JP3994909B2

JP3994909B2 - Electric wiring structure, method for manufacturing electric wiring structure, substrate for optical device provided with electric wiring structure, electro-optical device, and method for manufacturing electro-optical device

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Publication number: JP3994909B2
Application number: JP2003126570A
Authority: JP
Inventors: 聡志田口; 千浩田中; 克浩今井; 秀樹上原
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-05-01
Filing date: 2003-05-01
Publication date: 2007-10-24
Anticipated expiration: 2023-05-01
Also published as: JP2004333643A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐蝕性金属配線と、非耐蝕性金属配線と、を電気接続するための電気配線構造、電気配線構造の製造方法、電気配線構造を備えた光学装置用基板、および電気光学装置、ならびに電気光学装置の製造方法に関する。
特に、耐蝕性金属配線や非耐蝕性金属配線を含む特定構造の二端子型非線形素子（薄膜ダイオード）を形成する工程を利用して、同時に形成することが可能な電気配線構造、電気配線構造の製造方法、電気配線構造を備えた光学装置用基板、および電気光学装置、ならびに電気光学装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶表示装置は、対向する第１の電気光学装置用基板と、第２の電気光学装置用基板とを含む一対の電気光学装置用基板との間に、液晶材料を注入して構成されている。
ここで、かかる液晶表示装置が、アクティブマトリクス方式の場合には、図１６に例示されるように、第２の電気光学装置用基板上に、複数の画素電極がマトリクス状に配列されるとともに、これらの画素電極のそれぞれに非線形素子（スイッチング素子）、例えば、薄膜ダイオード（ＴＦＤ素子）が設けられており、第１の電気光学装置用基板上に、対向電極が設けられている。そして、非線形素子としての薄膜ダイオードに対して、しきい値以上の電圧を印加し、当該非線形素子を導通状態にするとともに、当該非線形素子と、対向電極との間に電圧をさらに印加することにより、液晶材料の配向性を制御して、所定の画像表示を行っている（例えば、特許文献１参照）。
また、特許文献１に開示された液晶表示装置の場合、シール材の外側に位置する駆動用ドライバＩＣ実装端子部となる外部配線と、シール材の内側に位置する内部配線と、外部配線と、内部配線とを電気的に接続するためのシール材の内側から外側に伸びるバイパス部が設けてあり、当該バイパス部を、タンタルやＩＴＯ等の耐蝕材料から構成することを特徴としている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−７５１１８号公報（第３頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に開示された液晶表示装置の場合、タンタルやＩＴＯ等の耐蝕材料からなるバイパス部を設けて、外部配線としてのタンタル配線上に、内部配線としてのクロム配線を電気接続すると、接続抵抗が大きく、液晶表示装置における消費電力が大きくなったり、抵抗のばらつきが大きく、表示むらとなったりするという問題が見られた。
そこで、本発明は、上記問題点を解決するものであり、耐蝕性金属配線や非耐蝕性金属配線を含む特定構造の二端子型非線形素子（薄膜ダイオード）を形成する工程等を利用して、タンタル等の耐蝕性金属の酸化層を有する耐蝕性金属配線と、クロム等の非耐蝕性金属配線と、を電気接続する場合であっても、優れた低抵抗性や耐蝕性が得られる電気配線構造、電気配線構造の製造方法、および電気配線構造を備えた光学装置用基板、および電気光学装置、ならびに電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、耐蝕性金属配線と、非耐蝕性金属配線と、を電気接続するための電気配線構造であって、耐蝕性金属配線上に、当該耐蝕性金属の酸化層および非耐蝕金属配線を順次に形成し、耐蝕金属配線上に、耐蝕性金属の酸化層を除去した露出部を形成するとともに、非耐蝕性金属配線および露出部の上にまたがって、導電性無機酸化膜をさらに形成することにより、非耐蝕性金属配線と、耐蝕性金属配線の露出部とを電気接続することを特徴とする電気配線構造が提供され、上述した問題点を解決することができる。
すなわち、耐蝕性金属配線と、非耐蝕性金属配線とを、確実に電気接続することができることから、光学装置用基板等に望ましい低抵抗性や耐蝕性に優れた電気配線構造を容易に提供することができる。また、このような構成であれば、耐蝕性金属配線および非耐蝕性金属配線を含む特定構造の二端子型非線形素子を形成する工程、およびそれに次ぐ、画像表示部を形成する工程を利用して、同時に形成することが可能である。
【０００６】
また、本発明の電気配線構造を構成するにあたり、耐蝕性金属の酸化層を部分的に除去して、露出部を形成することが好ましい。
このように構成することにより、非耐蝕性金属配線の耐蝕性と、接続抵抗の低下性とのバランスをさらに良好なものとすることができる。
【０００７】
また、本発明の電気配線構造を構成するにあたり、非耐蝕性金属配線の端部に、傾斜部を設けることが好ましい。
このように構成することにより、非耐蝕性金属配線の段差部での導線性無機酸化膜の断線を防止するとともに、接合箇所における機械的接合力をさらに高めることができる。
【０００８】
また、本発明の電気配線構造を構成するにあたり、耐蝕性金属がタンタルであるとともに、非耐蝕性金属がクロムであることが好ましい。
このように構成することにより、配線構造の耐蝕性と、接続抵抗の低下性とのバランスをさらに良好なものとすることができる。
【０００９】
また、本発明の別の態様は、耐蝕性金属配線と、非耐蝕性金属配線と、を電気接続するための電気配線構造の製造方法であって、耐蝕性金属配線を、基材上に形成した後、その表面に、耐蝕性金属の酸化層を形成する工程と、耐食性金属の酸化層の一部に重なるように、非耐蝕性金属配線を形成する工程と、非耐蝕性金属配線が形成された箇所以外の酸化層を除去して、露出部を形成する工程と、非耐蝕性金属配線および露出部の上にまたがって、導電性無機酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする電気配線構造の製造方法である。
すなわち、このように実施することにより、低抵抗性や耐蝕性に優れた電気配線構造を容易に提供することができる。また、このような製造方法であれば、耐蝕性金属配線および非耐蝕性金属配線を含む特定構造の二端子型非線形素子を形成する工程、およびそれに次ぐ、画像表示部を形成する工程を利用して、同時に形成することが可能である。
【００１０】
また、本発明の別の態様は、電気光学装置に対向使用されるとともに、第１の電気光学装置用基板および第２の電気光学装置用基板からなる一対の電気光学装置用基板であって、第１の電気光学装置用基板は、基板としての第１のガラス基板と、その上に設けられた電気配線と、を備え、第２の電気光学装置用基板は、対向基板としての第２のガラス基板と、二端子型非線形素子を構成する素子第１電極、絶縁膜および素子第２電極と、を備え、かつ、第２の電気光学装置用基板は、第２のガラス基板に形成された耐蝕性金属配線と、素子第１電極および素子第２電極に電気接続される非耐蝕性金属配線と、を電気接続するための電気配線構造を備えており、耐蝕性金属配線上に、当該耐蝕性金属の酸化層および非耐蝕金属配線を順次に形成し、耐蝕金属配線上に、耐蝕性金属の酸化層を除去した露出部を形成するとともに、非耐蝕性金属配線および露出部の上にまたがって、導電性無機酸化膜をさらに形成することにより、当該非耐蝕性金属配線と、耐蝕性金属配線の露出部とを電気接続してなる電気配線構造を備えたことを特徴とした電気光学装置用基板である。
すなわち、このように構成することにより、低抵抗性や耐蝕性に優れた電気配線構造を備えた電気光学装置用基板を容易に提供することができる。また、このような電気配線構造の構成であれば、耐蝕性金属配線および非耐蝕性金属配線を含む特定構造の二端子型非線形素子を形成する工程、およびそれに次ぐ、画像表示部を形成する工程を利用して、同時に形成することが可能である。
【００１１】
また、本発明の別の態様は、対向する第１の電気光学装置用基板と第２の電気光学装置用基板とを含む一対の電気光学装置用基板、およびその間に電気光学的物質を含む電気光学装置であって、第１の電気光学装置用基板は、基板としての第１のガラス基板と、その上に設けられた電気配線と、を備え、第２の電気光学装置用基板は、対向基板としての第２のガラス基板と、二端子型非線形素子を構成する素子第１電極、絶縁膜および素子第２電極と、を備え、かつ、第２の電気光学装置用基板は、第２のガラス基板に形成された耐蝕性金属配線と、素子第１電極および素子第２電極に電気接続される非耐蝕性金属配線と、を含む電気配線構造を備えており、耐蝕性金属配線上に、当該耐蝕性金属の酸化層および非耐蝕金属配線を順次に形成し、耐蝕金属配線上に、耐蝕性金属の酸化層を除去した露出部を形成するとともに、非耐蝕性金属配線および露出部の上にまたがって、導電性無機酸化膜をさらに形成することにより、当該非耐蝕性金属配線と、耐蝕性金属配線の露出部とを電気接続してなる電気配線構造を備えたことを特徴とした電気光学装置である。
すなわち、このように構成することにより、低抵抗性や耐蝕性に優れた電気配線構造を備えた電気光学装置用基板を用いた電気光学装置を容易に提供することができる。また、このような電気配線構造の構成であれば、耐蝕性金属配線および非耐蝕性金属配線を含む特定構造の二端子型非線形素子を形成する工程、およびそれに次ぐ、画像表示部を形成する工程を利用して、同時に形成することが可能である。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、電気光学装置の画像表示部と、実装端子部とを区分するシール部を設けるとともに、当該シール部の内側に、非耐蝕性金属配線の接合箇所を設けることが好ましい。
すなわち、比較的環境条件に望まれた電気光学装置のシール部の内側に非耐蝕性金属配線を配置し、環境の厳しいシール外側には耐蝕性金属と導電性無機酸化膜を配置することにより、耐蝕性にさらに優れた電気光学装置を容易に提供することができる。
【００１３】
また、本発明の別の態様は、対向する第１の電気光学装置用基板と第２の電気光学装置用基板とを含む一対の電気光学装置用基板、およびその間に電気光学的物質を含む電気光学装置の製造方法であって、第１の電気光学装置用基板は、基板としての第１のガラス基板と、着色層と、遮光層としてのブラックマトリクスと、その上に設けられた電気配線と、を備え、第２の電気光学装置用基板は、対向基板としての第２のガラス基板と、二端子型非線形素子を構成する素子第１電極、絶縁膜および素子第２電極と、を備え、かつ、第２の電気光学装置用基板は、第２のガラス基板に形成された耐蝕性金属配線と、素子第１電極および素子第２電極に電気接続される非耐蝕性金属配線と、を電気接続するための電気配線構造を備えており、耐蝕性金属配線上に、当該耐蝕性金属の酸化層および非耐蝕金属配線を順次に形成し、耐蝕金属配線上に、耐蝕性金属の酸化層を除去した露出部を形成するとともに、非耐蝕性金属配線および露出部の上にまたがって、導電性無機酸化膜をさらに形成することにより、当該非耐蝕金属配線と、耐蝕性金属配線の露出部とを電気接続してなる電気配線構造を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
すなわち、このように実施することにより、低抵抗性や耐蝕性に優れた電気配線構造を備えた電気光学装置を効率的に提供することができる。また、このような製造方法であれば、耐蝕性金属配線および非耐蝕性金属配線を含む特定構造の二端子型非線形素子を形成する工程を利用して、同時に耐蝕性に優れた配線構造を形成することが可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の電気配線構造、その製造方法、電気配線構造を備えた電気光学装置用基板、および電気光学装置、ならびに電気光学装置の製造方法に関する実施形態について具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００１５】
［第１実施形態］
第１実施形態は、図１（ａ）〜（ｂ）に例示されるように、耐蝕性金属配線１５８上に当該耐蝕性金属の酸化層１５６および非耐蝕性金属配線１５２を順次に形成し、耐蝕性金属配線１５８上に、耐蝕性金属の酸化層１５６を除去した露出部１５０を形成するとともに、非耐蝕性金属配線１５２および露出部１５０の上にまたがって、導電性無機酸化膜１５４をさらに形成することにより、非耐蝕性金属配線１５２と、耐蝕性金属配線の露出部１５０とを電気接続してなる電気配線構造１００である。
なお、本実施形態の説明にあたり、耐蝕性金属としてタンタルを、また、非耐蝕性金属としてクロムを例に採って説明するが、言うまでもなく、他の耐蝕性金属や非耐蝕性金属であっても、電気配線構造の用途等に応じて、適宜使用することができる。
【００１６】
１．タンタル配線
（１）種類
タンタル配線を構成する種類としては、タンタルを主成分としたものであれば特に制限されるものでないが、例えば、タンタル単独や、タンタルと、モリブデン、クロム、タングステン、またはチタン等と、からなるタンタル合金が挙げられる。
なお、耐蝕性金属として、タンタル以外に、タングステン等を単独または合金化して使用することも好ましい。
【００１７】
（２）線幅
また、タンタル配線の線幅を２〜３００μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるタンタル配線の線幅が２μｍ未満の値になると、クロム配線の接合が困難になって、接続抵抗が大きくなる場合があるためである。一方、かかるタンタル配線の線幅が３００μｍを越えると、電気光学装置用基板上での配線の引き回しが困難になったり、狭ピッチ化が困難になったりする場合があるためである。
したがって、タンタル配線の線幅を５〜１００μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１０〜５０μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００１８】
（３）厚さ
また、タンタル配線の厚さを０．０１〜１μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるタンタル配線の厚さが０．０１μｍ未満の値になると、薄膜抵抗の値が高くなったり、あるいは、クロム配線との接合が困難になって、接続抵抗が大きくなったりする場合があるためである。一方、かかるタンタル配線の厚さが１μｍを越えると、電気光学装置用基板上での配線の引き回しが困難になったり、精度良くエッチングすることが困難になったりする場合があるためである。
したがって、タンタル配線の厚さを０．０５〜０．３μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、０．０５〜０．１５μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００１９】
（４）シール材との関係
また、タンタル配線は、クロム配線と比較して、より耐蝕性に優れている。したがって、例えば、図２に示すように、電気光学装置に設けたシール材１７０の内部配線（Ａ部）には、クロム配線１５２を採用し、腐蝕環境が激しいシール材１７０の外部配線（Ｂ部）に、耐蝕性により優れたタンタル配線１５８、あるいは導電性無機酸化膜１５４で被覆されたタンタル配線１５８を配置することが好ましい。
【００２０】
２．クロム配線
（１）種類
クロム配線を構成する種類としては、クロムを主成分としたものであれば特に制限されるものでないが、例えば、クロム単独や、クロムと、モリブデン、タンタル、またはチタン等と、からなるクロム合金が挙げられる。
なお、非耐蝕性金属として、クロム以外に、アルミニウム、モリブデン、チタン等を単独または合金化して使用することも好ましい。
【００２１】
（２）線幅
また、クロム配線の線幅を２〜３００μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるクロム配線の線幅が２μｍ未満の値になると、タンタル配線との接合が困難になって、接続抵抗が大きくなる場合があるためである。一方、かかるクロム配線の線幅が３００μｍを越えると、電気光学装置用基板上での配線の引き回しが困難になったり、狭ピッチ化が困難になったりする場合があるためである。
したがって、クロム配線の線幅を５〜１００μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１０〜５０μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００２２】
（３）厚さ
また、クロム配線の厚さを０．０１〜１μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるクロム配線の厚さが０．０１μｍ未満の値になると、タンタル配線との接合が困難になって、接続抵抗が大きくなる場合があるためである。一方、かかるクロム配線の厚さが１μｍを越えると、電気光学装置用基板上での配線の引き回しが困難になったり、精度良くエッチングすることが困難になったりする場合があるためである。
したがって、クロム配線の厚さを０．０３〜０．５μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、０．１〜０．３μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００２３】
（４）形状
また、図３（ａ）〜（ｂ）に示すように、クロム配線１５２の側面に傾斜部１５１を設けることが好ましい。その場合、水平面に対する傾斜部の角度を、３０〜８５°の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる傾斜部の角度が３０°未満の値になると、精度良く形成することが困難になる場合があるためである。一方、かかる傾斜部の傾斜部の角度が８５°を越えると、透明性無機酸化物層を介して、タンタル配線との接合が困難になって、接続抵抗が大きくなる場合があるためである。
したがって、クロム配線の側面に設ける傾斜部の角度を、４０〜８５°の範囲内の値とすることがより好ましく、６０〜８０°の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００２４】
（５）シール材との関係
また、クロム配線は、タンタル配線と比較して、耐蝕性には若干劣るものの、低抵抗性を有している。したがって、例えば、図２に示すように、電気光学装置に設けたシール材１７０の内部配線（Ａ部）には、低抵抗のクロム配線１５２を採用し、腐蝕環境が激しいシール材１７０の外部配線（Ｂ部）に、耐蝕性により優れたタンタル配線１５８、あるいは導電性無機酸化膜１５４で被覆されたタンタル配線１５８を配置することが好ましい。
【００２５】
３．透明性無機酸化物層
（１）種類
クロム配線および露出部の上にまたがって形成される導電性無機酸化膜の種類としては、具体的には、多結晶インジウムスズ酸化物、アモルファスインジウムスズ酸化物、アモルファスインジウム亜鉛酸化物、アモルファスインジウムゲルマニウム酸化物等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
【００２６】
（２）厚さ
また、透明性無機酸化物層の厚さを０．０１〜０．３μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる透明性無機酸化物層の厚さが０．０１μｍ未満の値になると、被覆したとしても、薄膜抵抗が過度に高くなる場合があるためである。一方、かかる透明性無機酸化物層の厚さが０．３μｍを越えると、電気光学装置用基板上での配線の引き回しが困難になったり、精度良くエッチングすることが困難になったりする場合があるためである。
【００２７】
［第２実施形態］
第２実施形態は、耐蝕性金属配線と、非耐蝕性金属配線と、を電気接続するための電気配線構造の製造方法であって、以下の工程（Ａ）〜（Ｄ）を含むことを特徴とする電気配線構造の製造方法である。
（Ａ）耐蝕性金属配線を、基材上に形成した後、その表面に、当該耐蝕性金属の酸化層を形成する工程（以下、タンタル配線形成工程と称する場合がある。）
（Ｂ）耐蝕性金属の酸化層の一部に重なるように、非耐蝕性金属配線を形成する工程（以下、クロム配線形成工程と称する場合がある。）
（Ｃ）非耐蝕性金属配線が形成された箇所以外の耐蝕性金属の酸化層を除去して、露出部を形成する工程（以下、露出部形成工程と称する場合がある。）
（Ｄ）非耐蝕性金属配線および露出部の上にまたがって、導電性無機酸化膜を形成する工程（以下、導電性無機酸化膜形成工程と称する場合がある。）
なお、本実施形態においても、耐蝕性金属としてタンタルを、非耐蝕性金属としてクロムを使用しているが、他の材料であっても好適に使用することができる。
【００２８】
１．（Ａ）タンタル配線形成工程
図４（ａ）に示すように、準備した電気絶縁基材２１１上に、所定形状のタンタル配線１５８を形成する方法は特に制限されるものではないが、例えば、図４（ｂ）に示すように、蒸着法やスパッタリング法、あるいはラミネート法により、全面的にタンタル層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて形成することが好ましい。
次いで、図４（ｂ）に示すように、タンタル配線１５８の表面を酸化することにより、酸化タンタル層１５６を形成することができる。このように酸化タンタル層を形成することにより、所定の電気絶縁性が得られるとともに、後に形成するクロム配線との密着力を向上させることができる。
なお、電気絶縁基材上に、所定形状のタンタル配線を形成するにあたり、製造工程の簡便上、図５（ａ）〜図６（ｂ）に示すように、ＴＦＤを構成する第１素子および第２素子のタンタル電極を形成するのと同時に、当該タンタル配線を形成することがより好ましい。
また、同様に製造工程の簡便上、所定形状のタンタル配線上に、酸化タンタル層を形成するにあたり、図６（ｃ）に示すように、ＴＦＤを構成する第１素子および第２素子の酸化タンタル層を陽極酸化によって形成するのと同時に、または、陽極酸化後に陽極酸化膜を熱処理するのと同時に、熱酸化により、当該酸化タンタル層を形成することがより好ましい
【００２９】
２．（Ｂ）クロム配線形成工程
図４（ｃ）に示すように、クロム配線１５２を形成するにあたり、蒸着法やスパッタリング法と、フォトリソグラフィ法とを組み合わせて、形成することが好ましい。
なお、電気絶縁基材上の所定箇所に、所定形状のクロム配線を形成するにあたり、製造工程の簡便上、図７（ａ）に示すように、ＴＦＤを構成する第１素子および第２素子のクロム電極を形成するのと同時に、当該クロム配線を形成することがより好ましい。
【００３０】
３．（Ｃ）露出部形成工程
次いで、図４（ｄ）に示すように、酸化タンタル層１５６を除去して、タンタル配線１５９上に露出部１５０を形成するにあたり、ドライエッチング、例えば、ＳＦ₆と、Ｏ₂プラズマとの混合ガスを用いることが好ましい。
【００３１】
４．（Ｄ）導電性無機酸化膜形成工程
次いで、図４（ｅ）に示すように、クロム配線１５２および露出部１５０の上にまたがって、導電性無機酸化膜１５４を形成するにあたり、蒸着法やスパッタリング法等を用いることが好ましい。
なお、かかる導電性無機酸化膜を形成するにあたり、製造工程の簡便上、図７（ｃ）に示すように、ＴＦＤを構成する第１素子および第２素子のクロム電極を形成した後に、画素電極としての導電性無機酸化膜を形成するのと同時に、当該導電性無機酸化膜を形成することがより好ましい。
【００３２】
［第３実施形態］
第３実施形態は、電気光学装置に対向使用されるとともに、第１の電気光学装置用基板および第２の電気光学装置用基板からなる一対の電気光学装置用基板およびそれを用いた電気光学装置であって、
第１の電気光学装置用基板は、基板としての第１のガラス基板と、その上に設けられた電気配線と、を備え、
第２の電気光学装置用基板は、対向基板としての第２のガラス基板と、二端子型非線形素子を構成する素子第１電極、絶縁膜および素子第２電極と、を備え、かつ、第２の電気光学装置用基板は、第２のガラス基板に形成されたタンタル配線と、素子第１電極および素子第２電極に電気接続されるクロム配線と、を電気接続するための電気配線構造を備えており、
当該電気配線構造が、耐蝕性金属配線上に、当該耐蝕性金属の酸化層および非耐蝕金属配線を順次に形成し、耐蝕金属配線上に、耐蝕性金属の酸化層を除去した露出部を形成するとともに、非耐蝕性金属配線および露出部の上に、導電性無機酸化膜をさらに形成することにより、非耐蝕性金属配線と、耐蝕性金属配線の露出部とを電気接続してなることを特徴とした電気光学装置用基板、およびそれを用いた電気光学装置である。
以下、カラーフィルタ基板（第１の電気光学装置用基板）、二つの二端子型非線形素子を備えた対向基板（第２の電気光学装置用基板）、およびそれらを用いた液晶パネルを例に採って説明する。
【００３３】
１．液晶パネルの基本構造
まず、図８〜図１２を参照して、本発明の第１実施形態の電気光学装置用基板を用いた電気光学装置の基本構造、すなわち、セル構造や配線、あるいは位相差板および偏光板について具体的に説明する。なお、図８は、本発明に係る電気光学装置を構成する液晶パネル２００の外観を示す概略斜視図であり、図９は、液晶パネル２００の模式的な概略断面図であり、図１０は、アクティブマトリクス配線の電気的構成を示す図であり、図１１および図１２は、それぞれ二端子型非線形素子としてのＴＦＤ（Thin Film Diode）の構成を説明するために供する図である。
また、図８に示される電気光学装置を構成する液晶パネル２００は、ＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることが好ましい。
【００３４】
（１）セル構造
図８に示すように、液晶パネル２００は、ガラス板や合成樹脂板等からなる透明な第１のガラス基板２２１（図１１中、第１のガラス基板１３に相当）を基体とするカラーフィルタ基板２２０（第１の電気光学装置用基板と称する場合がある。）と、これに対向配置される第２のガラス基板２１１（図１１中、第２のガラス基板２７に相当）を基体とする対向基板２１０（第２の電気光学装置用基板と称する場合がある。）とが、接着剤等のシール材２３０を介して貼り合わせられていることが好ましい。そして、カラーフィルタ基板２２０と、対向基板２１０とが形成する空間であって、シール材２３０の内側部分に対して、開口部２３０ａを介して液晶材料２３２を注入した後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えていることが好ましい。
すなわち、図９に示すように、カラーフィルタ基板２２０と対向基板２１０との間に液晶材料２３２が充填されていることが好ましい。
【００３５】
（２）配線
▲１▼マトリクス
図８に示すように、第２のガラス基板２１１の内面（第１のガラス基板２２１に対向する表面）上に、マトリクス状の透明電極２１６と配線２１８Ａを形成し、第１のガラス基板２２１の内面上には、当該透明電極２１８Ａに直交する方向に並列した、複数のストライプ状の透明電極２２２を形成することが好ましい。また、透明電極２１６を、非線形素子２７１を介して配線２１８Ａに対して導電接続するとともに、もう一方の透明電極２２２を、配線２２８に対して導電接続することが好ましい。
そして、透明電極２２２と直交する配線２１８ＡにＴＦＤ素子２７１を介して接続された透明電極２１６がマトリクス状に配列された多数の画素を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成することになる。
また、図１０に、ドライバＩＣおよびＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス配線の具体的な電気的構成例を示す。すなわち、Ｙ方向に延在する複数のデータ電極２６と、Ｘ方向に延在する複数の走査電極１９とから構成されており、各交差部分において画素５０が構成されている。また、各画素５０において、液晶表示要素５１と、ＴＦＤ素子３１とが直列接続されている。
【００３６】
▲２▼入力端子部
また、図８に示すように、第２のガラス基板２１１は、第１のガラス基板２２１の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部２１０Ｔを有し、この基板張出部２１０Ｔ上には、配線２２８に対して、シール材２３０の一部で構成される上下導通部を介して導電接続された配線２１８Ｂ、および、独立して形成された複数の配線パターンからなる入力端子部２１９が形成されていることが好ましい。また、基板張出部２１０Ｔ上には、これら配線２１８Ａ、２１８Ｂおよび入力端子部２１９に対して導電接続されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体ＩＣ２６１が実装されていることが好ましい。
さらに、基板張出部２１０Ｔの端部には、入力端子部２１９に導電接続されるように、フレキシブル配線基板２６３が実装されていることが好ましい。
【００３７】
（３）位相差板および偏光板
図８に示される液晶パネル２００において、図９に示すように、第１のガラス基板２２１の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）２５０および偏光板２５１が配置されていることが好ましい。
そして、第２のガラス基板２１１の外面においても、位相差板（１／４波長板）２４０および偏光板２４１が配置されていることが好ましい。
【００３８】
２．カラーフィルタ基板（第１の電気光学装置用基板）
（１）基本的構成
カラーフィルタ基板２２０は、図９に示すように、基本的に、ガラス基板２２１と、着色層２１４と、透明電極２２２と、配向膜２１７と、から構成してあることが好ましい。
また、カラーフィルタ基板２２０において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に使用される反射半透過型の液晶表示装置においては、ガラス基板２２１と、着色層２１４との間に、図９に示すように、反射層２１２を設けることが好ましい。
さらに、カラーフィルタ基板２２０において、図９に示すように、その表面を平坦化するための平坦化層３１５や、電気絶縁性を向上させるための絶縁層を設けることも好ましい。
【００３９】
（２）着色層
▲１▼構成
また、図９に示す着色層２１４は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組み合わせからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって不要部分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成する。ここで、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことになる。
【００４０】
▲２▼遮光膜
また、図９に示すように、画素毎に形成された着色層２１４の間の画素間領域に、ブラックマトリクス（黒色遮光膜、あるいはブラックマスクと称する場合もある。）２１４ＢＭが形成してあることが好ましい。
このようなブラックマトリクス２１４ＢＭとしては、例えば黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものや、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。
なお、図９に示すブラックマトリクス２１４ＢＭにおいては、加色法を利用して、Ｒ（赤）層１７、Ｇ（緑）層１６、Ｂ（青）層１５の三層構造としてある。このように構成することにより、カーボン等の黒色材料を使用しなくとも、優れた遮蔽効果を得ることができる。
【００４１】
▲３▼配列パターン
また、着色層の配列パターンとして、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００４２】
（３）透明電極
図９に示すように、平坦化層３１５の上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる透明電極２２２を形成することが好ましい。かかる透明電極２２２は、複数の透明電極２２２が並列したストライプ状に構成されていることが好ましい。
【００４３】
（４）配向膜
また、図９に示すように、透明電極２２２の上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜２１７が形成されていることが好ましい。
この理由は、このように配向膜２１７を設けることにより、カラーフィルタ基板２２０を液晶表示装置等に使用した場合に、液晶材料の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができるためである。
【００４４】
３．対向基板（第２の電気光学装置用基板）
（１）基本構造
また、図８および図９に示すように、カラーフィルタ基板２２０と対向するもう一方の対向基板（第２の電気光学装置用基板）２１０は、ガラス等からなる第２のガラス基板２１１上に、第１のガラス基板と同様の透明電極２１６や配向膜２２４を順次積層させたものであることが好ましい。
なお、このカラーフィルタ基板２２０の例では、着色層が第１のガラス基板２２１に設けてあるが、着色層を、かかる対向基板２１０の第２のガラス基板２１１上に設けることも好ましい。
【００４５】
（２）二端子型非線形素子
二端子型非線形素子としては、図１１および図１２に例示するように、ＴＦＤ素子３１、３２が典型的である。
そして、かかるＴＦＤ素子３１、３２は、素子第１電極としての第１金属膜２４、絶縁膜２３、および素子第２電極としての第２金属膜２２、２５からなるサンドイッチ構成を有することが好ましい。ここで、第１金属膜２４や第２金属膜２２、２５としては、タンタル（Ｔａ）を使用することが好ましい。また、絶縁膜２３としては、このような金属材料を陽極酸化させて構成してあることが好ましく、例えば、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）を使用することが好ましい。
そして、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、第１金属膜２４および第２金属膜２２、２５の両端子間に印加されると導通状態となるアクティブ素子である。
【００４６】
なお、二端子型非線形素子の配置方法に関して、図１１（ｃ）に示すように、二個のＴＦＤ素子３１、３２は、走査電極１９またはデータ電極２６と、画素電極２０との間に介在するように、ガラス基板２７上に形成され、反対のダイオード特性を有する第１のＴＦＤ素子３２および第２のＴＦＤ素子３１から構成してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、印加する電圧波形として、正負対称なパルス波形を使用することができ、液晶表示装置等における液晶材料の劣化を防止することができるためである。すなわち、液晶材料の劣化を防止するために、ダイオードスイッチング特性が、正負方向において対称的であることが望まれ、図１１（ｂ）に例示するように、二個のＴＦＤ素子３１、３２を逆向きに直列接続することにより、正負対称なパルス波形を使用することができるためである。
【００４７】
［第４実施形態］
本発明に係る第４実施形態としての電気光学装置を、電子機器における表示装置として用いた場合について具体的に説明する。
【００４８】
（１）電子機器の概要
図１３は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル２００と、これを制御するための制御手段１２００とを有している。また、図１３中では、液晶パネル２００を、パネル構造体２００Ａと、半導体ＩＣ等で構成される駆動回路２００Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段１２００は、表示情報出力源１２１０と、表示処理回路１２２０と、電源回路１２３０と、タイミングジェネレータ１２４０とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源１２１０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１２２０に供給するように構成されていることが好ましい。
【００４９】
また、表示情報処理回路１２２０は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２００Ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２００Ｂは、走査線駆動回路、データ線駆動回路および検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路１２３０は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
【００５０】
（２）他の電子機器
本発明に係る電気光学装置としての液晶表示装置を適用可能な電子機器としては、パーソナルコンピュータや携帯電話機が代表的であるが、そのほかにも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器などが挙げられる。
【００５１】
さらに、本発明の電気光学装置および電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
例えば、第３実施形態に示す液晶パネルは、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）を用いたアクティブマトリクス方式を採用しているが、図１４に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のアクティブマトリクス方式の電気光学装置にも適用することができ、あるいは、図１５に示すように、単純マトリックス方式の電気光学装置にも適用することができる。
また、第３実施形態に示す液晶パネルは、いわゆるＣＯＧタイプの構造を有しているが、ＩＣチップを直接実装する構造ではない液晶パネル、例えば液晶パネルにフレキシブル配線基板やＴＡＢ基板を接続するように構成されたものであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の電気配線構造を説明するために供する図である。
【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるシール材と、電気配線構造との関係を説明するために供する図である。
【図３】第１実施形態の電気光学装置用基板における別の電気配線構造を説明するために供する図である。
【図４】電気配線構造の製造方法を説明するために供する図である。
【図５】ＴＦＤの製造方法を説明するために供する図である（その１）。
【図６】ＴＦＤの製造方法を説明するために供する図である（その２）。
【図７】ＴＦＤの製造方法を説明するために供する図である（その３）。
【図８】第３実施形態に係る液晶パネルの外観を示す概略斜視図である。
【図９】第３実施形態のパネル構造を模式的に示す概略断面図である。
【図１０】ＴＦＤの電気配線を説明するために供する図である。
【図１１】ＴＦＤを説明するために供する図である（その１）。
【図１２】ＴＦＤを説明するために供する図である（その２）。
【図１３】本発明に係る電子機器の実施形態における構成ブロックを示す概略構成図である。
【図１４】ＴＦＴの電気配線を説明するために供する図である。
【図１５】単純マトリックスタイプの液晶パネルの外観を示す概略斜視図である。
【図１６】従来の液晶パネルにおける配線構造を説明するために供する図である。
【符号の説明】
１０：電気光学装置用基板、１２：第１の電気光学装置用基板、１３：第１のガラス基板、１４：第２の電気光学装置用基板、１８：ブラックマトリクス、１９：電気配線（走査電極）、２０：画素電極、２２：第１の素子第２電極、２３：絶縁膜、２４：素子第１電極、２５：第２の素子第２電極、２６：データ電極、２７：第２のガラス基板、３１：第１のＴＦＤ素子、３２：第２のＴＦＤ素子、１５０：露出部、１５１：傾斜部、１５２：クロム層、１５４：透明性無機酸化物層、１５６：酸化タンタル層、１５８：タンタル層、１６０：多層配線構造、１７０：シール材、２００：液晶パネル、２１０：対向基板、２１１：第２基板、２１２：反射層、２１２ａ：開口部、２１２ｒ：反射部、２１４：着色層、２１５ａ：開口部、２１６：透明電極、２２０：カラーフィルタ基板、２２１：第１基板、２２２：透明電極、３１５：平坦化層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electric wiring structure for electrically connecting a corrosion-resistant metal wiring and a non-corrosion-resistant metal wiring, a method for manufacturing the electric wiring structure, a substrate for an optical device provided with the electric wiring structure, and an electro-optical device, The present invention also relates to a method for manufacturing an electro-optical device.
In particular, an electrical wiring structure that can be simultaneously formed by using a process of forming a two-terminal type non-linear element (thin film diode) having a specific structure including corrosion-resistant metal wiring and non-corrosion-resistant metal wiring. The present invention relates to a manufacturing method, a substrate for an optical device provided with an electric wiring structure, an electro-optical device, and a manufacturing method of the electro-optical device.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a liquid crystal display device is configured by injecting a liquid crystal material between a pair of electro-optical device substrates including a first electro-optical device substrate and a second electro-optical device substrate facing each other. ing.
Here, when the liquid crystal display device is of an active matrix type, as illustrated in FIG. 16, a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix on the second electro-optical device substrate, Each of these pixel electrodes is provided with a nonlinear element (switching element), for example, a thin film diode (TFD element), and a counter electrode is provided on the first electro-optical device substrate. Then, by applying a voltage equal to or higher than the threshold value to the thin film diode as the non-linear element to make the non-linear element conductive, and further applying a voltage between the non-linear element and the counter electrode A predetermined image display is performed by controlling the orientation of the liquid crystal material (see, for example, Patent Document 1).
Further, in the case of the liquid crystal display device disclosed in Patent Document 1, external wiring that becomes a driver IC mounting terminal portion located outside the sealing material, internal wiring located inside the sealing material, external wiring, A bypass portion extending from the inside to the outside of the sealing material for electrically connecting the internal wiring is provided, and the bypass portion is made of a corrosion-resistant material such as tantalum or ITO.
[0003]
[Patent Document 1]
JP 2001-75118 A (Page 3, FIG. 1)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the case of the liquid crystal display device disclosed in Patent Document 1, by providing a bypass portion made of a corrosion-resistant material such as tantalum or ITO, and electrically connecting the chromium wiring as the internal wiring on the tantalum wiring as the external wiring, There have been problems that the connection resistance is large, the power consumption in the liquid crystal display device is large, the resistance variation is large, and the display is uneven.
Therefore, the present invention solves the above-described problems, utilizing a process of forming a two-terminal nonlinear element (thin film diode) having a specific structure including a corrosion-resistant metal wiring and a non-corrosion-resistant metal wiring, Electrical wiring that provides excellent low resistance and corrosion resistance even when electrically connecting a corrosion resistant metal wiring having an oxide layer of a corrosion resistant metal such as tantalum and a non-corrosion resistant metal wiring such as chromium It is an object of the present invention to provide a structure, a method for manufacturing an electric wiring structure, an optical device substrate including the electric wiring structure, an electro-optical device, and a method for manufacturing the electro-optical device.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, there is provided an electrical wiring structure for electrically connecting a corrosion-resistant metal wiring and a non-corrosion-resistant metal wiring, the oxide layer of the corrosion-resistant metal and the non-corrosion-resistant metal on the corrosion-resistant metal wiring. The wiring is formed in sequence, and an exposed portion from which the corrosion-resistant metal oxide layer is removed is formed on the corrosion-resistant metal wiring, and a conductive inorganic oxide film is further formed over the non-corrosion-resistant metal wiring and the exposed portion. By forming, an electrical wiring structure characterized by electrically connecting the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion of the corrosion resistant metal wiring is provided, and the above-described problems can be solved.
That is, since the corrosion-resistant metal wiring and the non-corrosion-resistant metal wiring can be reliably electrically connected, an electrical wiring structure excellent in low resistance and corrosion resistance desirable for an optical device substrate or the like is easily provided. be able to. In addition, with such a configuration, a step of forming a two-terminal nonlinear element having a specific structure including a corrosion-resistant metal wiring and a non-corrosion-resistant metal wiring, and a step of forming an image display unit subsequent thereto are used. Can be formed at the same time.
[0006]
In configuring the electrical wiring structure of the present invention, it is preferable to partially remove the corrosion-resistant metal oxide layer to form an exposed portion.
By comprising in this way, the balance of the corrosion resistance of a non-corrosion-resistant metal wiring and the fall of connection resistance can be made further favorable.
[0007]
In configuring the electric wiring structure of the present invention, it is preferable to provide an inclined portion at the end of the non-corrosion resistant metal wiring.
By comprising in this way, disconnection of the conductive inorganic oxide film in the level | step-difference part of a non-corrosion-resistant metal wiring can be prevented, and the mechanical joining force in a joining location can further be raised.
[0008]
In configuring the electrical wiring structure of the present invention, it is preferable that the corrosion-resistant metal is tantalum and the non-corrosion-resistant metal is chromium.
With this configuration, the balance between the corrosion resistance of the wiring structure and the reduction in connection resistance can be further improved.
[0009]
Another aspect of the present invention is a method for manufacturing an electrical wiring structure for electrically connecting a corrosion-resistant metal wiring and a non-corrosion-resistant metal wiring, wherein the corrosion-resistant metal wiring is formed on a substrate. After that, a step of forming a corrosion-resistant metal oxide layer on the surface, a step of forming a non-corrosion-resistant metal wiring so as to overlap a part of the corrosion-resistant metal oxide layer, and a non-corrosion-resistant metal wiring are formed. A step of forming an exposed portion by removing an oxide layer other than the exposed portion, and a step of forming a conductive inorganic oxide film over the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion. The manufacturing method of the electrical wiring structure.
That is, by carrying out in this way, it is possible to easily provide an electrical wiring structure excellent in low resistance and corrosion resistance. In addition, in such a manufacturing method, a step of forming a two-terminal nonlinear element having a specific structure including a corrosion-resistant metal wiring and a non-corrosion-resistant metal wiring, and a step of forming an image display unit subsequent thereto are used. Can be formed at the same time.
[0010]
Another aspect of the present invention is a pair of electro-optical device substrates that are used opposite to the electro-optical device and includes a first electro-optical device substrate and a second electro-optical device substrate, The first electro-optical device substrate includes a first glass substrate as a substrate and electric wiring provided thereon, and the second electro-optical device substrate is a second substrate as a counter substrate. A glass substrate, and a first electrode, an insulating film, and an element second electrode constituting a two-terminal nonlinear element, and the second electro-optical device substrate is formed on the second glass substrate. An electrical wiring structure for electrically connecting the corrosion-resistant metal wiring and the non-corrosion-resistant metal wiring electrically connected to the element first electrode and the element second electrode is provided, and the corrosion-resistant metal wiring is provided on the corrosion-resistant metal wiring. Metal oxide layer and non-corrosion resistant metal wiring By forming an exposed portion from which the corrosion-resistant metal oxide layer has been removed on the corrosion-resistant metal wiring, and further forming a conductive inorganic oxide film over the non-corrosion-resistant metal wiring and the exposed portion, An electro-optical device substrate comprising an electrical wiring structure in which a non-corrosion resistant metal wiring and an exposed portion of the corrosion-resistant metal wiring are electrically connected.
That is, with this configuration, it is possible to easily provide a substrate for an electro-optical device having an electric wiring structure that is excellent in low resistance and corrosion resistance. Further, with such an electrical wiring structure, a step of forming a two-terminal nonlinear element having a specific structure including a corrosion-resistant metal wiring and a non-corrosion-resistant metal wiring, and a step of forming an image display unit subsequent thereto Can be formed at the same time.
[0011]
According to another aspect of the present invention, a pair of electro-optical device substrates including a first electro-optical device substrate and a second electro-optical device substrate facing each other, and an electro-optical material between them. An optical device, wherein the first electro-optical device substrate includes a first glass substrate as a substrate and electric wiring provided thereon, and the second electro-optical device substrate is opposed to the first glass substrate. A second glass substrate as a substrate; an element first electrode that constitutes a two-terminal nonlinear element; an insulating film; and an element second electrode. The second substrate for an electro-optical device includes: An electrical wiring structure including a corrosion-resistant metal wiring formed on a glass substrate and a non-corrosion-resistant metal wiring electrically connected to the element first electrode and the element second electrode is provided. On the corrosion-resistant metal wiring, Sequentially form oxide layer and non-corrosion resistant metal wiring of the corrosion resistant metal By forming an exposed portion from which the corrosion-resistant metal oxide layer has been removed on the corrosion-resistant metal wiring, and further forming a conductive inorganic oxide film over the non-corrosion-resistant metal wiring and the exposed portion, An electro-optical device comprising an electrical wiring structure in which a non-corrosion resistant metal wiring and an exposed portion of the corrosion-resistant metal wiring are electrically connected.
That is, with this configuration, it is possible to easily provide an electro-optical device using an electro-optical device substrate having an electric wiring structure excellent in low resistance and corrosion resistance. Further, with such an electrical wiring structure, a step of forming a two-terminal nonlinear element having a specific structure including a corrosion-resistant metal wiring and a non-corrosion-resistant metal wiring, and a step of forming an image display unit subsequent thereto Can be formed at the same time.
[0012]
Further, in configuring the electro-optical device of the present invention, a seal portion that separates the image display portion of the electro-optical device from the mounting terminal portion is provided, and a non-corrosion resistant metal wiring joint is provided inside the seal portion. Is preferably provided.
That is, by disposing the non-corrosion resistant metal wiring inside the seal portion of the electro-optical device desired for relatively environmental conditions, and disposing the corrosion resistant metal and the conductive inorganic oxide film outside the severe seal of the environment, An electro-optical device having further excellent corrosion resistance can be easily provided.
[0013]
According to another aspect of the present invention, a pair of electro-optical device substrates including a first electro-optical device substrate and a second electro-optical device substrate facing each other, and an electro-optical material between them. A method for manufacturing an optical device, wherein the first substrate for an electro-optical device includes a first glass substrate as a substrate, a colored layer, a black matrix as a light-shielding layer, and an electrical wiring provided thereon The second electro-optical device substrate includes a second glass substrate as a counter substrate, an element first electrode that constitutes a two-terminal nonlinear element, an insulating film, and an element second electrode. The second electro-optical device substrate electrically connects the corrosion-resistant metal wiring formed on the second glass substrate and the non-corrosion-resistant metal wiring electrically connected to the element first electrode and the element second electrode. Equipped with electrical wiring structure for connection, corrosion resistance A corrosion-resistant metal oxide layer and a non-corrosion-resistant metal wiring are sequentially formed on the metal wiring, and an exposed portion from which the corrosion-resistant metal oxide layer is removed is formed on the corrosion-resistant metal wiring. And forming an electrical wiring structure formed by electrically connecting the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion of the corrosion-resistant metal wiring by further forming a conductive inorganic oxide film over the exposed portion. This is a feature of a method for manufacturing an electro-optical device.
That is, by carrying out in this way, it is possible to efficiently provide an electro-optical device having an electric wiring structure excellent in low resistance and corrosion resistance. In addition, with such a manufacturing method, a wiring structure having excellent corrosion resistance is formed at the same time by using a process of forming a two-terminal nonlinear element having a specific structure including corrosion-resistant metal wiring and non-corrosion-resistant metal wiring. Is possible.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, with reference to the drawings, embodiments of the electric wiring structure, the manufacturing method thereof, the substrate for the electro-optical device provided with the electric wiring structure, the electro-optical device, and the manufacturing method of the electro-optical device will be specifically described. explain.
However, this embodiment shows one aspect of the present invention and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the present invention.
[0015]
[First Embodiment]
In the first embodiment, as illustrated in FIGS. 1A to 1B, a corrosion-resistant metal oxide layer 156 and a non-corrosion-resistant metal wiring 152 are sequentially formed on the corrosion-resistant metal wiring 158. An exposed portion 150 from which the corrosion-resistant metal oxide layer 156 is removed is formed on the corrosion-resistant metal wiring 158, and a conductive inorganic oxide film 154 is further formed on the non-corrosive metal wiring 152 and the exposed portion 150. The electrical wiring structure 100 is formed by electrically connecting the non-corrosion resistant metal wiring 152 and the exposed portion 150 of the corrosion resistant metal wiring.
In the description of this embodiment, tantalum is used as an example of a corrosion-resistant metal, and chromium is used as an example of a non-corrosion-resistant metal. Needless to say, other corrosion-resistant metals and non-corrosion-resistant metals may be used. Depending on the use of the electric wiring structure, etc., it can be used as appropriate.
[0016]
1. Tantalum wiring
(1) Kind
The type of tantalum wiring is not particularly limited as long as it is mainly composed of tantalum. For example, tantalum composed of tantalum alone or tantalum and molybdenum, chromium, tungsten, titanium, or the like. An alloy is mentioned.
In addition to tantalum, it is also preferable to use tungsten or the like alone or as an alloy as a corrosion-resistant metal.
[0017]
(2) Line width
The line width of the tantalum wiring is preferably set to a value within the range of 2 to 300 μm.
This is because, when the line width of the tantalum wiring is less than 2 μm, it becomes difficult to join the chromium wiring and the connection resistance may increase. On the other hand, if the line width of the tantalum wiring exceeds 300 μm, it may be difficult to route the wiring on the electro-optical device substrate, and it may be difficult to narrow the pitch.
Therefore, the line width of the tantalum wiring is more preferably set to a value within the range of 5 to 100 μm, and further preferably set to a value within the range of 10 to 50 μm.
[0018]
(3) Thickness
Further, it is preferable that the thickness of the tantalum wiring is set to a value within a range of 0.01 to 1 μm.
The reason for this is that when the thickness of the tantalum wiring is less than 0.01 μm, the value of the thin film resistance increases, or the connection with the chrome wiring becomes difficult and the connection resistance increases. Because there is. On the other hand, if the thickness of the tantalum wiring exceeds 1 μm, it may be difficult to route the wiring on the electro-optical device substrate or to etch accurately.
Therefore, the thickness of the tantalum wiring is more preferably set to a value within the range of 0.05 to 0.3 μm, and further preferably set to a value within the range of 0.05 to 0.15 μm.
[0019]
(4) Relationship with sealing material
Further, the tantalum wiring is more excellent in corrosion resistance than the chromium wiring. Therefore, for example, as shown in FIG. 2, chrome wiring 152 is adopted for the internal wiring (A part) of the sealing material 170 provided in the electro-optical device, and the external wiring (B part) of the sealing material 170 having a severe corrosion environment. It is preferable to arrange a tantalum wiring 158 excellent in corrosion resistance or a tantalum wiring 158 covered with a conductive inorganic oxide film 154.
[0020]
2. Chrome wiring
(1) Kind
The type of the chrome wiring is not particularly limited as long as it is mainly composed of chrome. For example, a chromium alloy composed of chrome alone or chromium and molybdenum, tantalum, titanium, or the like is used. Can be mentioned.
In addition to chromium, it is also preferable to use aluminum, molybdenum, titanium, or the like alone or as an alloy as the non-corrosion resistant metal.
[0021]
(2) Line width
The line width of the chrome wiring is preferably set to a value within the range of 2 to 300 μm.
This is because, when the line width of the chrome wiring is less than 2 μm, it is difficult to join the tantalum wiring and the connection resistance may increase. On the other hand, if the line width of the chrome wiring exceeds 300 μm, it may be difficult to route the wiring on the electro-optical device substrate or to narrow the pitch.
Therefore, the line width of the chrome wiring is more preferably set to a value within the range of 5 to 100 μm, and further preferably set to a value within the range of 10 to 50 μm.
[0022]
(3) Thickness
The thickness of the chrome wiring is preferably set to a value within the range of 0.01 to 1 μm.
This is because, when the thickness of the chromium wiring becomes less than 0.01 μm, it becomes difficult to join with the tantalum wiring, and the connection resistance may increase. On the other hand, if the thickness of the chrome wiring exceeds 1 μm, it may be difficult to route the wiring on the electro-optical device substrate or to etch accurately.
Therefore, the thickness of the chrome wiring is more preferably set to a value within the range of 0.03 to 0.5 μm, and further preferably set to a value within the range of 0.1 to 0.3 μm.
[0023]
(4) Shape
Further, as shown in FIGS. 3A to 3B, it is preferable to provide an inclined portion 151 on the side surface of the chromium wiring 152. In that case, it is preferable that the angle of the inclined portion with respect to the horizontal plane is set to a value within a range of 30 to 85 °.
This is because when the angle of the inclined portion is less than 30 °, it may be difficult to form with high accuracy. On the other hand, when the angle of the inclined portion of the inclined portion exceeds 85 °, it becomes difficult to bond with the tantalum wiring via the transparent inorganic oxide layer, and the connection resistance may increase.
Therefore, the angle of the inclined portion provided on the side surface of the chrome wiring is more preferably set to a value within the range of 40 to 85 °, and further preferably set to a value within the range of 60 to 80 °.
[0024]
(5) Relationship with sealing material
Further, the chromium wiring has a low resistance although it is slightly inferior to the corrosion resistance compared to the tantalum wiring. Therefore, for example, as shown in FIG. 2, a low-resistance chrome wiring 152 is used for the internal wiring (A part) of the sealing material 170 provided in the electro-optical device, and the external wiring of the sealing material 170 having a severe corrosion environment. It is preferable to arrange a tantalum wiring 158 excellent in corrosion resistance or a tantalum wiring 158 covered with a conductive inorganic oxide film 154 in (B part).
[0025]
3. Transparent inorganic oxide layer
(1) Kind
Specific examples of the conductive inorganic oxide film formed over the chromium wiring and the exposed portion include polycrystalline indium tin oxide, amorphous indium tin oxide, amorphous indium zinc oxide, and amorphous indium germanium. One kind alone or a combination of two or more kinds of oxides can be mentioned.
[0026]
(2) Thickness
Moreover, it is preferable to make the thickness of a transparent inorganic oxide layer into the value within the range of 0.01-0.3 micrometer.
This is because, if the thickness of the transparent inorganic oxide layer is less than 0.01 μm, the thin film resistance may be excessively increased even when the transparent inorganic oxide layer is coated. On the other hand, if the thickness of the transparent inorganic oxide layer exceeds 0.3 μm, it may be difficult to route the wiring on the electro-optical device substrate, or it may be difficult to accurately etch. Because there is.
[0027]
[Second Embodiment]
2nd Embodiment is a manufacturing method of the electrical wiring structure for electrically connecting a corrosion-resistant metal wiring and a non-corrosion-resistant metal wiring, Comprising: The following processes (A)-(D) are included. The manufacturing method of the electrical wiring structure.
(A) After forming a corrosion-resistant metal wiring on a base material, a step of forming an oxide layer of the corrosion-resistant metal on the surface (hereinafter sometimes referred to as a tantalum wiring forming step).
(B) A step of forming a non-corrosion resistant metal wiring so as to overlap a part of the oxide layer of the corrosion resistant metal (hereinafter sometimes referred to as a chromium wiring forming step).
(C) A step of removing the oxide layer of the corrosion-resistant metal other than the portion where the non-corrosion-resistant metal wiring is formed to form an exposed portion (hereinafter, sometimes referred to as an exposed portion forming step).
(D) A step of forming a conductive inorganic oxide film over the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion (hereinafter sometimes referred to as a conductive inorganic oxide film forming step).
In this embodiment, tantalum is used as the corrosion-resistant metal and chromium is used as the non-corrosion-resistant metal. However, other materials can also be used suitably.
[0028]
1. (A) Tantalum wiring formation process
As shown in FIG. 4A, the method of forming the tantalum wiring 158 having a predetermined shape on the prepared electrical insulating substrate 211 is not particularly limited. For example, as shown in FIG. In addition, it is preferable to form a tantalum layer entirely by a vapor deposition method, a sputtering method, or a laminating method, and then to form the tantalum layer using a photolithography method.
Next, as shown in FIG. 4B, the tantalum oxide layer 156 can be formed by oxidizing the surface of the tantalum wiring 158. By forming the tantalum oxide layer in this manner, predetermined electrical insulation can be obtained, and adhesion with a chromium wiring to be formed later can be improved.
In forming the tantalum wiring of a predetermined shape on the electrically insulating substrate, as shown in FIGS. 5 (a) to 6 (b), the first element and the first element constituting the TFD are simplified for the manufacturing process. It is more preferable to form the tantalum wiring simultaneously with the formation of the two-element tantalum electrode.
Similarly, in forming the tantalum oxide layer on the tantalum wiring having a predetermined shape, the tantalum oxide of the first element and the second element constituting the TFD as shown in FIG. It is more preferable to form the tantalum oxide layer by thermal oxidation at the same time when the layer is formed by anodic oxidation or at the same time as the heat treatment of the anodic oxide film after anodic oxidation.
[0029]
2. (B) Chrome wiring formation process
As shown in FIG. 4C, in forming the chromium wiring 152, it is preferable to form by combining the vapor deposition method, the sputtering method, and the photolithography method.
In addition, when forming a chromium wiring of a predetermined shape at a predetermined location on the electrical insulating substrate, as shown in FIG. 7A, the first element and the second element constituting the TFD are simplified for the manufacturing process. More preferably, the chromium wiring is formed simultaneously with the formation of the chromium electrode.
[0030]
3. (C) Exposed portion forming step
Next, as shown in FIG. 4D, in removing the tantalum oxide layer 156 and forming the exposed portion 150 on the tantalum wiring 159, dry etching, for example, SF ₆ And O ₂ It is preferable to use a mixed gas with plasma.
[0031]
4). (D) Conductive inorganic oxide film forming step
Next, as shown in FIG. 4E, it is preferable to use a vapor deposition method, a sputtering method, or the like to form the conductive inorganic oxide film 154 across the chromium wiring 152 and the exposed portion 150.
In forming the conductive inorganic oxide film, the pixel electrode is formed after forming the chromium electrodes of the first element and the second element constituting the TFD as shown in FIG. It is more preferable to form the conductive inorganic oxide film simultaneously with the formation of the conductive inorganic oxide film.
[0032]
[Third Embodiment]
According to the third embodiment, a pair of electro-optical device substrates including a first electro-optical device substrate and a second electro-optical device substrate and an electro-optical device using the same are used opposite to the electro-optical device. Because
The first substrate for an electro-optical device includes a first glass substrate as a substrate and electrical wiring provided thereon,
The second substrate for an electro-optical device includes a second glass substrate as a counter substrate, an element first electrode that constitutes a two-terminal nonlinear element, an insulating film, and an element second electrode. The electro-optical device substrate includes an electrical wiring structure for electrically connecting a tantalum wiring formed on the second glass substrate and a chromium wiring electrically connected to the element first electrode and the element second electrode. And
The electrical wiring structure sequentially forms the corrosion-resistant metal oxide layer and the non-corrosion-resistant metal wiring on the corrosion-resistant metal wiring, and forms an exposed portion from which the corrosion-resistant metal oxide layer is removed on the corrosion-resistant metal wiring. In addition, by further forming a conductive inorganic oxide film on the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion, the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion of the corrosion-resistant metal wiring are electrically connected. A characteristic substrate for an electro-optical device and an electro-optical device using the same.
Hereinafter, a color filter substrate (first electro-optical device substrate), a counter substrate (second electro-optical device substrate) including two two-terminal nonlinear elements, and a liquid crystal panel using them are taken as examples. I will explain.
[0033]
1. Basic structure of LCD panel
First, with reference to FIGS. 8 to 12, a basic structure of an electro-optical device using the substrate for an electro-optical device according to the first embodiment of the present invention, that is, a cell structure and wiring, or a retardation plate and a polarizing plate. This will be specifically described. 8 is a schematic perspective view showing the appearance of the liquid crystal panel 200 constituting the electro-optical device according to the present invention, FIG. 9 is a schematic schematic cross-sectional view of the liquid crystal panel 200, and FIG. FIG. 11 and FIG. 12 are diagrams for explaining the configuration of a TFD (Thin Film Diode) as a two-terminal nonlinear element, respectively.
Further, the liquid crystal panel 200 constituting the electro-optical device shown in FIG. 8 is a liquid crystal panel 200 having an active matrix type structure using TFD, and an illumination device such as a backlight or a front light and a case body (not shown). Etc. are preferably attached as needed.
[0034]
(1) Cell structure
As shown in FIG. 8, a liquid crystal panel 200 includes a color filter substrate having a transparent first glass substrate 221 (corresponding to the first glass substrate 13 in FIG. 11) made of a glass plate, a synthetic resin plate, or the like as a base. 220 (sometimes referred to as a first electro-optical device substrate) and a second glass substrate 211 (corresponding to the second glass substrate 27 in FIG. 11) disposed opposite thereto. It is preferable that the substrate 210 (sometimes referred to as a second electro-optical device substrate) be bonded to the substrate 210 via a sealing material 230 such as an adhesive. Then, after the liquid crystal material 232 is injected into the space formed by the color filter substrate 220 and the counter substrate 210 into the inner portion of the sealing material 230 through the opening 230a, the sealing material 231 It is preferable to have a sealed cell structure.
That is, as shown in FIG. 9, it is preferable that a liquid crystal material 232 is filled between the color filter substrate 220 and the counter substrate 210.
[0035]
(2) Wiring
(1) Matrix
As illustrated in FIG. 8, a matrix-like transparent electrode 216 and a wiring 218 </ b> A are formed on the inner surface of the second glass substrate 211 (the surface facing the first glass substrate 221), and the first glass substrate 221 is formed. On the inner surface, it is preferable to form a plurality of striped transparent electrodes 222 arranged in parallel in a direction orthogonal to the transparent electrode 218A. In addition, it is preferable that the transparent electrode 216 is conductively connected to the wiring 218 </ b> A via the nonlinear element 271 and the other transparent electrode 222 is conductively connected to the wiring 228.
A transparent electrode 216 connected to the wiring 218A orthogonal to the transparent electrode 222 via the TFD element 271 constitutes a large number of pixels, and the array of the large number of pixels as a whole is a liquid crystal display region. A will be constructed.
FIG. 10 shows a specific electrical configuration example of the active matrix wiring using the driver IC and the TFD element. That is, it is composed of a plurality of data electrodes 26 extending in the Y direction and a plurality of scanning electrodes 19 extending in the X direction, and a pixel 50 is configured at each intersection. In each pixel 50, a liquid crystal display element 51 and a TFD element 31 are connected in series.
[0036]
(2) Input terminal section
Further, as shown in FIG. 8, the second glass substrate 211 has a substrate overhanging portion 210T that protrudes outward from the outer shape of the first glass substrate 221, and on the substrate overhanging portion 210T, The wiring 228 is conductively connected to the wiring 228 through a vertical conduction portion constituted by a part of the sealant 230, and the input terminal portion 219 including a plurality of wiring patterns formed independently is formed. It is preferable that Further, it is preferable that a semiconductor IC 261 incorporating a liquid crystal driving circuit or the like is mounted on the substrate extension portion 210T so as to be conductively connected to the wirings 218A and 218B and the input terminal portion 219.
Furthermore, it is preferable that a flexible wiring substrate 263 is mounted on the end portion of the substrate extension portion 210T so as to be conductively connected to the input terminal portion 219.
[0037]
(3) Retardation plate and polarizing plate
In the liquid crystal panel 200 shown in FIG. 8, as shown in FIG. 9, a phase difference plate (¼ wavelength plate) 250 and so that a clear image display can be recognized at a predetermined position of the first glass substrate 221. A polarizing plate 251 is preferably disposed.
And also on the outer surface of the 2nd glass substrate 211, it is preferable that the phase difference plate (1/4 wavelength plate) 240 and the polarizing plate 241 are arrange | positioned.
[0038]
2. Color filter substrate (first electro-optical device substrate)
(1) Basic configuration
As shown in FIG. 9, the color filter substrate 220 is basically preferably composed of a glass substrate 221, a colored layer 214, a transparent electrode 222, and an alignment film 217.
In the case where the color filter substrate 220 needs a reflection function, for example, in a reflective transflective liquid crystal display device used for a mobile phone or the like, a gap between the glass substrate 221 and the colored layer 214 is shown in FIG. As shown, it is preferable to provide the reflective layer 212.
Furthermore, in the color filter substrate 220, as shown in FIG. 9, it is also preferable to provide a planarizing layer 315 for planarizing the surface and an insulating layer for improving electrical insulation.
[0039]
(2) Colored layer
(1) Configuration
In addition, the colored layer 214 shown in FIG. 9 is usually configured to exhibit a predetermined color tone by dispersing a coloring material such as a pigment or a dye in a transparent resin. An example of the color tone of the colored layer is a primary color filter composed of a combination of three colors of R (red), G (green), and B (blue), but is not limited to this. ), M (magenta), C (cyan), and other various color tones.
Usually, a colored resist made of a photosensitive resin containing a coloring material such as a pigment or a dye is applied on the surface of the substrate, and unnecessary portions are removed by a photolithography method, thereby forming a colored layer having a predetermined color pattern. Here, when forming a colored layer of a plurality of tones, the above steps are repeated.
[0040]
(2) Shading film
In addition, as shown in FIG. 9, a black matrix (also referred to as a black light shielding film or a black mask) 214BM is formed in an inter-pixel region between the colored layers 214 formed for each pixel. Is preferred.
As such a black matrix 214BM, for example, a colorant such as a black pigment or dye dispersed in a resin or other base material, or three colors of R (red), G (green), and B (blue) A material obtained by dispersing the above coloring material in a resin or other base material can be used.
Note that the black matrix 214BM shown in FIG. 9 has a three-layer structure of an R (red) layer 17, a G (green) layer 16, and a B (blue) layer 15 using an additive color method. By comprising in this way, the outstanding shielding effect can be acquired even if it does not use black materials, such as carbon.
[0041]
(3) Array pattern
In addition, a stripe arrangement is often used as the arrangement pattern of the colored layers. In addition to this stripe arrangement, various pattern shapes such as an oblique mosaic arrangement and a delta arrangement can be adopted.
[0042]
(3) Transparent electrode
As shown in FIG. 9, it is preferable to form a transparent electrode 222 made of a transparent conductor such as ITO (indium tin oxide) on the planarizing layer 315. The transparent electrode 222 is preferably configured in a stripe shape in which a plurality of transparent electrodes 222 are arranged in parallel.
[0043]
(4) Alignment film
In addition, as shown in FIG. 9, an alignment film 217 made of polyimide resin or the like is preferably formed on the transparent electrode 222.
This is because by providing the alignment film 217 in this way, when the color filter substrate 220 is used in a liquid crystal display device or the like, the alignment drive of the liquid crystal material can be easily performed by applying a voltage.
[0044]
3. Counter substrate (second electro-optical device substrate)
(1) Basic structure
Further, as shown in FIGS. 8 and 9, another counter substrate (second electro-optical device substrate) 210 facing the color filter substrate 220 is formed on a second glass substrate 211 made of glass or the like. It is preferable that a transparent electrode 216 and an alignment film 224 similar to those of the first glass substrate are sequentially laminated.
In the example of the color filter substrate 220, the colored layer is provided on the first glass substrate 221, but it is also preferable that the colored layer is provided on the second glass substrate 211 of the counter substrate 210.
[0045]
(2) Two-terminal nonlinear element
As the two-terminal nonlinear element, TFD elements 31 and 32 are typical as illustrated in FIGS. 11 and 12.
The TFD elements 31 and 32 preferably have a sandwich structure including the first metal film 24 as the element first electrode, the insulating film 23, and the second metal films 22 and 25 as the element second electrodes. Here, as the first metal film 24 and the second metal films 22 and 25, it is preferable to use tantalum (Ta). The insulating film 23 is preferably formed by anodizing such a metal material. For example, tantalum oxide (Ta ₂ O _Five ) Is preferably used.
The active element exhibits diode switching characteristics in positive and negative directions, and becomes conductive when a voltage equal to or higher than a threshold value is applied between both terminals of the first metal film 24 and the second metal films 22 and 25.
[0046]
As for the arrangement method of the two-terminal nonlinear element, as shown in FIG. 11C, the two TFD elements 31 and 32 are interposed between the scanning electrode 19 or the data electrode 26 and the pixel electrode 20. As described above, the first TFD element 32 and the second TFD element 31 which are formed on the glass substrate 27 and have opposite diode characteristics are preferable.
The reason for this is that with this configuration, a positive / negative symmetrical pulse waveform can be used as the voltage waveform to be applied, and deterioration of the liquid crystal material in a liquid crystal display device or the like can be prevented. That is, in order to prevent the deterioration of the liquid crystal material, it is desired that the diode switching characteristics be symmetrical in the positive and negative directions, and the two TFD elements 31 and 32 are reversed as illustrated in FIG. This is because a positive and negative symmetric pulse waveform can be used by connecting in series in the direction.
[0047]
[Fourth Embodiment]
The case where the electro-optical device according to the fourth embodiment of the present invention is used as a display device in an electronic apparatus will be specifically described.
[0048]
(1) Overview of electronic equipment
FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing the overall configuration of the electronic apparatus of the present embodiment. This electronic apparatus includes a liquid crystal panel 200 and a control unit 1200 for controlling the liquid crystal panel 200. In FIG. 13, the liquid crystal panel 200 is conceptually divided into a panel structure 200A and a drive circuit 200B composed of a semiconductor IC or the like. The control unit 1200 preferably includes a display information output source 1210, a display processing circuit 1220, a power supply circuit 1230, and a timing generator 1240.
The display information output source 1210 includes a memory such as a ROM (Read Only Memory) or a RAM (Random Access Memory), a storage unit such as a magnetic recording disk or an optical recording disk, and a tuning unit that tunes and outputs digital image signals. It is preferable that the display information is supplied to the display information processing circuit 1220 in the form of an image signal of a predetermined format based on various clock signals generated by the timing generator 1240.
[0049]
The display information processing circuit 1220 includes various known circuits such as a serial-parallel conversion circuit, an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit, and executes processing of input display information. It is preferable to supply the image information to the driving circuit 200B together with the clock signal CLK. Further, the driving circuit 200B preferably includes a scanning line driving circuit, a data line driving circuit, and an inspection circuit. The power supply circuit 1230 has a function of supplying a predetermined voltage to each of the above-described components.
[0050]
(2) Other electronic devices
Representative examples of electronic devices to which the liquid crystal display device as the electro-optical device according to the present invention can be applied include personal computers and cellular phones. In addition, liquid crystal televisions, viewfinder type and monitor direct view type video tapes are also available. Examples include a recorder, a car navigation device, a pager, an electrophoresis device, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation, a video phone, a POS terminal, and an electronic device equipped with a touch panel.
[0051]
Furthermore, the electro-optical device and the electronic apparatus of the present invention are not limited to the above-described illustrated examples, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
For example, the liquid crystal panel shown in the third embodiment employs an active matrix system using a TFD (thin film diode). However, as shown in FIG. 14, an active matrix system electro-optic device using a TFT (thin film transistor) is used. Can also be applied, or can be applied to a simple matrix type electro-optical device as shown in FIG.
The liquid crystal panel shown in the third embodiment has a so-called COG type structure, but is not a structure in which an IC chip is directly mounted, for example, a flexible wiring board or a TAB board is connected to the liquid crystal panel. It may be configured as follows.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram for explaining an electrical wiring structure according to a first embodiment.
FIG. 2 is a diagram for explaining a relationship between a sealing material and an electrical wiring structure in the electro-optical device according to the first embodiment.
FIG. 3 is a diagram for explaining another electrical wiring structure in the electro-optical device substrate according to the first embodiment;
FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing an electrical wiring structure.
FIG. 5 is a diagram for explaining a method for producing a TFD (part 1);
FIG. 6 is a drawing for explaining the method for producing TFD (No. 2).
FIG. 7 is a drawing for explaining the method for producing TFD (No. 3).
FIG. 8 is a schematic perspective view showing an appearance of a liquid crystal panel according to a third embodiment.
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view schematically showing a panel structure of a third embodiment.
FIG. 10 is a diagram for explaining electrical wiring of a TFD.
FIG. 11 is a diagram for explaining TFD (part 1);
FIG. 12 is a diagram for explaining TFD (part 2);
FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing a configuration block in an embodiment of an electronic apparatus according to the invention.
FIG. 14 is a diagram for explaining electric wiring of a TFT.
FIG. 15 is a schematic perspective view showing the appearance of a simple matrix type liquid crystal panel.
FIG. 16 is a diagram for explaining a wiring structure in a conventional liquid crystal panel.
[Explanation of symbols]
10: Electro-optical device substrate, 12: First electro-optical device substrate, 13: First glass substrate, 14: Second electro-optical device substrate, 18: Black matrix, 19: Electric wiring (scanning electrode) ), 20: pixel electrode, 22: first element second electrode, 23: insulating film, 24: element first electrode, 25: second element second electrode, 26: data electrode, 27: second glass. Substrate, 31: first TFD element, 32: second TFD element, 150: exposed part, 151: inclined part, 152: chromium layer, 154: transparent inorganic oxide layer, 156: tantalum oxide layer, 158: Tantalum layer, 160: multilayer wiring structure, 170: sealing material, 200: liquid crystal panel, 210: counter substrate, 211: second substrate, 212: reflection layer, 212a: opening, 212r: reflection portion, 214: colored layer, 215a: opening, 2 6: transparent electrode, 220: Color filter substrate, 221: first substrate, 222: transparent electrode, 315: planarizing layer

Claims

In the electrical wiring structure for electrically connecting the corrosion-resistant metal wiring and the non-corrosion-resistant metal wiring,
On the corrosion-resistant metal wiring, the corrosion-resistant metal oxide layer and the non-corrosion-resistant metal wiring are sequentially formed, and on the corrosion-resistant metal wiring, an exposed portion is formed by removing the corrosion-resistant metal oxide layer. A conductive inorganic oxide film is further formed over the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion to electrically connect the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion of the corrosion-resistant metal wiring. Electrical wiring structure.

2. The electrical wiring structure according to claim 1, wherein the exposed portion is formed by partially removing the oxide layer of the corrosion-resistant metal.

The electrical wiring structure according to claim 1, wherein an inclined portion is provided at an end portion of the non-corrosion resistant metal wiring.

The electrical wiring structure according to any one of claims 1 to 3, wherein the corrosion-resistant metal is tantalum and the non-corrosion-resistant metal is chromium.

In the manufacturing method of the electrical wiring structure for electrically connecting the non-corrosion resistant metal wiring to the corrosion resistant metal wiring,
Forming the corrosion-resistant metal wiring on the substrate and then forming an oxide layer of the corrosion-resistant metal on the surface;
Forming a non-corrosion resistant metal wiring so as to overlap a part of the corrosion-resistant metal oxide layer;
Removing the corrosion-resistant metal oxide layer other than the portion where the non-corrosion-resistant metal wiring is formed, and forming an exposed portion;
Forming a conductive inorganic oxide film over the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion;
The manufacturing method of the electrical wiring structure characterized by the above-mentioned.

In a pair of electro-optical device substrates that are used opposite to the electro-optical device and include a first electro-optical device substrate and a second electro-optical device substrate,
The first electro-optical device substrate includes a first glass substrate as a substrate, and electrical wiring provided thereon,
The second electro-optical device substrate includes a second glass substrate as a counter substrate, an element first electrode that constitutes a two-terminal nonlinear element, an insulating film, and an element second electrode.
The second electro-optical device substrate includes a corrosion-resistant metal wiring formed on a second glass substrate, a non-corrosion-resistant metal wiring electrically connected to the element first electrode and the element second electrode, Equipped with an electrical wiring structure for electrical connection,
On the corrosion-resistant metal wiring, the corrosion-resistant metal oxide layer and the non-corrosion-resistant metal wiring are sequentially formed, and on the corrosion-resistant metal wiring, an exposed portion is formed by removing the corrosion-resistant metal oxide layer. Electricity formed by electrically connecting the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion of the corrosion-resistant metal wiring by further forming a conductive inorganic oxide film over the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion. A substrate for an electro-optical device having a wiring structure.

In a pair of electro-optical device substrates including a first electro-optical device substrate and a second electro-optical device substrate facing each other, and an electro-optical device including an electro-optical material therebetween,
The first electro-optical device substrate includes a first glass substrate as a substrate, a coloring layer, a black matrix as a light shielding layer, and an electric wiring provided thereon,
The second electro-optical device substrate includes a second glass substrate as a counter substrate, an element first electrode that constitutes a two-terminal nonlinear element, an insulating film, and an element second electrode.
The second electro-optical device substrate includes a corrosion-resistant metal wiring formed on a second glass substrate, a non-corrosion-resistant metal wiring electrically connected to the element first electrode and the element second electrode, Equipped with an electrical wiring structure for electrical connection,
On the corrosion-resistant metal wiring, the corrosion-resistant metal oxide layer and the non-corrosion-resistant metal wiring are sequentially formed, and on the corrosion-resistant metal wiring, an exposed portion is formed by removing the corrosion-resistant metal oxide layer. Electricity formed by electrically connecting the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion of the corrosion-resistant metal wiring by further forming a conductive inorganic oxide film over the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion. An electro-optical device comprising a wiring structure.

The electro-optical device according to claim 7, wherein a joint portion of the exposed portion and the non-corrosion resistant metal wiring is provided inside the seal portion with the seal portion in the electro-optical device interposed therebetween.

In a method for manufacturing a pair of electro-optical device substrates including a first electro-optical device substrate and a second electro-optical device substrate facing each other, and an electro-optical material between them,
The first electro-optical device substrate includes a first glass substrate as a substrate, a coloring layer, a black matrix as a light shielding layer, and an electric wiring provided thereon,
The second electro-optical device substrate includes a second glass substrate as a counter substrate, an element first electrode that constitutes a two-terminal nonlinear element, an insulating film, and an element second electrode, and The second electro-optical device substrate electrically connects the corrosion-resistant metal wiring formed on the second glass substrate and the non-corrosion-resistant metal wiring electrically connected to the element first electrode and the element second electrode. It has an electrical wiring structure for
On the corrosion-resistant metal wiring, the corrosion-resistant metal oxide layer and the non-corrosion-resistant metal wiring are sequentially formed, and on the corrosion-resistant metal wiring, an exposed portion is formed by removing the corrosion-resistant metal oxide layer. Electricity formed by electrically connecting the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion of the corrosion-resistant metal wiring by further forming a conductive inorganic oxide film over the non-corrosion resistant metal wiring and the exposed portion. A method of manufacturing an electro-optical device, comprising forming a wiring structure.