JP4292863B2 - 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents
電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に係り、特に、表示領域に設けられた電極に接続された配線を有する液晶表示装置として構成する場合に好適な構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置などの電気光学装置においては、一対の対向する電極間に電気光学層を配置してなる複数の画素が配列された表示領域（有効動作領域）と、この表示領域の外側に配置された周辺領域とが設けられる。この周辺領域には、表示領域に設けられた上記電極から引き出された複数の配線が配設され、これらの配線を介して上記電極が駆動され、表示領域に所望の表示態様が実現される。
【０００３】
上記電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明すると、たとえば、ガラスなどの基板上に反射層が形成され、この反射層上にカラーフィルタを構成する着色層が形成され、さらに、この着色層上に透明な絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電体で構成された透明電極が形成された構造を有するものが知られている。このような液晶表示装置がたとえば反射型カラー液晶表示装置である場合には、一方の基板１の上に反射層２、保護膜３、遮光膜１３、着色層４、保護膜６、密着性向上層５、電極７が順次積層された構造を有する（例えば、以下の特許文献１参照）。
【０００４】
一方、特に携帯型電子機器においては、反射表示と透過表示のいずれもが表示可能に構成された半透過反射型の液晶表示装置が採用される場合が多い。このような半透過反射型の液晶表示装置としては、たとえば、反射機能を有する反射層に画素毎に開口部を形成することにより、この開口部を通してバックライトなどの照明手段の光を透過可能に構成したものが知られている（例えば、以下の特許文献２参照）。すなわち、画素のうち、上記の開口部が設けられている部分が光透過領域となり、その他の部分が光反射領域となるので、昼間などでは光反射領域にて反射される反射光によって表示を視認可能とし、夜間などにおいては照明手段を点灯させて光透過領域を透過する透過光によって表示を視認可能とする。
【０００５】
ところで、上記のような半透過反射型の液晶表示装置においては、透過表示を行う場合には、表示光は照明手段から入射して液晶層を一回だけ通過するのに対して、反射表示を行う場合には、外光が入射して反射層によって反射された表示光は液晶層を往復２回通過するため、リタデーションΔｎ・ｄ（Δｎは液晶分子の屈折率異方性、ｄは液晶層の厚さ）の関数である光変調度合が透過表示と反射表示とで大きく異なることとなることから、透過表示と反射表示とをそれぞれ最適化することが困難であるという問題点がある。すなわち、透過表示と反射表示の一方の表示品位を優先すると他方の表示品位が犠牲になる。このため、上記の液晶表示装置では、上記光透過領域の液晶層を厚く、また、上記光反射領域の液晶層を薄く構成することによって、両表示のコントラストなどを共に向上させる構造（マルチギャップ構造）を採用している。
【０００６】
ところが、このような半透過反射型の液晶表示装置では、光反射領域の電極を反射層を兼ねた金属電極とし、光透過領域の電極をＩＴＯなどで構成された透明電極としているため、基板内面上に金属電極が露出していることから耐食性の問題が生じやすいとともに、この金属電極と対向する透明電極との間に極性差が生ずるため、表示品位の低下や長期信頼性の低下をもたらすという問題点がある。
【０００７】
このような問題点を解決する方法としては、反射層上に絶縁層を介して透明電極を形成する方法がある。この方法では、反射層が絶縁層により被覆されるために耐食性の問題を回避することができるとともに、反射層とは別に透明電極を設けるために上記のような極性差が生じないという利点がある。また、このように構成する場合に、カラーフィルタの着色層を保護するための保護膜をパターニングすることにより基板上に表面凹凸を構成し、これによって上記のように光透過領域の液晶層を厚く、光反射領域の液晶層を薄くする構造が採用される場合がある。このような構造を有する液晶表示装置の細部構造を図１３及び図１４に示す。
【０００８】
ここで、図１３は、後述する透明電極２２２ａ−１の延長方向と直交する断面を示す拡大部分断面図、図１４は、同透明電極２２２ａ−１の延長方向と平行な断面を示す拡大部分断面図である。
【０００９】
図１３及び図１４に示す液晶表示装置２００においては、第１基板２１０と第２基板２２０との間に液晶層２３５が配置される。第１基板２１０には、基板２１１上に、配線２１１ａ、駆動素子２１３及び画素電極２１２Ｐが形成され、これらの上に配向膜２１８が形成されている。また、第２基板２２０には、基板２２１上に透明下地層２２７、反射層２２３、着色層２２４、保護膜２２５、透明電極２２２ａ−１及び配線２２２ａ−２、配向膜２２８が順次形成されている。反射層２２３には画素Ｐ毎に開口部２２３ａが形成され、この開口部２２３ａによって光透過領域Ｐｔが構成され、その他の部分は光反射領域Ｐｒとなっている。画素間には遮光層２２９が形成されている。なお、第１基板２１０と第２基板２２０との間には絶縁スペーサ２３５Ａが配置され、基板間ギャップＧａを規制している。
【００１０】
この液晶表示装置では、保護膜２２５をパターニングするだけで光透過領域Ｐｔにおいて液晶層２３５の厚さＧｂを厚くし、光反射領域Ｐｒにおいて液晶層２３５の厚さＧａを薄くしている。これによって、液晶層２３５を一回だけ透過する光（透過光）によって構成される透過表示と、液晶層２３５を往復２回透過する光（反射光）によって構成される反射表示との間の表示態様の差を低減している。
【００１１】
また、上記配線２２２ａ−２の端部は表示領域から引き出されて周辺領域において拡幅した接続パッド部２２２ａｐとなっており、この接続パッド部２２２ａｐは、シール材２３１を介して接続パッド部２１２ｂｐに接着されている。ここで、シール材２３１は、多数の導電スペーサ２３１Ａが基材中に分散配置された異方性導電材となっている。そして、この導電スペーサ２３１Ａによって接続パッド部２２２ａｐと２１２ｂｐとが導電接続されている。すなわち、この異方性導電材であるシール材２３１の上記接続パッド部２２２ａｐと２１２ｂｐとの間に配置された部分によって第１基板２１０と第２基板２２０との間を導通させる上下導通部が構成されている。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００２−１４３３４号公報
【特許文献２】
特開平１１−２４２２２６号公報（特に、図１、図４、図２４、図２５など参照。）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１３及び図１４に示した半透過反射型の液晶表示装置においては、光透過領域Ｐｔにおいて着色層２２４上に保護膜２２５が形成されていないことから、着色層２２４を介して反射層２２３と透明電極２２２ａ−１との間にリーク電流が流れ、これによって表示品位が低下するといった問題点がある。上記の問題点を解消するために、光透過領域Ｐｔにおいても反射層２２３の開口部２２３ａ上に絶縁層を形成する場合が考えられるが、この場合には、この絶縁層や保護膜の厚さが増大するため、特に、透明電極２２２ａ−１に接続された配線２２２ａ−２の下地表面に、大きな表面段差が生じたり、表面傾斜角が増大したりすることにより、透明導電体の成膜時においてカバレッジ不足などにより配線に断線が発生するという問題点が考えられる。この配線の断線が発生すると、上記透明電極２２２ａ−１がストライプ状に構成されている場合には、当該透明電極２２２ａ−１が伸びている画素列全体に表示不良が発生するという深刻な問題を生ずる。
【００１４】
また、上述のように異方性導電材としての機能をも有する上記シール材２３１中には、第１基板２１０と第２基板２２０との間隔Ｇｃに対応する外径を有する導電スペーサ２３１Ａが分散配置されている。この導電スペーサ２３１Ａは、表示領域内に配置された絶縁スペーサ２３５Ａの外径Ｇａが２〜３μｍであるのに対して、６〜７μｍ程度と大きくなっていることによって、シール材２３１を全周に亘って形成することができなくなる場合があるという問題点がある。
【００１５】
例えば、第１基板２１０に形成されている配線２１２ａは、シール材２３１の形成領域を通過して表示領域外に引き出され、図示しない給電端子に接続されている。このとき、配線２１２ａ間の間隙を小さくしようとすると、上記のように比較的大きな外径Ｇｃを有する導電スペーサ２３１Ａによって隣接する配線２１２ａ間が短絡してしまうおそれがある。したがって、配線２１２ａ間の間隙は、導電スペーサ２３１Ａによって短絡が生じない程度に充分に大きく設定する必要があり、その結果、配線数を増大させることが困難になり、高精細な液晶表示装置を構成することが難しくなる。したがって、上記のような異方性導電材で構成されたシール材２３１を全周に亘って構成することができないため、少なくとも上記配線２１２ａの通過部分には導電スペーサ２３１Ａではなく、絶縁スペーサを含んだ、異方性導電機能を有しないシール材を別途配置する必要が生じ、これによって、製造工数が増え、製造コストが増大する。
【００１６】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、基板上に電極及びこれに接続された配線を形成してなる電気光学装置用基板及び電気光学装置において、電極に接続された配線の断線を低減することができるとともに、異方性導電材に含まれている導電スペーサによる他の配線間の短絡を防止することができる構造を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の電気光学装置用基板は、基板上に複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置用基板において、前記基板上には前記画素毎に、反射層からなる光反射領域と前記反射層が形成されない光透過領域とを具備し、前記反射層上に絶縁層が形成され、前記表示領域には、前記絶縁層の有無若しくは厚さの変化により、前記光透過領域の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、前記凹凸表面上に電極が配置され、前記電極に接続された配線が設けられ、前記配線は、前記絶縁層の上に配置された接続パッド部を有することを特徴とする。
【００１８】
上記のように、反射層上に絶縁層を形成し、絶縁層の有無若しくは厚さの変化により開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成されていることにより、マルチギャップタイプの電気光学装置を容易に構成することができる。
【００１９】
本発明では、上記の凹凸表面によるマルチギャップ構造を構成したとき、表示領域に設けられた電極に接続された配線の接続パッド部が上記絶縁層上に配置されていることにより、絶縁層の外縁によって生ずる段差や傾斜面が配線に影響しなくなるため、配線の断線を防止することができる。
【００２０】
また、絶縁層の厚さ分だけ接続パッド部を高い位置に設置することができるため、多数の導電体を基材中に分散配置してなる異方性導電材によって接続パッド部を電気光学層の反対側に導電接続する場合に、当該導電体を小さく形成することが可能になり、これにより、当該異方性導電材による電気光学装置に設けられた別の高密度配線の短絡事故の発生を防止できるようになる。したがって、電気光学装置の高精細化を妨げることなく、異方性導電材を電気光学装置を構成するシール材と兼用することが可能になり、構造の簡略化や製造コストの低減を図ることが可能になる。
【００２１】
ここで、上記絶縁層は、透光性を有する無機材料や有機材料などによって構成できる。無機材料としては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５などが挙げられる。また、有機材料としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂などが挙げられる。特に樹脂材料によって構成する場合、感光性樹脂材料をフォトリソグラフィ法によってパターニングすることが好ましい。
【００２２】
また、本発明に係る別の電気光学装置用基板は、基板上に複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置用基板において、前記基板上には着色層が形成され、該着色層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に電極が配置され、前記電極に接続された配線が設けられ、前記配線は、前記周辺領域において前記絶縁層の上に配置された接続パッド部を有することを特徴とする。
【００２３】
この場合にも、着色層上に形成された絶縁層の上に接続パッド部を設けることによって、絶縁層の外縁により生ずる段差や傾斜面の影響を配線が受けることはなくなるため、配線の断線を防止することができる。また、絶縁層の厚さ分だけ接続パッド部を高い位置に設置することができるため、多数の導電体を基材中に分散配置してなる異方性導電材によって接続パッド部を電気光学層の反対側に導電接続する場合に、導電体を小さく形成することが可能になり、これにより、当該異方性導電材による別の高密度配線の短絡事故を防止でき、異方性導電材をシール材と兼用することも可能になる。
【００２４】
ここで、前記接続パッド部は、前記着色層上に配置されていることが好ましい。これによって、接続パッド部が着色層の厚さ分だけさらに高い位置に配置されることになるため、異方性導電材による別の高密度配線の短絡事故をより確実に防止できる。
【００２５】
また、前記表示領域には、前記絶縁層の有無若しくは厚さの変化により凹凸表面が構成されていることが好ましい。絶縁層の有無若しくは厚さの変化により凹凸表面が構成されていることにより、マルチギャップ構造を構成できる。また、このような凹凸表面を構成する場合には、絶縁層の厚さが必然的に厚くなるので、上記の配線の断線や異方性導電材による高密度配線の短絡事故が発生しやすくなることから、本発明はより効果的である。
【００２６】
本発明において、前記絶縁層上には平坦な表面部が形成され、該表面部上に前記接続パッド部が形成されていることが好ましい。これによれば、接続パッド部が平坦な表面部上に形成されていることにより、異方性導電材を用いた接続パッド部の導電接続部分の信頼性を向上させることができる。
【００２７】
本発明において、前記接続パッド部は、前記絶縁層における前記凹凸表面の高い表面部位における厚さと略同一の厚さを有する部分の上に配置されていることが好ましい。これによれば、接続パッド部がさらに高い位置に形成されるため、異方性導電材を用いて接続パッド部を導電接続する場合に、別の高密度配線の短絡事故をより確実に防止することができ、また、異方性導電材をシール材と兼用することもより容易になる。
【００２８】
本発明において、前記絶縁層は、前記基板上に順次に積層された第１絶縁層及び第２絶縁層で構成され、前記表示領域には、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方が部分的に存在しないことにより前記凹凸表面が構成されていることが好ましい。これによれば、第１絶縁層と第２絶縁層の少なくとも一方をパターニングすることによって容易に凹凸表面を構成できる。また、２層構造とすることによって絶縁性を確保することができる。なお、第１絶縁層と第２絶縁層は相互に同じ材料によって構成されていてもよく、或いは、相互に異なる材料によって構成されていてもよい。
【００２９】
この場合に、前記接続パッド部は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の上に配置されていることが好ましい。これによれば、接続パッド部がさらに高い位置に形成されるため、異方性導電材を用いて接続パッド部を導電接続する場合に、別の高密度配線の短絡事故をより確実に防止することができ、また、異方性導電材をシール材と兼用することもより容易になる。
【００３０】
また、前記第１絶縁層は前記表示領域において全面的に形成され、前記第２絶縁層が部分的に形成されていることにより前記凹凸表面が構成されていることが好ましい。これによれば、上層の第２絶縁層を部分的に形成することにより形状のダレなどが少なくなるため、凹凸表面をより制御性良く形成することができる。
【００３１】
本発明において、前記周辺領域には遮光層が構成され、前記接続パッド部は、前記遮光層の上に配置されていることが好ましい。遮光層が構成されていることによって配線は遮光層の厚さ分高い位置に形成されることになるが、本発明では、接続パッド部も遮光層上に配置されていることにより、遮光層の厚さ分の段差が発生しないため、配線の断線を発生しにくく構成できる。また、遮光層の厚さ分だけ接続パッド部が高い位置に構成されるため、異方性導電材による接続パッド部の導電接続構造を設ける場合に、異方性導電材中の導電体を小さくすることができるため、当該導電体による別の高密度配線の短絡事故を防止することができる。
【００３２】
ここで、遮光部は、配線と絶縁層との間、絶縁層の下、絶縁層が第１絶縁層と第２絶縁層とで構成されている場合には第２絶縁層と第１絶縁層との間、のいずれに配置されていてもよいが、特に、絶縁層の下層に遮光部が構成されていることが望ましい。
【００３３】
なお、この遮光部は、黒色樹脂などにより単一材料で構成することもでき、また、後述するように、複数色の着色層を積層することによって構成することも可能である。
【００３４】
次に、本発明に係る電気光学装置は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置され、複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置において、前記電気光学層の一方側には基板が配置され、該基板上には前記画素毎に、反射層からなる光反射領域と前記反射層が形成されない光透過領域とを具備し、前記反射層上に絶縁層が配置され、
前記表示領域には、前記絶縁層の有無若しくは厚さの変化により、前記光透過領域の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、前記凹凸表面上に電極が配置され、前記電極に接続された配線が設けられ、前記配線は、前記絶縁層の上に配置された接続パッド部を有し、前記接続パッド部は、上下導通部を介して前記電気光学層の反対側に導電接続されていることを特徴とする。
【００３５】
この発明によれば、絶縁層によって構成された凹凸表面により電気光学装置にマルチギャップ構造を構成することが可能になる。また、この構造を構成するために必要な絶縁層上に配線の接続パッド部を設けることにより、絶縁層の外縁により生ずる段差や傾斜面が配線に影響しなくなるため、配線の断線を防止することができる。
【００３６】
また、絶縁層の厚さ分だけ接続パッド部を高い位置に設置することができるため、上下導通部として多数の導電体を基材中に分散配置してなる異方性導電材を用いた場合には、その導電体を小さく形成することが可能になり、これにより、当該異方性導電材による電気光学装置に設けられた別の高密度配線の短絡事故の発生を防止できるようになる。したがって、配線の高密度化や配線本数の増大により電気光学装置の高精細化を図ることができる。また、異方性導電材を電気光学装置を構成するシール材と兼用することが可能になり、構造の簡略化や製造コストの低減を図ることが可能になる。
【００３７】
次に、本発明に係る別の電気光学装置は、一対の電極の間に電気光学層が配置され、複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置において、前記電気光学層の一方側には基板が配置され、該基板上には着色層が形成され、該着色層上に絶縁層が配置され、前記絶縁層の上に電極が配置され、前記電極に接続された配線が設けられ、前記配線は、前記絶縁層の上に配置された接続パッド部を有し、前記接続パッド部は、上下導通部を介して前記電気光学層の反対側に導電接続されていることを特徴とする。
【００３８】
この場合にも、着色層上に形成された絶縁層の上に接続パッド部を設けることによって、絶縁層の外縁により生ずる段差や傾斜面の影響を配線が受けることはなくなるため、配線の断線を防止することができる。また、絶縁層の厚さ分だけ接続パッド部を高い位置に設置することができるため、上下導通部として多数の導電体を基材中に分散配置してなる異方性導電材を用い、これによって接続パッド部を電気光学層の反対側に導電接続する場合に、その導電体を小さく形成することが可能になり、その分、当該異方性導電材による別の高密度配線の短絡事故を防止でき、異方性導電材をシール材と兼用することも可能になる。
【００３９】
本発明において、前記上下導通部は多数の導電体が基材中に分散配置されてなる異方性導電材により構成され、該異方性導電材の形成領域には、複数の他方の前記電極に接続された複数の配線が通過していることが好ましい。他方の電極にそれぞれ接続された複数の配線が異方性導電材の形成領域を通過している場合には、異方性導電材中の導電体が上記のように小さく構成されることにより、これら複数の配線の間隙を小さく設定しても短絡事故が生じないように構成できるので、電気光学装置の小型化及び高精細化を図ることが可能になる。
【００４０】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置され、複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置の製造方法において、基板上に前記画素毎に反射層からなる光反射領域を形成し、前記反射層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に一方の前記電極及び該一方の電極に接続された配線を形成し、前記配線には、前記絶縁層上に配置された接続パッド部を設け、前記接続パッド部を、多数の導電体を基材中に分散させてなる異方性導電材を介して前記電気光学層の反対側に導電接続させることを特徴とする。
【００４１】
また、本発明に係る別の電気光学装置の製造方法は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置され、複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置の製造方法において、前記電気光学層の一方側に配置される基板上に着色層を形成し、該着色層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に一方の前記電極及び該一方の電極に接続された配線を設け、前記配線には、前記周辺領域において前記絶縁層上に接続パッド部を設け、前記接続パッド部を、多数の導電体を基材中に分散させてなる異方性導電材を介して前記電気光学層の反対側に導電接続させることを特徴とする。
【００４２】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の電気光学装置と、該電気光学装置の制御手段とを有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、半透過反射型の構成を有することによって透過表示と反射表示のいずれでも表示が可能となるため、特に、携帯電話機、携帯型情報端末、電子時計などの携帯型電子機器を構成する上できわめて有効である。
【００４３】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る電気光学装置用基板、電気光学装置、その製造方法及び電子機器の実施形態について詳細に説明する。以下に説明する各実施形態は、いずれも電気光学装置の一種である液晶装置に関するものであるが、本発明は、液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、フィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置に用いることができるものである。
【００４４】
最初に、本実施形態の液晶装置１００の全体構成について説明する。図１は液晶装置１００の分解斜視図、図２は液晶装置１００の平面透視図である。液晶装置１００は、第１基板１１０と、第２基板１２０とをシール材１３１によって貼り合せ、第１基板１１０、第２基板１２０及びシール材１３１によって囲まれた空間内に図示しない電気光学物質である液晶を封入したものである。第１基板１１０は、第２基板１２０の外形よりも張り出した基板張出部１１０Ｔを有し、この基板張出部１１０Ｔの表面上に液晶駆動回路などを内蔵した電子部品（半導体ＩＣチップ）１３２，１３３が実装されている。これらの電子部品１３２，１３３の図示しない複数の端子は、基板張出部１１０Ｔ上にそれぞれ引き出された配線１１２ａ、配線１１２ｂ及び入力端子１１２ｃ，１１２ｄに導電接続されている。
【００４５】
第１基板１１０においては、ガラスやプラスチックなどの透明材料で構成される基板１１１の表面上にＩＴＯなどで構成された導体パターン１１２が形成されている。この導体パターン１１２には、シール材１３１の内側に設定された表示領域Ｄ（図２参照）内にストライプ状に形成された配線１１２ａが含まれる。これらの配線１１２ａは、図示を省略した駆動素子（たとえば、ＴＦＤ（薄膜ダイオード））に接続されている。配線１１２ａは、表示領域Ｄ内から上記基板張出部１１０Ｔの表面上に引き出され、その端部が給電端子となり、複数の給電端子が配列されて給電端子部１１２ａｓが構成されている。また、表示領域Ｄの外側には周辺領域Ｅ（図２参照）が設けられている。この周辺領域Ｅには基板１１１上に複数の配線１１２ｂが形成されている。これらの配線１１２ｂには、表示領域Ｄとの境界線に沿って配設された接続パッド部１１２ｂｐが設けられている。また、配線１１２ｂにおける接続パッド部１１２ｂｐとは反対側の端部は、上記基板張出部１１０Ｔに引き出されて給電端子となり、複数の給電端子が配列された給電端子部１１２ｂｓが構成されている。さらに、基板張出部１１０Ｔの端縁近傍には、複数の入力端子１１２ｃ，１１２ｄが形成されている。これらの入力端子１１２ｃ，１１２ｄは、図示しないフレキシブル配線基板などの配線部材が接続されることにより、外部の表示制御手段から制御信号や表示データなどを導入可能とするためのものである。
【００４６】
一方、第２基板１２０には、ガラスやプラスチックなどで構成された基板１２１の表面（第１基板１１０と対向する内面）上に、ＩＴＯなどで構成される導体パターン１２２が形成されている。この導体パターン１２２には、ストライプ状に構成された複数の帯状導体１２２ａが設けられている。これらの帯状導体１２２ａの端部にはそれぞれ接続パッド部１２２ａｐが形成されている。これらの帯状導体１２２ａは、上記第１基板１１０の配線１１２ａの延長方向と直交する方向に伸びている。
【００４７】
図３は、第２基板１２０に設けられた帯状導体１２２ａの両端部近傍を拡大して示す概略平面図である。帯状導体１２２ａは、表示領域Ｄ内に配置された部分が電極１２２ａ−１となっており、この電極１２２ａ−１と一体に構成された配線１２２ａ−２は周辺領域Ｅに引き出されている。上記接続パッド部１２２ａｐは上記配線１２２ａ−２の外側の端部において拡幅した形状に構成されている。なお、この配線１２２ａ−２及びその近傍の構成について以下に説明する場合、表示領域Ｄ側を内側、周辺方向Ｅ側或いはさらにその外縁に向かう方向を外側ということにする。
【００４８】
図４に示すように、帯状導体１２２ａの接続パッド部１２２ａｐは、シール材１３１を介して配線１１２ｂの接続パッド部１１２ｂｐに接続されている。シール材１３１には、樹脂基材中に多数の微小な導電体である導電スペーサ１３１Ａが分散配置されている。導電スペーサ１３１Ａは球状に構成されている。導電スペーサ１３１Ａとしては、金属などの導電体で構成されたもの、プラスチックなどの絶縁体の表面にめっきなどで金属などの導電層を形成したものなどを用いることができる。なお、図４ではシール材１３１の幅が導電スペーサ１３１Ａの直径のほぼ２倍程度に描かれているが、実際には、導電スペーサ１３１Ａの外径は５〜１０μｍ程度であり、シール材１３１の幅は０．１〜３．０ｍｍ程度である。これらの導電スペーサ１３１Ａは、第１基板１１０と第２基板１２０とがシール材１３１を介して貼り合わされ、加圧された状態でシール材１３１が硬化されたとき、接続パッド部１２１ｂｐと接続パッド部１２２ａｐとを導電接続するように構成されている。より具体的には、上記のような構成によりシール材１３１は導電異方性を有するので、複数の接続パッド部１１２ｂｐと接続パッド部１２２ａｐとは、このシール材１３１を介して相互に対応するもの同士のみが導電接続される。そして、図２に示す平面配置において、矩形枠状に形成されたシール材１３１の左右両側にある、接続パッド部１１２ｂｐの列と接続パッド部１２２ａｐの列とが対向配置されている部位に配置された部分１３１Ｄは、第１基板１１０と第２基板１２０とを導電接続するための上下導通部を構成している。
【００４９】
この実施形態では、上記の上下導通部に設けられる接続パッド部１２２ａｐは、基板１２１の表面上に直接形成されているのではなく、上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の上に形成されている。すなわち、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６は表示領域Ｄから外側へ張り出して周辺領域Ｅにまで形成され、周辺領域Ｅにおいてその表面が平坦に構成された部分が設けられ、この平坦な表面部分に上記接続パッド部１２２ａｐが形成されている。
【００５０】
次に、図５乃至図１０を参照して本発明に係る電気光学装置用基板及び電気光学装置の実施形態についてより詳細に説明する。図８は、液晶装置１００の第２基板１２０について表示領域Ｄと周辺領域Ｅの境界近傍を示す拡大平面透視図、図９は、液晶装置１００の表示領域Ｄ内の一部を配線１２２ａ−２の延長方向に切断した状態を示す拡大断面図、図１０は、液晶装置１００の表示領域Ｄ内の一部を配線１２２ａ−２の延長方向と直交する方向に切断した状態を示す拡大断面図である。
【００５１】
この実施形態では、図８に示すように、表示領域Ｄにおいて複数の画素Ｐが平面的に配列形成されている。表示領域Ｄ内の画素Ｐの間には画素間領域が存在し、この画素間領域には後述する遮光層１２９が形成されている。また、周辺領域Ｅの表示領域Ｄの外縁に沿った部分にも遮光層１２９が表示領域Ｄを取り囲むように構成されている。
【００５２】
図１０に示すように、第１基板１１０において、上記の配線１１２ａは、駆動素子１１３を介して画素電極１１２Ｐに接続されている。駆動素子１１３及び画素電極１１２Ｐは画素Ｐ毎に形成されている。駆動素子１１３としては、例えば、薄い絶縁膜を介して導体が接合したＭＩＭ構造を有するＴＦＤ（薄膜ダイオード素子）が挙げられる。画素電極１１２Ｐは、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電体で構成される。これらの配線１１２ａ、駆動素子１１３及び画素電極１１２Ｐの上には、ポリイミド樹脂などで配向膜１１８が形成される。
【００５３】
図９及び図１０に示すように、第２基板１２０の基板１２１上には透明下地層１２７が形成されている。この透明下地層１２７の表面には図示しない微細な凹凸が形成されている。透明下地層１２７は、たとえば、基板１２１の表面上に感光性樹脂を塗布し、所定の露光マスクを用いて露光（例えばプロキシミティ露光）した後に現像することによって微細な凹凸表面を備えた状態に形成される。この透明下地層１２７は、その凹凸表面によって以下に説明する反射層１２３の反射面を光散乱性反射面とするために設けられるものである。これによって、その上に形成された反射層１２３の表面に微細な凹凸が形成され、反射層１２３の正反射による背景の写り込みや照明光による幻惑などを防止できる。
【００５４】
上記の透明下地層１２７の上には反射層１２３が形成される。この反射層１２３は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金などの金属材料で、蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成される。反射層１２３には、図８に示すように、上記画素Ｐ毎に開口部１２３ａが形成される。この開口部１２３ａによって画素Ｐ内には光透過領域Ｐｔが構成される。この光透過領域Ｐｔ以外は、光反射領域Ｐｒとなっている。反射層の厚さは、一般的に１０００〜２０００Å程度である。
【００５５】
次に、反射層１２３の上に遮光層１２９が形成される。この遮光層１２９は、観察側（図１の下側、図９及び図１０の上側）へ放出される表示光をある程度遮断できるものであればよい。たとえば、黒色樹脂層や表面処理（酸化膜）を施した金属層などで構成できる。遮光層１２９は、光学濃度（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）が１以上であることが好ましく、特に、１．５以上であることが望ましい。遮光層１２９の厚さは、たとえば０．５〜３．０μｍ程度である。
【００５６】
また、反射層１２３及びその開口部１２３ａ上には、着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂ（以下、必要に応じて単に「着色層１２４」という場合もある。）が配置されている。各画素Ｐには、複数色の着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂのいずれかが配置されている。これらの複数色の着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂは、上記表示領域Ｄ内において所定の配列パターンとなるように配設されている。この配列パターンとしては、たとえば、公知のストライプ配列、デルタ配列、斜めモザイク配列などが挙げられる。なお、上記遮光層１２９は、上記の着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂのうちの２色以上を重ねることによって構成しても構わない。
【００５７】
これらの着色層１２４上には上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６が積層され、これらの第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６は、上記着色層１２４を外部から保護する保護膜としても機能するようになっている。
【００５８】
また、第１絶縁層１２５は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５などの透明な無機材料、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明な有機樹脂材料などで構成できる。この第１絶縁層１２５は、材料によっても異なるが、塗布法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などによって形成できる。本実施形態の場合、第１絶縁層１２５は、表示領域Ｄにおいてほぼ等しい厚さになるように形成されている。また、第１絶縁層１２５は表示領域Ｄから周辺領域Ｅに広がり、上記遮光層１２９を越えて外側にさらに広がるように構成されている。第１絶縁層１２５の厚さは、絶縁特性との兼ね合いで決定されるが、アクリル樹脂などで構成する場合には０．５μｍ程度で充分な絶縁性を備えるので、例えば０．５〜２．５μｍ程度とされる。
【００５９】
上記第１絶縁層１２５の上には第２絶縁層１２６が形成されている。この第２絶縁層１２６は、上記第１絶縁層１２５において説明した各素材により、同様の方法で構成できる。第２絶縁層１２６は、図９及び図１０に示すように、表示領域Ｄにおいて、開口部１２３ａ上の領域、すなわち光透過領域Ｐｔを避けるように構成されている。より具体的には、第２絶縁層１２６は、光透過領域Ｐｔには形成されておらず、光反射領域Ｐｒには形成されている。これによって、第２基板１２０には、光透過領域Ｐｔにおいて低くなった凹凸表面が構成される。第２絶縁層１２６の厚さは、本実施形態の場合には第２基板の表面段差量を決定するため、光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとにおける液晶層１３５の必要とされる厚さの差に応じた厚さとされる。第２絶縁層１２６の厚さは、例えば１．５〜３．０μｍ程度である。
【００６０】
なお、上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の代わりに、単一の絶縁層を構成することもできる。この場合、上記のように第２基板１２０の表面を凹凸形状に構成する場合、従来構造と同様に単一の絶縁層をパターニングして、光透過領域Ｐｔにおいては着色層１２４上に直接電極１２２ａ−１が形成されるように構成してもよい。また、単一の絶縁層を光透過領域Ｐｔでは薄く、光反射領域Ｐｒでは厚く構成するようにしてもよい。このような単一層の厚さを場所によって変えることにより構成された表面凹凸構造は、例えば、感光性樹脂の露光強度を場所によって変えることによって形成できる。
【００６１】
次に、上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電体で構成された帯状導体１２２ａが形成される。この帯状導体１２２ａは上述の通り表示領域Ｄ内の電極１２２ａ−１と周辺領域Ｅ内の配線１２２ａ−２が一体に構成されたものである。配線１２２ａ−２は周辺領域Ｅに引き出されている。電極１２２ａ−１上にはポリイミド樹脂などで配向膜１２８が形成される。
【００６２】
上記の構成によって、第２基板１２０の表面は、光透過領域Ｐｔにおいて一段低く構成された凹凸表面を有する。これによって、第１基板１１０と第２基板１２０との間に挟持された液晶層１３５は、各画素Ｐ毎に、光透過領域Ｐｔで厚く、光反射領域Ｐｒで薄くなるように構成される。すなわち、マルチギャップタイプの液晶装置が構成される。ここで、液晶層１３５の光に対する複屈折率や旋光性の程度（光変調度合）は、リタデーションΔｎ・ｄ（Δｎは液晶層１３５内の液晶分子の屈折率異方性、ｄは液晶層１３５の厚さ）の関数となるため、液晶層１３５の厚さが光透過領域Ｐｔで厚く光反射領域Ｐｒで薄いことによって、透過表示と反射表示の表示品位をより高いレベルで両立させることが可能になる。つまり、光透過領域Ｐｔでは、図示しないバックライトなどの照明手段から放出される照明光は一回だけ液晶層１３５を通過するのに対して、光反射領域Ｐｒでは、入射した外光は往復２回液晶層１３５を通過するので、液晶層１３５の厚さが光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとで等しい場合には、透過表示と反射表示のいずれか一方を光学的に最適化すると、他方は犠牲になり表示品位（例えばコントラストなど）が低下する。これに対して、本実施形態では、光透過領域Ｐｔにおける液晶層１３５は厚く、光反射領域Ｐｒにおける液晶層１３５は薄いため、上記の液晶層１３５に対する通過回数の差による影響が低減され、透過表示と反射表示を共に高品位化することができる。
【００６３】
上記液晶層１３５の厚さは絶縁スペーサ１３５Ａによって規制されている。この絶縁スペーサ１３５Ａは、第１基板１１０と第２基板１２０の凸部との間に介在し、光反射領域Ｐｒにおける液晶層１３５の厚さを規定する。
【００６４】
本実施形態においては、第１絶縁層１２５を画素Ｐ内の全面に形成することにより、反射層１２３と電極１２２ａ−１との絶縁性を確保し、また、第２絶縁層１２６をパターニングすることにより、光透過領域Ｐｔにおいて第２絶縁層１２６が存在せず、光反射領域Ｐｒにおいて第２絶縁層１２６が存在するように構成されていることにより、上記第２基板１２０の表面が凹凸状に構成されている。このように構成すると、より上層にある第２絶縁層１２６がパターニングされることによって上記凹凸表面の段差部分のダレを低減することができるため、凹凸表面形状をより制御性良く形成することができ、所望の光学特性を高精度かつ歩留まり良く得ることができるという利点がある。たとえば、光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとの境界の段差部分に形成される傾斜面の幅は、当該幅内では液晶分子の配向が乱れるため、電極１２２ａ−１に断線が生じない範囲でなるべく小さく構成することが好ましいが、上記の幅は一般的には水平方向に約８〜１０μｍ程度であるのに対して、本実施形態では５〜７μｍ程度の幅に抑制することができる。
【００６５】
なお、図９及び図１０に示すように、この液晶装置１００においては、第２基板１２０に向けて偏光板１３６及び位相差板１３７が配置され、第１基板１１０の外側に、観察側（図示上側）に向けて位相差板１３８及び偏光板１３９が配置される。これらの偏光板１３６，１３９及び位相差板１３７，１３８は、第１基板１１０及び第２基板１２０の外面上に貼着固定される。
【００６６】
この実施形態では、反射層１２３が金属で構成されていて、表示領域Ｄ内において全面的に形成された第１絶縁層１２５によって反射層１２３と電極１２２ａ−１との間の絶縁が確保されている。したがって、電極１２２ａ−１と反射層１２３との間の電気リークによって表示品位が損なわれることはない。
【００６７】
上記実施形態では、第１絶縁層１２５を表示領域Ｄ内に全面的に形成するとともに、第２絶縁層１２６を表示領域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することにより、第２基板１２０に、光透過領域Ｐｔが低くなるように構成された凹凸表面を形成している。しかしながら、本発明はこのような場合に限られるものではない。たとえば、第１絶縁層１２５を表示領域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することによって第１基板１２０の凹凸表面を形成し、この上に第２絶縁層１２６を全面的に形成することによって電気リークを防止してもよい。さらには、第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６の双方を表示慮域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することによって凹凸表面を形成するようにしても構わない。この場合、第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６のいずれか少なくとも一方が反射層１２３と電極１２２ａ−１との間に介在するようにすれば（第１絶縁層１２５の非形成範囲と、第２絶縁層１２６の非形成範囲とが平面的に重ならないようにすれば）、上記の電気リークを防止し、これに起因する表示品位の低下を回避できる。
【００６８】
図５は、本実施形態における第２基板１２０について、周辺領域Ｅの一部（表示領域Ｄに隣接する部分）を拡大して示す拡大部分断面図である。ここで、断面の方向は、上記配線１２２ａ−２の延長方向としてある。また、図５に示す各層の厚さと長さの比は実際のものとは大幅に異なり、厚さを長さに対して拡大して強調表示してある。
【００６９】
図５（ａ）に示す構成においては、上述のように第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の上に接続パッド部１２２ａｐが配置されている。これによって、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の外縁が接続パッド部１２２ａｐよりも外側に配置されていることになるため、配線１２２ａ−２の下地表面には、その延長方向に向けて見たとき、各絶縁層の外縁によって生ずる表面段差や傾斜面などが存在しないことになる。したがって、帯状導体１２２の成膜時におけるカバレッジ不足などによる配線１２２ａ−２の断線が発生しにくくなることから、線欠陥の発生が低減される。
【００７０】
また、この実施形態では、接続パッド部１２２ａｐが第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の上に配置されていることによって、接続パッド部１２２ａｐは、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の厚さ分だけ基板１２１の表面より高い位置に形成されていることになる。したがって、その分だけ、導電スペーサ１３１Ａの直径を小さく構成することが可能になる。
【００７１】
なお、接続パッド部１２２ａｐは、第２絶縁層１２６の平坦な表面部分に形成されている。これによって、接続パッド１２２ａｐと対向する接続パッド１１２ｂｐとの間のシール材１３１を介した導電接続の信頼性を向上させることが可能になる。
【００７２】
図５（ｂ）に示す構成は、第１絶縁層１２５の外縁が接続パッド部１２２ａｐよりも外側に配置されているが、第２絶縁層１２６の外縁が接続パッド部１２２ａｐよりも内側に配置されている。これによって、接続パッド部１２２ａｐは第１絶縁層１２５の上に配置されているが、第２絶縁層１２６の上には配置されていない。したがって、図５（ａ）に示す構成に較べると、配線１２２ａ−２の下地表面に第２絶縁層１２６の外縁に起因する段差或いは傾斜面が形成されるとともに、接続パッド部１２２ａｐも低い位置に形成されることになる。しかしながら、従来構造に較べると、配線１２２ａ−２の下地表面の段差量も少なくなり、接続パッド部１２２ａｐの高さも高くなるため、一定の効果が得られる。
【００７３】
図５（ｃ）に示す構成においては、遮光層１２９を外側へ張り出すように延長形成し、この遮光層１２９の上に接続パッド部１２２ａｐが形成されている。すなわち、接続パッド部１２２ａｐの下層には、基板１２１上に、遮光層１２９、第１絶縁層１２５、第２絶縁層１２６が順次積層されている。これによって、配線１２２ａ−２の下地表面にはほとんど段差や傾斜面が存在しなくなるため、配線の断線の発生確率をさらに低減することができる。また、接続パッド部１２２ａｐはさらに高い位置に配置されることになるので、導電スペーサ１３１Ａの直径をさらに低減できる。
【００７４】
この場合、たとえば、図５（ｃ）に点線で示すように、上記遮光層１２９の代わりに、着色層１２４を接続パッド１２２ａｐの下層に形成することも可能である。この場合にも、着色層１２４の厚さ分だけ接続パッド１２２ａｐを高い位置に形成できるため、上記と同様の効果が得られる。
【００７５】
次に、図６及び図７を参照して、本実施形態における導電スペーサ１３１Ａと配線１１２ａとの関係について説明する。なお、図６は図５（ａ）に示す構造を前提として描いてあるが、図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示す構造であっても構わない。
【００７６】
この実施形態では、図６に示すように、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の上に接続パッド部１２２ａｐが形成され、この接続パッド部１２２ａｐと、これに対向配置された接続パッド部１１２ｂｐとの間にシール材１３１が介在し、その中の導電スペーサ１３１Ａによって上下導通部の導電接続状態が実現されている。このとき、導電スペーサ１３１Ａの直径Ｇｃは、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の厚さ分だけ、図１４に示す従来構造の場合よりも小さくなっている。なお、図６において、表示領域内の絶縁スペーサ１３５Ａによって規制される光反射領域Ｐｒの液晶層１３５の厚さはＧａ、光透過領域Ｐｔにおける液晶層１３５の厚さはＧｂとなっている。
【００７７】
図７は、第１基板１１０の図１に示す領域VIIを拡大して示す拡大部分平面図である。上述のように、シール材１３１は接続パッド部１１２ｂｐに重なる領域に形成されている。また、このシール材１３１の形成領域には図１にも示す交差範囲Ｋにおいて配線１１２ａが通過し、シール材１３１と交差して上記基板張出部１１０Ｔに引き出されている。この交差範囲Ｋにおいては、複数の配線１１２ａがほぼ平行に配列されている。
【００７８】
シール材１３１の内部には上述のように導電スペーサ１３１Ａが分散配置されているが、この導電スペーサ１３１Ａの直径が大きくなると、交差範囲Ｋにおいて、隣接する配線１１２ａの間隙Ｇｄを充分に確保しないと、隣接する配線１１２ａ同士が短絡する危険性がある。ところが、本実施形態では、上記のように絶縁層（第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６）の上に配線１２２ａ−２の接続パッド部１２２ａｐを形成しているため、当該絶縁層の厚さ分だけ異方性導電材であるシール材１３１の導電スペーサ１３１Ａを小さく構成している。したがって、その分、配線１１２ａ間の短絡を回避しつつ当該配線間の間隙Ｇｄを小さくすることが可能になる。このように間隙Ｇｄを小さくすることにより、配線１１２ａの本数を増大させることが可能になるため、液晶装置１００の高精細化が可能になる。
【００７９】
［電子機器］
最後に、図１１及び図１２を参照して、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。この実施形態では、上記電気光学装置（液晶装置１００）を表示手段として備えた電子機器について説明する。図１１は、本実施形態の電子機器における液晶装置１００に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１９１と、表示情報処理回路１９２と、電源回路１９３と、タイミングジェネレータ１９４とを含む表示制御回路１９０を有する。また、上記と同様の液晶装置１００には、上述の構成を有する液晶パネル１００Ａを駆動する駆動回路１００Ｂが設けられている。この駆動回路１００Ｂは、上記のように液晶パネル１００Ａに直接実装されている電子部品（半導体ＩＣチップ）１３２，１３３で構成される。ただし、駆動回路１００Ｂは、上記のような態様の他に、パネル表面上に形成された回路パターン、或いは、液晶パネルに導電接続された回路基板に実装された半導体ＩＣチップ若しくは回路パターンなどによっても構成することができる。
【００８０】
表示情報出力源１９１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１９２に供給するように構成されている。
【００８１】
表示情報処理回路１９２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１００Ｂへ供給する。駆動回路１００Ｂは、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路１９３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００８２】
図１２は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話の外観を示す。この電子機器１０００は、操作部１００１と、表示部１００２とを有し、表示部１００２の内部に回路基板１１００が配置されている。回路基板１１００上には上記の液晶装置１００が実装されている。そして、表示部１００２の表面において上記液晶パネル１００Ａを視認できるように構成されている。
【００８３】
本実施形態の液晶装置１００は、上記のように透過表示と反射表示とを状況に応じて切り替えて実施することが可能であるため、上記のような携帯型の電子機器に搭載される場合に特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態の液晶装置の全体構成を示す概略分解斜視図。
【図２】 実施形態の液晶装置の概略平面透視図。
【図３】 実施形態の第２基板の導体パターンの一部を拡大して示す拡大部分平面図。
【図４】 実施形態の上下導通部を拡大して示す拡大部分断面図。
【図５】 実施形態の第２基板の周辺領域の一部の構成例を拡大して示す拡大部分断面図（ａ）〜（ｃ）。
【図６】 実施形態の周辺領域の一部を拡大して示す拡大部分断面図。
【図７】 実施形態の一部を拡大して示す拡大平面透視図。
【図８】 実施形態の表示領域及び周辺領域の一部を拡大して示す部分拡大平面図。
【図９】 実施形態の表示領域の一部における第２基板の配線の延長方向に沿った断面を拡大して示す部分拡大断面図。
【図１０】 実施形態の表示領域の一部における第２基板の配線の延長方向と直交する断面を拡大して示す拡大平面断面図。
【図１１】 電子機器に搭載された電気光学装置及びその制御手段を示す概略構成図。
【図１２】 電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図１３】 従来の半透過反射型の液晶表示装置の構造を示す拡大部分断面図。
【図１４】 従来の半透過反射型の液晶表示装置の図１３と直交する断面を示す拡大部分断面図。
【符号の説明】
１００…液晶装置、１１０…第１基板、１１１…基板、１１２ａ…配線、１１２Ｐ…画素電極、１１３…駆動素子、１２０…第２基板、１２１…基板、１２２…導体パターン、１２２ａ…帯状導体、１２２ａ−１…電極、１２２ａ−２…配線、１２２ａｐ…接続パッド部、１２３…反射層、１２３ａ…開口部、１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂ…着色層、１２９…遮光層、１２５…第１絶縁層、１２６…第２絶縁層、１３１…シール材、１３１Ａ…導電スペーサ、１３２，１３３…電子部品、１３５…液晶層、１３５Ａ…絶縁スペーサ、Ｄ…表示領域、Ｅ…周辺領域、Ｋ…交差範囲
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に係り、特に、表示領域に設けられた電極に接続された配線を有する液晶表示装置として構成する場合に好適な構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置などの電気光学装置においては、一対の対向する電極間に電気光学層を配置してなる複数の画素が配列された表示領域（有効動作領域）と、この表示領域の外側に配置された周辺領域とが設けられる。この周辺領域には、表示領域に設けられた上記電極から引き出された複数の配線が配設され、これらの配線を介して上記電極が駆動され、表示領域に所望の表示態様が実現される。
【０００３】
上記電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明すると、たとえば、ガラスなどの基板上に反射層が形成され、この反射層上にカラーフィルタを構成する着色層が形成され、さらに、この着色層上に透明な絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電体で構成された透明電極が形成された構造を有するものが知られている。このような液晶表示装置がたとえば反射型カラー液晶表示装置である場合には、一方の基板１の上に反射層２、保護膜３、遮光膜１３、着色層４、保護膜６、密着性向上層５、電極７が順次積層された構造を有する（例えば、以下の特許文献１参照）。
【０００４】
一方、特に携帯型電子機器においては、反射表示と透過表示のいずれもが表示可能に構成された半透過反射型の液晶表示装置が採用される場合が多い。このような半透過反射型の液晶表示装置としては、たとえば、反射機能を有する反射層に画素毎に開口部を形成することにより、この開口部を通してバックライトなどの照明手段の光を透過可能に構成したものが知られている（例えば、以下の特許文献２参照）。すなわち、画素のうち、上記の開口部が設けられている部分が光透過領域となり、その他の部分が光反射領域となるので、昼間などでは光反射領域にて反射される反射光によって表示を視認可能とし、夜間などにおいては照明手段を点灯させて光透過領域を透過する透過光によって表示を視認可能とする。
【０００５】
ところで、上記のような半透過反射型の液晶表示装置においては、透過表示を行う場合には、表示光は照明手段から入射して液晶層を一回だけ通過するのに対して、反射表示を行う場合には、外光が入射して反射層によって反射された表示光は液晶層を往復２回通過するため、リタデーションΔｎ・ｄ（Δｎは液晶分子の屈折率異方性、ｄは液晶層の厚さ）の関数である光変調度合が透過表示と反射表示とで大きく異なることとなることから、透過表示と反射表示とをそれぞれ最適化することが困難であるという問題点がある。すなわち、透過表示と反射表示の一方の表示品位を優先すると他方の表示品位が犠牲になる。このため、上記の液晶表示装置では、上記光透過領域の液晶層を厚く、また、上記光反射領域の液晶層を薄く構成することによって、両表示のコントラストなどを共に向上させる構造（マルチギャップ構造）を採用している。
【０００６】
ところが、このような半透過反射型の液晶表示装置では、光反射領域の電極を反射層を兼ねた金属電極とし、光透過領域の電極をＩＴＯなどで構成された透明電極としているため、基板内面上に金属電極が露出していることから耐食性の問題が生じやすいとともに、この金属電極と対向する透明電極との間に極性差が生ずるため、表示品位の低下や長期信頼性の低下をもたらすという問題点がある。
【０００７】
このような問題点を解決する方法としては、反射層上に絶縁層を介して透明電極を形成する方法がある。この方法では、反射層が絶縁層により被覆されるために耐食性の問題を回避することができるとともに、反射層とは別に透明電極を設けるために上記のような極性差が生じないという利点がある。また、このように構成する場合に、カラーフィルタの着色層を保護するための保護膜をパターニングすることにより基板上に表面凹凸を構成し、これによって上記のように光透過領域の液晶層を厚く、光反射領域の液晶層を薄くする構造が採用される場合がある。このような構造を有する液晶表示装置の細部構造を図１３及び図１４に示す。
【０００８】
ここで、図１３は、後述する透明電極２２２ａ−１の延長方向と直交する断面を示す拡大部分断面図、図１４は、同透明電極２２２ａ−１の延長方向と平行な断面を示す拡大部分断面図である。
【０００９】
図１３及び図１４に示す液晶表示装置２００においては、第１基板２１０と第２基板２２０との間に液晶層２３５が配置される。第１基板２１０には、基板２１１上に、配線２１１ａ、駆動素子２１３及び画素電極２１２Ｐが形成され、これらの上に配向膜２１８が形成されている。また、第２基板２２０には、基板２２１上に透明下地層２２７、反射層２２３、着色層２２４、保護膜２２５、透明電極２２２ａ−１及び配線２２２ａ−２、配向膜２２８が順次形成されている。反射層２２３には画素Ｐ毎に開口部２２３ａが形成され、この開口部２２３ａによって光透過領域Ｐｔが構成され、その他の部分は光反射領域Ｐｒとなっている。画素間には遮光層２２９が形成されている。なお、第１基板２１０と第２基板２２０との間には絶縁スペーサ２３５Ａが配置され、基板間ギャップＧａを規制している。
【００１０】
この液晶表示装置では、保護膜２２５をパターニングするだけで光透過領域Ｐｔにおいて液晶層２３５の厚さＧｂを厚くし、光反射領域Ｐｒにおいて液晶層２３５の厚さＧａを薄くしている。これによって、液晶層２３５を一回だけ透過する光（透過光）によって構成される透過表示と、液晶層２３５を往復２回透過する光（反射光）によって構成される反射表示との間の表示態様の差を低減している。
【００１１】
また、上記配線２２２ａ−２の端部は表示領域から引き出されて周辺領域において拡幅した接続パッド部２２２ａｐとなっており、この接続パッド部２２２ａｐは、シール材２３１を介して接続パッド部２１２ｂｐに接着されている。ここで、シール材２３１は、多数の導電スペーサ２３１Ａが基材中に分散配置された異方性導電材となっている。そして、この導電スペーサ２３１Ａによって接続パッド部２２２ａｐと２１２ｂｐとが導電接続されている。すなわち、この異方性導電材であるシール材２３１の上記接続パッド部２２２ａｐと２１２ｂｐとの間に配置された部分によって第１基板２１０と第２基板２２０との間を導通させる上下導通部が構成されている。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００２−１４３３４号公報
【特許文献２】
特開平１１−２４２２２６号公報（特に、図１、図４、図２４、図２５など参照。）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１３及び図１４に示した半透過反射型の液晶表示装置においては、光透過領域Ｐｔにおいて着色層２２４上に保護膜２２５が形成されていないことから、着色層２２４を介して反射層２２３と透明電極２２２ａ−１との間にリーク電流が流れ、これによって表示品位が低下するといった問題点がある。上記の問題点を解消するために、光透過領域Ｐｔにおいても反射層２２３の開口部２２３ａ上に絶縁層を形成する場合が考えられるが、この場合には、この絶縁層や保護膜の厚さが増大するため、特に、透明電極２２２ａ−１に接続された配線２２２ａ−２の下地表面に、大きな表面段差が生じたり、表面傾斜角が増大したりすることにより、透明導電体の成膜時においてカバレッジ不足などにより配線に断線が発生するという問題点が考えられる。この配線の断線が発生すると、上記透明電極２２２ａ−１がストライプ状に構成されている場合には、当該透明電極２２２ａ−１が伸びている画素列全体に表示不良が発生するという深刻な問題を生ずる。
【００１４】
また、上述のように異方性導電材としての機能をも有する上記シール材２３１中には、第１基板２１０と第２基板２２０との間隔Ｇｃに対応する外径を有する導電スペーサ２３１Ａが分散配置されている。この導電スペーサ２３１Ａは、表示領域内に配置された絶縁スペーサ２３５Ａの外径Ｇａが２〜３μｍであるのに対して、６〜７μｍ程度と大きくなっていることによって、シール材２３１を全周に亘って形成することができなくなる場合があるという問題点がある。
【００１５】
例えば、第１基板２１０に形成されている配線２１２ａは、シール材２３１の形成領域を通過して表示領域外に引き出され、図示しない給電端子に接続されている。このとき、配線２１２ａ間の間隙を小さくしようとすると、上記のように比較的大きな外径Ｇｃを有する導電スペーサ２３１Ａによって隣接する配線２１２ａ間が短絡してしまうおそれがある。したがって、配線２１２ａ間の間隙は、導電スペーサ２３１Ａによって短絡が生じない程度に充分に大きく設定する必要があり、その結果、配線数を増大させることが困難になり、高精細な液晶表示装置を構成することが難しくなる。したがって、上記のような異方性導電材で構成されたシール材２３１を全周に亘って構成することができないため、少なくとも上記配線２１２ａの通過部分には導電スペーサ２３１Ａではなく、絶縁スペーサを含んだ、異方性導電機能を有しないシール材を別途配置する必要が生じ、これによって、製造工数が増え、製造コストが増大する。
【００１６】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、基板上に電極及びこれに接続された配線を形成してなる電気光学装置用基板及び電気光学装置において、電極に接続された配線の断線を低減することができるとともに、異方性導電材に含まれている導電スペーサによる他の配線間の短絡を防止することができる構造を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の電気光学装置用基板は、基板上に複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置用基板において、前記基板上には前記画素毎に、反射層からなる光反射領域と前記反射層が形成されない光透過領域とを具備し、前記反射層上に絶縁層が形成され、前記表示領域には、前記絶縁層の有無若しくは厚さの変化により、前記光透過領域の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、前記凹凸表面上に電極が配置され、前記電極に接続された配線が設けられ、前記配線は、前記絶縁層の上に配置された接続パッド部を有することを特徴とする。
【００１８】
上記のように、反射層上に絶縁層を形成し、絶縁層の有無若しくは厚さの変化により開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成されていることにより、マルチギャップタイプの電気光学装置を容易に構成することができる。
【００１９】
本発明では、上記の凹凸表面によるマルチギャップ構造を構成したとき、表示領域に設けられた電極に接続された配線の接続パッド部が上記絶縁層上に配置されていることにより、絶縁層の外縁によって生ずる段差や傾斜面が配線に影響しなくなるため、配線の断線を防止することができる。
【００２０】
また、絶縁層の厚さ分だけ接続パッド部を高い位置に設置することができるため、多数の導電体を基材中に分散配置してなる異方性導電材によって接続パッド部を電気光学層の反対側に導電接続する場合に、当該導電体を小さく形成することが可能になり、これにより、当該異方性導電材による電気光学装置に設けられた別の高密度配線の短絡事故の発生を防止できるようになる。したがって、電気光学装置の高精細化を妨げることなく、異方性導電材を電気光学装置を構成するシール材と兼用することが可能になり、構造の簡略化や製造コストの低減を図ることが可能になる。
【００２１】
ここで、上記絶縁層は、透光性を有する無機材料や有機材料などによって構成できる。無機材料としては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５などが挙げられる。また、有機材料としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂などが挙げられる。特に樹脂材料によって構成する場合、感光性樹脂材料をフォトリソグラフィ法によってパターニングすることが好ましい。
【００２２】
また、本発明に係る別の電気光学装置用基板は、基板上に複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置用基板において、前記基板上には着色層が形成され、該着色層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に電極が配置され、前記電極に接続された配線が設けられ、前記配線は、前記周辺領域において前記絶縁層の上に配置された接続パッド部を有することを特徴とする。
【００２３】
この場合にも、着色層上に形成された絶縁層の上に接続パッド部を設けることによって、絶縁層の外縁により生ずる段差や傾斜面の影響を配線が受けることはなくなるため、配線の断線を防止することができる。また、絶縁層の厚さ分だけ接続パッド部を高い位置に設置することができるため、多数の導電体を基材中に分散配置してなる異方性導電材によって接続パッド部を電気光学層の反対側に導電接続する場合に、導電体を小さく形成することが可能になり、これにより、当該異方性導電材による別の高密度配線の短絡事故を防止でき、異方性導電材をシール材と兼用することも可能になる。
【００２４】
ここで、前記接続パッド部は、前記着色層上に配置されていることが好ましい。これによって、接続パッド部が着色層の厚さ分だけさらに高い位置に配置されることになるため、異方性導電材による別の高密度配線の短絡事故をより確実に防止できる。
【００２５】
また、前記表示領域には、前記絶縁層の有無若しくは厚さの変化により凹凸表面が構成されていることが好ましい。絶縁層の有無若しくは厚さの変化により凹凸表面が構成されていることにより、マルチギャップ構造を構成できる。また、このような凹凸表面を構成する場合には、絶縁層の厚さが必然的に厚くなるので、上記の配線の断線や異方性導電材による高密度配線の短絡事故が発生しやすくなることから、本発明はより効果的である。
【００２６】
本発明において、前記絶縁層上には平坦な表面部が形成され、該表面部上に前記接続パッド部が形成されていることが好ましい。これによれば、接続パッド部が平坦な表面部上に形成されていることにより、異方性導電材を用いた接続パッド部の導電接続部分の信頼性を向上させることができる。
【００２７】
本発明において、前記接続パッド部は、前記絶縁層における前記凹凸表面の高い表面部位における厚さと略同一の厚さを有する部分の上に配置されていることが好ましい。これによれば、接続パッド部がさらに高い位置に形成されるため、異方性導電材を用いて接続パッド部を導電接続する場合に、別の高密度配線の短絡事故をより確実に防止することができ、また、異方性導電材をシール材と兼用することもより容易になる。
【００２８】
本発明において、前記絶縁層は、前記基板上に順次に積層された第１絶縁層及び第２絶縁層で構成され、前記表示領域には、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方が部分的に存在しないことにより前記凹凸表面が構成されていることが好ましい。これによれば、第１絶縁層と第２絶縁層の少なくとも一方をパターニングすることによって容易に凹凸表面を構成できる。また、２層構造とすることによって絶縁性を確保することができる。なお、第１絶縁層と第２絶縁層は相互に同じ材料によって構成されていてもよく、或いは、相互に異なる材料によって構成されていてもよい。
【００２９】
この場合に、前記接続パッド部は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の上に配置されていることが好ましい。これによれば、接続パッド部がさらに高い位置に形成されるため、異方性導電材を用いて接続パッド部を導電接続する場合に、別の高密度配線の短絡事故をより確実に防止することができ、また、異方性導電材をシール材と兼用することもより容易になる。
【００３０】
また、前記第１絶縁層は前記表示領域において全面的に形成され、前記第２絶縁層が部分的に形成されていることにより前記凹凸表面が構成されていることが好ましい。これによれば、上層の第２絶縁層を部分的に形成することにより形状のダレなどが少なくなるため、凹凸表面をより制御性良く形成することができる。
【００３１】
本発明において、前記周辺領域には遮光層が構成され、前記接続パッド部は、前記遮光層の上に配置されていることが好ましい。遮光層が構成されていることによって配線は遮光層の厚さ分高い位置に形成されることになるが、本発明では、接続パッド部も遮光層上に配置されていることにより、遮光層の厚さ分の段差が発生しないため、配線の断線を発生しにくく構成できる。また、遮光層の厚さ分だけ接続パッド部が高い位置に構成されるため、異方性導電材による接続パッド部の導電接続構造を設ける場合に、異方性導電材中の導電体を小さくすることができるため、当該導電体による別の高密度配線の短絡事故を防止することができる。
【００３２】
ここで、遮光部は、配線と絶縁層との間、絶縁層の下、絶縁層が第１絶縁層と第２絶縁層とで構成されている場合には第２絶縁層と第１絶縁層との間、のいずれに配置されていてもよいが、特に、絶縁層の下層に遮光部が構成されていることが望ましい。
【００３３】
なお、この遮光部は、黒色樹脂などにより単一材料で構成することもでき、また、後述するように、複数色の着色層を積層することによって構成することも可能である。
【００３４】
次に、本発明に係る電気光学装置は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置され、複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置において、前記電気光学層の一方側には基板が配置され、該基板上には前記画素毎に、反射層からなる光反射領域と前記反射層が形成されない光透過領域とを具備し、前記反射層上に絶縁層が配置され、
前記表示領域には、前記絶縁層の有無若しくは厚さの変化により、前記光透過領域の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、前記凹凸表面上に電極が配置され、前記電極に接続された配線が設けられ、前記配線は、前記絶縁層の上に配置された接続パッド部を有し、前記接続パッド部は、上下導通部を介して前記電気光学層の反対側に導電接続されていることを特徴とする。
【００３５】
この発明によれば、絶縁層によって構成された凹凸表面により電気光学装置にマルチギャップ構造を構成することが可能になる。また、この構造を構成するために必要な絶縁層上に配線の接続パッド部を設けることにより、絶縁層の外縁により生ずる段差や傾斜面が配線に影響しなくなるため、配線の断線を防止することができる。
【００３６】
また、絶縁層の厚さ分だけ接続パッド部を高い位置に設置することができるため、上下導通部として多数の導電体を基材中に分散配置してなる異方性導電材を用いた場合には、その導電体を小さく形成することが可能になり、これにより、当該異方性導電材による電気光学装置に設けられた別の高密度配線の短絡事故の発生を防止できるようになる。したがって、配線の高密度化や配線本数の増大により電気光学装置の高精細化を図ることができる。また、異方性導電材を電気光学装置を構成するシール材と兼用することが可能になり、構造の簡略化や製造コストの低減を図ることが可能になる。
【００３７】
次に、本発明に係る別の電気光学装置は、一対の電極の間に電気光学層が配置され、複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置において、前記電気光学層の一方側には基板が配置され、該基板上には着色層が形成され、該着色層上に絶縁層が配置され、前記絶縁層の上に電極が配置され、前記電極に接続された配線が設けられ、前記配線は、前記絶縁層の上に配置された接続パッド部を有し、前記接続パッド部は、上下導通部を介して前記電気光学層の反対側に導電接続されていることを特徴とする。
【００３８】
この場合にも、着色層上に形成された絶縁層の上に接続パッド部を設けることによって、絶縁層の外縁により生ずる段差や傾斜面の影響を配線が受けることはなくなるため、配線の断線を防止することができる。また、絶縁層の厚さ分だけ接続パッド部を高い位置に設置することができるため、上下導通部として多数の導電体を基材中に分散配置してなる異方性導電材を用い、これによって接続パッド部を電気光学層の反対側に導電接続する場合に、その導電体を小さく形成することが可能になり、その分、当該異方性導電材による別の高密度配線の短絡事故を防止でき、異方性導電材をシール材と兼用することも可能になる。
【００３９】
本発明において、前記上下導通部は多数の導電体が基材中に分散配置されてなる異方性導電材により構成され、該異方性導電材の形成領域には、複数の他方の前記電極に接続された複数の配線が通過していることが好ましい。他方の電極にそれぞれ接続された複数の配線が異方性導電材の形成領域を通過している場合には、異方性導電材中の導電体が上記のように小さく構成されることにより、これら複数の配線の間隙を小さく設定しても短絡事故が生じないように構成できるので、電気光学装置の小型化及び高精細化を図ることが可能になる。
【００４０】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置され、複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置の製造方法において、基板上に前記画素毎に反射層からなる光反射領域を形成し、前記反射層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に一方の前記電極及び該一方の電極に接続された配線を形成し、前記配線には、前記絶縁層上に配置された接続パッド部を設け、前記接続パッド部を、多数の導電体を基材中に分散させてなる異方性導電材を介して前記電気光学層の反対側に導電接続させることを特徴とする。
【００４１】
また、本発明に係る別の電気光学装置の製造方法は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置され、複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置の製造方法において、前記電気光学層の一方側に配置される基板上に着色層を形成し、該着色層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に一方の前記電極及び該一方の電極に接続された配線を設け、前記配線には、前記周辺領域において前記絶縁層上に接続パッド部を設け、前記接続パッド部を、多数の導電体を基材中に分散させてなる異方性導電材を介して前記電気光学層の反対側に導電接続させることを特徴とする。
【００４２】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の電気光学装置と、該電気光学装置の制御手段とを有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、半透過反射型の構成を有することによって透過表示と反射表示のいずれでも表示が可能となるため、特に、携帯電話機、携帯型情報端末、電子時計などの携帯型電子機器を構成する上できわめて有効である。
【００４３】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る電気光学装置用基板、電気光学装置、その製造方法及び電子機器の実施形態について詳細に説明する。以下に説明する各実施形態は、いずれも電気光学装置の一種である液晶装置に関するものであるが、本発明は、液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、フィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置に用いることができるものである。
【００４４】
最初に、本実施形態の液晶装置１００の全体構成について説明する。図１は液晶装置１００の分解斜視図、図２は液晶装置１００の平面透視図である。液晶装置１００は、第１基板１１０と、第２基板１２０とをシール材１３１によって貼り合せ、第１基板１１０、第２基板１２０及びシール材１３１によって囲まれた空間内に図示しない電気光学物質である液晶を封入したものである。第１基板１１０は、第２基板１２０の外形よりも張り出した基板張出部１１０Ｔを有し、この基板張出部１１０Ｔの表面上に液晶駆動回路などを内蔵した電子部品（半導体ＩＣチップ）１３２，１３３が実装されている。これらの電子部品１３２，１３３の図示しない複数の端子は、基板張出部１１０Ｔ上にそれぞれ引き出された配線１１２ａ、配線１１２ｂ及び入力端子１１２ｃ，１１２ｄに導電接続されている。
【００４５】
第１基板１１０においては、ガラスやプラスチックなどの透明材料で構成される基板１１１の表面上にＩＴＯなどで構成された導体パターン１１２が形成されている。この導体パターン１１２には、シール材１３１の内側に設定された表示領域Ｄ（図２参照）内にストライプ状に形成された配線１１２ａが含まれる。これらの配線１１２ａは、図示を省略した駆動素子（たとえば、ＴＦＤ（薄膜ダイオード））に接続されている。配線１１２ａは、表示領域Ｄ内から上記基板張出部１１０Ｔの表面上に引き出され、その端部が給電端子となり、複数の給電端子が配列されて給電端子部１１２ａｓが構成されている。また、表示領域Ｄの外側には周辺領域Ｅ（図２参照）が設けられている。この周辺領域Ｅには基板１１１上に複数の配線１１２ｂが形成されている。これらの配線１１２ｂには、表示領域Ｄとの境界線に沿って配設された接続パッド部１１２ｂｐが設けられている。また、配線１１２ｂにおける接続パッド部１１２ｂｐとは反対側の端部は、上記基板張出部１１０Ｔに引き出されて給電端子となり、複数の給電端子が配列された給電端子部１１２ｂｓが構成されている。さらに、基板張出部１１０Ｔの端縁近傍には、複数の入力端子１１２ｃ，１１２ｄが形成されている。これらの入力端子１１２ｃ，１１２ｄは、図示しないフレキシブル配線基板などの配線部材が接続されることにより、外部の表示制御手段から制御信号や表示データなどを導入可能とするためのものである。
【００４６】
一方、第２基板１２０には、ガラスやプラスチックなどで構成された基板１２１の表面（第１基板１１０と対向する内面）上に、ＩＴＯなどで構成される導体パターン１２２が形成されている。この導体パターン１２２には、ストライプ状に構成された複数の帯状導体１２２ａが設けられている。これらの帯状導体１２２ａの端部にはそれぞれ接続パッド部１２２ａｐが形成されている。これらの帯状導体１２２ａは、上記第１基板１１０の配線１１２ａの延長方向と直交する方向に伸びている。
【００４７】
図３は、第２基板１２０に設けられた帯状導体１２２ａの両端部近傍を拡大して示す概略平面図である。帯状導体１２２ａは、表示領域Ｄ内に配置された部分が電極１２２ａ−１となっており、この電極１２２ａ−１と一体に構成された配線１２２ａ−２は周辺領域Ｅに引き出されている。上記接続パッド部１２２ａｐは上記配線１２２ａ−２の外側の端部において拡幅した形状に構成されている。なお、この配線１２２ａ−２及びその近傍の構成について以下に説明する場合、表示領域Ｄ側を内側、周辺方向Ｅ側或いはさらにその外縁に向かう方向を外側ということにする。
【００４８】
図４に示すように、帯状導体１２２ａの接続パッド部１２２ａｐは、シール材１３１を介して配線１１２ｂの接続パッド部１１２ｂｐに接続されている。シール材１３１には、樹脂基材中に多数の微小な導電体である導電スペーサ１３１Ａが分散配置されている。導電スペーサ１３１Ａは球状に構成されている。導電スペーサ１３１Ａとしては、金属などの導電体で構成されたもの、プラスチックなどの絶縁体の表面にめっきなどで金属などの導電層を形成したものなどを用いることができる。なお、図４ではシール材１３１の幅が導電スペーサ１３１Ａの直径のほぼ２倍程度に描かれているが、実際には、導電スペーサ１３１Ａの外径は５〜１０μｍ程度であり、シール材１３１の幅は０．１〜３．０ｍｍ程度である。これらの導電スペーサ１３１Ａは、第１基板１１０と第２基板１２０とがシール材１３１を介して貼り合わされ、加圧された状態でシール材１３１が硬化されたとき、接続パッド部１２１ｂｐと接続パッド部１２２ａｐとを導電接続するように構成されている。より具体的には、上記のような構成によりシール材１３１は導電異方性を有するので、複数の接続パッド部１１２ｂｐと接続パッド部１２２ａｐとは、このシール材１３１を介して相互に対応するもの同士のみが導電接続される。そして、図２に示す平面配置において、矩形枠状に形成されたシール材１３１の左右両側にある、接続パッド部１１２ｂｐの列と接続パッド部１２２ａｐの列とが対向配置されている部位に配置された部分１３１Ｄは、第１基板１１０と第２基板１２０とを導電接続するための上下導通部を構成している。
【００４９】
この実施形態では、上記の上下導通部に設けられる接続パッド部１２２ａｐは、基板１２１の表面上に直接形成されているのではなく、上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の上に形成されている。すなわち、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６は表示領域Ｄから外側へ張り出して周辺領域Ｅにまで形成され、周辺領域Ｅにおいてその表面が平坦に構成された部分が設けられ、この平坦な表面部分に上記接続パッド部１２２ａｐが形成されている。
【００５０】
次に、図５乃至図１０を参照して本発明に係る電気光学装置用基板及び電気光学装置の実施形態についてより詳細に説明する。図８は、液晶装置１００の第２基板１２０について表示領域Ｄと周辺領域Ｅの境界近傍を示す拡大平面透視図、図９は、液晶装置１００の表示領域Ｄ内の一部を配線１２２ａ−２の延長方向に切断した状態を示す拡大断面図、図１０は、液晶装置１００の表示領域Ｄ内の一部を配線１２２ａ−２の延長方向と直交する方向に切断した状態を示す拡大断面図である。
【００５１】
この実施形態では、図８に示すように、表示領域Ｄにおいて複数の画素Ｐが平面的に配列形成されている。表示領域Ｄ内の画素Ｐの間には画素間領域が存在し、この画素間領域には後述する遮光層１２９が形成されている。また、周辺領域Ｅの表示領域Ｄの外縁に沿った部分にも遮光層１２９が表示領域Ｄを取り囲むように構成されている。
【００５２】
図１０に示すように、第１基板１１０において、上記の配線１１２ａは、駆動素子１１３を介して画素電極１１２Ｐに接続されている。駆動素子１１３及び画素電極１１２Ｐは画素Ｐ毎に形成されている。駆動素子１１３としては、例えば、薄い絶縁膜を介して導体が接合したＭＩＭ構造を有するＴＦＤ（薄膜ダイオード素子）が挙げられる。画素電極１１２Ｐは、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電体で構成される。これらの配線１１２ａ、駆動素子１１３及び画素電極１１２Ｐの上には、ポリイミド樹脂などで配向膜１１８が形成される。
【００５３】
図９及び図１０に示すように、第２基板１２０の基板１２１上には透明下地層１２７が形成されている。この透明下地層１２７の表面には図示しない微細な凹凸が形成されている。透明下地層１２７は、たとえば、基板１２１の表面上に感光性樹脂を塗布し、所定の露光マスクを用いて露光（例えばプロキシミティ露光）した後に現像することによって微細な凹凸表面を備えた状態に形成される。この透明下地層１２７は、その凹凸表面によって以下に説明する反射層１２３の反射面を光散乱性反射面とするために設けられるものである。これによって、その上に形成された反射層１２３の表面に微細な凹凸が形成され、反射層１２３の正反射による背景の写り込みや照明光による幻惑などを防止できる。
【００５４】
上記の透明下地層１２７の上には反射層１２３が形成される。この反射層１２３は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金などの金属材料で、蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成される。反射層１２３には、図８に示すように、上記画素Ｐ毎に開口部１２３ａが形成される。この開口部１２３ａによって画素Ｐ内には光透過領域Ｐｔが構成される。この光透過領域Ｐｔ以外は、光反射領域Ｐｒとなっている。反射層の厚さは、一般的に１０００〜２０００Å程度である。
【００５５】
次に、反射層１２３の上に遮光層１２９が形成される。この遮光層１２９は、観察側（図１の下側、図９及び図１０の上側）へ放出される表示光をある程度遮断できるものであればよい。たとえば、黒色樹脂層や表面処理（酸化膜）を施した金属層などで構成できる。遮光層１２９は、光学濃度（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）が１以上であることが好ましく、特に、１．５以上であることが望ましい。遮光層１２９の厚さは、たとえば０．５〜３．０μｍ程度である。
【００５６】
また、反射層１２３及びその開口部１２３ａ上には、着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂ（以下、必要に応じて単に「着色層１２４」という場合もある。）が配置されている。各画素Ｐには、複数色の着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂのいずれかが配置されている。これらの複数色の着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂは、上記表示領域Ｄ内において所定の配列パターンとなるように配設されている。この配列パターンとしては、たとえば、公知のストライプ配列、デルタ配列、斜めモザイク配列などが挙げられる。なお、上記遮光層１２９は、上記の着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂのうちの２色以上を重ねることによって構成しても構わない。
【００５７】
これらの着色層１２４上には上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６が積層され、これらの第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６は、上記着色層１２４を外部から保護する保護膜としても機能するようになっている。
【００５８】
また、第１絶縁層１２５は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５などの透明な無機材料、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明な有機樹脂材料などで構成できる。この第１絶縁層１２５は、材料によっても異なるが、塗布法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などによって形成できる。本実施形態の場合、第１絶縁層１２５は、表示領域Ｄにおいてほぼ等しい厚さになるように形成されている。また、第１絶縁層１２５は表示領域Ｄから周辺領域Ｅに広がり、上記遮光層１２９を越えて外側にさらに広がるように構成されている。第１絶縁層１２５の厚さは、絶縁特性との兼ね合いで決定されるが、アクリル樹脂などで構成する場合には０．５μｍ程度で充分な絶縁性を備えるので、例えば０．５〜２．５μｍ程度とされる。
【００５９】
上記第１絶縁層１２５の上には第２絶縁層１２６が形成されている。この第２絶縁層１２６は、上記第１絶縁層１２５において説明した各素材により、同様の方法で構成できる。第２絶縁層１２６は、図９及び図１０に示すように、表示領域Ｄにおいて、開口部１２３ａ上の領域、すなわち光透過領域Ｐｔを避けるように構成されている。より具体的には、第２絶縁層１２６は、光透過領域Ｐｔには形成されておらず、光反射領域Ｐｒには形成されている。これによって、第２基板１２０には、光透過領域Ｐｔにおいて低くなった凹凸表面が構成される。第２絶縁層１２６の厚さは、本実施形態の場合には第２基板の表面段差量を決定するため、光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとにおける液晶層１３５の必要とされる厚さの差に応じた厚さとされる。第２絶縁層１２６の厚さは、例えば１．５〜３．０μｍ程度である。
【００６０】
なお、上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の代わりに、単一の絶縁層を構成することもできる。この場合、上記のように第２基板１２０の表面を凹凸形状に構成する場合、従来構造と同様に単一の絶縁層をパターニングして、光透過領域Ｐｔにおいては着色層１２４上に直接電極１２２ａ−１が形成されるように構成してもよい。また、単一の絶縁層を光透過領域Ｐｔでは薄く、光反射領域Ｐｒでは厚く構成するようにしてもよい。このような単一層の厚さを場所によって変えることにより構成された表面凹凸構造は、例えば、感光性樹脂の露光強度を場所によって変えることによって形成できる。
【００６１】
次に、上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電体で構成された帯状導体１２２ａが形成される。この帯状導体１２２ａは上述の通り表示領域Ｄ内の電極１２２ａ−１と周辺領域Ｅ内の配線１２２ａ−２が一体に構成されたものである。配線１２２ａ−２は周辺領域Ｅに引き出されている。電極１２２ａ−１上にはポリイミド樹脂などで配向膜１２８が形成される。
【００６２】
上記の構成によって、第２基板１２０の表面は、光透過領域Ｐｔにおいて一段低く構成された凹凸表面を有する。これによって、第１基板１１０と第２基板１２０との間に挟持された液晶層１３５は、各画素Ｐ毎に、光透過領域Ｐｔで厚く、光反射領域Ｐｒで薄くなるように構成される。すなわち、マルチギャップタイプの液晶装置が構成される。ここで、液晶層１３５の光に対する複屈折率や旋光性の程度（光変調度合）は、リタデーションΔｎ・ｄ（Δｎは液晶層１３５内の液晶分子の屈折率異方性、ｄは液晶層１３５の厚さ）の関数となるため、液晶層１３５の厚さが光透過領域Ｐｔで厚く光反射領域Ｐｒで薄いことによって、透過表示と反射表示の表示品位をより高いレベルで両立させることが可能になる。つまり、光透過領域Ｐｔでは、図示しないバックライトなどの照明手段から放出される照明光は一回だけ液晶層１３５を通過するのに対して、光反射領域Ｐｒでは、入射した外光は往復２回液晶層１３５を通過するので、液晶層１３５の厚さが光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとで等しい場合には、透過表示と反射表示のいずれか一方を光学的に最適化すると、他方は犠牲になり表示品位（例えばコントラストなど）が低下する。これに対して、本実施形態では、光透過領域Ｐｔにおける液晶層１３５は厚く、光反射領域Ｐｒにおける液晶層１３５は薄いため、上記の液晶層１３５に対する通過回数の差による影響が低減され、透過表示と反射表示を共に高品位化することができる。
【００６３】
上記液晶層１３５の厚さは絶縁スペーサ１３５Ａによって規制されている。この絶縁スペーサ１３５Ａは、第１基板１１０と第２基板１２０の凸部との間に介在し、光反射領域Ｐｒにおける液晶層１３５の厚さを規定する。
【００６４】
本実施形態においては、第１絶縁層１２５を画素Ｐ内の全面に形成することにより、反射層１２３と電極１２２ａ−１との絶縁性を確保し、また、第２絶縁層１２６をパターニングすることにより、光透過領域Ｐｔにおいて第２絶縁層１２６が存在せず、光反射領域Ｐｒにおいて第２絶縁層１２６が存在するように構成されていることにより、上記第２基板１２０の表面が凹凸状に構成されている。このように構成すると、より上層にある第２絶縁層１２６がパターニングされることによって上記凹凸表面の段差部分のダレを低減することができるため、凹凸表面形状をより制御性良く形成することができ、所望の光学特性を高精度かつ歩留まり良く得ることができるという利点がある。たとえば、光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとの境界の段差部分に形成される傾斜面の幅は、当該幅内では液晶分子の配向が乱れるため、電極１２２ａ−１に断線が生じない範囲でなるべく小さく構成することが好ましいが、上記の幅は一般的には水平方向に約８〜１０μｍ程度であるのに対して、本実施形態では５〜７μｍ程度の幅に抑制することができる。
【００６５】
なお、図９及び図１０に示すように、この液晶装置１００においては、第２基板１２０に向けて偏光板１３６及び位相差板１３７が配置され、第１基板１１０の外側に、観察側（図示上側）に向けて位相差板１３８及び偏光板１３９が配置される。これらの偏光板１３６，１３９及び位相差板１３７，１３８は、第１基板１１０及び第２基板１２０の外面上に貼着固定される。
【００６６】
この実施形態では、反射層１２３が金属で構成されていて、表示領域Ｄ内において全面的に形成された第１絶縁層１２５によって反射層１２３と電極１２２ａ−１との間の絶縁が確保されている。したがって、電極１２２ａ−１と反射層１２３との間の電気リークによって表示品位が損なわれることはない。
【００６７】
上記実施形態では、第１絶縁層１２５を表示領域Ｄ内に全面的に形成するとともに、第２絶縁層１２６を表示領域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することにより、第２基板１２０に、光透過領域Ｐｔが低くなるように構成された凹凸表面を形成している。しかしながら、本発明はこのような場合に限られるものではない。たとえば、第１絶縁層１２５を表示領域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することによって第１基板１２０の凹凸表面を形成し、この上に第２絶縁層１２６を全面的に形成することによって電気リークを防止してもよい。さらには、第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６の双方を表示慮域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することによって凹凸表面を形成するようにしても構わない。この場合、第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６のいずれか少なくとも一方が反射層１２３と電極１２２ａ−１との間に介在するようにすれば（第１絶縁層１２５の非形成範囲と、第２絶縁層１２６の非形成範囲とが平面的に重ならないようにすれば）、上記の電気リークを防止し、これに起因する表示品位の低下を回避できる。
【００６８】
図５は、本実施形態における第２基板１２０について、周辺領域Ｅの一部（表示領域Ｄに隣接する部分）を拡大して示す拡大部分断面図である。ここで、断面の方向は、上記配線１２２ａ−２の延長方向としてある。また、図５に示す各層の厚さと長さの比は実際のものとは大幅に異なり、厚さを長さに対して拡大して強調表示してある。
【００６９】
図５（ａ）に示す構成においては、上述のように第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の上に接続パッド部１２２ａｐが配置されている。これによって、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の外縁が接続パッド部１２２ａｐよりも外側に配置されていることになるため、配線１２２ａ−２の下地表面には、その延長方向に向けて見たとき、各絶縁層の外縁によって生ずる表面段差や傾斜面などが存在しないことになる。したがって、帯状導体１２２の成膜時におけるカバレッジ不足などによる配線１２２ａ−２の断線が発生しにくくなることから、線欠陥の発生が低減される。
【００７０】
また、この実施形態では、接続パッド部１２２ａｐが第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の上に配置されていることによって、接続パッド部１２２ａｐは、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の厚さ分だけ基板１２１の表面より高い位置に形成されていることになる。したがって、その分だけ、導電スペーサ１３１Ａの直径を小さく構成することが可能になる。
【００７１】
なお、接続パッド部１２２ａｐは、第２絶縁層１２６の平坦な表面部分に形成されている。これによって、接続パッド１２２ａｐと対向する接続パッド１１２ｂｐとの間のシール材１３１を介した導電接続の信頼性を向上させることが可能になる。
【００７２】
図５（ｂ）に示す構成は、第１絶縁層１２５の外縁が接続パッド部１２２ａｐよりも外側に配置されているが、第２絶縁層１２６の外縁が接続パッド部１２２ａｐよりも内側に配置されている。これによって、接続パッド部１２２ａｐは第１絶縁層１２５の上に配置されているが、第２絶縁層１２６の上には配置されていない。したがって、図５（ａ）に示す構成に較べると、配線１２２ａ−２の下地表面に第２絶縁層１２６の外縁に起因する段差或いは傾斜面が形成されるとともに、接続パッド部１２２ａｐも低い位置に形成されることになる。しかしながら、従来構造に較べると、配線１２２ａ−２の下地表面の段差量も少なくなり、接続パッド部１２２ａｐの高さも高くなるため、一定の効果が得られる。
【００７３】
図５（ｃ）に示す構成においては、遮光層１２９を外側へ張り出すように延長形成し、この遮光層１２９の上に接続パッド部１２２ａｐが形成されている。すなわち、接続パッド部１２２ａｐの下層には、基板１２１上に、遮光層１２９、第１絶縁層１２５、第２絶縁層１２６が順次積層されている。これによって、配線１２２ａ−２の下地表面にはほとんど段差や傾斜面が存在しなくなるため、配線の断線の発生確率をさらに低減することができる。また、接続パッド部１２２ａｐはさらに高い位置に配置されることになるので、導電スペーサ１３１Ａの直径をさらに低減できる。
【００７４】
この場合、たとえば、図５（ｃ）に点線で示すように、上記遮光層１２９の代わりに、着色層１２４を接続パッド１２２ａｐの下層に形成することも可能である。この場合にも、着色層１２４の厚さ分だけ接続パッド１２２ａｐを高い位置に形成できるため、上記と同様の効果が得られる。
【００７５】
次に、図６及び図７を参照して、本実施形態における導電スペーサ１３１Ａと配線１１２ａとの関係について説明する。なお、図６は図５（ａ）に示す構造を前提として描いてあるが、図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示す構造であっても構わない。
【００７６】
この実施形態では、図６に示すように、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の上に接続パッド部１２２ａｐが形成され、この接続パッド部１２２ａｐと、これに対向配置された接続パッド部１１２ｂｐとの間にシール材１３１が介在し、その中の導電スペーサ１３１Ａによって上下導通部の導電接続状態が実現されている。このとき、導電スペーサ１３１Ａの直径Ｇｃは、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の厚さ分だけ、図１４に示す従来構造の場合よりも小さくなっている。なお、図６において、表示領域内の絶縁スペーサ１３５Ａによって規制される光反射領域Ｐｒの液晶層１３５の厚さはＧａ、光透過領域Ｐｔにおける液晶層１３５の厚さはＧｂとなっている。
【００７７】
図７は、第１基板１１０の図１に示す領域VIIを拡大して示す拡大部分平面図である。上述のように、シール材１３１は接続パッド部１１２ｂｐに重なる領域に形成されている。また、このシール材１３１の形成領域には図１にも示す交差範囲Ｋにおいて配線１１２ａが通過し、シール材１３１と交差して上記基板張出部１１０Ｔに引き出されている。この交差範囲Ｋにおいては、複数の配線１１２ａがほぼ平行に配列されている。
【００７８】
シール材１３１の内部には上述のように導電スペーサ１３１Ａが分散配置されているが、この導電スペーサ１３１Ａの直径が大きくなると、交差範囲Ｋにおいて、隣接する配線１１２ａの間隙Ｇｄを充分に確保しないと、隣接する配線１１２ａ同士が短絡する危険性がある。ところが、本実施形態では、上記のように絶縁層（第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６）の上に配線１２２ａ−２の接続パッド部１２２ａｐを形成しているため、当該絶縁層の厚さ分だけ異方性導電材であるシール材１３１の導電スペーサ１３１Ａを小さく構成している。したがって、その分、配線１１２ａ間の短絡を回避しつつ当該配線間の間隙Ｇｄを小さくすることが可能になる。このように間隙Ｇｄを小さくすることにより、配線１１２ａの本数を増大させることが可能になるため、液晶装置１００の高精細化が可能になる。
【００７９】
［電子機器］
最後に、図１１及び図１２を参照して、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。この実施形態では、上記電気光学装置（液晶装置１００）を表示手段として備えた電子機器について説明する。図１１は、本実施形態の電子機器における液晶装置１００に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１９１と、表示情報処理回路１９２と、電源回路１９３と、タイミングジェネレータ１９４とを含む表示制御回路１９０を有する。また、上記と同様の液晶装置１００には、上述の構成を有する液晶パネル１００Ａを駆動する駆動回路１００Ｂが設けられている。この駆動回路１００Ｂは、上記のように液晶パネル１００Ａに直接実装されている電子部品（半導体ＩＣチップ）１３２，１３３で構成される。ただし、駆動回路１００Ｂは、上記のような態様の他に、パネル表面上に形成された回路パターン、或いは、液晶パネルに導電接続された回路基板に実装された半導体ＩＣチップ若しくは回路パターンなどによっても構成することができる。
【００８０】
表示情報出力源１９１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１９２に供給するように構成されている。
【００８１】
表示情報処理回路１９２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１００Ｂへ供給する。駆動回路１００Ｂは、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路１９３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００８２】
図１２は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話の外観を示す。この電子機器１０００は、操作部１００１と、表示部１００２とを有し、表示部１００２の内部に回路基板１１００が配置されている。回路基板１１００上には上記の液晶装置１００が実装されている。そして、表示部１００２の表面において上記液晶パネル１００Ａを視認できるように構成されている。
【００８３】
本実施形態の液晶装置１００は、上記のように透過表示と反射表示とを状況に応じて切り替えて実施することが可能であるため、上記のような携帯型の電子機器に搭載される場合に特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態の液晶装置の全体構成を示す概略分解斜視図。
【図２】 実施形態の液晶装置の概略平面透視図。
【図３】 実施形態の第２基板の導体パターンの一部を拡大して示す拡大部分平面図。
【図４】 実施形態の上下導通部を拡大して示す拡大部分断面図。
【図５】 実施形態の第２基板の周辺領域の一部の構成例を拡大して示す拡大部分断面図（ａ）〜（ｃ）。
【図６】 実施形態の周辺領域の一部を拡大して示す拡大部分断面図。
【図７】 実施形態の一部を拡大して示す拡大平面透視図。
【図８】 実施形態の表示領域及び周辺領域の一部を拡大して示す部分拡大平面図。
【図９】 実施形態の表示領域の一部における第２基板の配線の延長方向に沿った断面を拡大して示す部分拡大断面図。
【図１０】 実施形態の表示領域の一部における第２基板の配線の延長方向と直交する断面を拡大して示す拡大平面断面図。
【図１１】 電子機器に搭載された電気光学装置及びその制御手段を示す概略構成図。
【図１２】 電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図１３】 従来の半透過反射型の液晶表示装置の構造を示す拡大部分断面図。
【図１４】 従来の半透過反射型の液晶表示装置の図１３と直交する断面を示す拡大部分断面図。
【符号の説明】
１００…液晶装置、１１０…第１基板、１１１…基板、１１２ａ…配線、１１２Ｐ…画素電極、１１３…駆動素子、１２０…第２基板、１２１…基板、１２２…導体パターン、１２２ａ…帯状導体、１２２ａ−１…電極、１２２ａ−２…配線、１２２ａｐ…接続パッド部、１２３…反射層、１２３ａ…開口部、１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂ…着色層、１２９…遮光層、１２５…第１絶縁層、１２６…第２絶縁層、１３１…シール材、１３１Ａ…導電スペーサ、１３２，１３３…電子部品、１３５…液晶層、１３５Ａ…絶縁スペーサ、Ｄ…表示領域、Ｅ…周辺領域、Ｋ…交差範囲
Claims (10)
- 基板上に複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置用基板において、
前記基板上には前記画素毎に、反射層からなる光反射領域と前記反射層が形成されない光透過領域とを具備し、前記反射層上に絶縁層が形成され、
前記表示領域には、前記絶縁層の有無若しくは厚さの変化により、前記光透過領域の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、
前記凹凸表面上に電極が配置され、
前記電極に接続された配線が設けられ、
前記配線は、前記絶縁層の上に配置された接続パッド部を有することを特徴とする電気光学装置用基板。 - 前記絶縁層上には平坦な表面部が形成され、該表面部上に前記接続パッド部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
- 前記接続パッド部は、前記絶縁層における前記凹凸表面の高い表面部位における厚さと略同一の厚さを有する部分の上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
- 前記絶縁層は、前記基板上に順次に積層された第１絶縁層及び第２絶縁層で構成され、前記表示領域には、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方が部分的に存在しないことにより前記凹凸表面が構成されていることを特徴とする請求項１又は３に記載の電気光学装置用基板。
- 前記接続パッド部は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の上に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置用基板。
- 前記第１絶縁層は前記表示領域において全面的に形成され、前記第２絶縁層が部分的に形成されていることにより前記凹凸表面が構成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の電気光学装置用基板。
- 遮光層が構成され、前記接続パッド部は、前記遮光層の上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
- 一対の対向する電極の間に電気光学層が配置され、複数の画素を含む表示領域を有する電気光学装置において、
前記電気光学層の一方側には基板が配置され、該基板上には前記画素毎に、反射層からなる光反射領域と前記反射層が形成されない光透過領域とを具備し、前記反射層上に絶縁層が配置され、
前記表示領域には、前記絶縁層の有無若しくは厚さの変化により、前記光透過領域の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、
前記凹凸表面上に電極が配置され、
前記電極に接続された配線が設けられ、
前記配線は、前記絶縁層の上に配置された接続パッド部を有し、
前記接続パッド部は、上下導通部を介して前記電気光学層の反対側に導電接続
されていることを特徴とする電気光学装置。 - 前記上下導通部は、多数の導電体を基材中に分散させてなる異方性導電材からなることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
- 請求項８又は９に記載の電気光学装置と、該電気光学装置の制御手段とを有することを特徴とする電子機器。
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