TW201929220A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置包含發光裝置、封裝單元、複數個觸控電極以及選路線。發光裝置放置於基板上。封裝單元放置於發光裝置上。複數個觸控電極放置於封裝單元上。選路線連接觸控電極，且選路線所具之結構中堆疊有複數個導電膜。這些導電膜中之至少一個導電膜具有一多層結構。

Description

顯示裝置
本揭露係關於一種具有觸控感測器之有機發光顯示器及其製造方法與顯示裝置，特別是一種可實現製程簡化與成本降低之具有觸控感測器之有機發光顯示器及其製造方法與顯示裝置。
觸控螢幕係為一種輸入裝置，使用者利用手或物件透過選擇顯示器的螢幕上顯示的指令而輸入命令。就是說，觸控螢幕將與人手或物件直接接觸的接觸位置轉換為電訊號，以及將接觸位置處選擇的指令接收為輸入信號。這種觸控螢幕代替與顯示器連接且被作業的分離的輸入裝置，比如鍵盤或滑鼠，由此，觸控螢幕的應用已經逐漸增加。
通常，觸控螢幕藉由黏合劑被接合到顯示面板比如液晶顯示面板或有機電激發光面板的正表面。這種情況下，因為觸控螢幕係單獨製造，然後被接合到顯示面板之正表面，額外地進行接合製程，由此整個製造製程變得複雜且製造成本升高。
因此，本揭露涉及一種具有觸控感測器之有機發光顯示器及其製造方法，實質上避免習知技術之限制與缺陷所導致的一或多個問題。
本揭露之目的係提供一種可實現製程簡化與成本降低之具有觸控感測器之有機發光顯示器及其製造方法。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其它優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他優點，現對本發明作具體化和概括性的描述，一種顯示裝置，包含：一發光裝置，放置於一基板上；一封裝單元，放置於該發光裝置上；複數個觸控電極，放置於該封裝單元上；以及一選路線，該選路線連接該等觸控電極，該選路線所具之結構中堆疊有複數個導電膜，其中該等導電膜中之至少一個導電膜具有一多層結構。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
現在將結合圖式部份對本發明的較佳實施方式作詳細說明。其中在這些圖式部份中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。
圖1係為本揭露一個實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之透視圖。
對於一個觸碰時間週期，透過圖2所示觸控電極與152e與154e，透過感測使用者觸碰導致的互電容Cm的變化，圖1所示的具有觸控感測器之有機發光顯示器感測是否出現使用者觸碰與觸碰位置。另外，透過包含發光裝置120的單元畫素，圖1所示的有機發光顯示器顯示影像。畫素單元包含紅色(R)、綠色(G)與藍色(B)子畫素PXL，或者包含紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)與白色(W)子畫素PXL。
每一子畫素PXL包含畫素驅動電路以及與畫素驅動電路及低電壓VSS線連接的發光裝置120。
畫素驅動電路包含切換電晶體T1、驅動電晶體T2與儲存電容器Cst。
當掃描脈衝被供應至掃描線SL時，切換電晶體T1被打開，以及將被供應至資料線DL之資料信號供應至儲存電容器Cst與驅動電晶體T2之閘極。
驅動電晶體T2控制從高電壓VDD線供應至發光裝置120之電流，由此調整發光裝置120的發光量。另外，甚至如果切換電晶體T1被關閉，透過為儲存電容器Cst充電的電壓，驅動電晶體T2供應指定電流，直到供應下一框的資料訊號為止，由此維持發光裝置120的光發射。
如圖3代表性所示，這種驅動電晶體T2(130)包含閘極132、與閘極132重疊且兩者之間放置閘極絕緣膜112之半導體層134，以及形成於鈍化膜114上且接觸半導體層134之源極136與汲極138。
發光裝置120被放置於基板111的主動區域中，且包含陽極122、形成於陽極122上的有機發光層124，以及形成於有機發光層124上的陰極126。
透過平坦化膜116上形成的畫素接觸孔，陽極122導電連接暴露的驅動電晶體130之汲極138。有機發光層124形成於護堤128所提供的發射區域中的陽極122上。依照正常順序或相反順序，透過在陽極122上堆疊電洞相關層、發光層以及電子相關層，形成有機發光層124。陰極126形成為與陽極122相對，有機發光層124被放置於兩者之間。
封裝部140避免外部水分或氧氣滲透容易被外部水分或氧氣影響的發光裝置120。為了這個目的，封裝部140包含複數個無機封裝層142與146以及放置於無機封裝層142與146之間的有機封裝層144，以及無機封裝層146被放置為最上層。這裡，封裝部140包含至少兩個無機封裝層142與146以及至少一個有機封裝層144。本揭露中，將代表性地說明封裝部140的結構，其中有機封裝層144被放置於第一與第二無機封裝層142與146之間。
第一無機封裝層142形成於具有陰極126的基板111上，從而位於最鄰接發光裝置120的位置。這種第一無機封裝層142由低溫沈積的無機絕緣材料形成，比如氮化矽(SiNx )、氧化矽(SiOx )、氮氧化矽(SiON)或氧化鋁(Al2 O3 )。因此，第一無機封裝層142在低溫大氣壓中被沈積，由此，在第一無機封裝層142之沈積製程期間，可避免容易受到高溫大氣壓影響的有機發光層124被損壞。
有機封裝層144用作緩衝層以減弱有機發光顯示器之彎曲時各層之間的應力，以及加強有機發光顯示器之平坦化性能。有機封裝層144由有機絕緣材料，比如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺（polyimide）、聚乙烯（polyethylene）或碳氧化矽（silicon oxycarbide；SiOC）形成。
第二無機封裝層146形成於其上形成有機封裝層144的基板111上，從而覆蓋有機封裝層144與第一無機封裝層142的上面與側面。因此，第二無機封裝層146最小化或阻擋外部水分或氧氣滲透到第一無機封裝層142與第二無機封裝層146內。這種第二無機封裝層146由無機絕緣材料比如氮化矽(SiNx )、氧化矽(SiOx )、氮氧化矽(SiON)或氧化鋁(Al2 O3 )形成。
如圖2與圖3代表性所示，觸控感測線154與觸控驅動線152被放置於封裝部140上從而彼此交叉，觸控絕緣膜168被放置於兩者之間。
觸控驅動線152包含複數個第一觸控電極152e以及與第一觸控電極152e導電連接的第一橋152b。
第一觸控電極152e透過封裝部140上Y方向中的指定間隔彼此隔開。每一第一觸控電極152e透過第一橋152b導電連接鄰接的第一觸控電極152e。
第一橋152b被放置於與第一觸控電極152e共面的封裝部140上，以及導電連接第一觸控電極152e，沒有單獨的接觸孔。第一橋152b被放置為與護堤128重疊，由此藉由第一橋152b避免開口率的降低。
如果第一橋152b與第一觸控電極152e由透明導電膜形成，在第一橋152b下方形成直接接觸第一橋152b的輔助橋152a。使用具有高導電率的材料比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金（MoTi）至少其一，輔助橋152a由具有單層結構或多層結構的第一導電層形成，以及補償第二導電層即透明導電膜形成的第一橋152b與第一觸控電極152e的電阻。
觸控感測線154包含複數個第二觸控電極154e以及與第二觸控電極154e導電連接的第二橋154b。
第二觸控電極154e在封裝部140上沿X方向依照指定間隔彼此隔開。每一第二觸控電極154e透過第二橋154b導電連接鄰接的第二觸控電極154e。
第二橋154b被放置於觸控絕緣膜168上，以及透過穿過觸控絕緣膜168形成的觸控接觸孔150導電連接暴露的第二觸控電極154e。採用與第一橋152b相同的方式，第二橋154b被放置為與護堤128重疊，由此藉由第二橋154b避免開口率的降低。
如上所述，因為觸控感測線154與觸控驅動線152交叉，兩者之間放置觸控絕緣膜168，在觸控感測線154與觸控驅動線152間的交叉處形成互電容Cm。互電容Cm透過被供應至觸控驅動線152的觸控驅動脈衝被充電，以及被放電至觸控感測線154，由此用作觸控感測器。
透過非主動（邊框）區域中放置的第一選路線156與觸控驅動墊170，本揭露之觸控驅動線152連接觸控驅動單元（圖未示）。因此，第一選路線156將來自觸控驅動墊170的觸控驅動脈衝傳送至觸控驅動線152。另外，透過非主動（邊框）區域中放置的第二選路線186與觸控感測墊180，觸控感測線154連接觸控驅動單元。因此，第二選路線186將來自觸控感測線154的觸控訊號傳送至觸控感測墊180。
觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個被形成以具有三層結構，舉個例子，利用第一至第三導電層透過順序地堆疊第一至第三焊墊層170a、170b與170c而形成。
第一選路線156與第二選路線186的每一個形成具有多層結構，舉個例子，透過順序地堆疊第一至第三選路層156a、156b與156c而形成。這裡，第一至第三選路層156a、156b與156c被堆疊為對應主動區域中封裝部140上放置的複數個導電層的堆疊順序與材料。
就是說，第一不透明導電層形成的輔助橋152a、第二透明導電層形成的第一橋152b，以及第三透明導電層形成的第二橋154b順序地堆疊於主動區域中的封裝部140上。因此，透過順序地堆疊第一不透明導電層形成的第一選路層156a、第二透明導電層形成的第二選路層156b以及第三透明導電層形成的第三選路層156c，形成每一第一選路線156與第二選路線186，從而對應主動區域中封裝部140上的導電層的堆疊順序。
這裡，使用鋁、鈦、銅、鉬、鉬鈦合金，第一選路層156a由具有單層結構或多層結構的第一導電層形成。第二選路層156b從第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個延伸，以及由包含透明導電膜的第二導電層比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物形成。第三選路層156c由第三導電層形成，包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
如果第二選路層156b與第三選路層156c由相同的材料形成，第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有與第二選路層156b相同的線寬，如圖4A與4B代表性所示，或者，第三選路層156c形成於第二選路層156b上以具有比第二選路層156b更大的線寬，從而覆蓋第二選路層156b的上表面，如圖4C代表性所示。因此，可避免形成第三選路層156c時，使用蝕刻溶液或蝕刻氣體蝕刻第三選路層156c之相同材料形成的第二選路層156b。另外，與第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個鄰接的第三選路層156c的側表面被放置於觸控絕緣膜168上。因此，在第三選路層156c之形成期間，觸控絕緣膜168保護第二選路層156b，由此，避免蝕刻第三選路層156c的相同材料形成的第二選路層156b。
另外，如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性（比如，蝕刻氣體或蝕刻溶液）相同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有比第一選路層156a更大的線寬，從而覆蓋第一選路層156a的側表面與上表面，如圖4A與4C代表性所示。因此，可避免形成第二選路層156b時使用蝕刻溶液或蝕刻氣體以蝕刻與第二選路層156b具有相同材料的第一選路層156a。
另外，如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性不同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有與第一選路層156a相同或不同的線寬。舉個例子，如圖4B代表性所示，第二選路層156b形成於第一選路層156a上，具有比第一選路層156a更窄的線寬。
因此，第一選路線156與第二選路線186的每一個形成為具有多層結構，以及如果第一選路線156與第二選路線186的每一個中包含的複數個選路導電層的任意其一中出現斷裂，透過剩餘的選路導電層傳送每一觸控驅動脈衝與觸控訊號。
如上所述，本揭露這個實施例之有機發光顯示器包含由複數個選路層形成的第一選路線156與第二選路線186，係依照觸控驅動線152與觸控感測線154的堆疊順序被堆疊。第一選路線156與第二選路線186具有多層結構，由此避免第一選路線156與第二選路線186之斷裂。另外，本揭露之有機發光顯示器中，雖然觸控螢幕透過黏合劑被接合至傳統的有機發光顯示器，但是觸控電極152e與154e係直接堆疊於封裝部140上，沒有單獨的接合製程，由此簡化了整個製造製程且降低了製造成本。
圖5A至5D係為一個實施例之圖2與圖3所示有機發光顯示器之製造方法之平面與剖面示意圖。
請參考圖5A，輔助橋152a、第一選路線156與第二選路線186之每一個的第一選路層156a，以及觸控驅動墊170與觸控感測墊180之每一個的第一焊墊層170a形成於其上形成發光裝置120與封裝部140的基板111上。
更詳細地，透過沈積製程，第一導電層被沈積於其上形成發光裝置120與封裝部140的基板111的整個表面上。此後，透過利用第一遮罩的光刻製程與蝕刻製程，透過將第一導電層圖案化，形成輔助橋152a、第一選路層156a以及第一焊墊層170a。這裡，利用具有高耐蝕性與高耐酸性的金屬比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第一導電層形成為具有單層結構或多層結構。舉個例子，第一導電層具有三層結構，比如鈦／鋁／鈦（Ti/Al/Ti）或鉬／鋁／鉬（Mo/Al/Mo）。
結合圖5B，第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路線156與第二選路線186之每一個的第二選路層156b，以及觸控驅動墊170與觸控感測墊180的第二焊墊層170b形成於其上形成有輔助橋152a、第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111上。
更詳細地，透過沈積製程，第二導電層被沈積於其上形成有輔助橋152a、第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111的整個表面上。此後，透過利用第二遮罩的光刻製程與蝕刻製程，透過將第二導電層圖案化，形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第二選路層156b以及第二焊墊層170b。這裡，第二導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
結合圖5C，具有觸控接觸孔150的觸控絕緣膜168形成於其上形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第二選路層156b以及第二焊墊層170b的基板111上。
更詳細地，利用金屬遮罩，透過沈積製程，無機或有機絕緣材料沈積於其上形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第二選路層156b以及第二焊墊層170b的基板111上，從而形成觸控絕緣膜168以暴露第二選路層156b與第二焊墊層170b。這裡，觸控絕緣膜168由無機膜或有機膜形成。這裡，無機膜採用氮化矽(SiNx )、氮氧化矽(SiON)、二氧化矽(SiO2 )、或者氧化鋁(Al2 O3 )。有機膜採用丙烯酸基有機膜、環氧基有機膜（epoxy-based organic film）、聚对二甲苯C型（Parylene-C）、聚对二甲苯N型（Parylene-N）、聚对二甲苯N型（Parylene-F）或者矽氧烷基有機膜。因此，透過利用第三遮罩的光刻製程與蝕刻製程，透過將觸控絕緣膜168圖案化，形成觸控接觸孔150。觸控接觸孔150形成為穿透觸控絕緣膜168，由此暴露第二觸控電極154e。
請結合圖5D，第一選路線156與第二選路線186之每一個的第三選路層156c、觸控驅動墊170與觸控感測墊180之每一個的第三焊墊層170c，以及第二橋154b形成於其上形成觸控接觸孔150之基板111上。
更詳細地，透過沈積製程，第三導電層沈積於其上形成有觸控接觸孔150的基板111的整個表面上。此後，透過利用第四遮罩的光刻製程與蝕刻製程將第三導電層圖案化，形成第三選路層156c、第三焊墊層170c以及第二橋154b。這裡，第三導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO），或者導電聚合物。
如上所述，本揭露之這個實施例中，封裝部140上的導電層形成三層結構，以及第一選路線156與第二選路線186中包含選路層形成三層結構。這種情況下，第一至第三選路層156a、156b及156c係分別與具有相同層數的第一至第三導電層同時形成。就是說，位於下層的由第一導電層形成的輔助橋152a與第一選路層156a係同時形成，位於中間層的由第二導電層形成的第一橋152b與第二選路層156b係同時形成，以及位於上層的由第三導電層形成的第二橋154b與第三選路層156c係同時形成。
圖6係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面示意圖，以及圖7係為沿圖6之線II1-II1’與II2-II2’之有機發光顯示器之剖面示意圖。
除了透過順序地堆疊第一選路層156a即不透明導電層以及第二選路層156b即透明導電層形成第一選路線156與第二選路線186的每一個，以及透明導電層形成的第一橋152b堆疊於不透明導電層形成的第二橋154b上從而對應第一選路層156a與第二選路層156b的堆疊順序以外，圖6及圖7所示的有機發光顯示器與圖2及圖3所示的有機發光顯示器相同。因此，與圖2及圖3所示的有機發光顯示器的元件實質相同的圖6及圖7中所示有機發光顯示器的元件的詳細描述被認為沒有必要，所以將被省略。
第二橋154b由第二無機封裝層146上的第一不透明導電層形成。第二橋154b係透過穿透觸控絕緣膜168形成的觸控接觸孔150被暴露，以及導電連接第二觸控電極154e。
第一觸控電極152e與第二觸控電極154e以及第一橋152b由位於比封裝部140更高位置的觸控絕緣膜168上的第二透明導電層形成。
依照形成觸控驅動線152與觸控感測線154的第一與第二導電層的堆疊順序相同的順序，透過順序地堆疊第一不透明導電層形成的第一選路層156a與第二透明導電層形成的第二選路層156b，形成第一選路線156與第二選路線186的每一個。
這裡，第一選路層156a係使用鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金（MoTi）由具有單層或多層結構的第一不透明導電層形成。第二選路層156b從第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個延伸，以及由第二導電層形成，包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性相同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上以具有比第一選路層156a更大的線寬，從而覆蓋第一選路層156a的側表面與上表面，如圖8A代表性所示。因此，可避免形成第二選路層156b中使用的蝕刻溶液或蝕刻氣體對具有與第二選路層156b相同材料的第一選路層156a的蝕刻。
另外，如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性不同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上以具有與第一選路層156a相同或不同的線寬。舉個例子，第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有比第一選路層156a更窄的線寬，如圖8B代表性所示。
因此，第一選路線156與第二選路線186之每一個形成為具有多層結構，以及如果第一選路線156與第二選路線186之每一個中包含的複數個選路導電層之任意一個出現斷裂，則透過剩餘的選路導電層傳送觸控驅動脈衝與觸控訊號的每一個。
依照與第一選路線156及第二選路線186相同的方式，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個形成為具有雙層結構。就是說，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個具有利用第一與第二導電層堆疊第一焊墊層170a與第二焊墊層170b所需要的雙層結構。觸控驅動墊170與觸控感測墊180從觸控保護膜190暴露，由此接觸其上裝設觸控驅動單元之訊號傳輸膜。這裡，觸控保護膜190形成以覆蓋觸控感測線154與觸控驅動線152，由此避免由於外部水分等造成的觸控感測線154與觸控驅動線152的腐蝕。這種觸控保護膜190由有機絕緣材料形成，或者形成為圓形偏光板或者形成為環氧樹脂或丙烯酸膜。
如上所述，本揭露這個實施例之有機發光顯示器包含由複數個選路層形成的第一選路線156與第二選路線186，係依照觸控驅動線152與觸控感測線154中包含的第一與第二導電層的堆疊順序被堆疊。第一選路線156與第二選路線186具有多層結構，由此，避免第一選路線156與第二選路線186的斷裂。另外，本揭露之有機發光顯示器中，雖然觸控螢幕透過黏合劑被接合至傳統的有機發光顯示器，但是觸控電極152e與154e係直接堆疊於封裝部140上，沒有單獨的接合製程，由此簡化了整個製造製程且降低了製造成本。
圖9A至9D係為圖6與圖7所示之有機發光顯示器之製造方法之平面與剖面示意圖。
首先，第一導電層透過沈積製程被沈積於封裝部140的整個表面上，然後，第一導電層係利用第一遮罩透過光刻製程與蝕刻製程被圖案化。由此，第二橋154b、第一選路線156與第二選路線186的每一個的第一選路層156a，以及觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個的第一焊墊層170a形成於封裝部140上，如圖9A代表性所示。這裡，使用具有高耐蝕性與高耐酸性的金屬比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第一導電層形成為具有單層結構或多層結構。舉個例子，第一導電層具有三層結構，比如比如鈦／鋁／鈦（Ti/Al/Ti）或鉬／鋁／鉬（Mo/Al/Mo）。
此後，透過使用金屬遮罩的沈積製程，透過在其上形成第二橋154b、第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111上沈積無機或有機絕緣材料，形成暴露第二選路層156b與第二焊墊層170b的觸控絕緣膜168。此後，如圖9B代表性所示，透過使用第二遮罩之光刻製程與蝕刻製程，將觸控絕緣膜168圖案化而形成觸控接觸孔150。
此後，透過沈積製程，第二導電層被沈積於其上形成具有觸控接觸孔150的觸控絕緣膜168的基板111的整個表面上，然後，透過使用第三遮罩的光刻製程與蝕刻製程，第二導電層被圖案化。由此，第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路線156與第二選路線186的每一個的第二選路層156b，以及觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個的第二焊墊層170b形成於觸控絕緣膜168上，如圖9C代表性所示。這裡，第二導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO），或者導電聚合物。
此後，有機絕緣材料被施加到其上形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第二選路層156b以及第二焊墊層170b的基板111的整個表面，然後，有機絕緣材料透過利用第四遮罩的光刻製程與蝕刻製程被圖案化。由此，形成觸控保護膜190，以暴露每一觸控驅動墊170之第二焊墊層170b與觸控感測墊180，如圖9D代表性所示。
如上所述，本揭露之這個實施例中，由位於下層的第一導電層形成的第二橋154b與第一選路層156a係同時形成，以及由位於上層的第二導電層形成的第一橋152b與第二選路層156b係同時形成。
圖10係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖。
除了透過順序地堆疊第一選路層156a即不透明導電層、第二選路層156b即透明導電層以及第三選路層156c即透明導電層而形成第一選路線156與第二選路線186的每一個，以及第三透明導電層形成的第一橋152b被堆疊於第二透明導電層形成的第二橋154b上從而對應第二選路層156b與第三選路層156c的堆疊順序以外，圖10所示的有機發光顯示器與圖2及圖3所示的有機發光顯示器相同。因此，與圖2及圖3所示的有機發光顯示器的元件實質相同的圖10所示有機發光顯示器的元件的詳細描述被認為沒有必要，所以將被省略。
第二橋154b由無機封裝層146上的第二透明導電層 形成。第二橋154b係透過穿透觸控絕緣膜168形成的觸控接觸孔150被暴露，以及導電連接第二觸控電極154e。第一觸控電極152e與第二觸控電極154e以及第一橋152b由位於比封裝部140更高位置的觸控絕緣膜168上的第三透明導電層形成。第一橋152b與第二橋154b由透明導電層形成，由此可提高透光率。
第一選路線156與第二選路線186的每一個中包含的透明的第二與第三選路層156b與156c被堆疊為對應形成觸控驅動線152與觸控感測線154的第二與第三透明導電層的堆疊順序。就是說，透過順序地堆疊第一不透明導電層形成的第一選路層156a、第二透明導電層形成的第二選路層156b以及第三透明導電層形成的第三選路層156c，形成第一選路線156與第二選路線186的每一個。
這裡，使用鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第一選路層156由具有單層結構或多層結構的第一不透明導電層形成。第二選路層156b由第二導電層形成，包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。第三選路層156c從第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個延伸，以及由第三導電層形成，包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
第一選路線156與第二選路線186的層積剖面與圖4A至4C所示的相同，由此將省略其詳細描述。
因此，第一選路線156與第二選路線186的每一個形成為具有多層結構，以及如果第一選路線156與第二選路線186的每一個中包含的複數個選路導電層之任意一個出現斷裂，則透過剩餘的選路導電層傳送觸控驅動脈衝與觸控訊號的每一個。
觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個形成為具有與第一選路線156及第二選路線186相同方式的三層結構。就是說，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個為使用第一至第三導電層堆疊第一至第三焊墊層170a、170b與170c所需要的三層結構。
如上所述，本揭露這個實施例之有機發光顯示器包含具有多層結構的第一選路線156及第二選路線186，由此避免第一選路線156及第二選路線186之斷裂。另外，本揭露之有機發光顯示器中，雖然觸控螢幕透過黏合劑被接合至傳統的有機發光顯示器，但是觸控電極152e與154e係直接堆疊於封裝部140上，沒有單獨的接合製程，由此簡化了整個製造製程且降低了製造成本。
圖11A至11E係為圖10所示有機發光顯示器之製造方法之平面與剖面示意圖。
首先，第一導電層透過沈積製程被沈積於封裝部140的整個表面上，然後，透過使用第一遮罩之光刻製程與蝕刻製程將第一導電層圖案化。因此，第一選路線156及第二選路線186的每一個的第一選路層156a以及觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個的第一焊墊層170a形成於封裝部140上，如圖11A代表性所示。這裡，使用具有高耐蝕性與高耐酸性的金屬比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第一導電層形成為具有單層結構或多層結構。舉個例子，第一導電層具有三層結構，比如鈦／鋁／鈦（Ti/Al/Ti）或鉬／鋁／鉬（Mo/Al/Mo）。
此後，透過沈積製程，第二導電層被沈積於其上形成有第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111的整個表面上，然後，透過使用第二遮罩的光刻製程與蝕刻製程將第二導電層圖案化。因此，形成第二橋154b、第二選路層156b與第二焊墊層170b，如圖11B代表性所示。這裡，第二導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
此後，透過使用金屬遮罩的沈積製程，透過在其上形成有第二橋154b、第二選路層156b與第二焊墊層170b的基板111上沈積無機或有機絕緣材料，形成暴露第二選路層156b與第二焊墊層170b的觸控絕緣膜168。此後，透過使用第三遮罩的光刻製程與蝕刻製程，透過將觸控絕緣膜168圖案化，形成觸控接觸孔150，如圖11C代表性所示。
此後，透過沈積製程，第三導電層被沈積於其上形成有具有觸控接觸孔150的觸控絕緣膜168的基板111的整個表面上，然後，透過使用第四遮罩的光刻製程與蝕刻製程將第三導電層圖案化。因此，第一橋152b、第三選路層156c以及第三焊墊層170c形成於觸控絕緣膜168上，如圖11D代表性所示。這裡，第三導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
此後，有機絕緣材料被施加到其上形成有第一橋152b、第三選路層156c與第三焊墊層170c的基板111的整個表面上，然後，透過使用第五遮罩的光刻製程與蝕刻製程將有機絕緣材料圖案化。因此，形成觸控保護膜190以暴露觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個的第三焊墊層170c，如圖11E代表性所示。
如上所述，本發明之這個實施例中，封裝部140上的導電層形成雙層結構，以及第一選路線156與第二選路線186中包含的選路層形成三層結構。這種情況下，封裝部140上的第二與第三導電層的每一個係同時形成為由對應導電層的相同材料形成的第一至第三選路層156a、156b與156c其中之一。就是說，第二導電層形成的第二橋154b係與第二選路層156b同時形成，以及第三導電層形成的第一橋152b係與第三選路層156c同時形成。
圖12係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖，以及圖13A至13C係為圖12所示的選路線之剖面示意圖。
除了順序地堆疊第一選路層156a即透明導電層與第二選路層156b即不透明的導電層而形成第一選路線156與第二選路線186的每一個，以及第二不透明的導電層形成的第二橋154b堆疊於第一透明導電層形成的第一橋152b上從而對應第一選路層156a與第二選路層156b的堆疊順序以外，圖12所示的有機發光顯示器與圖2及圖3所示的有機發光顯示器相同。因此，與圖2及圖3所示的有機發光顯示器的元件實質相同的圖12所示的有機發光顯示器的元件的詳細描述被認為沒有必要，所以將被省略。
第一橋152b以及第一觸控電極152e與第二觸控電極154e係由無機封裝層146上的第一透明導電層形成。
第二橋154b由位於比封裝部140更高位置的觸控絕緣膜168上的第二不透明導電層形成。第二橋154b透過穿透觸控絕緣膜168的觸控接觸孔150導電連接第二觸控電極154e。
第一選路線156及第二選路線186的每一個中包含的透明的第一選路層156a與不透明的第二選路層156b被堆疊，從而對應形成觸控驅動線152與觸控感測線154的第一透明導電層與第二不透明導電層之堆疊順序。就是說，透過順序地堆疊第一透明導電層形成的第一選路層156a以及第二不透明導電層形成的第二選路層156b，形成第一選路線156與第二選路線186的每一個。
這裡，第一選路層156a由第一導電層形成，第一導電層包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。第二選路層156b從第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個延伸，以及使用鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金由單層結構或多層結構的第二不透明導電層形成。
如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性（例如，蝕刻氣體或蝕刻溶液）相同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有與第一選路層156a相同的線寬，如圖13A代表性所示，或者形成於第一選路層156a上以具有比第一選路層156a更大的線寬，如圖13B代表性所示。因此，可避免利用形成第二選路層156b時使用的蝕刻溶液或蝕刻氣體以蝕刻與第二選路層156b具有相同蝕刻特性的第一選路層156a。
如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性不同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有與第一選路層156a相同或不同的線寬。舉個例子，如圖13C代表性所示，第二選路層156b形成於第一選路層156a上以具有比第一選路層156a更窄的線寬。
因此，第一選路線156與第二選路線186的每一個形成為具有多層結構，以及如果第一選路線156與第二選路線186的每一個中包含的複數個選路導電層的任意其一出現斷裂，則透過剩餘的選路導電層傳送每一觸控驅動脈衝與觸控訊號。
採用與第一選路線156及第二選路線186相同的方式，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個形成為雙層結構。就是說，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個為使用第一與第二導電層堆疊第一與第二焊墊層170a與170b所需要的雙層結構。
如上所述，本揭露這個實施例之有機發光顯示器包含多層結構的第一選路線156與第二選路線186，由此避免第一選路線156與第二選路線186的斷裂。另外，本發明之有機發光顯示器中，雖然觸控螢幕透過黏合劑被接合至傳統的有機發光顯示器，但是觸控電極152e與154e直接堆疊於封裝部140上，沒有單獨的接合製程，由此簡化了整個製造製程且降低了製造成本。
圖14A至14D係為圖12所示有機發光顯示器之製造方法之示意圖。
首先，第一導電層透過沈積製程被沈積於封裝部140的整個表面上，然後，透過使用第三遮罩的光刻製程與蝕刻製程，將第一導電層圖案化。因此，第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路層156a與第一焊墊層170a形成於封裝部140上，如圖14A代表性所示。這裡，第一導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
此後，透過使用金屬遮罩的沈積製程，透過在其上形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111上沈積無機或有機絕緣材料，形成暴露第二選路層156b與第二焊墊層170b的觸控絕緣膜168。此後，透過使用第二遮罩之光刻製程與蝕刻製程，透過將觸控絕緣膜168圖案化形成觸控接觸孔150，如圖14B代表性所示。
此後，透過沈積製程，第二導電層被沈積於其上形成具有觸控接觸孔150的觸控絕緣膜168的基板111的整個表面上，然後，透過使用第三遮罩的光刻製程與蝕刻製程，將第二導電層圖案化。因此，第二橋154b、第二選路層156b與第二焊墊層170b形成於觸控絕緣膜168上，如圖14C代表性所示。這裡，使用具有高耐蝕性與高耐酸性的金屬比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第二導電層形成為具有單層結構或多層結構。
此後，有機絕緣材料被施加至其上形成有第二橋154b、第二選路層156b與第二焊墊層170b的基板111的整個表面上，然後，透過使用第四遮罩的光刻製程與蝕刻製程，將有機絕緣材料圖案化。因此，形成觸控保護膜190，以暴露觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個的第二焊墊層170b，如圖14D代表性所示。
如上所述，本發明之這個實施例中，第一橋152b與位於下層的第一導電層形成的第一選路層156a係同時形成，以及第二橋154b與位於上層的第二導電層形成的第二選路層156b係同時形成。
圖15係為本揭露再一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖，以及圖16A與16D係為實施例之圖15所示選路線之剖面示意圖。
除了順序地堆疊第一選路層156a即透明導電層、第二選路層156b即不透明導電層與第三選路層156c即透明導電層而形成第一選路線156與第二選路線186的每一個，以及第三透明導電層形成的第二橋154b堆疊於第一透明導電層形成的第一橋152b上從而對應第一選路線156與第二選路線186之透明導電層之堆疊順序以外，圖15所示的有機發光顯示器與圖2及圖3所示的有機發光顯示器相同。因此，與圖2及圖3所示的有機發光顯示器的元件實質相同的圖15所示有機發光顯示器的元件的詳細描述被認為沒有必要，所以將被省略。
第一橋152b以及第一觸控電極152e與第二觸控電極154e由無機封裝層146上的第一透明導電層形成。
第二橋154b由位於比封裝部140高的位置處的觸控絕緣膜168上的第三透明導電層形成。第二橋154b被形成為穿透觸控絕緣膜168的觸控接觸孔150暴露，且導電連接第二觸控電極154e。
第一選路線156與第二選路線186的每一個係透過順序地堆疊第一透明導電層形成的第一選路層156a、第二不透明導電層形成的第二選路層156b以及第三透明導電層形成的第三選路層156c而形成。
這裡，第一選路層156a從第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個延伸，以及由包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物的第一導電層形成。第二選路層156b係使用鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金由具有單層結構或多層結構的第二不透明導電結構形成。第三選路層156c由包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物的第三導電層形成。
如果第二選路層156b與第三選路層156c的材料的蝕刻特性（比如，蝕刻氣體或蝕刻溶液）相同，則第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有與第二選路層156b相同的線寬，如圖16A代表性所示，或者第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有比第二選路層156b更大的線寬，如圖16B代表性所示。如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性不同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有與第一選路層156a相同或不同的線寬。舉個例子，如圖16C與16D代表性所示，第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有比第一選路層156a更窄的線寬。
另外，如果第二選路層156b與第三選路層156c的材料的蝕刻特性（比如，蝕刻氣體或蝕刻溶液）相同，則第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有與第二選路層156b相同的線寬，如圖16A代表性所示，或者形成於第二選路層156b上，以具有比第二選路層156b更大的線寬，如圖16B與圖16C代表性所示。如果第二選路層156b與第三選路層156c的材料的蝕刻特性不同，則第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有與第二選路層156相同或不同的線寬。舉個例子，第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有比第二選路層156b更窄的線寬。
因此，第一選路線156與第二選路線186的每一個形成為具有多層結構，以及如果第一選路線156與第二選路線186的每一個中包含的複數個選路導電層的任意其一出現斷裂，則透過剩餘的選路導電層傳送觸控驅動脈衝與觸控訊號的每一個。
採用與第一選路線156及第二選路線186相同的方式，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個形成為具有三層結構。就是說，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個具有使用第一至第三導電層透過堆疊第一至第三焊墊層170a至170c所獲得的三層結構。
如上所述，本揭露這個實施例之有機發光顯示器包含多層結構的第一選路線156與第二選路線186，由此避免第一選路線156與第二選路線186的斷裂。另外，本揭露之有機發光顯示器中，雖然觸控螢幕透過黏合劑被接合至傳統的有機發光顯示器，但是觸控電極152e與154e直接堆疊於封裝部140上，沒有單獨的接合製程，由此簡化了整個製造製程且降低了製造成本。
圖17A至17E係為圖15所示有機發光顯示器之製造方法之示意圖。
首先，透過沈積製程，第一導電層被沈積於封裝部140的整個表面上，然後，透過使用第一遮罩之光刻製程與蝕刻製程，將第一導電層圖案化。因此，第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路層156a與第一焊墊層170a形成於封裝部140上，如圖17A代表性所示。這裡，第一導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
此後，透過使用金屬遮罩的沈積製程，透過於其上形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111上沈積無機或有機絕緣材料，形成暴露第二選路層156b與第二焊墊層170b之觸控絕緣膜168。此後，透過使用第二遮罩的光刻製程與蝕刻製程，透過將觸控絕緣膜168圖案化形成觸控接觸孔150，如圖17B代表性所示。
此後，透過沈積製程，第二導電層被沈積於其上形成有具有觸控接觸孔150的觸控絕緣膜168的基板111的整個表面上，然後，透過使用第三 遮罩的光刻製程與蝕刻製程將第二導電層圖案化。因此，第二選路層156b與第二焊墊層170b形成於觸控絕緣膜168上，如圖17C代表性所示。這裡，使用具有高耐蝕性與高耐酸性的金屬比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第二導電層形成為具有單層結構或多層結構。
此後，第三導電層透過沈積製程被沈積於具有第二選路層156b與第二焊墊層170b的基板111的整個表面上，然後，透過使用第四遮罩的光刻製程與蝕刻製程，將第三導電層圖案化。因此，如圖17D代表性所示，形成第二橋154b、第三選路層156c與第三焊墊層170c。這裡，第三導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
此後，有機絕緣材料被施加至其上形成有第二橋154b、第三選路層156c與第三焊墊層170c的基板111的整個表面上，然後，透過使用第五遮罩的光刻製程與蝕刻製程，將有機絕緣材料圖案化。因此，如圖17E代表性所示，形成觸控保護膜190以暴露觸控驅動墊170與觸控感測墊180每一個的第三焊墊層170c。
如上所述，本發明之這個實施例中，封裝部140上的導電層形成雙層結構，以及第一選路線156與第二選路線186中包含的選路層形成三層結構。這種情況下，封裝部140上的第一與第三導電層的每一個係同時形成為對應導電層的相同材料形成的第一至第三選路層156a、156b與156c其中之一。就是說，第一導電層形成的第一橋152b係與第一選路層156a同時形成，以及第三導電層形成的第二橋154b係與第三選路層156c同時形成。
本揭露之有機發光顯示器包含觸控緩衝膜166，被放置於形成第一橋152b或第二橋154b的第一導電層與封裝部140之間，如圖18代表性所示。觸控緩衝膜166係形成於觸控感測線154與觸控驅動線152的每一個與發光裝置120之間，以及保持觸控感測線154與觸控驅動線152的每一個與陰極126之間至少5微米的距離。因此，觸控感測線154與觸控驅動線152的每一個與陰極126之間的寄生電容被最小化，由此，可避免觸控感測線154與觸控驅動線152的每一個與陰極126間由於兩者之間的耦合導致的相互作用。
另外，雖然這些實施例代表性地描述了有機發光顯示器的第一觸控電極152e與第二觸控電極154e係由板狀透明導電層的第二導電層形成，第一觸控電極152e與第二觸控電極154e也可以形成為網狀（mesh type），如圖19代表性所示。就是說，第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個包含透明導電層1541以及在透明導電層1541的上表面或下表面上形成為網狀的網格金屬膜1542。此外，第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個包含沒有透明導電層1541的網格金屬膜1542，或者包含沒有網格金屬膜1542的透明導電層1541。這裡，網格金屬膜1542具有比透明導電層1541更高的導電率，由此形成低電阻電極作為第一觸控電極152e與第二觸控電極154e。因此，第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的電阻與電容被降低，且時間常數RC被降低，由此提高觸控靈敏度。另外，網格金屬膜1542具有極細的線寬，由此可避免網格金屬膜1542造成的開口率與透射率的降低。另外，被放置於不同於觸控電極152e與154e的平面上的橋154b包含複數個狹縫151，如圖19代表性所示。因此，與沒有狹縫的橋相比，具有狹縫151的橋154b面積減少。因此，可減少橋154b對外部光線的反射，由此避免降低可見度。具有狹縫151的橋154b係由透明導電層或者不透明的導電層形成。如果橋154b由不透明的導電層形成，則橋154b與護堤重疊，由此避免降低開口率。
從以上描述顯然可知，本揭露之具有觸控感測器之有機發光顯示器包含具有多層結構之第一與第二選路線，由此，可避免第一與第二選路線的斷裂。另外，本揭露之有機發光顯示器中，觸控電極無須黏合劑被直接放置於封裝部內，由此省略了單獨的接合製程，從而簡化整個製造製程且降低製造成本。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
111‧‧‧基板
112‧‧‧閘極絕緣膜
114‧‧‧鈍化膜
116‧‧‧平坦化膜
120‧‧‧發光裝置
122‧‧‧陽極
124‧‧‧有機發光層
126‧‧‧陰極
128‧‧‧護堤
130‧‧‧驅動電晶體
132‧‧‧閘極
134‧‧‧半導體層
136‧‧‧源極
138‧‧‧汲極
140‧‧‧封裝部
142‧‧‧無機封裝層
144‧‧‧有機封裝層
146‧‧‧無機封裝層
VDD‧‧‧高電壓
VSS‧‧‧低電壓
DL‧‧‧資料線
SL‧‧‧掃描線
T1‧‧‧切換電晶體
T2‧‧‧驅動電晶體
Cst‧‧‧儲存電容器
Cm‧‧‧互電容
PXL‧‧‧子畫素
R‧‧‧紅色
G‧‧‧綠色
B‧‧‧藍色
W‧‧‧白色
150‧‧‧觸控接觸孔
151‧‧‧狹縫
152‧‧‧觸控驅動線
152a‧‧‧輔助橋
152b‧‧‧第一橋
152e‧‧‧觸控電極
154‧‧‧觸控感測線
154b‧‧‧第二橋
154e‧‧‧觸控電極
1541‧‧‧透明導電層
1542‧‧‧網格金屬膜
156‧‧‧第一選路線
156a‧‧‧第一選路層
156b‧‧‧第二選路層
156c‧‧‧第三選路層
166‧‧‧觸控緩衝膜
168‧‧‧觸控絕緣膜
170‧‧‧觸控驅動墊
170a‧‧‧第一焊墊層
170b‧‧‧第二焊墊層
170c‧‧‧第三焊墊層
180‧‧‧觸控感測墊
186‧‧‧第二選路線
190‧‧‧觸控保護膜
圖1係為本揭露一個實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之透視圖。
圖2係為本揭露一個實施例之圖1所示有機發光顯示器之平面示意圖。
圖3係為本揭露一個實施例之沿圖2之線I1-I1’與I2-I2’之有機發光顯示器之剖面示意圖。
圖4A至4C係為不同實施例之圖3所示的選路線之剖面示意圖。
圖5A至5D係為本揭露一個實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之製造方法之示意圖。
圖6係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面示意圖。
圖7係為本揭露一個實施例之沿圖6之線II1-II1’與II2-II2’之有機發光顯示器之剖面示意圖。
圖8A與8B係為不同實施例之圖7所示選路線之剖面示意圖。
圖9A至9D係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之製造方法之示意圖。
圖10係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖。
圖11A至11E係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之製造方法之示意圖。
圖12係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖。
圖13A至13C係為本揭露一個實施例之圖12所示的選路線之剖面示意圖。
圖14A至14D係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之製造方法之示意圖。
圖15係為本揭露再一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖。
圖16A與16D係為不同實施例之圖15所示選路線之剖面示意圖。
圖17A至17E係為本揭露再一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之製造方法之示意圖。
圖18係為本揭露之具有觸控緩衝膜之有機發光顯示器之剖面示意圖。
圖19係為另一實施例之有機發光顯示器之第一與第二觸控電極之示意圖。

Claims (40)

  1. 一種顯示裝置，包含：一發光裝置，放置於一基板上；一封裝單元，放置於該發光裝置上；複數個觸控電極，放置於該封裝單元上；以及一選路線，該選路線連接該等觸控電極，該選路線所具之結構中堆疊有複數個導電膜，其中該等導電膜中之至少一個導電膜具有一多層結構。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該等觸控電極包含：複數個第一觸控電極，沿一第一方向放置，該等第一觸控電極透過一第一橋相互連接；以及複數個第二觸控電極，沿與該第一方向交叉的一第二方向放置，該等第二觸控電極透過一第二橋相互連接。
  3. 如請求項2所述之顯示裝置，還包含：一觸控絕緣膜，放置於該第一橋與該第二橋之間，其中該等第一觸控電極、該等第二觸控電極及該第一橋放置於該封裝單元上；該第二橋放置於該觸控絕緣膜上，並且該第二橋連接於透過貫穿該觸控絕緣膜之多個觸控接觸孔所曝露出之該等第二觸控電極。
  4. 如請求項3所述之顯示裝置，更包含︰一輔助橋，該輔助橋放置於該第一橋與該封裝單元之間，該輔助橋連接於該第一橋。
  5. 如請求項2所述之顯示裝置，還包含：一觸控絕緣膜，放置於該第一橋與該第二橋之間，其中該第二橋放置於該封裝單元上，該等第一觸控電極、該等第二觸控電極及該第一橋放置於該觸控絕緣膜上；該等第二觸控電極連接於透過貫穿該觸控絕緣膜之一觸控接觸孔所曝露出之該第二橋。
  6. 如請求項3所述之顯示裝置，其中該第二橋放置於該等第一觸控電極、該等第二觸控電極與該封裝單元之間。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該等導電膜中之至少一個導電膜所具有之多層結構包含鋁、鈦、銅、鉬、氧化銦錫及氧化銦鋅中之至少一種。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該等導電膜中之至少一個導電膜包含：鈦／鋁／鈦或鉬／鋁／鉬中之一種。
  9. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該等第一觸控電極、該等第二觸控電極、該第一橋與該第二橋中的至少一個包含一網格導電膜，該網格導電膜中具有一開口。
  10. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該網格導電膜與一護堤重疊，該護堤用於定義該發光裝置之一發光區域。
  11. 如請求項10所述之顯示裝置，其中該開口與該發光區域重疊。
  12. 如請求項10所述之顯示裝置，其中放置該護堤，藉以使該開口呈菱形。
  13. 如請求項10所述之顯示裝置，其中沿該護堤放置該網格導電膜。
  14. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該選路線沿該封裝單元之一側面放置。
  15. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該選路線與該封裝單元之一側面相接觸。
  16. 如請求項1所述之顯示裝置，還包含：一觸控緩衝膜，位於該封裝單元與該等觸控電極之間。
  17. 如請求項16所述之顯示裝置，其中該選路線沿該觸控緩衝膜之一側面放置。
  18. 如請求項16所述之顯示裝置，其中該選路線與該觸控緩衝膜之一側面相接觸。
  19. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示裝置係可折疊且可彎曲的。
  20. 如請求項19所述之顯示裝置，其中該顯示裝置之可折疊且可彎曲的一區域內放置有一有機層。
  21. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該選路線之結構中有堆疊的複數個選路層，該等選路層包含有一上選路層與一下選路層。
  22. 如請求項21所述之顯示裝置，其中該上選路層之寬度與該下選路層之寬度不同，並且該上選路層之厚度與該下選路層之厚度不同。
  23. 如請求項22所述之顯示裝置，其中該下選路層之寬度大於該上選路層之寬度，並且該上選路層之厚度大於該下選路層之厚度。
  24. 如請求項22所述之顯示裝置，其中該第一橋與該第二橋中的一個與該下選路層形成於同一層上且由相同之材料形成，該第一橋與該第二橋中的另一個與該上選路層形成於同一層上且由相同之材料形成。
  25. 如請求項21所述之顯示裝置，還包含：一觸控墊，連接於該選路線，其中該上選路層或該下選路層中的至少一個連接於該觸控墊。
  26. 如請求項21所述之顯示裝置，其中該上選路層與該下選路層於該封裝單元之至少一部分上相互重疊。
  27. 如請求項21所述之顯示裝置，還包含：一層間膜，該層間膜位於該上選路層與該下選路層之間。
  28. 如請求項27所述之顯示裝置，其中該層間膜包含一透明導電膜與一透明絕緣膜中之一個。
  29. 如請求項27所述之顯示裝置，其中該上選路層、該下選路層與該層間膜中的至少一個包含：鈦／鋁／鈦或鉬／鋁／鉬中之一種。
  30. 如請求項2所述之顯示裝置，還包含：一觸控墊，連接於該選路線，其中該觸控墊之結構中具有堆疊的複數個焊墊層。
  31. 如請求項30所述之顯示裝置，其中該等焊墊層中之至少一個焊墊層具有一多層結構。
  32. 如請求項30所述之顯示裝置，其中該等焊墊層中之至少一個焊墊層包含：鈦／鋁／鈦或鉬／鋁／鉬中之一種。
  33. 如請求項30所述之顯示裝置，其中該第一橋或該第二橋中的至少一個與該等焊墊層中之至少一個焊墊層形成於同一層上且由相同之材料形成。
  34. 如請求項30所述之顯示裝置，其中該等選路線中沿該顯示裝置之左側與右側延伸至該觸控墊之選路線的數量與其中該等選路線中沿該顯示裝置之上方與下方延伸至該觸控墊之選路線的數量相等或不同。
  35. 如請求項30所述之顯示裝置，還包含：一薄膜電晶體，連接於該發光裝置，其中該薄膜電晶體包含：一閘極，置於該基板上；一主動層，置於該閘極之上或該閘極之下；一源極，連接於該主動層；以及一汲極，連接於該主動層。
  36. 如請求項35所述之顯示裝置，其中位於該基板之外邊緣的該選路線與該觸控墊放置於位於該發光裝置與該基板間之複數個絕緣膜上。
  37. 如請求項36所述之顯示裝置，其中該等絕緣膜包含：一閘極絕緣膜，置於該薄膜電晶體之該閘極與該主動層上；一鈍化膜，置於該薄膜電晶體之該源極、該汲極與該主動層之間；以及一平坦化層，置於該源極與該汲極上。
  38. 如請求項37所述之顯示裝置，其中該選路線與該閘極絕緣膜、該鈍化膜、用於對該發光裝置之該發光區域進行定義的一護堤、該平坦化層或該基板之外邊緣的該封裝單元中的至少一個相重疊。
  39. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該基板與該選路線間之距離小於該基板與該等觸控電極間之距離。
  40. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該封裝單元包含：相對的一第一無機封裝層與一第二無機封裝層，該第一無機封裝層與一第二無機封裝層之間放置有一有機封裝層，該第二無機封裝層覆蓋該有機封裝層之上表面與側面，並且該有機封裝層覆蓋該第一無機封裝層之上表面與側面。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101908982B1 (ko) 2016-08-31 2018-10-17 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
KR102330862B1 (ko) * 2017-04-27 2021-11-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110730983B (zh) * 2017-06-07 2021-11-23 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法、显示设备的制造装置
JP6886907B2 (ja) * 2017-10-31 2021-06-16 日本航空電子工業株式会社 タッチパネル及びタッチパネルの生産方法
KR102570978B1 (ko) * 2018-04-18 2023-08-25 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치
KR102593459B1 (ko) 2018-04-18 2023-10-24 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치
KR102577674B1 (ko) 2018-07-04 2023-09-15 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20200057872A (ko) * 2018-11-16 2020-05-27 삼성디스플레이 주식회사 터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치
CN109614005A (zh) * 2018-11-30 2019-04-12 武汉华星光电技术有限公司 触控显示面板及触控显示装置
KR20200092535A (ko) * 2019-01-24 2020-08-04 삼성디스플레이 주식회사 터치 감지 유닛과 그를 포함하는 표시 장치
KR20200100894A (ko) 2019-02-18 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서
KR20200109416A (ko) * 2019-03-12 2020-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20220216244A1 (en) * 2019-04-09 2022-07-07 Ams Ag On-chip integration of indium tin oxide (ito) layers for ohmic contact to bond pads
KR20200124371A (ko) 2019-04-23 2020-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200136549A (ko) 2019-05-27 2020-12-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN110544714B (zh) * 2019-09-27 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR20210057862A (ko) 2019-11-12 2021-05-24 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210059239A (ko) 2019-11-15 2021-05-25 엘지디스플레이 주식회사 터치 일체형 표시장치 및 이의 제조 방법
KR102256917B1 (ko) * 2019-12-11 2021-05-27 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치
KR20210083005A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 패널
KR20210085388A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치
KR20220097048A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치
KR20220115658A (ko) * 2021-02-08 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
CN113495388B (zh) * 2021-06-30 2023-12-01 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
KR20230051336A (ko) * 2021-10-08 2023-04-18 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI390433B (zh) * 2008-12-04 2013-03-21 Wintek Corp 觸控式顯示面板
KR20120062341A (ko) * 2010-12-06 2012-06-14 한국전자통신연구원 산화인듐아연 투명 도전막 및 이의 제조방법
KR20130110539A (ko) * 2012-03-29 2013-10-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN109407862B (zh) * 2012-04-10 2022-03-11 傲迪司威生物识别公司 生物计量感测
KR101373044B1 (ko) 2012-04-19 2014-03-11 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
KR101937258B1 (ko) * 2012-09-04 2019-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101469487B1 (ko) * 2012-09-18 2014-12-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TW201422072A (zh) 2012-11-22 2014-06-01 Wintek Corp 周邊線路結構
US9853092B2 (en) * 2012-11-30 2017-12-26 Lg Display Co., Ltd. OLED display device having touch sensor and method of manufacturing the same
TWI595386B (zh) * 2012-12-12 2017-08-11 富元精密科技股份有限公司 觸控面板及其製造方法
KR101980766B1 (ko) * 2012-12-27 2019-05-21 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 내장형 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR102076838B1 (ko) * 2013-06-26 2020-02-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 다이오드 표시장치
KR102107107B1 (ko) * 2013-07-25 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널, 터치 스크린 패널 일체형 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
TW201520845A (zh) * 2013-11-29 2015-06-01 Wintek Corp 觸控面板
KR102193454B1 (ko) * 2013-12-30 2020-12-21 엘지디스플레이 주식회사 터치패널과 그 제조 방법
CN203746036U (zh) * 2014-01-24 2014-07-30 胜华科技股份有限公司 触控板
TWM483482U (zh) 2014-03-12 2014-08-01 Superc Touch Corp 以顯示資料線作為觸控感應連接線之內嵌顯示觸控結構
CN103901690A (zh) 2014-03-20 2014-07-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102223489B1 (ko) * 2014-07-07 2021-03-05 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널의 구동 장치
KR102251775B1 (ko) * 2014-07-18 2021-05-12 삼성전자주식회사 전극 구조체 및 이를 사용하는 접촉 감지 센서
CN104157674A (zh) * 2014-08-05 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 具触摸功能的有机发光显示器件及其制作方法、显示装置
KR102173545B1 (ko) * 2014-08-05 2020-11-04 엘지디스플레이 주식회사 인 셀 타입의 터치 구조를 갖는 유기발광표시장치
US9958973B2 (en) * 2014-10-24 2018-05-01 Lg Display Co., Ltd. Touch panel and touch panel-integrated organic light emitting display device
KR102295584B1 (ko) * 2014-10-31 2021-08-27 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 내장형 유기 발광 표시 장치
KR102264760B1 (ko) * 2014-11-26 2021-06-14 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102312260B1 (ko) * 2015-01-09 2021-10-13 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 터치 패널 및 플렉서블 표시 장치
KR102312314B1 (ko) * 2015-01-28 2021-10-13 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 장치 및 그 제조 방법
KR102338941B1 (ko) * 2015-05-28 2021-12-14 엘지디스플레이 주식회사 지문센서 일체형 터치 스크린 패널
KR102438247B1 (ko) * 2015-09-07 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101908982B1 (ko) * 2016-08-31 2018-10-17 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

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