CN104157674A - 具触摸功能的有机发光显示器件及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种具触摸功能的有机发光显示器件及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的液晶显示触摸屏上第一电极和第二电极的电阻值偏大的问题。一种具触摸功能的有机发光显示器件，包括对盒的阵列基板和封装基板，阵列基板上形成有薄膜晶体管以及有机发光器件，阵列基板和/或封装基板上形成有互不接触的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别为驱动电极和感应电极；形成第一电极和/或第二电极的材料包括拓扑绝缘体，第一电极和/或第二电极具有二维纳米结构，且由拓扑绝缘体形成的二维纳米结构的第一电极和/或第二电极通过黏着层粘附在阵列基板和/或封装基板上。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种具触摸功能有机发光显示器件及其制作方法、显示装置。
背景技术
触摸屏(touch screen)又称为“触控屏”，是目前最简单、方便、自然的一种人机交互方式。它赋予了多媒体以崭新的面貌，是极富吸引力的全新多媒体交互设备。
早期的具有触摸功能显示屏包括触摸面板和显示面板，且触摸面板和显示面板是分开的。现有的具有触摸功能的显示屏一般是将触摸面板和液晶显示面板一体化。
以具有触摸功能的OLED(Organic Light)Emitting Diode(有机发光二极管)显示屏为例，显示屏包括阵列基板和封装基板，其中，阵列基板上一般形成有薄膜晶体管、有机发光器件以及可实现触摸功能的触控电极。其中，有机发光器件包括：阳极、阴极以及有机功能层构成有机发光器件，其主要的工作原理是有机功能层在阳极和阴极所形成电场的驱动下，通过载流子注入和复合而导致发光，以实现显示。
如图1所示，触控电极包括第一电极27和第二电极28，其中，第一电极27沿第一方向101形成多排，第二电极28沿第二方向102形成多排。如图2所示，第二绝缘层29位于第一电极27和第二电极28之间，以使得第一电极27和第二电极28互不接触。如图3所示，以电容式触摸面板为例，当手指30触摸屏幕时，触摸位置处的第一电极27和第二电极28的电容会发生变化，从而可以检出触控位置，实现触摸功能。
现有触控电极一般是通过透明导电氧化物(transparent conductiveoxide，TOC)形成，例如用ITOIIndium tin oxide，氧化铟锡)形成第一电极和第二电极。ITO薄膜电阻值偏大，因此触控响应速率慢且容易发热，功耗较大。
发明内容
本发明的实施例提供一种具触摸功能的有机发光显示器件及其制作方法、显示装置，解决了现有的有机发光显示器件上触控电极的电阻值偏大的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例提供了一种具触摸功能的有机发光显示器件，包括对盒的阵列基板和封装基板，所述阵列基板上形成有薄膜晶体管以及有机发光器件，所述阵列基板和/或所述封装基板上形成有互不接触的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别为驱动电极和感应电极；
形成所述第一电极和/或所述第二电极的材料包括拓扑绝缘体，所述第一电极和/或所述第二电极具有二维纳米结构，且由拓扑绝缘体形成的二维纳米结构的第一电极和/或第二电极通过黏着层粘附在所述阵列基板和/或所述封装基板上。
本发明实施例提供了一种具触摸功能的有机发光显示器件的制作方法，所述方法包括：
利用拓扑绝缘体形成二维纳米结构的第一电极图案和/或第二电极图案；
形成阵列基板和封装基板，包括：将所述第一电极图案和/或所述第二电极图案通过黏着层粘附在阵列基板的第一衬底上和/或封装基板的第二衬底上，以在所述阵列基板和/或所述封装基板上形成互不接触的第一电极和第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极分别为驱动电极和感应电极；
将所述阵列基板和所述封装基板对盒。
本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的任一所述的具有触摸功能的有机发光显示器。
本发明的实施例提供一种具触摸功能的有机发光显示器及其制作方法、显示装置，所述具有触摸功能的有机发光显示器，包括有互不接触的第一电极和第二电极，所述第一电极和/或所述第二电极为二维纳米结构的拓扑绝缘体，相对于现有的由ITO或金属形成的电极，大大减小了电极的电阻，进而可以提高触控响应速率，且二维纳米结构的拓扑绝缘体形成的电极使用时间再长也不会发热，不仅可以减小功耗，还可以避免温度高影响其他器件的性能的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的触控电极示意图；
图2为图1所示的触控电极截面示意图；
图3为电容式触摸面板的触摸原理示意图；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板示意图；
图5为本发明实施例提供的一种封装基板示意图；
图6为本发明实施例提供的一种具有触控功能的有机发光显示器件示意图；
图7为本发明实施例提供的一种形成具有触控功能的有机发光显示器件的制作方法示意图；
图8为本发明实施例提供的一种形成二维纳米结构的拓扑绝缘体的第一电极制作方法示意图；
图9为本发明实施例提供的一种形成阵列基板的制作方法示意图；
图10为本发明实施例提供的一种形成封装基板的制作方法示意图；
图11为本发明实施例提供的一种形成封装基板和封装基板的制作方法示意图；
图12为图9所示的阵列基板封装后的有机发光显示器件示意图。
附图标记：
10-第二衬底；100-封装基板；20-第一衬底；21-薄膜晶体管；23-阳极；24-发光功能层；25-阴极；26-钝化层；27-第一电极；28-第二电极；29-绝缘层；30-阻隔层；40-黏着层；200-阵列基板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
拓扑绝缘体(topological insulator)是近年来新认识到的一种物质形态。拓扑绝缘体的体能带结构和普通绝缘体一样，都在费米能级处有一有限大小的能隙，但是在它的边界或表面却是无能隙的、狄拉克(Dirac)型、自旋非简并的导电的边缘态，这是它有别于普通绝缘体的最独特的性质。这样的导电边缘态是稳定存在的，信息的传递可以通过电子的自旋，而不像传统材料通过电荷，因此，拓扑绝缘体的导电性能更好且不涉及耗散即不发热。
本发明实施例提供了一种具触摸功能的有机发光显示器件，包括对盒的阵列基板和封装基板，其中，阵列基板上形成有薄膜晶体管以及有机发光器件，阵列基板和/或封装基板上形成有互不接触的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别为驱动电极和感应电极；
形成第一电极和/或第二电极的材料包括拓扑绝缘体，第一电极和/或第二电极具有二维纳米结构，且由拓扑绝缘体形成的二维纳米结构的第一电极和/或第二电极通过黏着层粘附在阵列基板和/或封装基板上。
其中，形成第一电极和/或第二电极的材料包括拓扑绝缘体，即形成第一电极和/或第二电极的材料可以仅包括拓扑绝缘体，还可以是拓扑绝缘体和聚合物等形成的混合材料，本发明实施例均以形成第一电极和/或第二电极的材料为拓扑绝缘体为例进行详细说明。
形成第一电极和/或第二电极的材料包括拓扑绝缘体，第一电极和/或第二电极具有二维纳米结构，即第一电极和/或第二电极为二维纳米结构的拓扑绝缘体。可以是仅第一电极为二维纳米结构的拓扑绝缘体；或者，仅第二电极为二维纳米结构的拓扑绝缘体；还可以是第一电极和第二电极均为二维纳米结构的拓扑绝缘体。本发明实施例以所述第一电极和第二电极均为二维纳米结构的拓扑绝缘体为例进行详细说明。
二维纳米结构的拓扑绝缘体，即由拓扑绝缘体形成的纳米尺寸厚度的膜，可以是由拓扑绝缘体形成的二维纳米薄膜、二维纳米薄片、二维纳米带等。二维纳米结构的拓扑绝缘体具有超高比表面积和能带结构的可调控性，能显著降低体态载流子的比例和凸显拓扑表面态，进而导电性能更好。
可选的，二维纳米结构还可以为二维条带状纳米结构或为二维菱形纳米结构。当然，二维纳米结构还可以是二维网状纳米结构，二维网状纳米结构具有多个阵列排布的网孔。且具体的，网孔为菱形、正四边形或正六边形等。
需要说明的是，二维纳米结构的拓扑绝缘体因其与石墨烯结构类似具有较高的柔韧性，以及基本肉眼不可见的高透过率，使其更适用于显示器件。
其中，阵列基板和/或封装基板上形成有互不接触的第一电极和第二电极，可以是阵列基板上形成有互不接触的第一电极和第二电极；或者，可以是封装基板上形成有互不接触的第一电极和第二电极；还可以是，阵列基板和封装基板上分别形成有互不接触的第一电极和第二电极。具体可以是阵列基板上形成有第一电极，则封装基板上形成有第二电极；或者，可以是阵列基板上形成有第二电极，则封装基板上形成有第一电极。
需要说明的是，阵列基板和封装基板上均还形成有其他的薄膜或层结构等，例如阵列基板上一般还形成有薄膜晶体管以及有机发光器件等，封装基板一般还形成有彩色膜层、黑矩阵等。本发明实施例仅以与本发明的发明点相关的薄膜或层结构为例进行说明。
需要说明的是，所述第一电极和第二电极可以分别为驱动(TouchDriving)电极和感应(Touch Sensing)电极。则当对驱动电极添加驱动信号(Tx)，感应电极接收到感应信号(Rx)，电容式触摸屏通过计算手指触摸前后感应电极与驱动电极构成电容的变化量来判断是否有手指触摸，以实现触摸功能。
本发明实施例提供的一种具有触摸功能的发光显示器件，第一电极和/或第二电极为二维纳米结构的拓扑绝缘体，相对于现有的由ITO或金属形成的电极，大大减小了电极的电阻，进而可以提高触控响应速率，且二维纳米结构的拓扑绝缘体形成的电极使用时间再长也不会发热，不仅可以减小功耗，还可以避免温度高影响其他器件的性能的问题。
可选的，拓扑绝缘体包括HgTe、BixSb1-x、Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3、TlBiTe2、TlBiSe2、Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4、AmN、PuTe、单层锡以及单层锡变体材料中的至少一种。
其中，Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5以及Ge1Bi2Te4属于硫属化物。AmN以及PuTe属于具有强相互作用的拓扑绝缘体。当然，拓扑绝缘体还可以是三元赫斯勒化合物等其他材料。
具体的，拓扑绝缘体包括HgTe、BixSb1-x、Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3、TlBiTe2、TlBiSe2、Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4、AmN、PuTe、单层锡以及单层锡变体材料中的至少一种，即拓扑绝缘体可以为HgTe或BixSb1-x或Sb2Te3或Bi2Te3或Bi2Se3或TlBiTe2或TlBiSe2或Ge1Bi4Te7或Ge2Bi2Te5或Ge1Bi2Te4或AmN或PuTe或单层锡或单层锡变体材料。还可以是上述材料中的多种形成的混合材料，例如可以是上述材料中的两种形成的混合材料。当然，也可以是上述材料中的三种形成的混合材料等。且当拓扑绝缘体为至少两种材料形成的混合材料，则还可以通过选择具有互补特性的材料混合，以提高混合后材料的特性。
优选的，拓扑绝缘体为单层锡或单层锡的变体材料。单层锡为只有一个锡原子厚度的二维材料，原子层厚度的级别使其具有较好的光透过率；与石墨烯类似，具有较好的韧性，且透过率高。
单层锡原子在常温下导电率可以达到100％，可能成为一种超级导体材料。具体的，单层锡的变体材料是通过对单层锡进行表面修饰或磁性掺杂形成。其中，对单层锡进行表面修饰可以是对单层锡添加-F,-Cl,-Br,-I和–OH等功能基实现其改性。
进一步优选的，单层锡的变体材料为对单层锡进行氟原子的表面修饰，形成的锡氟化合物。当添加F原子到单层锡原子结构中时，单层锡在温度高达100℃时导电率也能达到100％，且性质依然稳定。
下面将具体说明第一电极位于所述阵列基板，第二电极位于封装基板；或，第一电极和第二电极均位于阵列基板；或，第一电极和第二电极均位于封装基板的几种常见情况。其中，第一电极和第二电极均为二维纳米结构的拓扑绝缘体。
第一电极和第二电极均形成于阵列基板，如图4所示，阵列基板200的第一衬底20上形成有第一电极27和第二电极28，第一电极27形成于薄膜晶体管21以及有机发光器件(包括阴极23、发光功能层24以及阳极25)的上面，且通过钝化层26相互绝缘；第二电极28形成于第一电极27的上面，且第一电极27与第二电极28之间形成有绝缘层29。第一电极27通过黏着层40粘附在钝化层26上，第二电极28通过黏着层40粘附在绝缘层29上。
优选的，如图4所示，阵列基板200上还形成有阻隔层30，阻隔层30形成于第二电极28的上面。其中，阻隔层30可用作平坦层，还可以用于隔离水汽。
进一步优选的，绝缘层可以是具有黏着特性，则第二电极可以直接黏着在所述绝缘层上。
本发明实施例中的“上”、“下”以制造薄膜或层结构时的先后顺序为准，例如，在上的图案是指相对在后形成的图案，在下的图案是指相对在先形成的图案。
第一电极和第二电极均形成于封装基板，如图5所示，封装基板100的第二衬底10上形成有第一电极27和第二电极28；其中，第一电极27和第二电极28通过绝缘层29互不接触。第一电极27通过黏着层40粘附在第二衬底10上，第二电极28通过黏着层40粘附在绝缘层29上。
优选的，如图5所示，还可以在封装基板100上形成阻隔层30，阻隔层30形成于第二电极28的上面。阻隔层可用作平坦层，还可以用于隔离水汽。
进一步优选的，绝缘层可以是具有黏着特性，则第二电极可以直接黏着在所述绝缘层上。
其中，封装基板可以是在第二衬底(可以是玻璃基板)上形成有彩色膜层和黑矩阵的彩膜基板。
第一电极形成与阵列基板，第二电极均形成于封装基板，如图6所示，第一电极27形成于阵列基板200的薄膜晶体管21以及有机发光器件(包括阴极23、发光功能层24以及阳极25)的上面，且通过钝化层26相互绝缘；第二电极28形成于封装基板100的第二衬底10上，且第二电极28上面形成有绝缘层29。绝缘层29可用于阻隔水汽，还可以用于使得封装基板平坦化。第一电极27通过黏着层40粘附在第一衬底20的钝化层26上，第二电极28通过黏着层40粘附在第二衬底10上。
需要说明的是，第一电极和第二电极分别位于阵列基板和封装基板，其可以根据阵列基板和封装基板上的薄膜，有多种不同形成方式，本发明实施例及附图仅以上述几种为例进行说明。
本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的任一所述的具有触摸功能的发光显示器件。所述显示装置可以为OLED显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
本发明实施例提供了一种具触摸功能的有机发光显示器件的制作方法如图7所示，所述方法包括：
步骤101、利用拓扑绝缘体形成二维纳米结构的第一电极图案和/或第二电极图案。
当有机发光显示器件只有第一电极为二维纳米结构的拓扑绝缘体，则只需要利用拓扑绝缘体形成二维纳米结构的第一电极图案；当有机发光显示器件只有第二电极为二维纳米结构的拓扑绝缘体，则只需要利用拓扑绝缘体形成二维纳米结构的第二电极图案；当有机发光显示器件的第一电极和第二电极均为二维纳米结构的拓扑绝缘体，则利用拓扑绝缘体形成二维纳米结构的第一电极图案和第二电极图案。
具体的，以利用拓扑绝缘体形成二维纳米结构的第一电极图案为例，具体说明上述步骤101的制作方法，如图8所示，包括：
步骤1011、对基底进行图案化刻蚀，形成对应第一电极的图案。
具体的，基底可以是云母，还可以是SrTiO3(111)，以及通过分子束外延法可在其表面生长拓扑绝缘体薄膜的其他基底。本发明实施例中以所述基底为云母为例进行详细说明。
具体对基底进行图案化刻蚀形成对应第一电极的图案，可以是采用与第一电极图案相同的掩膜板，在掩膜板的掩膜下对云母基底进行等离子体刻蚀，得到与第一电极图案相同的图案化的云母基底。
步骤1012、在图案化的基底表面形成二维纳米结构的拓扑绝缘体的薄膜。
具体的，在图案化的云母基底表面，通过分子束外延生长Bi2Se3薄膜。当然，还可以生长其他拓扑绝缘体薄膜，本发明实施例以拓扑绝缘体为Bi2Se3为例进行详细说明。
步骤1013、将基底去除，得到第一电极图案。
将云母基底溶解掉，得到二维纳米结构的拓扑绝缘体的第一电极图案。
上述仅以形成二维纳米结构的拓扑绝缘体的第一电极的图案为例，形成二维纳米结构的拓扑绝缘体的第二电极的图案可参考形成第一电极的图案的具体说明，本发明实施例不作赘述。
步骤102、形成阵列基板和封装基板。
具体包括：将第一电极图案和/或第二电极图案通过黏着层粘附在阵列基板的第一衬底上和/或封装基板的第二衬底上，以在阵列基板和/或封装基板上形成互不接触的第一电极和第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极分别为驱动电极和感应电极。
在阵列基板和/或封装基板上形成有第一电极和第二电极，即可以是在阵列基板上形成有第一电极和第二电极；或者，在封装基板上形成有第一电极和第二电极；或者，在阵列基板和封装基板上分别形成有第一电极和第二电极。即可以是在阵列基板上形成有第一电极，则在封装基板上形成有第二电极；或者，在阵列基板上形成有第二电极，则在封装基板上形成有第一电极。
将第一电极图案和/或第二电极图案通过黏着层粘附在阵列基板的第一衬底和/或封装基板的第二衬底上具体包括：在第一电极图案和/或第二电极图案表面形成黏着层，将第一电极图案和/或第二电极图案贴附在阵列基板的第一衬底和/或封装基板的第二衬底对应的第一电极区和/或第二电极区。
以在阵列基板上形成有第一电极为例，即可以是在第一电极图案表面形成黏着层，将第一电极图案形成有黏着层的一侧贴附在阵列基板的第一衬底的第一电极区以形成第一电极。需要说明的是，第一衬底可以是玻璃基板也可以是形成在玻璃基板上的其他薄膜或层结构。
步骤103、将阵列基板和封装基板对盒。
具体的，可以是将阵列基板和封装基板形成有薄膜或器件结构的一侧相对对盒。
下面列举几个具体的实施例以说明上述步骤102的具体制作方法。
如图9所示，形成阵列基板具体包括：
步骤201、在阵列基板的第一衬底上形成薄膜晶体管、有机发光器件以及钝化层。
具体的，在第一衬底上形成薄膜晶体管、有机发光器件以及钝化层可以参照现有的制作方法。
步骤202、将第一电极黏着在第一衬底上。
具体可以是在第一电极图案表面形成黏着层，将第一电极图案贴附在第一衬底上的钝化层对应的第一电极区。
步骤203、在第一电极上形成绝缘层。
具体的，绝缘层可以是通过沉积等方式形成。
步骤204、在绝缘层上形成第二电极。
具体的，可以是在第二电极图案表面形成黏着层，将第二电极图案贴附在第一衬底上绝缘层对应的第二电极区。或者，若绝缘层具有黏着特性，则可以将第二电极贴附在绝缘层上。
步骤205、在第二电极上形成阻隔层。
即通过上述步骤201-205可以形成如图4所示的阵列基板200，则可以通过玻璃基板(即封装基板100)对阵列基板200进行封装，以形成如图12所示的有机发光显示器件。
如图10所示，形成封装基板具体包括：
步骤301、将第一电极黏着在封装基板的第二衬底上。
具体可以是在第一电极图案表面形成黏着层，将第一电极图案贴附在第二衬底的第一电极区。
步骤302、在第一电极上形成绝缘层。
具体的，绝缘层可以是通过沉积等方式形成。
步骤303、在绝缘层上形成第二电极。
具体的，可以是在在第二电极图案表面形成黏着层，将第二电极图案贴附在第二衬底上的绝缘层对应的第二电极区。或者，若绝缘层具有黏着特性，则可以将第二电极贴附在绝缘层上。
步骤304、在第二电极上形成阻隔层。
即通过上述步骤301-305可以形成如图5所示的封装基板100，则将图5所示的封装基板用于封装现有的阵列基板，以形成有机发光显示器件。
如图11所示，形成阵列基板和形成封装基板具体包括：
步骤401、在阵列基板的第一衬底上形成薄膜晶体管、有机发光器件以及钝化层。
具体的，在第一衬底上形成薄膜晶体管有机发光器件以及钝化层可以参照现有的制作方法。
步骤402、将第一电极黏着在第一衬底上。
具体可以是在第一电极图案表面形成黏着层，将第一电极图案贴附在第一衬底上的钝化层对应的第一电极区。
步骤403、将第二电极黏着在封装基板的第二衬底上。
具体的，可以是在第二电极图案表面形成黏着层，将第二电极图案贴附在第二衬底的第二电极区。
步骤404、在第二电极上形成绝缘层。
具体的，绝缘层可以是通过沉积等方式形成。
即通过上述步骤401-404可以形成如图6所示的阵列基板200和封装基板100，则将阵列基板和封装基板封装，以形成有机发光显示器件。
需要说明的是，本发明实施例提供的具有触控功能的有机发光显示器件的制作方法也不局限于上述具体的步骤，本发明实施例仅以上述为例进行详细说明。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (18)
1.一种具触摸功能的有机发光显示器件，包括对盒的阵列基板和封装基板，所述阵列基板上形成有薄膜晶体管以及有机发光器件，其特征在于，所述阵列基板和/或所述封装基板上形成有互不接触的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极分别为驱动电极和感应电极；
形成所述第一电极和/或所述第二电极的材料包括拓扑绝缘体，所述第一电极和/或所述第二电极具有二维纳米结构，且由拓扑绝缘体形成的二维纳米结构的第一电极和/或第二电极通过黏着层粘附在所述阵列基板和/或所述封装基板上。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，形成所述第一电极和所述第二电极的材料包括拓扑绝缘体，所述第一电极和所述第二电极具有二维纳米结构，所述第一电极和所述第二电极均形成于所述阵列基板具体为：
所述第一电极形成于薄膜晶体管以及有机发光器件的上面；
所述第二电极形成于所述第一电极的上面，且所述第一电极与所述第二电极之间形成有绝缘层。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述有机发光显示器件还形成有阻隔层，所述阻隔层形成于所述第二电极的上面。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，形成所述第一电极和所述第二电极的材料包括拓扑绝缘体，所述第一电极和所述第二电极具有二维纳米结构，所述第一电极和所述第二电极均形成在所述封装基板具体为：
所述第一电极形成于封装基板上；
所述第二电极形成于所述第一电极的上面，且所述第一电极与所述第二电极之间形成有绝缘层。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，形成所述第一电极和所述第二电极的材料包括拓扑绝缘体，所述第一电极和所述第二电极具有二维纳米结构，所述第一电极和所述第二电极分别形成在所述阵列基板和所述封装基板具体为：
所述第一电极形成于阵列基板的薄膜晶体管以及有机发光器件的上面；
所述第二电极形成于封装基板，且所述第二电极上面形成有绝缘层。
6.根据权利要求2-4任一项所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述绝缘层具有黏着特性。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其特征在于，所述拓扑绝缘体包括HgTe、BixSb1-x、Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3、TlBiTe2、TlBiSe2、Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4、AmN、PuTe、单层锡以及单层锡变体材料中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示器件，其特征在于，单层锡的变体材料通过对单层锡进行表面修饰或磁性掺杂形成。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示器件，其特征在于，单层锡的变体材料为对单层锡进行氟原子的表面修饰，形成的锡氟化合物。
10.一种具触摸功能的有机发光显示器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
利用拓扑绝缘体形成二维纳米结构的第一电极图案和/或第二电极图案；
形成阵列基板和封装基板，包括：将所述第一电极图案和/或所述第二电极图案通过黏着层粘附在阵列基板的第一衬底上和/或封装基板的第二衬底上，以在所述阵列基板和/或所述封装基板上形成互不接触的第一电极和第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极分别为驱动电极和感应电极；
将所述阵列基板和所述封装基板对盒。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成阵列基板具体包括：
在阵列基板的第一衬底上形成薄膜晶体管以及有机发光器件；
将第一电极黏着在所述第一衬底上；
在所述第一电极上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二电极；
其中，形成所述第一电极和所述第二电极的材料包括拓扑绝缘体，所述第一电极和所述第二电极具有二维纳米结构。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在第二电极上形成阻隔层。
13.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成封装基板具体包括：
将第一电极黏着在封装基板的第二衬底上；
在所述第一电极上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二电极；
其中，形成所述第一电极和所述第二电极的材料包括拓扑绝缘体，所述第一电极和所述第二电极具有二维纳米结构。
14.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成阵列基板具体包括：
在阵列基板的第一衬底上形成薄膜晶体管以及有机发光器件；
将第一电极黏着在所述第一衬底上；
形成封装基板具体包括：
将第二电极黏着在封装基板的第二衬底上；
在所述第二电极上形成绝缘层；
其中，形成所述第一电极和所述第二电极的材料包括拓扑绝缘体，所述第一电极和所述第二电极具有二维纳米结构。
15.根据权利要求11-13任一项所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘层具有黏着特性。
16.根据权利要求10-14任一项所述的制作方法，其特征在于，所述利用拓扑绝缘体形成二维纳米结构的第一电极图案和/或第二电极图案具体包括：
对基底进行图案化刻蚀，形成对应第一电极的图案和/或第二电极的图案；
在图案化的基底表面形成具有二维纳米结构的拓扑绝缘体的薄膜；
将所述基底去除，得到第一电极图案和/或第二电极图案。
17.根据权利要求10-14任一项所述的制作方法，其特征在于，将所述第一电极图案和/或第二电极图案通过黏着层粘附在阵列基板的第一衬底和/或封装基板的第二衬底上具体包括：
在所述第一电极图案和/或所述第二电极图案表面形成黏着层，将所述第一电极图案和/或所述第二电极图案贴附在所述阵列基板的第一衬底和/或所述封装基板的第二衬底对应的第一电极区和/或第二电极区。
18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的具有触摸功能的有机发光显示器件。
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