WO2020065932A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2020065932A1
WO2020065932A1 PCT/JP2018/036348 JP2018036348W WO2020065932A1 WO 2020065932 A1 WO2020065932 A1 WO 2020065932A1 JP 2018036348 W JP2018036348 W JP 2018036348W WO 2020065932 A1 WO2020065932 A1 WO 2020065932A1
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WO
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slit
insulating film
display device
inorganic insulating
film
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PCT/JP2018/036348
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Inventor
庄治 岡崎
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • the display device has a stacked structure in which a thin film transistor (hereinafter, referred to as “TFT”) layer, a light-emitting element layer, a sealing layer, and the like are stacked on a supporting base material (for example, see Patent Document 1 below).
  • TFT thin film transistor
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing the progress of cracks generated in a laminated structure including two layers of inorganic insulating films 101 and 102 provided in a frame region of a conventional display device 100.
  • DA is a display area.
  • the cracks have independently progressed inside the inorganic insulating films 101 and 102 from the starting point shown in FIG.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and has as its object to provide a display device in which the progress of cracks in the films constituting the stacked structure of the display device is suppressed for each film and the reliability is improved.
  • a display device has a resin layer and a thin film transistor layer formed on the resin layer and having a first inorganic insulating film and a second inorganic insulating film, in order to solve the above problem.
  • the second inorganic insulating film is formed of one kind of inorganic insulating film or two or more kinds of laminated inorganic insulating films, and the second inorganic insulating film is present above the first inorganic insulating film, and in the frame region,
  • a first slit is formed in the first inorganic insulating film, and a second slit is formed in the second inorganic insulating film.
  • the first slit and the second slit are formed so as not to overlap with each other. It is characterized by having been done.
  • the present invention it is possible to provide a display device in which progress of cracks in different films included in a stacked structure of the display device is suppressed for each film, and reliability is improved.
  • FIG. 2A is a plan view of the display device according to the first embodiment
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line L1-L2 shown in FIG.
  • C is a plan view near the line L3-L4 in (a)
  • (d) is a first inorganic insulating film and a second inorganic insulating film in the cross-sectional view along the line L3-L4 in (a).
  • FIG. 3 is a diagram showing only the first slit and the second slit.
  • (E) is a diagram showing a state in which a planarizing film is formed so as to cover the second inorganic insulating film, the first slit, and the second slit shown in (d).
  • FIG. 3B is a sectional view showing a section B of FIG. 2.
  • C is a sectional view showing a section C of FIG. 2.
  • FIG. (A) is a top view of a display of Embodiment 3.
  • (B) shows only the first inorganic insulating film, the second inorganic insulating film, the organic layer, the first slit, the second slit, the fifth slit, and the resin layer in the cross-sectional view of the display device of Embodiment 3.
  • (C) is a view showing a state in which a planarizing film is formed so as to cover the second inorganic insulating film, the organic layer, the second slit, and the fifth slit shown in (b). It is a mimetic diagram showing the progress situation of the crack which occurred in the lamination structure which consists of two layers of inorganic insulating films with which the frame field of the conventional display is provided.
  • FIGS. 1 to 5 The following is a description of an embodiment of the present invention, with reference to FIGS. 1 to 5.
  • the same reference numerals are given to components having the same functions as those described in the specific embodiment, and the description thereof may be omitted.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • QLED Quadratum dot light emitting diode
  • a display device includes a resin layer, a thin film transistor layer formed over the resin layer and having a first inorganic insulating film and a second inorganic insulating film, a light-emitting element layer, and a sealing layer.
  • a display device comprising: a display region; and a frame region surrounding the display region, wherein the first inorganic insulating film and the second inorganic insulating film are each a kind of inorganic insulating film or stacked.
  • the second inorganic insulating film is present above the first inorganic insulating film, and in the frame region, the first inorganic insulating film has a first inorganic insulating film.
  • a slit is formed, a second slit is formed in the second inorganic insulating film, and the first slit and the second slit are formed so as not to overlap.
  • FIG. 1A is a plan view of the display device 1
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line L1-L2 shown in FIG.
  • FIG. 1B the illustration of the first slit and the second slit is omitted.
  • FIG. 1C is a plan view near the line L3-L4 in FIG. 1A
  • FIG. 1D is a cross-sectional view along the line L3-L4 shown in FIG.
  • FIG. 1E shows the second inorganic insulating film shown in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a state in which a planarizing film is formed so as to cover an insulating film, a first slit, and a second slit.
  • the display device 1 includes a display area DA and a frame area NA around the display area DA.
  • the display area DA has a corner R ′ and a notch K2 that are irregular parts
  • the frame area NA has a corner R and a notch K1 that are irregular parts.
  • the frame area NA is provided with routing wirings TW1 to TWn electrically connected to the terminal portions TM1 to TMm.
  • the base substrate 10 is attached to the lower surface of the resin layer 12 via the adhesive layer 11.
  • a TFT layer 4 On the upper surface of the resin layer 12, a TFT layer 4, a light emitting element layer (organic EL element layer) 5, and a sealing layer 6 are formed.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the adhesive layer 11 may include, for example, OCA (Optical Clear Adhesive) or OCR (Optical Clear Resin), but is not limited thereto.
  • OCA Optical Clear Adhesive
  • OCR Optical Clear Resin
  • a material of the resin layer 12 for example, a polyimide resin, an epoxy resin, a polyamide resin and the like can be cited, but the material is not limited to these.
  • the TFT layer 4 is provided on the resin layer 12.
  • the TFT layer 4 includes a base coat film (barrier layer) 3 which is an inorganic film, a semiconductor film 15, a gate insulating film 16 which is an inorganic insulating film above the semiconductor film 15, and a gate above the gate insulating film 16.
  • It includes a certain second interlayer insulating film 20, a source electrode and a drain electrode SH above the second interlayer insulating film 20, and an interlayer insulating film 21 above the source electrode and the drain electrode SH.
  • the gate electrode GE, the capacitor wiring CE, the source electrode and the drain electrode SH, and the like can be formed by a method such as sputtering.
  • the base coat film 3 is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the TFT layer 4 and the light-emitting element layer 5.
  • the capacitance element is formed in the capacitance wiring CE formed immediately above the first interlayer insulating film 18, the first interlayer insulating film 18, and formed immediately below the first interlayer insulating film 18.
  • a capacitor counter electrode formed in the same layer as the layer forming the GE so as to overlap the capacitor electrode.
  • a thin film transistor (TFT) Tr as an active element is configured to include the semiconductor film 15, the gate insulating film 16, the gate electrode GE, the first interlayer insulating film 18, the second interlayer insulating film 20, the source electrode and the drain electrode SH. Is done.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor.
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • oxide semiconductor oxide semiconductor
  • the gate electrode GE, the capacitance wiring CE, the source electrode and the drain electrode SH are made of, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), copper ( It is composed of a single-layer film or a laminated film of a metal containing at least one of Cu) and silver (Ag).
  • the gate insulating film 16, the first interlayer insulating film 18, and the second interlayer insulating film 20 are, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, a silicon oxynitride film, or a silicon oxynitride film formed by a CVD method. It can be constituted by a laminated film.
  • the interlayer insulating film 21 can be made of a coatable photosensitive organic material such as a polyimide resin or an acrylic resin.
  • a scanning signal line G (n) and a plurality of light emission control lines Em (n) are provided.
  • a data signal line is provided in a direction extending from terminal portions TM1 to TMm to display area DA.
  • pixel circuits are provided in a matrix so as to correspond to intersections between the plurality of data signal lines S (m) and the plurality of scanning signal lines G (n).
  • the first slit S1 or the second slit near the display area DA is provided.
  • a control circuit of a scanning control circuit for inputting a signal to the scanning signal line G (n) and a light emitting control circuit for inputting a signal to the light emission control line Em (n) are provided.
  • the light emitting element layer 5 includes an anode 22 above the interlayer insulating film 21, a bank 23 covering the edge of the anode 22, an EL (electroluminescence) layer 24 above the anode 22, and an EL layer 24 above the EL layer 24. And a cathode 25.
  • Each sub-pixel SP includes an island-shaped anode 22, an EL layer 24, and a cathode 25.
  • the bank (anode edge cover) 23 can be made of a coatable photosensitive organic material such as a polyimide resin or an acrylic resin.
  • the light emitting element layer 5 forms the display area DA and is provided on the TFT layer 4.
  • the EL layer 24 is formed by, for example, stacking a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in this order from the lower layer side.
  • the light-emitting layer is formed in an island shape for each sub-pixel by a vapor deposition method or an ink-jet method, but the other layers may be a solid common layer. Further, a configuration in which one or more of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are not formed is also possible.
  • the anode (anode) 22 is made of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the cathode 25 can be made of a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) and IZO (Indium Zinc Oxide).
  • the sealing layer 6 is translucent, and includes a first inorganic sealing film 26 covering the cathode 25, an organic sealing film 27 formed above the first inorganic sealing film 26, and an organic sealing film 27. And a second inorganic sealing film 28 covering the second inorganic sealing film 28.
  • Each of the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 may be formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a stacked film thereof formed by CVD. it can.
  • the organic sealing film 27 is a light-transmitting organic film thicker than the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28, and is made of a coatable photosensitive organic material such as a polyimide resin or an acrylic resin. can do.
  • a frame-shaped bank (second protrusion) 9b is provided.
  • the organic sealing film 27 is formed up to the inclined side surface on the left side of the second frame-shaped bank 9b, so that the left side of the second frame-shaped bank 9b is formed.
  • the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28, which are inorganic films, are in direct contact with each other outside the inclined side surface of, to form a sealing layer.
  • the first frame-shaped bank 9a and the second frame-shaped bank 9b can be made of, for example, a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic.
  • the first frame-shaped bank 9a and the second frame-shaped bank 9b may be formed using the same material as the bank (anode edge cover) 23.
  • the TFT layer 4 has a first inorganic insulating film 7 and a second inorganic insulating film 8.
  • the first inorganic insulating film 7 and the second inorganic insulating film are each formed from an inorganic insulating film included in the TFT layer 4.
  • the first inorganic insulating film 7 is formed of one kind of inorganic insulating film or two or more kinds of laminated inorganic insulating films among the inorganic insulating films of the TFT layer 4.
  • the second inorganic insulating film 8 is a layer above the first inorganic insulating film 7 among the inorganic insulating films of the TFT layer 4 and is one kind of inorganic insulating film or two or more kinds of laminated inorganic insulating films. Formed from
  • the first inorganic insulating film 7 may be of one type if the lowermost inorganic insulating film of the second inorganic insulating film 8 exists above the uppermost inorganic insulating film of the first inorganic insulating film 7. May be formed from the above-mentioned inorganic insulating film, or may be formed from two or more kinds of stacked inorganic insulating films.
  • the base coat film 3 As shown in FIG. 1B, as the inorganic insulating film included in the TFT layer 4, the base coat film 3, the semiconductor film 15, the gate insulating film 16, the first interlayer insulating film 18, The second interlayer insulating film 20 exists.
  • the second inorganic insulating film 8 uses the semiconductor film 15 located above the base coat film 3 as the lowermost layer, and , The gate insulating film 16, the first interlayer insulating film 18, and the second interlayer insulating film 20.
  • the first inorganic insulating film 7 is formed from the base coat film 3
  • the second inorganic insulating film 8 is formed on the gate insulating film 16 located above the base coat film 3.
  • the gate insulating film 16, the first interlayer insulating film 18, and the second interlayer insulating film 20 may be formed.
  • the first inorganic insulating film 7 is formed from the base coat film 3, the semiconductor film 15, and the gate insulating film 16, and the second inorganic insulating film 8 is located above the gate insulating film 16.
  • the first interlayer insulating film 18 and the second interlayer insulating film 20 may be formed with the interlayer insulating film 18 as a lowermost layer.
  • the first inorganic insulating film 7 is formed from the base coat film 3, the semiconductor film 15, the gate insulating film 16, and the first interlayer insulating film 18, and the second inorganic insulating film 8 is a kind of inorganic insulating film. It may be formed from a certain second interlayer insulating film 20.
  • the first inorganic insulating film 7 and the second inorganic insulating film 8 can be configured in such a manner as to satisfy the above requirements.
  • First slit and second slit provided in display device 1
  • a first slit S1 is formed in the first inorganic insulating film 7
  • a second slit S2 is formed in the second inorganic insulating film 8.
  • the first slit S1 and the second slit S2 are formed so as to surround the display area DA, and have a bent part CL existing between the display area DA and the terminal parts TM1 to TMm as a terminal part.
  • slits are formed in the base coat film 3, the semiconductor film 15, the gate insulating film 16, the first interlayer insulating film 18, and the second interlayer insulating film 20, and the slit is filled with a resin material such as polyimide. I do.
  • a wiring for electrically connecting the terminal of the terminal portion and the wiring of the display area is provided on the upper layer of the resin film.
  • the first slit S1 can be formed by extracting a part of the first inorganic insulating film 7 in the frame area NA
  • the second slit S2 can be formed as follows.
  • the frame region NA it can be formed by extracting a part of the second inorganic insulating film 8.
  • a method for extracting a part of the first inorganic insulating film 7 and the second inorganic insulating film 8 a method such as patterning (for example, photolithography) can be used.
  • the first slit S1 and the second slit S2 are formed so as not to overlap. That is, the first slit S1 and the second slit S2 are formed at different positions in the frame area NA, and exist without overlapping each other as shown in FIGS. 1C and 1D.
  • the first slit S1 and the second slit S2 are formed so as not to overlap with each other, so that they are shown in FIGS. 1 (c) and 1 (d). From the starting point, in the first inorganic insulating film 7 and the second inorganic insulating film 8, the progress of cracks (indicated by bold lines in the drawing) extending toward the display area DA is determined by the first slit S1 and the second slit S2. It can be suppressed by the formed portion.
  • first slit S1 and the second slit S2 are formed so as to surround the display area DA, it is possible to suppress the progress of cracks to the display area DA, and to generate a dark spot in the display area DA. In addition, display defects can be effectively suppressed.
  • merging slits GS1 to GS6 in which the first slit S1 and the second slit S2 overlap are formed.
  • this embodiment is a preferable embodiment of the present invention, but is not limited thereto. That is, the mode in which the merging slit is not formed and the first slit S1 and the second slit S2 are formed so as not to overlap in the entire display device 1 also suppresses the progress of the crack described above. This is preferable because effects can be obtained.
  • Either the first slit S1 or the second slit S2 may exist on the side closer to the display area DA (in FIG. 1, the second slit S2 is closer to the end of the display device 1 than the first slit S1).
  • the first slit S1 is preferably located closer to the end of the display device 1 than the second slit S2.
  • 2 and 3 show an example of a mode in which the first slit S1 is located closer to the end of the display device 1 than the second slit S2.
  • the display device is configured such that the display region has a deformed portion in at least a part thereof, and in a frame region between the deformed portion and an end of the display device, a part of the first slit and a second slit are formed. It is preferable that a part of the slit overlaps to form a merging slit.
  • the “irregular portion” corresponds to a corner portion and a notch portion provided in a display area, and a corner portion and a notch portion of the display area, respectively, in a plan view of the display device viewed from above vertically.
  • a corner portion and a notch portion (each having a similar shape) provided in the frame region indicate a portion having a curved portion.
  • the cutouts K1 and K2 indicate the entire recess shown in FIG.
  • the display region DA and the frame region NA do not have a curved portion. It does not correspond to a deformed part and can be said to be a normal part.
  • the display device only needs to have at least one deformed portion because the display area DA only needs to have the deformed portion in at least a part thereof. It should be noted that a deformed portion having a curved portion may also be provided at a corner portion of the display area DA on the bent portion CL side.
  • the end of the display device refers to a portion forming the outermost line of the display device in a plan view of the display device viewed from vertically above.
  • the outermost line corresponds to the end of the display device 1.
  • region IK refers to the odd-shaped portion of the display region and the end of the display device in the plan view.
  • the frame area is sandwiched between the deformed portion and a portion facing the deformed portion. For example, a portion of the frame area NA that is opposed to the corner R of the frame area NA illustrated in FIG.
  • “A part of the first slit and a part of the second slit overlap to form a merged slit” means that the first slit and the second slit are formed so as not to overlap except in the region IK. Means that one slit is formed by overlapping in the region IK.
  • the display device 1 has merging slits indicated by GS1 to GS6 in the region IK.
  • FIG. 2 is a plan view for describing the configuration of the merging slit in more detail.
  • FIG. 2 is an enlarged view of a part of the display device 1 ′ in which the first slit S ⁇ b> 1 is closer to the end of the display device than the second slit S ⁇ b> 2, unlike FIG. 1. That is, the frame area NA (area IK) sandwiched between the corner R and the corner R 'of the display area DA opposed to the corner R and the normal section TU in the vicinity thereof are shown.
  • the normal portion TU is a frame region between an end of the display area DA having no curved portion and an end of the display 1 'in a plan view of the display 1' as viewed from vertically above.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view showing a cross section A of FIG. 2
  • FIG. 3B is a cross-sectional view showing a cross section B of FIG. 2
  • FIG. 3C is a cross-sectional view of FIG. 5 is a cross-sectional view showing a cross section C of FIG.
  • the first slit S1 and the second slit S2 are formed so as not to overlap near a region described as a cross section B (normal portion TU) in the drawing. ing.
  • the first slit S1 is formed in the first inorganic insulating film 7
  • the second inorganic insulating film 8 is formed in the first slit S1
  • the metal film 29 is formed below the second inorganic insulating film 8.
  • the second slit S2 is formed in the second inorganic insulating film 8, and the flattening film 31 is formed in the second slit S2.
  • the first slit S1 and the second slit S2 are formed so as to gradually approach each other in the vicinity of the region IK, and are formed so as to merge at a position indicated by GS6 ′ in the region IK in FIG. I have.
  • a merging slit GS6 ′ in which the first slit S1 and the second slit S2 merge is provided in a region indicated by GS6' in FIGS. 2 and 3C.
  • the width between the end face of the first slit S1 and the end face of the second slit S2 indicated by A1 in FIGS. 2 and 3B is reduced. ) Is larger than the width of the merging slit GS6 'indicated by A2.
  • the first slit S1 and the second slit S2 are sides of the first slit S1 in the frame area NA where the merging slit GS6 is not formed.
  • the display device 1 when the display device 1 is viewed from above vertically, in the frame area NA where the first slit S1 and the second slit S2 form the merging slit GS6, they face each other from one side of the merging slit GS6.
  • the length (A2) of the second perpendicular line lowered to the other side satisfies the following expression (1).
  • the width of the region indicated by B2 in FIG. 2 can be ensured after the frame region is made as narrow as possible. Therefore, generation of cracks in the region IK can be suppressed.
  • FIG. 1A shows a frame between a corner portion R (an end portion of the display device 1) existing at two upper positions of the display device 1 and a corner portion R ′ which is a deformed portion of the display area DA.
  • Merging slits GS1 and GS6 are provided in the area NA (area IK), and a frame area NA (area) between the notch K1 (the end of the display device 1) and the notch K2 which is a deformed part of the display area DA.
  • IK is provided with four merging slits denoted by GS2 to GS5.
  • the position and number of the merging slits are not limited to this, of course. For example, in the region IK shown in FIG.
  • a merging slit may be provided at a position different from GS1 to GS6. Further, when there is another deformed portion different from the deformed portion shown in FIG. 1A in the display device 1, by forming a converging slit in each region IK, as described above, the crack in the region IK is formed. Can be effectively suppressed.
  • the joining slit is formed by using the above-described method such as photolithography as a method for extracting a part of the first inorganic insulating film and the second insulating film.
  • the slit can be formed.
  • the width of the first slit S1 indicated by A3 in FIGS. 2 and 3B is smaller than the width of the merging slit GS6 ′ indicated by A2 in FIGS. 2 and 3C. Further, it is preferable that the width of the second slit S2 indicated by A4 in FIGS. 2 and 3B is smaller than the width of the merging slit GS6 ′.
  • the length (A3) of the third perpendicular drawn down to the other side of the second slit S2 is shorter than the length (A2) of the second perpendicular, and lowered from one side of the second slit S2 to the other side facing the second slit S2. It is preferable that the length of the fourth perpendicular (A4) is shorter than the length (A2) of the second perpendicular.
  • the length (A3) of the third perpendicular does not include the length of the metal film 29.
  • the display device 1 ' has an end portion of the display device 1' in which the width (B1) between the end portion of the display device 1 'and the end portion of the first slit S1 indicated by B1 in FIG. 2 is indicated by B2 in FIG. It is preferable that the width is smaller than the width (B2) between the edge and the end of the joining slit GS6 ′.
  • the display device 1 ′ when the display device 1 ′ is viewed from vertically above, in the frame region NA where the first slit S1 and the second slit S2 do not form the merged slit GS6 ′, the display device 1 ′ extends from the end of the display device 1 ′.
  • the length (B2) of the sixth perpendicular perpendicular to the side of the merging slit GS6 'facing the end of the display device 1' satisfies the following expression (2).
  • the width of the region indicated by B2 in FIG. 2 can be ensured after the frame region is reduced as much as possible. Therefore, generation of cracks in the region IK can be suppressed.
  • the width of the second slit S2 and the end of the display area DA shown by D1 in FIG. 2 and the merging slit GS6 shown by D2 in FIG. is also preferable to adopt a configuration smaller than the width between 'and the end of the display area DA.
  • the first slit S1 and the second slit S2 extend from the end of the display region DA to the first.
  • the length (D2) of the eighth perpendicular line provided on the side facing the end of the display area DA satisfies the following expression (3).
  • the “end of the display area DA” refers to a portion forming the outermost line of the display area DA in a plan view of the display device 1 ′ viewed from vertically above. For example, it is a portion indicated by a dotted line in DA of FIG.
  • a control circuit can be provided between the merging slit GS6 'and the display area DA in the area IK after the frame area is made as narrow as possible.
  • the positional relationship between the first slit S1 and the second slit S2 has been described, but the present invention is not limited to this.
  • FIG. 1A a joining slit formed in a frame area NA sandwiched between a cutout portion K1 (an end portion of the display device 1) and a cutout portion K2 which is a deformed portion of the display area DA.
  • the metal film has ductility, so that cracks are less likely to occur than the inorganic insulating film. Therefore, there is an advantage that cracks from the first inorganic insulating film 7 are not easily formed in the second inorganic insulating film 8.
  • the metal film for example, a layer formed by the gate electrode GE, the capacitor wiring CE, the source electrode, the drain electrode SH, and the like can be used.
  • the metal film 29 is formed so as to cover the first slit S1 as shown in FIGS. 2, 3A and 3B, and is shown in FIGS. 2 and 3A. Thus, it is preferable not to form so as to overlap with the merging slit GS6 '. This is because, when the metal film 29 is formed so as to overlap the merging slit GS6 ', the pressure wave propagates through the metal film 29 to the merging slit GS6', which may cause a crack in the region IK. However, in the merging slit GS6 ', the metal film 29 may be provided so as to form a staggered opening.
  • the second inorganic insulating film 8 is formed in the first slit S1. That is, the first slit S1 is covered with the second inorganic insulating film 8, and the second slit S2 exposes the first inorganic insulating film 7.
  • This configuration is preferable because the progress of cracks can be suppressed and the reliability against intrusion of moisture and oxygen can be ensured.
  • the first slit S1 and the second slit S2 may be covered with a resin layer.
  • a flattening film 31 may be formed instead of the second inorganic insulating film 8 formed in the first slit S1 (that is, the second slit is formed in the first slit S1).
  • a slit of the inorganic insulating film 8 is also formed), and as shown in FIG. 1E, a planarizing film 31 is laminated on the second inorganic insulating film 8 formed in the first slit S1. You may.
  • a planarizing film 31 may be laminated on the second slit S2.
  • a flattening film 31 is formed in the first slit S1 and the second slit S2, and the flattening film 31 covers the entire upper surface of the second inorganic insulating film 8. May be formed.
  • the material of the flattening film 31 include, but are not limited to, polyimide resin, epoxy resin, and polyamide resin.
  • the flattening film 31 corresponds to a resin layer.
  • the third slit S3 is formed in the first inorganic insulating film 7 so as to overlap the second slit S2, and the second inorganic insulating film 7 is overlapped with the first slit S1.
  • the fourth slit S4 is formed in the insulating film 8.
  • the first slit S1, the second slit S2, the third slit S3, and the fourth slit S4 are preferably covered with a resin layer.
  • FIG. 4 is a sectional view of the display device 1a taken along a line corresponding to line L3-L4 shown in FIG. 1A, showing a first inorganic insulating film 7, a second inorganic insulating film 8, and a flattening film.
  • FIG. 31 is a diagram showing only a first slit S1, a second slit S2, a third slit S3, a fourth slit S4, and a resin layer 12;
  • the flattening film 31 corresponds to the above-described resin layer that covers the first slit S1 to the fourth slit S4.
  • the second slit S2 is a slit formed by extracting a part of the second inorganic insulating film 8 up to the dotted line portion in FIG.
  • the third slit S3 is a slit formed by also extracting the first inorganic insulating film 7 that is a lower layer of the second slit S2, and is indicated as “S3” in FIG. 4 from the bottom surface of the first inorganic insulating film 7. It is a slit formed in the region up to the dotted line in the location.
  • the first slit S1 is a slit formed by extracting from the bottom surface of the first inorganic insulating film 7 to the dotted line at the location indicated by "S1" in FIG.
  • the fourth slit S4 is a slit formed by extracting the second inorganic insulating film 8 formed at a location indicated as “S1”.
  • As a method of forming the third slit S3 and the fourth slit S4 the same method as the method of forming the first slit S1 and the second slit S2 can be used.
  • the display device 1a has the slit formed by extracting the first inorganic insulating film 7 and the second inorganic insulating film 8 together. Therefore, cracks that have progressed into the first inorganic insulating film 7 and the second inorganic insulating film 8 from the starting point indicated by the mark x in FIG. 4 can be suppressed at the same position. Therefore, the progress of the crack can be effectively suppressed in a narrow range.
  • the display device 1a has the same configuration as the display device 1 according to the first embodiment, except that the third slit S3 and the fourth slit S4 are formed. Therefore, it is possible to have the merging slit and the like described for the display device 1.
  • first slit S1 and the fourth slit S4, and the second slit S2 and the third slit S3 are not limited to the case where the ends of the slits coincide with each other as shown in FIG. Thus, the progress of the crack can be suppressed.
  • the display device 1b according to the third embodiment includes an organic layer 30 between the first inorganic insulating film 7 and the second inorganic insulating film 8, and a fifth slit S5 is formed in the organic layer 30.
  • FIG. 5A is a plan view of the display device 1b near a position corresponding to the line L3-L4 shown in FIG. 1A.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view of the display device 1b taken along a position corresponding to the line L3-L4 shown in FIG. 1A, showing the first inorganic insulating film 7 and the second inorganic insulating film. 8, only the organic layer 30, the first slit S1, the second slit S2, the fifth slit S5, and the resin layer 12 are shown.
  • FIG. 5C shows the display device 1b on which the flattening film 31 is formed.
  • Examples of the material of the organic layer 30 include a polyimide resin, an epoxy resin, and a polyamide resin, but are not limited thereto.
  • the organic layer 30 is a resin material, in rare cases, cracks may occur to affect display.
  • the fifth slit S5 is formed in the organic layer 30, as shown in (b) and (c) of FIG. Cracks that occur can be suppressed by the fifth slit S5. Further, penetration of moisture can be prevented. That is, even when the organic layer is formed between the first inorganic insulating film and the second inorganic insulating film, the display device 1b is useful because it can prevent the progress of cracks and the penetration of moisture. is there.
  • the present invention can be used for a display device.

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Abstract

樹脂層(12)と、薄膜トランジスタ層(4)と、発光素子層(5)と、封止層(6)とを備え、表示領域(DA)と、額縁領域(NA)とを備える表示装置(1)であって、第1無機絶縁膜(7)には第1スリット(S1)が形成されており、第1無機絶縁膜(7)より上層の第2無機絶縁膜(8)には第2スリット(S2)が形成されており、第1スリット(S1)と、第2スリット(S2)とは重畳しないように形成されている表示装置(1)。

Description

表示装置
 本発明は、表示装置に関する。
 種々のディスプレイ用途に用いられる表示装置では、近年、薄型化、軽量化、フレキシブル化等を実現すべく、支持基材を従来のガラス基板から樹脂に置換した表示装置の開発が進められている。表示装置は、支持基材上に、薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と称する)層、発光素子層、封止層等が積層された積層構造を有する(例えば、下記特許文献1参照)。
日本国公開特許公報「特開2018-132768号(2018年8月23日公開)」
 従来から、積層構造に生じるクラックが問題となっている。積層構造にクラックが生じると、これを起点として、積層構造を構成する複数の膜の内部を、膜ごとに独立して進行してゆく場合がある。図6は、従来の表示装置100の額縁領域が備える二層の無機絶縁膜101,102からなる積層構造において発生したクラックの進行状況を示す模式図である。図中、DAは表示領域である。図中に矢印で示すように、クラックは、図6に示す起点から、無機絶縁膜101、102の内部を、それぞれ独立して進行している。
 このようなクラックの進行は、表示領域においてダークスポットを発現させ、表示不良を発生させてしまうため、抑制する必要がある。
 本発明は前記の問題点に鑑みてなされたものであり、表示装置の積層構造を構成する膜におけるクラックの進行を膜ごとに抑制し、信頼性を向上させた表示装置を提供することを目的とする。
 本発明の一実施形態に係る表示装置は、前記の課題を解決するために、樹脂層と、前記樹脂層上に形成され、第1無機絶縁膜及び第2無機絶縁膜を有する薄膜トランジスタ層と、発光素子層と、封止層とを備え、表示領域と、前記表示領域の周囲の額縁領域とを備える表示装置であって、前記第1無機絶縁膜および前記第2無機絶縁膜は、それぞれ、1種の無機絶縁膜または積層された2種以上の無機絶縁膜から形成されており、前記第2無機絶縁膜は、前記第1無機絶縁膜よりも上層に存在し、前記額縁領域において、前記第1無機絶縁膜には第1スリットが形成されており、前記第2無機絶縁膜には第2スリットが形成されており、前記第1スリットと、前記第2スリットとは重畳しないように形成されていることを特徴とする。
 本発明の一態様によれば、表示装置の積層構造を構成する異なる膜におけるクラックの進行を膜ごとに抑制し、信頼性を向上させた表示装置を提供することができる。
(a)は、実施形態1の表示装置の平面図であり、(b)は、(a)に図示したL1-L2線の断面図である。(c)は、(a)のL3-L4線近傍の平面図であり、(d)は、(a)のL3-L4線の断面図のうち、第1無機絶縁膜、第2無機絶縁膜、第1スリット、および第2スリットのみを示した図である。(e)は、(d)に示す第2無機絶縁膜、第1スリット、および第2スリットを被覆するように平坦化膜を形成した様子を示す図である。 合流スリットの構成をより詳細に説明するための図であり、第1スリットが第2スリットよりも表示装置の端部に近い位置に存在する表示装置の一部分を拡大して示す図である。 (a)は図2の断面Aを示す断面図である。(b)は図2の断面Bを示す断面図である。(c)は、図2の断面Cを示す断面図である。 実施形態2の表示装置の断面図のうち、第1無機絶縁膜、第2無機絶縁膜、平坦化膜、第1スリット、第2スリット、第3スリット、第4スリット、樹脂層のみを示した図である。 (a)は、実施形態3の表示装置の平面図である。(b)は、実施形態3の表示装置の断面図のうち、第1無機絶縁膜、第2無機絶縁膜、有機層、第1スリット、第2スリット、第5スリット、樹脂層のみを示した図である。(c)は、(b)に示す第2無機絶縁膜、有機層、第2スリット、および第5スリットを被覆するように平坦化膜を形成した様子を示す図である。 従来の表示装置の額縁領域が備える二層の無機絶縁膜からなる積層構造において発生したクラックの進行状況を示す模式図である。
 本発明の実施の形態について図1から図5に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。
 なお、以下の各実施形態においては、表示装置の一例として、OLED(Organic Light Emitting Diode:有機発光ダイオード)を備えた場合を挙げて説明するが、これに限定されることはなく、表示装置としては、無機発光ダイオードまたはQLED(Quantum dot Light Emitting Diode:量子ドット発光ダイオード)を備えていてもよい。
 〔実施形態1〕
 本発明の一実施形態に係る表示装置は、樹脂層と、前記樹脂層上に形成され、第1無機絶縁膜及び第2無機絶縁膜を有する薄膜トランジスタ層と、発光素子層と、封止層とを備え、表示領域と、前記表示領域の周囲の額縁領域とを備える表示装置であって、前記第1無機絶縁膜および前記第2無機絶縁膜は、それぞれ、1種の無機絶縁膜または積層された2種以上の無機絶縁膜から形成されており、前記第2無機絶縁膜は、前記第1無機絶縁膜よりも上層に存在し、前記額縁領域において、前記第1無機絶縁膜には第1スリットが形成されており、前記第2無機絶縁膜には第2スリットが形成されており、前記第1スリットと、前記第2スリットとは重畳しないように形成されている。
 以下、図1~3に基づき、本発明の実施形態1に係る表示装置1について説明する。図1の(a)は、表示装置1の平面図であり、図1の(b)は、図1の(a)に図示したL1-L2線の断面図である。ただし、図1の(b)では、第1スリットおよび第2スリットの図示は省略している。図1の(c)は、図1の(a)のL3-L4線近傍の平面図であり、図1の(d)は、図1の(a)に図示したL3-L4線の断面図のうち、第1無機絶縁膜、第2無機絶縁膜、第1スリット、および第2スリットのみを示した図であり、図1の(e)は、図1の(d)に示す第2無機絶縁膜、第1スリット、および第2スリットを被覆するように平坦化膜を形成した様子を示す図である。
 (1.表示装置1におけるスリット以外の構成)
 図1の(a)に示すように、表示装置1は、表示領域DAと、表示領域DAの周囲の額縁領域NAとを備えている。表示領域DAは、異形部であるコーナー部R’および切り欠き部K2を有し、額縁領域NAは、異形部であるコーナー部Rおよび切り欠き部K1を有している。額縁領域NAには、端子部TM1~TMmと電気的に接続された引き回し配線TW1~TWnが備えられている。
 図1の(b)に示すように、表示領域DAにおいては、樹脂層12の下面に接着剤層11を介してベース基板10が貼り付けられている。一方、樹脂層12の上面には、TFT層4と、発光素子層(有機EL素子層)5と、封止層6とが形成されている。
 ベース基板10の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)等を挙げることができるが、これに限定されることはない。
 接着剤層11としては、例えば、OCA(Optical Clear Adhesive)またはOCR(Optical Clear Resin)を挙げることができるが、これに限定されることはない。
 樹脂層12の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂等を挙げることができるが、これに限定されることはない。
 TFT層4は、樹脂層12の上層に設けられている。TFT層4は、無機膜であるベースコート膜(バリア層)3と、半導体膜15と、半導体膜15よりも上層の無機絶縁膜であるゲート絶縁膜16と、ゲート絶縁膜16よりも上層のゲート電極GEと、ゲート電極GEよりも上層の無機絶縁膜である第1層間絶縁膜18と、第1層間絶縁膜18よりも上層の容量配線CEと、容量配線CEよりも上層の無機絶縁膜である第2層間絶縁膜20と、第2層間絶縁膜20よりも上層の、ソース電極及びドレイン電極SHと、ソース電極及びドレイン電極SHよりも上層の層間絶縁膜21と、を含む。
 なお、ゲート電極GE、容量配線CE、ソース電極及びドレイン電極SH等は、スパッタ等の方法によって形成することができる。
 ベースコート膜3は、水分や不純物が、TFT層4や発光素子層5に到達することを防ぐ層であり、例えば、CVDにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
 なお、容量素子は、第1層間絶縁膜18の直上に形成された容量配線CEに含まれる容量電極と、第1層間絶縁膜18と、第1層間絶縁膜18の直下に形成され、ゲート電極GEを形成する層と同一層で、容量電極と重畳するように形成された容量対向電極と、で構成される。
 半導体膜15、ゲート絶縁膜16、ゲート電極GE、第1層間絶縁膜18、第2層間絶縁膜20及びソース電極及びドレイン電極SHを含むように、アクティブ素子としての薄膜トランジスタ素子(TFT)Trが構成される。
 半導体膜15は、例えば低温ポリシリコン(LTPS)あるいは酸化物半導体で構成される。
 ゲート電極GE、容量配線CE、ソース電極及びドレイン電極SHは、例えば、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、銅(Cu)、銀(Ag)の少なくとも1つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
 ゲート絶縁膜16、第1層間絶縁膜18、第2層間絶縁膜20は、例えば、CVD法によって形成された、酸化シリコン(SiOx)膜、窒化シリコン(SiNx)膜あるいは酸窒化シリコン膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
 層間絶縁膜21は、例えば、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
 表示領域DAにはソース電極及びドレイン電極SHと同層で形成される複数のデータ信号線S(m)と、データ信号線と交差するように、ゲート電極GEと同層で形成される複数の走査信号線G(n)及び複数の発光制御線Em(n)が設けられる。図1(a)において、端子部TM1~TMmから表示領域DAへ延びる方向へデータ信号線が設けられる。さらに、複数のデータ信号線S(m)と複数の走査信号線G(n)との交差点に対応するように、マトリクス状に画素回路が設けられている。
 走査信号線G(n)と発光制御線Em(n)と交差する額縁領域NA(図1(a)の左右の辺)には、表示領域DAに近い側の第1スリットS1又は第2スリットS2と、表示領域DAとの間に、走査信号線G(n)に信号を入力する走査制御回路及び発光制御線Em(n)に信号を入力する発光制御回路の制御回路が設けられる。
 発光素子層5は、層間絶縁膜21よりも上層のアノード22と、アノード22のエッジを覆うバンク23と、アノード22よりも上層のEL(エレクトロルミネッセンス)層24と、EL層24よりも上層のカソード25とを含み、サブピクセルSPごとに、島状のアノード22、EL層24、及びカソード25を含む。バンク(アノードエッジカバー)23は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。発光素子層5は、表示領域DAを形成し、TFT層4の上層に設けられている。
 EL層24は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、サブピクセルごとに島状に形成されるが、その他の層はベタ状の共通層とすることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち1以上の層を形成しない構成も可能である。
 アノード(陽極)22は、例えばITO(Indium Tin Oxide)とAgを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード25は、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等の透光性の導電材で構成することができる。
 発光素子層5においては、アノード22及びカソード25間の駆動電流によって正孔と電子がEL層24内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード25が透光性であり、アノード22が光反射性であるため、EL層24から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
 封止層6は透光性であり、カソード25を覆う第1無機封止膜26と、第1無機封止膜26よりも上側に形成される有機封止膜27と、有機封止膜27を覆う第2無機封止膜28とを含む。
 第1無機封止膜26及び第2無機封止膜28はそれぞれ、例えば、CVDにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜27は、第1無機封止膜26及び第2無機封止膜28よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
 額縁領域NAにおいては、第2層間絶縁膜20上に、表示領域DAを枠状に囲む第1枠状バンク(第1突起部)9aと、第1枠状バンク9aを枠状に囲む第2枠状バンク(第2突起部)9bとが備えられている。有機封止膜27は、図1の(b)に図示する表示装置1の場合においては、第2枠状バンク9bの左側の傾斜側面まで形成されているので、第2枠状バンク9bの左側の傾斜側面より外側においては、無機膜である第1無機封止膜26と第2無機封止膜28とが直接接して、封止層を形成している。
 第1枠状バンク9a及び第2枠状バンク9bは、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。また、第1枠状バンク9a及び第2枠状バンク9bは、バンク(アノードエッジカバー)23と同じ材料を用いて形成してもよい。
 (2.表示装置1が備える無機絶縁膜)
 TFT層4は、第1無機絶縁膜7及び第2無機絶縁膜8を有する。第1無機絶縁膜7と、第2無機絶縁膜とは、それぞれ、TFT層4に含まれる無機絶縁膜から形成される。
 第1無機絶縁膜7は、TFT層4の無機絶縁膜のうち、1種の無機絶縁膜または積層された2種以上の無機絶縁膜から形成されている。また、第2無機絶縁膜8は、TFT層4の無機絶縁膜のうち、第1無機絶縁膜7よりも上層であって、1種の無機絶縁膜または積層された2種以上の無機絶縁膜から形成される。
 よって、第1無機絶縁膜7は、第2無機絶縁膜8の最下層の無機絶縁膜が、第1無機絶縁膜7の最上層の無機絶縁膜よりも上層に存在していれば、1種の無機絶縁膜から形成されていてもよいし、積層された2種以上の無機絶縁膜から形成されていてもよい。
 図1の(b)に示すように、TFT層4に含まれる無機絶縁膜としては、下層から上層へ向かって、ベースコート膜3、半導体膜15、ゲート絶縁膜16、第1層間絶縁膜18および第2層間絶縁膜20が存在する。
 よって、例えば、第1無機絶縁膜7がベースコート膜3から形成されている場合は、第2無機絶縁膜8は、ベースコート膜3よりも上層に位置する半導体膜15を最下層とし、半導体膜15、ゲート絶縁膜16、第1層間絶縁膜18および第2層間絶縁膜20の積層膜から形成されていてもよい。また、図1の(b)の額縁領域では、第1無機絶縁膜7がベースコート膜3から形成され、第2無機絶縁膜8は、ベースコート膜3よりも上層に位置するゲート絶縁膜16を最下層として、ゲート絶縁膜16、第1層間絶縁膜18および第2層間絶縁膜20から形成されていてもよい。
 別の例では、第1無機絶縁膜7がベースコート膜3、半導体膜15およびゲート絶縁膜16から形成されており、第2無機絶縁膜8が、ゲート絶縁膜16よりも上層に位置する第1層間絶縁膜18を最下層として、第1層間絶縁膜18および第2層間絶縁膜20から形成されていてもよい。また、例えば、第1無機絶縁膜7がベースコート膜3、半導体膜15およびゲート絶縁膜16および第1層間絶縁膜18から形成されており、第2無機絶縁膜8が1種の無機絶縁膜である第2層間絶縁膜20から形成されていてもよい。
 このように、前記要件を満たす態様にて、第1無機絶縁膜7および第2無機絶縁膜8を構成することができる。
 (3.表示装置1が備える第1スリットおよび第2スリット)
 図1の(a)に示すように、表示装置1の額縁領域NAにおいて、第1無機絶縁膜7には第1スリットS1が形成されており、第2無機絶縁膜8には第2スリットS2が形成されており、第1スリットS1と、第2スリットS2とは重畳しないように形成されている。また、第1スリットS1および第2スリットS2は、表示領域DAを囲むように形成されており、表示領域DAと、端子部TM1~TMmとの間に存在する折り曲げ部CLを終端部としている。
 折り曲げ部CLにおいては、ベースコート膜3、半導体膜15、ゲート絶縁膜16、第1層間絶縁膜18および第2層間絶縁膜20にスリットが形成され、ポリイミドなどの樹脂材料でスリットを樹脂膜が充填する。樹脂膜の上層には、端子部の端子と表示領域の配線とを電気的に接続する配線が設けられる。
 図1の(c)および(d)に示すように、第1スリットS1は、額縁領域NAにおいて、第1無機絶縁膜7の一部分を抜き取ることによって形成することができ、第2スリットS2は、額縁領域NAにおいて、第2無機絶縁膜8の一部分を抜き取ることによって形成することができる。第1無機絶縁膜7および第2無機絶縁膜8の一部分を抜き取るための方法としては、パターニング(例えば、フォトリソグラフィ)等の方法を用いることができる。
 第1スリットS1と、第2スリットS2とは、重畳しないように形成されている。すなわち、第1スリットS1と、第2スリットS2とは、額縁領域NAにおいて異なる位置に形成されており、図1の(c)および(d)に示すように、互いに重なり合うことなく存在する。
 図1の(c)および(d)に示すように、第1スリットS1と、第2スリットS2とが重畳しないように形成されていることによって、図1の(c)および(d)に示す起点から、第1無機絶縁膜7および第2無機絶縁膜8において、表示領域DAに向かってそれぞれ伸長するクラック(図中、太線で表示)の進行を、第1スリットS1および第2スリットS2を形成した部分によって抑制することができる。
 また、第1スリットS1および第2スリットS2が、表示領域DAを囲むように形成されていることによって、表示領域DAへのクラックの進行を抑制することができ、表示領域DAにおけるダークスポットの発生および表示不良を効果的に抑制することができる。
 なお、図1の(a)に示す表示装置1では、表示装置1の一部分において、第1スリットS1と、第2スリットS2とが重畳した合流スリットGS1~GS6が形成されている。後述するように、この態様は本発明の好ましい一態様であるが、これに限定されるものではない。つまり、合流スリットが形成されておらず、第1スリットS1と、第2スリットS2とが、表示装置1の全体において重畳しないように形成されている態様も、前述したクラックの進行を抑制するという効果を奏することができるため好ましい。
 第1スリットS1と第2スリットS2とは、どちらが表示領域DAに近い側に存在していても構わないが(図1では、第2スリットS2が、第1スリットS1よりも表示装置1の端部に近い側に位置する)、第1スリットS1は、第2スリットS2よりも表示装置1の端部に近い位置に存在することが好ましい。図2および図3は、第1スリットS1が、第2スリットS2よりも表示装置1の端部に近い位置に存在する態様の一例を示している。
 この場合、例えば、図3の(b)に示す第1無機絶縁膜7の内部にクラックが進行し、第1スリットS1に形成されている第2無機絶縁膜8にクラックが伝わってしまった場合でも、第2スリットS2によって、クラックの更なる進行を抑制することができる。
 (4.合流スリット)
 本発明の一実施形態に係る表示装置は、表示領域が少なくとも一部に異形部を有し、異形部と表示装置の端部との間の額縁領域において、第1スリットの一部分と、第2スリットの一部分とが重畳して合流スリットを形成していることが好ましい。
 本明細書において「異形部」とは、表示装置を鉛直上方から見た平面図において、表示領域に設けられたコーナー部及び切り欠き部と、この表示領域のコーナー部及び切り欠き部にそれぞれ対応して額縁領域に設けられた(各々相似形の)コーナー部及び切り欠き部とをいい、曲線部分を有する部分を示している。
 例えば、図1の(a)に示す表示領域DAのコーナー部R’、切り欠き部K2、額縁領域NAのコーナー部R、切り欠き部K1が異形部に該当する。切り欠き部K1,K2は、図1の(a)に示す凹部全体を指す。
 一方、例えば図1の(a)に示す額縁領域のコーナー部Rよりも下方の領域であるL3-L4線近傍の領域等は、表示領域DAおよび額縁領域NAが曲線部分を有していないため、異形部には該当せず、通常部であると言える。表示装置は、表示領域DAが少なくとも一部に異形部を有していればよいため、少なくとも一か所の異形部を有していればよい。なお、折り曲げ部CL側の表示領域DAのコーナー部についても曲線部分を有する異形部が設けられていてもよい。
 「表示装置の端部」とは、表示装置を鉛直上方から見た平面図において、表示装置の最も外側の線を形成する部分を言う。例えば図1の(a)では、最も外側の線が表示装置1の端部に該当する。
 また、「異形部と表示装置の端部との間の額縁領域」(以下、「領域IK」と称する)とは、前記平面図において、表示領域が有する異形部と、表示装置の端部であって当該異形部と対向する部分とに挟まれた額縁領域である。例えば、図1の(a)に示す額縁領域NAのコーナー部Rと対向する、表示領域DAのコーナー部R’とに挟まれた額縁領域NAの部分(例えば、図中、合流スリットGS1、GS6が形成されている部分)、および、切り欠き部K1と、切り欠き部K1と対向する表示領域D1の切り欠き部K2とに挟まれた額縁領域NAの部分(例えば、図中、合流スリットGS2~5が形成されている部分)が、領域IKに該当する。
 「第1スリットの一部分と、第2スリットの一部分とが重畳して合流スリットを形成している」とは、領域IK以外では重畳しないように形成されている第1スリットと、第2スリットとが、領域IKにおいて重畳することによって、一つのスリットを形成していることを言う。図1の(a)において、表示装置1には、領域IKに、GS1~GS6で示す合流スリットが形成されている。
 図2は、合流スリットの構成をより詳細に説明するための平面図である。図2は、図1とは異なり、第1スリットS1が第2スリットS2よりも表示装置の端部に近い位置に存在する表示装置1’の一部分を拡大して示している。すなわち、コーナー部Rと、コーナー部Rと対向する、表示領域DAのコーナー部R’とに挟まれた額縁領域NA(領域IK)およびその近傍の通常部TUを示している。通常部TUは、表示装置1’を鉛直上方から見た平面図において、曲線部分を有さない表示領域DAの端部と、表示装置1’の端部との間の額縁領域である。図3の(a)は、図2の断面Aを示す断面図であり、図3の(b)は、図2の断面Bを示す断面図であり、図3の(c)は、図2の断面Cを示す断面図である。
 図2および図3の(b)に示すように、第1スリットS1と第2スリットS2とは、図中、断面Bと記載した領域の近傍(通常部TU)では、重畳しないように形成されている。なお、第1スリットS1は第1無機絶縁膜7に形成されており、第1スリットS1には、第2無機絶縁膜8が形成されており、第2無機絶縁膜8の下層に金属膜29が形成されている。第2スリットS2は第2無機絶縁膜8に形成されており、第2スリットS2には平坦化膜31が形成されている。
 第1スリットS1および第2スリットS2は、領域IKの近傍にて徐々に近接するように形成されており、図2において、領域IKにおけるGS6’と示した位置にて合流するように形成されている。図3の(a)に示すように、図2の「断面A」で示す領域のうち、GS6’で示す領域には、第1スリットS1と第2スリットS2とが合流した合流スリットGS6’が形成されている。また、図2および図3の(c)においてGS6’で示す領域に、合流スリットGS6’が形成されている。
 このように、合流スリットを設けることによって、図2および図3の(b)にA1で示す第1スリットS1の端面と第2スリットS2の端面との幅が、図2および図3の(c)にA2で示す合流スリットGS6’の幅よりも大きくなる。
 すなわち、表示装置1’を鉛直上方から見た場合に、第1スリットS1と第2スリットS2とが合流スリットGS6を形成していない額縁領域NAにおいて、第1スリットS1の辺であって、第2スリットS2の辺と対向していない側の辺から、第2スリットS2の辺であって、第1スリットS1の辺と対向していない側の辺まで下した第一垂線の長さ(A1)と、表示装置1を鉛直上方から見た場合に、第1スリットS1と第2スリットS2とが合流スリットGS6を形成している額縁領域NAにおいて、合流スリットGS6の一方の辺から、対向する他方の辺まで下した第二垂線の長さ(A2)とが、以下の式(1)を満たすことが好ましい。
第一垂線の長さ(A1)>第二垂線の長さ(A2)・・式(1)
 額縁領域において、領域IKは、通常部と比較してクラックが発生しやすい。式(1)を満たす構成を備えることによって、額縁領域をできるだけ狭くした上で、図2においてB2で示した領域の幅を確保することができる。それゆえ、領域IKにおけるクラックの発生を抑制することができる。
 図1の(a)には、表示装置1の上部2か所に存在するコーナー部R(表示装置1の端部)と、表示領域DAの異形部であるコーナー部R’との間の額縁領域NA(領域IK)に合流スリットGS1、GS6を設け、切り欠き部K1(表示装置1の端部)と、表示領域DAの異形部である切り欠き部K2との間の額縁領域NA(領域IK)にGS2~GS5で示す4か所の合流スリットを設けている。合流スリットの位置および数は、もちろんこれに限定されるものではない。例えば、図1の(a)に示す領域IKにおいて、GS1~GS6とは異なる位置に合流スリットを設けてもよい。また、表示装置1に図1の(a)に示す異形部とは異なるその他の異形部が存在する場合、それぞれの領域IKに合流スリットを形成することによって、前述したように、領域IKにおけるクラックの発生を効果的に抑制することができる。
 合流スリットは、第1無機絶縁膜および第2絶縁膜の一部分を抜き取るための方法として前述したフォトリソグラフィ等の方法を用い、合流スリットを形成したい領域IKにおいて第1スリットと第2スリットとが合流して一つのスリットを形成するように、第1スリットおよび第2スリットの位置を調整することにより、形成することができる。
 表示装置1’は、図2および図3の(b)にA3で示す第1スリットS1の幅が、図2および図3の(c)にA2で示す合流スリットGS6’の幅よりも小さく、かつ、図2および図3の(b)にA4で示す第2スリットS2の幅が、合流スリットGS6’の幅よりも小さいことが好ましい。
 すなわち、表示装置1’を鉛直上方から見た場合に、第1スリットS1と第2スリットS2とが合流スリットGS6’を形成していない額縁領域NAにおいて、第1スリットS1の一方の辺から対向する他方の辺まで下した第三垂線の長さ(A3)が、第二垂線の長さ(A2)よりも短く、かつ、第2スリットS2の一方の辺から対向する他方の辺まで下した第四垂線(A4)の長さが、第二垂線の長さ(A2)よりも短いことが好ましい。なお、第三垂線の長さ(A3)には、金属膜29の長さは含まない。
 当該構成を備えることにより、クラックが発生しやすい領域IKにおいて、第1スリットS1と第2スリットS2とが占めるスペースを小さくし、図2においてB2で示した領域の幅を確保することができる。それゆえ、領域IKにおけるクラックの発生を抑制することができる。
 表示装置1’は、図2にB1で示す、表示装置1’の端部と第1スリットS1の端部との幅(B1)が、図2にB2で示す、表示装置1’の端部と合流スリットGS6’の端部との幅(B2)よりも小さいことが好ましい。
 すなわち、表示装置1’を鉛直上方から見た場合に、第1スリットS1と第2スリットS2とが合流スリットGS6’を形成していない額縁領域NAにおいて、表示装置1’の端部から、第1スリットS1および第2スリットS2のうち、表示装置1’の端部に対向しているスリットの、表示装置1’の端部に対向している辺に下した第五垂線の長さ(B1)と、表示装置1’を鉛直上方から見た場合に、第1スリットS1と第2スリットS2とが合流スリットGS6’を形成している額縁領域NAにおいて、表示装置1’の端部から、合流スリットGS6’の辺のうち、表示装置1’の端部に対向している辺に下した第六垂線の長さ(B2)とが、以下の式(2)を満たすことが好ましい。
第五垂線の長さ(B1)<第六垂線の長さ(B2)・・式(2)
 額縁領域において、領域IKは、通常部と比較してクラックが発生しやすい。式(2)を満たす構成を備えることによって、額縁領域をできるだけ狭くした上で、図2においてB2で示した領域の幅を確保することができる。それゆえ、領域IKにおけるクラックの発生を抑制することができる。
 表示装置1’は、式(2)を満たす構成の代わりに、図2においてD1で示す、第2スリットS2と表示領域DAの端部との幅が、図2においてD2で示す、合流スリットGS6’と表示領域DAの端部との幅よりも小さい構成を取ることも好ましい。
 すなわち、表示装置1’を鉛直上方から見た場合に、第1スリットS1と第2スリットS2とが合流スリットGS6’を形成していない額縁領域NAにおいて、表示領域DAの端部から、第1スリットS1および第2スリットS2のうち、表示領域DAの端部に対向しているスリットの、表示領域DAの端部に対向している辺に下した第七垂線の長さ(D1)と、表示装置1’を鉛直上方から見た場合に、第1スリットS1と第2スリットS2とが合流スリットGS6を形成している額縁領域NAにおいて、表示領域DAの端部から、合流スリットGS6の辺のうち、表示領域DAの端部に対向している辺に下した第八垂線の長さ(D2)とが、以下の式(3)を満たすことが好ましい。
第七垂線の長さ(D1)<第八垂線の長さ(D2)・・式(3)
 なお、「表示領域DAの端部」とは、表示装置1’を鉛直上方から見た平面図において、表示領域DAの最も外側の線を形成する部分を言う。例えば図2のDAにおいて点線で示す部分である。
 式(3)を満たす構成を備えることによって、額縁領域をできるだけ狭くした上で、領域IKにおいて、合流スリットGS6’と表示領域DAとの間に、制御回路を設けることができる。
 以上、図2に示すコーナー部R(表示装置1’の端部)と、表示領域DAの異形部であるコーナー部R’とに挟まれた額縁領域NAの部分に形成された合流スリットGS6’を例に取って、第1スリットS1と第2スリットS2との位置関係等について説明したが、これに限られるものではない。例えば、図1の(a)において、切り欠き部K1(表示装置1の端部)と、表示領域DAの異形部である切り欠き部K2とに挟まれた額縁領域NAに形成された合流スリットGS2~GS5、図1の(a)に示す合流スリットGS1、GS6についても、前記の説明と同様のことが言える。
 (5.金属膜)
 例えば図1の(d)に示すように、第1スリットS1が第2無機絶縁膜8によって被覆されている場合、第1スリットS1は、第1スリットS1と重畳するように、第2無機絶縁膜8の下層に金属膜29が形成されていることが好ましい。
 前記構成によれば、圧力波は金属膜を介して伝播するものの、金属膜には延性があるため、無機絶縁膜よりもクラックが発生しにくい。それゆえ、第1無機絶縁膜7からのクラックが第2無機絶縁膜8に形成されにくいという利点を有する。金属膜としては、例えば、ゲート電極GE、容量配線CE、ソース電極及びドレイン電極SH等によって形成された層を用いることができる。
 金属膜29は、図2、図3の(a)および図3の(b)に示すように、第1スリットS1を覆うように形成されるが、図2、図3の(a)に示すように、合流スリットGS6’に重畳するように形成されないことが好ましい。これは、金属膜29を合流スリットGS6’に重畳するように形成した場合、圧力波が金属膜29を通って合流スリットGS6’に伝播し、領域IKにおけるクラック発生の原因となり得るためである。ただし、合流スリットGS6’において、金属膜29が千鳥状の開口を形成して設けられてもいてもよい。
 (6.スリットへの膜の形成)
 図1の(d)では、第1スリットS1に第2無機絶縁膜8が形成されている。つまり、第1スリットS1は第2無機絶縁膜8によって被覆されており、かつ、第2スリットS2は第1無機絶縁膜7を露出している。当該構成によって、クラックの進行を抑制することができると共に、水分および酸素の侵入に対する信頼性も確保することができるため好ましい。この場合、第1スリットS1において、第1無機絶縁膜7と第2無機絶縁膜8との界面があるため、第1無機絶縁膜7の内部を進行してきたクラックの第2無機絶縁膜8への伝達を抑えることができる。
 第1スリットS1および第2スリットS2は、樹脂層によって被覆されていてもよい。例えば、図1の(d)において、第1スリットS1に形成されている第2無機絶縁膜8の代わりに、平坦化膜31が形成されていてもよいし(つまり、第1スリットに第2無機絶縁膜8のスリットも形成されている)、図1の(e)のように、第1スリットS1に形成されている第2無機絶縁膜8の上に、平坦化膜31が積層されていてもよい。あるいは、図1の(d)において、第2スリットS2の上に、平坦化膜31が積層されていてもよい。
 これらの場合、第1無機絶縁膜7の内部を進行してきたクラックおよび第2無機絶縁膜8の内部を進行してきたクラックは、ポリイミド樹脂などの樹脂材料で形成された平坦化膜31に伝達されにくい。
 また、図1の(e)に示すように、第1スリットS1および第2スリットS2に平坦化膜31が形成され、かつ、平坦化膜31が第2無機絶縁膜8の上面全体を覆うように形成されていてもよい。平坦化膜31の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂等を挙げることができるが、これに限定されることはない。平坦化膜31は、樹脂層に該当する。
 〔実施形態2〕
 実施形態2に係る表示装置1aは、第2スリットS2に重畳するように、第1無機絶縁膜7に第3スリットS3が形成されており、第1スリットS1に重畳するように、第2無機絶縁膜8に第4スリットS4が形成されている。
 第1スリットS1、第2スリットS2、第3スリットS3および第4スリットS4は、樹脂層によって被覆されていることが好ましい。
 図4は、表示装置1aを、図1の(a)に示すL3-L4線に対応する位置で切断した断面図のうち、第1無機絶縁膜7、第2無機絶縁膜8、平坦化膜31、第1スリットS1、第2スリットS2、第3スリットS3、第4スリットS4、樹脂層12のみを示した図である。平坦化膜31は、前述した、第1スリットS1~第4スリットS4を被覆する樹脂層に該当する。
 第2スリットS2は、第2無機絶縁膜8の一部分を、図4の点線部まで抜き取って形成したスリットである。第3スリットS3は、第2スリットS2の下層である第1無機絶縁膜7をも抜き取ることによって形成したスリットであり、第1無機絶縁膜7の底面から、図4の「S3」と表示した箇所における点線部までの領域に形成したスリットである。
 第1スリットS1は、第1無機絶縁膜7の底面から図4の「S1」と表示した箇所における点線部まで抜き取ることによって形成したスリットである。第4スリットS4は、「S1」と表示した箇所において形成されていた第2無機絶縁膜8を抜き取ることによって形成したスリットである。第3スリットS3および第4スリットS4を形成する方法としては、第1スリットS1および第2スリットS2を形成する方法と同じ方法を用いることができる。
 このように、表示装置1aは、第1無機絶縁膜7および第2無機絶縁膜8がともに抜き取られて形成されたスリットを有する。そのため、図4に×印で示した起点から第1無機絶縁膜7および第2無機絶縁膜8の内部に進行したクラックを、同じ位置で抑制することができる。それゆえ、クラックの進行を狭い範囲で効果的に抑制することができる。
 表示装置1aは、第3スリットS3および第4スリットS4が形成されていること以外は、実施の形態1に係る表示装置1と同様の構成を有する。したがって、表示装置1について説明した合流スリット等を有することができる。
 なお、第1スリットS1と第4スリットS4、及び第2スリットS2と第3スリットS3は、図4のようにスリットの端部が一致している場合に限られず、少なくとも互いが重畳していれば、クラックの進行を抑制することができる。
 〔実施形態3〕
 実施形態3に係る表示装置1bは、第1無機絶縁膜7と第2無機絶縁膜8との間に有機層30を備え、有機層30に第5スリットS5が形成されている。図5の(a)は、図1の(a)に示すL3-L4線に対応する位置の近傍における、表示装置1bの平面図である。図5の(b)は、表示装置1bを、図1の(a)に図示したL3-L4線に対応する位置で切断した断面図のうち、第1無機絶縁膜7、第2無機絶縁膜8、有機層30、第1スリットS1、第2スリットS2、第5スリットS5、樹脂層12のみを示した図である。図5の(c)は、平坦化膜31を形成した表示装置1bを示す。
 有機層30の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂等を挙げることができるが、これに限定されることはない。
 有機層30は樹脂材料であるが、まれにクラックが発生して表示に影響を及ぼすことがある。表示装置1bは、有機層30において第5スリットS5が形成されているため、図5の(b)および(c)に示すように、×印で表される起点から有機層30の内部を進行するクラックを、第5スリットS5によって抑制することができる。また、水分の浸透を防止することができる。つまり、表示装置1bは、有機層が第1無機絶縁膜と第2無機絶縁膜の間に形成されている場合であっても、クラックの進行および水分の浸透を防止することができるため有用である。
 本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
 本発明は表示装置に利用することができる。
 1、1’、1a、1b 表示装置
 3 ベースコート膜
 4 TFT層
 7 第1無機絶縁膜
 8 第2無機絶縁膜
 15 半導体膜
 16 ゲート絶縁膜
 18 第1層間絶縁膜
 20 第2層間絶縁膜
 21 層間絶縁膜
 29 金属膜
 30 有機層
 S1~S5 第1スリット~第5スリット
 NA 額縁領域
 DA 表示領域
 K1、K2 切り欠き部(異形部)
 R、R’ コーナー部(異形部)
 GS1~GS6、GS6’ 合流スリット
 A1~A4 第一垂線~第四垂線
 B1、B2 第五垂線、第六垂線
 D1、D2 第七垂線、第八垂線

Claims (16)

  1.  樹脂層と、前記樹脂層上に形成され、第1無機絶縁膜及び第2無機絶縁膜を有する薄膜トランジスタ層と、発光素子層と、封止層とを備え、表示領域と、前記表示領域の周囲の額縁領域とを備える表示装置であって、
     前記第1無機絶縁膜および前記第2無機絶縁膜は、それぞれ、1種の無機絶縁膜または積層された2種以上の無機絶縁膜から形成されており、前記第2無機絶縁膜は、前記第1無機絶縁膜よりも上層に存在し、
     前記額縁領域において、前記第1無機絶縁膜には第1スリットが形成されており、前記第2無機絶縁膜には第2スリットが形成されており、前記第1スリットと、前記第2スリットとは重畳しないように形成されていることを特徴とする表示装置。
  2.  前記第1スリットおよび前記第2スリットは、前記表示領域を囲むように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  3.  前記表示領域は少なくとも一部に異形部を有し、前記異形部と前記表示装置の端部との間の額縁領域において、前記第1スリットの一部分と、前記第2スリットの一部分とが重畳して合流スリットを形成していることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
  4.  前記表示装置を鉛直上方から見た場合に、前記第1スリットと前記第2スリットとが前記合流スリットを形成していない額縁領域において、前記第1スリットの辺であって、前記第2スリットの辺と対向していない側の辺から、前記第2スリットの辺であって、前記第1スリットの辺と対向していない側の辺まで下した第一垂線の長さと、
     前記表示装置を鉛直上方から見た場合に、前記第1スリットと前記第2スリットとが前記合流スリットを形成している額縁領域において、前記合流スリットの一方の辺から、対向する他方の辺まで下した第二垂線の長さとが、以下の式(1)を満たすことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
    第一垂線の長さ>第二垂線の長さ・・式(1)
  5.  前記表示装置を鉛直上方から見た場合に、前記第1スリットと前記第2スリットとが前記合流スリットを形成していない額縁領域において、前記第1スリットの一方の辺から対向する他方の辺まで下した第三垂線の長さが、前記第二垂線の長さよりも短く、かつ、前記第2スリットの一方の辺から対向する他方の辺まで下した第四垂線の長さが、前記第二垂線の長さよりも短いことを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
  6.  前記表示装置を鉛直上方から見た場合に、前記第1スリットと前記第2スリットとが前記合流スリットを形成していない額縁領域において、前記表示装置の端部から、前記第1スリットおよび前記第2スリットのうち、前記端部に対向しているスリットの、前記端部に対向している辺に下した第五垂線の長さと、
     前記表示装置を鉛直上方から見た場合に、前記第1スリットと前記第2スリットとが前記合流スリットを形成している額縁領域において、前記表示装置の端部から、前記合流スリットの辺のうち、前記端部に対向している辺に下した第六垂線の長さとが、以下の式(2)を満たすことを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の表示装置。
    第五垂線の長さ<第六垂線の長さ・・式(2)
  7.  前記表示装置を鉛直上方から見た場合に、前記第1スリットと前記第2スリットとが前記合流スリットを形成していない額縁領域において、前記表示領域の端部から、前記第1スリットおよび前記第2スリットのうち、前記端部に対向しているスリットの、前記端部に対向している辺に下した第七垂線の長さと、
     前記表示装置を鉛直上方から見た場合に、前記第1スリットと前記第2スリットとが前記合流スリットを形成している額縁領域において、前記表示領域の端部から、前記合流スリットの辺のうち、前記端部に対向している辺に下した第八垂線の長さとが、以下の式(3)を満たすことを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の表示装置。
    第七垂線の長さ<第八垂線の長さ・・式(3)
  8.  前記第1スリットは前記第2無機絶縁膜によって被覆されており、かつ、前記第2スリットは前記第1無機絶縁膜を露出していることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の表示装置。
  9.  前記第1スリットおよび前記第2スリットが、前記樹脂層によって被覆されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の表示装置。
  10.  前記第1スリットと重畳するように、前記第2無機絶縁膜の下層に金属膜が形成されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の表示装置。
  11.  前記第2スリットに重畳するように、前記第1無機絶縁膜に第3スリットが形成されており、前記第1スリットに重畳するように、前記第2無機絶縁膜に第4スリットが形成されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の表示装置。
  12.  前記第1スリット、前記第2スリット、前記第3スリットおよび前記第4スリットが、前記樹脂層によって被覆されていることを特徴とする請求項11に記載の表示装置。
  13.  前記第1スリットが、前記額縁領域において、前記第2スリットよりも、前記表示装置の端部に近い位置に存在することを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の表示装置。
  14.  前記第1無機絶縁膜は、ベースコート膜、ゲート絶縁膜、第1層間絶縁膜、第2層間絶縁膜、および半導体膜からなる群より選ばれる1種の無機絶縁膜または積層された2種以上の無機絶縁膜であることを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載の表示装置。
  15.  前記第2無機絶縁膜は、ゲート絶縁膜、第1層間絶縁膜、第2層間絶縁膜、および半導体膜からなる群より選ばれる1種の無機絶縁膜または積層された2種以上の無機絶縁膜であることを特徴とする請求項1から14のいずれか1項に記載の表示装置。
  16.  前記第1無機絶縁膜と前記第2無機絶縁膜との間に有機層を備え、前記有機層に第5スリットが形成されていることを特徴とする請求項1から15のいずれか1項に記載の表示装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022109950A1 (zh) * 2020-11-26 2022-06-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294403A (ja) * 2006-03-28 2007-11-08 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP2009049001A (ja) * 2007-07-20 2009-03-05 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP2009295911A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Canon Inc 有機el発光装置
KR20140061897A (ko) * 2012-11-14 2014-05-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
US20140319474A1 (en) * 2013-04-25 2014-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
JP2015050181A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル有機電界発光装置及びその製造方法
US20160013253A1 (en) * 2014-07-10 2016-01-14 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20160233248A1 (en) * 2015-02-06 2016-08-11 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20160284770A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
US20160315284A1 (en) * 2015-04-27 2016-10-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device
WO2016204121A1 (ja) * 2015-06-18 2016-12-22 シャープ株式会社 フレキシブル電子デバイス及びフレキシブル電子デバイスの製造方法
KR20170038984A (ko) * 2015-09-30 2017-04-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US20170117502A1 (en) * 2015-10-22 2017-04-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof
US20170162822A1 (en) * 2015-12-02 2017-06-08 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2017120775A (ja) * 2015-12-30 2017-07-06 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル有機発光ダイオード表示装置
JP2017123217A (ja) * 2016-01-04 2017-07-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
KR20170128683A (ko) * 2016-05-12 2017-11-23 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 패널, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치
JP2018063910A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20180062155A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100846711B1 (ko) * 2007-03-13 2008-07-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102009330B1 (ko) * 2017-12-27 2019-08-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109411629B (zh) * 2018-11-30 2021-02-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294403A (ja) * 2006-03-28 2007-11-08 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP2009049001A (ja) * 2007-07-20 2009-03-05 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP2009295911A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Canon Inc 有機el発光装置
KR20140061897A (ko) * 2012-11-14 2014-05-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
US20140319474A1 (en) * 2013-04-25 2014-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
JP2015050181A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル有機電界発光装置及びその製造方法
US20160013253A1 (en) * 2014-07-10 2016-01-14 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20160233248A1 (en) * 2015-02-06 2016-08-11 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20160284770A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
US20160315284A1 (en) * 2015-04-27 2016-10-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device
WO2016204121A1 (ja) * 2015-06-18 2016-12-22 シャープ株式会社 フレキシブル電子デバイス及びフレキシブル電子デバイスの製造方法
KR20170038984A (ko) * 2015-09-30 2017-04-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US20170117502A1 (en) * 2015-10-22 2017-04-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof
US20170162822A1 (en) * 2015-12-02 2017-06-08 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2017120775A (ja) * 2015-12-30 2017-07-06 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル有機発光ダイオード表示装置
JP2017123217A (ja) * 2016-01-04 2017-07-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
KR20170128683A (ko) * 2016-05-12 2017-11-23 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 패널, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치
JP2018063910A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20180062155A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법

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