CN101351066A - 有机发光装置及制造所述有机发光装置的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机发光装置及制造所述有机发光装置的方法。在所提供的有机发光装置中，防止当移除外部连接端子上的钝化层时所产生的裂纹等随时间的逝去而扩展，并且不损坏发光区域的防湿性。所述有机发光装置包括：基板；有机平面化层，其用于对基板的不平坦进行平整；有机发光器件，其包括下电极、有机化合物层和上电极；以及钝化层，其用于覆盖有机发光器件，其中，所述有机平面化层中形成有凹入或凸出非连续部分，以用于分离包括发光区域的部位和包括外部连接端子的部位，并且所述非连续部分被所述钝化层所覆盖。

Description

有机发光装置及制造所述有机发光装置的方法

技术领域

本发明涉及一种在平板显示器等中所使用的有机发光装置以及制造所述有机发光装置的方法。

背景技术

近年来，人们的注意力已经被吸引到作为平板显示器的有机发光装置，它是一种自发光型器件。构成有机发光装置的有机发光器件的特性容易由于湿气、氧等而导致降级。甚至少量的湿气的存在也可导致有机化合物层与电极层之间的剥离，这变为暗点的一个原因。因此，以蚀刻玻璃盖来覆盖这样的有机发光器件，以密封剂来密封其外围，并且将吸湿剂放置在其内部，从而以吸湿剂来吸收通过密封的表面所侵入的湿气，以确保有机发光器件的寿命。

然而，为了使用薄的有机发光装置来实现节省空间的平板显示器，需要消除用于在发光区域的外围处的吸湿剂的空间，以进一步减少厚度，并且因此，所需要的是不需要大量吸湿剂的密封有机发光装置的方法。因此，需要具有高性能钝化层的固态密封，以用于防止湿气或氧侵入有机化合物层。

通常，当形成钝化层时，为了防止钝化层形成在用于对有机发光器件外部的电路的电连接的外部连接端子上，通过以金属等所形成的板形区域掩模来覆盖外部连接端子等。然而，存在这样的问题：构成有机发光器件的基板的挠曲或区域掩模的挠曲在基板与区域掩模之间创建了空隙，从而还在外部连接端子上形成钝化层。相应地，已经需要并且提出了不使用区域掩模的方法。

日本专利申请公开2002-151254描述了一种方法，其中，将掩蔽带应用于包括外部连接端子的部位，并且在已经形成了钝化层之后，将掩蔽带与钝化层一起剥离下来。进一步地，还描述了一种方法，其中，有机化合物层形成在包括外部连接端子的部位中，并且在已经形成了钝化层之后，使用紫外线光来进行光刻，以将有机化合物层和钝化层一起剥离下来。

日本专利申请公开2004-165068描述了一种方法，其中，激光消除层形成在包括外部连接端子的部位中，并且在已经在其上形成了钝化层之后，照射激光，以将激光消除层和钝化层一起移除。

然而，当使用掩蔽带、光刻、激光照射或喷砂处理(blasting)来剥离钝化层来进行移除时，在钝化层的截面中产生微小的裂纹、剥离等。由于长的时间段中的环境改变，这些问题进一步显现，从而到达发光区域，这最终损坏了钝化层的防湿性。

具体地说，存在很多情况，其中，以硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物等来形成钝化层，并且膜厚度是1μm至几个μm大。当剥离这样的钝化层以将其移除时，破裂发生率增加。

进一步地，在包括具有薄膜晶体管(TFT)的基板的有机发光装置在TFT上具有有机平面化层时，由于温度改变或湿度改变而导致在形成在有机平面化层上的钝化层中新产生裂纹。另一方面，已经存在的裂纹以较高的速度扩展。更具体地说，由于有机发光器件的温度的改变而导致有机平面化层会扩张和收缩。由于扩张系数不同，所以，当有机平面化层扩张或收缩时，应力被施加到有机平面化层和包括无机材料的钝化层。因此，形成在已经在其中具有微小裂纹的有机平面化层上的钝化层生成热应力，并且产生新的裂纹，并且所述裂纹随着时间的逝去而扩展。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种有机发光装置以及一种制造所述有机发光装置的方法，在所述有机发光装置中，防止当移除外部连接端子上的钝化层时所产生的裂纹等随时间的逝去而扩展，并且不损坏发光区域的防湿性。

为了解决前述问题，本发明提供一种有机发光装置，所述有机发光装置包括：基板；有机平面化层，其用于对所述基板的不平坦进行平整；有机发光器件，其包括下电极、有机化合物层和上电极；以及钝化层，其用于覆盖所述有机发光器件，其中，所述有机平面化层中形成有用于分离包括发光区域的部位和包括外部连接端子的部位的凹入或凸出非连续部分，并且所述非连续部分被所述钝化层所覆盖。

根据本发明，可以在非连续部分处阻止当移除外部连接端子上的钝化层时在钝化层中所产生的破裂、剥离等的扩展，由此可以防止湿气或氧侵入有机发光器件的发光区域。

结合附图从以下示例性实施例的描述，本发明的其它特征将变得清楚。

附图说明

图1是根据本发明的有机发光装置的实施例的示意平面图。

图2是沿着图1的直线2-2所取得的示意性部分截面图。

图3是根据本发明的有机发光装置的另一实施例的示意性截面图。

图4是根据本发明的有机发光装置的再一实施例的示意平面图。

图5是根据本发明的有机发光装置的又一实施例的示意平面图。

图6是沿着图5的直线6-6所取得的示意性部分截面图。

图7是根据本发明的有机发光装置的再一实施例的示意平面图。

图8是根据本发明的有机发光装置的又一实施例的示意平面图。

图9是根据本发明的有机发光装置的再一实施例的示意性截面图。

具体实施方式

现在，以下将参照附图描述本发明实施例。注意，本发明不限于这些实施例。

(实施例1)

参照图1和图2描述本发明的实施例1。图2是沿着图1的直线2-2所取得的示意性截面图。

首先，描述制造有机发光装置的方法，其后描述所述有机发光装置。

制造有机发光装置的方法被合适地实现为用于制造如下有机发光装置的方法，所述有机发光装置至少包括：基板1；有机平面化层4，其用于对基板1的不平坦进行平整；有机发光器件；以及钝化层9，其覆盖上述组件。

在基板1上形成用于驱动各个有机发光器件的薄膜晶体管2。基板1可以是透明的或是不透明的，并且可以是由合成树脂等形成的绝缘基板，或者可选地，可以是导电基板或半导体基板，其表面上形成有硅氧化物、硅氮化物等的绝缘层。

形成以无机材料制成的绝缘层3，从而覆盖薄膜晶体管2。进一步地，形成用于吸收薄膜晶体管2的不平坦的有机平面化层4。作为绝缘层3的材料，可以使用硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物等。作为有机平面化层4的材料，可以使用丙烯酸树脂(acrylic resin)、聚酰亚胺树脂(polyimide resin)、降冰片烯树脂(norbornene resin)、氟树脂(fluororesin)等。

平行于发光区域100以直线在有机平面化层4中形成凹入非连续部分14，凹入非连续部分14用于分离包括发光区域100的部位和包括外部连接端子10的部位，作为用于防止稍后将形成的钝化层9的破裂的结构。在此所使用的术语“分离”表示只有通过在非连续部分14上进行延伸才可将形成在外部连接端子10上的钝化层和形成在发光区域100中的钝化层彼此连接。在日本专利申请公开2004-165068中所描述的有机电致发光板中，因为在显示部分和端子之间存在没有形成平面化绝缘层的部分，所以存在这样的可能性，即：可降低在这样的部分中破裂、剥离等的扩展。然而，由于与根据本发明的装置不同，没有形成非连续部分以便分离显示部分和端子，所以存在如下部分，在所述部分，形成在端子上的保护膜和形成在显示部分上的保护膜彼此连接。因此，假设使得破裂、剥离等发生扩展。

非连续部分14具有凸出结构或凹入结构。可以通过包括湿法蚀刻和干法蚀刻的已知蚀刻方法来形成非连续部分14。例如，通过在有机平面化层4上进行旋涂来施加抗蚀剂，进行光刻，在此之后，进行溶液中的沉浸，以移除有机平面化层4。进一步地，可以使用包括等离子蚀刻、溅射蚀刻和离子束蚀刻的干法蚀刻来移除有机平面化层4之下的绝缘层。

在非连续部分14中，期望移除具有有机平面化层4的整个厚度的部分，从而由此暴露在底部由无机材料形成的绝缘层3，由此可以改进对钝化层9的粘接。

期望使得非连续部分14的侧壁朝向底部逐渐变尖，从而朝向底部在相对侧壁之间的间隔减少，并且角度(倾斜的角度)是30°或更大。原因在于，当角度是30°或更大时，可以减少非连续部分14的侧壁的下部分(也就是在非连续部分14的角落处)中的钝化层9的膜密度，由此可以破坏钝化层9的连续性。进一步地，当非连续部分14的侧壁的角度陡峭时，可以使得在发光区域100的外围处的部位(换句话说，框架部位)更小。

期望的是，非连续部分14的底部的宽度是0.1mm或更大并且0.5mm或更小。当宽度大于0.5mm时，使得在发光区域100的外围处的部位(换句话说，框架部位)更大。进一步地，当宽度小于0.1mm时，破裂可容易扩展，从而有机发光器件的亮度减少，如稍后进行描述的那样。

下电极6形成在发光区域100中的每一像素位置处。外部连接端子10形成在发光区域100的外部。下电极6经由通过绝缘层3和有机平面化层4所形成的接触孔电连接到薄膜晶体管的信号线11。外部连接端子10直接电连接到薄膜晶体管的信号线11，其中，在这个部分处移除绝缘层3和有机平面化层4。

作为下电极6和外部连接端子10的材料，例如，可以使用铬，但也可以使用银膜、包括添加剂的银膜、铝膜、包括添加剂的铝膜、或铝合金膜。

形成像素分离膜5，从而覆盖下电极6的外围部分。作为像素分离膜5的材料，可以使用以硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物等所形成的无机绝缘层、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛清漆树脂(novolacresin)等。

有机化合物层7形成在下电极6上。例如，有机化合物层7包括空穴输送层、发光层、以及电子输送层，但可以仅包括发光层。或者，有机化合物层7可以包括多个层，例如两层和四层。

上电极8形成在有机化合物层7上。作为上电极8，可以使用以铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)等所形成的透明导电氧化物膜或以银、铝、金等所形成的半透明金属膜。

以钝化层9覆盖包括具有有机发光器件的发光区域100的部位和包括基板1上的外部连接端子10的部位。更具体地说，在没有以区域掩模覆盖包括外部连接端子10的部位的情况下，钝化层9整个形成在基板1上。

作为钝化层9的材料，可以使用具有稠密性的任意材料，包括例如硅氮化物、硅氧化物以及硅氮氧化物。

包括外部连接端子10的部位中的钝化层9被剥离，以将其移除。因为形成在非连续部分14内的钝化层9的膜密度在侧壁的下端(角落)处较低，所以在那里，钝化层9的连续性被破坏。因此，由非连续部分14来阻止当移除外部连接端子10上的钝化层9时所产生的裂纹等，并且所述裂纹等不到达发光区域100。相应地，不损坏发光区域100的防湿性。

剥离钝化层9的方法并不具体地被限制，并且可以使用如下方法，其中，以掩蔽带预先覆盖包括外部连接端子10的部位并且连同掩蔽带一起剥离钝化层9。或者，可以使用以紫外光来对钝化层进行光蚀刻的方法或如下方法，其中，预先在包括外部连接端子10的部位中形成激光消除层并且连同激光消除层一起移除钝化层9。在该实施例中，因为以直线来形成非连续部分14，并且包括外部连接端子10的部位是矩形，所以可以容易地将钝化层9剥离下来。

通过使用粘合剂12，圆偏振板13被结合到包括发光区域100的部位，更具体地说，被结合在钝化层9上。与普通圆偏振板相似，圆偏振板13被构造为偏振板和1/4λ板(相位板)的组合。

结果，可以获得有机发光装置，其中，在有机平面化层4中以直线形成凹入，所述凹入形成非连续部分14，以用于分离包括发光区域100的部位和包括外部连接端子10的部位，并且非连续部分14被钝化层9所覆盖。由于即使当剥离外部连接端子10上的钝化层9时所产生的裂纹等随着时间的逝去而扩展，裂纹等也会被非连续部分14阻止，所以可以保持发光区域100的防湿性。

(实施例2)

在以上所描述的实施例1中，虽然钝化层9直接形成在非连续部分14上，但如图3所示，无机层16可以形成在非连续部分14中，并且钝化层9可以形成在无机层16上。

更具体地说，例如，当上电极8形成时，与上电极8具有相同成分的ITO、IZO等的金属氧化物导电膜也形成在非连续部分14中。通过采用这样的配置，可以增加非连续部分14的侧壁及其附近与钝化层9之间的接触区域，从而可以更紧密地接触钝化层9。此外，因为与有机材料相比，在这样的金属与钝化层之间的粘接性是高的，并且这样的金属的热膨胀系数更加接近于钝化层的热膨胀系数，所以可以阻止钝化层的破裂。

进一步地，因为独立地形成非连续部分14上的无机层，也就是说，因为不是形成在发光区域100上延伸的无机层，所以可以更加可靠地防止湿气侵入发光区域100。

(实施例3)

尽管在上述实施例1和实施例2中，以直线形成非连续部分14，从而分离包括发光区域100的部位和包括外部连接端子10的部位，但如图4所示，可以形成非连续部分14，从而环绕包括外部连接端子10的部位。在此情况下，可以使得包括外部连接端子10的部位的面积最小，并且可以减少当剥离钝化层9时所产生的浪费。进一步地，因为还可以抑制破裂的扩展，所以可以改进密封性能。

(实施例4)

尽管在上述实施例1至实施例3中，仅形成非连续部分14，以分离包括外部连接端子10的部位和包括发光区域100的部位，但如图5和图6所示，可以另外形成用于阻止湿气的非连续部分15。

更具体地说，移除有机平面化层4、像素分离膜5、以及绝缘层3，以形成非连续部分15从而环绕发光区域100，以用于相对于非连续部分14阻止发光区域100侧的湿气。与下电极6具有相同成分的材料的膜形成在非连续部分15中，从而与下电极6电绝缘，并且上电极8进一步形成在其上。上电极8可以经由形成在非连续部分15中的通孔(未示出)连接到基板电路(未示出)。然后，钝化层9形成在其上。

在上述结构中，因为非连续部分15不具有包括有机材料的层，并且因为无机层16与上电极8紧密接触，所以可以由非连续部分15来阻止被包含在发光区域100的外部的有机平面化层4中的湿气的入侵。因此，可以进一步改进发光区域100的防湿性。

(实施例5)

尽管在上述实施例4中，以直线形成非连续部分14，从而分离包括外部连接端子10的部位和包括发光区域100的部位，但如图7所示，可以形成非连续部分14，从而环绕包括外部连接端子10的部位。

(实施例6)

尽管在上述实施例4和实施例5中，单独地提供非连续部分14和非连续部分15，但如图8所示，可以集成地形成非连续部分14和非连续部分15。

(实施例7)

尽管在上述实施例1至实施例6中，以凹入形状来形成非连续部分14(15)，但如图9所示，可以通过凸出形状来形成非连续部分14(15)。在此，例如，通过使用与上电极8具有相同成分的材料，与上电极8的形成同时地，在被设置成分离包括发光区域100的部位和包括外部连接端子10的部位的位置处形成非连续部分14。或者，例如，通过使用与像素分离膜5具有相同成分的材料，与像素分离膜5的形成同时地，在被设置成分离包括发光区域100的部位和包括外部连接端子10的部位的位置处形成非连续部分14。或者，可以通过堆叠与上电极8具有相同成分的材料的层和与像素分离膜5具有相同成分的材料的层来形成非连续部分14。

理想地，非连续部分14的高度是0.3μm或更大，并且更有效地是1μm或更大。原因在于，非连续部分14越高，在膜厚度方向上，由于凸出形状的底部与倾斜的表面之间的钝化层9的生长方向上的差异而产生的缺陷平面(fault plane)越深，从而可以容易地破坏钝化层9的连续性。

理想地，使得非连续部分14的侧壁朝向底部逐渐变尖，从而朝向底部在相对侧壁之间的距离增加，并且角度(倾斜的角度)是30°或更大。原因在于，当角度是30°或更大时，可以减少非连续部分14的侧壁的下部分(也就是在非连续部分14的角落处)中的钝化层9的膜密度，由此可以破坏钝化层9的连续性。进一步地，当非连续部分14的侧壁的角度较陡峭时，可以使得在发光区域100的外围处的部位(换句话说，框架部位)更小。

理想地，非连续部分14的底部的宽度是0.1mm或更大并且0.5mm或更小。当宽度大于0.5mm时，使得在发光区域100的外围处的部位(换句话说，框架部位)更大。此外，当宽度小于0.1mm时，有机发光器件的亮度减少，稍后进行描述。

顺便地，尽管在该实施例中，凹入形成在有机平面化层4中，并且非连续部分14形成在无机层上，所述无机层形成在凹入中，但凸出可以直接形成为非连续部分14，而不在有机平面化层4中形成凹入。

(实施例8)

尽管在实施例1至实施例7中，通过移除各个层直到绝缘层3或信号引线11从凹入的底部暴露而形成非连续部分14中的凹入，但是，在该位置仅使得其厚度较小，这可能就是足够了。

(示例)

现在，以下描述本发明示例。

(示例1)

图1是示例1的有机发光装置的平面图，图2是沿着图1的直线2-2所取得的部分截面图。

通过在玻璃基板1、TFT 2、绝缘层3和有机平面化层4上按所提及的顺序进行堆叠来形成图1所示的有机发光装置。对于每一像素以150nm的厚度在有机平面化层4上形成铝(Al)/铟锡氧化物(ITO)的下电极6。用聚酰亚胺的像素分离膜5来覆盖每一像素的外围。

作为用于防止钝化层9的破裂的结构的非连续部分14在有机平面化层4中形成在外部连接端子10与发光区域100之间。非连续部分14是通过移除基板上的有机平面化层4所形成的凹入。非连续部分14的底部的宽度是0.5mm。以无机材料形成的绝缘层3从其底部暴露。

按上述情况所构造的TFT基板被清洁达到大约5分钟，并且然后通过以约200℃烘烤达到两小时而被脱水。在此之后，以UV/臭氧来清洁下电极6。

然后，包括空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层的有机化合物层7形成在下电极6上。在此，有机化合物层7还形成在外部连接端子10上。

更具体地说，在真空蒸发器中设置基板和材料，并且N，N′-α-二萘联苯胺(N，N′-α-dinaphthylbenzidine，α-NPD)在1×10^-3Pa的条件下在下电极6上形成为厚度40nm的膜，由此形成空穴输送层。

已知发射绿光的香豆素染料(coumarin dye)(1.0vol％)和三-[8-羟基喹啉]铝(tris-[8-hydroxyquinolinate]aluminum，Alq3)的共蒸发(coevaporation)膜以30nm的厚度形成在空穴输送层上，由此形成发光层。

然后，作为电子输送层，以10nm的厚度形成由如下化学式所表示的邻二氮杂菲(phenanthroline)化合物的膜。

然后，碳酸铯(2.9vol％)和由上述化学式所表示的邻二氮杂菲化合物的共蒸发膜以40nm的厚度形成在电子输送层上，由此形成电子注入层。

接下来，具有向上到达形成在其上的电子注入层的各层并且包括所述电子注入层的基板被传递到分离的溅射装置，在所述分离的溅射装置处，通过在电子注入层上进行溅射来以60nm的厚度形成铟锡氧化物(ITO)的膜，以由此形成上电极8。

然后，通过基本上整个在基板1上由VHF等离子CVD来形成钝化层9，从而覆盖上述的层。

更具体地说，首先，具有向上达到形成在TFT基板上的上电极8的各层并且包括上电极8的TFT基板被固定到包括用于沉积膜形成装置的高频电极的基板保持件以及与其相对的、还充当接地电极的基板保持件，并且真空容器(vessel)被临时地真空化，从而处于1×10^-3Pa的量级上。在此之后，使得SiH₄气体、N₂气体和H₂气体流入真空容器，并且反应空间内的应力被控制。然后，将60MHz高频功率提供给高频电极，以通过淀积以大约3μm的厚度形成钝化层9。

在此之后，将激光光束照射到外部连接端子10上，并且剥离外部连接端子10上的钝化层9，以连同有机化合物层7一起移除钝化层9。

以粘合剂12将圆偏振板13结合到钝化层9，以获得有机发光装置。

以相似的方式来制造10个有机发光装置。

以光学显微镜来观察外部连接端子10上的钝化层9，以对钝化层9的破裂等进行观察。表1示出结果。

[表1]

基板号	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
											发光区域外部	○	○	○	△	△	○	△	○	△	○
发光区域之内	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○

注意：○表示没有观察到裂纹、缺口和膜剥离；以及

△表示观察到小的裂纹、小的缺口或小的膜剥离。

在60℃和90％RH达到500小时的条件下对有机发光装置进行加速测试(accelerated test)。观察在加速测试之后钝化层9中的裂纹等的状态。表2示出结果。

[表2]

基板号	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
											发光区域外部	○	○	○	×	△	○	△	○	×	○
发光区域之内	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○

注意：○表示没有观察到裂纹、缺口和膜剥离；

△表示观察到小的裂纹、小的缺口或小的膜剥离；以及

发光区域外部的×表示观察到了到达非连续部分14的裂纹、缺口或膜剥离。

在加速测试之前，十个有机发光装置中的四个被观察到具有钝化层9的小的膜剥离，并且在激光光束所照射的钝化层9的切割部分中有几个μm的量级的裂纹或缺口。

在60℃和90％RH达到500小时的条件下的加速测试之后，裂纹在四个有机发光装置之中的两个中扩展，但由非连续部分14阻止了所述裂纹。

(示例2)

在示例2中，如图3所示，使用TFT基板，其具有形成在其非连续部分14中的铟锡氧化物(ITO)的金属化合物层。与示例1相似，图3的非连续部分14的底部的宽度是0.5mm。与示例1的情况相似，制备有机发光器件，并且通过淀积来形成厚度大约6μm的钝化层9，以密封有机发光器件。

在此之后，将激光光束照射到外部连接端子10上，并且剥离外部连接端子10上的钝化层9，以连同有机化合物层7一起移除钝化层9。

以粘合剂12将圆偏振板13结合到钝化层9，以获得有机发光装置。

以相似的方式来制造10个有机发光装置。

在60℃和90％RH达到500小时的条件下对有机发光装置进行加速测试。观察在加速测试之后钝化层9中的裂纹等的状态。表3示出结果。

表3

基板号	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
											发光区域外部	×	△	○	×	○	○	△	○	△	×
发光区域之内	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○

注意：○、△和×与表1和表2的符号表示相同的内容。

在60℃和90％RH达到500小时的条件下的加速测试之后，由非连续部分14阻止发光区域100外部所产生的裂纹，并且没有裂纹扩展到发光区域100。

(示例3)

在示例3中，如图4所示，形成非连续部分14，从而环绕外部连接端子10，并且使用TFT基板，其具有形成在其非连续部分14中的铟锡氧化物(ITO)的金属化合物层。与示例1和示例2中的情况相似，非连续部分14的底部的宽度是0.5mm。与示例1的情况相似，制备有机发光器件，并且通过淀积来形成厚度大约3μm的钝化层9，以密封有机发光器件。

在此之后，将激光光束照射到外部连接端子10上，并且剥离外部连接端子10上的钝化层9，以连同有机化合物层7一起移除钝化层9。

以粘合剂12将圆偏振板13结合到钝化层9，以获得有机发光装置。

相似地产生10个有机发光装置。

在60℃和90％RH达到500小时的条件下对有机发光装置进行加速测试。观察在加速测试之后钝化层9中的裂纹等的状态。表4示出结果。

表4

基板号	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
											发光区域外部	△	×	○	△	△	○	△	×	○	△
发光区域之内	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○

注意：○、△和×与表1和表2的符号表示相同的内容。

在60℃和90％RH达到500小时的条件下的加速测试之后，由非连续部分14阻止发光区域100外部所产生的裂纹，并且没有裂纹扩展到发光区域100中。

(示例4)

在示例4中，如图1所示，形成非连续部分14，并且使用具有如下结构的基板，在所述结构中，ITO的金属化合物层暴露在非连续部分14的底部处。与示例1的情况相似，制备有机发光器件，并且通过淀积来形成厚度大约6μm的钝化层9，以密封有机发光器件。

在此之后，将激光光束照射到外部连接端子10上，并且剥离外部连接端子10上的钝化层9，以连同有机化合物层7一起移除钝化层9。进一步地，通过激光光束而在钝化层9中产生裂纹。以此方式，分别产生10个有机发光装置，其中，非连续部分14的底部的宽度从0.025mm逐渐改变为0.5mm，如表5所示。

在60℃和90％RH达到500小时的条件下对各个有机发光装置进行加速测试。观察在加速测试之后钝化层9中的裂纹是否超越非连续部分14到达发光区域100。进一步地，进行使用有机发光器件的显示，并且观察亮度在有机发光器件的外部连接端子10附近是否减少。在评估中，当相对于初始亮度的亮度减少比率是5％或更少时，给出○，而当该比率大于5％时给出×。表5示出结果。

表5

基板号	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
											槽宽度0.025mm	×	○	○	○	○	○	○	○	×	○
槽宽度0.05mm	○	○	○	○	○	○	○	×	○	○
											槽宽度0.1mm	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○
槽宽度0.2mm	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○
											槽宽度0.5mm	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○

注意：○表示亮度没有减少；以及

×表示亮度减少5％或更多。

在60℃和90％RH达到500小时的条件下的加速测试之后，对于具有0.025mm至0.5mm宽度的所有有机发光装置，阻止裂纹。然而，对于具有0.025mm宽度的有机发光装置中的两个以及具有0.05mm宽度的有机发光装置中的一个，亮度减少5％或更多。对于具有0.1mm至0.5mm宽度的所有有机发光装置，亮度不减少。

如上所述，当非连续部分14的底部宽度小时，亮度更容易减少。然而，通过形成非连续部分14，可以阻止裂纹扩展进入发光区域100中的钝化层9，并且可以防止湿气或氧侵入发光区域100。

进一步地，暴露在非连续部分14的底部处的金属化合物不限于铟锡氧化物(ITO)。还可以有效地使用无机材料(例如硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物、铝氧化物、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等)。

(比较性示例)

在这个比较性示例中，使用不具有非连续部分的TFT基板。与上述示例1的情况相似，形成有机发光器件，并且通过淀积来形成厚度大约6μm的钝化层，以密封有机发光器件。

在此之后，将激光光束照射到外部连接端子上，并且剥离外部连接端子上的钝化层，以连同有机化合物层一起移除钝化层。

以粘合剂将圆偏振板结合到钝化层，以获得有机发光装置。

相似地产生10个有机发光装置。

在光学显微镜下观察外部连接端子10上的钝化层，以便观察钝化层中的裂纹等。在此之后，在60℃和90％RH达到500小时的条件下进行加速测试。观察在加速测试之后钝化层中的裂纹等的状态。表6示出结果。

[表6]

基板号	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
											发光区域外部	○	×	×	△	○	×	△	×	×	△
发光区域之内	○	×	×	○	○	×	○	×	×	○

注意：○表示没有观察到裂纹、缺口和膜剥离；

△表示观察到小的裂纹、小的缺口或小的膜剥离；

发光区域外部的×表示观察到了到达非连续部分的裂纹、缺口或膜剥离；以及

发光区域内的×表示观察到发光区域内的裂纹。

在60℃和90％RH达到500小时的条件下的加速测试之后，在十个有机发光装置之中的五个中裂纹扩展并且到达发光区域。当发光时，一些像素在发光区域中的外部连接端子的附近不发光。

根据本发明的有机发光装置可以被合适地用作显示装置，并且，具体地说，被合适地用于电视接收机、移动电话的显示部分以及成像装置的显示部分。

虽然已经参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被给予最宽泛的解释，从而包括所有这样的修改和等同的结构以及功能。

Claims (4)

1、一种有机发光装置，包括：

基板；

有机平面化层，其用于对基板的不平坦进行平整；

有机发光器件，其包括下电极、有机化合物层和上电极；以及

钝化层，其用于覆盖有机发光器件，

其中，所述有机平面化层中形成有用于分离包括发光区域的部位和包括外部连接端子的部位的凹入或凸出非连续部分，并且所述非连续部分被钝化层所覆盖。

2、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，从所述凹入非连续部分的底部暴露无机层。

3、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，凹入非连续部分的底部以及凸出非连续部分的顶部各自具有0.1mm或更大并且0.5mm或更小的宽度。

4、一种制造有机发光装置的方法，所述有机发光装置包括：基板；有机平面化层，其用于对基板的不平坦进行平整；有机发光器件，其包括下电极、有机化合物层和上电极；以及钝化层，其用于覆盖有机发光器件，所述方法包括以下步骤：

在基板上的有机平面化层中形成凹入或凸出非连续部分，以分离包括发光区域的部位和包括外部连接端子的部位；

用钝化层覆盖基板上的包括发光区域的部位和包括外部连接端子的部位；以及

剥离外部连接端子上的钝化层。

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