TW494584B - White organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency - Google Patents

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TW494584B
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Description

494584 A7 B7 五、發明説明（1 ) 本發明關於產生白光之有機發光裝置（OLED)。 一種OLED裝置包含一個基材、一個陽極、一個有機化合 物製成的電洞傳遞層、一個含有適當摻雜物之有機發光層 、一個有機電子傳遞層及一個陰極。OLED裝置因其低驅動 電壓、高放光、視角寬廣及用於全彩平面發射顯示器的能 力而吸引人。此多層OLED裝置係描述於US-A-4,769,292及 US-A-4,885,21 1。 對數種應用如LCD顯示器中的紙薄光源背景光、汽車頂 燈及辦公室照明而言，有效產生白光之OLED裝置被視爲低 成本的替代物。產生白光的OLED裝置應是光亮、有效率的 且一般具有約（〇.33, 〇·33)之國際d，Eclairage(CIE)委員會色 度座標。依據此發現，在任何情況下，白光是使用者可察 覺具有白色的光。 下列專利及發表揭示可放出白光之有機OLED裝置的製備 ，其中該OLED裝置包含插入一對電極中之一個電洞傳遞層 及一個有機發光層。 US-A-5,683,823中曾報導過產生白光之OLED裝置，其中 發光層包含一種均勻塗佈在主發射材料上之紅及藍光發射 材料。此裝置具有極佳電致發光特徵，但紅及藍色摻雜物 的濃度非常小，如佔主材料之0.12%及0.25%。這些濃度在 大規模製造過程中不易控制。 JP 07,142,169中Sato及其他人揭示一種可發出白光之 OLED裝置，其係由將一個藍光發射層置於該電洞傳遞層上 ，接著放上一個綠光發射層而製得，其中該綠光發射層具 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 494584 A7 B7 五、發明説明（2 ) 有一個含有紅色螢光層之區域。
Kido及其他人在科學，第267卷，m2頁（ 1995)及APL， 第64卷，815頁（1994)中發表一種產生白光的OLED裝置。 在此裝置中，使用三個具有不同載體傳送性質之發射體層 以產生白光，其中這三個發射體層各放出藍、綠及紅光。 US-A-5,405,709揭示另一種白光發射裝置，其可放出白光 以回應電洞-電子再結合，並且包含一可見光範圍從藍綠至 紅色之榮光。 近來，DeshpADNe及其他人在應用物理信函’第7 5卷’ 888頁（1999)發表利用以電洞阻擋層分隔之紅、藍及綠發光 層的白OLED裝置。 但是，這些OLED裝置需要極少量之摻雜物濃度，使大規 模製造時此程序不易控制。而且放出顏色因摻雜物濃度之 微小變化而不同。 一個本發明目的是製造一種可有效的白光發射有機裝置。 本發明另一個目的是提供一種有效且安定製造白光的 OLED裝置，其具有簡單結構且可在製造環境中複製的。 十分意外地發現具有高發光效率及操作安定性之製造白 光的OLED裝置可藉掺入黃色摻雜物於NPB電洞傳遞層並摻 入藍色摻雜物於ADN主發射層而獲得。 也發現藉摻入紅螢婦於Alq電子傳遞層及摻入藍色摻雜物 於ADN主發射層可製造白光。 此目的可藉一種實質上可產生白光之有機發光二極體 (OLED)裝置達到，其包含： 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 494584 A7 B7 五、發明説明（3 a) 一個基材； b) —個置於該基材上之陽極； 個置於該陽極之電洞射出層 d) 一個置於該電洞射出層之電洞傳遞層； e) 一個直接置於該電洞傳护恳^、曰 %、n π 傅遞層上心摻有藍光發射化名 物t發光層； f) 一個置於孩藍光發射層之電子傳遞層； g) 一個置於該電子傳遞層上之陰極；^ ’ h)個選擇性接人電洞傳遞層、電子傳遞層或電子1 遞層及電洞傳遞層之區域，其中該區域相當於—整層或】 監光發射層接觸之層的—部份，該選擇性掺人係以一種、 發出位於光讀黃光區之光的化合物來進行。 此目的另外可藉一種實質上可產生白 體裝置達到，其包含： a) —個基材； 光之有機發光二極 b) 一個置於該基材上之陽極； c) 一個摻有紅螢晞化合物以放射位於光譜中黃光區之 光的電洞射出層； d) 一個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化合 物之發光層； e) 一個直接置於該藍光發射層上之捧有紅營晞化合物 以放射位於光譜中黃光區之光的電子傳遞層；及 f) 一個置於該電子傳遞層上之陰極。 優點 -6 · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）
裝 訂
線 494584 A7 _B7______五、發明説明（4 ) 下列是本發明的特徵及優點·· 一種用於產生白光之電洞傳遞層或電子傳遞層或兩者中 具有黃色摻雜物的簡化OLED裝置；及 一種容易控制藍色及黃色摻雜物濃度之OLED裝置，因爲 掺雜物的濃度十分高（〜2% TBP及〜2%紅螢烯）。 依照本發明製得之OLED裝置可以高再現性製得，而且一 致地提供高發光效率（20毫安培/平方厘米下，5.3cd/安培） 。這些裝置具有高操作安定性而且需要低驅動電壓。 圖1描繪一種先前技術有機發光裝置； 圖2描繪另一種先前技術有機發光裝置； 圖3描繪一種製造白光的OLED裝置，其中該電洞傳遞層 摻有紅榮晞黃色掺雜物； 圖4描繪另一種製造白光的OLED裝置結構，其中該電洞 傳遞層掺有紅螢稀·黃色掺雜物； 圖5顯示E L光譜分布隨摻入電洞傳遞層之紅螢烯而變之 圖形； 圖6描繪一種製造白光的OLED裝置，其中該電子傳遞層 摻有紅螢烯黃色摻雜物； 圖7描繪另一種製造白光的OLED裝置結構，其中該電子 傳遞層摻有紅螢烯黃色掺雜物； 圖8顯示E L光譜分布隨掺入Alq電子傳遞層之紅螢烯而變 之圖形； 圖9描繪一種製造白光的OLED裝置，其中該電洞傳遞層 及電子傳遞層中掺有紅螢烯；
裝 訂
線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明（5 ) 圖10描繪另一種製造白光的OLED裝置結構，其中該電洞 傳遞層及電子傳遞層中摻有紅螢烯，· 圖1 1顯示EL光譜圖，其中紅螢烯黃色摻入電洞傳送及電 子傳遞層； 圖1 2顯示三種（A )無紅螢烯及有（C ) 0.5 %紅螢晞和 (E ) 2.0 %紅螢烯摻入HTL層之裝置隨操作時間改變之相對 發光變化； 圖1 3顯示三種（Μ )無紅螢烯及有（N) 0.3 %紅螢烯和 (Q ) 2.0 %紅螢烯摻入ETL層之裝置隨操作時間改變之相對 發光變化；及 圖14顯示五種裝置：（ΑΑ)藍色裝置，（AC)0.5%摻入ETL 層，（AD)具有1 . 5 %紅螢烯摻入HTL層之白OLED ; (AE)及 (AF)具有紅螢烯摻入HTL及ETL層之白OLED裝置隨操作時 間改變之相對發光變化。 一種有機OLED裝置之慣用發光層包含一種發光或螢光材 料，其中電致發光是電子-電洞對在此區域中再結合的結果 所產生的。在構造最簡單的OLED裝置1 0 0，如圖1中所示 ，一個發光層1 4 0係夾在陽極1 2 0與陰極1 3 0之間。該發光 層140是一種具有高發光效率之純材料。一種爲人所熟知 的材料是可產生極佳綠色電致發光的參（8 -羥基喳啉）链 (Alq)。 此簡單結構可改良成如圖2中所示之三層結構，其中一個 額外的電致發光層被導入電洞與電子傳遞層之間以主要作 爲電洞-電子再結合之處並因此電致發光。就此而論’各個 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 五、發明説明（6 有基層的功用是不同的，因此可獨立地調整之至最佳狀態 。所以’電致發光或再結合層可經過選擇以具有所需〇LED 顏色以及高發光效率。相同地，電洞與電子傳遞層主要地 可調整其載體傳送性質至最佳狀態。這些熟諳此技者將可 了解電子傳遞層及陰極可被製成透明的，因此可幫助該裝 置透過其頂層而不透過基材照明。 移至圖2 ’ 一種有機光發光裝置2〇〇具有一個透光基材 210 ’其上置有一個透光陽極22〇。此陽極22〇包含22如及 22〇b兩層。一種有機發光結構240係形成於陽極220與陰極 2 3 0之間。此有機發光結構24〇依序包含一個有機電洞傳遞 層241、一個有機發光層242及一個有機電子傳遞層24；3。 在陽極220與陰極23 0之間施予一個電位差（未顯示出）時， 陰極將電子射入電子傳遞層243，而且該電子將移動跨越 層243至發光層242。同時，電洞從陽極22〇被射入電洞傳 遞層241。該電洞將移動跨越層241並與電子於或近電洞傳 遞層241與發光層242間所形成之接合處再結合。當移動電 子從其導電帶掉落至價層帶（valance)填入電洞中，能量以 光的方式釋放，而且其經光穿透陽極22〇及基材21〇發射。 此有機OLED裝置可被視爲是一種二極體，當陽極的電位 比陰極高時，其向前斜。有機〇1^1)裝置的陽極與陰極各可 採用任何便利的慣用形式，如us_a-4,885,21 1中所揭示各 種形式中的任一種。當利用低工作函數陰極及高工作函數 陽極實質上可降低操作電壓。較好的陰極是這些由一種工 作函數低於4· 0電子伏特之金屬與一種其他金屬，較佳係一 494584 A7 B7
種工作函數大於4.0電子伏特之金屬所構成之組合物。μ g Ο :Ag在US-A-4,885,211中構成一個較佳陰極結構物。A1 : Mg陰極在US-A-5,059,062是另一個較佳陰極結構物。 八-5,776,622揭示1^?/八1雙層在有機01^〇裝置中提高電子射 出率的用途。由Mg ·· Ag、Al : Mg或LiF/ A1所製成之陰極 是不透光的，而且無法透過陰極看見顯示物。近來，一系 列刊物（Gu及其他人在APL 68，2606[1996] ; Burrows及其 他人，J. Appl. Phys. 87，3080(2000) ; Parthasarathy及其他 人；APL 72，2138 9198 ; Parthasarathy及其他人；APL 76 ，2128[2000]，APL，3209[1999])已揭示透明的陰極。陰極 係以薄半透明金屬（〜100安培）與該金屬頂面之銦-錫-氧化 物（ITO)所形成之組合物爲基礎。一種銅酞花青有機層 (CuPc)也可取代薄金屬。 慣用的陽極220a係由可導電且透明的氧化物所形成。因 氧化銦錫之透明度、良好導電度及高工作函數，故其已被 廣泛地用於作爲陽極接觸。 在一個較佳具體實例中，陽極220a可被改良成具有電洞 射出層220b 〇 透光基材210可由玻璃、石英或塑膠材料製成。 可用於形成有機OLED裝置之電洞傳遞層之較好的材料是 如US-A-4,539,507中所敎導之三級胺。另一類較好的胺是四 芳基胺。較好的四芳基胺包含兩個透過伸芳基連接之二芳 基胺基，如式（III)所示。較好的四芳基二胺包括這些下式 所代表的化合物： -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x297公釐） 494584 A7 B7 五、發明説明（8
At1 At2
N-L--N
At At3 (III) 其中，
Ar、Ar 、Ar及Ar係獨立地選自苯基、聯二苯基及菩 基部份， L是一個二價伸莕基部份或dn， d是一個伸苯基部份， ， η是一個從1至4的整數，而且 當L是dn，Ar、Ar1、Ar2及Ar3中至少一個是莕基部份。 上述結構式（I)、（II)、（ΙΠ)及（IV)中各個烷基、伸烷基、 芳基及伸芳基邵份可各別被取代。典型的取代基包括烷基 、烷氧基、芳基、芳氧基及卣素如氟化物、氯化物及溴化 物。各個烷基及伸烷基部份一般包含從約1至6個碳原子。 環fe基邵份可包含從3至約1 〇個碳原子，但一般包含五、 六或七員環碳原子，例如環戊基、環己基及環庚基環狀結 構。當芳基及伸芳基部份無熔凝成芳族環部份時，他們最 好是苯基及伸苯基部份。 説明可用經選擇（含有已溶凝芳族環）之芳族三級胺（ATA) 於下： ΑΤΑ- 14,4 -雙[N-(l-各基）-N -苯基胺基]聯二苯基（npb) ΑΤΑ·24,4"-雙[N-(卜莕基）-N-苯基胺基]·對-聯三苯基 -11 - 本紙張尺度適财g @家鮮(CNS) A4規格(21G x 297公爱) 五、發明説明（9 ) ΑΤΑ-34, 4’-雙[N-(2-莕基）-N-苯基胺基]聯二苯基 ATA-44,4f-雙[N-(3-二氫苊基）-N-苯基胺基]聯二苯基 八丁八-51，5-雙[>^(1-莕基）-1^-苯基胺基]莕 ATA-64,4’-雙[N-(9-蒽基）-N-苯基胺基]聯二苯基 ΑΤΑ-74, 4"-雙[N-(l-蒽基）-N-苯基胺基]-對-聯三苯基 八丁八-84,4’-雙[>^(2-菲基）-1^苯基胺基]聯二苯基 ATA-94,4，-雙[N-(8-蒽基）·Ν-苯基胺基]聯二苯基 ΑΤΑ-10 4,4’-雙[Ν-(2-芘基）-Ν-苯基胺基]聯二苯基 ΑΤΑ- 1 1 4,4’-雙[>1-(2-稠四苯基）4-苯基胺基]聯二苯基 ΑΤΑ- 12 4,4’ -雙[Ν_(2 -二莕嵌苯基）-Ν -苯基胺基]聯二 苯基 ΑΤΑ-13 4，4’-雙[N-(1-蔻基）-Ν-苯基胺基]聯二苯基 ΑΤΑ-14 2,6-雙[二-對-曱苯基胺基]莕 ΑΤΑ- 15 2,6 -雙[二-(1-莕基）胺基]莕 ΑΤΑ- 16 2,6-雙[N-(l-苏基）-Ν-(2-莕基）-胺基]苯 ΑΤΑ_ 17 Ν，Ν，Ν’，Ν、四（2-莕基）-4,4，，-二-胺基-對-聯三 苯基 ΑΤΑ-18 4,4’-雙{Ν -苯基-N-[4-(l -莕基）-苯基]•胺基} 聯二苯基 ΑΤΑ- 1 9 4,4 -雙[Ν -表基-Ν-(2 -比基）胺基]聯二苯基 ΑΤΑ-2 0 2,6-雙[Ν，Ν-二（2-莕基）胺基]芴 ΑΤΑ-2 1 1，5-雙[>1-(1-莕基）*^-苯基胺基]莕 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐）
A7 B7 (10 ) 五、發明説明
可用於形成本發明有機OLED裝置之電子傳遞層之較好的 材料是金屬鉗合8 -經基4淋型的（oxinoid)化合物，包括如 US-A-4,885,211中所揭tf之8 -每基p奎p林（也普遍相當於8 - 口奎 啉醇（quinolinol)或8-羥基喳啉）本身的錯合物。此類化合物 主現咼度性能並容易製成薄層形態。此電子傳遞層也可由 -13-
494584
五、發明説明（n ) '―" US-A-5,683,823中所揭示之樸啉化合物製得。可用的樸啉 化合物之極佳實例是無金屬酞花青及含金屬的酞花青。可 用的樸啉化合物之説明性實例是銅酞花青（CuPc)。 一個發光層之較佳具體實例係由掺有螢光染料之主材料 所組成的。利用此方法，可建造高度有效的E L裝置。同時 ’ E L裝置的顏色可利用普通主材料中不同放射波長之螢光 染料作調整。已渡讓US-A-4,769,292極詳細地描述此摻雜 物結構用於利用Alq作爲主材料之el裝置。 已渡讓US-A-5,935,721極詳細地描述此摻雜物結構用於利 用9, 10-二-(2-莕基）蒽（ADN)衍生物作爲主材料之發藍光 OLED裝置。
本發明藍光發射層之較佳主材料包括： a) ADN
;或
b) 第三丁基ADN
-14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNs) A4規格(210X297公釐） 494584 A7 B7 五、發明説明（12 ) 下列是欲用於實施本發明之藍色螢光掺雜物的名單。 i) 二莕嵌苯
ii) 2,5,8，11-四·第三丁基二莕嵌苯
;及 i i i)其他共耗苯環型的如
在發射層中用於作爲黃色摻雜物之較佳材料是紅螢烯類 的材料。這些是含有多環苯型發色單位之烴化合物。 Hamada及其他人發表在應用物理信函，第75卷，1682頁 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝 訂
線 494584 A7
及其各種操作參數之圖形 發明及其優點。 進一步以下列特定實例説明本 移至圖3，-種有機白發光裝置3⑽具有一個透光基材 210其上置有與圖2中所示相同之透光陽極。一種有 機白發光、，構3 4 0係形成於陽極2 2 〇與陰極2 3 〇之間。此有 機發光結構340依序包含一個摻有紅螢烯黃色掺雜物之有 機電洞傳遞層34U。一個有機發光層3 42是藍光發射層， 其包含ADN王材料及τΒΡ摻雜物。一個有機電子傳遞層343 係由Alq所製成的。 圖4描緣一種有機白發光〇led裝置4〇〇，其具有一個類 似於圖3中有機多層結構34〇所示之有機多層結構44〇，除 了有機電洞傳遞層係由兩層，未摻雜質之Npb所製成的層 3 4 1及摻有紅螢烯黃色摻雜物之層341a所组成的之外。 實例1 依下列方式建造一個OLED裝置： 相繼將塗有8 0毫微米ITO之基材置於商用清潔劑中以超 音波清洗，以去離子水清洗之並在甲苯蒸汽中去氣。以氧 電漿處理這些基材約1分鐘並藉電漿協助CHF3沈積塗上1毫 微米碳氟化合物。使用相同程序以製備所有本發明所描述 之其他裝置。 將這些基材裝入有機層及陰極沈積之沈積室中。 裝置A係藉依序沈積150毫微米NPB電洞傳遞層（HTL)、 20毫微米包含ADN主材料與1.5% TBP藍色摻雜物之藍色 發射層（£1^1〇、37.5毫微米八19電子傳遞層01^)，然後〇.5
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線 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 494584 A7 ____ B7 五、發明説明（15 ) 毫微米LiF及200毫微米A1作爲陰極一部份所製得。上述順 序完成OLED裝置之沈積。 然後在充滿氮氣之乾燥手套箱中密封地封裝此〇LED裝置 以保護之以防周遭環境之損害。用於製備這些〇Led裝置之 ITO式樣化基材包含數種測試圖案。測試各裝置之電流電位 特徵及電致發光量。 依照與裝置A相同之順序製備裝置b、C、D、E及F，除 了 1 5 0耄微米NPB電洞傳遞層分別摻有不同量之紅螢晞濃度 :(B ) 0.3 % ’ ♦( C ) 0.5 %，（ D ) 1 %，（ E) 2 % 及（F) 5 %。發現 裝置A在電致發光光譜之藍光區有放射光，同時由裝置b至 C發出的放射光係朝藍-白色變化。裝置〇及e具有白放射光 ’同時由裝置F發出的放射光朝白橘偏移。因此，在npb電 洞傳遞層中適當的紅螢烯濃度下可製造白色光。 圖5顯示這些裝置a至F之EL光譜，其中電洞傳遞NPB層 中紅螢晞的濃度係從〇增加至5 %。此藍色發射層係由掺有 1 · 5 % TBP之ADN主材料所組成的。當紅螢烯的濃度係約 1.5-2%時，可獲得CIE座標爲（0.33, 0.38)之白色且發光效 率大於4.2 cd/安培@20毫安培/平方厘米。因此，可使用 濃度極高的紅螢烯黃色摻雜物及TBP藍色摻入物。裝置a至 F之發光效率及CIE座標隨紅螢烯濃度變化情形係表示於表 1中。裝置D的發光量在20毫安培/平方厘米電流密度下是 4.3 cd/安培而且CIE x，y之顏色色度座標=0 33，0 38。這是 一項本發明重要特徵，其中將紅螢烯摻入鄰接藍光發射層 之NPB電洞傳遞層可產生白光〇LED。 -18- 494584 A7 B7 五、發明説明（16 ) 發現爲獲得白光： ，鄰接藍光發射層之NPB電洞傳遞層中 紅螢烯黃色摻入區域的厚度可如約2毫微米般薄。依照圖4 中所示裝置結構可製得數種裝置。未摻雜質之NPB電洞傳 遞層341及摻有紅螢晞之NPB電洞傳遞層341 a的厚度分別在 120至150毫微米及30至0毫微米間變化以尋找摻有紅螢烯 之HTL層的厚度。 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 494584 Α7 Β7 五、發明説明ς α η οα > 裝置 編號 > 150毫微米ΝΡΒ+5%紅 螢烯 150毫微米NPB+2%紅 螢烯 150毫微米ΝΡΒ+1%紅 螢晞 150 毫微米ΝΡΒ+0.5% 紅螢晞 150 毫微米NPB+0.3% 紅榮烯 150毫微米NPB ί 電洞傳遞層 塔紅螢烯摻入HTL層所獲得白OLED的電致發光特徵 20 毫微米 ADN+1.5%TBP 20 毫微米 ADN+1.5%TBP 1 20毫微米 ADN+1.5%TBP 20 毫微米 ADN+1.5%TBP 20 毫微米 ADN+1.5%TBP i20毫微米 ADN+1.5%TBP 藍光發射層 35毫微米Alq 35毫微米Alq 35毫微米Alq 35毫微米Alq 35毫微米Alq 35毫微米Alq 1 電子傳遞層 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 1 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 陰極 〇〇 Lh 〇〇 oo Lo oo NJ oo oo bo 驅動電壓 (伏特） 3.96 4.29 4.22 1 3.69 1 3.61 2.88 發光量 (cd/安培） 0.422 0.383 0.328 0.267 0.245 0.166 1 ί 1- CIEx 0.443 0.421 0.385 0.34 0.324 0.253 CIEy 1- 白-橘 藍-白 顏色 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) A7 _____B7 五、發明説明（18 ) 也發現如下列實例2所説明般，NPB電洞傳遞層341a中摻 有紅螢晞的區域應與藍光發射層3 4 2緊密接觸以獲得高效 率製造白光的OLED裝置。 實例2 OLED裝置G、Η、I、J、κ、L·係藉插入一個未摻雜質的 ΝΡΒ於摻有紅螢晞之ΝΡΒ電洞傳遞層34u與藍光發射層342 之間而製得。 表2顯不當未摻雜質之NPB的厚度在〇與3 〇毫微米間變化 時，這些裝置的顏色座標及發光效率的變化。當未摻雜質 的區域厚度超過2¾爲米時，發光效率快速降低。進一步增 加未摻雜質之NPB的厚度至超過1 〇毫微米只產生藍色，指 示發射變得侷限在藍發射層。 發現一個可產生白光之QLED也可藉將黃色紅螢烯摻雜物 摻入鄰接藍光發射層之Alq電子傳遞層中而製得。圖6顯示 一個有機白發光OLED裝置600。層數係與對應圖3相同。 一個有機白發光結構6 4 0係形成於陽極2 2 〇與陰極2 3 〇之間 。此有機白發光結構6 4 0依序包含一個有機電洞傳遞層3 4 j 、一個有機發光層342及一個有機電子傳遞層343a，其中 該有機發光層342是含有ADN主材料及TBP摻雜物之藍光發 射層，而且該有機電子傳遞層343a係由Alq所製成的並摻有 紅螢缔黃色摻雜物。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明（ r «-Η X o 翁辩 ^ H K) 部 > 雖 尊 δ *-d ω 3 米g ω # i米 ft ζ ^ 鵰5 vL u> 專Ο 蘀 褰S vu LO 5 » s赛 i洙 ^ s 丄U) 尊〇 蘀二 Xl·. o 5 » 土米 ω 马> $奋 ^ C5 專〇 寒：： -V ^ 5 ^ s赛 土米 二 § ^ C3d ^ OJ 尊〇 » 蘀二 M. 00 g # S赛 ±洙 C： Z ^ W 2 > 尊^ 槲 赛G xu 〇 5 » s^ i诈 o^ W sJL 〇J 〇 3 b|Q H—* 〇 蘀 蘀 NJ 蘀 o 蘀 V Z L ^υ 翁W ί|3碟 b|Q " 谇 S 〇 r tn U ^ » S寒 Η > ^ ω 〇 ° ^ » •二蘀 ^ g ^ ^ » ^ » 米 s g ^ ^ w 米 > ί5ί > ^ 寒 OJ Γ-. Lh 蘀 LO Γϋ KJ\ 蘀 U) S— ο州 蘀 米 "> LO !-l 寒 * ^ I ^ I 盎蘀 ^ I (ro' fty c^寒 s ° 0Q ^ 米g c? S ^ Μ s ° 〇Q # is 菡 00 σ\ 00 σ\ OO Lh 00 00 ON 00 Lh -3w 々s P 恭神 W躑 κ> bo Κ) LO LO s U) S U) •s 各 啦士 添1Φ >w^ •ο ΟΝ Η—· Ο Os ρ s ·〇 >—» 00 v〇 ο to NJ >—* o L〇 Lf\ o η w Ο •to LO Η-* Ο k> LO o •to LO OJ ο Κ〇 s o Kj OO o Lo S η Η f ★ III· 銥 C^ -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584
圖7描繪另一種有機白發光OLED裝置700之結構。此結 構係類似於圖6中所示般，除了有機多層結構7 4 〇具有一個 電子傳遞層，其中該傳遞層係由兩層，摻有紅螢烯黃色摻 雜物之Alq所製成的層343a及未摻雜質之Alq所製成的層 3 4 3所組成的。 實例3 依照圖7中所示結構製造裝置μ至R。沈積順序係與裝置 Α的順序相同，除了先沈積的2 〇毫微米Alq電子傳遞層243 a 中分別摻有不同量紅螢烯濃度··（Μ)0·0%，（Ν)0·3%， (0)0.5%，（P)l%，（Q)2%及（R)5%。接著在摻有紅螢烯 的Alq層上沈積15亳微米未摻雜質之Alq層343，使摻有紅螢 烯之Alq層與不摻之Alq層的總厚度等於37.5毫微米。發現 裝置Μ在電致發光光譜之藍光區有放射光，同時由裝置n 至0發出的放射光係朝藍-白色變化。裝置ρ、q及r具有白 放射光。因此，在Alq電子傳遞層及藍光發射層中摻入適當 濃度之紅螢烯可製造白色光。 < 圖8顯示這些裝置Μ至R之EL光譜，其中電子傳遞層中紅 螢烯的濃度係在0 - 5 %間變化。此藍色發钋層係摻入1 · 5 % ΤΒΡ至ADN主材料中。裝置p、Q、R可獲得白光，其中位 於藍光區及.黃光區的放射波峰係清晰可見的。 裝置Μ至R之發光效率及CIE座標係隨紅螢烯濃度而變並 表示於表3中。當紅螢烯的濃度係約^· 2%時，在20毫安 培/平方厘米電流密度下，裝置Ρ、Q及r的發光量爲2.9 cd/ 安培，而且CIE x，y之顏色色度座標= 0.33, 0.34。但是，這 -23·
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線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明（21 ) 些裝置的發光效率係小於這些將紅螢烯掺入NPB電洞傳遞 層所製得之裝置，如裝置D。 也發現爲獲得白光，Alq電子傳遞層343a中紅螢烯黃色摻 入區域的厚度可如約2毫微米般薄。依照圖6及圖7中所示 裝置結構可製備數種裝置。掺有紅螢烯之Alq電子傳遞層 343 a及未掺雜質之Alq電子傳遞層343的厚度係在找到近似 値與摻有紅螢烯之ETL層厚度間變化。 也發現如Alq電子傳遞層343 a中掺有紅螢烯的區域應與藍 光發射層342緊密接觸以獲得高效率製造白光的OLED裝置 。此係以下列實例4説明之。 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 494584 A7 B7 五、發明説明（22 Ο -d 〇 2 裝置 編號 許V U) nfr 雖 尊 寻 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB HTL層 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 藍光發射層 20毫微米Alq +5% 紅螢烯 20毫微米Alq +2% 紅螢晞 20毫微米Alq +1% 紅螢晞 20毫微米Alq +0.5%紅螢烯 20毫微米Alq +0.3%紅螢烯 20毫微米Alq 摻有紅螢烯％之 ETL Μ 〇 r tn ο 雄 薛 35毫微米 Alq 15毫微米 Alq 15毫微米 Alq 15毫微米 Alq 15毫微米 Alq I 15毫微米 Alq 未摻雜質之 ETL 200毫微米 MgAg 200毫微米+ MgAg i 200毫微米 j MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 1 200毫微米 ! MgAg ' 陰極 v〇 •NJ OO VO OO 驅動電壓 (伏特） h—* 'Ο VO 2.55 2.94 3.31 3.76 3.07 發光量 (cd/安培） 0.338 0.327 0.301 0.27 0.24 0.171 CIEx 0.351 0.347 0.334 | _i 0.316 o Lo 0.25 CIEy 藍-白 顏色 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 五 A7 B7 、發明説明（23 ) 實例4 OLED裝置S至X係藉插入不同厚度之未掺雜質的Alq於藍 光發射層342與摻有紅營烯之Alq層34 la之間而製得。表4顯 示這些裝置的顏色座標及發光效率變化，其中未掺雜質之 Alq的厚度係從0變化至1 〇毫微米。當未摻雜質區的厚度超 過5毫微米時，發光效率快速降低。進一步增加未捧雜質之 Alq的厚度至大於10毫微米，結果只從藍光發射層放出藍色。 本發明另一項重要特徵是白光可藉一個摻入紅螢烯於 NPB電洞傳遞層34la及Alq電子傳遞層343a與藍光發射層342 所製成之OLED製造。與這些藉摻入紅螢烯於電洞傳遞層或 電子傳遞層所形成之裝置相比，這些裝置具有顯著較高的 發光量及較高操作安定性。 圖9顯示一個有機白發光OLED裝置900，其中紅螢烯被摻 入電洞傳遞層34la及電子傳遞層343a。其他層的數目係與 對應圖3相同。一個有機白發光結構940係形成於陽極220與 陰極230之間。此白發光結構940係依序包含一個摻有紅螢 稀之有機電洞傳遞層341a、一個有機發光層342及一個有機 電子傳遞層343a，其中該有機發光層342是含有ADN主材料 及TBP摻雜物之藍光發射層，而且該有機電子傳遞層343a 係由Alq所製成的並摻有紅螢晞黃色摻雜物。 -26- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂
494584 A7 B7 五、發明説明（24 ) C G Η in 裝置 编號 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 ΝΡΒ 150毫微米 NPB HTL層 1 瘡紅螢烯摻入ETL所獲得之白0LED 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 藍光發射層 10毫 微米 5毫 微米 2毫 微米 1毫 微米 0毫 微米 0毫 微米 差蘇 5毫微米 5毫微米 5毫微米 5毫微米 5毫微米 0毫微米 捧有2%紅 螢烯之ETL Alq 20毫微米 25毫微米 28毫微米 29毫微米 30毫微米 35毫微米 未摻雜質 之ETL Alq 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 陰極 Os •OJ 2 〇 ON *<1 ▲ Η—* LO NJ $ LO LO to VO Κ) On 〇〇 發光量I (cd/安培) _1 0.143 0.242 0.233 0.247 0.267 0.156 CIEx 0.184 0.295 0.303 0.313 0.321 0.254 CIEy ψ 白·藍 顏色 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 494584 五 A7 B7 、發明説明（25 ) 圖10描繪另一種有機白發光OLED裝置1000之結構。此結 構係類似於圖9中所示般，除了有機多層結構1040具有一個 有機電洞傳遞層，其中該傳遞層係由兩層，未摻雜質之 NPB所製成的層341及摻有紅螢烯之NPB所製成的層341a所 組成的。相同地，有機電子傳遞層可由掺有紅螢晞之Alq單 層所製成，或其係由如摻有紅螢烯之Alq 343 a及未摻雜質 之Alq層343等兩層所組成的。 實例5 依照圖4、7及1 0中所示裝置結構製造裝置AA至AF。圖 11顯示裝置AF之一的EL光譜，其中紅螢烯被摻入NPB電 洞傳遞層以及鄰接藍光發射層之Alq電子傳遞層。 裝置AA至AF之發光效率及CIE座標隨紅螢烯濃度變化情 形係表示於表5中。在20毫安培/平方厘米電流密度下，裝 置AE及AF的發光量爲5.3 cd/安培，而且CIE x，y之顏色色 度座標=0.33，0.38。此發光效率係高於藉摻入紅螢烯於 NPB電洞傳遞層或Alq電子傳遞層所獲得之白OLED裝置。 在20毫安培/平方厘米之固定電流密度下操作OLED裝置 時，可藉測量驅動電壓及發光性隨時間所產生的變化發現 已封裝的OLED裝置在周遭環境中的操作安定性。藉下列本 發明不同結構所製得之白OLED裝置具有高操作安定性。圖 12至14顯示這些裝置的操作發光安定性。 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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494584 A7 B7 五、發明説明（26 ) > > m > σ > Ο > CO ί 翁辩 隸N > Ul 1—· ^ Η—» ^ H— 秦带:寒 —^ — ^ ^ ^ ω ° 莓漭參' >—* ο 州 Ζ W ^-1 cyi 〇 州 赛 米 z Cd ►—» Lti 〇 州 赛 z Dd X Η Π^τ 離 尊 碟 > Ζ S 3 ί Η £ 綠 4S " Hh S I ^ ±獬 Lf\ #蘀 Η ± » lyi #蘀 π米 g - i w 1/1 #薛 Η ^ - i州 l/l #蘀 i州 Lh #蘀 -d ^ § ^ Z i » Ln #蘀 5d 醉； β|3 y ^ ·ο蘀 >蘀 •S米 ^ > 雖+ μ 州 衮 ί y w .° ^ 部g y w •o蘀 K) ^ 蘀 έ* > ^ ·Μ tn ^ 雖 尊 ►—» 蘀 H-* Lh η 米 >—» L/1 州 Η—» U\ % >—1 LT\ 州 蘀 米 »—· Lf\ 州 蘀 > > Η # r硪 ίί 〇 ^ ° 赛g ^ ° 赛^ ^ ° 寒g ^ ° 州 赛g ° 州 赛g ^ ° 强d 0Q Ln ▲ C： On On 00 'os W鰣 Lh to 4^ \j\ U) 5^ to Vi to w ΐφ ο LO ON 〇 1〇 a Ο l〇 U) O •NJ ON ·〇 oc ·〇 H-* η m X .〇 L〇 〇〇 ο U) 〇〇 ο U) οο 〇 L〇 to oo o to to v〇 〇 k> ON Ο 尽 睞 睞 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 494584 A7 _B7___ 五、發明説明（27 ) 圖12顯示在20毫安培/平方厘米電流密度下，裝置A、C 及E的相對發光性隨操作時間變化的情形。裝置A是一種藍 光裝置，反之裝置C及E係如摻入紅螢烯於NPB電洞傳遞層 之實例1中所描述般是白光裝置。裝置C及E具有優於裝置 A之操作安定性。 圖13顯示在20毫安培/平方厘米電流密度下，裝置Μ、N 及Q的操作安定性。裝置Μ是一種藍光裝置，反之裝置Ν及 Q係如掺入紅螢烯於Alq電子傳遞層之實例3中所描述般是 白光裝置。裝置N及Q的操作安定性明顯比裝置Μ高。 圖14顯示在20毫安培/平方厘米電流密度下，裝置ΑΑ、 AC、AD、ΑΕ及AF的操作安定性。這些裝置係描述於實 例5。裝置ΑΑ是一種藍光裝置。裝置AC及AD係藉分別摻 入紅螢烯於Alq電子傳遞層及ΝΡΒ電洞傳遞層所獲得之白光 裝置。裝置AE及AF也是白光裝置，除了黃色紅螢烯被摻 入NPB電洞傳遞層及Alq電子傳遞層之外。意外地，裝置 AE及AF在發光性及驅動電壓方面顯示變化最小。因此， 在五個OLED裝置中，這些裝置具有最高操作安定性。當紅 螢烯被摻入NPB電洞傳遞層以及鄰接藍光發射層之Alq電子 傳遞層時，加成作用使白OLED裝置可獲得明顯較好的操作 安定性及效率。 因此，藉摻入紅螢烯至NPB電洞傳遞層或電子傳遞層或 電洞傳遞層與電子傳遞層兩者所製得之本發明白OLED裝置 具有明顯改良之操作褪色安定性。這些OLED裝置具有較高 發光量及較低驅動電壓。這些OLED裝置可以最小的顏色座 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 494584 A7 B7 五、發明説明（28 ) 標及發光效率衰退量操作在較高電流密度下。 本發明其他特徵係包含於下。 該OLED裝置之藍色掺雜物的濃度係介於〇 . 1 - 1 〇 %主材料 之間。 該OLED裝置之電洞傳遞層的厚度係介於2 0毫微米-3 0 0 毫微米之間。 該OLED裝置之藍光發射層的厚度係介於1 〇毫微米-1 〇 〇 毫微米之間。 該OLED裝置之電子傳遞層的厚度係介於1 〇毫微米-1 5 0 毫微米之間。 該OLED裝置之陰極係選自由LiF/Al、Mg ·· Ag合金及 Al-Li合金組成之群。 該OLED裝置之陰極是透明的。 該OLED裝置之電子傳遞層是透明的。 該OLED裝置之電洞傳遞層包含一種芳族三級胺。 該OLED裝置之電子傳遞層包含參（8-羥基喹啉）鋁。 該OLED裝置之電子傳遞層包含銅自太花青化合物。 該OLED裝置之藍光發射層包含選自下歹1]化合物組成之群 的主材料：
本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明（29 ) ，·及
該OLED裝置之藍光發射層包含選自下列化合物組成之群 的藍色掺雜物： i) 二莕嵌苯
ii) 2,5，8, 11-四-第三丁基二苯嵌苯 ;及 iii) 其他共軛苯環型的如 該OLED裝置之紅螢烯化合物的濃度係介於0 . 1 - 1 0 %主材 料之間。 該OLED裝置之藍色摻雜物的濃度係介於0 . 1 - 1 0 %主材料 之間。 該OLED裝置之電洞傳遞層的厚度係介於2 0毫微米-3 00 毫微米之間。 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明（3q ) 該OLED裝置之藍光發射層的厚度係介於1〇毫微米-100 毫微米之間。 該OLED裝置之電子傳遞層的厚度係介於1 〇毫微米-1 5 0 毫微米之間。 該OLED裝置之陰極係選自由LiF/Al、Mg : Ag合金及 A1 - L i合金組成之群。 該OLED裝置之陰極是透明的。 該OLED裝置之電子傳遞層是透明的。 一種實質上可產生白光之有機發光二極體裝置，其包含： a) 一個基材； b) —個置於該基材上之陽極； c) 一個置於該陽極之電洞射出層； d) 一個置於該電洞射出層之電洞傳遞層； e) 一個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化合 物之發光層； f) 一個直接置於該藍光發射層上之電子傳遞層，其摻有 一種化合物以放出位於光譜黃光區的光；及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 一種實質上可產生白光之有機發光二極體裝置，其包含： a) 一個基材； b) —個置於該基材上之陽極； c) 一個置於該陽極上之電洞射出層； d) —個置於該電洞射出層之電洞傳遞層； e) 一個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化合物 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 494584 A7 B7 _ 一 五、發明説明（31 ) 之發光層； f) 一個直接置於該藍光發射層上之摻有紅螢晞化合物以 放出位於光譜黃光區之光的電子傳遞層；及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 該OLED裝置之電洞傳遞層包含一種芳族三級胺。 該0 L E D裝置之電子傳遞層包含參（8 -羥基喹啉）鋁。 該OLED裝置之電子傳遞層包含銅S太花青化合物。 該OLED裝置之藍光發射層包含選自下列化合物組成之 群的主材料：
;及
該OLED裝置之藍光發射層包含選自下列化合物組成之群 的藍色摻雜物： i) 二莕嵌苯 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明（32 )
ϋ) 2,5,8, 11_四-第三丁基二苯嵌苯 ;及 iii) 其他共耗苯環型的如
該OLED裝置之紅螢烯化合物的濃度係介於〇 . 1 - 1 0 %主材 料之間。 該OLED裝置之藍色摻雜物的摻雜物濃度係介於〇. 1-10% 主材料之間。 該OLED裝置之電洞傳遞層的厚度係介於2 0毫微米-3 0 0 毫微米之間。 該OLED裝置之藍光發射層的厚度係介於10毫微米-100 毫微米之間。 該OLED裝置之電子傳遞層的厚度係介於100毫微米-150 毫微米之間。 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明（33 ) 該OLED裝置之電洞傳遞層是芳族三級胺。 該OLED裝置之電子傳遞層是參（8-羥基喹啉）鋁。 該OLED裝置之電子傳遞層係由銅址花青化合物所製成。 該OLED裝置之陰極係選自由LiF/Al、Mg : Ag合金及 A1 - L i合金組成之群。 該OLED裝置之陰極是透明的。 該OLED裝置之電子傳遞層是透明的。
一種實質上可產生白光之有機發光二極體裝置，其包含： a) 一個基材； b) 一個置於該基材上之陽極·’ c) 一個置於該陽極之電洞射出層； d) —個置於該電洞射出層之電洞傳遞層，其摻有一種化 合物以放出位於光譜黃光區的光； e) —個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化合物 之發光層；
f) 一個直接置於該藍光發射層上之電子傳遞層，其摻有 一種黃色化合物以放出位於光譜黃光區的光；及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 一種實質上可產生白光之有機發光二極體裝置，其包含： a) 一個基材； b) —個置於該基材上之陽極； c) 一個置於該陽極上之電洞射出層； d) —個摻有紅螢烯化合物以放出位於光譜黃光區之光的 電洞傳遞層； -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 494584 A7 B7 五、發明説明（34 ) e ) —個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化合物 之發光層； f) 一個直接置於該藍光發射層上之摻有紅勞晞化合物以 放出位於光譜黃光區之光的電子傳遞層；及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 該OLED裝置之電洞傳遞層包含一種芳族三級胺。 該OLED裝置之電子傳遞層包含參（8-羥基喹啉）鋁。 該OLED裝置之電子傳遞層包含銅酞花青化合物。 該OLED裝置之藍光發射層包含選自下列化合物組成之群 的主材料：
該OLED裝置之藍光發射層包含選自下列化合物組成之群 的藍色摻雜物： -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明（35 ) i) 二莕嵌苯
ii) 2,5,8, 11-四-第三丁基二莕嵌苯 ;及 i i i)其他共輛苯環型的如
該OLED裝置之紅榮少希化合物的濃度係介於0 · 1 - 1 〇 %主材 料之間。 該OLED裝置之藍色摻雜物的摻雜物濃度係介於〇 . 1 - 1 〇 % 主材料之間。 該OLED裝置之電洞傳遞層的厚度係介於2 0毫微米-3 0 0 毫微米之間。 該OLED裝置之藍光發射層的厚度係介於1 〇毫微米-1 〇 0 毫微米之間。 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 494584 A7 B7 五 、發明説明（36 ) 該OLED裝置之電子傳遞層的厚度係介於1〇〇毫微米-150 毫微米之間。 該OLED裝置之陰極係選自由LiF/Al、Mg : Ag合金及 Al-Li合金組成之群。 該OLED裝置之陰極是透明的。 該OLED裝置之電子傳遞層是透明的。 該OLED裝置另外包含一個未掺雜質之電子傳遞層，其被 置於已摻雜質之電子傳遞層上。 該OLED裝置另外包含一個未摻雜質之電子傳遞層，其被 置於已摻雜質之電子傳遞層上。 該OLED裝置另外包含一個未掺雜質之電洞傳遞層，其被 置於陽極上。 該OLED裝置另外包含一個未摻雜質之電洞傳遞層，其被 置於陽極上。 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）

Claims (1)

  1. A B c D 2 4 6 二種實質上可產生白光之有機發光二極體（〇led)裝置， 具包含： a) —個基材； b) —個置於該基材上之陽極； c) —個置於該陽極上之電洞射出層； d) —個置於該電洞射出層上之電洞傳遞層； e) —個直接置於該電洞傳遞層上之摻有一種藍光發 射化合物之發光層； f) 一個置於該藍光發射層上之電子傳遞層； g) —個置於該電子傳遞層上之陰極；及 h) —個選擇性掺入該電洞傳遞層、電子傳遞層或電 子傳遞層及電洞傳遞層之區域，其中該區域相當於一整 層或與該藍光發射層接觸之層的一部份，該選擇性摻入 係以一種可發出位於光譜黃光區之光的化合物來進行。 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置，其中該黃光發射 接雜物包括一種紅螢烯（mbrene)化合物。 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置，其中該電洞傳遞 層包含一種芳族三級胺。 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置，其中該電子傳遞 層包含參（8-¾ 基口奎琳）銘（tris(8-hydroxy quinolinol) aluminum) 〇 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置，其中該電子傳遞 層包含銅酞花青化合物。 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置，其中該藍光發射 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 線
    層包含選自下列化合物組成之 3王材料：
    及
    根據申請專利範圍第丨項之〇LED裝置，其_藍光發射 層包含選自下列化合物組成之群的藍色摻雜物： 0 二秦歲苯（perylene); ii) 2,5,8，11-四-第三丁基二莕嵌苯；及 iii) 其他共軛苯環型。 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置，其中該紅螢烯化 合物的濃度係介於〇 · 1 - 1 〇 %主材料之間。 一種實質上可產生白光之有機發光二極體（OLED)裝置 ，其包含： a) —個基材； b ) —個置於該基材上之陽極； 41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 494584 8 8 8 8 A B c D 六、申請專利範圍 C ) 一個置於該陽極上之電洞射出層； .d) —個置於該電洞射出層上並掺有一種化合物以發 出位於光譜黃光區之光的電洞射出層； e) —個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化 合物之發光層； f) 一個置於該藍光發射層上之電子傳遞層；及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 10. —種實質上可產生白光之有機發光二極體（OLED)裝置 ，其包含： a ) —個基材； b) —個置於該基材上之陽極； c ) 一個置於該陽極上之電洞射出層； d) —個摻有紅螢烯化合物以放出位於光譜黃光區之 光的電洞傳遞層； 、 e) —個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化 合物之發光層； f) 一個置於該藍光發射層上之電子傳遞層；及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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