JP2003208975A

JP2003208975A - 有機ｅｌ素子の製造方法

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Publication number: JP2003208975A
Application number: JP2002004747A
Authority: JP
Inventors: Norio Yamamoto; 典生山本; Atsushi Yamamoto; 敦司山本; Akinosuke Tera; 亮之介寺
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2002-01-11
Filing date: 2002-01-11
Publication date: 2003-07-25

Abstract

(57)【要約】【課題】発光部を保護するための封止膜を有する有機
ＥＬ素子において、封止膜の選択成膜を、余分な部材や
工程を追加することなく安価に実現できるようにする。【解決手段】基板１上に陽極２および外部回路接続用
の端子部２ａ、２ｂを形成した後、端子部２ａ、２ｂの
上に、端子部２ａ、２ｂと外部回路とを接続するための
保護ラミネート８ａ付の異方導電性接着テープ８を仮圧
着する工程と、その後、陽極２の上に有機層３および陰
極４を積層して発光部としての積層体５を形成する工程
と、積層体５および異方導電性接着テープ８の上に封止
膜９を形成する工程と、しかる後、異方導電性接着テー
プ８の保護ラミネート８ａを剥がすことにより異方導電
性接着テープ８の上の封止膜９を除去する工程とを備え
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ダークスポット或
いはダークエリアと呼ばれる非発光部の拡大等を防止す
る水分、酸素遮断性をもつ封止膜を有する有機ＥＬ（エ
レクトロルミネッセンス）素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子は、基板上に、下部電極、
有機ＥＬ材料からなる発光層を含む有機層、上部電極を
順次積層してなる積層体を形成するとともに、該基板上
のうち積層体の非形成部に、下部電極および上部電極を
外部回路と接続するための端子部を形成することにより
形成される。

【０００３】このような有機ＥＬ素子は、自己発光のた
め視認性に優れ、かつ数Ｖ〜十数Ｖの低電圧駆動が可能
なため低消費電力であり、駆動回路を含めて軽量化が可
能であることから、現在広く使われている液晶ディスプ
レイに代わる次世代の薄型ディスプレイとして期待され
ている。

【０００４】また、有機ＥＬ素子は、自己発光型である
がゆえに、点発光源、線発光源ばかりでなく平面発光源
も容易にできることから平面照明、薄型バックライトな
ど様々な活用も期待されている。

【０００５】従来の有機ＥＬ素子は、使用環境下におけ
る水分、酸素などが要因となって発光部分にダークスポ
ット或いはダークエリアと呼ばれる非発光部が生成、進
行し、発光輝度の低下や表示品位の著しい低下を招くと
いう問題がある。

【０００６】これらを防止するため、基板上において上
記積層体としての有機ＥＬ層（発光部）が形成されてい
る部分全体を封止部材で覆って、当該有機ＥＬ層を保護
する構造が提案されている。

【０００７】そのような封止部材を用いた有機ＥＬ素子
構造の一般的な例を図８に示す。なお、図８において
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、
（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。

【０００８】ここでは、封止部材としてステンレス製等
の封止用缶蓋１００を用い、この封止用缶蓋１００によ
って、基板１上において有機ＥＬ層５が形成されている
部分全体を覆うとともに、その外周を紫外線硬化型の接
着剤１０１で気密封止する。

【０００９】封止された中空部分には乾燥窒素を封入す
るとともに、酸化バリウム等の乾燥剤１０２を配置する
ことで、基板１と缶蓋１００とを貼り合せている接着剤
１０１部分を通して外部から侵入してくる水分を吸着す
るようにしている。

【００１０】しかしながら、このような構成において、
上記のような非発光部の生成や拡大に伴う問題点は解決
されるものの、素子の製造面、ディスプレイとしての商
品性の面で以下のような問題点がある。

【００１１】上記密封構造を製造するためには、封止用
缶蓋１００に乾燥剤１０２を保持させる工程と、有機Ｅ
Ｌ層５が形成された基板１にその缶蓋１００を接着させ
る工程とを、水分および酸素の濃度を厳密に管理した雰
囲気、例えば乾燥窒素雰囲気下で実施することが必要で
ある。そのため、製造装置が大型で煩雑な高価な設備に
なってしまう。加えて、封止のために必要な部材も多く
なり、結果として素子のコストが大幅に高くなってしま
う。

【００１２】また、乾燥剤１０２を保持する空間を確保
するために封止用缶蓋１００の厚みが２〜３ｍｍ程度必
要で、超薄型のディスプレイを実現することが難しい。
さらには、封止用缶蓋１００を接着するための接着しろ
（図８中の符号１００ａにて示すハッチング部分）が必
要で、素子基板全面積に対する発光部分の面積の比が小
さく、面積利用効率の低い平面ディスプレイ装置となっ
てしまう。以上のように、従来の封止技術では、安価で
商品性の高いディスプレイ装置を実現することは困難で
ある。

【００１３】そこで、上記欠点を解決する方法として薄
膜封止の構造（特許第２７７６０４号明細書等、多数）
が提案され、各機関で精力的に研究開発が行われてい
る。最近の例では、「ＯｒｇａｎｉｃＬＥＤｆｕｌ
ｌｃｏｌｏｒｐａｓｓｉｖｅ−ｍａｔｒｉｘｄｉ
ｓｐｌａｙ」（ＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｕｍｉｎｅｓ
ｃｅｎｃｅ，８７−８９，２０００，５６−６０）と題
する論文の中で、プラズマＣＶＤ法にて形成したＳｉＮ
からなる薄膜を封止膜として用いた研究が報告されてい
る。

【００１４】この報告の中では、３μｍという薄膜のみ
で水分侵入を防ぎ、ダークスポットおよびダークエリア
の生成・進行を防止できることが記載され、薄膜封止構
造の有効性が示されている。封止膜を形成する成膜技術
としては、プラズマＣＶＤ法が用いられているが、他に
もスパッタ法あるいは原子層エピタキシー法（ＡＬＥ
法）を用いた報告例もある。この薄膜封止の構造によっ
て封止蓋のもつ欠点の多くが解決されることになる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜封
止型の有機ＥＬ素子を製造するには、封止膜の成膜方法
に依らないいくつかの課題がある。まず、封止膜の形成
において成膜時に有機層に、温度や膜堆積に伴う物理的
エネルギー等のダメージを与えないこと、膜応力が小さ
いことである。これらに関しては、成膜条件および膜材
料を適切に選択することで解決される。

【００１６】さらにもう１つ、選択成膜ができることと
いう課題がある。つまり、有機ＥＬ素子と外部回路と接
続するための端子部（図８中の端子部２ａ、２ｂ参照）
には、封止膜を形成させないようにすることである。

【００１７】これは、端子部には、通常、両面が粘着面
であるとともに一面に保護ラミネートが付いた異方導電
性接着テープ（保護膜を表面に有する導電性接着テー
プ）の他面を仮圧着させ、その後、保護ラミネートを剥
がし、駆動ＩＣ等の外部回路をＴＡＢ（テープキャリア
パッケージ）法にて接続する。そのため、端子部には封
止膜を形成しないようにする。

【００１８】そして、この選択成膜の課題に対しては、
種々のマスクを用いて成膜する方法、全面に成膜した後
に所定部分の膜を物理的に研磨したり、化学的にエッチ
ングする等により除去する方法等が考えられるが、マス
ク不良が生じたり、あるいはマスキングまたは膜除去工
程が追加されてコストアップになるといった問題点があ
る。

【００１９】また、マスクによる選択成膜においては、
マスクの周辺部では成膜された封止膜の膜厚が薄くなる
ことから、その分を見込んで、必要な領域にて封止膜の
厚さを確保するために封止膜の成膜面積をある程度余分
に大きくすることが必要となる。つまり、マスクしろが
必要となるため、上記したような発光面積効率が上げら
れないという問題もある。

【００２０】本発明は上記問題に鑑み、発光部を保護す
るための封止膜を有する有機ＥＬ素子において、封止膜
の選択成膜を、余分な部材や工程を追加することなく安
価に実現できるようにすることを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、基板（１）上に、下部
電極（２）、有機ＥＬ材料からなる発光層（３ｂ）を含
む有機層（３）、上部電極（４）を順次積層してなる積
層体を形成するとともに、基板上のうち積層体の非形成
部に、下部電極および上部電極を外部回路と接続するた
めの端子部（２ａ、２ｂ）を形成するようにした有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、基板上に下部電極および端
子部を形成した後、端子部の上に、端子部と外部回路と
を接続するための、保護膜（８ａ）を表面に有する導電
性接着テープ（８）を仮圧着する工程と、その後、下部
電極の上に有機層および上部電極を積層して積層体を形
成する工程と、積層体および導電性接着テープの上に、
積層体を保護するための封止膜（９）を形成する工程
と、しかる後、導電性接着テープの保護膜を剥がすこと
により、導電性接着テープの上の封止膜を除去する工程
とを備えることを特徴とする。

【００２２】本製造方法では、保護膜を表面に有する導
電性接着テープにおける端子部への仮圧着工程と保護膜
を剥がす工程との間に、封止膜の形成工程を行うように
している。

【００２３】そのため、導電性接着テープが封止膜形成
におけるマスキング材となるとともに、保護膜を剥がす
ときに同時に保護膜上の封止膜を選択的に除去すること
ができる。そして、保護膜を剥がすことで露出した導電
性接着テープの面を用いて、外部回路の接続を行うこと
ができる。

【００２４】このように、本発明によれば、従来の製造
方法において有機ＥＬ素子と外部回路を接続するために
使用されていた導電性接着テープを、封止膜形成におけ
るマスキング材として兼用することができ、封止膜の選
択成膜を、余分な部材や工程を追加することなく安価に
実現できる。

【００２５】また、請求項２に記載の発明では、基板
（１）上に、下部電極（２）、有機ＥＬ材料からなる発
光層（３ｂ）を含む有機層（３）、上部電極（４）を順
次積層してなる積層体を形成するとともに、基板上のう
ち積層体の非形成部に、下部電極および上部電極を外部
回路と接続するための端子部（２ａ、２ｂ）を形成する
ようにした有機ＥＬ素子の製造方法において、基板上に
積層体および端子部を形成する工程と、端子部の上に、
端子部と外部回路とを接続するための、保護膜（８ａ）
を表面に有する導電性接着テープ（８）を仮圧着する工
程と、積層体および導電性接着テープの上に、積層体を
保護するための封止膜（９）を形成する工程と、しかる
後、導電性接着テープの保護膜を剥がすことにより、導
電性接着テープの上の封止膜を除去する工程とを備える
ことを特徴とする。

【００２６】本製造方法では、上記請求項１に記載の製
造方法に比べて、導電性接着テープの仮圧着工程の前に
積層体を形成することが異なるが、本製造方法において
も、導電性接着テープにおける端子部への仮圧着工程と
保護膜を剥がす工程との間に、封止膜の形成工程を行う
ことができる。

【００２７】そのため、本発明によっても、上記請求項
１の発明と同様に、従来の製造方法において有機ＥＬ素
子と外部回路を接続するために使用されていた導電性接
着テープを、封止膜形成におけるマスキング材として兼
用することができ、封止膜の選択成膜を、余分な部材や
工程を追加することなく安価に実現できる。

【００２８】ここで、封止膜（９）の形成は、請求項３
に記載の発明のように、原子層エピタキシー法により行
ったり、請求項４に記載の発明のように、プラズマＣＶ
Ｄ法により行ったり、請求項５に記載の発明のように、
スパッタ法により行ったりすることができる。

【００２９】なお、請求項６に記載の発明のように、導
電性接着テープ（８）の保護膜（８ａ）を予め剥離した
状態で該接着テープを端子部の上に仮圧着した状態で該
テープの上および上記積層体の上に、該積層体を保護す
るための封止膜を原子層エピタキシー法により形成する
こともできる。

【００３０】この請求項６に記載の発明では、保護膜を
剥離しても導電性接着剤テープの接着剤は樹脂を主成分
としているため、該テープの接着面には原子層エピタキ
シー法による封止膜の成長は困難となる。この結果、該
接着面には封止膜が殆ど形成されないから、封止膜形成
後に該接着面に外部回路を接続してもその接着力は若干
劣るが、実用上は問題がない。従って、請求項６に記載
の発明においても請求項１および２に記載の発明と同様
に、導電性接着テープをマスキング材として兼用するこ
とができる。

【００３１】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。

【００３３】（第１実施形態）図１〜図５は、本発明の
第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す工程
説明図である。図１、図２、図３は概略平面図であり、
この順に工程が進んでいくものである。なお、図１〜図
３では、識別の容易化のために便宜上、各種のハッチン
グを施してあるが、これらは断面を示すものではない。

【００３４】また、図４において（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）はそれぞれ、図１、図２、図３中のＡ−Ａ線に沿
った概略断面図であり、図５において（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）はそれぞれ、図１、図２、図３中のＢ−Ｂ線に沿
った概略断面図である。

【００３５】本製造方法は、最終的に図３、図４（ｃ）
および図５（ｃ）に示す構造を有する有機ＥＬ素子Ｓ１
を製造するものであり、まず、この有機ＥＬ素子Ｓ１の
構成について、図３、図４（ｃ）および図５（ｃ）に加
えて、封止膜９の無い状態を示す図１も参照して述べ
る。

【００３６】図１、図３、図４（ｃ）および図５（ｃ）
に示すように、有機ＥＬ素子Ｓ１は、透明なガラス基板
または樹脂基板等からなる基板１を備え、この基板１の
上には、下部電極としての陽極２、有機ＥＬ材料からな
る発光層３ｂを含む有機層３、上部電極としての陰極４
を順次積層してなる積層体（有機ＥＬ層）５が形成され
ている。

【００３７】本第１実施形態における積層体５の配置形
態は、次のようである。陽極２および陰極４はそれぞれ
複数本設けられ、複数本の陽極２と複数本の陰極４とは
互いに直交する方向へ延びるストライプ状に配置されて
いる（図１参照）。また、両電極２、４の間に挟まれた
有機層３は、陰極４と同一のストライプ形状にパターニ
ングされている。

【００３８】そして、陽極２と陰極４とが交差して重な
り合う積層体５の部分が、発光部としての画素を形成し
ており、本例では、図１に示すように、基板１の中央部
から周辺部にわたって複数個の画素（積層体５）が格子
状に配列された形となっている。

【００３９】ここで、図４（ｃ）、図５（ｃ）に示すよ
うに、陽極２のストライプの間と有機層３および陰極４
のストライプの間には、電気絶縁性の画素分離層６が形
成されている。また、有機層３および陰極４のストライ
プの間に位置する画素分離層６の上には、複数本の隔壁
層７がストライプ状に形成されている。その結果、格子
状をなす画素分離層６および陰極４のストライプ方向に
沿って形成された隔壁層７により、各画素が区画され分
離されている。

【００４０】さらに、基板１の周辺部上には、陽極２か
ら当該周辺部にまで延長されて陽極２と一体化している
陽極端子２ａ、および、陰極４と電気的に接続された陰
極端子２ｂが形成されている。これら端子部２ａ、２ｂ
は、陽極２、陰極４をそれぞれ図示しない外部回路と接
続するためのものである。これら端子部２ａ、２ｂの平
面構成は、図１に明確に示される。

【００４１】また、図１、図３等に示すように、端子部
２ａ、２ｂの上には、異方導電性接着テープ８が接着さ
れている。この異方導電性接着テープ８は、両面接着性
のテープであり、この異方導電性接着テープ８を介して
端子部２ａ、２ｂと上記外部回路とが接続されるように
なっている。具体的には、駆動ＩＣ等の外部回路がＴＡ
Ｂ法にて接続される。

【００４２】そして、図３、図４（ｃ）および図５
（ｃ）に示すように、基板１上の最表面（最上面）は、
この異方導電性接着テープ８を除いて全て封止膜９によ
り被覆されている。つまり、本有機ＥＬ素子Ｓ１におい
ては、上記外部回路との接続に必要な部分以外はすべて
封止膜９で被覆され、水分や酸素等から保護されてい
る。

【００４３】次に、基板１の上に形成された上記各層２
〜９、２ａ、２ｂの材質等について述べる。まず、陽極
２は、ＩＴＯ（インジウムとスズの酸化物）等からなる
透明電極膜である。また、端子部２ａ、２ｂは、陽極２
と同じ材料を用いて陽極２と同時に形成することができ
る。

【００４４】本例では、陽極２および端子部２ａ、２ｂ
は、スパッタ法等で１５０ｎｍ程度の厚さに成膜したＩ
ＴＯ膜を、通常のフォトリソグラフィー法でパターニン
グすることで形成されたものとしている。

【００４５】有機層３は、陽極２側から順に、正孔輸送
性有機材料からなる正孔輸送層３ａ、発光層３ｂ、電子
輸送性有機材料からなる電子輸送層３ｃが積層されてな
る。本例では、正孔輸送層３ａは、α−ナフチル・フェ
ニル・ベンゼンを蒸着成膜してなり、発光層３ｂは、電
子輸送性材料であるＡｌｑ中に１％のクマリンをドープ
したものを蒸着成膜してなり、電子輸送層３ｃは、Ａｌ
ｑを蒸着成膜してなる。これら有機層３の全膜厚は０．
１μｍ程度である。

【００４６】また、陰極４は、金属材料等を蒸着したも
のからなり、本例では、有機層３側からＬｉＦ膜、Ａｌ
膜を順次成膜したものからなる。また、電気絶縁性の画
素分離層６は、感光性ポリイミド等の樹脂材料からな
る。また、隔壁層７はネガ型の感光性樹脂レジスト材料
等からなる。

【００４７】また、異方導電性接着テープ８は、通常の
有機ＥＬ素子用の異方導電性接着テープを用いることが
できる。この異方導電性接着テープ８は、端子部２ａ、
２ｂに仮圧着する際には、端子部との接着面を露出さ
せ、反対側の接着面には保護ラミネート８ａが付いて覆
われた状態で用いられる（図４（ａ）、図５（ａ）参
照）。本例では、異方導電性接着テープ８は日立化成製
ＡＣ２１０を用いている。

【００４８】また、封止膜９は、原子層エピタキシー法
（ＡＬＥ法）、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法により成
膜されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ｍ
ｇＦ₂等の金属酸化物、窒化物或いは弗化物からなる防
湿性の無機膜を用いることができる。

【００４９】封止膜９の厚みは、０．１〜数μｍ程度に
形成することができる。本例では、ＡＬＥ法により成膜
されたアルミナ膜としている。なお、この封止膜９の上
に、必要に応じて通常の大気環境下で薄板ガラス等を接
着剤で貼り合せて機械的な保護強度を持たせてもよい。

【００５０】次に、上記した有機ＥＬ素子Ｓ１の製造方
法について、図１〜図５を参照して説明する。また、図
６は本製造方法の製造工程フローを示す図である。

【００５１】［図１、図４（ａ）、図５（ａ）に示す工
程］まず、基板１上の所定の位置に陽極２、陽極端子２
ａおよび陰極端子２ｂを形成する（陽極成膜・パターニ
ング工程）。本例では、ＩＴＯをスパッタ法等で１５０
ｎｍ程度の厚さに成膜し、通常のフォトリソグラフィー
法でパターニングすることで、陽極２および端子部２
ａ、２ｂが同時に形成される。なお、陽極２と端子部２
ａ、２ｂとは別々に成膜、パターニングしても良い。

【００５２】次に、画素の間となる部分において基板１
の上および陽極２の上に、上記画素分離層６を感光性ポ
リイミド等の樹脂にて形成する（画素分離層形成工
程）。さらに、画素分離層６の上に、有機層３および陰
極４を分断するための隔壁層７をフォトリソグラフィー
法で形成する（隔壁層形成工程）。

【００５３】本例では、基板１の全面上に隔壁層７とな
るネガ型の感光性樹脂レジストをスピンコートし、隔壁
層７となる部分以外に光照射する。その後、現像液を用
いて隔壁層７以外の部分のレジストを溶解除去する。こ
の時、陰極分離用の隔壁層７として機能させるために、
逆テーパ形状になるようにオーバー現像する（図４
（ａ）参照）。このように形成した隔壁層７の高さ（膜
厚）は、約２μｍ程度にできる。

【００５４】次に、端子部２ａ、２ｂの上に、当該端子
部２ａ、２ｂと上記外部回路とを接続するための保護ラ
ミネート８ａ付の異方導電性接着テープ８を仮圧着する
（異方導電性接着テープ仮圧着工程）。本例では、異方
導電性接着テープ８は日立化成製ＡＣ２１０を用いた。
この場合の仮圧着条件は、１２０℃、５ｓｅｃである。

【００５５】その後、陽極２の上に有機層３を成膜して
積層し（有機層成膜工程）、有機層３の上に陰極４を成
膜して積層する（陰極成膜工程）ことにより積層体５を
形成する。

【００５６】本例では、上記画素が配置される基板１の
発光面以外の部位をマスキングして正孔輸送層３ａとし
てのα−ナフチル・フェニル・ベンゼン膜、発光層３ｂ
として１％のクマリンをドープしたＡｌｑ膜、電子輸送
層３ｃとしてＡｌｑ膜、陰極４としてＬｉＦ／Ａｌ膜を
順次、真空蒸着法により成膜する。

【００５７】これにより、基板１の発光面上において、
隔壁層７の間に位置する陽極２および基板１の上に、有
機層３および陰極４がストライプ状に積層される。こう
して、上記した格子状の画素を構成する積層体５が形成
される。なお、図４（ａ）や図５（ａ）では図示しない
が、実際には、このような成膜方法により、隔壁層７の
上端面にも、有機層３および陰極４と同様の膜が積層さ
れる。

【００５８】ここまでの工程によって発光部としての積
層体５が形成されるが、この本例の素子の発光特性とし
ては、１０Ｖで、５０００ｃｄ／ｍ²の高輝度な緑発光
を得ることができた。

【００５９】［図２、図４（ｂ）、図５（ｂ）に示す工
程］次に、積層体５および異方導電性接着テープ８の上
に、積層体５を保護するための封止膜９を形成する（封
止膜成膜工程）。つまり、図２、図４（ｂ）、図５
（ｂ）に示すように、基板１の上の全面に封止膜９を形
成する。

【００６０】封止膜９の形成にあたっては、上述したよ
うに、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法あるいはＡＬＥ法
（原子層エピタキシー法）等を用いることができるが、
ＡＬＥ法が最も効率的な成膜を実現する手段である。

【００６１】ＡＬＥ法では、成膜のステップカバレッジ
性がよいために、積層体５まで形成した基板１の上に直
接封止膜９を形成しても、凹凸を含めた全面を封止膜９
で覆い尽くすことができ、封止膜としての機能を充分に
発揮させることが可能である。

【００６２】しかし、他のプラズマＣＶＤ法、スパッタ
法といった成膜法では、ＡＬＥ法に比べてステップカバ
レッジ性が悪いため、基板表面凹凸の段差部分で膜の連
続性が途切れてしまう。このような封止膜では、積層体
５を水分や酸素から充分に保護することができない。従
って、多くの場合、封止膜９を形成する前に平坦化処理
が必要となる。

【００６３】例えば、基板表面凹凸で最も大きいのが隔
壁層７部分の段差であり、この段差を滑らかにするため
にはその凹凸と同程度、即ち、隔壁層７の膜厚が２μｍ
程度であることから、２μｍ以上の厚さの平坦化層を形
成する必要がある。平坦化層としては、例えばパリレン
などを用いることができ、蒸着法等にて形成する。これ
にはパリレンに限らず、平坦性を重視して有機樹脂材料
をスピンコート法、印刷法、あるいはプラズマ重合法等
の方法で形成してもよい。

【００６４】この平坦化処理の後、封止膜９を形成すれ
ば、ステップカバレッジ性の低いプラズマＣＶＤあるい
はスパッタ等の成膜方法でも、段差で膜の連続性が途切
れることなく封止膜９を形成することができる。本例で
は、ＡＬＥ法を用いアルミナ膜を成膜し、これを封止膜
９とした。

【００６５】次に、基板１のうち不要な周辺部を切断す
る（基板切断工程）。具体的には、図４（ｂ）、図５
（ｂ）に示す破線（この破線の平面形状は図１参照）に
沿って基板１を切断する。これにより、異方導電性接着
テープ８の端面が現れる。

【００６６】［図３、図４（ｃ）、図５（ｃ）に示す工
程］次に、異方導電性接着テープ８の保護ラミネート８
ａを剥がすことにより、異方導電性接着テープ８の上の
封止膜９を除去する（保護ラミネート剥離工程）。保護
ラミネート８ａをピンセット等の治具を用いて剥がすこ
とにより、保護ラミネート８ａとともに異方導電性接着
テープ８の上の封止膜９が除去されるとともに、保護ラ
ミネート８ａにて覆われていた異方導電性接着テープ８
の接着面が露出する。

【００６７】ここまでにより、図３、図４（ｃ）および
図５（ｃ）に示される本第１実施形態の有機ＥＬ素子Ｓ
１が完成する。この有機ＥＬ素子Ｓ１においては、保護
が必要な有機層３の全体を封止膜９で覆い、かつ上記外
部回路と接続することが必要な部分の導通が、異方導電
性接着テープ８によって確保できている。

【００６８】続いて、図示しないが、有機ＥＬ素子Ｓ１
における露出した異方導電性接着テープ８の接着面に、
上記外部回路としての駆動ＩＣをＴＡＢ法で接続する
（外部回路実装工程）。その後、有機ＥＬ素子Ｓ１は筐
体に組み付けられ、ディスプレイ装置として完成される
（筐体組付工程）。

【００６９】このように本第１実施形態の製造方法で
は、異方導電性接着テープ仮圧着工程と保護ラミネート
剥離工程との間に、封止膜形成工程を行うようにしてい
る。そのため、異方導電性接着テープ８が封止膜９の形
成におけるマスキング材となるとともに、保護ラミネー
ト８ａを剥がすときに同時に保護ラミネート８ａ上の封
止膜９を選択的に除去することができる。

【００７０】そして、保護ラミネート８ａを剥がすこと
で露出した異方導電性接着テープ８の面を用いて、有機
ＥＬ素子Ｓ１と上記外部回路との接続を行うことができ
る。

【００７１】ここで、比較例として、上記図８に示した
従来の有機ＥＬ素子の製造工程フローを図７に示す。従
来では、陽極成膜・パターニング、画素分離層形成、隔
壁層形成、有機層成膜、陰極成膜の各工程を同様に行っ
た後、上記封止用缶蓋の組付工程を行う。すなわち、封
止用缶蓋に乾燥剤を保持し、不活性ガス（乾燥窒素）を
封入した後、接着剤により缶蓋を基板に接着する。

【００７２】その後、基板切断工程を行い、異方導電性
接着テープを端子部に仮圧着し、異方導電性接着テープ
の保護ラミネートを剥がした後、外部回路実装工程を行
う。このとき、異方導電性接着テープが接着されていな
い部分の端子部は露出しているため、結露による端子部
間の短絡を防止すべく、露出した端子部の上に防湿性樹
脂を塗布する（端子部防湿処理工程）。その後、筐体組
付工程を行う。

【００７３】このような従来の製法に対して、本第１実
施形態によれば、従来の製造方法において有機ＥＬ素子
と外部回路を接続するために使用されていた異方導電性
接着テープ８を、封止膜９の形成におけるマスキング材
として兼用することができるため、封止膜９の選択成膜
を、余分な部材や工程を追加することなく安価に実現で
きる。

【００７４】また、本実施形態の製造方法によれば、基
板１上に、陽極２、有機層３、陰極４を順次積層してな
る積層体５を形成するとともに、基板１上のうち積層体
５の非形成部に、陽極２および陰極４下部電極を外部回
路と接続するための端子部２ａ、２ｂを形成するように
した有機ＥＬ素子Ｓ１において、端子部へ異方導電性接
着テープ８を仮圧着した後、封止膜９の形成まで真空状
態を保持できるため、発光層への水分や酸素の影響を最
小限にして、基板１の上にて外部回路との接続に必要な
部分以外はすべて封止膜９で被覆され保護されている有
機ＥＬ素子Ｓ１が提供される。

【００７５】そのため、高温高湿下で結露したときであ
っても端子部２ａ、２ｂ間の短絡等の問題が生じないと
いう効果もある。また、従来の製法では、上記図７に示
したように、結露水から端子部を保護するための防湿性
樹脂を塗布する端子部防湿処理工程を行っていたが、本
実施形態では、この端子部防湿処理工程を省略できると
いう付随効果も得られる。

【００７６】以上のような本第１実施形態の有機ＥＬ素
子Ｓ１は、使用環境中の水分や酸素等による非発光部の
生成、拡大等がなく長寿命なものにできる。また、従来
設けていたような封止用缶蓋が不要なため、極めて薄
く、かつ基板面積に対して発光部分を大きくとることが
できるので、薄型でデザイン性のよいディスプレイ装置
を実現できる。

【００７７】（第２実施形態）本発明の第２実施形態
は、上記有機ＥＬ素子Ｓ１の製造方法に係るものであ
り、基板１上に積層体５および端子部２ａ、２ｂを形成
する工程と、端子部２ａ、２ｂの上に、保護ラミネート
８ａ付の異方導電性接着テープ８を仮圧着する工程と、
積層体５および異方導電性接着テープ８の上に封止膜９
を形成する工程と、しかる後、異方導電性接着テープ８
の保護ラミネート８ａを剥がすことにより異方導電性接
着テープ８の上の封止膜９を除去する工程とを備えるこ
とを特徴とするものである。

【００７８】本製造方法は、上記第１実施形態の製造方
法に比べて、異方導電性接着テープ８の仮圧着工程の前
に積層体５を形成することが異なるが、本製造方法にお
いても、異方導電性接着テープ８における端子部２ａ、
２ｂへの仮圧着工程と保護ラミネート８ａを剥がす工程
との間に、封止膜９の形成工程を行うようにしている。

【００７９】具体的には、まず、上記第１実施形態と同
様に、基板１上の所定の位置に、スパッタ法やフォトリ
ソグラフィー法等を用いてＩＴＯ膜を成膜、パターニン
グする等により、陽極２、陽極端子２ａおよび陰極端子
２ｂを形成する（陽極成膜・パターニング工程）。

【００８０】次に、上記第１実施形態と同様に、上記画
素分離層６を感光性ポリイミド等の樹脂にて形成し（画
素分離層形成工程）、画素分離層６の上に隔壁層７をフ
ォトリソグラフィー法で形成する（隔壁層形成工程）。

【００８１】次に、本第２実施形態では、上記第１実施
形態と同様の要領にて、陽極２の上に有機層３を成膜し
て積層し（有機層成膜工程）、有機層３の上に陰極４を
成膜して積層する（陰極成膜工程）ことにより積層体５
を形成する。

【００８２】ここまでの工程により、本第２実施形態で
は、基板１上に積層体５および端子部２ａ、２ｂが形成
される。この素子の発光特性としては、１０Ｖで、５０
００ｃｄ／ｍ²の高輝度な緑発光を得ることができた。

【００８３】次に、上記第１実施形態と同様に、端子部
２ａ、２ｂの上に保護ラミネート８ａ付の異方導電性接
着テープ８を仮圧着する（異方導電性接着テープ仮圧着
工程）。本例でも、異方導電性接着テープ８は日立化成
製ＡＣ２１０を用い、仮圧着条件は、１２０℃、５ｓｅ
ｃとした。ここまでの状態は、上記図１、図４（ａ）、
図５（ａ）に示される。

【００８４】なお、本第２実施形態では、この異方導電
性接着テープ仮圧着工程は、積層体５が形成されて状態
で行うため、積層体５中の有機層３等の劣化を防止する
ために、水分および酸素の濃度が管理された不活性ガス
雰囲気下または減圧下で実施することが好ましい。

【００８５】次に、上記第１実施形態と同様に、積層体
５および異方導電性接着テープ８の上に、ＡＬＥ法、プ
ラズマＣＶＤ法あるいはスパッタ法等を用いて封止膜９
を形成する（封止膜成膜工程）。つまり、上記図２、図
４（ｂ）、図５（ｂ）に示すように、基板１の上の全面
に封止膜９を形成する。

【００８６】続いて、基板１のうち不要な周辺部を切断
し（基板切断工程）、異方導電性接着テープ８の保護ラ
ミネート８ａを剥がすことにより異方導電性接着テープ
８の上の封止膜９を除去する（保護ラミネート剥離工
程）。こうして、本第２実施形態によっても、上記図
３、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示される有機ＥＬ素
子Ｓ１が完成する。

【００８７】続いて、上記第１実施形態と同様に、有機
ＥＬ素子Ｓ１における露出した異方導電性接着テープ８
の接着面に、上記外部回路としての駆動ＩＣをＴＡＢ法
で接続した（外部回路実装工程）後、有機ＥＬ素子Ｓ１
を筐体に組み付け、ディスプレイ装置として完成する
（筐体組付工程）。

【００８８】以上述べた本第２実施形態の製造方法にお
いても、異方導電性接着テープ８が封止膜９の形成にお
けるマスキング材となるとともに、保護ラミネート８ａ
を剥がすときに同時に保護ラミネート８ａ上の封止膜９
を選択的に除去することができる。そして、保護ラミネ
ート８ａを剥がすことで露出した異方導電性接着テープ
８の面を用いて、有機ＥＬ素子Ｓ１と上記外部回路との
接続を行うことができる。

【００８９】また、本実施形態では、保護ラミネート８
ａを付けたままで封止膜９を形成したが、異方導電性接
着テープ８上には封止膜９は成長し難いので、接着力は
落ちるが、仮圧着の時に保護ラミネート８ａを予め剥が
してから封止膜９を成膜し、その上に外部回路を実装し
ても良い。

【００９０】そのため、本第２実施形態によっても、上
記第１実施形態の製造方法と同様に、従来の製造方法に
おいて有機ＥＬ素子と外部回路を接続するために使用さ
れていた異方導電性接着テープ８を、封止膜９の形成に
おけるマスキング材として兼用することができ、封止膜
９の選択成膜を、余分な部材や工程を追加することなく
安価に実現できる。

【００９１】また、本第２実施形態においても、基板１
の上にて外部回路との接続に必要な部分以外はすべて封
止膜９で被覆され保護されている有機ＥＬ素子Ｓ１が提
供されるため、高温高湿下で結露したときであっても端
子部２ａ、２ｂ間の短絡等の問題が生じないという効果
がある。また、従来行っていた端子部防湿処理工程を省
略できるという付随効果も得られる。

【００９２】そして、本第２実施形態により製造された
有機ＥＬ素子Ｓ１は、使用環境中の水分や酸素等による
非発光部の生成、拡大等がなく長寿命なものにできる。
また、従来設けていたような封止用缶蓋が不要なため、
極めて薄く、かつ基板面積に対して発光部分を大きくと
ることができるので、薄型でデザイン性のよいディスプ
レイ装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の製
造方法を説明するための概略平面図である。

【図２】図１に続く製造方法を説明するための概略平面
図である。

【図３】図２に続く製造方法を説明するための概略平面
図である。

【図４】（ａ）は図１中のＡ−Ａ線に沿った概略断面
図、（ｂ）は図２中のＡ−Ａ線に沿った概略断面図、
（ｃ）は図３中のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。

【図５】（ａ）は図１中のＢ−Ｂ線に沿った概略断面
図、（ｂ）は図２中のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図、
（ｃ）は図３中のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図である。

【図６】上記第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方
法の製造工程フローを示す図である。

【図７】図８に示す従来の有機ＥＬ素子のの製造方法の
製造工程フローを示す図である。

【図８】従来の封止部材を用いた有機ＥＬ素子構造の一
般的な例を示す図である。

【符号の説明】

１…基板、２…陽極、２ａ…陽極端子、２ｂ…陰極端
子、３…有機層、３ｂ…発光層、４…陰極、８…異方導
電性接着テープ、８ａ…保護ラミネート、９…封止膜。

フロントページの続き (72)発明者寺亮之介愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地株式会社デンソー内Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB12 AB13 AB18 CC05 DB03 FA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板（１）上に、下部電極（２）、有機
ＥＬ材料からなる発光層（３ｂ）を含む有機層（３）、
上部電極（４）を順次積層してなる積層体を形成すると
ともに、前記基板上のうち前記積層体の非形成部に、前
記下部電極および前記上部電極を外部回路と接続するた
めの端子部（２ａ、２ｂ）を形成するようにした有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、前記基板上に前記下部電極および前記端子部を形成した
後、前記端子部の上に、前記端子部と前記外部回路とを
接続するための、保護膜（８ａ）を表面に有する導電性
接着テープ（８）を仮圧着する工程と、その後、前記下部電極の上に前記有機層および前記上部
電極を積層して前記積層体を形成する工程と、前記積層体および前記導電性接着テープの上に、前記積
層体を保護するための封止膜（９）を形成する工程と、しかる後、前記導電性接着テープの保護膜を剥がすこと
により、前記導電性接着テープの上の前記封止膜を除去
する工程と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子の
製造方法。
【請求項２】基板（１）上に、下部電極（２）、有機
ＥＬ材料からなる発光層（３ａ）を含む有機層（３）、
上部電極（４）を順次積層してなる積層体を形成すると
ともに、前記基板上のうち前記積層体の非形成部に、前
記下部電極および前記上部電極を外部回路と接続するた
めの端子部（２ａ、２ｂ）を形成するようにした有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、前記基板上に、前記積層体および前記端子部を形成する
工程と、前記端子部の上に、前記端子部と前記外部回路とを接続
するための、保護膜（８ａ）を表面に有する導電性接着
テープ（８）を仮圧着する工程と、前記積層体および前記導電性接着テープの上に、前記積
層体を保護するための封止膜（９）を形成する工程と、しかる後、前記導電性接着テープの保護膜を剥がすこと
により、前記導電性接着テープの上の前記封止膜を除去
する工程と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子の
製造方法。
【請求項３】前記封止膜（９）の形成を原子層エピタ
キシー法により行うことを特徴とする請求項１または２
に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】前記封止膜（９）の形成をプラズマＣＶ
Ｄ法により行うことを特徴とする請求項１または２に記
載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】前記封止膜（９）の形成をスパッタ法に
より行うことを特徴とする請求項１または２に記載の有
機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】基板（１）上に、下部電極（２）、有機
ＥＬ材料からなる発光層（３ａ）を含む有機層（３）、
上部電極（４）を順次積層してなる積層体を形成すると
ともに、前記基板上のうち前記積層体の非形成部に、前
記下部電極および前記上部電極を外部回路と接続するた
めの端子部（２ａ、２ｂ）を形成するようにした有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、前記基板上に、前記積層体および前記端子部を形成する
工程と、前記端子部の上に、前記端子部と前記外部回路とを接続
するための、保護膜（８ａ）を表面に有する導電性接着
テープ（８）を仮圧着する工程と、前記積層体および前記導電性接着テープの上に、前記保
護膜を剥離した状態で前記積層体を保護するための封止
膜（９）を原子層エピタキシー法により形成する工程
と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方
法。