JPH10223376A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 基板１表面に、端子電極３と、第１の電
極２と、その一部を覆う絶縁層４と、発光層を含む有機
機能層５と、配線層６２を含む第２の電極６とを有する
有機ＥＬ表示装置を製造する際に、第１の電極２、端子
電極３および絶縁層４を形成した後、層形成領域を制限
するためのマスク８に基板１を設置し、次いで、有機機
能層５を形成し、続いて、有機機能層５形成に用いた方
法よりも段差被覆性の良好な方法により配線層６２を形
成することにより、配線層６２が端子電極３の少なくと
も一部と接触した状態とする。 【効果】 有機機能層５と第２の電極６とを続けて形成
する際に、マスク８を交換することなしに、第２の電極
６と端子電極３とを確実に接続できる。また、有機機能
層５と、第２の電極６中の「仕事関数が小さい金属を含
有する電極層６１」とを、水分、酸素、有機溶媒などか
ら保護できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイや光
源などに利用される有機エレクトロルミネッセンス（Ｅ
Ｌ）表示装置の製造方法とその構造とに関する。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子は、ガラス等からなる基板
上に、第１の電極と、発光層を含む有機機能層と、第２
の電極とを積層した基本構成を有する素子である。

【０００３】有機ＥＬ素子を用いた表示デバイスは、現
在主流のフラットパネルディスプレイである液晶ディス
プレイに対し、以下のような優位性を持つ。

【０００４】１）自発光であるために視野角が広いこと ２）２〜３ミリの薄さのディスプレイが容易に製造可能
であること ３）偏光板を使わないことから発光色が自然であること ４）明暗のダイナミックレンジが広いため、表示が鮮明
で生々しいこと ５）広い温度範囲で動作すること ６）応答速度が液晶より３桁以上速いため容易に動画表
示が可能であること ７）１０V前後の電圧で数１００〜１０００cd/cm²程度
の極めて高い輝度が得られること

【０００５】しかし、ＥＬ素子には、有機機能層が水分
や酸素などにより劣化しやすいこと、有機機能層が有機
溶媒に溶けやすいこと、また、熱に弱いこと等の製造上
の難題がある。このため、第１の電極、有機機能層およ
び第２の電極からなる発光部積層体を、安定な材料から
なる封止手段（樹脂膜、金属膜、無機膜、ガラス板等）
で封止することが通常行われている。

【０００６】有機ＥＬ素子を表示デバイスに適用する場
合には、外部回路と接続するための端子電極を封止手段
の外側に設け、第２の電極と端子電極とを接続する構成
とするのが一般的である。

【０００７】第２の電極を封止手段の外部に引き出すた
めには、通常、いわゆるマスク成膜と呼ばれる方法を用
いる。マスク成膜とは、膜形成領域を制限するための遮
蔽部を有するマスクを基板または装置に設置して成膜を
行うことにより、基板上の所望の領域に膜を形成する方
法である。

【０００８】この方法を用いると、次のような手順で第
２の電極と端子電極とを接続することができる。まず、
有機機能層形成領域に対応する開口を有するマスクを用
いて基板に有機機能層を形成する。このとき、端子電極
の少なくとも一部がマスクの遮蔽部に覆われるようにす
る。この後、第２の電極を形成する前までに、第２の電
極形成領域に対応する開口、すなわち有機機能層形成に
用いたマスクよりも大きな開口を有するマスクへの交換
を行い、第２の電極を形成する。これにより、有機機能
層形成領域を越えて第２の電極が形成され、第２の電極
と端子電極とを接続することができる。

【０００９】しかし、有機機能層形成後にマスクを付け
替える方法には、次のような問題がある。

【００１０】マスクの付け替えは、通常は人手で行うた
め、大気中で行うことになる。例えば、第２の電極自体
を配線層として用いる場合には、有機機能層を形成した
後に、いったん大気中に戻してマスクの付け替えを行
い、再び真空成膜装置に戻して第２の電極を形成する。
この方法では、大気中に曝露された有機機能層表面に水
分が吸着したり層中に取り込まれたりするために、第２
の電極と有機機能層との界面の密着性が劣化したり、電
気的な接続性が悪くなって発光させるときの駆動電圧が
高くなったりするという問題がある上に、発光面の縁や
発光面中に非発光領域が増加するという欠陥、いわゆる
ダークスポットが発生してしまう。また、塵埃が有機機
能層上に乗りやすく、そこからやはりダークスポットが
発生することも大きな欠点であった。

【００１１】真空を破らなくてもすむようにロボット等
を用いてマスクの付け替えをすることも不可能ではない
が、真空中における位置あわせ機構が非常に大掛かりに
なり、成膜装置が高価なものになってしまう。また、こ
うした位置あわせ機構を用いない場合は、位置ずれが起
こるために広いマージンを設ける必要がある。このた
め、表示装置使用者からみて発光しない部分であり、い
わば不必要といえる領域が大きいものになってしまう。
さらに、１枚の基板上に多数の表示装置を作り込む場
合、広いマージンを設けることは取り数が減ることに直
接繋がるため、１表示装置あたりの製造コストが高くな
ってしまう。

【００１２】さらにほかの方法として、マスクを装置側
に設置する方法があるが、やはり広いマージンを必要と
することや、多数回の成膜にわたってマスクを使用する
ために塵埃の発生が非常に多く、歩留まりを落とす要因
となっていた。歩留まり向上のためには常に清浄度の高
いマスクを使用することが望ましいといえる。

【００１３】ところで、有機ＥＬ素子の第２の電極は、
電子を注入するための陰極とすることが一般的である。
陰極は仕事関数が小さい金属を含むため、水分、酸素な
どにより劣化や腐食を生じやすい。このため、仕事関数
が小さい金属からなる電極層上に、これよりも安定な金
属からなる導電層を設けた積層体を第２の電極とするこ
とが好ましい。

【００１４】第２の電極は、ワイヤーボンディングやヒ
ートシールコネクターやＦＰＣ(Flexible Print Circui
t)の圧着などの方法を用いて外部回路と接続したい場合
があるが、こうした方法では第２の電極の端子電極との
接続部に機械的な強度や耐熱性が要求される場合がほと
んどである。第２の電極を、腐食しやすい電極層と安定
な導電層との積層構造とする場合には、導電層に傷が付
いて電極層が露出すると腐食しやすくなるため、第２の
電極において端子電極まで延びる配線部分は、安定な導
電層だけから形成することが望ましい。

【００１５】上記したマスク成膜を利用して上記積層構
造の第２の電極を形成する場合、有機機能層および腐食
しやすい電極層を酸素や水分から保護するために、以下
の方法で各層を形成することが好ましい。この方法で
は、まず、マスクを設置し、有機機能層と、腐食しやす
い電極層と、安定な導電層とを連続して形成する。次い
で、真空を破って開口の大きなマスクへの交換を行い、
再び真空にして安定な導電層をさらに積層する。この方
法では、最上層の導電層だけが端子電極と接続されるこ
とになり、また、有機機能層および腐食しやすい電極層
のいずれも大気に直接曝されないため、不良が発生し難
くなる。しかし、この方法では、真空を一度大気圧まで
戻してから再び真空にする必要があり、また、安定な導
電層を２回形成する必要があるので、製造工程が長くな
り、コストアップの原因となる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこうした状況
を鑑みてなされたものである。本発明の第１の目的は、
基板表面に端子電極と発光部積層体とを有し、発光部積
層体が、第１の電極、発光層を含む有機機能層および第
２の電極を有するものである有機エレクトロルミネッセ
ンス表示装置を製造する工程において、有機機能層と第
２の電極とを続けて形成する際に、形成領域を制限する
ためのマスクを交換することなしに、第２の電極と端子
電極とを確実に接続する方法を提供することである。ま
た、本発明の第２の目的は、前記第１の目的を達成した
上で、有機機能層と、第２の電極中の「仕事関数が小さ
い金属を含有する電極層」とを、水分、酸素、有機溶媒
などから保護することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記（１）
〜（６）のいずれかの構成により達成される。 （１） 基板表面に、発光部積層体と端子電極とを有
し、発光部積層体が、第１の電極と、第１の電極の一部
を覆う絶縁層と、発光層を含む有機機能層と、少なくと
も１層の導電層からなる第２の電極とをこの順で有する
ものであり、第２の電極を構成する導電層の少なくとも
１層が、端子電極の少なくとも一部と接触する配線層で
あり、この配線層の端部の勾配が、少なくとも端子電極
付近で０．１以下である有機エレクトロルミネッセンス
表示装置。 （２） 配線層にＡｒが含有され、有機機能層にＡｒが
実質的に含有されない上記（１）の有機エレクトロルミ
ネッセンス表示装置。 （３） 基板表面に、発光部積層体と端子電極とを有
し、発光部積層体が、第１の電極と、第１の電極の一部
を覆う絶縁層と、発光層を含む有機機能層と、少なくと
も１層の導電層からなる第２の電極とをこの順で有する
ものであり、 第２の電極の導電層の少なくとも１層
が、端子電極と接続された配線層である有機エレクトロ
ルミネッセンス表示装置を製造する方法であって、第１
の電極、絶縁層および端子電極を形成した後、層形成領
域を制限するための遮蔽部とこれに囲まれた開口とを有
するマスクに、基板をその表面側が対向するように設置
し、次いで、有機機能層を形成し、続いて、有機機能層
形成に用いた方法よりも段差被覆性の良好な方法により
配線層を形成することにより、配線層が端子電極の少な
くとも一部と接触した状態とする有機エレクトロルミネ
ッセンス表示装置の製造方法。 （４） マスクの遮蔽部が空間を介して端子電極の少な
くとも一部を覆うように、基板をマスクに設置する上記
（３）の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造
方法。 （５） 有機機能層を真空蒸着法により形成し、配線層
をスパッタ法により形成する上記（３）または（４）の
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 （６） 第２の電極を構成する導電層の少なくとも１層
が、仕事関数４eV以下の金属から構成されている上記
（３）〜（５）のいずれかの有機エレクトロルミネッセ
ンス表示装置の製造方法。

【００１８】

【作用および効果】本発明の要点は、以下の通りであ
る。

【００１９】図２に示すように、第１の電極２、端子電
極３および絶縁層４を形成した後、端子電極３がマスク
８の遮蔽部８１に覆われるように、マスク８を設置す
る。このとき遮蔽部８１と端子電極３との間に空間を設
け、両者が接触しないようにする。

【００２０】次いで、有機機能層５を、段差被覆性が比
較的悪い方法、すなわち、回り込みの悪い方法（例えば
真空蒸着法）により形成する。このとき、遮蔽部８１に
より有機機能層５の形成が制限され、遮蔽部８１に覆わ
れていた領域には有機機能層５は形成されない。

【００２１】続いて、マスク８を外さずに、電極層６１
および配線層６２からなる第２の電極６を形成する。第
２の電極６のうち少なくとも配線層６２は、有機機能層
５の形成に用いた成膜方法よりも段差被覆性が良好な方
法、すなわち、回り込みのよい方法（例えばスパッタ
法）で成膜する。基板１とマスク８との間に空間を設け
ることで、図２（ｅ）に示すように、回り込みのよい方
法で形成された配線層６２はこの空間の中にも入り込
み、有機機能層５を乗り越えて端子電極３に接続される
ことが可能となる。この方法によれば、有機機能層５を
成膜した後にマスク８の交換をすることなしに、第２の
電極６と端子電極３とを導通させることができる。

【００２２】第２の電極６の形成が完了するまで、マス
ク８は外さない。第２の電極６に重ねて保護層をスパッ
タ法や真空蒸着法などにより形成する場合には、保護層
形成完了までマスク８を外さず、真空を保ったままとす
ることが好ましい。

【００２３】本発明により、マスクの装着工程を１回減
らすことができ、また、安定な金属からなる導電層の形
成回数を１回減らすことができる。また、有機機能層形
成後に大気中に開放する必要がなくなるため、塵埃の付
着が減少して歩留まりが向上する。結果として、有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造コストを大きく削減できると共に、寿
命の長い有機ＥＬ表示装置を実現できる。

【００２４】図示例では、有機機能層５が配線層６２に
完全に覆われることになるため、酸素、水、製造工程で
用いる有機溶媒などから有機機能層５を保護することが
できる。また、電極層６１を段差被覆性の悪い方法で形
成することにより、電極層６１も配線層６２で完全に被
覆することができるので、電極層６１が「仕事関数の小
さい金属を含有する電極層」である場合に十分な保護が
可能である。

【００２５】なお、特開平６−５２９９１号公報には、
有機薄膜層の背面側に設けられた電極の少なくとも側面
からこの電極が形成されている有機薄膜層の露出面全体
にかけて、電極よりも仕事関数の小さい金属膜で被覆さ
れた有機電界発光素子が記載されている。電極とは異な
る材質からなる金属膜で電極が被覆されている点では本
発明における有機ＥＬ表示装置と同様であるが、同公報
には、前記金属膜を端子電極と直接接続する旨の記載は
なく、同公報の実施例では、前記金属膜からリード線を
延ばしている。また、同公報の実施例では、電極と金属
膜とはいずれも蒸着法により形成されており、この点で
も本発明とは異なる。

【００２６】

【発明の実施の形態】図１および図２により、本発明の
製造方法を模式的に説明する。図１の（ａ）〜（ｆ）
は、製造工程において有機ＥＬ表示装置を基板１表面側
から見た平面図であり、図２の（ａ）〜（ｆ）は、それ
ぞれ図１に示すＡ−Ａ線〜Ｆ−Ｆ線における断面図であ
る。ただし、この断面図には断面の端面だけを表示して
ある。なお、以降に説明する断面図についても同様であ
る。

【００２７】まず、各図の（ａ）に示すように、基板１
上に第１の電極２および端子電極３を形成する。ここで
は第１の電極２を形成する際のマスキングないし第１の
電極２形成後のエッチングにより、第１の電極２と同時
に端子電極３を形成したが、第１の電極２とは別の導電
層を形成して端子電極３としてもよい。

【００２８】次に、各図の（ｂ）に示すように、第１の
電極２上の非発光部となる領域に絶縁層４を形成する。
絶縁層４は、後に成膜される第２の電極６に第１の電極
２が接触してしまうことを防ぐために設けられる。両電
極が接触するということは、本来分離されるべき有機Ｅ
Ｌ素子のカソードとアノードとが電気的に短絡すること
を意味するので、絶縁層４を設ける必要がある。なお、
第１の電極２において絶縁層４の右側に延びている領域
は、第１の電極２と外部回路とを接続するための端子部
２１である。

【００２９】次いで、各図の（ｃ）に示すように、マス
ク８に基板１を装着する。図示するように、マスク８
は、開口の大きさの異なる遮蔽部８１と基部８２とから
構成される。小さな開口を有する遮蔽部８１は、成膜さ
れる材料が飛来してくる側（図示例では下側）に存在
し、成膜材料の遮蔽を担う。一方、小さな開口を有する
基部８２は、基板１側に存在し、遮蔽部８１と基板１と
の距離を一定に保つ。成膜材料の回り込みの幅は、「遮
蔽部８１と基板１との距離」と「成膜方法」とで決ま
る。有機機能層５をほぼマスクの開口パターンどおりに
成膜し、かつ配線層６２の回り込みを十分に確保するた
めには、遮蔽部８１裏面（基板１側の面）と基板１表面
との距離を、０．１〜５mmとすることが好ましく、０．
３〜１．５mmとすることがより好ましい。ただし、自動
搬送装置が基板１を取り回し難くならないように、基板
１の厚さとマスク８の厚さとの合計（基板１裏面からマ
スク８表面までの距離）を５mm以下とすることが好まし
く、３mm以下とすることがより好ましい。なお、マスク
８としては、通常、樹脂からなるプラスチックマスク
や、ＳＵＳ、Ｔｉ、Ａｌ等の金属からなるメタルマスク
を用いる。

【００３０】通常の真空蒸着法を用いた場合には、基板
１に飛来する蒸着物質は遮蔽部８１により遮蔽される。
一般的な真空蒸着法では、概ね遮蔽部８１の開口部分と
同じサイズのパターンの蒸着膜が形成される。すなわ
ち、一般的な真空蒸着法は段差被覆性が悪く、蒸着物質
の回り込みはほとんどない。したがって、真空蒸着法に
より有機機能層を形成すれば、マスク８の遮蔽部８１の
開口に応じたパターンの有機機能層５が形成される。

【００３１】有機機能層５形成後、マスク８を交換せ
ず、かつ真空を破らずに、続いて第２の電極６を形成す
る。図２の（ｄ）および（ｅ）に示すように、図示例に
おける第２の電極６は、有機機能層５の表面に形成され
る電極層６１と、この表面に形成される配線層６２とか
らなる。電極層６１は、通常、仕事関数が小さい金属を
含有するものである。したがって、電極層６１は、その
表面に形成される配線層６２によって完全に被覆される
ように、段差被覆性の悪い真空蒸着法により形成するこ
とが好ましい。このような方法により形成された電極層
６１は、図２の（ｄ）に示されるように、有機機能層５
とほぼ同じパターンとなる。電極層６１形成後、真空蒸
着法よりも回り込みのよい方法、具体的には段差被覆性
のよい方法により、配線層６２を形成する。このような
方法により形成された配線層６２は、図２の（ｅ）に示
すように、有機機能層５および電極層６１の形成パター
ンを越えてマスク８の基部８２側に回り込み、端子電極
３と接続されることになる。配線層６２構成材料には、
電極層６１構成材料よりも安定な金属を用いるので、第
２の電極６の端子電極３との接続部は、安定な金属から
構成されることになる。なお、電極層６１および配線層
６２はいずれも、組成の異なる複数の層から構成されて
いてもよい。

【００３２】図示例では、マスク８の遮蔽部８１全域が
基板１と離れているため、有機機能層５および電極層６
１が配線層６２に完全に覆われることになる。ただし、
配線層６２を端子電極３に接続するためには、遮蔽部８
１の開口近傍全域において基板１との間に空間を設ける
必要はなく、遮蔽部８１と端子電極３の少なくとも一部
との間に空間を設けるだけでよい。

【００３３】各図の（ｆ）は、配線層６２形成後にマス
ク８をはずした状態を示すものである。

【００３４】以上では、第２の電極６として２層構成の
ものを用い、そのうち１層を配線層６２とする例を説明
したが、２層共に回り込みのよい方法で形成した場合で
も、上記例と同様にマスク８の交換が不要となる効果お
よび有機機能層５を保護する効果が得られる。また、第
２の電極を３層以上の層から構成し、そのうちの少なく
とも１層を回り込みのよい成膜方法で形成して配線層と
することによっても、同様な効果が得られる。さらに、
陰極または陽極と配線層とを兼ねる単層の導電層を第２
の電極とし、これを回り込みのよい方法で成膜した場合
でも同様な効果が得られる。ただし、前述したように、
「仕事関数が小さい金属を含有する電極層」の表面に、
より安定な材料からなる導電層を形成する場合には、安
定な導電層に傷が付いて電極層が露出すると腐食しやす
くなるため、「仕事関数が小さい金属を含有する電極
層」よりも安定な導電層だけを配線層とすることが好ま
しい。

【００３５】図１および図２では、開口サイズが異なる
２枚の部材を貼り合わせたマスク８を例に挙げたが、こ
の構成のマスクに限らず、開口が基板側よりも基板と反
対側のほうが大きいマスクであれば、どのような構造の
ものであってもよい。このようなマスクとしては、開口
を形成する遮蔽部の内周側面に段差ないし傾斜を設けた
マスクが挙げられる。具体的には、図１、図２に示すマ
スク８のほか、例えば図３に示すようなマスク８を用い
てもよい。図３（ａ）に示すマスク８は、外形形状は図
２に示すマスク８と同様であるが、１枚の板状体を形状
加工することにより遮蔽部８１と基部８２とを設けたも
のである。また、図３（ｂ）は、１枚のマスク８の開口
部内周側面を、基板１側の開口が大きくなるようにテー
パー状に加工したものである。

【００３６】上述した段差被覆性の良好な方法により形
成された配線層は、その端部の勾配が、通常、０．１以
下と極めて小さいものとなる。なお、図４（ａ）に示す
ように、配線層６２端部の勾配は、水平方向位置の変化
量ｈに対する垂直方向位置の変化量ｖの比ｖ／ｈで表さ
れる。これに対し、配線層の形成に有機機能層形成に用
いた方法と同様な段差被覆性の悪い方法、例えば通常の
蒸着法を用いた場合には、ｖ／ｈは、通常、０．５以上
と大きくなる。したがって、配線層端部の勾配およびそ
の勾配の始まる位置を調べることにより、有機機能層形
成工程と配線層形成工程との間でのマスク交換の有無を
判断することができる。

【００３７】上記説明において段差被覆性の良好な方法
として挙げたスパッタ法では、スパッタガスの圧力が高
ければ、ターゲットから飛散した粒子がスパッタガスと
衝突して散乱される頻度が高くなるため、段差被覆性が
向上する。ターゲットから飛散した粒子が基板に到達す
るまでに少なくとも平均して１回はスパッタガス原子と
衝突するように、言い換えると飛散粒子の平均自由行程
がターゲットと基板との間の距離よりも短くなるように
スパッタガス圧力を選択することが好ましい。一方、ス
パッタガスの圧力が高すぎると、ターゲットから飛散し
た粒子が散乱されすぎ、また、ターゲットに印加される
電圧が低下してしまうため、成膜速度が低くなってしま
う。したがって、スパッタガスの圧力は、段差被覆性と
成膜速度とを考慮して適宜決定すればよいが、好ましく
は２×１０^-4〜２×１０^-2Torrとし、より好ましくは１
×１０^-3〜１×１０^-2Torrとする。なお、スパッタガス
には、通常、Ａｒが用いられる。したがって、成膜にス
パッタ法を用いたことは、層中のＡｒ量を測定すること
により確認できる。スパッタ法により形成された層中の
Ａｒ含有量は、通常、０．０１〜１５原子％程度であ
る。一方、蒸着法を用いた場合には、層中にはＡｒが実
質的に含有されない。

【００３８】段差被覆性の良好な方法としては、スパッ
タ法のほか、プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法などが挙げ
られ、本発明ではこれらの方法を用いてもよい。また、
真空蒸着法において、蒸着雰囲気中にＡｒ等の不活性ガ
スを導入すれば、段差被覆性を向上させることができる
ので、配線層の形成に利用することができる。ただし、
生産性および均一性が最も高くなることから、スパッタ
法を用いることが最も好ましい。

【００３９】また、このように、真空蒸着法でも蒸着時
の雰囲気圧力が高いと段差被覆性が良好となってしまう
ので、段差被覆性を悪くする必要のある場合には、蒸着
時の圧力を好ましくは１×１０^-5Torr以下、より好まし
くは１×１０^-6Torr以下とする。

【００４０】第１の電極２の側端面は、基板１に垂直で
はなく勾配をもつことが好ましい。これは、第１の電極
２の側端面において、後に蒸着法などにより形成される
薄膜の被覆性が悪くなることを防ぎ、歩留まりと寿命と
を向上させるためである。図４（ｂ）において第１の電
極２の側端面と基板１表面とのなす角度θ（以後、テー
パ角という）は、６０°以下であることが好ましい。テ
ーパ角の小さな段差を造り込むこと自体は、ウェットエ
ッチング、ドライエッチングのいずれの方法でも可能で
ある。例えばウェットエッチングでは等方的にエッチン
グが進むため、オーバーエッチング時間を多く取りすぎ
なければテーパ角を自然に６０°程度以下とでき、４５
°以下とすることも容易である。また、ドライエッチン
グ法でも、レジストのドライエッチングによる後退を利
用する方法、すなわちレジストのテーパ角を転写するよ
うにドライエッチングガスやＲＦ投入電力、ガス圧力な
どのエッチング条件を選べば、２０〜３０°のテーパー
角は容易に得ることができる。このときのドライエッチ
ングガスとしては、塩化水素、ヨウ化水素等のハロゲン
化水素ガスや、臭素ガス、あるいはメタノールなどが使
われる。

【００４１】次に、有機ＥＬ表示装置の各部について詳
細に説明する。

【００４２】基板 本発明の有機ＥＬ表示装置では、有機機能層による発光
光を基板を通して取り出す構成とすることも可能であ
り、また、基板と反対側から取り出す構成とすることも
可能であるが、発光光を基板側から取り出す構成の場合
には、基板にはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透
明な材料を用いる。基板には、安価なソーダガラスを用
いることができるが、この場合、基板全面をシリカコー
トすることが好ましい。シリカコートは、酸やアルカリ
に弱いソーダガラスを保護する役割を持ち、さらに基板
の平坦性をよくする効果も示す。

【００４３】なお、基板に色フィルター膜や蛍光性物質
を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発
光色を制御してもよい。

【００４４】基板と反対側から発光光を取り出す構成の
場合は、基板は不透明であってもよい。この場合、アル
ミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表
面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱
可塑性樹脂などを用いることができる。

【００４５】第１の電極および第２の電極 通常は、第１の電極を陽極とし、第２の電極を陰極とす
るが、逆であってもよい。陽極 発光光を陽極を通して取り出す場合、発光光の透過率が
好ましくは８０％以上となるように陽極の材質および厚
さを選択する。具体的には、例えば、錫ドープ酸化イン
ジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺ
Ｏ）、ＳｎＯ₂、ドーパントをドープしたポリピロール
などを陽極に用いることが好ましく、特にＩＴＯを用い
ることが好ましい。陽極の厚さは、１０〜５００nm程度
とすることが好ましい。陽極の形成方法は特に限定され
ないが、大面積の膜を均一な厚さに形成することが容易
であることから、スパッタ法を用いることが好ましい。

【００４６】陰極 陰極は、仕事関数が小さい金属、具体的には仕事関数が
４eV以下の金属（合金および金属間化合物を含む）から
構成されることが好ましい。仕事関数が大きすぎると、
電子の注入効率が低下して、発光効率が低下する。

【００４７】陰極形成に用いる材料としては、例えば、
Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属；Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、
Ｂａ等のアルカリ土類金属；Ｌａ、Ｃｅ等の希土類金
属；Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等が挙げら
れ、所望の仕事関数の陰極が得られるように、これらか
ら少なくとも１種を選択すればよい。仕事関数が４eV以
下の合金としては、例えばＭｇ・Ａｇ（Ａｇ：１〜２０
原子％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．５〜１０原子％）、
Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０原子％）、Ａｌ・Ｃａ
（Ｃａ：５〜２０原子％）などが挙げられる。

【００４８】陰極を第２の電極の少なくとも一部として
用いる場合、要求される段差被覆性に応じて形成方法を
適宜決定する。

【００４９】陰極の厚さは、電子注入が十分に行えるよ
うに適宜決定すればよいが、好ましくは５０nm以上、よ
り好ましくは１００nm以上である。陰極の厚さの上限は
特にないが、通常、陰極は５００nmを超える厚さとする
必要はない。

【００５０】配線層 配線層を電極層（陰極または陽極）とは独立して設ける
場合について説明する。

【００５１】この場合、配線層構成材料は電極層構成材
料よりも安定な導電性金属（合金および金属間化合物を
含む）または導電性セラミックスから選択することが好
ましい。具体的には、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｐｔ、ＴｉおよびＷのいずれか、Ｃｕ、Ｍ
ｏ、Ｓｃ、ＳｉおよびＷの少なくとも１種とＡｌとの合
金、またはＴｉＮ、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂もしくはＩｎ₂Ｏ₃
が好ましい。

【００５２】配線層の厚さは、好ましくは３０nm〜１μ
mであり、より好ましくは５０nm〜０．５μmである。配
線層が薄すぎると、配線層の段差被覆性が悪くなってし
まい、配線層を端子電極に確実に接続することが難しく
なる。一方、配線層が厚すぎると、配線層の応力が大き
くなるため、ダークスポットの成長速度が高くなってし
まう。

【００５３】端子電極 端子電極の構成材料は特に限定されず、例えばＩＴＯ、
ＴｉＮ、Ａｌ等を用いればよい。ただし、第２の電極や
保護層を形成した後、封止板等を接着剤により貼り合わ
せて封止する際に、接着剤として紫外線硬化型のものを
用い、かつ基板側から紫外線を照射する場合には、端子
電極を光透過率の高い材料から構成することが好まし
い。この場合の電極材料としては、陽極の説明において
挙げた各種材料が好ましい。通常は、第１の電極形成の
際のパターニングにより、第１の電極と同時に端子電極
を形成する。

【００５４】絶縁層 ＳｉＯ₂等の酸化ケイ素、 窒化ケイ素などの無機系材料
をスパッタや真空蒸着で成膜したもの、ＳＯＧ（スピン
・オン・グラス）で形成した酸化ケイ素層、フォトレジ
スト、ポリイミド、アクリル樹脂などの樹脂系材料の塗
膜など、絶縁性を有するものであればいずれであっても
よい。ただし、絶縁層の下側にはＩＴＯ等からなる第１
の電極が存在するので、絶縁層形状にパターニングする
際に第１の電極へダメージを与えないようなパターニン
グが可能な材料を用いることが好ましい。

【００５５】絶縁層の厚さは特に限定されず、必要な絶
縁性が得られるように材料に応じて適宜決定すればよい
が、無機系材料を用いる場合には製造コストの面から薄
いほうが望ましい。

【００５６】発光層を含む有機機能層 発光層は、正孔（ホール）および電子の注入機能、それ
らの輸送機能、正孔と電子との再結合により励起子を生
成させる機能を有する。発光層には比較的電子的にニュ
ートラルな化合物を用いることが好ましい。

【００５７】有機機能層には、発光層のほかに正孔注入
輸送層が含まれることが好ましい。正孔注入輸送層は、
陽極からの正孔の注入を容易にする機能、正孔を輸送す
る機能および電子を妨げる機能を有する。このほか、必
要に応じ、例えば発光層に用いる化合物の電子注入輸送
機能がさほど高くないときなどには、発光層と陰極との
間に電子注入輸送層を設ける構成とすることもできる。
電子注入輸送層は、陰極からの電子の注入を容易にする
機能、電子を輸送する機能および正孔を妨げる機能を有
する。正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、発光層
へ注入される正孔や電子を増大させ、発光効率を改善す
る。

【００５８】正孔注入輸送層は陽極と発光層との間に設
けられ、電子注入輸送層は陰極と発光層との間に設けら
れる。

【００５９】なお、正孔注入輸送層および電子注入輸送
層はいずれも、注入機能を持つ層と輸送機能を持つ層と
に分離して設けてもよい。

【００６０】発光層の厚さ、正孔注入輸送層の厚さおよ
び電子注入輸送層の厚さは、特に限定されない。これら
の厚さは、形成方法によっても異なるが、通常、５〜１
００nm程度とする。各層のキャリア移動度やキャリア密
度（イオン化ポテンシャル・電子親和力により決まる）
を考慮して各層の厚さを制御することにより、再結合領
域・発光領域を自由に設計することができ、発光色の設
計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光スペクト
ルの制御や、発光の空間分布の制御が可能である。

【００６１】発光層には、発光機能を有する化合物であ
る蛍光性物質を含有させる。蛍光性物質には、例えば、
特開昭６３−２６４６９２号公報等に開示されているよ
うなトリス（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属
錯体色素を用いることができる。これに加え、あるいは
これに替え、キナクリドン、クマリン、ルブレン、スチ
リル系色素、その他テトラフェニルブタジエン、アント
ラセン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘
導体等を用いることもできる。発光層は電子注入輸送層
を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス
（８−キノリノラト）アルミニウム等を使用することが
好ましい。

【００６２】電子注入輸送層には、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム等の有機金属錯体、オキサジアゾ
ール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミ
ジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジ
フェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等
を用いることができる。上述したように、電子注入輸送
層は発光層を兼ねたものであってもよく、このような場
合にはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム等を使
用することが好ましい。

【００６３】なお、電子注入輸送層を電子注入層と電子
輸送層とに分けて設ける場合には、電子注入輸送層用の
化合物のなかから好ましい組合せを選択して各層に用い
ることができる。このとき、陰極側から電子親和力の大
きい化合物の層の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を２層以上設け
るときも同様である。

【００６４】正孔注入輸送層には、例えば、特開昭６３
−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号公
報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６８１
号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５−２
９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公報、特
開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００１７２
号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されている各
種有機化合物、例えば、テトラアリールベンジシン化合
物（テトラアリールジアミンないしテトラフェニルジア
ミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導
体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダ
ゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導
体、ポリチオフェン等を用いることができる。これらの
化合物は２種以上を併用してもよい。併用するときに
は、別層にして積層したり、混合したりすればよい。

【００６５】正孔注入輸送層を正孔注入層と正孔輸送層
とに分けて設ける場合には、正孔注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陽極からイオン化ポテンシャルの小さい
化合物の層の順に積層することが好ましい。また、陽極
表面に設けられる層には、均質な薄膜が形成可能な化合
物を用いることが好ましい。このような積層順について
は、正孔注入輸送層を２層以上設けるときも同様であ
る。このような積層順とすることによって、駆動電圧が
低下し、電流リークの発生やダークスポットの発生・成
長を防ぐことができる。また、蒸着法により形成する場
合には、厚さ１〜１０nm程度の薄い膜であっても均質か
つピンホールフリーにすることができる。このため、イ
オン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収をもつよう
な化合物を正孔注入層に用いた場合でも、発光色の色調
変化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。

【００６６】有機機能層を構成する各層の形成には蒸着
法やスパッタ法を用いればよいが、上述したように特に
蒸着法により形成することが好ましい。

【００６７】保護層 保護層は、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料であっ
てもよく、フッ素樹脂等の有機材料であってもよい。

【００６８】無機材料からなる保護層の厚さは、好まし
くは１０nm〜０．５μmであり、有機材料からなる保護
層の厚さは、好ましくは１０nm〜１００μmである。保
護層が薄すぎると封止効果が不十分となり、厚すぎると
応力が大きくなるため、ダークスポットの成長速度が高
くなってしまう。

【００６９】保護層は蒸着法やスパッタ法により形成す
ればよいが、第２の電極の保護を十分に行うためには段
差被覆性の良好な方法により形成することが好ましい。

【００７０】封止 保護層形成後、封止板を接着して、端子電極３の少なく
とも一部を除く領域を基板１と封止板との間に密封する
構造とすることが好ましい。これにより、湿気の侵入を
防ぐことができ、機械的強度も高くなる。封止板の接着
には、例えば、光硬化性接着剤、エポキシ系接着剤、シ
リコーン系接着剤、架橋エチレン−酢酸ビニル共重合体
接着剤シート等を用いればよい。封止板には、ガラス、
セラミックス、金属、樹脂等を用いればよい。

【００７１】本発明の有機ＥＬ表示装置は、以上で説明
した孤立型のものに限らず、単純マトリクス型や薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）型などの多画素構造のものにも適
用できる。

【００７２】本発明の有機ＥＬ表示装置は、通常、直流
駆動されるが、交流駆動またはパルス駆動する構成とし
てもよい。印加電圧は、通常、５〜２０V程度とされ
る。

【００７３】

【実施例】実施例１ 図５（ａ）に示すような、画素サイズが０.４mm×０.６
mmのドットで構成された５ドット×８ドットのキャラク
ター表示領域が２行×１６列あるタイプのドットマトリ
クス・ディスプレイを製造した例を示す。図５（ａ）に
は、キャラクター表示領域の拡大図、第１の電極２の端
子部２１の拡大図および第２の電極６と接続される端子
電極３の拡大図も示してある。図５の（ｂ）および
（ｃ）は、製造工程におけるマスク８の開口の位置を示
すものであり、（ｂ）は平面図、（ｃ）は、（ｂ）のＣ
−Ｃ線における一部省略断面図である。ただし、（ｃ）
は、有機機能層形成前の状態を示す。

【００７４】図６および図７は製造工程の説明図であ
り、分かりやすくするために、図５の領域Ａの一部を拡
大して示している。基板１表面側から見た平面図を図６
の（ａ−１）〜（ｄ−１）および図７の（ａ−１）〜
（ａ−２）に示し、図６のＡ−Ａ線〜Ｄ−Ｄ線および図
７のＡ−Ａ線、Ｂ２−Ｂ２線、Ｂ３−Ｂ３線における断
面図を、それぞれ図６の（ａ−２）〜（ｄ−２）および
図７の（ａ−２）、（ｂ−２）、（ｂ−３）に示す。

【００７５】基板１は、安価なソーダガラスの全面にシ
リカコートしたものを用いた。これは酸やアルカリに弱
いソーダガラスを保護するためと、ガラス表面の平坦性
をよくするためである。

【００７６】次に、第１の電極２および端子電極３を形
成するために、ＩＴＯからなる厚さ１０００Aの透明導
電層をスパッタ法により形成した。この透明導電層上に
フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成し
た後、不要部分をエッチングして除去し、次いでレジス
トを剥離して、図６の（ａ−１）および（ａ−２）に示
すように第１の電極２および端子電極３とした。第１の
電極２および端子電極３の側端面のテーパ角（図４
（ｂ）に示す角度θ）は、４５°とした。このテーパ角
を有する側端面は、ＨＣｌ、ＨＮＯ₃および水の混合液
からなるエッチング液で２分間エッチングすることによ
り形成した。

【００７７】次に、図６の（ｂ−１）および（ｂ−２）
に示すように、第１の電極２および端子電極３を覆う絶
縁層４を基板１全面に形成した。絶縁層４にはポリイミ
ドを用いた。ポリイミドは非感光性の材料を選び、５％
程度の濃度にＮＭＰ（N-methyl pyrrolidone）で希釈し
たものをスピンコート法で塗布し、１５０℃で３０分
間、さらに３００℃で１時間ベークした。

【００７８】次いで、画素間を分離するための構造を作
製するために、図６の（ｃ−１）および（ｃ−２）に示
すように、厚さ１μmのＡｌ層９１および厚さ０．２μm
のＣｒ層９２を続けて形成した。

【００７９】引き続き、ポジレジストを塗布し、所望の
フォト・パターンを形成するために露光し、現像した。
さらにＣｒ層９２を硝酸セリウムアンモニウム溶液でエ
ッチングし、Ａｌ層９１をリン酸、硝酸、酢酸の混合液
でエッチングした。このとき、Ａｌ層９１が十分にオー
バーエッチングされるような時間だけエッチング液に浸
漬したところ、最初のフォト・パターンに対し片側約２
μmＡｌパターンが小さくなり、図６の（ｄ−１）およ
び（ｄ−２）に示すような笠型の構造体（オーバーハン
グ体）９が得られた。

【００８０】さらに、フォトリソグラフィーによって、
実際の発光部となる第１の電極２と端子電極３とを露出
させるための開口を有するパターンを作り、酸素プラズ
マにより絶縁層４をエッチングした後、レジストを剥離
し、図７の（ａ−１）および（ａ−２）に示す構造とし
た。

【００８１】次に、図７の（ｂ−１）、（ｂ−２）およ
び（ｂ−３）に示すように、マスク８を基板１に設置し
た。このマスク８は、開口の異なるメタルマスク（ＳＵ
Ｓ３０４製）を貼り合わせたものであり、基板１側に存
在する基部８２の厚さは１mm、遮蔽部８１の厚さは０.
１mmである。なお、マスク開口部における基部８２に対
する遮蔽部８１のオーバーハング量は、２mmである。

【００８２】次いで、図７の（ｃ）に示すように、有機
機能層５と、第２の電極６（電極層６１および配線層６
２）と、保護層７とを連続して形成した。なお、保護層
７の形成が終了するまで真空を破らず、マスク８の交換
も行わなかった。

【００８３】有機機能層５は、それぞれ厚さ５００Aの
正孔注入層兼正孔輸送層と発光層兼電子輸送層とから構
成した。正孔注入層兼正孔輸送層は、Ｎ,Ｎ´−ビス
（ｍ−メチルフェニル）−Ｎ,Ｎ´−ジフェニル−１,１
´−ビフェニル−４,４´−ジアミン（N,N´-bis(m-met
hyl phenyl)-N,N´-diphenyl-1,1´-biphenyl-4,4´-di
amine以下ＴＰＤと略す）を蒸着することにより形成し
た。発光層兼電子輸送層は、トリス（８−ヒドロキシキ
ノリン）アルミニウム（tris (8-hydroxyquinoline)alu
minium 以下Ａｌｑ₃と略す）を蒸着することにより形成
した。両層の蒸着時の圧力は、１×１０^-6Torrとした。

【００８４】電極層６１は厚さ２０００Aとし、Ｍｇ・
Ａｇ合金（重量比１０：１）を蒸着することにより形成
した。蒸着時の圧力は、１×１０^-6Torrとした。

【００８５】配線層６２は厚さ０．３μmとし、Ａlをタ
ーゲットとするスパッタ法により形成した。スパッタガ
ス（Ａｒ）の圧力は４×１０^-3Torrとした。図４（ａ）
に示す配線層６２端部の勾配ｖ／ｈは、０．０５であっ
た。配線層６２中のＡｒ量は、約３原子％であった。な
お、電極層６１中のＡｒ量は、検出限界以下であった。

【００８６】保護層７は厚さ０．２μmとし、ＳｉＯ₂を
ターゲットとするスパッタ法により形成した。

【００８７】最後に、成膜装置から取り出し後にマスク
８を外し、全体を外気から遮断するための封止を行い、
端子電極３と外部回路とを接続して、ドットマトリクス
・ディスプレイを完成させた。

【００８８】実施例２ １画素のサイズが３３０μm×１１０μmで、画素数が３
２０×２４０×ＲＧＢドットのカラー・ディスプレイを
製造した例を示す。カラーになったことと、より精細に
なったこととを除けば、基本的に実施例１と大きく異な
る点はない。

【００８９】まず、液晶ディスプレイのカラー化手法と
しても最も一般的な顔料分散型のカラーフィルターを形
成した。１.５〜２．５μm程度のフィルター膜厚になる
ように各色のフィルター液を塗布し、パターニングし
た。カラーフィルターの形成工程は、赤を例にとると、
次のように行った。赤色用カラーフィルター液を１００
０rpmで５秒スピンコートし、１００℃で３分プリベー
クした。露光機でフォトマスクを位置合わせし、２０mW
の紫外光を３０秒間照射した後、濃度約０.１％のＴＭ
ＡＨ水溶液で現像した。現像時間は約１分間であった。
次いで、この後に塗布する他の色のカラーフィルター液
に溶解しないように２２０℃で１時間キュアし、赤色カ
ラーフィルターパターンを完成させた。他の色（緑、
青）のカラーフィルターは、材料（顔料）が異なるため
に上記の赤色カラーフィルター形成条件とは若干異なる
ものの、ほぼ同様の工程を順次行うことにより形成し
た。ここでは、製造が比較的容易であるため、カラーフ
ィルターだけを用いた例を挙げたが、蛍光変換フィルタ
ーを用いて緑、赤は色変換を行うことで出力させて、よ
り高輝度発光にしてもよい。また、カラーフィルターと
蛍光変換フィルターとを積層し、輝度低下の防止と色純
度の向上とを両立させることも可能である。

【００９０】次いで、図８（ａ）に示すように、カラー
フィルターパターン（図中のＲ、Ｇ、Ｂ）の上から基板
１全面にオーバーコート材を塗布し、露光後、 ２２０
℃で１時間キュアすることによりオーバーコート層１１
を形成し、透明導電層を形成する面の平坦性を向上させ
た。

【００９１】次に、オーバーコート層１１表面にＩＴＯ
からなる厚さ１０００Aの透明導電膜をスパッタ法によ
り形成し、フォトリソグラフィーでレジストパターンを
形成した後にエッチングし、最後にレジストを剥離し
た。こうして、図８（ｂ）に示すようにＩＴＯからなる
カラムラインを形成し、第１の電極２とした。このとき
同時に端子電極３のパターンも形成されている。第１の
電極２および端子電極３の側端面のテーパ角（図４
（ｂ）に示す角度θ）は、４５°とした。このテーパ角
を有する側端面は、ＨＣｌ、ＨＮＯ₃および水の混合液
からなるエッチング液で２分間エッチングすることによ
り形成した。

【００９２】次に、第１の電極２上に、ＳｉＯ₂をター
ゲットとするスパッタ法により厚さ０．２μmの絶縁層
４を形成し、さらに、スパッタ法により厚さ１μmのＡ
ｌ層９１および厚さ０．２μmのＣｒ層９２を形成し、
図８（ｃ）に示す構造とした。

【００９３】次いで、実施例１と同様にＣｒ層９２とＡ
ｌ層９１とをエッチングした。続いて、フォトリソグラ
フィーにより第１の電極２の表面を露出させるためのパ
ターンを形成した後、絶縁層４をエッチングして発光領
域と端子電極３とを露出させ、最後にレジストを除去し
た。なお、絶縁層４のエッチングには、フッ酸とフッ化
アンモニウム水溶液とを１：２０の比率で混合したエッ
チング液を用いた。

【００９４】次に、図８（ｄ）に示すように、実施例１
で用いたマスク８と同様なマスク８を基板１に設置した
後、成膜装置に導入し、有機機能層５と、第２の電極６
（電極層６１および配線層６２）と、保護層７とを連続
して形成し、図８（ｅ）に示す構造とした。なお、保護
層７の形成が終了するまで真空を破らず、マスク８の交
換も行わなかった。

【００９５】有機機能層５は、厚さ１００Aの正孔注入
層と、厚さ５００Aの正孔輸送層兼黄色発光層と、厚さ
５００Aの青色発光層と、厚さ１００Aの電子輸送層とか
ら構成し、白色発光するように材料を選択した。正孔注
入層は、ポリ（チオフェン−２，５ージイル）を蒸着す
ることにより形成した。正孔輸送層兼黄色発光層は、Ｔ
ＰＤにルブレンを１重量％の割合でドープしたものを共
蒸着することにより形成した。ルブレンの濃度は０.１
〜１０重量％程度が好ましく、この濃度で高効率で発光
する。濃度は発光色の色バランスより決定すればよく、
この後に成膜する青色発光層の光強度と波長スペクトル
とにより左右される。青色発光層は、4,4´-ビス［（1,
2,2-トリフェニル）エテニル］ビフェニルを蒸着するこ
とにより形成した。電子輸送層は、Ａｌｑ₃を蒸着する
ことにより形成した。

【００９６】電極層６１は厚さ２０００Aとし、Ｍｇ・
Ａｇ合金（重量比１０：１）を蒸着することにより形成
した。蒸着時の圧力は、１×１０^-6Torrとした。

【００９７】配線層６２は厚さ０．３μmとし、Ａlをタ
ーゲットとするスパッタ法により形成した。スパッタガ
スの圧力は４×１０^-3Torrとした。図４（ａ）に示す配
線層６２端部の勾配ｖ／ｈは、０．０５であった。配線
層６２中のＡｒ量は、約３原子％であった。なお、電極
層６１中のＡｒ量は、検出限界以下であった。

【００９８】保護層７は厚さ０．２μmとし、ＳｉＯ₂を
ターゲットとするスパッタ法により形成した。

【００９９】以上のようにして、単純マトリクス型有機
ＥＬカラーディスプレイを完成させた。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｆ）は有機ＥＬ表示装置の製造工程
を説明するための平面図である。

【図２】（ａ）〜（ｆ）は有機ＥＬ表示装置の製造工程
を説明するための断面図である。

【図３】（ａ）および（ｂ）は図１および図２のマスク
８とは異なる構造のマスク８を説明するための断面図で
ある。

【図４】（ａ）は配線層６２の端部の勾配を説明するた
めの断面図であり、（ｂ）は第１の電極の端部の勾配を
説明するための断面図である。

【図５】（ａ）はドットマトリクス・ディスプレイの平
面図であり、（ｂ）は（ａ）のドットマトリクス・ディ
スプレイの製造工程におけるマスク８の開口の位置を示
す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）の断面図である。

【図６】（ａ−１）〜（ｄ−１）はドットマトリクス・
ディスプレイの製造工程を説明するための平面図であ
り、（ａ−２）〜（ｄ−２）は（ａ−１）〜（ｄ−１）
の断面図である。

【図７】（ａ−１）、（ｂ−１）はドットマトリクス・
ディスプレイの製造工程を説明するための平面図であ
り、（ａ−２）、（ｂ−２）、（ｂ−３）および（ｃ）
は断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｅ）はカラー・ディスプレイの製造
工程を説明するための断面図である。

【符号の説明】 １ 基板 １１ オーバーコート層 ２ 第１の電極 ２１ 端子部 ３ 端子電極 ４ 絶縁層 ５ 有機機能層 ６ 第２の電極 ６１ 電極層 ６２ 配線層 ７ 保護層 ８ マスク ８１ 遮蔽部 ８２ 基部 ９ 笠型の構造体 ９１ Ａｌ層 ９２ Ｃｒ層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板表面に、発光部積層体と端子電極と
   を有し、発光部積層体が、第１の電極と、第１の電極の
   一部を覆う絶縁層と、発光層を含む有機機能層と、少な
   くとも１層の導電層からなる第２の電極とをこの順で有
   するものであり、第２の電極を構成する導電層の少なく
   とも１層が、端子電極の少なくとも一部と接触する配線
   層であり、この配線層の端部の勾配が、少なくとも端子
   電極付近で０．１以下である有機エレクトロルミネッセ
   ンス表示装置。
2. 【請求項２】 配線層にＡｒが含有され、有機機能層に
   Ａｒが実質的に含有されない請求項１の有機エレクトロ
   ルミネッセンス表示装置。
3. 【請求項３】 基板表面に、発光部積層体と端子電極と
   を有し、発光部積層体が、第１の電極と、第１の電極の
   一部を覆う絶縁層と、発光層を含む有機機能層と、少な
   くとも１層の導電層からなる第２の電極とをこの順で有
   するものであり、 第２の電極の導電層の少なくとも１
   層が、端子電極と接続された配線層である有機エレクト
   ロルミネッセンス表示装置を製造する方法であって、 第１の電極、絶縁層および端子電極を形成した後、層形
   成領域を制限するための遮蔽部とこれに囲まれた開口と
   を有するマスクに、基板をその表面側が対向するように
   設置し、次いで、有機機能層を形成し、続いて、有機機
   能層形成に用いた方法よりも段差被覆性の良好な方法に
   より配線層を形成することにより、配線層が端子電極の
   少なくとも一部と接触した状態とする有機エレクトロル
   ミネッセンス表示装置の製造方法。
4. 【請求項４】 マスクの遮蔽部が空間を介して端子電極
   の少なくとも一部を覆うように、基板をマスクに設置す
   る請求項３の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の
   製造方法。
5. 【請求項５】 有機機能層を真空蒸着法により形成し、
   配線層をスパッタ法により形成する請求項３または４の
   有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
6. 【請求項６】 第２の電極を構成する導電層の少なくと
   も１層が、仕事関数４eV以下の金属から構成されている
   請求項３〜５のいずれかの有機エレクトロルミネッセン
   ス表示装置の製造方法。