TWI635608B - 具有觸控感測器之有機發光顯示器及其製造方法與顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置包含基板、發光裝置、觸控感測器以及複數條選路線。基板包含主動區域與非顯示區域。發光裝置於基板之主動區域中發射光線。基板之主動區域中的觸控感測器感測顯示裝置之觸碰，觸控感測器包含依照堆疊順序排列的複數個導電層。基板之非主動區域中的複數條選路線連接此觸控感測器，這些選路線的每一個包含複數個選路層，這些選路層的每一個由觸控感測器中包含的這些導電層之一個對應導電層之相同材料製成，以及這些選路層係依照與觸控感測器之這些導電層之堆疊順序相同的堆疊順序被排列。

Description

具有觸控感測器之有機發光顯示器及其製造方法與顯示裝置
本揭露係關於一種具有觸控感測器之有機發光顯示器及其製造方法與顯示裝置，特別是一種可實現製程簡化與成本降低之具有觸控感測器之有機發光顯示器及其製造方法與顯示裝置。
觸控螢幕係為一種輸入裝置，使用者利用手或物件透過選擇顯示器的螢幕上顯示的指令而輸入命令。就是說，觸控螢幕將與人手或物件直接接觸的接觸位置轉換為電訊號，以及將接觸位置處選擇的指令接收為輸入信號。這種觸控螢幕代替與顯示器連接且被作業的分離的輸入裝置，比如鍵盤或滑鼠，由此，觸控螢幕的應用已經逐漸增加。
通常，觸控螢幕藉由黏合劑被接合到顯示面板比如液晶顯示面板或有機電激發光面板的正表面。這種情況下，因為觸控螢幕係單獨製造，然後被接合到顯示面板之正表面，額外地進行接合製程，由此整個製造製程變得複雜且製造成本升高。
因此，本揭露涉及一種具有觸控感測器之有機發光顯示器及其製造方法，實質上避免習知技術之限制與缺陷所導致的一或多個問題。
本揭露之目的係提供一種可實現製程簡化與成本降低之具有觸控感測器之有機發光顯示器及其製造方法。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其它優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他優點，現對本發明作具體化和概括性的描述，一種有機發光顯示器包含發光裝置，被放置於顯示影像之基板之主動區域中，放置於發光裝置上的封裝部，封裝部包含複數個無機封裝層與至少一個有機封裝層，放置於封裝部上的複數條觸控感測線與複數條觸控驅動線，這些觸控感測線與這些觸控驅動線在主動區域中彼此交叉，以及這些觸控驅動線與這些觸控感測線各自包含依照堆疊順序排列的複數個導電層，連接這些觸控感測線與這些觸控驅動線的複數條選路線，這些選路線的每一個包含複數個選路層，這些選路層的每一個由這些導電層之一個對應導電層相同的材料製成，以及依照與這些導電層之堆疊順序相同的堆疊順序排列這些選路層。
一種有機發光顯示器之製造方法包含︰形成放置於顯示影像的基板之主動區域中的發光裝置；形成封裝部，封裝部包含位於發光裝置上的複數個無機封裝層與至少一個有機封裝層；以及形成位於封裝部上的複數條觸控感測線、複數條觸控驅動線與複數條選路線，其中這些觸控感測線與這些觸控驅動線在主動區域中彼此交叉，以及這些觸控驅動線與這些觸控感測線各自包含依照堆疊順序排列的複數個導電層；以及其中這些選路線的每一個包含複數個選路層，這些選路層的每一個由這些導電層之一個對應導電層的相同材料製成，以及這些選路層之堆疊順序與這些導電層之堆疊順序相同。
一個實施例中，一種顯示裝置包含︰基板，包含顯示影像的主動區域與不顯示影像的非顯示區域；發光裝置，於基板之主動區域中發射光線；基板之主動區域中的觸控感測器，感測顯示裝置之觸碰，觸控感測器位於發光裝置上方且包含複數個導電層，這些導電層係依照堆疊順序排列；以及基板之非主動區域中的複數條選路線，連接此觸控感測器，這些選路線的每一個包含複數個選路層，這些選路層的每一個由觸控感測器中包含的這些導電層之一個對應導電層之相同材料製成，以及這些選路層係依照與觸控感測器之這些導電層之堆疊順序相同的堆疊順序被排列。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
現在將結合圖式部份對本發明的較佳實施方式作詳細說明。其中在這些圖式部份中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。
圖1係為本揭露一個實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之透視圖。
對於一個觸碰時間週期，透過圖2所示觸控電極與152e與154e，透過感測使用者觸碰導致的互電容Cm的變化，圖1所示的具有觸控感測器之有機發光顯示器感測是否出現使用者觸碰與觸碰位置。另外，透過包含發光裝置120的單元畫素，圖1所示的有機發光顯示器顯示影像。畫素單元包含紅色(R)、綠色(G)與藍色(B)子畫素PXL，或者包含紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)與白色(W)子畫素PXL。
每一子畫素PXL包含畫素驅動電路以及與畫素驅動電路及低電壓VSS線連接的發光裝置120。
畫素驅動電路包含切換電晶體T1、驅動電晶體T2與儲存電容器Cst。
當掃描脈衝被供應至掃描線SL時，切換電晶體T1被打開，以及將被供應至資料線DL之資料信號供應至儲存電容器Cst與驅動電晶體T2之閘極。
驅動電晶體T2控制從高電壓VDD線供應至發光裝置120之電流，由此調整發光裝置120的發光量。另外，甚至如果切換電晶體T1被關閉，透過為儲存電容器Cst充電的電壓，驅動電晶體T2供應指定電流，直到供應下一框的資料訊號為止，由此維持發光裝置120的光發射。
如圖3代表性所示，這種驅動電晶體T2(130)包含閘極132、與閘極132重疊且兩者之間放置閘極絕緣膜112之半導體層134，以及形成於鈍化膜114上且接觸半導體層134之源極136與汲極138。
發光裝置120被放置於基板111的主動區域中，且包含陽極122、形成於陽極122上的有機發光層124，以及形成於有機發光層124上的陰極126。
透過平坦化膜116上形成的畫素接觸孔，陽極122導電連接暴露的驅動電晶體130之汲極138。有機發光層124形成於護堤128所提供的發射區域中的陽極122上。依照正常順序或相反順序，透過在陽極122上堆疊電洞相關層、發光層以及電子相關層，形成有機發光層124。陰極126形成為與陽極122相對，有機發光層124被放置於兩者之間。
封裝部140避免外部水分或氧氣滲透容易被外部水分或氧氣影響的發光裝置120。為了這個目的，封裝部140包含複數個無機封裝層142與146以及放置於無機封裝層142與146之間的有機封裝層144，以及無機封裝層146被放置為最上層。這裡，封裝部140包含至少兩個無機封裝層142與146以及至少一個有機封裝層144。本揭露中，將代表性地說明封裝部140的結構，其中有機封裝層144被放置於第一與第二無機封裝層142與146之間。
第一無機封裝層142形成於具有陰極126的基板111上，從而位於最鄰接發光裝置120的位置。這種第一無機封裝層142由低溫沈積的無機絕緣材料形成，比如氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiON)或氧化鋁(Al2O3)。因此，第一無機封裝層142在低溫大氣壓中被沈積，由此，在第一無機封裝層142之沈積製程期間，可避免容易受到高溫大氣壓影響的有機發光層124被損壞。
有機封裝層144用作緩衝層以減弱有機發光顯示器之彎曲時各層之間的應力，以及加強有機發光顯示器之平坦化性能。有機封裝層144由有機絕緣材料，比如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺(polyimide)、聚乙烯(polyethylene)或碳氧化矽(silicon oxycarbide；SiOC)形成。
第二無機封裝層146形成於其上形成有機封裝層144的基板111上，從而覆蓋有機封裝層144與第一無機封裝層142的上面與側面。因此，第二無機封裝層146最小化或阻擋外部水分或氧氣滲透到第一無機封裝層142與第二無機封裝層146內。這種第二無機封裝層146由無機絕緣材料比如氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiON)或氧化鋁(Al2O3)形成。
如圖2與圖3代表性所示，觸控感測線154與觸控驅動線152被放置於封裝部140上從而彼此交叉，觸控絕緣膜168被放置於兩者之間。
觸控驅動線152包含複數個第一觸控電極152e以及與第一觸控電極152e導電連接的第一橋152b。
第一觸控電極152e透過封裝部140上Y方向中的指定間隔彼此隔開。每一第一觸控電極152e透過第一橋152b導電連接鄰接的第一觸控電極152e。
第一橋152b被放置於與第一觸控電極152e共面的封裝部140上，以及導電連接第一觸控電極152e，沒有單獨的接觸孔。第一橋152b被放置為與護堤128重疊，由此藉由第一橋152b避免開口率的降低。
如果第一橋152b與第一觸控電極152e由透明導電膜形成，在第一橋152b下方形成直接接觸第一橋152b的輔助橋152a。使用具有高導電率的材料比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金（MoTi）至少其一，輔助橋152a由具有單層結構或多層結構的第一導電層形成，以及補償第二導電層即透明導電膜形成的第一橋152b與第一觸控電極152e的電阻。
觸控感測線154包含複數個第二觸控電極154e以及與第二觸控電極154e導電連接的第二橋154b。
第二觸控電極154e在封裝部140上沿X方向依照指定間隔彼此隔開。每一第二觸控電極154e透過第二橋154b導電連接鄰接的第二觸控電極154e。
第二橋154b被放置於觸控絕緣膜168上，以及透過穿過觸控絕緣膜168形成的觸控接觸孔150導電連接暴露的第二觸控電極154e。採用與第一橋152b相同的方式，第二橋154b被放置為與護堤128重疊，由此藉由第二橋154b避免開口率的降低。
如上所述，因為觸控感測線154與觸控驅動線152交叉，兩者之間放置觸控絕緣膜168，在觸控感測線154與觸控驅動線152間的交叉處形成互電容Cm。互電容Cm透過被供應至觸控驅動線152的觸控驅動脈衝被充電，以及被放電至觸控感測線154，由此用作觸控感測器。
透過非主動（邊框）區域中放置的第一選路線156與觸控驅動墊170，本揭露之觸控驅動線152連接觸控驅動單元（圖未示）。因此，第一選路線156將來自觸控驅動墊170的觸控驅動脈衝傳送至觸控驅動線152。另外，透過非主動（邊框）區域中放置的第二選路線186與觸控感測墊180，觸控感測線154連接觸控驅動單元。因此，第二選路線186將來自觸控感測線154的觸控訊號傳送至觸控感測墊180。
觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個被形成以具有三層結構，舉個例子，利用第一至第三導電層透過順序地堆疊第一至第三焊墊層170a、170b與170c而形成。
第一選路線156與第二選路線186的每一個形成具有多層結構，舉個例子，透過順序地堆疊第一至第三選路層156a、156b與156c而形成。這裡，第一至第三選路層156a、156b與156c被堆疊為對應主動區域中封裝部140上放置的複數個導電層的堆疊順序與材料。
就是說，第一不透明導電層形成的輔助橋152a、第二透明導電層形成的第一橋152b，以及第三透明導電層形成的第二橋154b順序地堆疊於主動區域中的封裝部140上。因此，透過順序地堆疊第一不透明導電層形成的第一選路層156a、第二透明導電層形成的第二選路層156b以及第三透明導電層形成的第三選路層156c，形成每一第一選路線156與第二選路線186，從而對應主動區域中封裝部140上的導電層的堆疊順序。
這裡，使用鋁、鈦、銅、鉬、鉬鈦合金，第一選路層156a由具有單層結構或多層結構的第一導電層形成。第二選路層156b從第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個延伸，以及由包含透明導電膜的第二導電層比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物形成。第三選路層156c由第三導電層形成，包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
如果第二選路層156b與第三選路層156c由相同的材料形成，第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有與第二選路層156b相同的線寬，如圖4A與4B代表性所示，或者，第三選路層156c形成於第二選路層156b上以具有比第二選路層156b更大的線寬，從而覆蓋第二選路層156b的上表面，如圖4C代表性所示。因此，可避免形成第三選路層156c時，使用蝕刻溶液或蝕刻氣體蝕刻第三選路層156c之相同材料形成的第二選路層156b。另外，與第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個鄰接的第三選路層156c的側表面被放置於觸控絕緣膜168上。因此，在第三選路層156c之形成期間，觸控絕緣膜168保護第二選路層156b，由此，避免蝕刻第三選路層156c的相同材料形成的第二選路層156b。
另外，如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性（比如，蝕刻氣體或蝕刻溶液）相同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有比第一選路層156a更大的線寬，從而覆蓋第一選路層156a的側表面與上表面，如圖4A與4C代表性所示。因此，可避免形成第二選路層156b時使用蝕刻溶液或蝕刻氣體以蝕刻與第二選路層156b具有相同材料的第一選路層156a。
另外，如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性不同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有與第一選路層156a相同或不同的線寬。舉個例子，如圖4B代表性所示，第二選路層156b形成於第一選路層156a上，具有比第一選路層156a更窄的線寬。
因此，第一選路線156與第二選路線186的每一個形成為具有多層結構，以及如果第一選路線156與第二選路線186的每一個中包含的複數個選路導電層的任意其一中出現斷裂，透過剩餘的選路導電層傳送每一觸控驅動脈衝與觸控訊號。
如上所述，本揭露這個實施例之有機發光顯示器包含由複數個選路層形成的第一選路線156與第二選路線186，係依照觸控驅動線152與觸控感測線154的堆疊順序被堆疊。第一選路線156與第二選路線186具有多層結構，由此避免第一選路線156與第二選路線186之斷裂。另外，本揭露之有機發光顯示器中，雖然觸控螢幕透過黏合劑被接合至傳統的有機發光顯示器，但是觸控電極152e與154e係直接堆疊於封裝部140上，沒有單獨的接合製程，由此簡化了整個製造製程且降低了製造成本。
圖5A至5D係為一個實施例之圖2與圖3所示有機發光顯示器之製造方法之平面與剖面示意圖。
請參考圖5A，輔助橋152a、第一選路線156與第二選路線186之每一個的第一選路層156a，以及觸控驅動墊170與觸控感測墊180之每一個的第一焊墊層170a形成於其上形成發光裝置120與封裝部140的基板111上。
更詳細地，透過沈積製程，第一導電層被沈積於其上形成發光裝置120與封裝部140的基板111的整個表面上。此後，透過利用第一遮罩的光刻製程與蝕刻製程，透過將第一導電層圖案化，形成輔助橋152a、第一選路層156a以及第一焊墊層170a。這裡，利用具有高耐蝕性與高耐酸性的金屬比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第一導電層形成為具有單層結構或多層結構。舉個例子，第一導電層具有三層結構，比如鈦／鋁／鈦（Ti/Al/Ti）或鉬／鋁／鉬（Mo/Al/Mo）。
結合圖5B，第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路線156與第二選路線186之每一個的第二選路層156b，以及觸控驅動墊170與觸控感測墊180的第二焊墊層170b形成於其上形成有輔助橋152a、第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111上。
更詳細地，透過沈積製程，第二導電層被沈積於其上形成有輔助橋152a、第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111的整個表面上。此後，透過利用第二遮罩的光刻製程與蝕刻製程，透過將第二導電層圖案化，形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第二選路層156b以及第二焊墊層170b。這裡，第二導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
結合圖5C，具有觸控接觸孔150的觸控絕緣膜168形成於其上形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第二選路層156b以及第二焊墊層170b的基板111上。
更詳細地，利用金屬遮罩，透過沈積製程，無機或有機絕緣材料沈積於其上形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第二選路層156b以及第二焊墊層170b的基板111上，從而形成觸控絕緣膜168以暴露第二選路層156b與第二焊墊層170b。這裡，觸控絕緣膜168由無機膜或有機膜形成。這裡，無機膜採用氮化矽(SiNx )、氮氧化矽(SiON)、二氧化矽(SiO2 )、或者氧化鋁(Al2 O3 )。有機膜採用丙烯酸基有機膜、環氧基有機膜（epoxy-based organic film）、聚对二甲苯C型（Parylene-C）、聚对二甲苯N型（Parylene-N）、聚对二甲苯N型（Parylene-F）或者矽氧烷基有機膜。因此，透過利用第三遮罩的光刻製程與蝕刻製程，透過將觸控絕緣膜168圖案化，形成觸控接觸孔150。觸控接觸孔150形成為穿透觸控絕緣膜168，由此暴露第二觸控電極154e。
請結合圖5D，第一選路線156與第二選路線186之每一個的第三選路層156c、觸控驅動墊170與觸控感測墊180之每一個的第三焊墊層170c，以及第二橋154b形成於其上形成觸控接觸孔150之基板111上。
更詳細地，透過沈積製程，第三導電層沈積於其上形成有觸控接觸孔150的基板111的整個表面上。此後，透過利用第四遮罩的光刻製程與蝕刻製程將第三導電層圖案化，形成第三選路層156c、第三焊墊層170c以及第二橋154b。這裡，第三導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO），或者導電聚合物。
如上所述，本揭露之這個實施例中，封裝部140上的導電層形成三層結構，以及第一選路線156與第二選路線186中包含選路層形成三層結構。這種情況下，第一至第三選路層156a、156b及156c係分別與具有相同層數的第一至第三導電層同時形成。就是說，位於下層的由第一導電層形成的輔助橋152a與第一選路層156a係同時形成，位於中間層的由第二導電層形成的第一橋152b與第二選路層156b係同時形成，以及位於上層的由第三導電層形成的第二橋154b與第三選路層156c係同時形成。
圖6係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面示意圖，以及圖7係為沿圖6之線II1-II1’與II2-II2’之有機發光顯示器之剖面示意圖。
除了透過順序地堆疊第一選路層156a即不透明導電層以及第二選路層156b即透明導電層形成第一選路線156與第二選路線186的每一個，以及透明導電層形成的第一橋152b堆疊於不透明導電層形成的第二橋154b上從而對應第一選路層156a與第二選路層156b的堆疊順序以外，圖6及圖7所示的有機發光顯示器與圖2及圖3所示的有機發光顯示器相同。因此，與圖2及圖3所示的有機發光顯示器的元件實質相同的圖6及圖7中所示有機發光顯示器的元件的詳細描述被認為沒有必要，所以將被省略。
第二橋154b由第二無機封裝層146上的第一不透明導電層形成。第二橋154b係透過穿透觸控絕緣膜168形成的觸控接觸孔150被暴露，以及導電連接第二觸控電極154e。
第一觸控電極152e與第二觸控電極154e以及第一橋152b由位於比封裝部140更高位置的觸控絕緣膜168上的第二透明導電層形成。
依照形成觸控驅動線152與觸控感測線154的第一與第二導電層的堆疊順序相同的順序，透過順序地堆疊第一不透明導電層形成的第一選路層156a與第二透明導電層形成的第二選路層156b，形成第一選路線156與第二選路線186的每一個。
這裡，第一選路層156a係使用鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金（MoTi）由具有單層或多層結構的第一不透明導電層形成。第二選路層156b從第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個延伸，以及由第二導電層形成，包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性相同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上以具有比第一選路層156a更大的線寬，從而覆蓋第一選路層156a的側表面與上表面，如圖8A代表性所示。因此，可避免形成第二選路層156b中使用的蝕刻溶液或蝕刻氣體對具有與第二選路層156b相同材料的第一選路層156a的蝕刻。
另外，如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性不同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上以具有與第一選路層156a相同或不同的線寬。舉個例子，第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有比第一選路層156a更窄的線寬，如圖8B代表性所示。
因此，第一選路線156與第二選路線186之每一個形成為具有多層結構，以及如果第一選路線156與第二選路線186之每一個中包含的複數個選路導電層之任意一個出現斷裂，則透過剩餘的選路導電層傳送觸控驅動脈衝與觸控訊號的每一個。
依照與第一選路線156及第二選路線186相同的方式，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個形成為具有雙層結構。就是說，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個具有利用第一與第二導電層堆疊第一焊墊層170a與第二焊墊層170b所需要的雙層結構。觸控驅動墊170與觸控感測墊180從觸控保護膜190暴露，由此接觸其上裝設觸控驅動單元之訊號傳輸膜。這裡，觸控保護膜190形成以覆蓋觸控感測線154與觸控驅動線152，由此避免由於外部水分等造成的觸控感測線154與觸控驅動線152的腐蝕。這種觸控保護膜190由有機絕緣材料形成，或者形成為圓形偏光板或者形成為環氧樹脂或丙烯酸膜。
如上所述，本揭露這個實施例之有機發光顯示器包含由複數個選路層形成的第一選路線156與第二選路線186，係依照觸控驅動線152與觸控感測線154中包含的第一與第二導電層的堆疊順序被堆疊。第一選路線156與第二選路線186具有多層結構，由此，避免第一選路線156與第二選路線186的斷裂。另外，本揭露之有機發光顯示器中，雖然觸控螢幕透過黏合劑被接合至傳統的有機發光顯示器，但是觸控電極152e與154e係直接堆疊於封裝部140上，沒有單獨的接合製程，由此簡化了整個製造製程且降低了製造成本。
圖9A至9D係為圖6與圖7所示之有機發光顯示器之製造方法之平面與剖面示意圖。
首先，第一導電層透過沈積製程被沈積於封裝部140的整個表面上，然後，第一導電層係利用第一遮罩透過光刻製程與蝕刻製程被圖案化。由此，第二橋154b、第一選路線156與第二選路線186的每一個的第一選路層156a，以及觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個的第一焊墊層170a形成於封裝部140上，如圖9A代表性所示。這裡，使用具有高耐蝕性與高耐酸性的金屬比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第一導電層形成為具有單層結構或多層結構。舉個例子，第一導電層具有三層結構，比如比如鈦／鋁／鈦（Ti/Al/Ti）或鉬／鋁／鉬（Mo/Al/Mo）。
此後，透過使用金屬遮罩的沈積製程，透過在其上形成第二橋154b、第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111上沈積無機或有機絕緣材料，形成暴露第二選路層156b與第二焊墊層170b的觸控絕緣膜168。此後，如圖9B代表性所示，透過使用第二遮罩之光刻製程與蝕刻製程，將觸控絕緣膜168圖案化而形成觸控接觸孔150。
此後，透過沈積製程，第二導電層被沈積於其上形成具有觸控接觸孔150的觸控絕緣膜168的基板111的整個表面上，然後，透過使用第三遮罩的光刻製程與蝕刻製程，第二導電層被圖案化。由此，第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路線156與第二選路線186的每一個的第二選路層156b，以及觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個的第二焊墊層170b形成於觸控絕緣膜168上，如圖9C代表性所示。這裡，第二導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO），或者導電聚合物。
此後，有機絕緣材料被施加到其上形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第二選路層156b以及第二焊墊層170b的基板111的整個表面，然後，有機絕緣材料透過利用第四遮罩的光刻製程與蝕刻製程被圖案化。由此，形成觸控保護膜190，以暴露每一觸控驅動墊170之第二焊墊層170b與觸控感測墊180，如圖9D代表性所示。
如上所述，本揭露之這個實施例中，由位於下層的第一導電層形成的第二橋154b與第一選路層156a係同時形成，以及由位於上層的第二導電層形成的第一橋152b與第二選路層156b係同時形成。
圖10係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖。
除了透過順序地堆疊第一選路層156a即不透明導電層、第二選路層156b即透明導電層以及第三選路層156c即透明導電層而形成第一選路線156與第二選路線186的每一個，以及第三透明導電層形成的第一橋152b被堆疊於第二透明導電層形成的第二橋154b上從而對應第二選路層156b與第三選路層156c的堆疊順序以外，圖10所示的有機發光顯示器與圖2及圖3所示的有機發光顯示器相同。因此，與圖2及圖3所示的有機發光顯示器的元件實質相同的圖10所示有機發光顯示器的元件的詳細描述被認為沒有必要，所以將被省略。
第二橋154b由無機封裝層146上的第二透明導電層 形成。第二橋154b係透過穿透觸控絕緣膜168形成的觸控接觸孔150被暴露，以及導電連接第二觸控電極154e。第一觸控電極152e與第二觸控電極154e以及第一橋152b由位於比封裝部140更高位置的觸控絕緣膜168上的第三透明導電層形成。第一橋152b與第二橋154b由透明導電層形成，由此可提高透光率。
第一選路線156與第二選路線186的每一個中包含的透明的第二與第三選路層156b與156c被堆疊為對應形成觸控驅動線152與觸控感測線154的第二與第三透明導電層的堆疊順序。就是說，透過順序地堆疊第一不透明導電層形成的第一選路層156a、第二透明導電層形成的第二選路層156b以及第三透明導電層形成的第三選路層156c，形成第一選路線156與第二選路線186的每一個。
這裡，使用鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第一選路層156由具有單層結構或多層結構的第一不透明導電層形成。第二選路層156b由第二導電層形成，包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。第三選路層156c從第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個延伸，以及由第三導電層形成，包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
第一選路線156與第二選路線186的層積剖面與圖4A至4C所示的相同，由此將省略其詳細描述。
因此，第一選路線156與第二選路線186的每一個形成為具有多層結構，以及如果第一選路線156與第二選路線186的每一個中包含的複數個選路導電層之任意一個出現斷裂，則透過剩餘的選路導電層傳送觸控驅動脈衝與觸控訊號的每一個。
觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個形成為具有與第一選路線156及第二選路線186相同方式的三層結構。就是說，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個為使用第一至第三導電層堆疊第一至第三焊墊層170a、170b與170c所需要的三層結構。
如上所述，本揭露這個實施例之有機發光顯示器包含具有多層結構的第一選路線156及第二選路線186，由此避免第一選路線156及第二選路線186之斷裂。另外，本揭露之有機發光顯示器中，雖然觸控螢幕透過黏合劑被接合至傳統的有機發光顯示器，但是觸控電極152e與154e係直接堆疊於封裝部140上，沒有單獨的接合製程，由此簡化了整個製造製程且降低了製造成本。
圖11A至11E係為圖10所示有機發光顯示器之製造方法之平面與剖面示意圖。
首先，第一導電層透過沈積製程被沈積於封裝部140的整個表面上，然後，透過使用第一遮罩之光刻製程與蝕刻製程將第一導電層圖案化。因此，第一選路線156及第二選路線186的每一個的第一選路層156a以及觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個的第一焊墊層170a形成於封裝部140上，如圖11A代表性所示。這裡，使用具有高耐蝕性與高耐酸性的金屬比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第一導電層形成為具有單層結構或多層結構。舉個例子，第一導電層具有三層結構，比如鈦／鋁／鈦（Ti/Al/Ti）或鉬／鋁／鉬（Mo/Al/Mo）。
此後，透過沈積製程，第二導電層被沈積於其上形成有第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111的整個表面上，然後，透過使用第二遮罩的光刻製程與蝕刻製程將第二導電層圖案化。因此，形成第二橋154b、第二選路層156b與第二焊墊層170b，如圖11B代表性所示。這裡，第二導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
此後，透過使用金屬遮罩的沈積製程，透過在其上形成有第二橋154b、第二選路層156b與第二焊墊層170b的基板111上沈積無機或有機絕緣材料，形成暴露第二選路層156b與第二焊墊層170b的觸控絕緣膜168。此後，透過使用第三遮罩的光刻製程與蝕刻製程，透過將觸控絕緣膜168圖案化，形成觸控接觸孔150，如圖11C代表性所示。
此後，透過沈積製程，第三導電層被沈積於其上形成有具有觸控接觸孔150的觸控絕緣膜168的基板111的整個表面上，然後，透過使用第四遮罩的光刻製程與蝕刻製程將第三導電層圖案化。因此，第一橋152b、第三選路層156c以及第三焊墊層170c形成於觸控絕緣膜168上，如圖11D代表性所示。這裡，第三導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
此後，有機絕緣材料被施加到其上形成有第一橋152b、第三選路層156c與第三焊墊層170c的基板111的整個表面上，然後，透過使用第五遮罩的光刻製程與蝕刻製程將有機絕緣材料圖案化。因此，形成觸控保護膜190以暴露觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個的第三焊墊層170c，如圖11E代表性所示。
如上所述，本發明之這個實施例中，封裝部140上的導電層形成雙層結構，以及第一選路線156與第二選路線186中包含的選路層形成三層結構。這種情況下，封裝部140上的第二與第三導電層的每一個係同時形成為由對應導電層的相同材料形成的第一至第三選路層156a、156b與156c其中之一。就是說，第二導電層形成的第二橋154b係與第二選路層156b同時形成，以及第三導電層形成的第一橋152b係與第三選路層156c同時形成。
圖12係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖，以及圖13A至13C係為圖12所示的選路線之剖面示意圖。
除了順序地堆疊第一選路層156a即透明導電層與第二選路層156b即不透明的導電層而形成第一選路線156與第二選路線186的每一個，以及第二不透明的導電層形成的第二橋154b堆疊於第一透明導電層形成的第一橋152b上從而對應第一選路層156a與第二選路層156b的堆疊順序以外，圖12所示的有機發光顯示器與圖2及圖3所示的有機發光顯示器相同。因此，與圖2及圖3所示的有機發光顯示器的元件實質相同的圖12所示的有機發光顯示器的元件的詳細描述被認為沒有必要，所以將被省略。
第一橋152b以及第一觸控電極152e與第二觸控電極154e係由無機封裝層146上的第一透明導電層形成。
第二橋154b由位於比封裝部140更高位置的觸控絕緣膜168上的第二不透明導電層形成。第二橋154b透過穿透觸控絕緣膜168的觸控接觸孔150導電連接第二觸控電極154e。
第一選路線156及第二選路線186的每一個中包含的透明的第一選路層156a與不透明的第二選路層156b被堆疊，從而對應形成觸控驅動線152與觸控感測線154的第一透明導電層與第二不透明導電層之堆疊順序。就是說，透過順序地堆疊第一透明導電層形成的第一選路層156a以及第二不透明導電層形成的第二選路層156b，形成第一選路線156與第二選路線186的每一個。
這裡，第一選路層156a由第一導電層形成，第一導電層包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。第二選路層156b從第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個延伸，以及使用鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金由單層結構或多層結構的第二不透明導電層形成。
如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性（例如，蝕刻氣體或蝕刻溶液）相同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有與第一選路層156a相同的線寬，如圖13A代表性所示，或者形成於第一選路層156a上以具有比第一選路層156a更大的線寬，如圖13B代表性所示。因此，可避免利用形成第二選路層156b時使用的蝕刻溶液或蝕刻氣體以蝕刻與第二選路層156b具有相同蝕刻特性的第一選路層156a。
如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性不同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有與第一選路層156a相同或不同的線寬。舉個例子，如圖13C代表性所示，第二選路層156b形成於第一選路層156a上以具有比第一選路層156a更窄的線寬。
因此，第一選路線156與第二選路線186的每一個形成為具有多層結構，以及如果第一選路線156與第二選路線186的每一個中包含的複數個選路導電層的任意其一出現斷裂，則透過剩餘的選路導電層傳送每一觸控驅動脈衝與觸控訊號。
採用與第一選路線156及第二選路線186相同的方式，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個形成為雙層結構。就是說，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個為使用第一與第二導電層堆疊第一與第二焊墊層170a與170b所需要的雙層結構。
如上所述，本揭露這個實施例之有機發光顯示器包含多層結構的第一選路線156與第二選路線186，由此避免第一選路線156與第二選路線186的斷裂。另外，本發明之有機發光顯示器中，雖然觸控螢幕透過黏合劑被接合至傳統的有機發光顯示器，但是觸控電極152e與154e直接堆疊於封裝部140上，沒有單獨的接合製程，由此簡化了整個製造製程且降低了製造成本。
圖14A至14D係為圖12所示有機發光顯示器之製造方法之示意圖。
首先，第一導電層透過沈積製程被沈積於封裝部140的整個表面上，然後，透過使用第三遮罩的光刻製程與蝕刻製程，將第一導電層圖案化。因此，第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路層156a與第一焊墊層170a形成於封裝部140上，如圖14A代表性所示。這裡，第一導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
此後，透過使用金屬遮罩的沈積製程，透過在其上形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111上沈積無機或有機絕緣材料，形成暴露第二選路層156b與第二焊墊層170b的觸控絕緣膜168。此後，透過使用第二遮罩之光刻製程與蝕刻製程，透過將觸控絕緣膜168圖案化形成觸控接觸孔150，如圖14B代表性所示。
此後，透過沈積製程，第二導電層被沈積於其上形成具有觸控接觸孔150的觸控絕緣膜168的基板111的整個表面上，然後，透過使用第三遮罩的光刻製程與蝕刻製程，將第二導電層圖案化。因此，第二橋154b、第二選路層156b與第二焊墊層170b形成於觸控絕緣膜168上，如圖14C代表性所示。這裡，使用具有高耐蝕性與高耐酸性的金屬比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第二導電層形成為具有單層結構或多層結構。
此後，有機絕緣材料被施加至其上形成有第二橋154b、第二選路層156b與第二焊墊層170b的基板111的整個表面上，然後，透過使用第四遮罩的光刻製程與蝕刻製程，將有機絕緣材料圖案化。因此，形成觸控保護膜190，以暴露觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個的第二焊墊層170b，如圖14D代表性所示。
如上所述，本發明之這個實施例中，第一橋152b與位於下層的第一導電層形成的第一選路層156a係同時形成，以及第二橋154b與位於上層的第二導電層形成的第二選路層156b係同時形成。
圖15係為本揭露再一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖，以及圖16A與16D係為實施例之圖15所示選路線之剖面示意圖。
除了順序地堆疊第一選路層156a即透明導電層、第二選路層156b即不透明導電層與第三選路層156c即透明導電層而形成第一選路線156與第二選路線186的每一個，以及第三透明導電層形成的第二橋154b堆疊於第一透明導電層形成的第一橋152b上從而對應第一選路線156與第二選路線186之透明導電層之堆疊順序以外，圖15所示的有機發光顯示器與圖2及圖3所示的有機發光顯示器相同。因此，與圖2及圖3所示的有機發光顯示器的元件實質相同的圖15所示有機發光顯示器的元件的詳細描述被認為沒有必要，所以將被省略。
第一橋152b以及第一觸控電極152e與第二觸控電極154e由無機封裝層146上的第一透明導電層形成。
第二橋154b由位於比封裝部140高的位置處的觸控絕緣膜168上的第三透明導電層形成。第二橋154b被形成為穿透觸控絕緣膜168的觸控接觸孔150暴露，且導電連接第二觸控電極154e。
第一選路線156與第二選路線186的每一個係透過順序地堆疊第一透明導電層形成的第一選路層156a、第二不透明導電層形成的第二選路層156b以及第三透明導電層形成的第三選路層156c而形成。
這裡，第一選路層156a從第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個延伸，以及由包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物的第一導電層形成。第二選路層156b係使用鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金由具有單層結構或多層結構的第二不透明導電結構形成。第三選路層156c由包含透明導電膜比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物的第三導電層形成。
如果第二選路層156b與第三選路層156c的材料的蝕刻特性（比如，蝕刻氣體或蝕刻溶液）相同，則第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有與第二選路層156b相同的線寬，如圖16A代表性所示，或者第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有比第二選路層156b更大的線寬，如圖16B代表性所示。如果第一選路層156a與第二選路層156b的材料的蝕刻特性不同，則第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有與第一選路層156a相同或不同的線寬。舉個例子，如圖16C與16D代表性所示，第二選路層156b形成於第一選路層156a上，以具有比第一選路層156a更窄的線寬。
另外，如果第二選路層156b與第三選路層156c的材料的蝕刻特性（比如，蝕刻氣體或蝕刻溶液）相同，則第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有與第二選路層156b相同的線寬，如圖16A代表性所示，或者形成於第二選路層156b上，以具有比第二選路層156b更大的線寬，如圖16B與圖16C代表性所示。如果第二選路層156b與第三選路層156c的材料的蝕刻特性不同，則第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有與第二選路層156相同或不同的線寬。舉個例子，第三選路層156c形成於第二選路層156b上，以具有比第二選路層156b更窄的線寬。
因此，第一選路線156與第二選路線186的每一個形成為具有多層結構，以及如果第一選路線156與第二選路線186的每一個中包含的複數個選路導電層的任意其一出現斷裂，則透過剩餘的選路導電層傳送觸控驅動脈衝與觸控訊號的每一個。
採用與第一選路線156及第二選路線186相同的方式，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個形成為具有三層結構。就是說，觸控驅動墊170與觸控感測墊180的每一個具有使用第一至第三導電層透過堆疊第一至第三焊墊層170a至170c所獲得的三層結構。
如上所述，本揭露這個實施例之有機發光顯示器包含多層結構的第一選路線156與第二選路線186，由此避免第一選路線156與第二選路線186的斷裂。另外，本揭露之有機發光顯示器中，雖然觸控螢幕透過黏合劑被接合至傳統的有機發光顯示器，但是觸控電極152e與154e直接堆疊於封裝部140上，沒有單獨的接合製程，由此簡化了整個製造製程且降低了製造成本。
圖17A至17E係為圖15所示有機發光顯示器之製造方法之示意圖。
首先，透過沈積製程，第一導電層被沈積於封裝部140的整個表面上，然後，透過使用第一遮罩之光刻製程與蝕刻製程，將第一導電層圖案化。因此，第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路層156a與第一焊墊層170a形成於封裝部140上，如圖17A代表性所示。這裡，第一導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
此後，透過使用金屬遮罩的沈積製程，透過於其上形成第一橋152b、第一觸控電極152e與第二觸控電極154e、第一選路層156a與第一焊墊層170a的基板111上沈積無機或有機絕緣材料，形成暴露第二選路層156b與第二焊墊層170b之觸控絕緣膜168。此後，透過使用第二遮罩的光刻製程與蝕刻製程，透過將觸控絕緣膜168圖案化形成觸控接觸孔150，如圖17B代表性所示。
此後，透過沈積製程，第二導電層被沈積於其上形成有具有觸控接觸孔150的觸控絕緣膜168的基板111的整個表面上，然後，透過使用第三 遮罩的光刻製程與蝕刻製程將第二導電層圖案化。因此，第二選路層156b與第二焊墊層170b形成於觸控絕緣膜168上，如圖17C代表性所示。這裡，使用具有高耐蝕性與高耐酸性的金屬比如鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金，第二導電層形成為具有單層結構或多層結構。
此後，第三導電層透過沈積製程被沈積於具有第二選路層156b與第二焊墊層170b的基板111的整個表面上，然後，透過使用第四遮罩的光刻製程與蝕刻製程，將第三導電層圖案化。因此，如圖17D代表性所示，形成第二橋154b、第三選路層156c與第三焊墊層170c。這裡，第三導電層採用透明導電膜，比如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅、氧化鋅、銦鎵鋅氧化物（IGZO）或者氧化銦錫/銀/氧化銦錫（ITO/Ag/ITO）或者導電聚合物。
此後，有機絕緣材料被施加至其上形成有第二橋154b、第三選路層156c與第三焊墊層170c的基板111的整個表面上，然後，透過使用第五遮罩的光刻製程與蝕刻製程，將有機絕緣材料圖案化。因此，如圖17E代表性所示，形成觸控保護膜190以暴露觸控驅動墊170與觸控感測墊180每一個的第三焊墊層170c。
如上所述，本發明之這個實施例中，封裝部140上的導電層形成雙層結構，以及第一選路線156與第二選路線186中包含的選路層形成三層結構。這種情況下，封裝部140上的第一與第三導電層的每一個係同時形成為對應導電層的相同材料形成的第一至第三選路層156a、156b與156c其中之一。就是說，第一導電層形成的第一橋152b係與第一選路層156a同時形成，以及第三導電層形成的第二橋154b係與第三選路層156c同時形成。
本揭露之有機發光顯示器包含觸控緩衝膜166，被放置於形成第一橋152b或第二橋154b的第一導電層與封裝部140之間，如圖18代表性所示。觸控緩衝膜166係形成於觸控感測線154與觸控驅動線152的每一個與發光裝置120之間，以及保持觸控感測線154與觸控驅動線152的每一個與陰極126之間至少5微米的距離。因此，觸控感測線154與觸控驅動線152的每一個與陰極126之間的寄生電容被最小化，由此，可避免觸控感測線154與觸控驅動線152的每一個與陰極126間由於兩者之間的耦合導致的相互作用。
另外，雖然這些實施例代表性地描述了有機發光顯示器的第一觸控電極152e與第二觸控電極154e係由板狀透明導電層的第二導電層形成，第一觸控電極152e與第二觸控電極154e也可以形成為網狀(mesh type)，如圖19代表性所示。就是說，第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個包含透明導電層1541以及在透明導電層1541的上表面或下表面上形成為網狀的網格金屬膜1542。此外，第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的每一個包含沒有透明導電層1541的網格金屬膜1542，或者包含沒有網格金屬膜1542的透明導電層1541。這裡，網格金屬膜1542具有比透明導電層1541更高的導電率，由此形成低電阻電極作為第一觸控電極152e與第二觸控電極154e。因此，第一觸控電極152e與第二觸控電極154e的電阻與電容被降低，且時間常數RC被降低，由此提高觸控靈敏度。另外，網格金屬膜1542具有極細的線寬，由此可避免網格金屬膜1542造成的開口率與透射率的降低。另外，被放置於不同於觸控電極152e與154e的平面上的橋154b包含複數個狹縫151，如圖19代表性所示。因此，與沒有狹縫的橋相比，具有狹縫151的橋154b面積減少。因此，可減少橋154b對外部光線的反射，由此避免降低可見度。具有狹縫151的橋154b係由透明導電層或者不透明的導電層形成。如果橋154b由不透明的導電層形成，則橋154b與護堤重疊，由此避免降低開口率。
從以上描述顯然可知，本揭露之具有觸控感測器之有機發光顯示器包含具有多層結構之第一與第二選路線，由此，可避免第一與第二選路線的斷裂。另外，本揭露之有機發光顯示器中，觸控電極無須黏合劑被直接放置於封裝部內，由此省略了單獨的接合製程，從而簡化整個製造製程且降低製造成本。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
111‧‧‧基板
112‧‧‧閘極絕緣膜
114‧‧‧鈍化膜
116‧‧‧平坦化膜
120‧‧‧發光裝置
122‧‧‧陽極
124‧‧‧有機發光層
126‧‧‧陰極
128‧‧‧護堤
130‧‧‧驅動電晶體
132‧‧‧閘極
134‧‧‧半導體層
136‧‧‧源極
138‧‧‧汲極
140‧‧‧封裝部
142‧‧‧無機封裝層
144‧‧‧有機封裝層
146‧‧‧無機封裝層
VDD‧‧‧高電壓
VSS‧‧‧低電壓
DL‧‧‧資料線
SL‧‧‧掃描線
T1‧‧‧切換電晶體
T2‧‧‧驅動電晶體
Cst‧‧‧儲存電容器
Cm‧‧‧互電容
PXL‧‧‧子畫素
R‧‧‧紅色
G‧‧‧綠色
B‧‧‧藍色
W‧‧‧白色
150‧‧‧觸控接觸孔
151‧‧‧狹縫
152‧‧‧觸控驅動線
152a‧‧‧輔助橋
152b‧‧‧第一橋
152e‧‧‧觸控電極
154‧‧‧觸控感測線
154b‧‧‧第二橋
154e‧‧‧觸控電極
1541‧‧‧透明導電層
1542‧‧‧網格金屬膜
156‧‧‧第一選路線
156a‧‧‧第一選路層
156b‧‧‧第二選路層
156c‧‧‧第三選路層
166‧‧‧觸控緩衝膜
168‧‧‧觸控絕緣膜
170‧‧‧觸控驅動墊
170a‧‧‧第一焊墊層
170b‧‧‧第二焊墊層
170c‧‧‧第三焊墊層
180‧‧‧觸控感測墊
186‧‧‧第二選路線
190‧‧‧觸控保護膜
圖1係為本揭露一個實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之透視圖。 圖2係為本揭露一個實施例之圖1所示有機發光顯示器之平面示意圖。 圖3係為本揭露一個實施例之沿圖2之線I1-I1’與I2-I2’之有機發光顯示器之剖面示意圖。 圖4A至4C係為不同實施例之圖3所示的選路線之剖面示意圖。 圖5A至5D係為本揭露一個實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之製造方法之示意圖。 圖6係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面示意圖。 圖7係為本揭露一個實施例之沿圖6之線II1-II1’與II2-II2’之有機發光顯示器之剖面示意圖。 圖8A與8B係為不同實施例之圖7所示選路線之剖面示意圖。 圖9A至9D係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之製造方法之示意圖。 圖10係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖。 圖11A至11E係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之製造方法之示意圖。 圖12係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖。 圖13A至13C係為本揭露一個實施例之圖12所示的選路線之剖面示意圖。 圖14A至14D係為本揭露另一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之製造方法之示意圖。 圖15係為本揭露再一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之平面與剖面示意圖。 圖16A與16D係為不同實施例之圖15所示選路線之剖面示意圖。 圖17A至17E係為本揭露再一實施例之具有觸控感測器之有機發光顯示器之製造方法之示意圖。 圖18係為本揭露之具有觸控緩衝膜之有機發光顯示器之剖面示意圖。 圖19係為另一實施例之有機發光顯示器之第一與第二觸控電極之示意圖。

Claims (21)

  1. 一種有機發光顯示器，包含：一發光裝置，被放置於顯示影像之一基板之一主動區域中；一封裝部，被放置於該發光裝置上，該封裝部包含複數個無機封裝層與至少一個有機封裝層；複數條觸控感測線與複數條觸控驅動線，被放置於該封裝部上，該等觸控感測線與該等觸控驅動線在該主動區域中彼此交叉，以及該等觸控驅動線與該等觸控感測線各自包含依照一堆疊順序排列的複數個導電層；以及複數條選路線，連接該等觸控感測線與該等觸控驅動線，每一該等選路線包含複數個選路層，每一該等選路層由該等導電層之一對應導電層相同的材料製成，以及依照與該等導電層之該堆疊順序相同的一堆疊順序排列該等選路層。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示器，其中該等觸控驅動線至少其一包含：沿一第一方向放置的複數個第一觸控電極；以及複數個第一橋，該等第一橋之每一第一橋共同連接來自該等第一觸控電極的一對第一觸控電極，其中該等觸控感測線至少其一包含：複數個第二觸控電極，沿與該第一方向交叉的一第二方向放置；以及複數個第二橋，該等第二橋之每一第二橋共同連接來自該等第二觸控電極之一對第二觸控電極。
  3. 如請求項2所述之有機發光顯示器，更包含：複數個輔助橋，該等輔助橋之每一輔助橋被放置於該等第一橋之一對應第一橋下方，以及該等輔助橋之每一輔助橋直接連接來自該等第一橋之一對應第一橋；其中該等輔助橋包含由一金屬組成的一第一不透明導電層；其中該等第一橋以及每一該等第一觸控電極與該等第二觸控電極包含由一透明導電膜組成的一第二導電層，該第二導電層直接位於該第一不透明導電層上；以及其中該等第二橋由一第三透明導電膜組成，以及該等第二橋的每一個的一部分位於該等輔助橋之對應一個與該等第二觸控電極的上方；以及其中該等選路層包含：一第一選路層，包含與該第一不透明導電層相同的材料；一第二選路層，直接位於該第一選路層上，以及包含與該第二導電層相同的材料；以及一第三選路層，直接位於該第二選路層上，以及包含與一第三導電層相同的材料。
  4. 如請求項2所述之有機發光顯示器，其中，該等第二橋包含一第一導電層，該第一導電層包含一不透明導電膜；以及該等第一橋、該等第一觸控電極與該等第二觸控電極包含一第二導電層，該第二導電層包含一透明導電膜，該第二導電層位於該第一導電層上方；以及該等選路層包含：一第一選路層，包含與該第一導電層相同的材料；以及一第二選路層，直接位於該第一選路層上，以及包含與該第二導電層相同的材料。
  5. 如請求項2所述之有機發光顯示器，其中，複數個第一橋，包含一第二導電層，該第二導電層包含一透明導電膜；以及該等第一橋、該等第一觸控電極以及該等第二觸控電極包含該第二導電層，該第二導電層包含一透明導電膜；以及該等選路層包含：一第一選路層，被放置於該封裝部上以及包含一不透明導電層；一第二選路層，直接位於該第一選路層上以及包含與該第一選路層相同的材料；以及一第三選路層，直接位於該第二選路層上以及包含與第二導電層相同的材料。
  6. 如請求項2所述之有機發光顯示器，其中，該等第一橋、該等第一觸控電極與該等第二觸控電極包含由一透明導電膜形成的一第一導電層；以及該等第二橋包含由一不透明導電膜形成的一第二導電層；以及該等選路層包含：一第一選路層，由與該第一導電層相同的材料形成；以及一第二選路層，直接位於該第一選路層上以及包含與該第二導電層相同的材料。
  7. 如請求項2所述之有機發光顯示器，其中，該等第一橋、該等第一觸控電極與該等第二觸控電極包含一第一導電層，該第一導電層包含一第一透明導電膜；以及該等第二橋包含由一第二導電層，該第二導電層包含一第二透明導電膜；以及該等選路層包含：一第一選路層，包含與該第一導電層相同的材料；一第二選路層，直接位於該第一選路層上以及包含一不透明導電膜；以及一第三選路層，直接位於該第二選路層上，以及由與該第二導電層相同的材料形成。
  8. 如請求項4所述之有機發光顯示器，更包含：一觸控緩衝膜，被放置於該封裝部與該第一導電層之間。
  9. 如請求項2所述之有機發光顯示器，其中該等第一觸控電極或該等第二觸控電極至少其一形成為網狀圖案。
  10. 如請求項2所述之有機發光顯示器，其中被放置於不同於該等第一觸控電極及該等第二觸控電極的一平面上的該等第一橋或該等第二橋包含複數個狹縫。
  11. 如請求項3所述之有機發光顯示器，其中，使用鋁、鈦、銅、鉬與鉬鈦合金至少其一，該第一不透明導電層包含一單層結構或一多層結構；以及該透明導電膜由氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋅(zinc oxide；ZnO)、銦鎵鋅氧化物(indium gallium zinc oxide；IGZO)，氧化銦錫、銀與氧化銦錫之組合或者導電聚合物形成。
  12. 一種有機發光顯示器之製造方法，包含：形成一發光裝置，該發光裝置被放置於顯示影像的一基板之一主動區域中；形成一封裝部，該封裝部包含位於該發光裝置上的複數個無機封裝層與至少一個有機封裝層；以及形成位於該封裝部上的複數條觸控感測線、複數條觸控驅動線與複數條選路線，其中該等觸控感測線與該等觸控驅動線在該主動區域中彼此交叉，以及該等觸控驅動線與該等觸控感測線各自包含依照一堆疊順序排列的複數個導電層；以及其中每一該等選路線包含複數個選路層，每一該等選路層由該等導電層之一對應導電層的相同材料製成，以及該等選路層依照與該等導電層之該堆疊順序相同的一堆疊順序被排列。
  13. 如請求項12所述之有機發光顯示器之製造方法，其中，該等選路層中包含的選路層的總數與該等觸控驅動線及該等觸控感測線中包含的導電層的總數相同；以及每一該等選路層係與該等導電層之一對應導電層同時形成。
  14. 如請求項12所述之有機發光顯示器之製造方法，其中，該等選路層中包含的選路層的總數與該等觸控驅動線及該等觸控感測線中包含的導電層的總數不同；以及每一該等選路層與該選路層之相同材料製成的該等導電層之一對應導電層係同時形成。
  15. 一種顯示裝置，包含：一基板，包含顯示影像的一主動區域與不顯示影像的一非顯示區域；一發光裝置，於該基板之該主動區域中發射光線；該基板之該主動區域中的一觸控感測器，感測該顯示裝置之觸碰，該觸控感測器位於該發光裝置上方且包含複數個導電層，該等導電層係依照一堆疊順序排列；以及該基板之該非主動區域中的複數條選路線，連接該觸控感測器，每一該等選路線包含複數個選路層，每一該等選路層由該觸控感測器中包含的該等導電層之一對應導電層之相同材料製成，以及該等選路層係依照與該觸控感測器之該等導電層之該堆疊順序相同的一堆疊順序被排列。
  16. 如請求項15所述之顯示裝置，其中該觸控感測器包含一觸控驅動線以及與該觸控驅動線交叉的一觸控感測線，其中該觸控驅動線包含：複數個第一觸控電極，沿一第一方向放置；以及複數個第一橋，該等第一橋之每一第一橋共同連接該等第一觸控電極之一對第一觸控電極；其中該觸控感測線包含：複數個第二觸控電極，沿與該第一方向交叉的一第二方向放置；以及複數個第二橋，該等第二橋的每一第二橋共同連接該等第二觸控電極之一對第二觸控電極。
  17. 如請求項16所述之顯示裝置，更包含：複數個輔助橋，該等輔助橋的每一輔助橋被放置於該等第一橋之一對應第一橋下方，以及該等輔助橋的每一輔助橋直接連接該等第一橋之一對應第一橋；以及其中該等選路層包含：一第一選路層，包含與該等輔助橋相同的材料；一第二選路層，直接位於該第一選路層上，以及包含與該等第一橋、該等第一觸控電極及該等第二觸控電極相同的材料；以及一第三選路層，直接位於該第二選路層上，以及包含與該等第二橋相同的材料。
  18. 如請求項16所述之顯示裝置，其中，該等第一橋、該等第一觸控電極以及該等第二觸控電極處於該等第二橋上方的一相同平面上；以及複數個選路層包含：一第一選路層，包含與該等第二橋相同的材料；以及一第二選路層，直接位於該第一選路層上，以及包含與該等第一橋、該等第一觸控電極及該等第二觸控電極相同的材料。
  19. 如請求項16所述之顯示裝置，其中，該等第一橋、該等第一觸控電極與該等第二觸控電極處於該等第二橋上方的一相同平面上；以及該等選路層包含：一第一選路層；一第二選路層，直接位於該第一選路層上，以及包含與該等第二橋相同的材料；以及一第三選路層，直接位於該第二選路層上，以及包含與該等第一橋、該等第一觸控電極與該等第二觸控電極相同的材料，其中該第一選路層由不同於該第二選路層及該第三選路層的材料製成。
  20. 如請求項16所述之顯示裝置，其中，該等第一橋、該等第一觸控電極與該等第二觸控電極處於該等第二橋下方的一相同平面上；以及該等選路層包含：一第一選路層，包含與該等第一橋、該等第一觸控電極及該等第二觸控電極相同的材料；以及一第二選路層，直接位於該第一選路層上，以及包含與該等第二橋相同的材料。
  21. 如請求項16所述之顯示裝置，其中，該等第一橋、該等第一觸控電極與該等第二觸控電極處於該等第二橋下方的一相同平面上；以及該等選路層包含：一第一選路層，包含與該等第一橋、該等第一觸控電極及該等第二觸控電極相同的材料；一第二選路層，直接位於該第一選路層上；以及一第三選路層，直接位於該第二選路層上，以及包含與該等第二橋相同的材料；其中該第二選路層由不同於該第一選路層與該第三選路層的材料製成。
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