KR20160132949A - 발광 장치 - Google Patents

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도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤
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Abstract

발광 장치 (10) 는, 기판 (100), 절연층 (160), 발광 소자 (102), 피복막 (140), 및 구조물 (150) 을 구비하고 있다. 절연층 (160) 은 기판 (100) 의 일면에 형성되어 있고, 개구 (162) 를 갖고 있다. 발광 소자 (102) 는 개구 (162) 에 형성되어 있다. 피복막 (140) 은 기판 (100) 의 상기한 일면에 형성되어 있고, 발광 소자 (102), 절연층 (160), 및 기판 (100) 의 상기한 일면의 일부를 피복하고 있다. 기판 (100) 의 다른 일부 (예를 들어 단부의 일부：이하, 제 1 부분으로 기재) 는 피복막 (140) 으로 피복되어 있지 않다. 구조물 (150) 은, 기판 (100) 의 제 1 부분과 절연층 (160) 사이에 위치하고 있다. 피복막 (140) 은, 절연층 (160) 도 피복하고 있다.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING APPARATUS}
본 발명은 발광 장치에 관한 것이다.
최근에는, 유기 EL 소자를 광원으로서 이용한 발광 장치의 개발이 진행되고 있다. 유기 EL 소자는, 발광층으로서 유기층을 사용하고 있기 때문에 봉지 구조가 필요하다. 일반적으로는, 유기 EL 소자는, 유리나 금속 등으로 형성된 봉지 부재를 사용하여 봉지되어 있다. 그리고, 유기 EL 소자에 접속하는 단자는, 이 봉지 부재의 외부에 배치되어 있다.
한편, 특허문헌 1 에는, ALD (Atomic Layer Deposition) 법을 사용하여 봉지 막을 형성함으로써, 유기 EL 소자를 봉지하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 1 에는, 격벽 등의 역테이퍼 형상을 갖는 부분에서는 응력이 집중되기 쉽기 때문에, 봉지막에 크랙이 발생하기 쉽다고 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2013-097917호
유기 EL 소자 등의 발광 소자를 막으로 피복함으로써 봉지하는 경우, 막의 단부로부터 막의 내측을 향하여 크랙이 진행되는 경우가 있다. 이 크랙이 발광 소자를 둘러싸는 절연층까지 도달하면, 봉지 특성이 저하될 가능성이 생긴다. 봉지 특성이 저하되면, 크랙으로부터 발광 소자를 열화시키는 가스 (예를 들어 산소) 나 수분이 침입하여, 절연층을 통해 발광 소자에 이른다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제로는, 발광 소자를 피복막으로 덮은 경우에 있어서, 이 피복막의 단부로부터 피복막의 내측을 향하여 크랙이 진행하더라도, 이 크랙에 의한 발광 소자의 열화를 억제하는 것을 일례로서 들 수 있다.
청구항 1 에 기재된 발명은, 기판과,
상기 기판에 형성되고, 개구를 갖는 절연층과,
상기 개구에 형성된 발광 소자와,
상기 기판에 형성되고, 상기 발광 소자, 상기 절연층, 및 상기 기판의 일부를 피복하는 피복막을 구비하고,
상기 기판 중 상기 절연층으로 덮여 있지 않은 영역의 일부인 제 1 부분은 상기 피복막으로 덮여 있지 않고,
또한 상기 제 1 부분과 상기 절연층 사이에 위치하는 구조물을 구비하고,
상기 피복막은 상기 구조물을 피복하고 있는 발광 장치이다.
상기 서술한 목적, 및 그 밖의 목적, 특징 및 이점은, 이하에 서술하는 바람직한 실시형태 및 거기에 부수하는 이하의 도면에 의해 더욱 명확해진다.
도 1 은 실시형태에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2 는 도 1 에 나타낸 발광 장치의 평면도이다.
도 3 은 도 2 의 B-B 단면도이다.
도 4 는 기판에, 피복막으로 덮여 있지 않은 영역을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5 는 실시예 1 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 6 은 실시예 1 에 관련된 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 7 은 실시예 2 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 8 은 실시예 3 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 9 는 실시예 4 에 관련된 발광 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 10 은 도 9 로부터 제 2 전극 및 격벽을 제거한 도면이다.
도 11 은 도 9 의 C-C 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.
도 1 은, 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 2 는 도 1 에 나타낸 발광 장치 (10) 의 평면도이다. 도 1 은 도 2 의 A-A 단면도이다. 도 3 은, 도 2 의 B-B 단면도이다.
실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 는, 예를 들어 조명 장치나 디스플레이이고, 기판 (100), 절연층 (160), 발광 소자 (102), 피복막 (140), 및 구조물 (150) 을 구비하고 있다. 절연층 (160) 은 기판 (100) 의 일면에 형성되어 있고, 개구 (162) 를 갖고 있다. 발광 소자 (102) 는 개구 (162) 에 형성되어 있다. 피복막 (140) 은 기판 (100) 의 상기한 일면에 형성되어 있고, 발광 소자 (102), 절연층 (160), 및 기판 (100) 의 상기한 일면의 일부를 피복하고 있다. 기판 (100) 의 다른 일부 (예를 들어 단부의 일부：이하, 제 1 부분으로 기재) 는 피복막 (140) 으로 피복되어 있지 않다. 구조물 (150) 은, 기판 (100) 의 제 1 부분과 절연층 (160) 사이에 위치하고 있다. 피복막 (140) 은, 절연층 (160) 도 피복하고 있다. 발광 소자 (102) 는, 예를 들어 유기 EL 소자이다. 이하, 상세하게 설명한다.
기판 (100) 은, 예를 들어 유리 기판이나 수지 기판 등의 투명 기판이다. 기판 (100) 은, 가요성을 갖고 있어도 된다. 이 경우, 기판 (100) 의 두께는, 예를 들어 10 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하이다. 이 경우에 있어서도, 기판 (100) 은 무기 재료 및 유기 재료 중 어느 것으로 형성되어 있어도 된다. 기판 (100) 은, 예를 들어 사각형 등의 다각형이다. 또한, 기판 (100) 이 수지 기판인 경우, 기판 (100) 중 발광 소자 (102) 가 형성되는 면에는, 산화 실리콘막 등의 무기 재료막이 형성되어 있다. 이로써, 기판 (100) 을 수분 등이 투과하여 발광 소자 (102) 에 도달하는 것을 억제할 수 있다.
기판 (100) 상에는, 절연층 (160) 이 형성되어 있다. 절연층 (160) 은, 개구 (162) 를 갖고 있다. 개구 (162) 중에는 발광 소자 (102) 가 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 발광 소자 (102) 가 형성되어야 할 영역을 구획하고 있다. 절연층 (160) 은, 폴리이미드나 산화규소, 질화규소 등의 재료로 형성되어 있다.
발광 소자 (102) 는, 제 1 전극 (110) 과 제 2 전극 (130) 사이에 유기층 (120) 을 사이에 둔 구성을 갖고 있다. 제 1 전극 (110) 및 제 2 전극 (130) 중 적어도 일방은 투광성의 전극으로 되어 있다. 또, 나머지의 전극은, 예를 들어 Al, Mg, Au, Ag, Pt, Sn, Zn, 및 In 으로 이루어지는 제 1 군 중에서 선택되는 금속, 또는 이 제 1 군에서 선택되는 금속의 합금으로 이루어지는 금속층에 의해 형성되어 있다. 투광성의 전극의 재료는, 예를 들어, ITO (Indium Tin Oxide) 나 IZO (Indium Zinc Oxide) 등의 무기 재료, 또는 폴리티오펜 유도체 등의 도전성 고분자, 또는 은 혹은 탄소로 이루어지는 나노 와이어를 이용한 망목상 전극이다. 예를 들어, 보텀 이미션형의 발광 소자 (102) 로서, 기판 (100) 상에 제 1 전극 (110), 유기층 (120), 및 제 2 전극 (130) 을 이 순서로 적층한 구성을 갖고 있는 경우, 제 1 전극 (110) 은 투광성의 전극으로 되어 있고, 제 2 전극 (130) 은, Al 등 광을 반사하는 전극으로 되어 있다. 또, 탑 이미션형의 발광 소자 (102) 로서, 기판 (100) 상에 제 1 전극 (110), 유기층 (120), 및 제 2 전극 (130) 을 이 순서로 적층한 구성을 갖고 있는 경우, 제 1 전극 (110) 은 Al 등 광을 반사하는 전극으로 되어 있고, 제 2 전극 (130) 은 투광성의 전극으로 되어 있다. 또, 양방의 전극 (제 1 전극 (110), 제 2 전극 (130)) 을 투광성의 전극으로서, 투광형의 발광 장치로 해도 된다 (듀얼 이미션형).
유기층 (120) 은, 예를 들어, 정공 수송층, 발광층, 및 전자 수송층을 이 순서로 적층시킨 구성을 갖고 있다. 정공 수송층과 제 1 전극 (110) 사이에 정공 주입층이 형성되어 있어도 된다. 또, 전자 수송층과 제 2 전극 (130) 사이에 전자 주입층이 형성되어 있어도 된다. 유기층 (120) 의 층은, 도포법에 의해 형성되어도 되고 증착법에 의해 형성되어도 되고, 일부를 도포법, 나머지를 증착법으로 형성해도 된다. 또한, 유기층 (120) 은 증착 재료를 사용하여 증착법으로 형성해도 되고, 또, 유기층 (120) 은, 도포 재료를 사용하여, 잉크젯법, 인쇄법, 스프레이법으로 형성되어도 된다.
기판 (100) 중 발광 소자 (102) 가 형성되어 있는 면에는, 단자 (112, 132) 가 형성되어 있다. 단자 (112) 는 제 1 전극 (110) 과 전기적으로 접속하고 있고, 단자 (132) 는 제 2 전극 (130) 과 전기적으로 접속하고 있다. 상세하게는, 제 1 전극 (110) 의 일부 상에는, 유기층 (120) 이 형성되어 있지 않고, 또한, 절연층 (160) 의 외측에 위치하고 있다. 그리고, 이 부분이 단자 (112) 로 되어 있다. 또 단자 (132) 는, 제 1 전극 (110) 과 동일한 층을 갖고 있다. 본 도면에 나타내는 예에서는, 단자 (112) 는 배선 (116) 을 통하여 제 1 전극 (110) 에 접속하고 있고, 단자 (132) 는 배선 (136) 을 통하여 제 2 전극 (130) 에 접속하고 있다. 배선 (116, 136) 은, 모두 제 1 전극 (110) 과 동일한 층을 갖고 있다.
본 도면에 나타내는 예에 있어서, 단자 (112) 는, 제 1 전극 (110) 상에 제 2 층 (114) 을 적층한 구성을 갖고 있다. 또 단자 (132) 는, 제 1 전극 (110) 과 동일한 층 상에 제 2 층 (134) 을 적층한 구성을 갖고 있다. 제 2 층 (114, 134) 은, 제 1 전극 (110) 을 형성하고 있는 재료보다 저저항인 재료, 예를 들어 금속에 의해 형성되어 있다. 제 2 층 (114, 134) 은, 예를 들어 Mo, Al, 및 Mo 를 이 순서로 적층한 구성을 갖고 있다. 또한, Mo 나 Al 에는, 다른 금속이 첨가되어 있어도 된다. 또한, 배선 (116, 136) 의 적어도 일부 상에도, 제 2 층 (114, 134) 이 형성되어 있어도 된다. 단, 단자 (112, 132) 상에는, 제 2 층 (114, 134) 이 형성되어 있지 않아도 된다.
피복막 (140) 은, 성막법, 예를 들어 ALD 법 또는 CVD 법을 사용하여 형성되어 있다. ALD 법으로 형성되어 있는 경우, 피복막 (140) 은, 예를 들어 산화알루미늄 등의 산화 금속막에 의해 형성되어 있고, 그 막두께는, 예를 들어 10 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하, 바람직하게는 50 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하이다. CVD 법으로 형성되어 있는 경우, 피복막 (140) 은, 산화 실리콘막 등의 무기 절연막에 의해 형성되어 있고, 그 막두께는, 예를 들어 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이다. 피복막 (140) 이 형성됨으로써, 발광 소자 (102) 는 수분 등으로부터 보호된다. 피복막 (140) 은, 스퍼터링법으로 형성되어도 된다. 이 경우, 피복막 (140) 은, SiO2 또는 SiN 등 절연막에 의해 형성된다. 그 경우, 막두께는 10 ㎚ 이상 1000 ㎚ 이하이다.
상기한 단자 (112, 132) 는, 기판 (100) 의 가장자리 근처에 형성되어 있다. 그리고, 피복막 (140) 은, 기판 (100) 의 가장자리 중, 단자 (112, 132) 의 근처에 위치하는 부분에는 형성되어 있지 않다. 이 때문에, 단자 (112, 132) 는, 피복막 (140) 에 덮여 있지 않다. 그리고, 기판 (100) 중 피복막 (140) 에 피복되어 있지 않은 부분과 절연층 (160) 사이에는, 구조물 (150) 이 형성되어 있다. 본 도면에 나타내는 예에서는, 구조물 (150) 은, 단자 (112) 와 절연층 (160) 사이, 및 단자 (132) 와 절연층 (160) 사이의 각각에 형성되어 있다.
구조물 (150) 은 수지나 무기 재료 등의 절연물에 의해 형성되어 있다. 구조물 (150) 이 감광성을 갖는 재료로 형성되어 있는 경우, 구조물 (150) 은, 이 재료를 기판 (100) 상에 도포하여 층을 형성한 후, 이 층을 노광 및 현상함으로써 형성된다. 또 구조물 (150) 이 무기 재료로 형성되어 있는 경우, 구조물 (150) 은, 구조물 (150) 이 되는 층을 CVD 법 또는 스퍼터링법으로 형성한 후, 이 층을 선택적으로 제거함으로써 형성된다.
구조물 (150) 은, 제 1 방향 (도 2 에 있어서의 y 방향) 으로 연장되어 있다. 그리고 제 1 방향에 있어서, 구조물 (150) 은, 절연층 (160) 보다 길다. 본 도면에 나타내는 예에서는, 구조물 (150) 은, 배선 (116) 또는 배선 (136) 을 가로지르도록 형성되어 있다. 이 때문에, 구조물 (150) 의 하면에는, 기판 (100) 에 접하고 있는 부분과, 배선 (116) 또는 배선 (136) 에 접하고 있는 부분이 있다.
그리고 도 3 에 나타내는 바와 같이, 구조물 (150) 의 하면이 기판 (100) 에 접하고 있는 부분의 근방에서는, 피복막 (140) 은, 기판 (100) 중 구조물 (150) 과 단자 (112) 사이에 위치하는 부분 (제 2 부분) 과, 구조물 (150) 과 절연층 (160) 사이에 위치하는 부분 (제 3 부분) 에서, 기판 (100) 에 접하고 있다. 피복막 (140) 이 무기 재료로 형성되어 있는 경우, 기판 (100) 과 피복막 (140) 의 접합은, 무기 재료끼리의 접합이 되기 때문에, 피복막 (140) 과 절연층 (160) 의 접합과 비교하여 강하다.
다음으로, 발광 장치 (10) 의 제조 방법에 대해 설명한다. 먼저, 기판 (100) 상에 제 1 전극 (110) 및 단자 (112, 132) 를 형성한다. 제 1 전극 (110) 및 단자 (112, 132) 는, 예를 들어 증착법 또는 스퍼터링법을 사용하여 형성된다. 이어서, 제 1 전극 (110) 의 주위를 덮도록 절연층 (160) 을 형성한다 (도 2 참조). 이어서, 제 1 전극 (110) 상에 유기층 (120) 을 형성한다. 또, 구조물 (150) 을 형성한다.
이어서, 제 2 전극 (130) 을 형성하고, 추가로 피복막 (140) 을 형성한다. 제 2 전극 (130) 은, 예를 들어 스퍼터링법 또는 증착법을 사용하여 형성되고, 피복막 (140) 은, 예를 들어 ALD 법 또는 CVD 법을 사용하여 형성된다.
도 4 는, 기판 (100) 에, 피복막 (140) 으로 덮여 있지 않은 영역을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 상기한 바와 같이 피복막 (140) 은, 단자 (112, 132) 를 덮고 있지 않다. 이와 같이 하기 위해서는, 예를 들어, 피복막 (140) 을 형성하기 전에, 기판 (100) 중 단자 (112, 132) 가 형성되어 있는 영역을, 리프트 오프층 (200) 으로 덮는다. 리프트 오프층 (200) 은, 예를 들어 유기 재료로 형성되어 있다. 리프트 오프층 (200) 의 유리 전이 온도 또는 상전이 온도 (예를 들어 융점) 는, 피복막 (140) 의 유리 전이 온도 또는 상전이 온도 (예를 들어 융점) 보다 낮다. 또한, 리프트 오프층 (200) 을 구성하는 재료의 선팽창 계수는, 피복막 (140) 을 구성하는 재료의 선팽창 계수보다 큰 것이 바람직하다.
그리고, 피복막 (140) 을 형성한 후, 기판 (100) 을 가열 및 냉각시킨다. 이 때, 피복막 (140) 중 리프트 오프층 (200) 의 상방에 위치하는 부분에는 크랙이 발생한다. 그리고, 단자 (112), 단자 (132) 의 근방을, 리프트 오프층 (200) 을 용해하는 용액으로 세정하면, 피복막 (140) 에 발생한 크랙을 통하여 이 용액이 리프트 오프층 (200) 에 접촉하여, 리프트 오프층 (200) 이 제거된다. 이 때, 리프트 오프층 (200) 중 리프트 오프층 (200) 의 상방에 위치하고 있던 부분이 제거된다.
피복막 (140) 의 단부에는, 크랙이 발생하는 경우가 있다. 이 크랙은, 예를 들어 상기한 리프트 오프층 (200) 을 제거하는 공정이나, 단자 (112, 132) 에 이방성 도전막, 리드 단자나 본딩 와이어 등의 도통 부재를 접속할 때에 발생한다. 피복막 (140) 의 단부에 크랙이 발생하면, 이 크랙은 발광 소자 (102) 를 향하여 진행한다. 이에 대하여 본 실시형태에서는, 기판 (100) 중 피복막 (140) 이 형성되어 있지 않은 영역과 절연층 (160) 사이에는, 구조물 (150) 이 형성되어 있다. 구조물 (150) 이 제 1 방향 (도 2 의 y 방향) 으로 연장됨으로써, 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향 (도 2 의 x 방향) 으로 진행하는 크랙을 제 1 방향으로 변경한다. 이 때문에, 피복막 (140) 에 발생한 크랙이 발광 소자 (102) 까지 진행하는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 발광 소자를 열화시키는 가스 (예를 들어 산소) 나 수분이 발광 소자에 이르는 것을 억제할 수 있다.
특히, 절연층 (160) 의 외측의 측면 (즉, 개구 (162) 와는 반대측의 측면) 이, 절연층 (160) 의 하면이 넓어지는 방향으로 경사져 있는 경우, 피복막 (140) 의 크랙이 절연층 (160) 의 가장자리에 도달하면, 절연층 (160) 을 통하여 수분이나 가스 등이 발광 소자 (102) 까지 곧바로 진행한다. 이와 같은 경우라도, 본 실시형태에서는 구조물 (150) 을 형성하고 있기 때문에, 피복막 (140) 에 발생한 크랙에서 기인하여 발광 소자 (102) 가 열화되는 것을 억제할 수 있다. 바꾸어 말하면, 발광 장치 (10) 의 봉지 성능을 유지할 수 있다.
또, 구조물 (150) 까지 도달한 크랙은, 구조물 (150) 이 연장하는 방향으로 진행하는 경우가 있다. 이 경우라도, 본 도면에 나타내는 예에서는, 제 1 방향 (도 2 에 있어서의 Y 방향) 에 있어서, 구조물 (150) 의 길이는 절연층 (160) 의 폭보다 크다. 제 2 방향 (도 2 의 x 방향) 으로 진로 변경된 크랙이 구조물 (150) 의 길이 방향에 걸쳐서 진행되었다고 해도, 구조물 (150) 의 길이가 절연층 (160) 의 폭보다 크기 때문에, 피복막 (140) 에 발생한 크랙이 절연층 (160) 까지 진행되는 것을 더욱 억제할 수 있다.
또, 피복막 (140) 은, 기판 (100) 중 구조물 (150) 과 단자 (112) 사이에 위치하는 부분 (제 2 영역) 과, 구조물 (150) 과 절연층 (160) 사이에 위치하는 부분 (제 3 영역) 에서, 기판 (100) 에 접하고 있다. 이 때문에, 제 2 영역 및 제 3 영역에서는, 피복막 (140) 의 크랙은 진행되기 어렵다. 따라서, 피복막 (140) 에 발생한 크랙이 절연층 (160) 까지 도달하여, 이 크랙으로부터 침입하는 가스나 수분에 의해 발광 소자 (102) 가 열화되는 것을 더욱 억제할 수 있다.
실시예
(실시예 1)
도 5 는, 실시예 1 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 평면도이고, 실시형태에 있어서의 도 2 에 대응하고 있다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 이하의 점을 제외하고, 실시형태에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
먼저, 피복막 (140) 의 가장자리는, 전체 둘레에 걸쳐서 기판 (100) 의 가장자리보다 기판 (100) 의 내측에 위치하고 있다. 그리고 구조물 (150) 은, 절연층 (160) 의 전체 둘레를 둘러싸고 있다.
도 6 은, 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도이다. 본 실시예에 있어서, 복수의 발광 장치 (10) 는, 기판 (100) 이 서로 연결된 상태로 동시에 형성된다. 그리고, 피복막 (140) 이 형성된 후에, 다이싱 블레이드 등을 사용하여, 복수의 발광 장치 (10) 를 서로 분리한다. 일례로서, 스크라이브 라인 (12) 에 피복막 (140) 이 형성되어 있으면, 발광 장치 (10) 를 서로 분리할 때에, 피복막 (140) 에 큰 크랙이 발생할 가능성이 있다. 이 때문에, 피복막 (140) 은, 전체 둘레에 걸쳐서 스크라이브 라인 (12) 으로부터 떨어져 형성되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 피복막 (140) 을 형성하기 전에, 리프트 오프층 (200) 을, 스크라이브 라인 (12) 및 그 근처에 도포한다.
여기서, 구조물 (150) 이 절연층 (160) 의 전체 둘레를 둘러싸도록 형성되어 있다. 이 때문에, 피복막 (140) 의 가장자리 중 어느 부분에 크랙이 발생한 경우라도, 이 크랙에 의해 발광 소자 (102) 가 열화되는 것을 억제할 수 있다.
(실시예 2)
도 7 은, 실시예 2 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 단면도이고, 실시형태에 있어서의 도 3 에 대응하고 있다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 구조물 (150) 의 단면 형상을 제외하고, 실시형태 또는 실시예 1 에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
본 실시예에 있어서, 구조물 (150) 의 폭 방향 (제 2 방향) 의 단면에 있어서, 구조물 (150) 의 상면은, 구조물 (150) 의 하면보다 폭이 넓어져 있다. 구체적으로는, 구조물 (150) 의 단면은, 상측 바닥이 하측 바닥보다 긴 사다리꼴로 되어 있다. 이와 같은 구조는, 구조물 (150) 을 형성할 때의 조건 (예를 들어 구조물 (150) 이 감광성의 재료에 의해 형성되어 있는 경우에는 노광 조건) 을 제어함으로써 실현할 수 있다.
본 실시예에 따라서도, 피복막 (140) 의 가장자리에서 발생한 크랙이 발광 소자 (102) 까지 도달하는 것을 억제할 수 있다. 또, 구조물 (150) 의 측면은, 상측으로 감에 따라 구조물 (150) 의 폭이 넓어지는 방향으로 경사져 있기 때문에, 제 1 방향 (도 2 의 y 방향) 에서 제 2 방향 (도 2 의 x 방향) 으로 크랙을 진로 변경하기 쉬워진다. 따라서, 피복막 (140) 의 가장자리에서 발생한 크랙에 의한 발광 소자 (102) 의 열화를 억제할 수 있다.
(실시예 3)
도 8 은, 실시예 3 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 평면도이다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 이하의 점을 제외하고, 실시예 1 에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다. 또한, 도 8 에서는, 설명을 위하여, 제 2 전극 (130) 및 단자 (132) 의 도시를 생략하고 있다.
본 실시예에 있어서, 발광 장치 (10) 는 복수의 발광 소자 (102) 를 갖고 있다. 이웃하는 발광 소자 (102) 사이에는, 절연층 (160) 이 형성되어 있다. 그리고, 복수의 발광 소자 (102) 의 각각과 전기적으로 접속하는 단자 (112) 가 형성되어 있다. 복수의 단자 (112) 는, 서로 나란히, 기판 (100) 의 가장자리에 배치되어 있다. 어느 단자 (112) 도, 피복막 (140) 으로부터 노출되어 있다. 그리고 구조물 (150) 은, 복수의 발광 소자 (102) 가 형성되어 있는 영역의 전체 둘레를 둘러싸고 있다. 구조물 (150) 의 단면 형상은, 실시예 2 와 동일한 형상이어도 된다.
또한, 단자 (132) 도, 단자 (112) 와 동일하게 배치되어 있다.
본 실시예에 따라서도, 피복막 (140) 의 가장자리에서 발생한 크랙이 발광 소자 (102) 까지 도달하는 것을 억제할 수 있다.
(실시예 4)
도 9 는, 실시예 4 에 관련된 발광 장치 (10) 의 구성을 나타내는 평면도이다. 도 10 은, 도 9 로부터 제 2 전극 (130) 및 격벽 (135) 을 제거한 도면이다. 도 10 에 있어서는, 설명을 위하여, 제 2 전극 (130) 을 점선으로 나타내고 있다. 도 11 은, 도 10 의 C-C 단면도이다. 도 10 은, 실시예 3 에 있어서의 도 8 에 대응하고 있다. 본 실시예에 관련된 발광 장치 (10) 는, 이하의 점을 제외하고, 실시예 3 에 관련된 발광 장치 (10) 와 동일한 구성이다.
본 실시예에 있어서, 발광 장치 (10) 는 디스플레이이고, 매트릭스상으로 배치된 복수의 발광 소자 (102) 를 갖고 있다. 그리고, 구조물 (150) 은, 복수의 발광 소자 (102) 를 통합하여 둘러싸고 있다. 구조물 (150) 의 단면 형상은, 실시예 2 와 동일한 형상이어도 된다.
상세하게는, 복수의 제 1 전극 (110) 이 서로 평행하게 연장되어 있고, 또한, 복수의 제 2 전극 (130) 이, 서로 평행하고 또한 제 1 전극 (110) 과 교차하는 방향 (예를 들어 직교하는 방향) 으로 연장되어 있다. 그리고, 제 1 전극 (110) 과 제 2 전극 (130) 의 교점의 각각에 발광 소자 (102) 가 형성되어 있다. 구체적으로는, 절연층 (160) 은, 복수의 제 1 전극 (110) 상에 걸쳐 형성되어 있다. 절연층 (160) 중, 제 1 전극 (110) 과 제 2 전극 (130) 의 교점에 위치하는 부분에는 개구가 형성되어 있다. 그리고, 이 개구 내에 유기층 (120) 이 형성된다. 즉, 발광 소자 (102) 가 절연층의 개구에 형성되게 된다.
단자 (112) 는 복수의 제 1 전극 (110) 의 각각과 전기적으로 접속되어 있고, 또, 단자 (132) 는 복수의 제 2 전극 (130) 의 각각과 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 단자 (112, 132) 는, 모두 기판 (100) 의 가장자리를 따라 배치되어 있다. 본 도면에 나타내는 예에서는, 복수의 단자 (112, 132) 는, 모두 기판 (100) 의 동일한 변을 따라 배치되어 있다. 단, 단자 (112) 와 단자 (132) 는, 기판 (100) 중 서로 상이한 변을 따라 배치되어 있어도 된다.
또, 절연층 (160) 상에는, 격벽 (135) 이 형성되어 있다. 격벽 (135) 은, 복수의 제 2 전극 (130) 사이에 위치하고 있다. 격벽 (135) 의 단면은, 상측 바닥이 하측 바닥보다 긴 사다리꼴로 되어 있다. 격벽 (135) 의 상면에는, 제 2 전극 (130) 과 동일한 재료로 이루어지는 도전층이 형성되어 있다. 격벽 (135) 은, 제 2 전극 (130) 을 증착법 또는 스퍼터링법으로 형성할 때에, 이웃하는 제 2 전극 (130) 을 서로 분리하기 위해서 형성되어 있다. 이 때문에, 격벽 (135) 은, 절연층 (160) 이 형성된 후, 격벽 (135) 이 형성되기 전 (바람직하게는 유기층 (120) 이 형성되기 전) 에 형성된다.
그리고, 본 실시예에서는, 구조물 (150) 은 격벽 (135) 과 동일 공정으로 형성되어 있다. 이 때문에, 구조물 (150) 은 격벽 (135) 과 동일한 재료에 의해 형성되어 있고, 또, 구조물 (150) 의 단면도, 상측 바닥이 하측 바닥보다 긴 사다리꼴로 되어 있다. 구조물 (150) 및 격벽 (135) 은, 예를 들어 감광성의 재료에 의해 형성되어 있고, 노광 조건을 제어함으로써, 상기한 단면 형상으로 되어 있다.
본 실시예에 따라서도, 피복막 (140) 의 가장자리에서 발생한 크랙이 발광 소자 (102) 까지 도달하는 것을 억제할 수 있다. 또, 구조물 (150) 을 격벽 (135) 과 동일 공정으로 형성하고 있기 때문에, 발광 장치 (10) 의 제조 공정수를 줄일 수 있다. 그 결과, 발광 장치 (10) 의 제조 비용을 낮출 수 있다. 구조물 (150) 의 단면 형상이 사다리꼴임으로써, 크랙의 진행 방향을 변경 (제 1 방향에서 제 2 방향으로 변경) 하기 쉬워진다.
이상, 도면을 참조하여 실시형태 및 실시예에 대해 말했지만, 이들은 본 발명의 예시이고, 상기 이외의 여러 가지 구성을 채용할 수도 있다.

Claims (7)

  1. 기판과,
    상기 기판에 형성되고, 개구를 갖는 절연층과,
    상기 개구에 형성된 발광 소자와,
    상기 기판에 형성되고, 상기 발광 소자, 상기 절연층, 및 상기 기판의 일부를 피복하는 피복막을 구비하고,
    상기 기판 중 상기 절연층으로 덮여 있지 않은 영역의 일부인 제 1 부분은 상기 피복막으로 덮여 있지 않고,
    또한 상기 제 1 부분과 상기 절연층 사이에 위치하는 구조물을 구비하고,
    상기 피복막은 상기 구조물을 피복하고 있는, 발광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구조물은 제 1 방향으로 연장되어 있고,
    상기 제 1 방향에 있어서, 상기 구조물은 상기 절연층보다 긴, 발광 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향에 있어서,
    상기 기판 중, 상기 제 1 부분과 상기 구조물 사이에 위치하는 제 2 부분, 및 상기 구조물과 상기 절연층 사이에 위치하는 제 3 부분은, 모두 상기 피복막과 접하고 있는, 발광 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 구조물은 상기 절연층을 둘러싸고 있는, 발광 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 방향에 있어서, 상기 구조물의 상면은, 상기 구조물의 하면보다 폭이 넓은, 발광 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 제 1 부분에 형성된 단자와,
    상기 기판에 형성되고, 상기 단자와 상기 발광 소자를 접속하는 배선을 구비하는, 발광 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 발광 소자는,
    제 1 전극과,
    상기 제 1 전극 상에 형성된 유기층과,
    상기 유기층 상에 형성된 제 2 전극을 갖고,
    또한,
    복수의 상기 발광 소자와,
    상기 절연층 상에 형성되고, 상기 복수의 발광 소자 각각의 상기 제 2 전극을 분리하는 절연성의 격벽을 구비하고,
    상기 구조물은 상기 격벽과 동일한 재료에 의해 형성되어 있는, 발광 장치.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9978986B2 (en) * 2014-03-13 2018-05-22 Pioneer Corporation Light emitting apparatus
US9882173B2 (en) * 2015-03-31 2018-01-30 Industrial Technology Research Institute Methods for fabricating an organic electro-luminescence device
US9887359B2 (en) * 2015-03-31 2018-02-06 Industrial Technology Research Institute Organic electro-luminescence device and fabricating method thereof
JP6640034B2 (ja) * 2016-06-17 2020-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2018062272A1 (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 パイオニア株式会社 発光装置
WO2018158953A1 (ja) * 2017-03-03 2018-09-07 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
JP6953151B2 (ja) * 2017-03-16 2021-10-27 パイオニア株式会社 発光装置
KR101976832B1 (ko) * 2017-11-06 2019-05-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
WO2021049464A1 (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 パイオニア株式会社 発光装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003208975A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Denso Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2009049001A (ja) * 2007-07-20 2009-03-05 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP2010272270A (ja) * 2009-05-20 2010-12-02 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2013097917A (ja) 2011-10-28 2013-05-20 Denso Corp 有機ｅｌ装置およびその製造方法
WO2014208975A1 (ko) * 2013-06-28 2014-12-31 주식회사 종근당 클리닝 부재 수납 수단을 구비한 용기 조립체

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4583568B2 (ja) 2000-09-19 2010-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2002093586A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US7753751B2 (en) * 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
EP1798786B1 (en) * 2004-10-21 2012-01-11 LG Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
JP4245032B2 (ja) 2006-10-03 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
US7931516B2 (en) 2007-07-20 2011-04-26 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus and method of producing the same
JP5424738B2 (ja) 2009-06-23 2014-02-26 キヤノン株式会社 表示装置
US8766269B2 (en) * 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
JP5733502B2 (ja) 2011-01-17 2015-06-10 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置および電子機器
CN104012173B (zh) * 2012-07-26 2016-08-24 松下电器产业株式会社 有机el装置
JP6142151B2 (ja) 2012-07-31 2017-06-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
US9978986B2 (en) * 2014-03-13 2018-05-22 Pioneer Corporation Light emitting apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003208975A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Denso Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2009049001A (ja) * 2007-07-20 2009-03-05 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP2010272270A (ja) * 2009-05-20 2010-12-02 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2013097917A (ja) 2011-10-28 2013-05-20 Denso Corp 有機ｅｌ装置およびその製造方法
WO2014208975A1 (ko) * 2013-06-28 2014-12-31 주식회사 종근당 클리닝 부재 수납 수단을 구비한 용기 조립체

Also Published As

Publication number Publication date
US10700306B2 (en) 2020-06-30
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US20180248152A1 (en) 2018-08-30
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US20170012241A1 (en) 2017-01-12
US9978986B2 (en) 2018-05-22
KR101893281B1 (ko) 2018-08-29
US10297788B2 (en) 2019-05-21
WO2015136670A1 (ja) 2015-09-17

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