図るとともに、静電気破壊の発生を防止することができ、電気光学物質として液晶分子を用いた電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を用いた装置(FED:Field Emission DisplayやSCEED:Surface-Conduction Electron-Emitter Display)、無機又は有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置等に使用することができる。 According to the present invention, by forming a dummy pattern including a predetermined gap, it is possible to make the background color uniform and prevent the occurrence of electrostatic breakdown, and electro-optical using liquid crystal molecules as an electro-optical material Devices and electronic devices such as mobile phones and personal computers, liquid crystal televisions, viewfinder type / monitor direct view type video tape recorders, car navigation devices, pagers, electrophoresis devices, electronic notebooks, calculators, word processors, work Stations, videophones, POS terminals, electronic devices with touch panels, devices using electron-emitting devices (FED: Field Emission Display, SCEED: Surface-Conduction Electron-Emitter Display), inorganic or organic electroluminescence devices, plasma display devices Can be used for etc.
また、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各実施形態に示す液晶パネルはTFD素子を有するアクティブマトリクス型の構造を備えているが、その他のTFT(薄膜トランジスタ)等のアクティブ素子(能動素子)を用いたアクティブマトリクス方式の電気光学装置や、パッシブマトリクス型の電気光学装置にも適用することができる。
また、上記実施形態の液晶パネルは所謂COGタイプの構造を有しているが、半導体素子(ICチップ)を直接実装する構造ではない液晶パネル、例えば液晶パネルにフレキシブル配線基板やTAB基板を接続するように構成されたものであっても構わない。
In addition, the electro-optical device and the electronic apparatus according to the invention are not limited to the illustrated examples described above, and it is needless to say that various changes can be made without departing from the gist of the invention. For example, the liquid crystal panel shown in each of the above embodiments has an active matrix structure having a TFD element, but an active matrix type electro-optical device using other active elements (active elements) such as TFTs (thin film transistors). It can also be applied to a passive matrix electro-optical device.
Further, the liquid crystal panel of the above embodiment has a so-called COG type structure, but a flexible wiring board or a TAB board is connected to a liquid crystal panel that is not a structure in which a semiconductor element (IC chip) is directly mounted, for example, a liquid crystal panel. It may be configured as described above.
10:電気光学装置(液晶表示装置)、12:第1の基板(カラーフィルタ基板)、13:第1のガラス基板、13a:基板の縁部、14:第2の基板(素子基板)、27:第2のガラス基板、19:第1の配線パターン(走査電極)、19a:第1の配線パターンの端部、26:第2の配線パターン(データ電極)、26a:データ電極の端部、28・29:第2の配線パターン(引回し配線)、28a:引回し配線の端部、41:ダミーパターン、43:間隙、200:液晶パネル、230:シール材、230a:シール材の外縁 10: electro-optical device (liquid crystal display device), 12: first substrate (color filter substrate), 13: first glass substrate, 13a: edge of substrate, 14: second substrate (element substrate), 27 : Second glass substrate, 19: first wiring pattern (scanning electrode), 19a: end of first wiring pattern, 26: second wiring pattern (data electrode), 26a: end of data electrode, 28, 29: second wiring pattern (leading wiring), 28a: end of leading wiring, 41: dummy pattern, 43: gap, 200: liquid crystal panel, 230: sealing material, 230a: outer edge of sealing material
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101182521B1 (en) * | 2005-10-28 | 2012-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | liquid crystal display device and method for fabricating of the same |
JP2007183497A (en) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Yazaki Corp | Liquid crystal display device |
JP4899505B2 (en) * | 2006-02-02 | 2012-03-21 | セイコーエプソン株式会社 | Electrophoretic display device and electronic apparatus |
KR100766934B1 (en) * | 2006-05-16 | 2007-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting display |
JP2008009407A (en) * | 2006-05-29 | 2008-01-17 | Bridgestone Corp | Information display panel |
JP4600449B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-12-15 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | Liquid crystal devices and electronic equipment |
JP4968276B2 (en) * | 2009-02-24 | 2012-07-04 | ソニー株式会社 | Display device and manufacturing method thereof |
JP5279574B2 (en) * | 2009-03-26 | 2013-09-04 | 三菱電機株式会社 | Liquid crystal display |
JP2012208344A (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Seiko Epson Corp | Electro-optic device and electronic appliance |
JP6484487B2 (en) * | 2015-04-06 | 2019-03-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device manufacturing method and display device |
CN107342045A (en) * | 2017-08-25 | 2017-11-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | AMOLED display panels and display device |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0511262A (en) * | 1991-07-03 | 1993-01-19 | Alps Electric Co Ltd | Liquid crystal display element |
JPH06294968A (en) * | 1993-04-09 | 1994-10-21 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display device |
JP2000047227A (en) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Kyocera Corp | Liquid crystal display device |
JP2000338514A (en) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
JP2001100231A (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device and electronic equipment mounting the same |
JP2001125124A (en) * | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Kyocera Corp | Liquid crystal display device |
JP2002328380A (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Simple matrix type liquid crystal display device |
JP2003107511A (en) * | 2001-09-26 | 2003-04-09 | Seiko Epson Corp | Optoelectronic device and its manufacturing method |
-
2004
- 2004-01-08 JP JP2004002967A patent/JP4581405B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0511262A (en) * | 1991-07-03 | 1993-01-19 | Alps Electric Co Ltd | Liquid crystal display element |
JPH06294968A (en) * | 1993-04-09 | 1994-10-21 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display device |
JP2000047227A (en) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Kyocera Corp | Liquid crystal display device |
JP2000338514A (en) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
JP2001100231A (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device and electronic equipment mounting the same |
JP2001125124A (en) * | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Kyocera Corp | Liquid crystal display device |
JP2002328380A (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Simple matrix type liquid crystal display device |
JP2003107511A (en) * | 2001-09-26 | 2003-04-09 | Seiko Epson Corp | Optoelectronic device and its manufacturing method |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102375273A (en) * | 2010-08-24 | 2012-03-14 | 索尼公司 | Display device with touch detection function |
CN102375273B (en) * | 2010-08-24 | 2015-10-28 | 株式会社日本显示器 | There is the display device touching measuring ability |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005195944A (en) | 2005-07-21 |
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