JP2005078932A

JP2005078932A - 有機ｅｌ発光装置及びその製造方法

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Publication number: JP2005078932A
Application number: JP2003307714A
Authority: JP
Inventors: Yoshiki Otani; 新樹大谷
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd; Kyocera Display Corp
Current assignee: Kyocera Display Corp; AGC Inc
Priority date: 2003-08-29
Filing date: 2003-08-29
Publication date: 2005-03-24

Abstract

【課題】
薄型化された有機ＥＬ発光装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる有機ＥＬ発光装置の製造方法は有機ＥＬ素子を備える素子基板１０と素子基板と対向された対向基板２０からなる一対の基板を備える有機ＥＬ発光装置の製造方法である。複数の有機ＥＬ素子により形成される有機ＥＬ発光領域１１を囲む封止用シール材２３を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、一対の基板を形成するステップＳ１０９と、エッチング面をクリーニングするステップＳ１１０と、一対の基板をエッチングにより薄くするステップＳ１１１とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は有機ＥＬ発光装置及びその製造方法に関する。

近年、ＦＰＤ(ＦｌａｔＰａｎｅｌＤｉｓｐｌａｙ)として有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイが注目されている。有機ＥＬディスプレイは画素となる有機ＥＬ素子を複数配置した表示パネルを備えている。表示パネルは通常、有機ＥＬ素子が形成された素子基板と素子基板と対向する封止用対向基板とを備えている。封止用対向基板に捕水材を設けて素子基板と封止用対向基板を貼合せ、有機ＥＬ素子が設けられた領域を封止することにより、大気中の水分等による劣化を防いでいる。

有機ＥＬ素子は応答速度が液晶表示装置よりも３桁以上速いため、動画表示の点で優れている。また、有機ＥＬ素子は自己発光するため液晶表示装置と異なりバックライト・ユニットが不要であり、さらなる薄型化が可能である。なお、液晶表示パネルについて、液晶表示パネルの片面をエッチングして薄型化する方法が開示されている（例えば、特許文献１）。従来の有機ＥＬディスプレイでは、例えば、素子基板には０．７ｍｍ厚のガラス基板を、封止用対向基板には０．７〜１．１ｍｍのガラス基板を使用している。この素子基板や封止用対向基板により薄い基板を使用すれば、さらなる薄型化が可能である。特に携帯電話やＰＤＡなどの携帯端末では有機ＥＬ表示装置の薄型化の要求が高い。

しかしながら、表示パネルをより薄い基板を使用して製造した場合、以下のような問題点が生じてしまう。素子基板を薄くすると生産設備内での搬送時のたわみが大きくなり、基板の取り扱いが難しくなる。さらに、基板の破損する割合が高くなり生産性を低下させる。さらに既存の設備を利用する場合は、搬送設備の改修が必要になってしまう。封止用対向基板には有機ＥＬ素子を水分から保護する捕水材を収納する空間を掘り込む必要がるため、封止用対向基板に薄い基板を用いると掘り込み作業時等に基板を破損する割合が高くなる。このように薄い基板を用いて有機ＥＬ表示パネルを製造すると、製造工程で基板が破損する割合が高くなり、生産性が低下するという問題点があった。

薄型化する方法として、素子基板及び封止用対向基板の製造工程では通常の厚さの基板を使用して、両基板を貼り合わせて封止した後に機械研磨により薄くする方法が考えられる。しかし、機械的に研磨する場合、基板の断面方向に圧力がかかってしまい、研磨中に基板を破損するおそれがある。捕水材収納部は捕水材を設けるため掘り込まれているので他の部分より薄く、外部からの圧迫に脆弱であり、この問題点が顕著に表れる。さらに機械的研磨は２枚の基板にせん断応力を与えてしまう。よって封止用シール材にせん断ストレスが残留し、封止能力が劣化するおそれがある。

特開平５−２４９４２２号公報

このように従来の有機ＥＬ表示装置では薄型化することが困難であるという問題点があった。

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、薄型化された有機ＥＬ発光装置とその製造方法を提供することを目的とする。

本発明にかかる有機ＥＬ発光装置の製造方法は、有機ＥＬ素子を備える素子基板（例えば、本実施例における素子基板１０）と前記素子基板と対向された対向基板（例えば、本実施例における対向基板）からなる一対の基板を備える有機ＥＬ発光装置の製造方法であって、前記複数の有機ＥＬ素子により形成される発光領域（例えば、本実施例における有機ＥＬ表示領域１１）を囲む封止用シール材（例えば、本実施例における封止用シール材２３）を介して前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせるステップ（例えば、本実施例におけるステップＳ１０９）と、前記一対の基板をエッチングにより薄くするステップ（例えば、本実施例におけるステップＳ１１１）とを備えるものである。これにより有機ＥＬ発光装置を薄型化できる。

上述の製造方法において前記エッチングにより薄くするステップでは、前記一対の基板をエッチング液に浸漬して、前記素子基板及び前記対向基板の双方を薄くすることも可能である。これにより、短時間で薄型化することができる。

本発明にかかる有機ＥＬ発光装置の製造方法は、上述の製造方法において前記封止用シール材を囲むエッチング防止用シール（例えば、本実施例におけるエッチング防止用シール２４）を設けるステップをさらに備え、前記エッチング防止用シールを介して貼り合わされた一対の基板をエッチングにより薄くするものである。これにより、有機ＥＬ素子に影響を与えることなく、薄型化することができる。

本発明にかかる有機ＥＬ発光装置の製造方法は、上述の製造方法において前記一対の基板には複数の発光領域と、前記発光領域のそれぞれを囲む複数の前記封止用シールが形成され、さらに、前記複数の封止用シールの間に飛散防止用シール（例えば、本実施例における飛散防止用シール２５）を設けるステップと、前記飛散防止用シールと前記封止用シールとの間で前記一対の基板を切断し、前記複数の発光領域を分割するステップとを有するものである。これにより、切断端材が飛散するのを防ぐことができる。
上述の有機ＥＬ発光装置において、さらに前記エッチングにより薄くするステップの前に、前記一対の基板の表面をクリーニングするステップを有することが望ましい。これにより、基板のエッチング量が面内で均一になり、均一な光を発光することができる。

本発明にかかる有機ＥＬ発光装置は複数の有機ＥＬ素子を備える素子基板と、前記素子基板と対向する対向基板と、前記素子基板と前記対向基板の間に、前記複数の有機ＥＬ素子からなる発光領域を囲むように形成された封止用シール材とを備え、前記素子基板又は前記対向基板の少なくともいずれか一方の外面がエッチングされているものである。これにより、薄型化された有機ＥＬ発光装置を提供できる。

本発明によれば、薄型化された有機ＥＬ発光装置とその製造方法を提供することができる。

以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。

本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法について図１を用いて説明する。図１は有機ＥＬ表示装置の製造工程を示すフローチャートである。有機ＥＬ表示装置は画素となる有機ＥＬ素子を複数配置した有機ＥＬ表示パネルを備えている。有機ＥＬ表示パネルは通常、有機ＥＬ素子が形成された素子基板と有機ＥＬ素子を封止するため素子基板と対向配置された対向基板とを備えている。

有機ＥＬ素子を備える素子基板の製造方法について説明する。素子基板には厚さが例えば、０．７ｍｍ〜１．１ｍｍのガラス基板を用いる（ステップＳ１０１）。ガラス基板には無アルカリガラス（例えば、旭硝子社製ＡＮ１００）あるいはアルカリガラス（旭硝子社製ＡＳ）を用いることができる。このガラス基板の上に陽極電極材料であるＩＴＯを成膜する（ステップＳ１０２）。ＩＴＯはスパッタや蒸着によって、ガラス基板全面に均一性よく成膜することができる。ここではＤＣスパッタ法により膜厚１５０ｎｍで成膜する。フォトリソグラフィー及びエッチングによりＩＴＯパターンを形成する（ステップＳ１０３）。このＩＴＯパターンが陽極となる。レジストとしてはフェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングはウェットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよいが、ここでは塩酸及び硝酸の混合水溶液を使用してＩＴＯをパターニングした。レジスト剥離材としてはモノエタノールアミンを使用した。

ＩＴＯパターンの上から補助配線材料を成膜する（ステップＳ１０４）。補助配線材料はＡｌあるいはＡｌ合金などの低抵抗な金属材料が用いられ、スパッタ、蒸着によって成膜することができる。さらに下地との密着性を向上させるため、あるいは腐食を防止するために、Ａｌ膜の下層又は上層にＴｉＮやＣｒ等のバリア層を形成して補助配線を積層構造としても良い。このバリア層も蒸着あるいはスパッタにより形成できる。ここではＤＣスパッタ法により総厚が４５０ｎｍのＣｒ／Ａｌ／Ｃｒの積層膜やＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂの積層膜を補助配線材料として成膜する。この補助配線材料をフォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングして、補助配線パターンを形成する（ステップＳ１０５）。エッチングには燐酸、酢酸、硝酸等の混合水溶液よりなるエッチング液を使用することができる。なお、陽極材料と補助配線材料とを順に成膜し、その後に補助配線材料と陽極材料を順番にパターニングすることも可能である。この補助配線パターンにより、陽極又は陰極に信号が供給される。

次に開口絶縁膜を形成する（ステップＳ１０６）。絶縁膜としては感光性のポリイミドをスピンコーティングして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、キュアし画素に画素開口部を有する開口絶縁膜を形成する。同時に陰極と補助配線とのコンタクトホールを形成する。例えば、画素開口部は３００μｍ×３００μｍ程度、陰極と補助配線とのコンタクトホールを２００μｍ×２００μｍ程度で形成する。

次に陰極隔壁を形成する（ステップＳ１０７）。陰極隔壁には、例えば、ノボラック樹脂を用いる。ノボラック樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて陰極隔壁を形成する。陰極隔壁が逆テーパ構造を有するようネガタイプの感光性樹脂を用いることが望ましい。ネガタイプの感光性樹脂を用いると、上から光を照射した場合、深い場所ほど光反応が不十分となる。その結果、上から見た場合、硬化部分の断面積が上の方より下の方が狭い構造を有する。これが逆テーパ構造を有するという意味である。このような構造にすると、その後、陰極の蒸着時に蒸着源から見て陰になる部分は蒸着が及ばないため、陰極同士を分離することが可能になる。さらに、開口部のＩＴＯ層の表面改質を行うために、酸素プラズマ又は紫外線を照射してもよい。

次に画素開口部の上に有機ＥＬ素子を形成する（ステップＳ１０８）。例えば、蒸着装置を用い、有機ＥＬ層と陰極を蒸着する。有機ＥＬ層は界面層、正孔輸送層、発光層、電子注入層等を構成要素とすることが多い。ただし、これとは異なる層構成を有する場合もある。有機ＥＬ層の厚さは通常１００〜３００ｎｍ程度である。界面層として銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を厚さ１０ｎｍ、正孔輸送層としてＮ，Ｎ'−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン（α―ＮＰＤ）を厚さ６０ｎｍ、発光層としてＡｌｑを厚さ５０ｎｍ、電子注入層としてＬｉＦを厚さ０．５ｎｍ蒸着する。上述の構成で正孔輸送層をα―ＮＰＤの代わりにトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）等のトリフェニルアミン系の物質を使用することもできる。陰極にはＡｌを使用することが多いが、Ｌｉ等のアルカリ金属、Ａｇ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、Ｉｎやそれらを含む合金を用いることも可能である。陰極の厚さは通常５０〜３００ｎｍ程度であり、ここでは厚さ２００ｎｍのＡｌとする。陰極はこの他、スパッタリング、イオンプレーティングなどの物理的気相成長法（ＰＶＤ）で形成することができる。これにより、有機ＥＬ素子が形成される。これらの工程により有機ＥＬ素子が複数形成された素子基板が製造される。通常１枚の基板には複数の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示パネルが複数形成される。そして、各有機ＥＬ表示パネルを切断分離することにより、１枚のマザーガラスから複数の有機ＥＬ表示パネルが得られる。この工程については後述する。上述の有機ＥＬ素子基板の製造工程は典型的な有機ＥＬ表示装置に用いられる素子基板の製造工程の一例であり、上述の製造工程に限られるものではない。

次に有機ＥＬ素子を封止するための対向基板の製造工程について説明する。有機ＥＬ素子は空気中の水分により劣化するので、対向基板を用いて封止する。対向基板として厚さ０．７ｍｍ〜１．１ｍｍのガラス基板が使用され（ステップＳ２０１）、素子基板と同様のものを用いることができる。そして、この対向基板を加工して、水分を捕獲する捕水材を配置するための捕水材収納部を設ける（ステップＳ２０２）。捕水材収納部は例えば、エッチングやサンドブラストにより、対向基板の一部を掘り込むことによって形成される。この捕水材収納部に捕水材を配置する（ステップＳ２０３）。捕水材には酸化カルシウム粉末などが用いられる。

そして、対向基板の捕水材収納部が設けられた面に、ディスペンサを用いてシール材を塗布する（ステップＳ２０４）。シール材には有機ＥＬ表示領域を囲む封止用シールに加え、エッチング防止用シールが基板の外周に設けられる。さらに切断時に表示パネルから切断される切断端材が飛散するのを防止する飛散防止用シールが各有機ＥＬ表示領域間に設けられる。封止用シールとしては感光性エポキシ樹脂が望ましく、例えば、光カチオン重合型エポキシ樹脂を用いることができ、素子基板と対向基板を貼り合わせるための接着材として機能する。エッチング防止用シール及び飛散防止用シールにも同じ材料を使用することができる。これにより、製造工程を簡略化できる。上記の製造工程により封止基板が製造される。なお、上述の製造工程は典型的な一例であり、これに限られるものではない。

次に素子基板と対向基板を貼り合わせて、有機ＥＬ素子を封止する（ステップＳ１０９）。これ以降の工程について図２〜図７を用いて説明する。図２は素子基板と対向基板の構成を示す断面図であり、図３は基板の構成を示す平面図である。図４は封止後の基板の構成を示す断面図である。図５は薄型化処理後の基板の構成を示す断面図である。図６は基板の切断線を示す平面図である。図７は切断分離後の基板の構成を示す断面図である。１０は素子基板、１１は有機ＥＬ表示領域、１２は補助配線、２０は対向基板、２１は捕水材収納部、２２は捕水材、２３は封止用シール、２４はエッチング防止シール、２５は飛散防止用シールである。

素子基板１０には上述のステップＳ１０１〜Ｓ１０８により形成された有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ表示領域１１と各素子に信号を供給する補助配線１２が設けられている。図３に示すように素子基板１０には６個の有機ＥＬ表示領域１１が設けられており、基板を切断分離することにより有機ＥＬ表示パネル３０が形成される。素子基板１０より若干小さい対向基板２０には各有機ＥＬ表示領域１１に対して捕水材収納部２１が形成され、捕水材２２が配置されている。対向基板２０にはそれぞれの有機ＥＬ表示領域１１を囲む封止用シール２３が設けられる。さらに対向基板２０の外周には全ての有機ＥＬ表示領域１１を囲むエッチング防止用シール２４が設けられている。従って、エッチング防止用シール２４は封止用シール２３の外側に形成される。それぞれの有機ＥＬ表示領域１１に対応する封止用シール２３の間には飛散防止用シール２５が設けられている。

素子基板１０と封止基板２０とが対向するよう位置合わせして、両基板を加圧し、各シール材にＵＶ光を照射する。これにより、図４（ａ）に示すように両基板が接着された構成となる。素子基板１０に設けられたそれぞれの有機ＥＬ表示領域１１は図３に示すように封止用シール２３で全周を囲まれる。両基板と封止用シール２３で囲まれた空間には捕水材２２が配置され、封止された空間に残留または侵入してくる水分等による有機ＥＬ素子の劣化を防止する。素子基板１０と対向基板２０からなる１対の基板で有機ＥＬ素子が封止される。補助配線１２は外部の駆動回路と接続されるため、封止用シール２３の一部は補助配線１２をまたがって接着される。

なお、エッチング防止用シール２４は図４（ｂ）に示すように２枚の基板の外側にはみ出さないほうがよい。図４（ｃ）に示すようにエッチング防止用シール２４が基板の外側にはみ出すと、基板の端面までエッチング防止用シール２４が付着してしまう。図４（ｃ）に示す構成の場合、次の薄型化工程で端面の薄型加工が不足し、基板を切断分離する際の歩留りが悪化してしまう。従って、図４（ｂ）に示すよう２枚の基板の外側にはみ出さない構成とするため、エッチング防止用シール２４を基板端の内側に塗布することが望ましい。
次に、基板のエッチング面をクリーニングする（Ｓ１１０）。エタノールや洗剤を基板の表面に滴下し、ブレードクリーニングやブラシクリーニングを行う。すなわち、ブレードやブラシを用いて、基板の表面のゴミ等を掻き出す。このようにして、基板の両面ともクリーニングを行う。基板の表面の汚れはエッチング時にマスクとなるため、その箇所ではエッチングが行われない。従って、汚れの部分のみ基板の厚さが厚くなってしまって、有機ＥＬ表示装置の表示品質が低下してしまう。エッチングの前に一対の基板の表面をクリーニングすることによって、表示品質の低下を防ぐことができる。

素子基板１０と対向基板２０とを貼り合せて一対の基板を形成した後、エッチングにより基板を薄型化する（ステップＳ１１１）。例えば、一対の基板をエッチング液に浸漬すると、素子基板１０と対向基板２０の双方が外面からエッチングされる。すなわち、素子基板１０の有機ＥＬ素子が設けられた面の反対面及び対向基板２０の捕水材２２が設けられた面の反対面がエッチング液に曝されて、両基板が薄くなっていく。エッチング液には主成分をフッ酸として、硝酸、塩酸、硫酸を添加剤としたものを用いることができる。塩酸は１０％以下程度、硝酸、硫酸はそれぞれ１％以下程度である。素子基板１０と対向基板２０が例えば、ノンアルカリガラス（ＡＮ１００）の場合、３０％フッ酸、５％塩酸の混酸で、４０℃循環／１時間処理で片面０．２ｍｍのエッチングを行うことができる。素子基板１０と対向基板２０とも０．７ｍｍの基板を使用し、それぞれ０．２ｍｍエッチングすることで各基板が０．５ｍｍとなり、総厚１．０ｍｍの有機ＥＬ表示パネル３０が得られる。

なお、エッチング条件は上述のものに限られるものではなく、エッチング対象となる基板の材料に応じたエッチング液を使用することができる。ウェットエッチングに限らず、ドライエッチングを利用することも可能である。エッチング時間を調整することにより、所望の厚さの有機ＥＬ表示装置に薄型化することができる。対向基板２０には捕水材収納部２１が掘り込まれているため、捕水材収納部２１までエッチングされないようにエッチング時間等を調整する必要がある。このようにエッチングにより薄型化を行っているため、機械的な研磨とは異なり、シール材等にストレスを与えることがない。従って、封止能力が低減するのを防ぐことができ、さらに薄型化工程で基板が破損することを防止することができる。また、上述の説明では、両基板の双方をエッチングして薄型化したが、いずれか一方の基板をエッチングして薄型化を図ってもよい。この場合、素子基板１０又は対向基板２０の外面にレジストを設けた後、エッチング液に浸漬する。あるいは、ドライエッチングにより、片面のみをエッチングしても良い。

エッチングにより薄型化された基板は図５に示す構成となる。本発明では素子基板１０及び対向基板２０の一対の基板を両外側からエッチングできるので、高速にエッチングすることができる。さらに、本発明では一対の基板の全周にフッ酸耐性が強いエポキシ樹脂からなるエッチング防止用シール２４を設けているため、封止用シール２３で囲まれた空間にエッチング液が侵入することがない。また、エッチング時には基板の側面もエッチングされるが、エッチング防止用シール２４の内側までエッチングにより後退するまでは、エッチング液の浸入がエッチング防止シール２４によって阻止される。これにより、内部の有機ＥＬ素子や捕水材２２がエッチング液にさらされることがなく、エッチング液によってダメージを受けることがない。従って、有機ＥＬ表示装置の特性を劣化させることなく、薄型化を図ることができる。

薄型化された基板を切断してそれぞれの有機ＥＬ表示パネル３０を分離する（ステップＳ１１２）。図６に示されている２種類の点線はそれぞれ素子基板１０の切断線５０と対向基板２０の切断線４０を示している。図６に示すように素子基板１０と対向基板２０では切断位置が異なる。すなわち、対向基板２０の切断線４０は封止用シール２４に近接して設けられている。対向基板２０の切断線４０は封止用シール２４を囲んでいる。素子基板１０の切断線５０は対向基板２０の切断線４０よりも有機ＥＬ表示領域１１の外側に設けられている。素子基板１０の切断線５０は、さらに補助配線１２の端部よりも外側に設けられている。この素子基板１０の切断線５０により素子基板１０が切断され、対向基板２０の切断線４０により対向基板２０が切断される。

切断分離された基板は図７に示す構成となる。それぞれの有機ＥＬ表示パネル３０はエッチング防止用シール２４又は飛散防止用シール２５と封止用シール２３との間で切断される。素子基板１０は封止用シール２４の外側に設けられた補助配線１２の分だけ対向基板２０よりも有機ＥＬ表示領域１１の外側で切断される。これにより、それぞれの有機ＥＬ表示パネル３０に分割される。補助配線１２は封止用シール２４の外側まで延設されている。基板の端部及び有機ＥＬ表示パネル３０の間の基板の一部は有機ＥＬ表示パネル３０から切断させ切断端材３１となる。ここで各有機ＥＬ表示パネルの間の切断端材３１は飛散防止用シール２５によって接着されているので、切断分離時の破片となる切断端材３１が有機ＥＬ表示パネル３０に飛散することを防止できる。

次に駆動回路等を実装する（ステップＳ１１３）。素子基板１０には封止用シール２３で囲まれた領域から外に補助配線１２が延設されている。補助配線１２の外側の端部には端子部が形成されており、この端子部に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を貼付け、駆動回路が設けられたＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）を接続する。具体的には端子部にＡＣＦを仮圧着する。ＡＣＦは日立化成製アニソルム７１０６Ｕを用いている。仮圧着温度は８０℃で、圧着圧力は１．０ＭＰａ、圧着時間は５秒である。ついで駆動回路が内蔵されたＴＣＰを端子部に本圧着する。本圧着温度は１７０度で、圧着圧力は２．０ＭＰａ、圧着時間は２０秒である。これにより駆動回路が実装される。この有機ＥＬ表示パネル３０が筐体に取り付けられ、有機ＥＬ表示装置が完成する（ステップＳ１１４）。このようにして有機ＥＬパネル３０を薄型化することができ、薄型化された有機ＥＬ表示装置を提供することができる。

なお、上述の説明では有機ＥＬ表示装置について示したが、本発明は有機ＥＬ素子を用いた光源装置に対しても利用可能である。例えば、上述の製造方法において、素子基板１０に有機ＥＬ表示領域１１に代えて、面状の有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ発光領域を形成する。有機ＥＬ発光領域を封止用シール材２３で囲み、同様の工程により面状光源装置を製造する。これにより、均一で高輝度の面状光源装置を得ることができる。このように本発明は有機ＥＬ素子の発光を利用作用した有機ＥＬ発光装置に対して利用可能である。なお、有機ＥＬ発光装置には有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ光源装置等の有機ＥＬ素子の発光を利用した装置が含まれるものとする。

本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を示すフローチャートである。本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の構成を示す断面図である。本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の貼付け前の構成を示す平面図である。本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の封止後の構成を示す断面図である。本発明にかかる有機ＥＬ表示装置のエッチング後の構成を示す断面図である。本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の切断分離後の構成を示す平面図である。本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の切断分離後の構成を示す断面図である。

符号の説明

１０素子基板
１１有機ＥＬ表示領域
１２補助配線
２０対向基板、
２１捕水材収納部
２２捕水材
２３封止用シール
２４エッチング防止用シール
２５飛散防止用シール
３０有機ＥＬ表示パネル
３１切断端材
４０対向基板の切断線
５０素子基板の切断線

Claims

有機ＥＬ素子を備える素子基板と前記素子基板と対向された対向基板からなる一対の基板を備える有機ＥＬ発光装置の製造方法であって、
前記有機ＥＬ素子により形成される発光領域を囲む封止用シール材を介して前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせ、一対の基板を形成するステップと、
前記一対の基板をエッチングにより薄くするステップとを備える有機ＥＬ発光装置の製造方法。
前記エッチングにより薄くするステップでは、前記一対の基板をエッチング液に浸漬して、前記素子基板及び前記対向基板の双方を薄くする請求項１記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
前記封止用シール材を囲むエッチング防止用シールを設けるステップをさらに備え、
前記エッチング防止用シールを介して貼り合わされた一対の基板をエッチングにより薄くする請求項１又は２記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
前記一対の基板には複数の発光領域と、前記複数の発光領域のそれぞれを囲む複数の前記封止用シールが形成され、
さらに、前記複数の封止用シールの間に切断分離時の破片の飛散を防止する飛散防止用シールを設けるステップと、
前記飛散防止用シールと前記封止用シールとの間で前記一対の基板を切断し、前記複数の発光領域を分割するステップとを有する請求項１から３いずれか１つに記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
前記エッチングにより薄くするステップの前に、前記一対の基板の表面をクリーニングするステップをさらに有する請求項１から４いずれか一つに記載の有機ＥＬ発光装置。
有機ＥＬ素子を備える素子基板と、
前記素子基板と対向する対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板の間に、前記有機ＥＬ素子からなる発光領域を囲むように形成された封止用シール材とを備え、
前記素子基板又は前記対向基板の少なくともいずれか一方の外面がエッチングされている有機ＥＬ発光装置。