JP2002093583A - 有機発光ダイオードデバイス - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 改良された白色発光性有機発光デバイスを提
供すること。 【解決手段】 基板と、当該基板上に配置されたアノー
ドと、当該アノード上に配置された正孔注入層と、当該
正孔注入層上に配置された正孔輸送層と、当該正孔輸送
層上に直接配置された、青色発光性化合物をドーピング
した発光層と、当該青色発光層上に配置された電子輸送
層と、当該電子輸送層上に配置されたカソードとを含ん
でなり、当該正孔輸送層、当該電子輸送層又は当該電子
輸送層及び当該正孔輸送層は、当該青色発光層に接して
いる層の一部又は層の全体に対応する領域において選択
的にドーピングされており、当該選択的ドーピングはス
ペクトルの黄色領域において発光する化合物によって施
されていることを特徴とする、実質的に白色光を発する
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス。
供すること。 【解決手段】 基板と、当該基板上に配置されたアノー
ドと、当該アノード上に配置された正孔注入層と、当該
正孔注入層上に配置された正孔輸送層と、当該正孔輸送
層上に直接配置された、青色発光性化合物をドーピング
した発光層と、当該青色発光層上に配置された電子輸送
層と、当該電子輸送層上に配置されたカソードとを含ん
でなり、当該正孔輸送層、当該電子輸送層又は当該電子
輸送層及び当該正孔輸送層は、当該青色発光層に接して
いる層の一部又は層の全体に対応する領域において選択
的にドーピングされており、当該選択的ドーピングはス
ペクトルの黄色領域において発光する化合物によって施
されていることを特徴とする、実質的に白色光を発する
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、白色光を発する有
機発光デバイス（ＯＬＥＤ）に関する。
機発光デバイス（ＯＬＥＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＯＬＥＤデバイスは、基板と、アノード
と、有機化合物でできた正孔輸送層と、適当なドーパン
トを含む有機発光層と、有機電子輸送層と、カソードと
を含む。ＯＬＥＤデバイスが魅力的であるのは、動作電
圧が低く、輝度が高く、視角が広く、しかもフルカラー
のフラット発光ディスプレイを可能にするからである。
Tangらは、米国特許第４，７６９，２９２号及び同第
４，８８５，２１１号において、この多層型ＯＬＥＤデ
バイスについて記述している。
と、有機化合物でできた正孔輸送層と、適当なドーパン
トを含む有機発光層と、有機電子輸送層と、カソードと
を含む。ＯＬＥＤデバイスが魅力的であるのは、動作電
圧が低く、輝度が高く、視角が広く、しかもフルカラー
のフラット発光ディスプレイを可能にするからである。
Tangらは、米国特許第４，７６９，２９２号及び同第
４，８８５，２１１号において、この多層型ＯＬＥＤデ
バイスについて記述している。
【０００３】高効率白色発光ＯＬＥＤデバイスは、ＬＣ
Ｄディスプレイ、自動車用ドーム形ライト及びオフィス
照明における紙状薄型光源バックライトのようないくつ
かの用途において低コストの代替物になるものと考えら
れている。白色発光性ＯＬＥＤデバイスは、明るく、高
効率で、そして一般に国際照明委員会（ＣＩＥ）の色度
座標が約（０．３３，０．３３）であることが必要であ
る。いずれにせよ、本明細書による白色光は、ユーザー
が白色を有するものとして知覚する光である。
Ｄディスプレイ、自動車用ドーム形ライト及びオフィス
照明における紙状薄型光源バックライトのようないくつ
かの用途において低コストの代替物になるものと考えら
れている。白色発光性ＯＬＥＤデバイスは、明るく、高
効率で、そして一般に国際照明委員会（ＣＩＥ）の色度
座標が約（０．３３，０．３３）であることが必要であ
る。いずれにせよ、本明細書による白色光は、ユーザー
が白色を有するものとして知覚する光である。
【０００４】下記の特許明細書及び刊行物に、白色光を
発することのできる有機ＯＬＥＤデバイスであって正孔
輸送層と有機発光層とを一対の電極間に挟んでなるもの
の製造法が記載されている。
発することのできる有機ＯＬＥＤデバイスであって正孔
輸送層と有機発光層とを一対の電極間に挟んでなるもの
の製造法が記載されている。
【０００５】J. Shi（米国特許第５，６８３，８２３
号）が従前報告した白色発光性ＯＬＥＤデバイスは、発
光層のホスト発光材料に赤色発光材料と青色発光材料と
が均一に分散しているものである。このデバイスは、良
好な電界発光特性を示すが、赤用ドーパント及び青用ド
ーパントの濃度がホスト材料の０．１２％及び０．２５
％と非常に低く、大規模生産で制御するには困難な濃度
である。
号）が従前報告した白色発光性ＯＬＥＤデバイスは、発
光層のホスト発光材料に赤色発光材料と青色発光材料と
が均一に分散しているものである。このデバイスは、良
好な電界発光特性を示すが、赤用ドーパント及び青用ド
ーパントの濃度がホスト材料の０．１２％及び０．２５
％と非常に低く、大規模生産で制御するには困難な濃度
である。
【０００６】Satoらは、特開平７−１４２１６９号公報
に、正孔輸送層の隣に青色発光層を固着させ、続いて赤
蛍光層を含む領域を有する緑色発光層を固着させて製造
した白色光を発することができるＯＬＥＤデバイスを開
示している。
に、正孔輸送層の隣に青色発光層を固着させ、続いて赤
蛍光層を含む領域を有する緑色発光層を固着させて製造
した白色光を発することができるＯＬＥＤデバイスを開
示している。
【０００７】Kidoらは、Science, Vol.267, p.1332(199
5)及びAPL Vol.64, p.815(1994)に、白色発光性ＯＬＥ
Ｄデバイスを報告している。このデバイスでは、白色光
を発生させるため、キャリヤ輸送特性が異なる３種の発
光層であってそれぞれ青色、緑色又は赤色の光を発する
ものを使用している。
5)及びAPL Vol.64, p.815(1994)に、白色発光性ＯＬＥ
Ｄデバイスを報告している。このデバイスでは、白色光
を発生させるため、キャリヤ輸送特性が異なる３種の発
光層であってそれぞれ青色、緑色又は赤色の光を発する
ものを使用している。
【０００８】Littmanらは、米国特許第５，４０５，７
０９号に、正孔−電子再結合に応じて白色光を発するこ
とができる白色発光デバイスであって、青緑から赤まで
の可視光範囲に蛍光を含む別のデバイスを開示してい
る。
０９号に、正孔−電子再結合に応じて白色光を発するこ
とができる白色発光デバイスであって、青緑から赤まで
の可視光範囲に蛍光を含む別のデバイスを開示してい
る。
【０００９】最近では、Deshpandeらが、Applied Physi
cs Letters, Vol.75, p.888(1999)に、正孔遮断層によ
って分離された赤色、青色及び緑色発光層を使用する白
色ＯＬＥＤデバイスを発表している。
cs Letters, Vol.75, p.888(1999)に、正孔遮断層によ
って分離された赤色、青色及び緑色発光層を使用する白
色ＯＬＥＤデバイスを発表している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のＯＬＥＤデバイスは、ドーパント濃度を非常に低くす
る必要があり、大規模生産での工程制御が困難である。
また、ドーパント濃度の小さな変化によって発光色が変
わってしまうという問題もある。本発明の目的は、有効
な白色発光性有機デバイスを提供することにある。本発
明の別の目的は、効率及び安定性の高い白色発光性ＯＬ
ＥＤデバイスであって構造がシンプルで、製造環境下で
再現し得るものを提供することにある。
のＯＬＥＤデバイスは、ドーパント濃度を非常に低くす
る必要があり、大規模生産での工程制御が困難である。
また、ドーパント濃度の小さな変化によって発光色が変
わってしまうという問題もある。本発明の目的は、有効
な白色発光性有機デバイスを提供することにある。本発
明の別の目的は、効率及び安定性の高い白色発光性ＯＬ
ＥＤデバイスであって構造がシンプルで、製造環境下で
再現し得るものを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】まったく意外なことであ
るが、発光効率及び動作安定性の高い白色発光性ＯＬＥ
Ｄデバイスが、ＮＰＢ正孔輸送層に黄色ドーパントをド
ーピングし且つＡＤＮホスト発光層に青色ドーパントを
ドーピングすることによって得られることが見出され
た。さらに、Ａｌｑ電子輸送層にルブレンをドーピング
し且つＡＤＮホスト発光層に青色ドーパントをドーピン
グすることによって、白色光の発生が可能となることも
見出した。
るが、発光効率及び動作安定性の高い白色発光性ＯＬＥ
Ｄデバイスが、ＮＰＢ正孔輸送層に黄色ドーパントをド
ーピングし且つＡＤＮホスト発光層に青色ドーパントを
ドーピングすることによって得られることが見出され
た。さらに、Ａｌｑ電子輸送層にルブレンをドーピング
し且つＡＤＮホスト発光層に青色ドーパントをドーピン
グすることによって、白色光の発生が可能となることも
見出した。
【００１２】上述の目的は、下記ａ〜ｈを構成要件とす
る実質的に白色光を発する有機発光ダイオード（ＯＬＥ
Ｄ）デバイスによって達成される： ａ）基板、 ｂ）当該基板上に配置されたアノード、 ｃ）当該アノード上に配置された正孔注入層、 ｄ）当該正孔注入層上に配置された正孔輸送層、 ｅ）当該正孔輸送層上に直接配置された、青色発光性化
合物をドーピングした発光層、 ｆ）当該青色発光層上に配置された電子輸送層、 ｇ）当該電子輸送層上に配置されたカソード、並びに ｈ）当該正孔輸送層、当該電子輸送層又は当該電子輸送
層及び当該正孔輸送層は、層の全体、又は層の当該青色
発光層に接している部分、に対応する領域において選択
的にドーピングされており、当該選択的ドーピングはス
ペクトルの黄色領域において発光する化合物によって施
されていること。
る実質的に白色光を発する有機発光ダイオード（ＯＬＥ
Ｄ）デバイスによって達成される： ａ）基板、 ｂ）当該基板上に配置されたアノード、 ｃ）当該アノード上に配置された正孔注入層、 ｄ）当該正孔注入層上に配置された正孔輸送層、 ｅ）当該正孔輸送層上に直接配置された、青色発光性化
合物をドーピングした発光層、 ｆ）当該青色発光層上に配置された電子輸送層、 ｇ）当該電子輸送層上に配置されたカソード、並びに ｈ）当該正孔輸送層、当該電子輸送層又は当該電子輸送
層及び当該正孔輸送層は、層の全体、又は層の当該青色
発光層に接している部分、に対応する領域において選択
的にドーピングされており、当該選択的ドーピングはス
ペクトルの黄色領域において発光する化合物によって施
されていること。
【００１３】上述の目的はまた、下記ａ〜ｆを含んで成
る、実質的に白色光を発する有機発光ダイオードデバイ
スによっても達成される： ａ）基板、 ｂ）当該基板上に配置されたアノード、 ｃ）スペクトルの黄色領域において発光させるためのル
ブレン化合物をドーピングした正孔輸送層、 ｄ）当該正孔輸送層上に直接配置された、青色発光性化
合物をドーピングした発光層、 ｅ）当該青色発光層上に直接配置された、スペクトルの
黄色領域において発光させるためのルブレン化合物をド
ーピングした電子輸送層、及び ｆ）当該電子輸送層上に配置されたカソード。
る、実質的に白色光を発する有機発光ダイオードデバイ
スによっても達成される： ａ）基板、 ｂ）当該基板上に配置されたアノード、 ｃ）スペクトルの黄色領域において発光させるためのル
ブレン化合物をドーピングした正孔輸送層、 ｄ）当該正孔輸送層上に直接配置された、青色発光性化
合物をドーピングした発光層、 ｅ）当該青色発光層上に直接配置された、スペクトルの
黄色領域において発光させるためのルブレン化合物をド
ーピングした電子輸送層、及び ｆ）当該電子輸送層上に配置されたカソード。
【００１４】本発明によると以下の利点が得られる。白
色光を発生させるためのＯＬＥＤデバイスが、黄色ドー
パントを正孔輸送層、電子輸送層又はこれらの両方に含
めることによって、簡素化される。青色ドーパントも黄
色ドーパントも含有濃度がかなり高いため（〜２％ＴＢ
Ｐ及び〜２％ルブレン）、ドーパント濃度の制御が容易
なＯＬＥＤデバイスが得られる。本発明により製造され
たＯＬＥＤデバイスは、製造再現性が高く、しかも高い
発光効率（２０ｍＡ／ｃｍ２において５．３ｃｄ／Ａ）
を一貫して提供する。本発明によるデバイスは動作安定
性が高い上、所要駆動電圧も低くて済む。
色光を発生させるためのＯＬＥＤデバイスが、黄色ドー
パントを正孔輸送層、電子輸送層又はこれらの両方に含
めることによって、簡素化される。青色ドーパントも黄
色ドーパントも含有濃度がかなり高いため（〜２％ＴＢ
Ｐ及び〜２％ルブレン）、ドーパント濃度の制御が容易
なＯＬＥＤデバイスが得られる。本発明により製造され
たＯＬＥＤデバイスは、製造再現性が高く、しかも高い
発光効率（２０ｍＡ／ｃｍ２において５．３ｃｄ／Ａ）
を一貫して提供する。本発明によるデバイスは動作安定
性が高い上、所要駆動電圧も低くて済む。
【００１５】
【発明の実施の形態】有機ＯＬＥＤデバイスの常用の発
光層は、ルミネセント物質又は蛍光物質を含み、その領
域で電子−正孔対の再結合が起こる結果、エレクトロル
ミネセンスが発生する。最も簡単な構造のＯＬＥＤデバ
イス１００（図１）では、発光層１４０がアノード１２
０とカソード１３０の間に挟まれている。発光層１４０
は発光効率の高い純粋物質である。周知の材料は、優れ
た緑色電場発光を生じるトリス（８−キノリナト）アル
ミニウム（Ａｌｑ）である。
光層は、ルミネセント物質又は蛍光物質を含み、その領
域で電子−正孔対の再結合が起こる結果、エレクトロル
ミネセンスが発生する。最も簡単な構造のＯＬＥＤデバ
イス１００（図１）では、発光層１４０がアノード１２
０とカソード１３０の間に挟まれている。発光層１４０
は発光効率の高い純粋物質である。周知の材料は、優れ
た緑色電場発光を生じるトリス（８−キノリナト）アル
ミニウム（Ａｌｑ）である。
【００１６】その単純な構造を、図２に示すように３層
構造へ改変することができる。ここでは、正孔輸送層と
電子輸送層の間に追加の電場発光層を導入し、主として
正孔−電子再結合の場、すなわち電場発光の場として機
能させている。個々の有機層の機能は区別されているの
で、独立に最適化することができる。このため、電場発
光層又は再結合層を、高い輝度効率と共に、所望のＯＬ
ＥＤ色が得られるように選定することができる。同様
に、電子輸送層と正孔輸送層を、主としてキャリヤ輸送
特性について最適化することができる。当業者であれ
ば、電子輸送層とカソードを透明体にすることによっ
て、デバイスの照明をその基板ではなく最上層を介して
助長し得ることを理解している。
構造へ改変することができる。ここでは、正孔輸送層と
電子輸送層の間に追加の電場発光層を導入し、主として
正孔−電子再結合の場、すなわち電場発光の場として機
能させている。個々の有機層の機能は区別されているの
で、独立に最適化することができる。このため、電場発
光層又は再結合層を、高い輝度効率と共に、所望のＯＬ
ＥＤ色が得られるように選定することができる。同様
に、電子輸送層と正孔輸送層を、主としてキャリヤ輸送
特性について最適化することができる。当業者であれ
ば、電子輸送層とカソードを透明体にすることによっ
て、デバイスの照明をその基板ではなく最上層を介して
助長し得ることを理解している。
【００１７】図２を見ると、有機発光デバイス２００は
透光性基板２１０を有し、その上に透光性アノード２２
０が配置されている。アノード２２０は二つの層２２０
ａ、２２０ｂを含む。有機発光構造体２４０はアノード
２２０とカソード２３０の間に形成されている。有機発
光構造体２４０は、順に、有機正孔輸送層２４１、有機
発光層２４２及び有機電子輸送層２４３を含む。アノー
ド２２０とカソード２３０の間に電位差（図示なし）を
印加すると、カソードが電子を電子輸送層２４３に注入
し、その電子が層２４３を渡って発光層２４２へ移動す
る。同時に、正孔がアノード２２０から正孔輸送層２４
１に注入される。正孔は層２４１を渡って移動し、そし
て正孔輸送層２４１と発光層２４２の間に形成される接
合部において、又はその付近で、電子と再結合する。移
動中の電子がその伝導帯から価電子帯へ落下して正孔を
充填すると、エネルギーが光として放出され、その光が
透光性アノード２２０と基板２１０を介して発せられ
る。
透光性基板２１０を有し、その上に透光性アノード２２
０が配置されている。アノード２２０は二つの層２２０
ａ、２２０ｂを含む。有機発光構造体２４０はアノード
２２０とカソード２３０の間に形成されている。有機発
光構造体２４０は、順に、有機正孔輸送層２４１、有機
発光層２４２及び有機電子輸送層２４３を含む。アノー
ド２２０とカソード２３０の間に電位差（図示なし）を
印加すると、カソードが電子を電子輸送層２４３に注入
し、その電子が層２４３を渡って発光層２４２へ移動す
る。同時に、正孔がアノード２２０から正孔輸送層２４
１に注入される。正孔は層２４１を渡って移動し、そし
て正孔輸送層２４１と発光層２４２の間に形成される接
合部において、又はその付近で、電子と再結合する。移
動中の電子がその伝導帯から価電子帯へ落下して正孔を
充填すると、エネルギーが光として放出され、その光が
透光性アノード２２０と基板２１０を介して発せられ
る。
【００１８】有機ＯＬＥＤデバイスは、アノードがカソ
ードよりも高い電位にある場合に前方向にバイアスされ
るダイオードと見ることができる。有機ＯＬＥＤのアノ
ード及びカソードは、Tangらの米国特許第４，８８５，
２１１号に開示されている各種形態のいずれかのよう
に、それぞれ従来の都合のよい任意の形態をとることが
できる。仕事関数の低いカソードと仕事関数の高いアノ
ードを使用した場合には動作電圧を実質的に低下するこ
とができる。好適なカソードは、仕事関数が４．０ｅＶ
未満の金属と別の一種の金属、好ましくは仕事関数が
４．０ｅＶより高いものとを組み合わせて構成されたも
のである。Tangらの米国特許第４，８８５，２１１号に
記載のＭｇ：Ａｇが、好適なカソード構造体を構成す
る。Van Slykeらの米国特許第５，０５９，０６２号に
記載のＡｌ：Ｍｇは、別の好適なカソード構造体であ
る。Hungらの米国特許第５，７７６，６２２号は、有機
ＯＬＥＤデバイスの電子注入性を高めるためにＬｉＦ／
Ａｌ二層形の使用を開示している。Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：
Ｍｇ又はＬｉＦ／Ａｌのいずれでできているカソードも
不透明であるため、カソードを介してディスプレイを観
察することはできない。最近では、一連の刊行物（Gu
ら、APL 68, 2606[1996]; Burrowsら、J. Appl. Phys.8
7, 3080(2000); Parthasarathyら、APL 72, 2138 9198;
Parthasarathyら、APL76, 2128[2000]; Hungら、APL,
3209[1999]）に透明カソードが開示されている。半透明
金属薄膜（〜１００Å）の上にインジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）を組み合わせたものをベースにしたカソード。銅
フタロシアニン（ＣｕＰｃ）の有機層も金属薄膜を置き
換えた。
ードよりも高い電位にある場合に前方向にバイアスされ
るダイオードと見ることができる。有機ＯＬＥＤのアノ
ード及びカソードは、Tangらの米国特許第４，８８５，
２１１号に開示されている各種形態のいずれかのよう
に、それぞれ従来の都合のよい任意の形態をとることが
できる。仕事関数の低いカソードと仕事関数の高いアノ
ードを使用した場合には動作電圧を実質的に低下するこ
とができる。好適なカソードは、仕事関数が４．０ｅＶ
未満の金属と別の一種の金属、好ましくは仕事関数が
４．０ｅＶより高いものとを組み合わせて構成されたも
のである。Tangらの米国特許第４，８８５，２１１号に
記載のＭｇ：Ａｇが、好適なカソード構造体を構成す
る。Van Slykeらの米国特許第５，０５９，０６２号に
記載のＡｌ：Ｍｇは、別の好適なカソード構造体であ
る。Hungらの米国特許第５，７７６，６２２号は、有機
ＯＬＥＤデバイスの電子注入性を高めるためにＬｉＦ／
Ａｌ二層形の使用を開示している。Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：
Ｍｇ又はＬｉＦ／Ａｌのいずれでできているカソードも
不透明であるため、カソードを介してディスプレイを観
察することはできない。最近では、一連の刊行物（Gu
ら、APL 68, 2606[1996]; Burrowsら、J. Appl. Phys.8
7, 3080(2000); Parthasarathyら、APL 72, 2138 9198;
Parthasarathyら、APL76, 2128[2000]; Hungら、APL,
3209[1999]）に透明カソードが開示されている。半透明
金属薄膜（〜１００Å）の上にインジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）を組み合わせたものをベースにしたカソード。銅
フタロシアニン（ＣｕＰｃ）の有機層も金属薄膜を置き
換えた。
【００１９】従来のアノード２２０ａは、導電性且つ透
明な酸化物で形成される。インジウム錫酸化物は、その
透明性、良好な導電性及び高い仕事関数のため、アノー
ド接点として広く用いられている。好適な実施態様で
は、アノード２２０ａを正孔注入層２２０ｂで改変する
ことができる。このような正孔注入層における材料の一
例は、Hungらの米国特許出願第０９／１８６，８２９号
（出願日１９９８年１１月５日）に開示されているフル
オロカーボン類であり、その開示を参照したことにより
本明細書の一部とする。
明な酸化物で形成される。インジウム錫酸化物は、その
透明性、良好な導電性及び高い仕事関数のため、アノー
ド接点として広く用いられている。好適な実施態様で
は、アノード２２０ａを正孔注入層２２０ｂで改変する
ことができる。このような正孔注入層における材料の一
例は、Hungらの米国特許出願第０９／１８６，８２９号
（出願日１９９８年１１月５日）に開示されているフル
オロカーボン類であり、その開示を参照したことにより
本明細書の一部とする。
【００２０】透光性基板２１０はガラス、石英又はプラ
スチック材料で構築することができる。有機ＯＬＥＤデ
バイスの正孔輸送層の形成用として好適な材料は、Van
Slykeの米国特許第４，５３９，５０７号に記載されて
いる第三アミンである。別の種類の好適なアミンはテト
ラアリールアミンである。好適なテトラアリールアミン
は、式(III)に示したように、アリーレン基を介して連
結された二つのジアリールアミノ基を含む。好適なテト
ラアリールジアミンは、下式で表されるものを含む。
スチック材料で構築することができる。有機ＯＬＥＤデ
バイスの正孔輸送層の形成用として好適な材料は、Van
Slykeの米国特許第４，５３９，５０７号に記載されて
いる第三アミンである。別の種類の好適なアミンはテト
ラアリールアミンである。好適なテトラアリールアミン
は、式(III)に示したように、アリーレン基を介して連
結された二つのジアリールアミノ基を含む。好適なテト
ラアリールジアミンは、下式で表されるものを含む。
【００２１】
【化１】
【００２２】上式中、Ａｒ，Ａｒ１，Ａｒ２及びＡｒ３
は、各々独立に、フェニル部分、ビフェニル部分及びナ
フチル部分の中から選ばれ、Ｌは二価のナフチレン部分
又はｄｎを表し、ｄはフェニレン部分を表し、ｎは１〜
４の整数を表し、そしてＬがｄｎである場合には、Ａ
ｒ，Ａｒ１，Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一つはナフ
チル部分である。
は、各々独立に、フェニル部分、ビフェニル部分及びナ
フチル部分の中から選ばれ、Ｌは二価のナフチレン部分
又はｄｎを表し、ｄはフェニレン部分を表し、ｎは１〜
４の整数を表し、そしてＬがｄｎである場合には、Ａ
ｒ，Ａｒ１，Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一つはナフ
チル部分である。
【００２３】上記構造式（Ｉ）、(II)、(III)及び(IV)
の各種アルキル、アルキレン、アリール及びアリーレン
部分は、それぞれ置換されていてもよい。典型的な置換
基には、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリ
ールオキシ基並びにフッ化物、塩化物及び臭化物などの
ハロゲンが含まれる。各種アルキル部分及びアルキレン
部分は、典型的に約１〜６個の炭素原子を含む。シクロ
アルキル部分は３〜約１０個の炭素原子を含有すること
ができるが、典型的には５、６又は７個の環炭素原子を
含み、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシ
クロヘプチル環構造体を含む。アリール部分及びアリー
レン部分が縮合芳香族環部分ではない場合、それらはフ
ェニル部分及びフェニレン部分であることが好ましい。
の各種アルキル、アルキレン、アリール及びアリーレン
部分は、それぞれ置換されていてもよい。典型的な置換
基には、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリ
ールオキシ基並びにフッ化物、塩化物及び臭化物などの
ハロゲンが含まれる。各種アルキル部分及びアルキレン
部分は、典型的に約１〜６個の炭素原子を含む。シクロ
アルキル部分は３〜約１０個の炭素原子を含有すること
ができるが、典型的には５、６又は７個の環炭素原子を
含み、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシ
クロヘプチル環構造体を含む。アリール部分及びアリー
レン部分が縮合芳香族環部分ではない場合、それらはフ
ェニル部分及びフェニレン部分であることが好ましい。
【００２４】有用な特定の（縮合芳香族環を含有する）
芳香族第三アミン（ＡＴＡ）の例を以下に挙げる。 ＡＴＡ−１：４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル（ＮＰＢ） ＡＴＡ−２：４，４”−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ]−ｐ−ターフェニル ＡＴＡ−３：４，４’−ビス[Ｎ−（２−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−４：４，４’−ビス[Ｎ−（３−アセナフテニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−５：１，５−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ
−フェニルアミノ]ナフタレン ＡＴＡ−６：４，４’−ビス[Ｎ−（９−アントリル）
−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−７：４，４”−ビス[Ｎ−（１−アントリル）
−Ｎ−フェニルアミノ]−ｐ−ターフェニル ＡＴＡ−８：４，４’−ビス[Ｎ−（２−フェナントリ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−９：４，４’−ビス[Ｎ−（８−フルオランテ
ニル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−１０：４，４’−ビス[Ｎ−（２−ピレニル）
−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−１１：４，４’−ビス[Ｎ−（２−ナフタセニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−１２：４，４’−ビス[Ｎ−（２−ペリレニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−１３：４，４’−ビス[Ｎ−（１−コロネニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−１４：２，６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）
ナフタレン ＡＴＡ−１５：２，６−ビス[ジ−（１−ナフチル）ア
ミノ]ナフタレン ＡＴＡ−１６：２，６−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−（２−ナフチル）−アミノ]ナフタレン ＡＴＡ−１７：Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２−ナフ
チル）−４，４”−ジ−アミノ−ｐ−ターフェニル ＡＴＡ−１８：４，４’−ビス｛Ｎ−フェニル−Ｎ−
[４−（１−ナフチル）−フェニル]アミノ｝ビフェニル ＡＴＡ−１９：４，４’−ビス[Ｎ−フェニル−Ｎ−
（２−ピレニル）アミノ]ビフェニル ＡＴＡ−２０：２，６−ビス[Ｎ，Ｎ−ジ（２−ナフチ
ル）アミノ]フルオレン ＡＴＡ−２１：１，５−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ]ナフタレン
芳香族第三アミン（ＡＴＡ）の例を以下に挙げる。 ＡＴＡ−１：４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル（ＮＰＢ） ＡＴＡ−２：４，４”−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ]−ｐ−ターフェニル ＡＴＡ−３：４，４’−ビス[Ｎ−（２−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−４：４，４’−ビス[Ｎ−（３−アセナフテニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−５：１，５−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ
−フェニルアミノ]ナフタレン ＡＴＡ−６：４，４’−ビス[Ｎ−（９−アントリル）
−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−７：４，４”−ビス[Ｎ−（１−アントリル）
−Ｎ−フェニルアミノ]−ｐ−ターフェニル ＡＴＡ−８：４，４’−ビス[Ｎ−（２−フェナントリ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−９：４，４’−ビス[Ｎ−（８−フルオランテ
ニル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−１０：４，４’−ビス[Ｎ−（２−ピレニル）
−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−１１：４，４’−ビス[Ｎ−（２−ナフタセニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−１２：４，４’−ビス[Ｎ−（２−ペリレニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−１３：４，４’−ビス[Ｎ−（１−コロネニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル ＡＴＡ−１４：２，６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）
ナフタレン ＡＴＡ−１５：２，６−ビス[ジ−（１−ナフチル）ア
ミノ]ナフタレン ＡＴＡ−１６：２，６−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−（２−ナフチル）−アミノ]ナフタレン ＡＴＡ−１７：Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２−ナフ
チル）−４，４”−ジ−アミノ−ｐ−ターフェニル ＡＴＡ−１８：４，４’−ビス｛Ｎ−フェニル−Ｎ−
[４−（１−ナフチル）−フェニル]アミノ｝ビフェニル ＡＴＡ−１９：４，４’−ビス[Ｎ−フェニル−Ｎ−
（２−ピレニル）アミノ]ビフェニル ＡＴＡ−２０：２，６−ビス[Ｎ，Ｎ−ジ（２−ナフチ
ル）アミノ]フルオレン ＡＴＡ−２１：１，５−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ]ナフタレン
【００２５】
【化２】
【００２６】本発明の有機ＯＬＥＤデバイスの電子輸送
層の形成用として好適な材料は、米国特許第４，８８
５，２１１号に記載されているオキシン（通称８−キノ
リノール又は８−ヒドロキシキノリン）自体のキレート
をはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物であ
る。このような化合物は、性能レベルが高く、しかも薄
膜形態での製造が容易である。電子輸送層は、米国特許
第５，６８３，８２３号に記載されているポルフィリン
系化合物で製造することもできる。有用なポルフィリン
系化合物の非常に好適な例として、金属を含まないフタ
ロシアニン及び含金属フタロシアニンが挙げられる。有
用なポルフィリン系化合物の例示として銅フタロシアニ
ン（ＣｕＰｃ）が挙げられる。
層の形成用として好適な材料は、米国特許第４，８８
５，２１１号に記載されているオキシン（通称８−キノ
リノール又は８−ヒドロキシキノリン）自体のキレート
をはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物であ
る。このような化合物は、性能レベルが高く、しかも薄
膜形態での製造が容易である。電子輸送層は、米国特許
第５，６８３，８２３号に記載されているポルフィリン
系化合物で製造することもできる。有用なポルフィリン
系化合物の非常に好適な例として、金属を含まないフタ
ロシアニン及び含金属フタロシアニンが挙げられる。有
用なポルフィリン系化合物の例示として銅フタロシアニ
ン（ＣｕＰｃ）が挙げられる。
【００２７】発光層の好適な実施態様は、ホスト材料に
蛍光色素をドーピングしたものからなる。この方法を採
用すると、高効率ＥＬデバイスを構築することができ
る。同時に、共通のホスト材料において発光波長の異な
る複数種の蛍光色素を使用することによって、ＥＬデバ
イスの色を調節することができる。こうしたドーパント
計画が、譲受人共通のTangらの米国特許第４，７６９，
２９２号に、ホスト材料にＡｌｑを使用したＥＬデバイ
スについてかなり詳細に記載されている。こうしたドー
パント計画は、譲受人共通のShiらの米国特許第５，９
３５，７２１号に、ホスト材料に９，１０−ジ−（２−
ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）誘導体を使用した青
色発光性ＯＬＥＤデバイスについてかなり詳細に記載さ
れている。本発明の青色発光層について好適なホスト材
料として、 ａ）ＡＤＮ
蛍光色素をドーピングしたものからなる。この方法を採
用すると、高効率ＥＬデバイスを構築することができ
る。同時に、共通のホスト材料において発光波長の異な
る複数種の蛍光色素を使用することによって、ＥＬデバ
イスの色を調節することができる。こうしたドーパント
計画が、譲受人共通のTangらの米国特許第４，７６９，
２９２号に、ホスト材料にＡｌｑを使用したＥＬデバイ
スについてかなり詳細に記載されている。こうしたドー
パント計画は、譲受人共通のShiらの米国特許第５，９
３５，７２１号に、ホスト材料に９，１０−ジ−（２−
ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）誘導体を使用した青
色発光性ＯＬＥＤデバイスについてかなり詳細に記載さ
れている。本発明の青色発光層について好適なホスト材
料として、 ａ）ＡＤＮ
【００２８】
【化３】
【００２９】又は ｂ）第三ブチルＡＤＮ
【００３０】
【化４】
【００３１】が挙げられる。以下、本発明の実施用に企
図されている青色蛍光性ドーパントを列挙する。 １） ペリレン
図されている青色蛍光性ドーパントを列挙する。 １） ペリレン
【００３２】
【化５】
【００３３】２）２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチ
ルペリレン
ルペリレン
【００３４】
【化６】
【００３５】及び ３） 下記のような他の共役ベンゼノイド
【００３６】
【化７】
【００３７】発光層において黄色ドーパントとして使用
するのに好適な材料は、ルブレン系材料である。これら
は、多環式ベンゾイド発色団単位を含有する炭化水素化
合物である。Hamadaらは、Applied Phys. Lett. Vol. 7
5, 1682(1999)に、正孔輸送層にルブレンを、またＡｌ
ｑ発光層にＤＣＭ２ドーパントをそれぞれドーピングし
た赤色発光性ＯＬＥＤデバイスを報告している。以下
に、ルブレン系材料の一部とそのイオン化ポテンシャル
を示す。
するのに好適な材料は、ルブレン系材料である。これら
は、多環式ベンゾイド発色団単位を含有する炭化水素化
合物である。Hamadaらは、Applied Phys. Lett. Vol. 7
5, 1682(1999)に、正孔輸送層にルブレンを、またＡｌ
ｑ発光層にＤＣＭ２ドーパントをそれぞれドーピングし
た赤色発光性ＯＬＥＤデバイスを報告している。以下
に、ルブレン系材料の一部とそのイオン化ポテンシャル
を示す。
【００３８】
【化８】
【００３９】
【実施例】本発明とその利点を下記の実施例によってさ
らに説明する。用語「パーセント（％）」は、特定した
ドーパントのホスト材料に対する質量％を表す。図３〜
図１１は、本発明により製造された白色発光性ＯＬＥＤ
デバイスの構造と、その動作の各種パラメータのグラフ
を示す。
らに説明する。用語「パーセント（％）」は、特定した
ドーパントのホスト材料に対する質量％を表す。図３〜
図１１は、本発明により製造された白色発光性ＯＬＥＤ
デバイスの構造と、その動作の各種パラメータのグラフ
を示す。
【００４０】図３を見ると、有機白色発光デバイス３０
０は、図２に示したものと同様に、透光性基板２１０を
有し、その上に透光性アノード２２０が配置されてい
る。アノード２２０とカソード２３０の間に有機白色発
光構造体３４０が形成されている。有機発光構造体３４
０は、順に、ルブレン系黄色ドーパントをドーピングし
た有機正孔輸送層３４１ａを含む。有機発光層３４２
は、ＡＤＮホストとＴＢＰドーパントとを含む青色発光
層である。有機電子輸送層３４３はＡｌｑでできてい
る。図４は、図３の有機多層構造体３４０に示したもの
と同様の有機多層構造体４４０を有する有機白色発光性
ＯＬＥＤデバイスを示すが、但し、当該有機正孔輸送層
は二つの層、すなわちドーピングされていないＮＰＢで
できた層３４１と、ルブレン系黄色ドーパントをドーピ
ングした層３４１ａとからなる。
０は、図２に示したものと同様に、透光性基板２１０を
有し、その上に透光性アノード２２０が配置されてい
る。アノード２２０とカソード２３０の間に有機白色発
光構造体３４０が形成されている。有機発光構造体３４
０は、順に、ルブレン系黄色ドーパントをドーピングし
た有機正孔輸送層３４１ａを含む。有機発光層３４２
は、ＡＤＮホストとＴＢＰドーパントとを含む青色発光
層である。有機電子輸送層３４３はＡｌｑでできてい
る。図４は、図３の有機多層構造体３４０に示したもの
と同様の有機多層構造体４４０を有する有機白色発光性
ＯＬＥＤデバイスを示すが、但し、当該有機正孔輸送層
は二つの層、すなわちドーピングされていないＮＰＢで
できた層３４１と、ルブレン系黄色ドーパントをドーピ
ングした層３４１ａとからなる。
【００４１】例１ 以下のようにＯＬＥＤデバイスを構築した。８０nmのＩ
ＴＯを被覆した基板を、逐次、市販の洗剤で超音波処理
し、脱イオン水でリンスし、そしてトルエン蒸気中で脱
脂処理した。これらの基板を酸素プラズマで約１分間処
理した後、ＣＨＦ３のプラズマ蒸着法により１nmのフル
オロカーボン層で被覆した。同一の手順を採用して本発
明によるその他のデバイスのすべてを製造した。
ＴＯを被覆した基板を、逐次、市販の洗剤で超音波処理
し、脱イオン水でリンスし、そしてトルエン蒸気中で脱
脂処理した。これらの基板を酸素プラズマで約１分間処
理した後、ＣＨＦ３のプラズマ蒸着法により１nmのフル
オロカーボン層で被覆した。同一の手順を採用して本発
明によるその他のデバイスのすべてを製造した。
【００４２】これらの基板を蒸着室に装填して、有機層
とカソードの蒸着を行った。デバイスＡは、１５０nmの
ＮＰＢ正孔輸送層（ＨＴＬ）、ＡＤＮホストに１．５％
のＴＢＰ青色ドーパントを含めた２０nmの青色発光層
（ＥＭＬ）、３７．５nmのＡｌｑ電子輸送層（ＥＴＬ）
並びにカソードの一部として０．５nmのＬｉＦ及び２０
０nmのＡｌを逐次蒸着することによって製造した。次い
で、ＯＬＥＤデバイスを、周囲環境から保護するため、
窒素を充填したドライグローブボックス内で気密包装し
た。これらのＯＬＥＤデバイスを製造するために用いた
ＩＴＯパターン化基板は、いくつかのテストパターンを
含有した。当該デバイスの各々を、電流電圧特性及び電
場発光収率についてテストした。
とカソードの蒸着を行った。デバイスＡは、１５０nmの
ＮＰＢ正孔輸送層（ＨＴＬ）、ＡＤＮホストに１．５％
のＴＢＰ青色ドーパントを含めた２０nmの青色発光層
（ＥＭＬ）、３７．５nmのＡｌｑ電子輸送層（ＥＴＬ）
並びにカソードの一部として０．５nmのＬｉＦ及び２０
０nmのＡｌを逐次蒸着することによって製造した。次い
で、ＯＬＥＤデバイスを、周囲環境から保護するため、
窒素を充填したドライグローブボックス内で気密包装し
た。これらのＯＬＥＤデバイスを製造するために用いた
ＩＴＯパターン化基板は、いくつかのテストパターンを
含有した。当該デバイスの各々を、電流電圧特性及び電
場発光収率についてテストした。
【００４３】デバイスＢ，Ｃ，Ｄ，Ｅ及びＦは、デバイ
スＡと同一の配列に従い製造したが、但し、１５０nmの
ＮＰＢ正孔輸送層へドーピングするルブレン濃度をそれ
ぞれ（Ｂ）０．３％、（Ｃ）０．５％、（Ｄ）１％、
（Ｅ）２％及び（Ｆ）５％に変更した。デバイスＡは電
磁スペクトルの青色領域において発光するが、デバイス
Ｂ〜Ｃの発光色は青白色の方へ変化したことがわかっ
た。デバイスＤとデバイスＥは白色発光を示し、一方デ
バイスＦの発光は白橙色の方へシフトした。このよう
に、ＮＰＢ正孔輸送層における最適ルブレン濃度におい
て白色光を発生させることができた。
スＡと同一の配列に従い製造したが、但し、１５０nmの
ＮＰＢ正孔輸送層へドーピングするルブレン濃度をそれ
ぞれ（Ｂ）０．３％、（Ｃ）０．５％、（Ｄ）１％、
（Ｅ）２％及び（Ｆ）５％に変更した。デバイスＡは電
磁スペクトルの青色領域において発光するが、デバイス
Ｂ〜Ｃの発光色は青白色の方へ変化したことがわかっ
た。デバイスＤとデバイスＥは白色発光を示し、一方デ
バイスＦの発光は白橙色の方へシフトした。このよう
に、ＮＰＢ正孔輸送層における最適ルブレン濃度におい
て白色光を発生させることができた。
【００４４】図５に、上記デバイスＡ〜ＦのＥＬスペク
トルであって、正孔輸送ＮＰＢ層中のルブレン濃度を０
から５％へ上昇させた場合のものを示す。青色発光層は
ＡＤＮホストに１．５％のＴＢＰをドーピングしたもの
からなった。ルブレン濃度が約１．５％〜２％である場
合に、ＣＩＥ座標（０．３３，０．３８）の白色が、２
０ｍＡ／ｃｍ２において４．２ｃｄ／Ａより高い輝度効
率で得られた。このように、はるかに高い濃度のルブレ
ン系黄色ドーパント及びＴＢＰ青色ドーパントを使用す
ることができる。デバイスＡ〜Ｆのルブレン濃度を関数
にした輝度効率とＣＩＥ座標を表１に示す。デバイスＤ
は、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２において、４．３ｃｄ／
Ａの輝度収率及びＣＩＥ色座標ｘ，ｙ＝０．３３，０．
３８を示した。このことは、青色発光層に隣接したＮＰ
Ｂ正孔輸送層にルブレンをドーピングすることで白色発
光性ＯＬＥＤが得られる点で、本発明の重要な特徴であ
る。
トルであって、正孔輸送ＮＰＢ層中のルブレン濃度を０
から５％へ上昇させた場合のものを示す。青色発光層は
ＡＤＮホストに１．５％のＴＢＰをドーピングしたもの
からなった。ルブレン濃度が約１．５％〜２％である場
合に、ＣＩＥ座標（０．３３，０．３８）の白色が、２
０ｍＡ／ｃｍ２において４．２ｃｄ／Ａより高い輝度効
率で得られた。このように、はるかに高い濃度のルブレ
ン系黄色ドーパント及びＴＢＰ青色ドーパントを使用す
ることができる。デバイスＡ〜Ｆのルブレン濃度を関数
にした輝度効率とＣＩＥ座標を表１に示す。デバイスＤ
は、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２において、４．３ｃｄ／
Ａの輝度収率及びＣＩＥ色座標ｘ，ｙ＝０．３３，０．
３８を示した。このことは、青色発光層に隣接したＮＰ
Ｂ正孔輸送層にルブレンをドーピングすることで白色発
光性ＯＬＥＤが得られる点で、本発明の重要な特徴であ
る。
【００４５】
【表１】
【００４６】青色発光層に隣接したＮＰＢ正孔輸送層の
ルブレン黄色ドーピング領域を約２nm程度に薄くしても
白色光が得られることがわかった。図４に示したデバイ
ス構造に従っていくつかのデバイスを製造した。ルブレ
ンをドーピングしたＨＴＬ層の厚さを見つけるために、
ドーピングしないＮＰＢ正孔輸送層３４１とルブレンを
ドーピングしたＮＰＢ正孔輸送層３４１ａの厚さを、そ
れぞれ１２０〜１５０nmと３０〜０nmの間で変化させ
た。下記の例２が示すように、高効率の白色発光性ＯＬ
ＥＤデバイスを得るためには、ＮＰＢ正孔輸送層３４１
ａのルブレンをドーピングした領域を青色発光層３４２
に密接させるべきであることもわかった。
ルブレン黄色ドーピング領域を約２nm程度に薄くしても
白色光が得られることがわかった。図４に示したデバイ
ス構造に従っていくつかのデバイスを製造した。ルブレ
ンをドーピングしたＨＴＬ層の厚さを見つけるために、
ドーピングしないＮＰＢ正孔輸送層３４１とルブレンを
ドーピングしたＮＰＢ正孔輸送層３４１ａの厚さを、そ
れぞれ１２０〜１５０nmと３０〜０nmの間で変化させ
た。下記の例２が示すように、高効率の白色発光性ＯＬ
ＥＤデバイスを得るためには、ＮＰＢ正孔輸送層３４１
ａのルブレンをドーピングした領域を青色発光層３４２
に密接させるべきであることもわかった。
【００４７】例２ ルブレンをドーピングしたＮＰＢ正孔輸送層３４１ａと
青色発光層３４２の間にドーピングしないＮＰＢを挿入
することによってＯＬＥＤデバイスＧ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、
Ｋ、Ｌを製造した。表２に、ドーピングしないＮＰＢの
厚さを０〜３０nmの間で変化させた場合のこれらのデバ
イスの色座標及び輝度効率の変動を示す。ドーピングし
ない領域の厚さが２nmを上回ると輝度効率が急激に低下
する。さらにドーピングしないＮＰＢの厚さが１０nmを
上回ると青色しか得られず、その発光が青色発光層に限
られていることを暗示している。
青色発光層３４２の間にドーピングしないＮＰＢを挿入
することによってＯＬＥＤデバイスＧ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、
Ｋ、Ｌを製造した。表２に、ドーピングしないＮＰＢの
厚さを０〜３０nmの間で変化させた場合のこれらのデバ
イスの色座標及び輝度効率の変動を示す。ドーピングし
ない領域の厚さが２nmを上回ると輝度効率が急激に低下
する。さらにドーピングしないＮＰＢの厚さが１０nmを
上回ると青色しか得られず、その発光が青色発光層に限
られていることを暗示している。
【００４８】
【表２】
【００４９】青色発光層に隣接したＡｌｑ電子輸送層に
黄色ルブレンをドーピングすることによっても白色発光
性ＯＬＥＤを製造できることがわかった。図６に有機白
色発光性ＯＬＥＤデバイス６００を示す。層の符号は、
図３に対応して同一である。アノード２２０とカソード
２３０の間に有機白色発光構造体６４０が形成されてい
る。白色発光構造体６４０は、順に、有機正孔輸送層３
４１、ＡＤＮホストとＴＢＰドーパントを含む青色発光
層である有機発光層３４２、及びＡｌｑにルブレン黄色
ドーパントをドーピングしてできている有機電子輸送層
３４３ａを含む。図７に、有機白色発光性ＯＬＥＤデバ
イス７００のさらに別の構造体を示す。この構造体は、
図６に示したものと同様であるが、有機多層構造体７４
０が有する電子輸送層は、二つの層、すなわちルブレン
黄色をドーピングしたＡｌｑでできている層３４３ａ
と、ドーピングしていないＡｌｑの層３４３とからなる
ものとした。
黄色ルブレンをドーピングすることによっても白色発光
性ＯＬＥＤを製造できることがわかった。図６に有機白
色発光性ＯＬＥＤデバイス６００を示す。層の符号は、
図３に対応して同一である。アノード２２０とカソード
２３０の間に有機白色発光構造体６４０が形成されてい
る。白色発光構造体６４０は、順に、有機正孔輸送層３
４１、ＡＤＮホストとＴＢＰドーパントを含む青色発光
層である有機発光層３４２、及びＡｌｑにルブレン黄色
ドーパントをドーピングしてできている有機電子輸送層
３４３ａを含む。図７に、有機白色発光性ＯＬＥＤデバ
イス７００のさらに別の構造体を示す。この構造体は、
図６に示したものと同様であるが、有機多層構造体７４
０が有する電子輸送層は、二つの層、すなわちルブレン
黄色をドーピングしたＡｌｑでできている層３４３ａ
と、ドーピングしていないＡｌｑの層３４３とからなる
ものとした。
【００５０】例３ 図７に示した構造に従いデバイスＭ〜Ｒを製造した。蒸
着の配列はデバイスＡと同一としたが、最初の２０nmの
Ａｌｑ電子輸送層２４３ａにドーピングするルブレン濃
度をそれぞれ（Ｍ）０．０％、（Ｎ）０．３％、（Ｏ）
０．５％、（Ｐ）１％、（Ｑ）２％及び（Ｒ）５％に変
更した。ルブレンをドーピングしたＡｌｑ層に続いて１
５nmのドーピングしていないＡｌｑ層３４３を付着さ
せ、ルブレンをドーピングしたＡｌｑ層とドーピングし
ていないＡｌｑ層の全体厚を３７．５nmにした。デバイ
スＭは電磁スペクトルの青色領域において発光するが、
デバイスＮ及びＯの発光は青白色の方へ変化したことが
わかった。デバイスＰ，Ｑ及びＲは白色発光を示した。
このように、青色発光層及びＡｌｑ電子輸送層において
ルブレンドーピング濃度を最適化すると白色光を得るこ
とができた。
着の配列はデバイスＡと同一としたが、最初の２０nmの
Ａｌｑ電子輸送層２４３ａにドーピングするルブレン濃
度をそれぞれ（Ｍ）０．０％、（Ｎ）０．３％、（Ｏ）
０．５％、（Ｐ）１％、（Ｑ）２％及び（Ｒ）５％に変
更した。ルブレンをドーピングしたＡｌｑ層に続いて１
５nmのドーピングしていないＡｌｑ層３４３を付着さ
せ、ルブレンをドーピングしたＡｌｑ層とドーピングし
ていないＡｌｑ層の全体厚を３７．５nmにした。デバイ
スＭは電磁スペクトルの青色領域において発光するが、
デバイスＮ及びＯの発光は青白色の方へ変化したことが
わかった。デバイスＰ，Ｑ及びＲは白色発光を示した。
このように、青色発光層及びＡｌｑ電子輸送層において
ルブレンドーピング濃度を最適化すると白色光を得るこ
とができた。
【００５１】図８に、電子輸送層内のルブレン濃度を０
〜５％の間で変化させたデバイスＭ〜ＲのＥＬスペクト
ルを示す。青色発光層はＡＤＮホストにＴＢＰを１．５
％ドーピングしたものである。デバイスＰ，Ｑ及びＲに
ついては白色が得られた。その際、青色領域及び黄色領
域の両方から発光ピークが明らかに認められた。表３
に、デバイスＭ〜Ｒのルブレン濃度を関数にした輝度効
率及びＣＩＥ色座標を示す。デバイスＰ，Ｑ及びＲは、
ルブレン濃度約１．５〜２％の場合、電流密度２０ｍＡ
／ｃｍ２において、２．９ｃｄ／Ａの輝度収率及びＣＩ
Ｅ色座標ｘ，ｙ＝０．３３，０．３４を示した。しかし
ながら、これらのデバイスの輝度効率は、デバイスＤの
ようにＮＰＢ正孔輸送層にルブレンをドーピングして製
造されたものよりも低かった。
〜５％の間で変化させたデバイスＭ〜ＲのＥＬスペクト
ルを示す。青色発光層はＡＤＮホストにＴＢＰを１．５
％ドーピングしたものである。デバイスＰ，Ｑ及びＲに
ついては白色が得られた。その際、青色領域及び黄色領
域の両方から発光ピークが明らかに認められた。表３
に、デバイスＭ〜Ｒのルブレン濃度を関数にした輝度効
率及びＣＩＥ色座標を示す。デバイスＰ，Ｑ及びＲは、
ルブレン濃度約１．５〜２％の場合、電流密度２０ｍＡ
／ｃｍ２において、２．９ｃｄ／Ａの輝度収率及びＣＩ
Ｅ色座標ｘ，ｙ＝０．３３，０．３４を示した。しかし
ながら、これらのデバイスの輝度効率は、デバイスＤの
ようにＮＰＢ正孔輸送層にルブレンをドーピングして製
造されたものよりも低かった。
【００５２】
【表３】
【００５３】また、Ａｌｑ電子輸送層３４３ａのルブレ
ン黄色をドーピングした領域を約２nm程度に薄くしても
白色が得られることもわかった。図６及び図７に示した
デバイス構造に従っていくつかのデバイスを製造した。
ルブレンをドーピングしたＡｌｑ電子輸送層３４３ａと
ドーピングしていないＡｌｑ電子輸送層３４３の厚さを
変化させ、その密接性及びルブレンをドーピングしたＥ
ＴＬ層の厚さを見出した。また、高効率白色発光性ＯＬ
ＥＤデバイスを得るためには、Ａｌｑ電子輸送層のルブ
レンをドーピングした領域３４３ａを青色発光層３４２
に密接させるべきであることもわかった。このことは下
記の例４によって例証される。
ン黄色をドーピングした領域を約２nm程度に薄くしても
白色が得られることもわかった。図６及び図７に示した
デバイス構造に従っていくつかのデバイスを製造した。
ルブレンをドーピングしたＡｌｑ電子輸送層３４３ａと
ドーピングしていないＡｌｑ電子輸送層３４３の厚さを
変化させ、その密接性及びルブレンをドーピングしたＥ
ＴＬ層の厚さを見出した。また、高効率白色発光性ＯＬ
ＥＤデバイスを得るためには、Ａｌｑ電子輸送層のルブ
レンをドーピングした領域３４３ａを青色発光層３４２
に密接させるべきであることもわかった。このことは下
記の例４によって例証される。
【００５４】例４ 青色発光層３４２とルブレンをドーピングしたＡｌｑ層
３４１ａとの間にドーピングしていないＡｌｑを厚さを
変えて挿入することによってＯＬＥＤデバイスＳ〜Ｘを
製造した。表４に、ドーピングしていないＡｌｑの厚さ
が０〜１０nmであるこれらのデバイスの輝度効率と色座
標の変化を示す。ドーピングしていない領域の厚さが５
nmを上回ると急激に輝度効率が低下する。さらにドーピ
ングしていないＡｌｑの厚さが１０nmを上回ると、青色
発光層からの青色光しか得られなくなる。
３４１ａとの間にドーピングしていないＡｌｑを厚さを
変えて挿入することによってＯＬＥＤデバイスＳ〜Ｘを
製造した。表４に、ドーピングしていないＡｌｑの厚さ
が０〜１０nmであるこれらのデバイスの輝度効率と色座
標の変化を示す。ドーピングしていない領域の厚さが５
nmを上回ると急激に輝度効率が低下する。さらにドーピ
ングしていないＡｌｑの厚さが１０nmを上回ると、青色
発光層からの青色光しか得られなくなる。
【００５５】
【表４】
【００５６】本発明の別の重要な特徴は、ルブレンをＮ
ＰＢ正孔輸送層３４１ａとＡｌｑ電子輸送層３４３ａと
の両方にドーピングすることによってＯＬＥＤから白色
光が得られることである。これらのデバイスは、ルブレ
ンを正孔輸送層又は電子輸送層のいずれか一方にドーピ
ングして得られるものより顕著に高い輝度収率と動作安
定性を示す。
ＰＢ正孔輸送層３４１ａとＡｌｑ電子輸送層３４３ａと
の両方にドーピングすることによってＯＬＥＤから白色
光が得られることである。これらのデバイスは、ルブレ
ンを正孔輸送層又は電子輸送層のいずれか一方にドーピ
ングして得られるものより顕著に高い輝度収率と動作安
定性を示す。
【００５７】図９に、ルブレンを正孔輸送層３４１ａと
電子輸送層３４３ａとの両方にドーピングした有機白色
発光性ＯＬＥＤデバイス９００を示す。その他の層の符
号は図３に対応するものと同一である。アノード２２０
とカソード２３０の間に有機白色発光構造体９４０が形
成されている。白色発光構造体９４０は、順に、ルブレ
ンをドーピングした有機正孔輸送層３４１ａ、ＡＤＮホ
ストとＴＢＰドーパントを含む青色発光層である有機発
光層３４２、及びＡｌｑにルブレン黄色ドーパントをド
ーピングしてできている有機電子輸送層３４３ａを含
む。
電子輸送層３４３ａとの両方にドーピングした有機白色
発光性ＯＬＥＤデバイス９００を示す。その他の層の符
号は図３に対応するものと同一である。アノード２２０
とカソード２３０の間に有機白色発光構造体９４０が形
成されている。白色発光構造体９４０は、順に、ルブレ
ンをドーピングした有機正孔輸送層３４１ａ、ＡＤＮホ
ストとＴＢＰドーパントを含む青色発光層である有機発
光層３４２、及びＡｌｑにルブレン黄色ドーパントをド
ーピングしてできている有機電子輸送層３４３ａを含
む。
【００５８】図１０に、有機白色発光性ＯＬＥＤデバイ
スの別の構造体１０００を示す。この構造体は図９に示
したものと同様であるが、有機多層構造体１０４０が有
する有機正孔輸送層は、二つの層、すなわちドーピング
していないＮＰＢでできている層３４１と、ルブレンを
ドーピングしたＮＰＢである層３４１ａとからなる。同
様に、有機電子輸送層は、ルブレンをドーピングしたＡ
ｌｑの単一層からなることも、ルブレンをドーピングし
たＡｌｑ層３４３ａとドーピングしていないＡｌｑ層３
４３のような二層からなることもできる。
スの別の構造体１０００を示す。この構造体は図９に示
したものと同様であるが、有機多層構造体１０４０が有
する有機正孔輸送層は、二つの層、すなわちドーピング
していないＮＰＢでできている層３４１と、ルブレンを
ドーピングしたＮＰＢである層３４１ａとからなる。同
様に、有機電子輸送層は、ルブレンをドーピングしたＡ
ｌｑの単一層からなることも、ルブレンをドーピングし
たＡｌｑ層３４３ａとドーピングしていないＡｌｑ層３
４３のような二層からなることもできる。
【００５９】例５ 図４、図７及び図１０に示したデバイス構造に従ってデ
バイスＡＡ〜ＡＦを製造した。図１１に、青色発光層に
隣接したＡｌｑ電子輸送層とＮＰＢ正孔輸送層との双方
にルブレンをドーピングしたデバイスＡＦの一つのＥＬ
スペクトルを示す。表５に、デバイスＡＡ〜ＡＦのルブ
レン濃度を関数にした輝度効率とＣＩＥ色座標を示す。
デバイスＡＥ及びＡＦは、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２に
おいて、５．３ｃｄ／Ａの輝度収率及びＣＩＥ色座標
ｘ，ｙ＝０．３５，０．３８を示した。この輝度効率
は、ＮＰＢ正孔輸送層又はＡｌｑ電子輸送層のいずれか
一方にルブレンをドーピングして得られた白色ＯＬＥＤ
デバイスよりも高い値である。
バイスＡＡ〜ＡＦを製造した。図１１に、青色発光層に
隣接したＡｌｑ電子輸送層とＮＰＢ正孔輸送層との双方
にルブレンをドーピングしたデバイスＡＦの一つのＥＬ
スペクトルを示す。表５に、デバイスＡＡ〜ＡＦのルブ
レン濃度を関数にした輝度効率とＣＩＥ色座標を示す。
デバイスＡＥ及びＡＦは、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２に
おいて、５．３ｃｄ／Ａの輝度収率及びＣＩＥ色座標
ｘ，ｙ＝０．３５，０．３８を示した。この輝度効率
は、ＮＰＢ正孔輸送層又はＡｌｑ電子輸送層のいずれか
一方にルブレンをドーピングして得られた白色ＯＬＥＤ
デバイスよりも高い値である。
【００６０】
【表５】
【００６１】周囲環境中での封入ＯＬＥＤデバイスの動
作安定性については、ＯＬＥＤデバイスを一定の電流密
度２０ｍＡ／ｃｍ２において動作させたときの駆動電圧
及び輝度の経時変化を測定することによって評価した。
本発明による様々な構造に従い製造された白色ＯＬＥＤ
デバイスは、どれも高い動作安定性を示した。図１２〜
図１４に、これらのデバイスの輝度の動作安定性を示
す。
作安定性については、ＯＬＥＤデバイスを一定の電流密
度２０ｍＡ／ｃｍ２において動作させたときの駆動電圧
及び輝度の経時変化を測定することによって評価した。
本発明による様々な構造に従い製造された白色ＯＬＥＤ
デバイスは、どれも高い動作安定性を示した。図１２〜
図１４に、これらのデバイスの輝度の動作安定性を示
す。
【００６２】図１２に、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２にお
ける動作時間を関数にしたデバイスＡ、Ｃ及びＥの相対
輝度を示す。デバイスＡは青色発光デバイスである。一
方、デバイスＣ及びＥは、例１に記載したようにＮＰＢ
正孔輸送層にルブレンをドーピングした白色発光デバイ
スである。デバイスＣ及びＥは、デバイスＡよりも優れ
た動作安定性を示している。
ける動作時間を関数にしたデバイスＡ、Ｃ及びＥの相対
輝度を示す。デバイスＡは青色発光デバイスである。一
方、デバイスＣ及びＥは、例１に記載したようにＮＰＢ
正孔輸送層にルブレンをドーピングした白色発光デバイ
スである。デバイスＣ及びＥは、デバイスＡよりも優れ
た動作安定性を示している。
【００６３】図１３に、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２にお
けるデバイスＭ、Ｎ及びＱの動作安定性を示す。デバイ
スＭは青色発光デバイスである。一方、デバイスＮ及び
Ｑは、例３に記載したようにＡｌｑ電子輸送層にルブレ
ンをドーピングした白色発光デバイスである。デバイス
Ｎ及びＱは、デバイスＭよりも顕著に高い動作安定性を
示している。
けるデバイスＭ、Ｎ及びＱの動作安定性を示す。デバイ
スＭは青色発光デバイスである。一方、デバイスＮ及び
Ｑは、例３に記載したようにＡｌｑ電子輸送層にルブレ
ンをドーピングした白色発光デバイスである。デバイス
Ｎ及びＱは、デバイスＭよりも顕著に高い動作安定性を
示している。
【００６４】図１４に、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２にお
けるデバイスＡＡ、ＡＣ、ＡＤ、ＡＥ及びＡＦの動作安
定性を示す。これらのデバイスは例５に記載されてい
る。デバイスＡＡは青色発光デバイスである。デバイス
ＡＣ及びＡＤは、それぞれＡｌｑ電子輸送層及びＮＰＢ
正孔輸送層にルブレンをドーピングして得られた白色発
光デバイスである。デバイスＡＥ及びＡＦも白色発光デ
バイスであるが、ＮＰＢ正孔輸送層とＡｌｑ電子輸送層
の両方に黄色ルブレンをドーピングしたものである。意
外なことに、デバイスＡＥ及びＡＦが示した輝度及び駆
動電圧の変化が最も小さかった。すなわち、これらのデ
バイスは５種のＯＬＥＤデバイスの中で最も高い動作安
定性を有している。青色発光層に隣接しているＡｌｑ電
子輸送層とＮＰＢ正孔輸送層との双方にルブレンをドー
ピングした場合、白色ＯＬＥＤデバイスの動作安定性及
び効率が顕著に向上する相乗効果が得られた。
けるデバイスＡＡ、ＡＣ、ＡＤ、ＡＥ及びＡＦの動作安
定性を示す。これらのデバイスは例５に記載されてい
る。デバイスＡＡは青色発光デバイスである。デバイス
ＡＣ及びＡＤは、それぞれＡｌｑ電子輸送層及びＮＰＢ
正孔輸送層にルブレンをドーピングして得られた白色発
光デバイスである。デバイスＡＥ及びＡＦも白色発光デ
バイスであるが、ＮＰＢ正孔輸送層とＡｌｑ電子輸送層
の両方に黄色ルブレンをドーピングしたものである。意
外なことに、デバイスＡＥ及びＡＦが示した輝度及び駆
動電圧の変化が最も小さかった。すなわち、これらのデ
バイスは５種のＯＬＥＤデバイスの中で最も高い動作安
定性を有している。青色発光層に隣接しているＡｌｑ電
子輸送層とＮＰＢ正孔輸送層との双方にルブレンをドー
ピングした場合、白色ＯＬＥＤデバイスの動作安定性及
び効率が顕著に向上する相乗効果が得られた。
【００６５】
【発明の効果】このように、ルブレンを正孔輸送層もし
くは電子輸送層のいずれか一方に、又はこれら双方に、
ドーピングすることによって製造された本発明の白色Ｏ
ＬＥＤデバイスは、退色に対する動作安定性が顕著に改
良されている。本発明によるＯＬＥＤデバイスは、輝度
収率が一層高く、しかも駆動電圧が一段と低い。本発明
によるＯＬＥＤデバイスは、動作時の電流密度を高くし
ても、色座標及び輝度効率の悪化が最小限で済む。
くは電子輸送層のいずれか一方に、又はこれら双方に、
ドーピングすることによって製造された本発明の白色Ｏ
ＬＥＤデバイスは、退色に対する動作安定性が顕著に改
良されている。本発明によるＯＬＥＤデバイスは、輝度
収率が一層高く、しかも駆動電圧が一段と低い。本発明
によるＯＬＥＤデバイスは、動作時の電流密度を高くし
ても、色座標及び輝度効率の悪化が最小限で済む。
【図１】従来技術の有機発光デバイスを示す略断面図で
ある。
ある。
【図２】従来技術の別の有機発光デバイスを示す略断面
図である。
図である。
【図３】正孔輸送層にルブレン系黄色ドーパントをドー
ピングした白色発光性ＯＬＥＤデバイスを示す略断面図
である。
ピングした白色発光性ＯＬＥＤデバイスを示す略断面図
である。
【図４】正孔輸送層にルブレン系黄色ドーパントをドー
ピングした別の構造の白色発光性ＯＬＥＤデバイスを示
す略断面図である。
ピングした別の構造の白色発光性ＯＬＥＤデバイスを示
す略断面図である。
【図５】正孔輸送層へのルブレンドーピング量を関数と
するＥＬ分光分布を示すグラフである。
するＥＬ分光分布を示すグラフである。
【図６】電子輸送層にルブレン系黄色ドーパントをドー
ピングした白色発光性ＯＬＥＤデバイスを示す略断面図
である。
ピングした白色発光性ＯＬＥＤデバイスを示す略断面図
である。
【図７】電子輸送層にルブレン系黄色ドーパントをドー
ピングした別の構造の白色発光性ＯＬＥＤデバイスを示
す略断面図である。
ピングした別の構造の白色発光性ＯＬＥＤデバイスを示
す略断面図である。
【図８】Ａｌｑ電子輸送層へのルブレンドーピング量を
関数とするＥＬ分光分布を示すグラフである。
関数とするＥＬ分光分布を示すグラフである。
【図９】正孔輸送層と電子輸送層の両方にルブレンをド
ーピングした白色発光性ＯＬＥＤデバイスを示す略断面
図である。
ーピングした白色発光性ＯＬＥＤデバイスを示す略断面
図である。
【図１０】正孔輸送層と電子輸送層の両方にルブレンを
ドーピングした別の構造の白色発光性ＯＬＥＤデバイス
を示す略断面図である。
ドーピングした別の構造の白色発光性ＯＬＥＤデバイス
を示す略断面図である。
【図１１】正孔輸送層と電子輸送層の両方にルブレンを
ドーピングした場合のＥＬスペクトルを示すグラフであ
る。
ドーピングした場合のＥＬスペクトルを示すグラフであ
る。
【図１２】ＨＴＬ層へのルブレンドーピング量が０％
（Ａ）、０．５％（Ｃ）、２．０％（Ｅ）である３種類
のデバイスについて動作時間を関数とする相対輝度の変
化を示すグラフである。
（Ａ）、０．５％（Ｃ）、２．０％（Ｅ）である３種類
のデバイスについて動作時間を関数とする相対輝度の変
化を示すグラフである。
【図１３】ＥＴＬ層へのルブレンドーピング量が０％
（Ｍ）、０．３％（Ｎ）、２．０％（Ｑ）である３種類
のデバイスについて動作時間を関数とする相対輝度の変
化を示すグラフである。
（Ｍ）、０．３％（Ｎ）、２．０％（Ｑ）である３種類
のデバイスについて動作時間を関数とする相対輝度の変
化を示すグラフである。
【図１４】青色デバイス（ＡＡ）、ＥＴＬ層へのルブレ
ンドーピング量が０．５％であるデバイス（ＡＣ）、Ｈ
ＴＬ層へのルブレンドーピング量が１．５％である白色
ＯＬＥＤ（ＡＤ）、ＨＴＬ層及びＥＴＬ層の両方にルブ
レンをドーピングしたＯＬＥＤデバイス（ＡＥ）及び
（ＡＦ）の５種類のデバイスについて動作時間を関数と
する相対輝度の変化を示すグラフである。
ンドーピング量が０．５％であるデバイス（ＡＣ）、Ｈ
ＴＬ層へのルブレンドーピング量が１．５％である白色
ＯＬＥＤ（ＡＤ）、ＨＴＬ層及びＥＴＬ層の両方にルブ
レンをドーピングしたＯＬＥＤデバイス（ＡＥ）及び
（ＡＦ）の５種類のデバイスについて動作時間を関数と
する相対輝度の変化を示すグラフである。
１００…有機発光デバイス １２０…アノード １３０…カソード １４０…発光層 ２００…有機発光デバイス ２１０…透光性基板 ２２０…透光性アノード ２３０…カソード ２４０…有機発光構造体 ２４１…有機正孔輸送層 ２４２…有機発光層 ２４３…有機電子輸送層 ３００…有機発光デバイス ３４０…有機発光構造体 ３４１…ドーピングされていない有機正孔輸送層 ３４１ａ…黄色ドーパントを含む有機正孔輸送層 ３４２…有機発光層 ３４３…有機電子輸送層 ３４３ａ…黄色ドーパントを含む有機電子輸送層 ４００…有機発光デバイス ４４０…有機多層構造体 ６００…有機発光デバイス ６４０…有機発光構造体 ７００…有機発光デバイス ７４０…有機多層構造体 ９００…有機発光デバイス ９４０…有機発光構造体 １０００…有機発光デバイス １０４０…有機多層構造体
Claims (3)
- 【請求項１】 下記ａ〜ｈを構成要件とする実質的に白
色光を発する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイ
ス： ａ）基板、 ｂ）当該基板上に配置されたアノード、 ｃ）当該アノード上に配置された正孔注入層、 ｄ）当該正孔注入層上に配置された正孔輸送層、 ｅ）当該正孔輸送層上に直接配置された、青色発光性化
合物をドーピングした発光層、 ｆ）当該青色発光層上に配置された電子輸送層、 ｇ）当該電子輸送層上に配置されたカソード、並びに ｈ）当該正孔輸送層、当該電子輸送層又は当該電子輸送
層及び当該正孔輸送層は、層の全体、又は層の当該青色
発光層に接している部分、に対応する領域において選択
的にドーピングされており、当該選択的ドーピングはス
ペクトルの黄色領域において発光する化合物によって施
されていること。 - 【請求項２】 下記ａ〜ｇを含んで成る、実質的に白色
光を発する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス： ａ）基板、 ｂ）当該基板上に配置されたアノード、 ｃ）当該アノード上に配置された正孔注入層、 ｄ）当該正孔注入層上に配置された、スペクトルの黄色
領域において発光させるための化合物をドーピングした
正孔輸送層、 ｅ）当該正孔輸送層上に直接配置された、青色発光性化
合物をドーピングした発光層、 ｆ）当該青色発光層上に配置された電子輸送層、及び ｇ）当該電子輸送層上に配置されたカソード。 - 【請求項３】 下記ａ〜ｇを含んで成る、実質的に白色
光を発する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス： ａ）基板、 ｂ）当該基板上に配置されたアノード、 ｃ）当該アノード上に配置された正孔注入層、 ｄ）スペクトルの黄色領域において発光させるためのル
ブレン化合物をドーピングした正孔輸送層、 ｅ）当該正孔輸送層上に直接配置された、青色発光性化
合物をドーピングした発光層、 ｆ）当該青色発光層上に配置された電子輸送層、及び ｇ）当該電子輸送層上に配置されたカソード。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/651,624 US6696177B1 (en) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | White organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency |
| US09/651624 | 2000-08-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP1187235B1 (ja) |
| JP (1) | JP4979859B2 (ja) |
| CN (1) | CN1274033C (ja) |
| DE (1) | DE60129389T2 (ja) |
| TW (1) | TW494584B (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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